KR102617775B1 - 기판 홀더, 기판 지지체, 및 기판을 클램핑 시스템에 클램핑시키는 방법 - Google Patents

기판 홀더, 기판 지지체, 및 기판을 클램핑 시스템에 클램핑시키는 방법 Download PDF

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Abstract

리소그래피 장치에 사용하기 위한 그리고 기판을 기판 지지체에 지지시키도록 구성된 기판 홀더가 제공되며, 제1 본체 표면과 제2 본체 표면을 가지며, 제1 본체 표면과 제2 본체 표면은 서로 반대 측에 있는 본체; 제1 본체 표면으로부터 돌출되며, 기판을 지지하도록 구성된 원위 말단 표면을 각각 갖는 복수의 제1 버얼; 및 제2 본체 표면으로부터 돌출되며, 기판 홀더를 기판 지지체 상에 지지시키기 위한 원위 말단 표면을 각각 갖는 복수의 제2 버얼을 포함하며, 복수의 제1 버얼의 제1 서브세트의 원위 말단 표면은 제1 본체 표면으로부터 제1 거리에 있으며, 복수의 제1 버얼의 제2 서브세트의 원위 말단 표면은 제1 본체 표면으로부터 제2 거리에 있고, 제1 거리는 제2 거리보다 크다.

Description

기판 홀더, 기판 지지체, 및 기판을 클램핑 시스템에 클램핑시키는 방법{SUBSTRATE HOLDER, SUBSTRATE SUPPORT AND METHOD OF CLAMPING A SUBSTRATE TO A CLAMPING SYSTEM}
관련 출원에 대한 상호 참조
본 출원은 2017년 11월 20일에 출원된 유럽출원 번호 제17202627.0호의 우선권을 주장하며, 이는 그 전체 내용이 원용되어 본 명세서에 통합된다.
본 발명은 기판을 클램핑 시스템에 클램핑시키는 방법, 리소그래피 장치에서 사용하기 위한 그리고 기판을 기판 지지체 상에 지지하도록 구성된 기판 홀더, 및 기판 지지체에 관한 것이다.
리소그래피 장치는 원하는 패턴을 기판 상에 적용하도록 구성된 기계이다. 리소그래피 장치는, 예를 들어 집적 회로(IC)의 제조에 사용될 수 있다. 리소그래피 장치는, 예를 들어 패터닝 디바이스 (예를 들어, 마스크)의 패턴 (또한, 흔히 "디자인 레이아웃" 또는 "디자인"으로 지칭됨)을 기판 (예를 들어, 웨이퍼) 상에 제공된 방사선-감응성 물질 (레지스트)의 층으로 투영할 수 있다.
흔히 "무어의 법칙 (Moore's law)"으로 지칭되는 추세에 따라, 반도체 제조 공정이 지속적으로 발전함에 따라 회로 요소의 치수는 지속적으로 감소되고 있는 반면에 디바이스 당 트랜지스터와 같은 기능적 요소의 양은 수십 년에 걸쳐 꾸준히 증가하고 있다. 무어의 법칙을 계속 따르기 위하여 반도체 산업은 점점 더 작은 피처를 생성할 수 있는 기술을 추구하고 있다. 패턴을 기판 상에 투영하기 위하여 리소그래피 장치는 전자기 방사선을 사용할 수 있다. 이 방사선의 파장은 기판 상에 패터닝되는 피처의 최소 크기를 결정한다. 현재 사용되는 전형적인 파장은 365㎚ (i-라인), 248㎚, 193㎚ 및 13.5㎚이다. 4㎚ 내지 20㎚ 범위 내의, 예를 들어 6.7㎚ 또는 13.5㎚의 파장을 갖는 극자외(EUV) 방사선을 사용하는 리소그래피 장치는, 예를 들어 193㎚의 파장을 갖는 방사선을 사용하는 리소그래피 장치보다 기판 상에 더 작은 피처를 형성하는데 사용될 수 있다.
리소그래피 장치에서, 기판은 기판 홀더 상에 유지된다. 완전한 평탄도로부터의 임의의 편차로 인해 포함될 수 있는 이미징 오차를 최소화하기 위해 기판이 가능한 한 평탄한 것이 바람직하다. 하나의 어려움은 기판이 기판 홀더 상에 초기에 위치될 때 기판이 평평하지 않을 수 있다는 것이다. 기판 홀더 상에 있을 때 기판은 그 안에 면내 응력(in-plane stresses)을 가지며 기판을 지지하는 기판 홀더의 버얼(burl)은 탄성적으로 변형된다. 기판에서의 이 면내 전단 응력은 기판에서 면내 변형을 유발하며 이 변형은 그 자체가 오버레이 오차를 초래한다.
본 발명의 목적은 기판 홀더 상에 위치된 기판이 이완되는 것을 조장(encourage)하도록 조치가 취해지는 방법, 기판 홀더 및 기판 홀더를 포함하는 기판 지지체를 제공하는 것이다.
본 발명의 실시예에서, 기판을 클램핑 시스템에 클램핑시키는 방법이 제공되며, 본 방법은 제1 본체 표면과 제2 본체 표면을 가지며, 제1 본체 표면과 제2 본체 표면은 서로 반대 측에 있는 본체; 및 제1 본체 표면으로부터 돌출되며, 기판을 지지하도록 구성된 원위 말단 표면을 각각 갖는 복수의 제1 버얼을 포함하는 기판 홀더를 제공하는 단계; 기판 홀더를 지지하기 위하여 지지 표면을 제공하는 단계; 복수의 제2 버얼의 원위 말단 표면과의 접촉을 통하여 기판 홀더를 지지 표면 상에 지지시키기 위하여 복수의 제2 버얼을 제공하는 단계; 기판 홀더를 지지 표면으로 끌어당기도록 제1 힘을 발생시키는 단계; 복수의 제1 버얼과 접촉하도록 기판을 기판 홀더 상에 위치시키는 단계; 기판을 기판 홀더로 끌어당기도록 제2 힘을 발생시키는 단계; 및 복수의 제1 버얼의 제1 서브세트의 원위 말단 표면과 기판 사이에 갭을 생성하도록 그리고 기판이 복수의 제1 버얼의 제2 서브세트의 원위 말단 표면 상에서 지지되도록 제2 버얼들 사이의 본체를 변형시키기 위해 해제 단계에서 제1 힘과 제2 힘 중 적어도 하나를 제어하는 단계를 포함한다.
본 발명의 실시예에서, 리소그래피 장치에 사용하기 위한 것으로서 기판을 기판 지지체에 지지시키도록 구성된 기판 홀더를 제공하며, 기판 홀더는 제1 본체 표면과 제2 본체 표면을 가지며, 제1 본체 표면과 제2 본체 표면은 서로 반대 측에 있는 본체; 제1 본체 표면으로부터 돌출되며, 기판을 지지하도록 구성된 원위 말단 표면을 각각 갖는 복수의 제1 버얼; 및 제2 본체 표면으로부터 돌출되며, 기판 홀더를 기판 지지체 상에 지지시키기 위한 원위 말단 표면을 각각 갖는 복수의 제2 버얼을 포함하며, 여기서 복수의 제1 버얼의 제1 서브세트의 원위 말단 표면은 제1 본체 표면으로부터 제1 거리에 있으며, 복수의 제1 버얼의 제2 서브세트의 원위 말단 표면은 제1 본체 표면으로부터 제2 거리에 있고, 제1 거리는 제2 거리보다 크다.
