CN107367907A - 支撑装置、光刻装置和器件制造方法 - Google Patents

Abstract

一种用于光刻装置的支撑装置(60)，具有物体保持件(61)和在物体保持件径向外侧的提取主体(65)。物体保持件被配置为支撑物体(W)。提取主体包括被配置为从支撑装置的顶面提取流体的提取开口(66)。提取主体与物体保持件间隔开，使得提取主体与物体保持件基本解耦。提取主体包括突起(30)，所述突起被配置为使得其围绕物体保持件，并且使得在使用中液体(32)的层保留在突起上且接触支撑在物体保持件上的物体。

Description

支撑装置、光刻装置和器件制造方法

本申请是于2014年11月28日进入中国国家阶段、国家申请号为201380028677.X、发明名称为“支撑装置、光刻装置和器件制造方法”的中国发明专利申请的分案申请。

相关申请的交叉引用

本申请要求2012年5月29日提出的美国临时申请61/652,582的权益，其公开内容在此通过引用以其整体并入。该申请要求2012年6月29日提出的美国临时申请61/666,348的权益，其公开内容在此通过引用以其整体并入。

技术领域

本发明涉及支撑装置、光刻装置和器件制造方法。

背景技术

光刻装置是将期望图案应用到衬底上的机器，通常应用到衬底的目标部分上。光刻装置可以用于，例如，集成电路(IC)的制造。在这种情况下，图案形成装置，可选地被称为掩模或掩膜版，可以用于生成要形成在IC的单独层上的电路图案。该图案可以转移到衬底上的目标部分(即，包括一个或一些裸片的部分)上。图案的转移通常是通过成像到衬底上提供的辐射敏感材料(抗蚀剂)的层上。一般地，单个衬底将包含连续图案化的邻近目标部分的网络。已知的光刻装置包括所谓的步进机，其中每个目标部分是通过一次将整个图案暴露到目标部分上而被辐射的，和所谓的扫描器，其中每个目标部分是通过扫描经过沿着给定方向(“扫描”方向)的辐射束的图案同时同步地扫描与该方向平行或反平行的衬底而被辐射的。还可以通过将图案印到衬底上将来自图案形成装置的图案转移到衬底上。

已经提出将光刻装置中的衬底浸没具有相对高折射率的液体中，例如水，以便于填充投影系统的最终元件和衬底之间的空间。在一个实施例中，液体是蒸馏水，尽管可以使用另一种液体。本发明的实施例将参考液体描述。然而，另一种流体可以是合适的，特别是润湿流体、不可压缩流体和/或具有比空气折射率更高的折射率的流体，期望地比水的折射率更高的折射率。排除气体的流体是特别期望的。由于曝光辐射在液体中将具有更短波长，这样做的意义是能够成像更小特征。(液体的效果还可以视为增大系统的有效数值孔径(NA)和还增大焦深。已经提出其他浸没液体，包括具有悬浮在其中的固态颗粒(例如石英)的水或具有纳米颗粒悬浮物的液体(即，具有最大尺寸高达10nm的颗粒)。悬浮颗粒物可以具有或不具有与悬浮在其中的液体相似或相同的折射率。合适的其他液体包括碳氢化合物，诸如芳烃、氟代烃和/或水溶液。

衬底和衬底台浸没液浴(参考，例如，美国专利号4509852)意味着存在必须在扫描曝光期间加速大量液体。这需要额外的或更多强有力的电机，并且液体中的湍流可能导致不期望和不可预知的效果。

在浸没装置中，浸没流体是由流体处理系统、设备结构或装置处理。在一个实施例中流体处理系统可以提供浸没流体，因此该系统是流体供应系统。在一个实施例中流体处理系统可以至少部分地限制浸没流体，因而该系统是流体限制系统。在一个实施例中流体处理系统可以提供用于浸没流体的屏障，因而该系统是屏障构件，诸如流体限制结构。在一个实施例中流体处理系统可以产生或使用气体流，以便例如帮助帮助控制浸没流体的流动和/或其位置。气体流可以形成用于限制浸没流体的密封，因此流体处理结构可以被称为密封构件；这样的密封构件可以是流体限制结构。在一个实施例中，浸没液体用作浸没流体。在该实例中流体处理系统可以是液体处理系统。参考前述描述，该段落中关于流体定义的特征可以理解为包括关于液体定义的特征。

处理光刻装置中的浸没液体带来一个或多个液体处理问题。间隙通常存在于诸如衬底和/或传感器的物体和物体(例如，衬底和/或传感器)边缘周围的台(例如，衬底台或测量台)之间。美国专利申请公开US 2005-0264778公开利用材料填充间隙或提供液体源或低压源故意地利用液体填充所述间隙从而避免当间隙在流体供应系统下方通过时夹杂气泡和/或移除进入间隙的任何液体。

发明内容

期望的是，例如，改进光刻装置的物体保持件的温度剖面图的稳定性。

根据一个方面，提供光刻装置的支撑装置，包括：被配置为支撑物体的物体保持件；和在物体保持件径向外侧的提取主体，提取主体包括被配置为从支撑装置的顶面提取流体的提取开口，其中提取主体与物体保持件间隔开，使得提取主体与物体保持件基本解耦；其中提取主体包括突起，所述突起配置为使得其围绕物体保持件并且使得在使用中时液体层保留在突起上且接触支撑在物体保持件上的物体。

根据一个方面，提供光刻装置的支撑装置，包括：物体保持件；和物体保持件径向外侧的提取主体，该提取主体包括被配置为从支撑装置的顶面提取流体的提取开口，其中提取主体通过多个周向间隔的接头连接到物体保持件，使得在接头之间，提取主体与物体保持件间隔开。

根据一个方面，提供利用光刻装置的器件制造方法，该方法包括：使由图案形成装置图案化的束投影到衬底上同时利用支撑装置支撑衬底，其中支撑装置包括：被配置为支撑物体的物体保持件；和在物体保持件径向外侧的提取主体，该提取主体包括被配置为从支撑装置的顶面提取流体的提取开口，其中提取主体与物体保持件间隔开，使得提取主体与物体保持件充分解耦；其中提取主体包括突起，突起配置为使其围绕物体保持件并且使得在使用中流体层保留在突起上且接触支撑在物体保持件上的物体。

根据一个方面，提供利用光刻装置的器件制造方法，该方法包括：将图案形成装置图案化的束投影到衬底上同时利用支撑装置支撑衬底，其中支撑装置包括：物体保持件；和在物体保持件径向外侧的提取主体，该提取主体包括被配置为从支撑装置的顶面提取流体的提取开口，其中提取主体通过多个周向间隔的接头连接到物体保持件，使得在接头之间，提取主体与物体保持件间隔开。

根据一个方面，提供包括以下的支撑装置：由具有热导率的台材料形成的台；定位在台的凹口内的主体，其中主体和台之间存在间隙；和桥接从主体的顶面到台的顶面的间隙的构件，该构件包括具有比台材料的热导率更低的热导率的热阻材料的热阻层。

根据一个方面，提供利用光刻装置的器件制造方法，该方法包括：将图案形成装置图案化的束投影到衬底上同时利用支撑装置支撑衬底，其中支撑装置包括：由具有热导率的台材料形成的台；定位在台的凹口内的主体，其中主体和台之间存在间隙；和桥接从主体的顶面到台的顶面的间隙的构件，该构件包括具有比台材料的热导率更低的热导率的热阻材料的热阻层。

附图说明

现在将参考附图只通过实例描述本发明的实施例，附图中相对应的参考符号表示相对应的一部分，在附图中：

图1描绘根据本发明的实施例的光刻装置；

图2和图3描绘在光刻投影装置使用的液体供应系统；

图4描绘用于光刻投影装置的又一液体供应系统；

图5描绘用于光刻投影装置的又一液体供应系统；

图6-8描绘一个实施例的支撑装置的一部分的横截面图；

图9以平面图描绘一个实施例的支撑装置的一部分的平面图；

图10-14描绘一个实施例的支撑装置的一部分的横截面图；

图15-19描绘一个实施例的热调节系统的横截面图；

图20-30描绘一个实施例的支撑装置的一部分的横截面图。

具体实施方式

图1示意性地描绘根据本发明的一个实施例的光刻装置。该装置包括：

-照射系统(照射器)IL，被配置为调节辐射束B(例如，UV辐射或DUV辐射)；

-支撑结构(例如，掩模台)MT，被构造为依照一定参数支撑图案形成装置(例如，掩模)MA并连接到被配置为精确定位图案形成装置MA的第一定位器PM；

-支撑台，例如，用于依照一定参数的支撑一个或多个传感器的传感器台或被构造为保持衬底(例如，涂有抗蚀剂的衬底)W的衬底支撑装置60，其连接到被配置为精确定位所述台的表面的第二定位器P，例如衬底W；以及

-投影系统(例如，折射投影透镜系统)PS，被配置为将图案形成装置MA给予(impart)到辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C上(例如，包括一个或多个裸片)。

照射系统IL可以包括各种类型的光学部件，诸如折射的、反射的、磁的、电磁的、静电的或其他类型的光学部件，或其任意组合，用于定向、成型或控制辐射。

支撑结构MT保持图案形成装置MA。其以取决于图案形成装置MA的方位、光刻装置的设计和其他条件的方式保持图案形成装置，诸如无论图案形成装置MA是否保存在真空环境中。支撑结构MT可以使用机械、真空、静电或其他夹持技术来保持图案形成装置MA。支撑结构MT可以是框架或台，例如，根据需要可以是固定的或可移动的。支撑结构MT可以确保图案形成装置MA例如关于投影系统PS处于期望位置。本文中的术语“掩膜版”或“掩模”的任何使用可以视为与更一般的术语“图案形成装置”同义。

本文中使用的术语“图案形成装置”应当广泛地解释为指代可以用于利用其横截面图案给予辐射束以致在衬底的目标部分上产生图案的任意器件。应当注意的是，给予辐射束的图案可以不精确对应衬底的目标部分中的期望图案，例如如果图案包括相移特征或所谓的辅助图案的话。一般地，给予辐射束的图案将对应目标部分中产生的器件中的特定功能层，诸如集成电路。