본 발명의 실시예에서, 제1 본체 표면과 제2 본체 표면을 가지며, 제1 본체 표면과 제2 본체 표면은 서로 반대 측에 있는 본체; 그리고 제1 본체 표면으로부터 돌출되며, 기판을 지지하도록 구성된 원위 말단 표면을 각각 갖는 복수의 제1 버얼을 포함하는 기판 홀더; 및 지지 표면으로부터 돌출된 복수의 제2 버얼의 원위 말단 표면과의 접촉을 통하여 기판 홀더를 지지하기 위한 지지 표면을 포함하는 기판 지지체가 제공되며, 여기서 복수의 제1 버얼의 제1 서브세트의 원위 말단 표면은 제1 본체 표면으로부터 제1 거리에 있고, 복수의 제1 버얼의 제2 서브세트의 원위 말단 표면은 제1 본체 표면으로부터 제2 거리에 있으며, 제1 거리는 제2 거리보다 크다.
본 발명의 실시예에서, 리소그래피 장치에 사용하기 위한 것으로서 기판을 기판 지지체에 지지시키도록 구성된 기판 홀더가 제공되며, 기판 홀더는 제1 본체 표면과 제2 본체 표면을 가지며, 제1 본체 표면과 제2 본체 표면은 서로 반대 측에 있는 본체; 제1 본체 표면으로부터 돌출되며, 기판을 지지하도록 구성된 원위 말단 표면을 각각 갖는 복수의 제1 버얼; 및 기판 홀더를 기판 지지체에 고정시키기 위하여 전압이 인가될 수 있는 복수의 전극을 포함하며; 여기서 복수의 전극은 인가된 전압에 따라, 복수의 제1 버얼의 제1 서브세트 아래의 기판 홀더의 본체의 부분과 기판 지지체 사이의 힘이 복수의 제1 버얼의 제2 서브세트 아래의 기판 홀더의 본체의 부분과 기판 지지체 사이의 힘과는 독립적으로 제어 가능하도록 구성된다.
이제 실시예가 첨부된 도면을 참고하여 단지 예로서 설명될 것이다.
도 1은 리소그래피 장치의 개략적인 개요를 도시하고 있다.
도 2a 및 도 2b는 완전한 원주 주위로 연장될 수 있는, 좌측 및 우측에 도시된 상이한 특징부를 갖고 있는 2개의 상이한 형태(version)의 유체 핸들링 구조체를 횡단면으로 도시하고 있다.
도 3은 실시예의 기판 홀더, 기판 및 기판 지지체를 횡단면으로 도시하고 있다.
도 4는 이완된 상태에서의, 기판 홀더와 기판 지지체의 대안적인 실시예를 도시하고 있다.
도 5 내지 도 7은 도 3 또는 도 4의 기판 지지체에 의하여 지지되는 기판 홀더 상으로 기판을 위치시키는 단계를 도시하는 도면이다.
도 8은 도 3의 기판 홀더, 기판 및 기판 지지체의 대안적인 실시예를 횡단면으로 도시하고 있다.
도 9 및 도 10은 도 3의 기판 홀더, 기판 및 기판 지지체의 대안적인 실시예를 횡단면으로 도시하고 있다.
도 11은 본 발명의 범위 내에 있지 않은 제1 및 제2 버얼의 패턴을 개략적으로 도시하고 있다.
본 명세서에서, 용어 "방사선" 및 "빔"은 (예를 들어, 365, 248, 193, 157 또는 126㎚의 파장을 갖는) 자외 방사선 및 EUV (예를 들어 약 5 내지 100㎚ 범위의 파장을 갖는 극자외 방사선)을 포함하는, 모든 유형의 전자기 방사선을 포함하도록 사용된다.
본 명세서에서 사용된 바와 같은 용어 "레티클", "마스크" 또는 "패터닝 디바이스"는 기판의 타겟 부분에 생성될 패턴에 대응하는, 입사 방사선 빔에 패터닝된 횡단면을 부여하기 위하여 사용될 수 있는 포괄적인 패터닝 디바이스를 지칭하는 것으로 넓게 해석될 수 있다. 용어 "광 밸브(light valve)"가 또한 본 명세서에서 사용될 수 있다. 전형적인 마스크 (투과 또는 반사, 바이너리(binary), 위상-시프트, 하이브리드(hybrid) 등) 외에, 이러한 패터닝 디바이스의 다른 예는 프로그램 가능한 미러 어레이 및 프로그램 가능한 LCD 어레이를 포함한다.
도 1은 리소그래피 장치를 개략적으로 도시하고 있다. 리소그래피 장치는 방사선 빔(B)(예를 들어, UV 방사선 또는 DUV 방사선)을 조절하도록 구성된 조명 시스템 (또한 일루미네이터로 지칭됨)(IL), 패터닝 디바이스 (예를 들어, 마스크)(MA)를 지지하도록 구성되어 있으며 특정 매개변수에 따라 패터닝 디바이스(MA)를 정확히 위치시키도록 구성된 제1 포지셔너(PM)에 연결되어 있는 마스크 지지체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT), 기판(예를 들어, 레지스트 코팅된 기판)(W)을 유지하도록 구성되어 있으며 특정 매개변수에 따라 기판 지지체(WT)를 정확히 위치시키도록 구성된 제2 포지셔너(PW)에 연결되어 있는 기판 지지체(예를 들어, 기판 테이블)(WT), 및 패터닝 디바이스(MA)에 의하여 방사선 빔(B)에 부여되는 패턴을 기판(W)의 (예를 들어, 하나 이상의 다이를 포함하는) 타겟 부분(C) 상으로 투영하도록 구성된 투영 시스템(예를 들어, 굴절형 투영 렌즈 시스템)(PS)을 포함하고 있다.
사용시, 조명 시스템(IL)은 방사선 소스(SO)로부터, 예를 들어 빔 전달 시스템(BD)을 통하여 방사선 빔(B)을 받아들인다. 조명 시스템(IL)은 방사선을 지향시키고 성형하고 및/또는 제어하기 위하여 굴절형, 반사형, 자기, 전자기, 정전기, 및/또는 다른 유형의 광학 구성 요소 또는 이들의 조합과 같은 다양한 유형의 광학 요소를 포함할 수 있다. 일루미네이터(IL)는 패터닝 디바이스(MA)의 평면에서의 그의 횡단면에서 원하는 공간 및 각도 세기 분포를 갖도록 방사선 빔(B)을 조정하는데 사용될 수 있다.
본 명세서에서 사용되는 용어 "투영 시스템"(PS)은 사용되고 있는 노광 방사선에, 및/또는 침지 액체의 사용 또는 진공의 사용과 같은 다른 요인에 적절한, 굴절형, 반사형, 반사 굴절형(catadioptric), 애너포믹(anamorphic), 자기, 전자기 및/또는 정전기 광학 요소, 또는 이들의 임의의 조합을 포함하는 다양한 유형의 투영 시스템을 포함하는 것으로 넓게 해석되어야 한다. 본 명세서에서의 용어 "투영 렌즈"의 임의의 사용은 더 포괄적인 용어 "투영 시스템"(PS)과 동의어로 간주될 수 있다.
리소그래피 장치는 투영 시스템(PS)과 기판(W) 사이의 공간(11)을 채우기 위하여 기판의 적어도 일부분이 비교적 높은 굴절률을 갖는 침지 액체, 예를 들어 물로 덮일 수 있는 유형 -이는 침지 리소그래피로도 지칭된다-일 수 있다. 침지 기술에 대한 더 많은 정보가 미국특허 제6,952,253호에 제공되어 있으며, 이는 본 명세서에서 참고로 포함된다.
리소그래피 장치는 또한 2개 이상의 기판 지지체(WT)를 갖는 유형 (또한 "이중 스테이지"로 명명된다)일 수 있다. 이러한 "다중 스테이지" 기계에서, 기판 지지체(WT)들이 동시에 사용될 수 있으며, 및/또는 기판(W)의 후속 노광을 준비하는 단계는 기판 지지체(WT)들 중 하나 위에 위치된 기판(W) 상에서 수행될 수 있는 반면에, 다른 하나의 기판 지지체(WT) 상의 다른 기판(W)은 다른 하나의 기판(W) 상에 패턴을 노출시키기 위해 사용되고 있다.