图案形成装置MA可以是透射的或反射的。图案形成装置的实例包括掩模、可编程镜阵列和可编程LCD面板。在光刻中掩模是众所周知的，掩模包括诸如二进制、交替相移和衰减相移的掩模类型和各种混合掩模类型。可编程镜阵列使用矩阵布置的小反射镜，每个小反射镜可以单独倾斜以便于沿着不同方向反射进来的辐射束。倾斜的反射镜给予图案到由镜面矩阵反射的辐射束中。

本文中使用的术语“投影系统”应当广泛地解释为涵盖任意类型的投影系统，包括折射的、反射的、反射折射的、磁的、电磁的和静电的光学系统或对于使用的曝光辐射，或诸如浸没液体的使用或真空的使用的其他因素而言合适的任意组合。本文中的术语“投影透镜”的任意用途可以视为与更一般的术语“投影系统”同义。

本文中描绘的装置是透射式类型(例如，使用透射式掩模)。或者，装置可以是反射类型的(例如，使用被称为以上类型的可编程镜阵列或使用反射掩模)。

光刻装置可以是具有两个或多个台(或平台)或支撑件的类型，例如，两个或多个衬底台或一个或多个衬底台和一个或多个传感器或测量台的组合。在这样的“多台”机器中，可以并行使用多个台，或预备步骤可以在一个或多个台上执行，同时一个或多个其他台用于曝光。光刻装置可以具有两个或多个图案形成装置台(或平台或支撑件)，可以通过相似的方式与衬底、传感器和测量台并行地使用。

参考图1，照射器IL接收来自辐射源SO的辐射束。源SO和光刻装置可以是独立的实体，例如当源SO是受激准分子激光器时。在这样的情况中，不认为源SO形成光刻装置的一部分，辐射束借助于光束传输系统BD从源SO传输到照射器IL，光束传输系统BD包括，例如，合适的定向反射镜和/或扩束器。在其他情况中源SO可以是光刻装置的一体部分，例如当源SO是水银灯时。源SO和照射器IL连同光束传输系统BD，如果需要，可以被称为辐射系统。

照射器IL可以包括用于调节辐射束的角强度分布的调节器AD。一般地，可以调节至少照射器IL的光瞳面的光强分布的外部和/或内部径向伸长(通常分别称为σ-外部和σ-内部)。此外，照射器IL可以包括各种其他部件，诸如积分器IN和冷凝器CO。照射器IL可以用于将辐射束调节为在其横截面具有期望均匀性和强度分布。与源SO相似，照射器IL可以视为或不视为构成光刻装置的一部分。例如，照射器IL可以是光刻装置的一体部分或相对于光刻装置为单独实体。在后一种情况中，光刻装置可以被配置为允许照射器IL安装在其上。可选地，照射器IL是可拆卸的，并可以单独提供(例如，由光刻装置制造商或另一个供应商提供)。

辐射束B入射到被保持在支撑结构(例如，掩模台)MT上的图案形成装置(例如，掩模)MA上，并由图案形成装置MA图案化。已经穿过图案形成装置MA，辐射束B穿过投影系统PS，其将所述束聚焦到衬底W的目标部分C上。借助于第二定位器PW和位置传感器IF(例如，干涉器件、线性编码器或电容传感器)，衬底支撑装置60可以精确地移动，例如，以便于使不同目标部分C定位在辐射束B的路径中。类类似地，第一定位器PM和另一个位置传感器(在图1中未明确描绘)可以用于关于辐射束B的路径精确地定位图案形成装置MA，例如，在从掩模库机械取回之后或在扫描期间。一般地，支撑结构MT的移动可以借助于长冲程模块(粗定位)和段冲程模块(精细定位)实现，其形成第一定位器PM的一部分。类似地，衬底支撑装置60的移动可以利用长冲程模块和短冲程模块实现，其形成第二定位器PW的一部分。在步进机的情况中(与扫描器相对照)，支撑结构MT可以只连接到短冲程致动器，或可以是固定的。图案形成装置MA和衬底W可以利用图案形成装置对齐标记M1、M2和衬底对齐标记P1、P2对齐。尽管所示的衬底对齐标记占用专用目标部分，但是其可以定位在目标部分C之间的空间中(被认为是划线道对齐标记)。类似地，在不止一个裸片提供在图案形成装置MA上的情况中，图案形成装置对齐标记可以定位在裸片之间。

所描绘的装置可以在至少一个以下模式中使用：

1.在步进模式中，支撑结构MT和衬底支撑装置60保持基本静止，而被给予辐射束B的整个图案被一次投影到目标部分C上(例如，单次静态曝光)。衬底支撑装置60沿着X和/或Y方向移位，使得可以曝光不同目标部分C。在步进模式中，曝光场的最大尺寸限制单次静态曝光中成像的目标部分C的尺寸。

2.在扫描模式中，支撑结构MT和衬底支撑装置60同步扫描，同时给予辐射束B的图案被投影到目标部分C(例如，单次动态曝光)。衬底支撑装置60相对于支撑结构MT的速度和方向可以由投影系统PS的(缩小)放大和图像翻转特征确定。在扫描模式中，曝光场的最大尺寸限制单次动态曝光中目标部分C的宽度(沿着非扫描方向)，而扫描移动的长度(和曝光场的尺寸)决定目标部分C的高度(沿着扫描方向)。

3.在另一种模式中，支撑结构MT保持基本静止地支撑可编程图案形成装置，衬底支撑装置60移动或扫描同时给予辐射束的图案被投影到目标部分C上。在该模式中，一般地使用脉冲辐射源，在扫描期间在衬底支撑装置60每次移动之后或在连续辐射脉冲之间中，根据需要来更新可编程图案形成装置。该操作模式易于应用于利用可编程图案形成装置的无掩模光刻，诸如以上所述类型的可编程镜阵列。

还可以使用以上所述的使用模式的组合和/或变化或完全不同的使用模式。

在投影系统PS的最终元件和衬底之间提供液体的布置可以归类到三个一般类别。它们是浴式布置、所谓的局部化浸没系统和全湿浸没系统。在浴式布置中，基本上整个衬底W和可选的衬底支撑装置60的一部分浸没在浴液中。

局部化浸没系统使用其中液体只提供给衬底的局部化区域的液体供应系统。由液体填充的空间在平面上小于衬底的顶面，利用液体填充的体积相对于投影系统PS保持基本静止，同时衬底W在该体积下方移动。图2-5示出在这样的系统中可以使用的不同供应器件。给出密封特征用于将液体密封到局部化区域。已经建议这样布置的一中方式在公开号为WO99/49504的PCT专利申请中公开。

在全湿布置中，液体是不受约束的。衬底的整个顶面和所有或部分衬底台覆盖在浸没液体中。覆盖至少衬底的液体的深度较小。液体可以是在衬底上的液体的膜，诸如薄膜。浸没液体可以被提供至或提供在投影系统和面对投影系统的面对表面的区域中(这样的面对表面可以是衬底和/或衬底台的表面)。图2-5的任意液体供应器件也可以在这样的系统中使用。然而，密封特征不存在、未激活、不像平常一样有效或从其他方面不足以将液体密封到仅仅局部化区域。

如图2和图3中所示，液体由至少一个入口提供到衬底上，优选地沿着衬底相对于最终元件的移动方向。在经过投影系统下方之后，液体通过至少一个出口移出。随着在元件下方沿着-X方向扫描衬底，在元件的+X侧提供液体，并占据-X侧。定位在最终元件周围的入口和出口的各种方位和数量是可能的；一个实例在图3中示出，其中在任一侧上的四组入口和出口以规则图案提供在最终元件周围。注意的是，液体的流动方向在图2和图3中由箭头示出。

具有局部化液体供应系统的又一浸没光刻解决方案在图4中示出。液体由投影系统PS的任一侧上的两个凹槽入口提供，并由入口径向外侧布置的多个离散出口移除。注意的是，流体的流动方向和衬底的方向在图4中由箭头示出。

已经提出的另一个布置提供具有沿着投影系统的最终元件与衬底、衬底台或其两者之间的空间的至少一部分边界延伸的液体限制结构的液体供应系统。这样的布置在图5中示出。

图5示意性地描绘具有液体限制结构IH的局部化液体供应系统或流体处理系统，所述液体限制结构沿着投影系统的最终元件和衬底支撑装置60或衬底W之间空间的至少一部分边界延伸。(请注意，下文中对衬底W的表面的引用还额外地或可选地指衬底台的表面，除非另有明文说明)。在一个实施例中，在液体限制结构IH和衬底W的表面之间形成密封，所述密封可以是诸如气封的无接触密封(这样的具有气封的系统在欧洲专利申请公开号EP-A-1420298中公开)或液封。

液体限制结构IH至少部分地包含在投影系统PS的最终元件和衬底W之间的空间11中的液体。空间11至少部分地由定位在投影系统PS的最终元件下方和其周围的液体限制结构IH形成。液体浸没被带入投影系统PS下方的空间中并通过液体入口13浸没被带入液体限制结构IH内。液体可以由液体出口13移除。

液体可以通过在使用期间由屏障构件IH的底面和衬底W的表面之间形成的气封16包含在空间11中。气封中的气体在压力下通过入口15提供到屏障构件IH和衬底W之间的间隙。气体通过出口14提取。在气体入口15上的超压、在出口14上的真空度和间隙的几何形状布置为使得存在向内的限制液体的高速气流16。屏障构件IH和衬底W之间的液体上的气体力使液体包含在空间11中。这样的系统在美国专利申请公开号US 2004-0207824中公开，其公开内容在此通过引用以其整体并入。在一个实施例中，液体限制结构IH不具有气封。

本发明的实施例可以应用于包括美国专利申请公开号US 2006-0158627、US2006-0038968、US 2008-0212046、US 2009-0279060、US 2009-0279062、US 2004-0207824、US 2010-0313974和US 2012-0120376中公开的任意流体处理结构，其内容在此通过引用以其整体并入。