기판 지지체(WT)에 더하여, 리소그래피 장치는 측정 스테이지를 더 포함할 수 있다. 측정 스테이지는 센서 및/또는 클램핑 디바이스를 유지하도록 배열되어 있다. 센서는 투영 시스템(PS)의 특성 또는 방사선 빔(B)의 특성을 측정하도록 배열될 수 있다. 측정 스테이지는 복수의 센서를 유지할 수 있다. 세정 디바이스는 리소그래피 장치의 일부, 예를 들어 투영 시스템(PS)의 일부 또는 침지 액체를 제공하는 시스템의 일부를 세정하도록 배열될 수 있다. 기판 지지체(WT)가 투영 시스템(PS)으로부터 떨어져 있을 때 측정 스테이지는 투영 시스템(PS) 아래로 이동할 수 있다.
작동시 방사선 빔(B)은 마스크 지지체(MT) 상에 유지되는 패터닝 디바이스, 예를 들어 마스크(MA)에 입사되며, 패터닝 디바이스(MA)에 존재하는 패턴(디자인 레이아웃)에 의하여 패터닝된다. 마스크(MA)를 가로지른 방사선 빔(B)은 투영 시스템(PS)을 통과하며, 투영 시스템은 빔을 기판(W)의 타겟 부분(C) 상으로 집속한다. 제2 포지셔너(PW) 및 위치 측정 시스템(IF)의 도움으로, 기판 지지체(WT)는 예를 들어, 집속되고 정렬된 위치에서 방사선 빔(B)의 경로에 상이한 타겟 부분(C)들을 위치시키기 위해, 정확하게 이동될 수 있다. 이와 유사하게, 제1 포지셔너(PM) 및 가능하면 (도 1에는 명확하게 도시되지 않은) 다른 위치 센서는 패터닝 디바이스(MA)를 방사선 빔(B)의 경로에 대하여 정확히 위치시키기 위해 사용될 수 있다. 패터닝 디바이스(MA)와 기판(W)은 마스크 정렬 마크(M1, M2)와 기판 정렬 마크(P1, P2)를 이용하여 정렬될 수 있다. 도시된 바와 같은 기판 정렬 마크(P1, P2)가 전용 타겟 부분을 점유하고 있지만, 이들은 타겟 부분들 사이의 공간 내에 위치될 수 있다. 기판 정렬 마크(P1, P2)는 이들이 타겟 부분(C)들 사이에 위치될 때 스크라이브-레인 정렬 마크로 알려져 있다.
본 발명을 명확하게 하기 위하여, 직교 좌표계(Cartesian coordinate system)가 이용된다. 직교 좌표계는 3개의 축, 즉 x-축, y-축 및 z-축을 갖는다. 3개의 축의 각각은 다른 2개의 축과 직교한다. x-축을 중심으로 한 회전은 Rx-회전으로서 지칭된다. y-축을 중심으로 한 회전은 Ry-회전으로서 지칭된다. z-축을 중심으로 한 회전은 Rz-회전으로서 지칭된다. x-축과 y-축은 수평 평면을 한정하는 반면에, z축은 수직 방향이다. 직교 좌표계는 본 발명을 제한하지 않으며 명확함을 위해서만 사용된다. 대신에, 원통형 좌표계와 같은 다른 좌표계가 본 발명을 명확하게 하기 위해 사용될 수 있다. 직교 좌표계의 배향은, 예를 들어 z-축이 수평 평면을 따르는 성분을 갖도록 상이 할 수 있다.
더 작은 피처의 개선된 해상도를 가능하게 하기 위해 침지 기술이 리소그래피 시스템에 도입되어 왔다. 침지 리소그래피 장치에서, 비교적 높은 굴절률을 갖는 침지 액체의 액체층이 (패턴닝된 빔이 기판(W)을 향해 투영되는) 장치의 투영 시스템(PS)과 기판(W) 사이의 공간(11)에 개재된다. 침지 액체는 투영 시스템(PS)의 최종 요소 아래에서 기판(W)의 적어도 일부를 덮는다. 따라서, 노광을 겪는 기판(W)의 적어도 일부분은 침지 액체 내에 침지된다. 침지 액체의 효과는 노광 방사선이 가스보다 액체에서 더 짧은 파장을 가질 것이기 때문에 더 작은 피처의 이미징을 가능하게 한다는 것이다. (침지 액체의 효과는 또한 시스템의 유효 개구수(NA)를 증가시키고 또한 초점 심도(depth of focus)를 증가시키는 것으로 간주될 수 있다).
상업적인 침지 리소그래피에서, 침지 액체는 물이다. 전형적으로 물은 반도체 제조 공장에서 일반적으로 사용되는 초순수(UPW)와 같은 고순도의 증류수이다. 침지 시스템에서, UPW는 흔히 정수되며 침지 액체로서 침지 공간(11)에 공급하기 전에 부가 처리 단계를 거칠 수 있다. 물 외에, 높은 굴절률을 갖는 다른 액체, 예를 들어 플루오로 탄화수소와 같은 탄화수소; 및/또는 수용액이 침지 액체로 사용될 수 있다. 또한, 침지 리소그래피에 사용하기 위해 액체 이외의 다른 유체가 구상되어 왔다.
본 명세서에서, 사용시에 침지 액체가 최종 요소(100)와 최종 요소(100)를 향하는 표면 사이의 공간(11)에 제한되는 국소 침지에 대한 설명에서 참고가 이루어질 것이다. 대향 표면은 기판(W)의 표면 또는 기판(W)의 표면과 동일 평면에 있는 지지 스테이지(또는 기판 지지체(WT))의 표면이다(명확하게 달리 설명되지 않는 한, 다음 맥락에서의 기판(W)의 표면에 대한 언급은 또한 기판 지지체(WT)에 더하여 또는 대안적으로 언급된다는 점을 유의해야 하며; 그 반대도 마찬가지이다). 투영 시스템(PS)과 기판 지지체(WT) 사이에 존재하는 유체 핸들링 구조체(12)는 침지 액체를 침지 공간(11)에 제한하기 위해 사용된다. 침지 액체로 채워진 공간(11)은 평면에서 기판(W)의 최상부 표면보다 작으며, 공간(11)은 투영 시스템(PS)에 대해 실질적으로 고정된 상태로 유지되는 반면, 기판(W)과 기판 지지체(WT)는 아래에서 이동한다.
제한되지 않은 침지 시스템 (소위 "전습식(all-wet)" 침지 시스템) 및 배스(bath) 침지 시스템과 같은 다른 침지 시스템이 고안되어 왔다. 비제한 침지 시스템에서, 침지 액체는 최종 요소(100) 아래의 표면보다 더 많은 것을 덮는다. 침지 공간(11) 외부의 액체는 얇은 액체 필름으로서 존재한다. 액체는 기판(W)의 전체 표면 또는 심지어 기판(W) 및 기판(W)과 동일 평면에 있는 기판 지지체(WT)를 덮을 수 있다. 배스형 시스템에서, 기판(W)은 침지 액체의 배스 내에 완전히 침지된다.
유체 핸들링 구조체(12)는 침지 액체를 침지 공간(11)에 공급하고, 침지 액체를 공간(11)으로부터 제거하며 그에 의하여 침지 액체를 침지 공간(11)에 제한하는 구조체이다. 이는 유체 공급 시스템의 일부인 특징부를 포함하고 있다. PCT 특허출원공고 제WO99/49504호에 개시된 배열체는 공간(11)으로부터 침지 액체를 공급 또는 회수하고 투영 시스템(PS) 아래에서의 스테이지의 상대적인 움직임에 따라 작동하는 파이프를 포함하는 초기 유체 핸들링 구조체이다. 보다 최근의 설계에서, 공간(11)을 부분적으로 한정하기 위하여 유체 핸들링 구조체는 투영 시스템(PS)의 최종 요소(100)와 기판 지지체(WT) 또는 기판(W) 사이의 공간(11)의 경계의 적어도 일부를 따라 연장된다.
유체 핸들링 구조체(12)는 상이한 기능들 중에서 선택될 것을 가질 수 있다. 각 기능은 유체 핸들링 구조체(12)가 그 기능을 달성할 수 있게 하는 대응하는 특징부로부터 도출될 수 있다. 유체 핸들링 구조체(12)는 복수의 상이한 용어로 지칭될 수 있으며, 각각은 배리어 부재(barrier member), 시일 부재(seal member), 유체 공급 시스템, 유체 제거 시스템, 액체 제한 구조체 등과 같은 기능을 지칭한다.
배리어 부재로서, 유체 핸들링 구조체(12)는 공간(11)으로부터 침지 액체의 흐름에 대한 배리어이다. 액체 제한 구조체로서, 구조체는 침지 액체를 공간(11)에 제한한다. 시일 부재로서, 유체 핸들링 구조체의 시일 특징부는 시일을 형성하여 침지 액체를 공간(11)에 제한한다. 실링 특징부는 가스 나이프와 같은, 시일 부재의 표면의 개구로부터의 추가적인 가스 흐름을 포함할 수 있다.
실시예에서, 유체 핸들링 구조체(12)는 침지 유체를 공급할 수 있으며 따라서 유체 공급 시스템일 수 있다.
실시예에서, 유체 핸들링 구조체(12)는 침지 유체를 적어도 부분적으로 제한할 수 있으며, 이에 의해 유체 제한 시스템일 수 있다.
실시예에서, 유체 핸들링 구조체(12)는 침지 유체에 대한 배리어를 제공할 수 있으며 그에 의하여 유체 제한 구조체와 같은 배리어 부재일 수 있다.
실시예에서, 유체 핸들링 구조체(12)는, 예를 들어 침지 유체의 흐름 및/또는 위치를 제어하는 것을 돕기 위해 가스 흐름을 생성하거나 사용할 수 있다.
가스의 흐름은 침지 유체를 제한하기 위해 시일을 형성할 수 있으며 따라서 유체 핸들링 구조체(12)는 시일 부재로 지칭될 수 있고; 이러한 시일 부재는 유체 제한 구조체일 수 있다.
실시예에서, 침지 액체가 침지 유체로서 사용된다. 그 경우에, 유체 핸들링 구조체(12)는 액체 핸들링 시스템일 수 있다. 전술한 설명과 관련하여, 이 단락에서의 유체에 대하여 한정된 특징부에 대한 참고는 액체에 대해 한정된 특징부를 포함하는 것으로 이해될 수 있다.
리소그래피 장치는 투영 시스템(PS)을 갖고 있다. 기판(W)의 노광 동안, 투영 시스템(PS)은 패터닝된 방사선의 빔을 기판(W) 상으로 투영한다. 기판(W)에 도달하기 위해, 방사선 빔(B)의 경로는 투영 시스템(PS)으로부터 투영 시스템(PS)과 기판(W) 사이의 유체 핸들링 구조체(12)에 의해 한정된 침지 액체를 통과한다. 투영 시스템(PS)은 빔의 경로 내의 마지막에 렌즈 요소를 가지며, 이는 침지 액체와 접촉한다. 침지 액체와 접촉하는 이 렌즈 요소는 "마지막 렌즈 요소" 또는 "최종 요소"로 지칭될 수 있다. 최종 요소(100)는 유체 핸들링 구조체(12)에 적어도 부분적으로 둘러싸여 있다. 유체 핸들링 구조체(12)는 최종 요소(100) 아래 및 대향 표면 위에서 침지 액체를 제한할 수 있다.
도 2a 및 도 2b는 유체 핸들링 구조체(12)의 변형예에 존재할 수 있는 상이한 특징부를 보여주고 있다. 다르게 기술되지 않는 한, 디자인은 도 2a 및 도 2b와 동일한 특징부들 중 일부를 공유할 수 있다. 본 명세서에 설명된 특징부들은 도시된 바와 같이 또는 필요에 따라 개별적으로 또는 조합하여 선택될 수 있다.
도 2a는 최종 요소(100)의 최하부 표면 주위의 유체 핸들링 구조체(12)를 보여주고 있다. 최종 요소(100)는 역 절두 원추형 형상을 갖고 있다. 절두 원추형 형상은 평면 최하부 표면과 원추형 표면을 갖고 있다. 절두 원추형 형상은 평면 표면으로부터 돌출되고 최하부 평면 표면을 갖고 있다. 최하부 평면 표면은 방사선 빔(B)이 통과할 수 있는, 최종 요소(100)의 최하부 표면의 광학적 활성 부분이다. 최종 요소(100)는 코팅부(30)를 가질 수 있다. 유체 핸들링 구조체(12)는 절두 원추형 형상의 적어도 일부를 둘러싸고 있다. 유체 핸들링 구조체(12)는 절두 원추형 형상의 원추형 표면을 향하는 내부 표면을 갖고 있다. 내부 표면 및 원추형 표면은 상보적인 형상을 갖고 있다. 유체 핸들링 구조체(12)의 최상부 표면은 실질적으로 평면이다. 유체 핸들링 구조체(12)는 최종 요소(100)의 절두 원추형 형상 주위에 맞춰질 수 있다. 유체 핸들링 구조체(12)의 최하부 표면은 실질적으로 평면이며 사용시 최하부 표면은 기판 지지체(WT) 및/또는 기판(W)의 대향 표면과 평행할 수 있다. 최하부 표면과 대향 표면 사이의 거리는 30 내지 500 마이크로미터의 범위 내, 바람직하게는 80 내지 200 마이크로미터의 범위 내일 수 있다.
유체 핸들링 구조체(12)는 최종 요소(100)보다 기판(W)과 기판 지지체(WT)의 대향 표면에 더 가깝게 연장된다. 따라서 유체 핸들링 구조체(12)의 내부 표면, 절두 원추형 부분의 평면 표면과 대향 표면 사이에 공간(11)이 한정된다. 사용하는 동안, 공간(11)은 침지 액체로 채워진다. 침지 액체는 최종 요소(100)와 유체 핸들링 구조체(12) 사이의 상보적인 표면들 사이의 버퍼 공간(buffer space)의 적어도 일부, 실시예에서 상보적인 내부 표면과 원추형 표면 사이의 공간의 적어도 일부를 채운다.
침지 액체는 유체 핸들링 구조체(12)의 표면에 형성된 개구부를 통해 공간(11)에 공급된다. 침지 액체는 유체 핸들링 구조체(12)의 내부 표면의 공급 개구부(20)를 통해 공급될 수 있다. 대안적으로 또는 부가적으로, 침지 액체는 유체 핸들링 구조체(12)의 하면에 형성된 하부 공급 개구부(23)로부터 공급된다. 하부 공급 개구부(23)는 방사선 빔(B)의 경로를 둘러쌀 수 있으며 어레이 내의 일련의 개구들로 형성될 수 있다. 침지 액체는 공급되어 공간(11)을 채우며 따라서 투영 시스템(PS) 아래의 공간(11)을 통한 흐름은 층류(laminar)이다. 유체 핸들링 구조체(12) 아래에서의 개구부(23)로부터 침지 액체의 공급은 부가적으로 공간(11)으로의 기포의 유입을 방지한다. 침지 액체의 이러한 공급은 액체 시일의 역할을 한다.