控制器500控制光刻装置的总体操作，特别地执行以下进一步描述的操作过程。控制器500可以作为适当编程的通用计算机实施，其包括中央处理单元、易失性和非易失性存储装置、诸如键盘和显示屏的一个或多个输入和输出设备、到光刻装置的各个零件的一个或多个网络连接和一个或多个接口。将理解的是，控制计算机和光刻装置之间不需要是一对一关系。在本发明的一个实施例中，一个计算机可以控制多个光刻装置。在本发明的一个实施例中，多个网络计算机可以用于控制一个光刻装置。控制器500还可以被配置为控制一个或多个相关联的过程装置和光刻装置构成其一部分的光刻单元或集群中的衬底处理器件。控制器500还可以被配置为从属于光刻单元或集群的监管控制系统和/或工厂的整个控制系统。在一个实施例中，控制器运转所述装置以执行本发明的一个实施例。在一个实施例中，控制器500具有用于存储本文中描述的步骤一的结果的内存，以供稍后在步骤二中使用。

图6描绘本发明的一个实施例。图6是通过支撑装置和物体的横截面。在一个实施例中，支撑装置是衬底支撑装置60，物体是衬底W。支撑装置包括物体保持件。物体保持件被配置为保持物体。在以下的描述中，在支撑装置是衬底支撑装置60和物体保持件是用于保持衬底W的衬底保持件61的背景中描述本发明的实施例。然而，在一个实施例中，物体保持件是，例如，用于保持传感器的传感器保持件，衬底支撑装置60是物体保持件的支撑装置，可选地不必一定能够保持衬底。

如图6中所述，衬底W由衬底保持件61支撑。在一个实施例中，衬底保持件61包括一个或多个突起62(例如，突节)。衬底保持件61可以被称为丘台或突节台。

衬底支撑装置60包括提取主体65。提取主体65是在衬底保持件61径向外侧的。在图6中，衬底支撑装置60和衬底W的附图下方的箭头表示径向外侧方向。在一个实施例中，提取主体65这样成型，使得在平面图中提取主体65围绕衬底保持件61。在一个实施例中，提取主体65形成闭合形状。该形状不受特定限制，例如可以是环形或多边形。

当衬底W的边缘被成像或在其他时候，诸如当衬底W第一次在投影系统PS下方移动时，液体11将至少部分地穿过衬底W的边缘和衬底支撑装置60的边缘之间的间隙5。这可以导致来自贮液器11的液体进入所述间隙5。

在衬底W和衬底支撑装置60之间由衬底保持件61应用的压力帮助确保衬底W牢固地保持在合适的位置。然而，如果液体到达衬底W和衬底保持件61之间，那么这会导致困难，尤其当卸除衬底W时。

提取主体65被配置为从衬底支撑装置60的顶面69提取流体。通过提供提取开口66，进入液体供应系统IH的液体11的气泡减少。一个或多个这样的气泡可以不利地影响衬底W的成像。提供提取开口66以减少衬底W和衬底支撑装置60之间的间隙5中的气体逸入流体处理结构IH中的贮液器11中。如果气体确实逸入贮液器11，可以导致气泡在贮液器11内浮动。这样的气泡，如果在投影光束的路径中，会导致成像误差。提取开口66用于使气体从衬底W的边缘和其中放置衬底W的衬底支撑装置60中的凹口边缘之间的间隙5移除。

提取开口66主要提取气体(例如在每分钟20和100标称公升(Nl/min))和只有少量浸没液体(例如大约1ml/min到100ml/min，和可选地10ml/min到20ml/min)。用这样的两相流，浸没液体蒸发，冷却包围衬底W的边缘的衬底支撑装置60。这会导致衬底W变形，最终可能导致整体性能降低。

在一个实施例中，提取主体65与衬底保持件61这样间隔开，使得提取主体65与衬底保持件61基本解耦。提取主体65是与衬底保持件61基本热解耦的和/或基本机械解耦的。在一个实施例中，基本上整个衬底保持件61与基本上整个提取主体65间隔开。

通过提供提取主体65与衬底保持件61的基本解耦，提取主体65上的温度载荷减少对衬底保持件61的热机械行为的影响。特别是，衬底保持件61上的提取主体65的冷却效果降低。如上所述，由于通过提取主体65的提取开口66的两相流，可以产生这样的蒸发冷却。因此，可以提高衬底保持件61的温度廓线的稳定性。

在一个实施例中，物体保持件是被配置为保持传感器的传感器保持件，提取主体是边缘密封构件，在一个实施例中，边缘密封构件包括用于提取浸没液体的提取开口，所述浸没液体通过边缘密封构件和传感器之间的间隙找到出路。

在一个实施例中，物体保持件是被配置为保持衬底的衬底台，提取主体是传感器保持件。传感器紧挨着衬底放置。传感器和衬底都由不同支撑件支撑。在一个实施例中，传感器保持件包括用于提取浸没液体的提取开口，所述浸没液体应当通过衬底台和传感器之间的间隙找到出路。

在一个实施例中，提取主体65包括通道68。通道68通过通路67与提取开口66流体连通。提取开口66可以提供在衬底W的边缘的周界(例如，周长)周围的一个或多个离散位置。提取开口66可以在平面上是狭缝或圆形开口或任意其他形状。在一个实施例中，可以提供三个离散圆形开口来提取从提取主体65到衬底支撑装置60的两相流。提取开口66可以具有2mm的直径。通道68连接到减压，以便于通过开口66从衬底支撑装置60的顶面69提取流体。

在一个实施例中，提取主体65与衬底保持件61无连接，使得提取主体65从衬底保持件61上拆卸下来。提取主体65在任意点处均不直接接触衬底保持件61。这减少了提取主体65和衬底保持件61之间的热传递传递，特别是传导传热。在一个实施例中，在衬底W和衬底支撑装置60之间的间隙5较窄，使得通过间隙5到衬底保持件61的底面的液体流失最小。

在一个实施例中，提取主体65连接到衬底保持件61。图7描绘这样的本发明的实施例。提取主体65与衬底保持件61基本解耦。提取主体65通过密封非刚性地连接到衬底保持件61。该密封被配置为桥接提取主体65和衬底保持件61之间的中间间隙75。

在一个实施例中，密封包括粘结剂70。粘结剂70被布置为降低通过中间间隙75的液体流失。在一个实施例中，粘结剂70密封中间间隙75。在一个实施例中，密封是通过例如焊接、螺栓连接或真空夹持形成的。提取开口66被配置为从在密封上方在衬底保持件61和提取主体65之间的间隙提取流体。

在一个实施例中，粘结剂70包括粘接层71和薄膜层72。粘接层71将薄膜层72粘接到衬底保持件61和提取主体65。粘结剂70帮助防止流体进入衬底保持件61和提取主体65之间的中间间隙75。中间间隙75防止衬底保持件61和提取主体65之间有良好的热接触。在一个实施例中，粘结剂70具有小于等于50微米、小于等于10微米、或大约10微米的厚度。

在一个实施例中，提取主体65通过包括真空和气体的中间间隙75与衬底保持件61间隔开。在中间间隙75中的真空或接近真空降低了提取主体65和衬底保持件61之间的热传递。

图8描绘本发明的一个实施例。如图8中所描绘，在一个实施例中衬底支撑装置60包括衬底台WT。衬底保持件61定位在衬底台WT的对象保持件凹口内。在对象保持件是衬底保持件61的背景中，对象保持件凹口是衬底台WT的衬底保持件凹口85。至少一部分提取主体65定位在衬底保持件凹口85内。如图8中所描绘，在一个实施例中基本所有提取主体65定位在衬底保持件凹口85内。然而，不必一定是这种情况。以下将描述，例如图12中所描绘，在一个实施例中一部分提取主体65延伸到衬底保持件凹口85之外。

如图8中所描绘，提取主体65在接口81处连接到衬底台WT。接口81提供提取主体65和衬底台WT之间的连接。衬底WT的加速力通过接口81传递到提取主体65。接口81提供刚性连接以至接口81将来自衬底台WT的加速力传递到提取主体65。在接口81处的连接的刚度期望是最小的，以便于降低提取主体65和衬底台WT之间的热传递。

在一个实施例中，接口81是在提取主体65的底面82和/或径向表面(例如，径向外侧的边缘)。这在图8中描绘。在一个实施例中，接口81是在提取主体65的外表面。

在接口81的连接形式不受特定限制。在一个实施例中，提取主体65通过真空夹持、螺栓连接、粘接和/或运动叶簧耦合连接到衬底台WT。

在一个实施例中，接口81包括一个或多个突节。在一个实施例中突节和衬底台WT之间的连接面积小于突节和提取主体65之间的接触面。这为突节提供额外的灵活性。

在一个实施例中，间隙5的表面提供有疏水涂层。疏水涂层帮助降低从衬底支撑装置60的顶面69通过中间间隙75的液体流失。

在一个实施例中，提取主体65是用和衬底保持件61的材料相同的材料制造。在一个实施例中，衬底保持件61和提取主体65都由例如SiC、SiSiC或类金刚石材料形成。通过匹配提取主体65的材料和衬底保持件61的材料，可以降低衬底保持件61和提取主体65之间的热机械串扰。

在一个实施例中，提取主体65是用和衬底台WT的材料相同的材料制造。在一个实施例中，提取主体65和衬底台WT两者都由例如诸如的玻璃陶瓷或堇青石形成。

图9描绘在本发明的一个实施例的平面图。在一个实施例中，提取主体65通过多个周向间隔的接头91连接到衬底保持件61。在接头91之间，提取主体65与衬底保持件61间隔开。

通过让提取主体65只通过接头91连接到衬底保持件61，在衬底保持件61和提取主体65之间的热传递可以降低。这降低了在衬底保持件61上的提取主体65的蒸发冷却效应。进而，这降低在衬底W上的蒸发冷却效应。提高了衬底保持件61的热廓线的稳定性。