침지 액체는 내부 표면에 형성된 회수 개구부(21)로부터 회수될 수 있다. 회수 개구부(21)를 통한 침지 액체의 회수는 과소 압력(under pressure)의 적용에 의한 것일 수 있으며; 공간(11)을 통한 침지 액체 흐름의 속도의 결과로서의 회수 개구부(21)를 통한 회수일 수 있으며; 또는 회수는 둘 모두의 결과일 수 있다. 평면에서 보여질 볼 때, 회수 개구부(21)는 공급 개구부(20)의 반대 측에 위치될 수 있다. 부가적으로 또는 대안적으로, 침지 액체는 유체 핸들링 구조체(12)의 최상부 표면에 위치된 오버플로우 개구부(overflow opening; 24)를 통해 회수될 수 있다. 실시예에서, 공급 및 회수 개구부(20, 21)는 그들의 기능을 바꿀 수 있다 (즉, 액체의 유동 방향이 역전된다). 이는 유체 핸들링 구조체(12)와 기판(W)의 상대 운동에 따라 흐름 방향이 변경되는 것을 허용한다.
부가적으로 또는 대안적으로, 침지 액체는 유체 핸들링 구조체의 최하부 표면에 형성된 회수 개구부(25)를 통해 유체 핸들링 구조체(12) 아래에서 회수될 수 있다. 회수 개구부(25)는 침지 액체의 메니스커스(33)를 유체 핸들링 구조체(12)에 유지 (또는 "고정(pin)")시키는 역할을 할 수 있다. 메니스커스(33)는 유체 핸들링 구조체(12)와 대향 표면 사이에 형성되며 액체 공간과 기체 외부 환경 사이의 경계부의 역할을 한다. 회수 개구부(25)는 침지 액체를 단상 흐름으로 회수할 수 있는 다공성 플레이트일 수 있다. 최하부 표면의 회수 개구부는 침지 액체가 회수되는 일련의 핀 개구부(pinning opening)(32)일 수 있다. 핀 개구부(32)는 2상 흐름으로 침지 액체를 회수할 수 있다.
가스 나이프 개구부(26)는 유체 핸들링 구조체(12)의 내부 표면에 대하여 선택적으로 반경 방향 바깥쪽에 있다. 가스는 가스 나이프 개구부(26)를 통해 높은 속도로 공급되어 공간(11)에서의 침지 액체의 액체 제한을 도울 수 있다. 공급된 가스는 가습될 수 있으며, 이는 실질적으로 이산화탄소를 함유할 수 있다. 가스 나이프 개구부(26)의 반경 방향 바깥쪽에는 가스 나이프 개구부(26)를 통해 공급된 가스를 회수하기 위한 가스 회수 개구부(28)가 있다. 유체 핸들링 구조체(12)의 최하부 표면에는, 예를 들어 대기로 또는 가스 소스로 개방된 다른 개구부가 존재할 수 있다. 예를 들어, 가스 나이프 개구부(26)와 가스 회수 개구부(28) 사이 및/또는 피닝 개구부(pinning opening; 32)와 가스 나이프 개구부(26) 사이에 다른 개구부가 존재할 수 있다.
도 2a와 공통적인, 도 2b에 보여지고 있는 특징부들은 동일한 참조 번호를 공유한다. 유체 핸들링 구조체(12)는 절두 원추형 형상의 원추형 표면과 상보적인 내부 표면을 갖고 있다. 유체 핸들링 구조체(12)의 하면은 절두 원추형 형상의 최하부 평면 표면보다 대향 표면에 더 가깝다.
침지 액체는 유체 핸들링 구조체(12)의 내부 표면에 형성된 공급 개구부(34)를 통해 공간(11)에 공급된다. 공급 개구부(34)는 내부 표면의 최하부 표면을 향하여, 아마도 절두 원추형 형상의 최하부 표면 아래에 위치된다. 공급 개구부(34)들은 내부 표면 주위에 위치되며 방사선 빔(B)의 경로 주위에서 이격되어 있다.
침지 액체는 유체 핸들링 구조체(12)의 하면 내의 회수 개구부(25)를 통하여 공간(11)으로부터 회수된다. 대향 표면이 유체 핸들링 구조체(12) 아래로 이동함에 따라, 메니스커스(33)는 대향 표면의 이동과 동일한 방향으로 회수 개구부(25)의 표면 위로 이동할 수 있다. 회수 개구부(25)는 다공질 부재로 형성될 수 있다. 침지 액체는 단일 상으로 회수될 수 있다. 실시예에서, 침지 액체는 2상 흐름으로 회수된다. 2 상 흐름은 흐름이 액체와 가스로 분리되는 유체 핸들링 구조체(12) 내의 챔버(35) 내에 수용된다. 액체와 가스는 챔버(35)로부터 개별 채널(36, 38)을 통해 회수된다.
유체 핸들링 구조체(12)의 하면의 내부 주변부(39)는 내부 표면으로부터 멀리 공간(11) 내로 연장되어 플레이트(40)를 형성한다. 내부 주변부(39)는 방사선 빔(B)의 형상 및 크기와 일치하도록 치수가 조절될 수 있는 작은 구멍을 형성한다. 플레이트(40)는 그의 양측에서 침지 액체를 격리시키는 역할을 할 수 있다. 공급된 침지 액체는 내부 구멍을 통해 구멍을 향하여 안쪽으로 그리고 회수 개구부(25)의 주변을 향하여 반경 방향 바깥쪽으로 플레이트(40) 아래로 흐른다.
실시예에서, 유체 핸들링 구조체(12)는 도 2b의 우측에 보여지는 바와 같이 2개의 부분; 내부 부분(12a)과 외부 부분(12b)에 있을 수 있다. 내부 부분(12a)과 외부 부분(12b)은 대향 표면에 평행한 평면에서 서로에 대해 상대적으로 이동할 수 있다. 내부 부분(12a)은 공급 개구부(34)를 가질 수 있으며 오버플로우 회수부(24)를 가질 수 있다. 외부 부분(12b)은 플레이트(40)와 회수 개구부(25)를 가질 수 있다. 내부 부분(12a)은 내부 부분(12a)과 외부 부분(12b) 사이에서 흐르는 침지 액체를 회수하기 위한 중간 회수부(42)를 가질 수 있다.
본 발명이 침지 리소그래피 장치를 참조하여 이하에서 설명된 것이다. 이러한 장치에서, 기판(W)의 이미징이 수행되며 장치의 대부분은 기체 분위기로 둘러싸여 있다. 이러한 장치에서, 후술하는 바와 같이, 기판을 제자리에 유지하도록 기판(W)에 힘을 가하기 위하여 기판 지지체(W)는 이상의 과소 압력을 이용할 수 있다. 그러나, 본 발명은 다른 유형의 리소그래피 장치에 적용 가능하다. 예를 들어, 본 발명은 기판(W)의 이미징이 기체 분위기에서 수행되는 임의의 장치에 사용하기에 적합하다. 부가적으로, 본 발명은 기판(W)의 이미징이 진공에서 수행되는 EUV 리소그래피 장치에 적용될 수 있다. 이 경우, 기판(W) 상에 유지력을 발생시키기 위해 과소 압력을 사용하는 대신, 기판(W)을 제자리에 유지시키기 위하여 정전기력이 사용된다. 이는 도 9, 도 10 및 도 11을 참조하여 설명될 것이다.
기판 지지체(WT)는 기판(W)을 지지하도록 구성된 기판 홀더(200)를 포함하고 있다. 도 3은 실시예에 따른 기판 홀더(200), 관련 기판(W)과 기판 지지체(WT)를 횡단면으로 도시하고 있다. 도 3은 기판(W)이 이미징을 위하여 클램핑 준비된 상황을 도시하고 있다. 기판 홀더(200)는 제1 본체 표면(212)을 갖는 본체(210)를 포함하고 있다. 사용시 제1 본체 표면(212)은 기판(W)의 하면을 향한다.
제1 본체 표면(212)의 중앙 영역에서, 복수의 제1 버얼(burls)(220)은 제1 본체 표면(212)으로부터 돌출되어 있다. 각 제1 버얼(220)은 기판(W)을 지지하도록 구성된 원위 말단 표면을 갖고 있다. 제1 버얼(220)들은 평면에서 제1 규칙적인 패턴으로 다른 것에 대하여 배치되어 있다. 제1 규칙적인 패턴은 기판(W)을 지지할 정도이며 또한 본체 표면(212)을 향하여 또는 본체 표면으로부터의 멀리 기판(W)의 임의의 휨(bowing)을 허용 가능한 양까지 감소시킬 정도이다.
각 제1 버얼(220)의 평면에서의 면적은 기판(W)의 평면에서의 면적과 비교하여 비교적 작다. 따라서, 제1 버얼(220)은 기판(W)의 하면의 작은 영역에만 접촉한다. 이는 오염이 기판 홀더(200)로부터 기판(W)으로 전달될 기회를 감소시킨다.
본체(210)는 제2 본체 표면(214)을 갖고 있다. 제2 본체 표면(214)은 제1 본체 표면(212)에 대해 본체(210)의 반대측에 있다. 사용시 제2 본체 표면(214)은 기판 지지체(WT)의 지지 표면(300)을 향한다.
제2 본체 표면(214)의 중앙 영역에서, 복수의 제2 버얼(240)은 제2 본체 표면(214)으로부터 돌출되어 있다. 각 제2 버얼(240)은 지지 표면(300)과의 접촉을 통하여 기판 지지체(WT)의 지지 표면(300) 상에 기판 홀더(200)를 지지하도록 구성된 원위 말단 표면을 갖고 있다. 제2 버얼(240)은 평면에서 제2 규칙적인 패턴으로 다른 것에 대해 배치되어 있다. 제2 규칙적인 패턴은 기판 홀더(200)를 지지할 정도이다.
기판 홀더(200)와 기판 지지체(WT)는 함께 클램핑 시스템(1000)을 구성한다. 클램핑 시스템(1000)은 클램핑 시스템 컨트롤러(110)의 제어 하에서 제1 본체 표면(212)과 기판(W) 사이로부터는 물론 제2 본체 표면(214)과 지지 표면(300) 사이로부터 가스를 추출할 수 있도록 조정된다. 클램핑 시스템 컨트롤러(110)는 제2 본체 표면(214)과 지지 표면(300) 사이의 가스의 압력과 관계없이 제1 본체 표면(212)과 기판(W) 사이의 가스의 압력을 제어하도록 구성되어 있다.
유사하게, 기판 홀더(200)에 걸친 압력 차이가 이루어질 수 있다. 예를 들어, 기판 홀더(200)의 본체(210)와 기판 지지체(WT)의 지지 표면(300) 사이의 공간은 기판(W) 위의 더 높은 압력보다 낮은 과소 압력으로 배기된다. 압력 차이는 기판 홀더(200)를 기판 지지체(WT)에 유지시키는 제1 힘을 발생시킨다.
기판(W)에 걸친 압력 차이가 이루어진다. 예를 들어, 기판 홀더(200)의 본체(210)와 기판(W) 사이의 공간은 기판(W) 위의 더 높은 압력보다 낮은 과소 압력으로 배기된다. 압력 차이는 기판(W)을 기판 홀더(200)에 유지시키는 제2 힘을 발생시킨다.
제1 버얼(220)과 제2 버얼(240)의 정확한 배열은 이하에서 설명될 것이다. 그러나, 실시예에서 제2 버얼(240)의 개수는 제1 버얼(220)의 개수보다 작다는 것이 도 3으로부터 명백할 것이다. 제1 버얼(220)들은 2개 이상의 서브세트로 분할된다. 간략화를 위해, 본 발명은 복수의 제1 버얼(220)의 제1 서브세트(220a) 및 복수의 제1 버얼(220)의 제2 서브세트(220b)를 갖는 것과 관련하여 설명된다. 그러나 본 발명은 복수의 제1 버얼(220)의 추가 서브세트를 갖는 것으로 확장될 수 있다.
기판 홀더(200)는 복수의 제1 버얼(220)의 제1 서브세트(220a)가 복수의 제1 버얼(220)의 제2 서브세트(220b)에 관하여 기판(W)을 향해 z 방향으로 그리고 기판으로부터 멀리 이동 가능하도록 배치되어 있다. 이를 달성하기 위한 두 가지 일반적인 방법이 설명될 것이다. 첫 번째 방법은 기판 홀더(200)와 기판 지지체(WT) 사이 및 기판 홀더(200)와 기판(W) 사이에 힘을 발생시키기 위해 과소 압력을 사용하는, 도 3 및 도 4에 도시된 방법이다. 두 번째 방법은 기판 홀더(200)와 기판 지지체(WT) 사이 및 기판 홀더(200)와 기판(W) 사이에 정전기력을 발생시키기 위해 전극이 사용되는 도 8, 도 9 및 도 10을 참조하여 도시되어 있다. 과소 압력과 정전기력 중 하나 또는 둘 모두를 이용하는 하이브리드 시스템 또한 가능하다.
도 3의 실시예에서, 복수의 제1 버얼(220) 각각의 제2 서브세트(220b)는 복수의 제1 버얼(220)의 제1 서브세트(220a)의 버얼의 축과 복수의 제2 버얼(240) 중 하나의 가장 가까운 축(235) 간의 거리(239)보다 작은, 복수의 제2 버얼(240) 중 하나의 축(235)으로부터 거리(237)인 축(230)을 갖고 있다. 다시 말해서, 복수의 제1 버얼(220)의 제2 서브세트(220b)의 각 버얼은 대응하는 제2 버얼(240)을 갖고 있다. 예를 들어, 도 3에 도시된 바와 같은 실시예에서, 각 제2 버얼(240)의 중심 축(235)은 제1 버얼(220)들 중 대응하는 하나의 중심 축(230)과 동축이다 (240은 도 3에서 약간 우측으로 이동하는 것처럼 보이기 때문에 이는 보이지 않으며, 이들은 더 이상 정렬되지 않는다). 제2 버얼(240)과의 복수의 제1버얼(220)의 제2 서브세트(220b)의 정렬은 기판 홀더(200) 상의 기판(W)으로부터의 힘이 제2 서브세트(220b)의 버얼과 제2 버얼(240) 모두를 통해 기판 지지체(WT)로 아래로 전달된다는 것을 의미한다. 다시 말해서, 복수의 제1 버얼(220)의 제2 서브세트(220b)의 각각의 버얼의 위치에 대응하는 위치에서의 기판 홀더(200)의 강성은 복수의 제1 버얼(220)의 제1 서브세트(220a)의 각각의 버얼의 위치에 대응하는 위치에서의 기판 홀더(200)의 강성보다 크다. 축(235, 230)들은 동일 평면일 수 있다. 이 강성의 차이를 달성하는 다른 방법은, 예를 들어 본체(210)의 두께를 변화시키고 및/또는 제2 버얼(240) (더 낮은 강성을 제공하는 더 작은 제2 버얼(240))의 치수를 변화시킴으로써 가능하다.
실시예에서, 제2 서브세트(220b)의 버얼의 개수는 복수의 제2 버얼(240)의 개수와 실질적으로 동일하다.
도 4의 실시예는 아래에서 설명되는 것을 제외하고 도 3의 실시예와 동일하다. 도 4의 실시예에서, 제2 버얼(240)은 기판 지지체(WT)의 일부이며 지지 표면(300)으로부터 돌출되어 있다. 도 4 실시예의 기판 홀더(200) 및 기판 지지체(WT)는 도 3의 실시예의 기판 홀더 및 기판과 동일한 방식으로 작동한다. 도 3의 실시예는 또한 제2 본체 표면(214)으로부터 보다는 지지 표면(300)으로부터 돌출된 제2 버얼(240)을 가질 수 있다.