间隙92是在接头91之间形成。间隙92可以包括真空或气体。间隙92降低了提取主体65和衬底保持件61保持件之间的热传递，特别是传导传热。在一个实施例中，间隙92的表面提供有疏水涂层。

接头91在提取主体65和衬底保持件61之间提供最小程度的刚性连接。连接可以是足够硬，使得加速力从衬底保持件61传递到提取主体65。在一个实施例中，刚度最小，以便于降低衬底保持件61和提取主体65之间的热机械串扰。

如图8和图12中所描绘，例如，在一个实施例中，衬底保持件61通过例如一连串突节连接到衬底台WT。突节允许加速力从衬底台WT传递到衬底保持件61，同时还在降低衬底台WT和衬底保持件61之间的热传递的突节之间提供间隙。

图10描绘本发明的一个实施例。在一个实施例中，至少一个接头91从衬底保持件61的顶面仅仅部分地朝着提取主体65的底面82延伸。在至少一个接头91的正下方，提取主体65与衬底保持件61间隔开。在至少一个接头91下方，间隙106被提供在衬底保持件61和提取主体65之间。可以包括真空或气体的间隙106降低了在衬底保持件61和提取主体65之间的热传递。间隙106与间隙92流体连通。

在一个实施例中，接头91从衬底保持件61的顶面延伸到提取主体65的底面82。在一个实施例中接头91与衬底保持件61和/或提取主体65单片集成。在一个实施例中接头91不是与衬底保持件61和/或提取主体65分离的单独件。在一个实施例中提取开口66定位在接头91上方。

在一个实施例中，至少一个接头91包括被配置为提供热能给接头91和/或在接头91之间和/或从接头91和/或在接头91之间移除热能的接头调节系统101。接头调节系统101可以是任意类型的热调节系统。以下将在图15到图19进一步详细地描绘合适的热调节系统。图15到图19描绘应用于提取主体66的主体的合适热调节系统。特别是，图15到图19描绘应用于与提取开口66流体连通的通道68的热调节系统。这些热调节系统可以应用于接头91。

在一个实施例中，接头91总共沿着衬底保持件61和提取主体65之间的周界的至多10％延伸。周界沿着接头91之间的间隙92延伸。衬底保持件61和提取主体65之间的中间间隙75的周界的至少90％是由接头91之间的间隙92构成。在图9中，中间间隙75表示为两个虚线之间的区域。两个虚线对应于衬底保持件61和提取主体65的边缘。通过提供接头91沿着周界的最多10％延伸，对象保持件61和提取主体65之间的热传递可以降低到可接受水平。

在一个实施例中，接头91在衬底保持件61和提取主体65之间提供机械刚度。在一个实施例中，接头91总共沿着周界的至少2％或至少5％延伸。这允许接头91在衬底保持件61和提取主体65之间提供可接受水平的机械刚度。

图9和图10中描绘的衬底支撑装置60可以提供有如图8中所描绘的衬底台WT。

接头91的数量不受特定限制。在一个实施例中，衬底支撑装置60包括6个、8个、10个、12个、14个或更多接头91。接头91的数量可以是奇数或偶数。提取主体65被分段成和接头91一样多的片段93。每个片段93沿着提取主体65从一个接头91延伸到邻近接头91。每个片段93通过间隙92与衬底保持件61间隔开。

提取主体65只通过接头91机械地和热连接到衬底保持件61。这降低了从提取主体65到衬底保持件61的热串扰。衬底保持件61和提取主体65之间的热传导降低。

提取主体65的温度变化会导致在衬底保持件61的外边缘处引入机械应力。这是由于机械串扰造成的。该机械串扰会导致衬底保持件61和衬底W的局部变形。

在图9中描绘的实施例中，提取主体65和衬底保持件61的机械串扰表现得不同于传统系统中的情况。在分段的提取主体65中，机械应力只在接头91位置处传递到衬底保持件61。衬底保持件61中引入的应力由提取主体65的每个片段93的伸长(或收缩)以及接头91的刚度确定。

每个片段93的伸长主要受该片段93的平均温度影响。为了降低片段93的伸长，该片段93内的所有局部应力的总和应当期望地降低到0。在该情况中，将没有机械应力作用于衬底保持件61上。以上的术语伸长用于指由于温度变化导致的片段93的长度增加。由于温度变化导致的片段93的收缩也期望被降低。

在一个实施例中，至少一个片段93包括电阻式传感器94。电阻式传感器94可以是薄膜电阻式传感器。电阻式传感器94被配置为测量片段93的平均温度。电阻式传感器94定位在提取主体65的表面上或表面处。例如，电阻式传感器94可以定位在提取主体65的顶面105上/处或其底面82上/处。

在一个实施例中，至少一个片段93包括被配置为提供热能给提取主体65的加热器。在一个实施例中，控制器500被配置为基于电阻式传感器94的测量来控制加热器，以便维持片段93的平均温度。在一个实施例中，电阻式传感器94用于将热施加到提取主体65。这可以，例如，通过将电流应用于电阻式传感器94实现。在这种情况下不需要额外的加热器。

电阻式传感器94测量在电阻式传感器94的基本整个长度上的电阻。在一个实施例中，电阻式传感器94定位在两个邻近接头91之间。电阻式传感器94测量片段93的平均温度。片段93的平均温度对应于片段93的伸长(或收缩)。

由于电阻式传感器94的质量较小所以其热响应非常快。与利用例如传统的传感器和弯曲箔加热器相比较，控制性能可以通过利用电阻式传感器94和可选地单独加热器而得到提高。在一个实施例中，利用薄膜加热器代替电阻式传感器94。

在一个实施例中，间隙92包括真空。在一个实施例中，间隙92在衬底支撑装置60的上表面打开。然而，不一定是这种情况。在一个实施例中，间隙92可以被覆盖或关闭。例如，诸如粘结剂的薄膜材料/密封可以应用在间隙92上，或者间隙92可以利用具有低热导率的材料关闭。

图11描绘本发明的一个实施例。在一个实施例中，提取主体65包括主体111和盖环112。盖环112定位在主体111的顶面115。在一个实施例中，盖环112与主体111单片集成。在一个实施例中，盖环112是与主体111分开的单独主体。通过提供在正常使用中在提取主体65的顶面处接触液体供应器件IH的盖环，提取开口66、通路67和通道68中的热载荷对液体供应器件IH的热效应降低。

图12描绘本发明的一个实施例。在一个实施例中，盖环112径向向外延伸到主体111的径向长度以外。当从横截面看时，提取主体65具有阶梯状轮廓。

通过提供盖环112径向向外延伸到主体111的径向长度以外，在光刻装置的使用中衬底台WT的顶面122的较少部分接触贮液器11。在一个实施例中，衬底台WT的顶面122提供有疏水涂层。疏水涂层帮助降低衬底台WT上的蒸发负荷。当贮液器11接触衬底台WT的顶面122时，疏水涂层会降解。这会导致液体流失增加和蒸发负荷增加。蒸发负荷会导致衬底台WT变形。

盖环112可以保护衬底台WT的一部分。当贮液器11开始接触盖环112时，盖环112上产生蒸发负荷(和衬底台WT的顶面122上的蒸发负荷的对应降低)。由于流体处理结构IH造成的热载荷对衬底台WT产生的影响减小。这提高了衬底台的温度廓线的稳定性。

在一个实施例中，盖环112径向向外延伸到主体111的径向长度以外的部分定位在衬底台WT的盖环凹口125内。在一个实施例中，盖环凹口125从衬底保持件凹口85径向向外。盖环凹口125比衬底保持件凹口85更浅，使得盖环凹口125和衬底保持件凹口85形成衬底台WT的阶梯状凹口。

在一个实施例，当衬底W由衬底保持件61支撑时，衬底W的顶面基本上与提取主体65的顶面105共面。在一个实施例中，提取主体65的顶面105基本上与衬底台WT的顶面122共面。

在一个实施例中，盖环112基本上延伸到在衬底台WT的顶面122上的信点(fiduciary)标记121。然而，不必一定是这种情况。在一个实施例中，信点标记121与衬底台WT的盖环凹口125间隔开。

在一个实施例中，盖环112和在衬底台WT的顶面122上的信点标记121(或顶面122)之间的间隙123是由薄膜密封124桥接的。薄膜密封124有不同结构，可以与关于图7描述的粘结剂70的各种可能结构相同。

通过提供盖环112在衬底台WT的正常情况下将接触液体供应器件IH的一部分上延伸，衬底台WT中的热载荷对液体供应器件IH的影响减小，特别是对光刻装置的液体透镜的影响减小。这提高了光刻装置的覆盖和聚焦。在一个实施例中盖环112以相似方式热调节到接头91。在一个实施例中布置盖环112以便提供对衬底台WT的可能加热源和/或冷却源的热屏蔽。这可以通过在盖环112和衬底台WT之间提供热绝缘来实现。

在一个实施例中，盖环112具有至少3mm的厚度。在一个实施例中，盖环112具有厚度，以便是有刚性的，使得在光刻装置的使用中盖环112的底面和在盖环112的正下方的衬底台WT的表面之间基本上不需要接触。然而，在一个实施例中，盖环112的底面和衬底台WT的相对面之间提供非刚性连接。在一个实施例中，非刚性连接具有非常低的导热性，以便降低衬底台WT和提取主体65的盖环112之间的热传递。

图13描绘本发明的一个实施例。在一个实施例中，衬底支撑装置60包括液体提取器130。液体提取器130在提取开口66的径向内侧。液体提取器130被配置为从衬底保持件61的顶面提取液体。

提供液体提取器130帮助防止找到出路从间隙5到达衬底W下方的任意液体防止在成像之后衬底W从衬底保持件61有效释放。提供液体提取器130降低或消除由于液体在衬底W下方找到出路而可能产生的问题。液体提取器130，像提取开口66一样，借助于减压来移除流体。

液体提取器130包括开口131和通道133。通道133通过通路132与开口131流体连通。开口131可以提供在衬底W的边缘的周界周围的一个或多个离散位置处，或可以在平面上是狭缝或圆形开口或任意其他形状。在一个实施例中，三个离散(圆形)开口131例如提供在衬底W的边缘周围。

图14描绘本发明的一个实施例。在一个实施例中，提取主体65包括至少一部分液体提取器130。在一个实施例中，通道133提供在提取主体65中。在一个实施例中，通路1323横跨提取主体65和衬底保持件61之间的中间间隙75。在一个实施例中中间间隙75窄到使得到衬底保持件61的底面的液体流失最小。

通过提供至少一部分液体提取器130在提取主体65中，在液体提取器130上的热载荷对衬底支61产生的效应降低。

在一个实施例中，液体提取器130包括液体提取器调节系统，其被配置为提供热能给液体提取器调节系统130和/或从液体提取器调节系统130中移除热能。液体提取器调节系统是热调节系统。合适的热调节系统将在以下图15到图19中描绘。在图15到图19中，在其通道68与提取主体65的提取开口66流体连通的热调节系统的背景下描绘热调节系统。这些热调节系统同样适用于液体提取器130，特别是适用于液体提取器130的通道133。

在一个实施例中，提取主体65定位在衬底保持件61和衬底台WT之间。在一个实施例中，提取开口66被配置为从衬底支撑装置60的顶面69提取气体和液体两者。在一个实施例中，提取主体65和衬底保持件61之间的空间是周向连续的并且从提取主体65的顶面105到提取主体65的底面82是连续的。

图15到图19描绘根据本发明的一个实施例的热调节系统。在图15到图19中，热调节系统应用于提取主体65的提取器的一部分。热调节系统可以应用于液体提取器130和/或接头91和/或衬底支撑装置60的其他一部分。图15到图19中描绘的热调节系统可以互相组合起来。

在一个实施例中，提取主体65包括被配置为提供热能给提取主体65和/或从提取主体65中移除热能的提取主体调节系统。提取主体调节系统是热调节系统。

图15描绘根据本发明的一个实施例的热调节系统。在一个实施例中，热调节系统包括独立可控的多个调节单元。多个调节单元中的每个被配置为提供热能给提取主体65的各个调节区域和/或从提取主体65的各个调节区域移除热能。在一个实施例中，调节单元包括加热器/温度传感器151。在一个实施例中，加热器/温度传感器定位在与提取主体65的提取开口66流体连通的通道68附近。

加热器/温度传感器151是独立可控的。温度传感器被配置为感测通道68的温度。加热器被配置为提供热能给通道68。在一个实施例中，控制器500控制加热器/温度传感器151，以便使通道68(或衬底支撑装置60的另一个部件)维持在一定(例如，预先确定)温度。

图16描绘根据本发明的一个实施例的热调节系统。在一个实施例中，热调节系统包括流体运送通道161的网络，被配置为控制部件的温度，诸如在图16的描述中的提取主体65。流体运送通道161运送热调节液体。热调节液体可以是例如水。流体运送通道161使提取主体65的温度维持在一定(例如，预先确定)温度。在一个实施例中，一个或多个加热器/温度传感器(未示出)可以定位在流体运送通道161中或接近流体运送通道161，以便控制流体运送通道161内的热调节液体的温度。

在一个实施例中，流体运送通道161运送相变材料。在这样的系统中，这样选择相变材料使得在期望的设定点温度相变，因此能够比不进行相变的流体更高效地传输热。

在一个实施例中，流体运送通道161运送二氧化碳作为流体。流体运送通道161可以被称为冷却通道。在一个实施例中，流体运送通道161包含在这样的压力的二氧化碳使得二氧化碳具有至多30℃和可选地至多22℃的沸点。二氧化碳帮助维持提取主体65的温度。例如，高于包含在流体运送通道161中的二氧化碳的沸点的提取主体65中的过多热量可以传递到二氧化碳。所述过多热量引起二氧化碳沸腾。

图17描绘根据本发明的实施例的热调节系统。在一个实施例中，热调节系统包括热管171.在一个实施例中，热管171定位在通道68周围。通过提供热管171在通道68周围，通道68的温度容易控制。这是由于热管171具有非常大的“导热性”。

在一个实施例中，热管171的至少一部分定位在通道68和衬底保持件61之间。这降低了提取主体65和衬底保持件61之间的热传递。由于热管171内的压力均匀所以热管171的温度是非常均匀的。热管171包含可以蒸发成蒸汽因而吸收热能的工作流体。蒸汽沿着热管171的腔移动到更低温度的区域。然后蒸汽可以冷凝成工作流体，并由热管171中的灯芯吸收。冷凝释放热能。然后工作流体流回热管171的更高温度的区域。用这种方式，热管171的温度基本上保持均匀。

在一个实施例中，热管171包括从由水、丙酮、乙醇、甲醇、氨、2-丁烷、二甲醚、1,1,1,2-四氟乙烷和丙烷构成的组中选择的工作流体。

图19描绘根据本发明的一个实施例的热调节系统。如图19中所描绘的，热调节系统可以包括热管171和至少一个加热器/温度传感器151。加热器/温度传感器被配置为将能量应用于热管171。这为热管171中的工作流体设定饱和压力。

图18描绘根据本发明的一个实施例的热调节系统。在图18中描绘的实施例中，加热器/温度传感器151与流体运送通道161组合起来。在一个实施例中，热调节系统提供在通道68周围的提取主体65内。在一个实施例中，控制器500控制由加热器/温度传感器151提供给通道68的热能。

提供给加热器/温度传感器161的能量可以是电的。加热器/温度传感器151将电能转化成热能。如果提供给加热器/温度传感器151的电能太低，那么由加热器/温度传感器151提供的热能将太低。如果提供给加热器/温度传感器151的电能太高，那么由加热器/温度传感器151提供的热能将太高。这会导致提取主体65的温度太低或太高。通过提供加热器/温度传感器151为独立可控的，这一潜在错误可以降低。

通过额外地提供流体运送通道161的网络，提取主体65的温度的稳定性可以提高。如果存在由加热器/温度传感器151提供的过度热量，那么过热将通过例如包含在流体运送通道161中的二氧化碳蒸发而吸收。

在一个实施例中，控制器500被配置为控制流体运送通道161内的二氧化碳的压力到大约6xl0⁶Pa。代替二氧化碳或除了二氧化碳之外的另一种流体可以在流体运送通道161中使用。

图20描绘根据本发明的一个实施例。在一个实施例中，提取主体65包括在提取主体65的外边缘上的边缘加热器201。在一个实施例中，提取主体65包括在提取主体65的内表面上的边缘加热器202。在一个实施例中，衬底保持件61包括定位在衬底保持件61的外边缘处的边缘加热器203。在一个实施例中，边缘加热器201、202、203是控制器500独立可控的。边缘加热器201、202、203帮助维持衬底支撑装置60的温度廓线的稳定性。每个边缘加热器201、202、203可以包括温度传感器。

图21到图26描绘通过组合以上所述的特征形成的本发明的具体实施例。进一步的具体实施例可以由本文中描述的可能特征的其他组合形成的。

图21描绘根据本发明的一个实施例。在图21中描绘的实施例中，液体提取器130提供在衬底保持件61中。衬底保持件61是由流体运送通道161的网络热调节的。提取主体65的盖环112是由流体运送通道161热调节的。

图22描绘根据本发明的一个实施例。在图22中描绘的实施例中，液体提取器130提供在衬底保持件61中。衬底保持件61包括被配置为控制衬底保持件61的温度的流体运送通道161的网络。衬底保持件61包括定位在衬底保持件61的外边缘处的边缘加热器203。提取主体61包括在提取主体65的外边缘和内边缘处的边缘加热器201、202。

图23描绘根据本发明的一个实施例。在图23中描绘的实施例中，液体提取器130提供在衬底保持件61中。衬底保持件61是由流体运送通道161的网络热调节的。提取主体65包括在提取主体65的外边缘和内边缘处的边缘加热器201、202。

图24描绘根据本发明的一个实施例。在图24所描绘的实施例中，液体提取器130的一部分提供在提取主体65中。通道133提供在提取主体65中。通路132的一部分提供在提取主体65中。衬底保持件61包括被配置为控制衬底保持件61的温度的流体运送通道161的网络。提取主体65包括在提取主体65的外边缘和内边缘处的边缘加热器201、202。边缘加热器201、202被配置为控制提取主体65的温度。图24中描绘的实施例可以通过利用流体运送通道161替换边缘加热器201、202而修改。

图25描绘根据本发明的一个实施例。在图25中描绘的实施例中，液体提取器130的一部分提供在提取主体65中。通道133提供在提取主体65中。通路132的一部分提供在提取主体65中。提取主体65具有对应于衬底保持件61的阶梯状形状的阶梯形状。液体提取器130的通道133提供在衬底保持件61的一部分的正下方的提取主体65的一部分中。

在图25中描绘的实施例中，衬底保持件61包括被配置为控制衬底保持件61的温度的流体运送通道161的网络。衬底保持件61包括在衬底保持件的外边缘处的边缘加热器203。提取主体65包括在提取主体65的外边缘和内边缘处的边缘加热器201、202。图25中描绘的实施例可以通过利用流体运送通道161替换边缘加热器201、202、203而修改。

图26描绘根据本发明的一个实施例。在图26中描绘的实施例中，液体提取器130的一部分提供在提取主体65中。通道133提供在提取主体65中。通路132的一部分提供在提取主体65中。提取主体65具有对应于衬底保持件61的阶梯状形状的阶梯状形状，如图25中所示。衬底保持件61包括被配置为控制衬底保持件61的温度的流体运送通道161的网络。提取主体65包括定位在提取主体65的外边缘和内边缘处的边缘加热器201、202。流体运送通道161提供在衬底保持件61中，在连接通道133与液体提取器130的开口131的通路132径向外侧。图26中描绘的实施例可以通过利用流体运送通道161代替边缘加热器201、202而修改。