도 4에 도시된 바와 같이, 기판 홀더(200)는 힘이 기판 홀더에 가해지지 않는 이완된 상태에 있다. 도 3의 실시예의 기판 홀더(200)는 유사한, 이완된 상태에 있다. 이 구성에서, 제1 서브세트(220a)의 버얼의 원위 말단이 제1 본체 표면(212)으로부터 돌출된 거리는 제2 서브세트(220b)의 버얼이 제1 본체 표면(212)으로부터 돌출된 대응 거리보다 작다. 거리의 차이는 도 4에 도시되어 있는 갭(222)에 의해 도시되어 있다. 그 이유는 제1 서브세트(220a)의 버얼에 대응하는 위치에서의 기판 홀더(200)의 강성이 제2 서브세트(220b)의 버얼에 대응하는 위치에서의 강성보다 낮은, 위에서 언급된 특성 때문이다. 따라서, 전체 영역에 걸쳐 기판(W)을 기판 홀더(200)에 끌어당기는 동일한 힘이 가해지면, 본체(210)는 제1 서브세트의 버얼(220a)에 대응하는 위치에서 기판(W)을 향하여 휘어질 것이다. 제1 서브세트(220a)와 제2 서브세트(220b)의 버얼들이 제1 본체 표면(212)으로부터 동일한 거리인 경우, 이는 제1 서브세트(220a)의 버얼을 제2 서브세트(220b)에서 솟아오르게(standing proud of) 할 것이다. 기판(W)이 제 위치에서 이미징을 위하여 클램핑 준비가 될 때 모든 제1 버얼(220)의 원위 말단 표면들이 동일한 평면에 있다는 것을 확실하게 하기 위하여, 제1 서브세트(220a)의 버얼의 원위 말단 표면이 제1 본체 표면(212)으로부터 돌출된 거리가 제2 서브세트(220b)의 버얼의 원위 말단 표면이 제1 본체 표면(212)으로부터 돌출된 거리보다 갭(222)에 의해 도시된 양만큼 적다. 결과적으로, 클램핑된 상태에서, 기판(W)은 도 3에 도시된 바와 같이 평평하게 유지될 수 있으며 모든 제1 버얼(220)과 접촉될 수 있다. 도 7에 도시되고 아래에 설명된 것과 같은 상황에서, 제1 서브세트(220a)의 버얼에 대응하는 위치에서의 본체(210)의 휨이 개략적으로 도시되어 있는 반면에, 도 3에서는 이 휨은 도시되지 않았다.
본체(210)와 기판(W) 사이보다 본체(210)와 기판 지지체(WT) 사이에 더 낮은 압력이 가해지면, 기판 지지체(WT)를 향한 본체(210)의 변형이 제2 버얼(240)들 사이에서 발생할 수 있다. 결과적으로, 제1 서브세트(220a)의 버얼은 기판 지지체(WT)를 향하여 약간 아래쪽으로, 그리고 기판(W)으로부터 멀리 이동할 것이다. 이는 기판(W)이 이 조건에서, 도 3에 도시된 바와 같이 본체(210) 위와 아래의 압력이 동일하거나 제1 버얼(220)들 각각이 대응하는 제2 버얼(240)을 갖는 경우보다 더 적은 수의 버얼(220)에 의하여, 즉 제2 서브세트(220b)의 버얼에 의하여 지지되는 것을 허용한다. 도 5 내지 도 7을 참조하여 아래에서 설명되는 바와 같이, 이 원리는 기판을 클램핑시키는 방법과 관련하여 본 발명에서 사용된다. 먼저, 기판(W)은 도 3에 도시된 것과 같은 방식으로 기판 지지체(200) 상으로 로딩된다. 기판(W)은 처음에 (위 (우산) 또는 아래로 (볼(bowl))) 휘어질 수 있다. 이 구성에서, 제1 버얼(220)의 원위 말단 표면과 기판(W) 사이의 높은 마찰 때문에 xy 평면에서의 제1 버얼(220)의 탄성 변형이 존재한다. 이 탄성 변형은 기판(W)의 면내 변형을 초래한다. 기판(W)을 계속 유지하면서 복수의 제1 버얼(220)의 2개의 서브세트(220a, 220b) 중 하나의 서브세트를 해제함으로써, 서브세트(220a, 220b)의 버얼의 임의의 탄성 변형은 완화될 수 있다. 해제된 서브세트의 버얼은 그후 기판(W)과 재결합될 수 있다. 도 3 내지 도 7에 도시된 특정 구성에서, 버얼의 다른 서브세트들이 또한 이완될 수 있도록 그후 버얼의 다른 서브세트(220a, 220b)를 기판(W)과의 접촉으로부터 해제시키는 것이 가능하다. 이 공정은 원하는 만큼 여러 번 반복될 수 있으며, 각 반복은 기판(W) 내에서의 더 낮은 면내 응력(in-plane stress)을 야기한다. 마지막으로, 도 7에 도시된 바와 같이, 모든 제1 버얼(220)의 원위 말단 평면을 기판(W)과 맞물리게 함으로써 기판(W)은 이미징을 위하여 완전히 클램핑 준비가 될 수 있다.
도 3 및 도 5 내지 도 7은 기판 홀더(200) 상으로의 기판(W)의 로딩 동안 클램핑 시스템(1000)이 어떻게 이용될 수 있고, 본체(210)가 제2 버얼(240)들 사이에서 휘지 않는 경우보다 기판(W)이 보다 완전하게 이완될 수 있게 하는 방법을 보여주고 있다. 동일한 원리가 도 4의 클램핑 시스템에 적용될 수 있다.
본체(210)와 지지 표면(300) 사이에 과소 압력이 발생되어 기판 홀더(200)를 지지 표면(300)으로 끌어당기기 위한 제1 힘을 발생시킨다. 기판(W)과 기판 홀더(200) 사이에 과소 압력을 발생시킴으로써 제2 힘이 발생되어 기판(W)을 기판 홀더(200)에 끌어당긴다. 기판(W)은 그후 도 3에 도시된 바와 같이 기판 홀더(200) 상으로 로딩된다.
제1 및 제2 힘의 크기는 본체(210)가 제1 서브세트(220a)의 버얼 (도 5에 도시된 바와 같이 중앙 제1 버얼(220a)) 아래의 영역에서 지지 표면(300)을 향하여 이동하는 해제 단계를 야기하도록 제어되어 제1 서브세트(220a)의 버얼의 원위 말단 표면과 기판(W) 사이에 갭(225)을 생성한다. 제1 서브세트(220a)의 버얼 아래의 제2 버얼(240)의 부재는 기판 홀더(200)를 기판 지지체(WT)로 끌어당기는 힘이 증가될 때 비교적 얇은 본체(210)가 제2 서브세트(220b)의 버얼과 제2 버얼(240)의 매칭 세트들 사이에서 변형될 것이라는 점을 의미한다. 본체(210)의 변형은 기판(W)으로부터 멀리 기판 지지체(WT)를 향하여 하향이다. 결과적으로, 기판 지지체(WT)를 향해 변형되는 본체(210)의 덜 뻣뻣한 부분 위에 위치된 제1 서브세트(220a)의 버얼의 원위 말단 표면은 기판(W)의 하면과 접촉하지 않고 이동한다. 이는 제1 버얼(220) 모두가 기판(W)의 하면과 접촉하지 않는 상태에서 기판 홀더(200) 상에 기판(W)을 지지할 수 있다는 것을 의미한다.