在图24到图26描绘的实施例中，盖环112可以由一个或多个加热器/温度传感器、单相调节、两相调节、一个或多个帕尔贴元件、一个或多个流体运送通道或这些部件的任意组合热调节。

在光刻装置的使用期间，衬底台WT相对于液体限制结构IH移动，使得液体限制结构IH在衬底台WT的正上方的位置。在一个实施例中，致动衬底台WT相对于液体限制结构IH移动。在空间11中的液体的温度需要控制在千分之一几开尔文内。这是因为空间11中的液体温度影响光刻装置的有效透镜的折射率。

当衬底台WT相对于液体限制结构IH移动使得液体限制结构IH在衬底台WT上方的位置时，热可以在空间11中的液体和衬底台WT之间传递。热传递会不期望地引起空间11中的液体温度变化。期望的是，提供支撑装置60，其中降低衬底台WT和空间11中的液体之间的热传递。

图27描绘根据本发明的一个实施例的支撑装置60的一部分的横截面。支撑装置60包括台，诸如衬底台WT和主体271。主体271定位在衬底台WT的凹口279内。主体271和衬底台WT之间存在间隙273。

如图27中所描绘的，支撑装置60包括桥接间隙273的构件274。构件274可以被称为密封构件或密封。构件274从主体271的顶面277延伸到衬底台WT的顶面122。构件274的一部分定位在主体271的顶面277上。构件274的一部分定位在衬底台WT的顶面122。

衬底台WT是由具有热导率的台材料形成。构件274包括热阻层275。热阻层275是由热阻材料形成的。热阻材料具有的热导率低于台材料的热导率。

当液体限制结构IH在衬底台WT的正上方时，构件274降低衬底台WT和空间11中的液体之间的热传递。热阻层275用作从衬底台WT传输到空间11中的液体的热阻和从空间11中的液体传输到衬底台WT的热阻。由于热阻层275的低导热系数，与其中在光刻装置的使用期间衬底台WT直接接触空间11中的液体的情况相比较，从台材料向着空间11中的液体的热传递显著降低。构件274提供热屏蔽(例如，隔热体或热绝缘)，其充分降低空间11中的液体和衬底台WT之间的热传递。

构件274可以与本文中描述的任意实施例组合起来，特别是参考图6到图26描述的那些实施例。在一个实施例中，主体271是如上所述的提取主体65。在一个实施例中，主体271可以是例如衬底保持件61或传感器。在主体271是提取主体65的情况下，主体271的顶面277对应于提取主体65的顶面105。

在一个实施例中，提取主体65和衬底保持件61不是互相热解耦的。在一个实施例中，提取主体65和衬底保持件61形成单个部件。构件274可以从单个部件延伸到衬底台WT的顶面122。在一个实施例，间隙273对应于如上所述的中间间隙75。在一个实施例中，凹口279对应于如上所述的衬底保持件凹口85。

如图27中所描绘的，在一个实施例中，主体271通过多个突节272连接到衬底台WT。代替突节272，主体271可以通过其他方式连接到衬底台WT，诸如真空夹持、螺栓、黏胶和/或运动叶簧耦合。

图28描绘根据本发明的一个实施例的支撑装置60的横截面。在一个实施例中，在衬底台WT的顶面122上的构件274比主体271的顶面277上的更多。在一个实施例中，构件274沿着衬底台WT的顶面122径向向外比沿着主体271的顶面277径向内侧延伸得更长。这意味着，参考图27，距离D2大于距离D1。

距离D2表示构件274沿着衬底台WT的顶面122向外延伸(例如，径向)的程度。在从凹口279的内边缘到构件274的外边缘的向外(径向)方向测量距离D2。在图27的底部的箭头表示(径向)向外方向。距离D1对应于构件274沿着主体271的顶面277向内(径向)延伸的程度。距离D1是根据主体271的外边缘到构件274的内边缘计算的。

通过提供在衬底台台D2的顶面122上的构件274比在主体271的顶面277上更多，构件274更高效地降低衬底台WT和液体限制结构IH的空间11中的液体之间的热传递。

如图28中所描绘的，在一个实施例中构件274在衬底台WT的基本上所有顶面122上延伸。在一个实施例中，构件274是基本上连续的。构件274可以围绕衬底台WT上的一个或多个部件，诸如一个或多个传感器。构件274可以防止空间11中的液体直接接触衬底台WT。构件274可以降低衬底台WT的顶面122的所有点和空间11中的液体之间的热传递。

在一个实施例中，构件274包括热适应层276。热适应层276是由热适应材料形成的。这里术语热适应材料用于指形成热适应层276的材料。热适应材料使其温度适应至与空间11中液体温度相同的温度。热适应材料在25℃的比热容低于台材料在25℃的比热容。当衬底台WT相对于液体限制结构IH移动使得液体限制结构IH在衬底台WT的正上方的位置时，空间11中的液体可以直接接触构件274。当空间11中的液体接触包括热适应层276的构件274,时，构件274使其温度相对快地适应至液体的温度。

在一个实施例中，热适应层276定位在热阻层275上方。在一个实施例中，热适应层276构成构件274的顶面。空间11中的液体直接接触热适应层276。由于热适应层276的低比热容，空间11中液体的温度变化非常小。热适应层276的低比热容意味着在热适应层276处于与空间11中液体的温度基本相同的温度之前，相对少的能量在空间11中的液体和热适应层276之间传输。由于相对少量的热传递，所以空间11中液体的温度变化相对小。

在一个实施例中，热适应材料具有的热导率高于台材料的热导率。为了在热适应层276和空间11中的液体之间进行热传递，可以有较高传递系数。当液体开始接触热适应层276时，构件274使其温度迅速适应至液体的温度，部分由于较高传递系数。

在一个实施例中，热适应层276具有的厚度小于等于50微米、小于等于20微米、或小于等于10微米。热适应层276薄到使得其具有低的总体比热容，并且不会明显影响衬底台WT的顶面122和衬底W之间的共面关系。当空间11中的液体接触热适应层276时，由于构件274和液体之间的热传递造成的液体的温度变化相对小。

在一个实施例中，热适应材料在25℃具有小于等于800J/kgK的比热容或在25℃具有小于等于600J/kgK的比热容。具有低比热容，当液体接触构件274时液体的温度变化相对较小。

在一个实施例中，热适应材料是从由不锈钢和钛构成的组中选择的。在一个实施例中，可以用于热适应材料的材料包括铝、SiSiC、(装入胶囊的)热解石墨和锂铝硅酸盐玻璃陶瓷(诸如)。与不锈钢和钛相比较，这些材料可以不太有利，因为这些材料具有更高的比热容。在一个实施例中，热适应材料是防水的。在一个实施例中，热适应材料具有相对高的热阻。

不锈钢的热导率是大约16W/mK到24W/mK。钛的热导率是大约15W/mK到23W/mK。热适应材料的热导率可以大于台材料的热导率。在一个实施例中，热适应材料的热导率相对较低。例如，与防水的和具有低比热容的其他金属相比较，不锈钢和钛具有相对低的热导率。

在一个实施例中，热阻层275在热适应层276和衬底台WT的顶面122与主体271的顶面277这两者之间。液体接触热适应层276而不是热阻层275。

在一个实施例中，热阻材料在25℃的比热容高于台材料在该温度的比热容。

在一个实施例中，热阻层275具有的厚度小于等于50微米、小于等于20微米、或小于等于10微米。热阻层275薄到使得构件274的比热容相对较小。当构件274接触液体时，由于构件274的低比热容，液体的温度变化相对较小。

在一个实施例中，热阻层材料具有的热导率小于等于0.5W/mK、小于等于0.1W/mK、或小于等于0.05W/mK。具有相对较低的热导率和因此高热阻，当液体限制结构IH在衬底台WT的正上方时，构件274和特别是热阻层275降低在衬底台WT的台材料和空间11中的液体之间的热传递。

在一个实施例中，热阻材料是粘合剂。热阻层275可以起到使热适应层275粘合到衬底台WT和主体271的作用。在一个实施例中，构件274是粘结剂。

在一个实施例中，热阻材料是从由丙烯酸酯聚合物、甲硅烷封端的聚醚(诸如MS聚合物)和环氧树脂构成的组中选择的。在一个实施例中，另一种材料可以用作热阻材料。环氧树脂可以具有在大约0.05W/mK到大约0.35W/mK范围内的热导率。环氧树脂在25℃具有的比热容是大约1000J/kgK。

在一个实施例中，台材料可以是堇青石或 在25℃具有的比热容是大约820J/kgK。具有大约1.5W/mK的热导率。

在一个实施例中，构件274具有的总厚度小于等于100微米、小于等于50微米、小于等于20微米、或小于等于10微米。构件274具有小的总厚度，使得其总比热容相对较小。这降低了接触构件274的液体中的温度变化。在一个实施例中，构件274薄到使得不会明显不利地影响衬底台WT的平坦顶面122。

在一个实施例中，构件274具有的平均热导率小于等于25W/mK、小于等于15W/mK、或小于等于10W/mK。平均热导率是指构件274的作为整体而不是其子部分的热导率。构件274具有较低平均热导率，以便当液体限制结构IH在衬底台WT的正上方时降低衬底台WT的台材料和空间11中的液体之间的热传递。

在一个实施例中，构件274在25℃的平均比热容小于等于1500J/kgK、小于1000J/kgK、或小于等于750J/kgK。在25℃的平均比热容是指构件274作为整体而不是其子部分在25℃的比热容。构件274具有低的平均比热容，使得构件274使其温度相对迅速地适应至接触构件274的所述液体的温度。

图29描绘根据本发明的一个实施例的支撑装置60的横截面。如图29中所描绘的，衬底台WT包括构件凹口291。构件274至少部分在构件凹口291内。构件凹口291降低构件274在衬底台WT的顶面122上方的程度(如果是这样)。在一个实施例中，构件凹口291具有基本等于构件274的总厚度的深度。在一个实施例中，构件274与衬底台WT的顶面122基本共面。在一个实施例中，在衬底是由衬底台WT中的衬底保持件61保持的情况下，构件274的顶面与衬底W基本共面。

图30描绘根据本发明的一个实施例的支撑装置的一部分的横截面。提取主体65与衬底保持件61基本热解耦和/或基本机械解耦。

在一个实施例中，提取主体65包括突起30。突起30被配置为使得其围绕物体保持件(例如，衬底保持件61)。突起30被配置为使得在使用中时液体32的层保留在突起30上并接触支撑在物体保持件(例如衬底保持件61)上的物体(例如，衬底W)。

在一个实施例中，突起30可以被配置为使得其顶面31形成环形物。该环形物在提取主体65的内部区域延伸。环形物围绕衬底保持件61。这可以便于制造。在一个实施例中，突起30沿着与衬底W基本上垂直的方向延伸。在一个实施例中，突起30的顶面31面对衬底W的下表面。

在一个实施例中，突起30被配置为使得突起30的顶面31和由衬底保持件61支撑的衬底W的下表面之间的分隔是大约20μm或更小。在一个实施例中，突起可以被配置为使得突起30的顶面31和由衬底保持件61支撑的衬底W的下表面之间的分隔是10μm或更小。

在使用中，液体32的层保留在突起30上、在突起30的顶面31和衬底W的下表面之间。突起30被配置为使得在使用中时，液体32的层阻止液体从突起30的径向外侧流入突起30的径向内侧。这是可以实现的，因为保留在突起30上的液体32的层的毛细压力大于由于突起30的径向外侧和突起30的径向内侧之间的压力差产生的力。毛细压力是迫使液体32的层通过衬底W和突起30之间的间隙的必需的力，对于更小的间隙毛细压力更大。毛细压力是由液体32的层和周围气体(例如，空气)之间的界面上的压力差引起的。

如果突起30的顶面31和衬底W的下表面之间的分隔太大(例如，大于20μm或大于10μm)，那么液体32的层的毛细压力不够大，不足以防止液体从突起30的径向外侧流入突起30的径向内侧。该分隔越小，毛细压力越大，因而防止液体从突起30的径向外侧流到突起30的径向内侧的作用越强。

突起30的顶面不会接触衬底W的下表面。任何这样的接触将是不期望的，因为将不利地影响衬底W的平坦度。为此，期望的是提供突起30的顶面31和衬底W的下表面之间的目标分隔的下限。例如，在一个实施例中，突起30被配置为使得突起30的顶面31和衬底W的下表面之间的分隔是2μm或更大。

在一个实施例中，突起30的顶面31低于提取主体65的顶面105。这允许衬底W被定位成使得衬底W的周围区域在突起30的正上方。衬底W的顶面可以与提取主体65的顶面105基本共面。

在一个实施例中，衬底支撑装置60被配置为使得在使用中，提取主体65的一部分在物体保持件(例如衬底保持件61)上支撑的物体(例如，衬底W)的周缘下延伸。这在图30中描绘，其示出提取主体65的内周区域与衬底W的外周区域在径向方向上重叠。从衬底W上方和/或提取主体65上方流动的液体可以流过提取主体65和衬底W之间的间隙5。流过间隙5的液体可以通过提取主体65的提取开口66、通路67和通道68提取。通过提供让提取主体65到达衬底W的下方，防止这样的液体到达衬底保持件61。

在一个实施例中，如图30中所示，衬底保持件61包括任意种类的基本无液体提取器。在一个实施例中，衬底保持件61在使用中基本不会会接触浸没光刻装置中使用的液体。液体只由提取主体65提取，提取主体65与衬底保持件61分离。衬底W只由衬底保持件61支撑，而不由提取主体65支撑。在一个实施例中，衬底支撑功能(由衬底保持件61执行)和液体捕获功能(由提取主体65执行)之间完全分离。在一个实施例中，衬底保持件61是与提取主体65分离的单独主体。由突起30上的液体32的层引起的热载荷最小。

衬底保持件61执行支撑衬底W和执行精确定位的功能。通过布置衬底支撑装置60使得衬底保持件61基本不接触液体，衬底保持件61定位衬底W的精确性可以提高。这是因为衬底保持件61基本上不受由于例如液体蒸发引起的热载荷的影响。

通过提供突起30，避免了液体接触衬底保持件61的可能性，因而提高衬底保持件61的精确性。

在一个实施例中，提取主体65的内周区域和衬底W的外周区域的重叠程度是大约0.5mm或更大。在一个实施例中，提取主体65的内周区域和衬底W的外周区域之间的重叠程度是大约3mm或更小。

在一个实施例中，提取主体65可以包括通道300。通道300可以连接到通路301，通路301连接通道300至提取主体65的通路80。通道300和通路301是可选的。通路80定位在衬底W的下表面和提取主体65的上表面之间。通路80定位在突起30的紧挨着径向外侧。通路80延伸到衬底W下方。

在一个实施例中，通道300与真空连通，使得来自通路80的流体通过通路301吸入到通道300内。在一个实施例中，通道300与超压连通，通路301连接通道300到中间间隙75。在一个实施例中，控制真空或超压，以便迫使液体32的层径向向外离开突起30。例如可以在卸载衬底W之前执行以上操作。这使得移除衬底W更容易和可以输送干衬底。

在一个实施例中，通道300用于控制突起30的径向外侧压力和突起30的径向内侧压力之差，使得压力差小于液体32的层的毛细压力。使液体32的层保持在突起30上。

在一个实施例中，通路301不连接通道300和提取主体65的通路80。相反，在一个实施例中通路301连接通道300至提取主体65与衬底保持件61之间的中间间隙75。在该情况中通道与超压连通。在一个实施例中通路301连接通路80和通道68，在该情形下可以省略通道300。

突起30上的流体32的层的毛细压力可能引起衬底W的外周被向下拉。存在降低衬底W的平坦度的风险。区域中的平坦度可以降低大约10nm的量。衬底W的平坦度的毛细压力的影响可以被预测和补偿。

聚集在通路80中的气泡可能在突起30附近。这是因为在突起30的紧挨着径向外侧中，流体流沿着两个方向都处于特别低的速率。在一个实施例中，通道300和通路301可以用于吸取这样的气泡或来自提取主体65的通路80的这个角的气袋。

在一个实施例中，提取主体65包括被配置为控制提取主体65的温度的诸如流体运送通道161的网络的热调节系统。在一个实施例中，流体运送通道161运送热调节液体。热调节液体可以是例如水。流体运送通道161使提取主体65的温度维持在一定(例如，预先确定)温度。在一个实施例中，一个或多个加热器/温度传感器(未示出)可以定位在流体运送通道161中或在流体运送通道161附近，以便控制流体运送通道161内的热调节液体的温度。

对于其中衬底保持件和提取主体形成相同主体的一部分(例如，使得不存在中间间隙75)的衬底支撑装置，通过提供这样的流体运送通道，由于提取引起的热载荷造成的最大衬底位移可以减少大约两倍。替代地，通过热解耦提取主体和衬底保持件(例如，通过提供中间间隙75)，由于提取引起的热载荷造成的最大衬底位移可以减少大约六倍。因此，与提供流体运送通道相比，提取主体与衬底保持件的热解耦在降低衬底位移方面大约三倍地更加有效。

热解耦和流体运送通道(或诸如边缘加热器的备选温度控制机制)的组合效应大于单独的效应的总和。特别地，已经发现，通过提供中间间隙75组合流体运送通道161(例如，如图30中所描绘的)，由于提取造成的衬底位移减少大约80倍(明显大于2x6＝12)。下面解释出现这种情况的原因。

尽管通过提供中间间隙75的热解耦使最大衬底位移减少大约六倍，但是衬底支撑装置60上的温度差增大了大约10倍，这是不期望的。在提取主体65中提供流体运送通道161在降低衬底支撑装置60上的温度差方面是有效的。因此，通过提供中间间隙75和流体运送通道161，最大衬底位移以如此大的倍数降低。在一个实施例中，中间间隙是至少0.2mm。在一个实施例中，中间间隙是至少0.5mm。在一个实施例中，中间间隙是至多3mm。

在一个实施例中，提取主体65包括在提取主体65的外边缘上的边缘加热器201。在一个实施例中，提取主体65包括在提取主体65的下表面上的边缘加热器204。在一个实施例中，边缘加热器201、204由控制器500独立可控。边缘加热器201、204帮助维持衬底支撑装置60的温度廓线的稳定性。每个边缘加热器201、204可以包括温度传感器。除了流体运送通道161之外或作为流体运送通道161的备选，可以使用边缘加热器201、204。

图中描绘的特征可以互相组合起来。仅仅通过实例，图30的特征可以与图8的接口81和/或图11的盖环112组合起来。

在一个实施例中，提供包括以下的支撑装置：由具有热导率的台材料形成的台；定位在台的凹口内的主体，其中主体和台之间存在间隙；和桥接从主体的顶面到台的顶面的间隙的构件，该构件包括其热导率低于台材料的热导率的热阻材料的热阻层。

在一个实施例中，所述构件在台的顶面比在主体的顶面上更多。

在一个实施例中，构件沿着台的顶面向外比沿着主体的顶面向内延伸得长。

在一个实施例中，构件在台的基本整个顶面上延伸。

在一个实施例中，构件包括热适应材料的热适应层，所述热适应材料在25℃的比热容低于台材料在25℃的比热容。

在一个实施例中，热适应材料的热导率高于台材料的热导率。

在一个实施例中，热阻层在热适应层与台的顶面和主体的顶面两者之间。

在一个实施例中，热阻材料在25℃的比热容高于台材料的比热容。

在一个实施例中，热阻材料是粘合剂。

在一个实施例中，支撑装置进一步包括被配置为支撑物体的物体保持件，其中主体是在物体保持件径向外侧的提取主体，提取主体包括被配置为从支撑装置的顶面提取流体的提取开口，其中提取主体与物体保持件间隔开，使得提取主体与物体保持件基本解耦；其中提取主体包括突起，突起被配置为使得其围绕物体保持件并且使得在使用中流体层保留在突起上且接触支撑在物体保持件上的物体。

在一个实施例中，提取主体与物体保持件分离(disconnect)，使得提取主体从物体保持件拆卸下来。

在一个实施例中，突起被配置为，使得在使用中，液体层防止液体从突起的径向外侧流到突起的径向内侧。

在一个实施例中，提取主体通过包括真空或气体的中间间隙与物体保持件间隔开。

在一个实施例中，物体保持件和至少一部分提取主体定位在台的物体保持件凹口内，其中提取主体在接口连接到台。

在一个实施例中，接口在提取主体的底面和/或径向表面。

在一个实施例中，提取主体通过真空夹持、螺栓、粘胶和/或运动叶簧耦合连接到台。

在一个实施例中，支撑装置进一步包括物体保持件，其中主体是在物体保持件径向外侧的提取主体，提取主体包括被配置为从支撑装置的顶面提取流体的提取开口，其中提取主体通过多个周向间隔的接头连接到物体保持件，使得在接头之间，提取主体与物体保持件间隔开。

在一个实施例中，至少一个接头从物体保持件的顶面仅部分地向着提取主体的底面延伸，使得在至少一个接头的正下方提取主体与物体保持件间隔开。

在一个实施例中，至少一个接头包括被配置为提供热能给接头和/或在接头之间和/或从接头和/或在接头之间移除热能的接头调节系统。

在一个实施例中，接头总计沿着物体保持件和提取主体之间的周界的至多10％延伸。

在一个实施例中，物体保持件和至少一部分提取主体定位在台的物体保持件凹口内。

在一个实施例中，提取主体包括突起，突起被配置为使得其围绕物体保持件并且使得在使用中液体层保留在突起上且接触支撑在物体保持件上的物体。

在一个实施例中，突起被配置为，使得在使用中液体层防止液体从突起的径向外侧流到突起的径向内侧。

在一个实施例中，突起的顶面低于提取主体的顶面。

在一个实施例中，支撑装置被配置为，使得一部分提取主体延伸到支撑在物体保持件上的物体的周缘下方。

在一个实施例中，提取主体包括主体和定位在主体的顶面上的盖环，其中构件在盖环的顶部。

在一个实施例中，盖环径向向外延伸到主体的径向范围以外。

在一个实施例中，盖环基本上延伸到支撑装置的台的顶面的信点标记。

在一个实施例中，提取主体包括被配置为提供热能给提取主体和/或从提取主体移除热能的提取主体调节系统。

在一个实施例中，提取主体调节系统包括独立可控的多个调节单元，其中每个调节单元被配置为提供热能给提取主体的相应调节区域和/或从提取主体的相应调节区域移除热能。

在一个实施例中，提取主体调节系统包括被配置为控制提取主体的温度的流体运送通道的网络。

在一个实施例中，提取主体调节系统包括冷却通道，冷却通道包含在压力下的二氧化碳使得二氧化碳具有至多30℃或至多22℃的沸点。

在一个实施例中，提取主体调节系统包括热管。

在一个实施例中，任意权利要求的支撑装置包括在提取开口的径向内侧且被配置为从物体保持件的顶面提取液体的液体提取器。

在一个实施例中，提取主体包括至少液体提取器的一部分。

在一个实施例中，液体提取器包括被配置为提供热能给液体提取器和/或从液体提取器移除热能的液体提取器调节系统。

在一个实施例中，提取主体包括被配置为提供热能给液体提取器和/或从液体提取器移除热能的提取主体调节系统，其中液体提取器调节系统和提取主体调节系统是独立可控的。

在一个实施例中，液体提取器调节系统包括被配置为控制液体提取器的温度的流体运送通道的网络。

在一个实施例中，提取主体和物体保持件之间的空间是周向连续的并且从提取主体的上表面到提取主体的底面是连续的。

在一个实施例中，物体保持件是衬底保持件。

在一个实施例中，提供利用光刻装置的器件制造方法，该方法包括：由图案形成装置图案化的光束投影到衬底上同时利用支撑装置支撑衬底，其中支撑装置包括：由具有热导率的台材料形成台；定位在台的凹口内的主体，其中主体和台之间存在间隙；和桥接从主体的顶面到台的顶面的间隙的构件，该构件包括其热导率低于台材料的热导率的热阻材料的热阻层。

尽管在本文中提及的是用于制造IC的光刻装置，但是应当理解，本文中描述的光刻装置可以具有其他应用，诸如集成光学系统的制造、磁域存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头等。本领域的技术人员将理解，在这样的可选应用的背景中，本文中术语“晶片”或“裸片”的任意用途可以认为是分别与更通用的术语“衬底”或“目标部分”同义。本文中所述的衬底可以在曝光之前或之后处理，在例如轨道中(一种工具，其通常将抗蚀剂层应用于衬底和显影被曝光的抗蚀剂)，计量工具和/或检验工具中。当适用时，本文中的公开可以应用于这样的和其他衬底处理工具。进一步，衬底可以被处理超过一次，例如为了产生多层IC，因此本文中使用的术语衬底还可以指已经包含一个或多个经处理的层的衬底。

本文中适用的术语“辐射”和“束”涵盖所有类型的电磁辐射，包括紫外线(UV)辐射(例如，具有大约436nm,405nm,365nm,248nm,193nm,157nm或126nm的波长)。术语“透镜”，在上下文允许的情况下，可以指各种类型的光学部件的任意一个或其组合，包括折射光学部件和反射光学部件。

尽管以上已经描述本发明的具体实施例，但是将理解的是，本发明可以与如上所述不同地实施。例如，本发明的实施例可以采用包含描述如上所述的方法的一个或多个机器可读指令序列的计算机程序，或具有存储在其上的计算机程序的数据存储介质(例如，半导体存储器、磁盘或光盘)的形式。进一步，机器可读指令可以存储在一个或多个不同的存储器和/或数据存储介质上。

当定位在光刻装置的至少一个部件内的一个或多个计算机处理器读取一个或多个计算机程序时，本文中描述的任意控制器可以单独或组合可操作。控制器可以单独或组合具有用于接收信号、处理信号和发送信号的任意合适的配置。一个或多个处理器被配置为与至少一个控制器进行通信。例如，每个控制器可以包括一个或多个处理器，用于执行包括以上所述方法的机器可读指令的计算机程序。控制器可以包括用于存储这样的计算机程序的数据存储介质和/或用于接收这样的介质的硬件。所以控制器可以根据一个或多个计算机程序的机器可读指令工作。

本发明的一个或多个实施例可以应用于任意浸没光刻装置，特别地，但是不排除地，以上所述的那些类型和浴液形式的浸没液体是否只提供在衬底的局部化表面区域，或是不受限制的。在限制布置中，浸没液体可以流过衬底的表面和/或衬底台，因此衬底台和/或衬底的基本上整个未覆盖表面都被浸湿。在这样的未限制浸没系统中，液体供应系统可以不限制浸没液体或可以提供浸没液体限制的比例，但是不是基本上完全限制浸没液体。

本文中考虑的液体供应系统应当广泛地解释。在一定实施例中，可以是提供液体给投影系统和衬底和/或衬底保持件之间的空间的机制或结构的组合。可以包括一个或多个结构的组合、包括一个或多个液体开口的一个或多个流体开口、用于两相流动的一个或多个气体开口或一个或多个开口。开口可以是进入浸没空间的入口(或离开流体处理结构的出口)或离开浸没空间的出口(或进入流体处理结构的入口)。在一个实施例中，空间的表面可以是衬底和/或衬底台的一部分，或空间的表面可以完全覆盖衬底和/或衬底台的表面，或空间可以包封衬底和/或衬底台。液体供应系统可以可选地进一步包括用于控制液体的位置、量、质量、形状、流速或其任意其他特征的一个或多个元件。

以上描述是说明性的而非限制性的。因此，本领域的普通技术人员将理解，在不偏离以下阐述的权利要求的保护范围的情况下，可以对本发明做出改进。

Claims (10)

1.一种用于光刻装置的支撑装置，包括：

被配置为支撑物体的物体保持件；和

提取主体，在所述物体保持件径向外侧并且部分地在所述物体的外周边缘下面延伸，所述提取主体包括被配置为通过在所述提取主体与所述物体之间形成在所述支撑装置的顶面上的间隙提取流体的第一开口和第二开口，其中所述提取主体与所述物体保持件间隔开，使得所述提取主体与所述物体保持件基本机械解耦和热解耦。

2.根据权利要求1所述的支撑装置，其中所述第二开口与减压流体连通。

3.根据权利要求1所述的支撑装置，其中所述第一开口在所述物体下方被布置在所述第二开口的径向内侧并且与真空流体连通。

4.根据权利要求1所述的支撑装置，其中所述提取主体通过中间间隙与所述物体保持件基本机械解耦和热解耦。

5.根据权利要求1所述的支撑装置，其中所述提取主体通过密封非刚性地连接到所述物体保持件。

6.根据权利要求1所述的支撑装置，其中所述提取主体通过多个周向间隔的接头连接到所述物体保持件。

7.根据权利要求1至6中的任一项所述的支撑装置，其中所述提取主体的内周区域与所述物体保持件的外周区域之间的重叠的程度在从约0.5mm到约3mm的范围内。

8.根据权利要求1至6中的任一项所述的支撑装置，其中所述提取主体还包括用于控制所述提取主体的温度的热调节系统。

9.一种光刻装置，包括根据权利要求1至8中任一项所述的支撑装置。

10.一种利用光刻装置的器件制造方法，所述方法包括：

将由图案形成装置图案化的束投影到衬底上，同时利用支撑装置支撑所述衬底，

其中所述支撑装置包括：

被配置为支撑物体的物体保持件；和

提取主体，在所述物体保持件径向外侧并且部分地在所述物体的外周边缘下面延伸，所述提取主体包括被配置为通过在所述提取主体与所述物体之间形成在所述支撑装置的顶面上的间隙提取流体的第一开口和第二开口，其中所述提取主体与所述物体保持件间隔开，使得所述提取主体与所述物体保持件基本机械解耦和热解耦。