기판(W)과의 접촉에서 벗어난 제1 서브세트(220a)의 버얼의 결과로서, 제1 서브세트(220a)의 버얼의 면내 응력이 완화된다. 유사하게, 제1 서브세트(220a)의 버얼과 기판(W) 간의 접촉으로 인한 기판(W)의 임의의 면내 응력은 기판(W)에서 완화된다. 이에 의해, 기판(W)의 면내 변형이 감소되어 보다 우수한 오버레이 성능을 야기한다.
기판(W)이 해제된 후, 도 5에 도시된 바와 같이, 대응하는 제2 버얼(240)을 갖지 않는 제1 서브세트(220a)의 버얼은 여전히 기판(W)의 하면으로부터 원위에 있다. 즉, 제1 서브세트(220a)의 버얼의 원위 말단 표면과 기판(W)의 하면 사이에 갭(225)이 존재한다.
이 단계에서, 컨트롤러(110)는 제1 본체 표면(212)과 기판(W) 사이의 과소 압력을 증가시킴으로써 (즉, 절대 압력을 감소시킨다) 재결합 단계를 시작한다. 이는 기판(W) 아래의 압력이 기판(W) 위의 압력보다 낮기 때문에 기판(W)을 기판 홀더(200)로 끌어당기도록 제2 힘을 증가시키는 데 효과적이다. 대안적으로 또는 추가적으로, 제2 본체 표면(214)과 지지 표면(300) 사이의 과소 압력은 감소될 수 있으며 (즉, 절대 압력을 증가시킨다), 그에 의하여 제1 힘을 감소시킬 수 있다. 제1 힘 및 제2 힘 모두는 변할 수 있다. 따라서, 이 상황은 모든 제1 버얼(220)이 기판(W)의 하면에 접촉하는 상황으로 이동한다.
분리 단계에서, 제1 본체 표면(212)과 기판(W) 사이의 과소 압력이 증가되며 및/또는 제2 본체 표면(214)과 지지 표면(300) 사이의 과소 압력은 감소된다. 즉, 분리 단계에서, 제1 힘은 감소되고 및/또는 제2 힘은 증가된다. 이는 제2 서브세트(220b)의 버얼의 원위 말단 표면과 기판(W) 사이에서 갭(226)이 성장하는 것을 야기한다. 이는 본체(210)가 제1 힘 및/또는 제2 힘의 변화의 결과로서 제1 서브세트(220a)의 버얼에 대응하는 위치에서 지지 표면(300)으로부터 멀리 휘어지기 때문이다. 즉, 도 6에 도시된 바와 같이, 기판(W)은 그후 제1 서브세트(220a)의 버얼에 의해서만 지지된다. 이 위치에서, 제2 서브세트(220b)의 버얼의 임의의 면내 탄성 변형은 완화될 수 있으며, 제2 서브세트(220b)의 버얼의 위치에서의 기판(W)의 임의의 관련 면내 응력이 또한 완화된다.
최종 단계, 즉 추가 재결합 단계가 도 7에 도시되어 있다. 여기에서, 제1 서브세트(220a)와 제2 서브세트(220b)의 버얼이 기판(W)과 접촉하고 이미징을 위하여 준비된 기판을 평탄하게 유지시키도록 제1 및/또는 제2 힘을 제어하는 단계가 수행된다. 예를 들어, 본체(210)와 지지 표면(300) 사이의 압력은 본체(210)와 기판(W) 사이의 압력과 동일하다. 추가 재결합 단계 동안, 제1 힘은 증가되며 및/또는 제2 힘은 감소된다. 결과적으로, 제1 서브세트(220a)의 버얼의 위치에서의 본체(210)의 더 낮은 강성 때문에, 본체(210)는 제2 버얼(240)들 사이에서 기판(W)을 향해 변형된다. 높이 차이, 즉 기판 홀더(200)의 이완된 상태에서의 제1 서브세트(220a)와 제2 서브세트(220b)의 버얼들 사이의 갭(222)으로 인하여, 휨은 제1 서브세트(220a) 및 제2 서브세트(220b) 둘 모두의 버얼들의 원위 말단 표면들이 실질적으로 동일한 평면으로 끝나게 하며 따라서 기판(W)은 모든 제1 버얼(220)과 접촉하는 동안 편평하게 유지될 수 있다. 이렇게 하여, 기판(W)의 면내 응력이 완화된다. 따라서, 도 7에 도시된 위치에서, 기판(W)의 모든 하면이 제1 버얼(220)들 각각의 위치에서 지지되며, 기판(W)은 이미지화될 수 있다.
도 5에 도시된 해제, 도 5와 6 사이에서 발생하는 재결합, 도 6에 도시된 바와 같은 분리 및 도 7에 도시된 바와 같은 추가 재결합 단계는 원하는 만큼 여러 번 수행될 수 있으며, 각 반복은 기판(W)의 면내 응력의 추가 감소를 야기한다.
과소 압력의 증가 및 감소와 관련하여 위에서 설명되었지만, 제1 및/또는 제2 힘은 다른 방식으로, 예를 들어 하나 이상의 전극에 전압을 인가함으로써 예를 들어 쿨롱 클램핑 또는 존슨-라벡(Johnson-Rahbek) 클램핑을 이용하여 정전기적으로 발생될 수 있다. 다른 실시예에서, 과소 압력을 가하는 것과 정전기적인 것의 조합에 의하여 제1 및/또는 제2 힘은 발생되거나 적어도 제어될 수 있다.
클램핑 시스템(1000)이 제2 본체 표면(214)과 지지 표면(300) 사이 그리고 제1 본체 표면(212)과 기판(W) 사이의 공간에서 독립적으로 압력을 발생시킬 수 있도록 하기 위하여, 본체(210)를 통한 기판 홀더(200)의 제1 측부에서 기판 홀더(200)의 제2 측부로의 가스의 통과가 방지되는 것이 바람직하다. 따라서, 본체(210)를 통해 임의의 관통 구멍이 제공되는 경우, 이 관통 구멍이 차단될 수 있어야 한다. 예를 들어, 기판 지지체(WT)에는 (도면에는 도시되지 않은) 작동 가능한 핀이 제공되어 있다. 핀은 제1 버얼(220)보다 기판 지지체(WT)로부터 멀리 돌출되도록 작동될 수 있다. 기판(W)의 로딩 및 언로딩 동안, 핀은 연장되고 기판(W)은 핀에 의하여 지지된다. 핀은 그후 후퇴되어 그에 의하여 기판(W)을 대응하는 제2 버얼(240)을 갖는 제1 버얼(220)의 원위 말단 표면 상으로 위치시킨다. 본체(210)의 어느 한 측부의 상이한 진공 압력을 발생시키는 것이 가능하다는 것을 보장하기 위하여 시일이 제공되어야 한다.
과소 압력을 발생시키기 위하여 통로가 제공된다. 지지 표면(300)에 개구부를 갖는 기판 지지체(WT) 내의 통로가 제공되어 기판 홀더(200)와 기판 지지체(WT) 사이에 과소 압력을 발생시킨다. 기판 홀더(200)와 기판(W) 사이의 과소 압력을 발생시키기 위하여, 제1 본체 표면(212)에 개구부를 갖는 본체(210) 내의 하나 이상의 통로가 제공된다. 이 통로들의 반대 말단들은 예를 들어 호스로 과소 압력 소스에 연결되어 있다.
종래 기술의 기판 홀더는 모든 제1 버얼의 원위 말단 표면들이 실질적으로 동일한 평면에 놓일 것을 요구하였다. 이전에, 제1 버얼(220) 각각이 대응하는 제2 버얼(240)을 갖는 경우 사양 내에서 평탄도를 달성하는 것만이 가능하였다. 이는 원하는 평탄도를 달성하기 위하여 제1 버얼(220)의 원위 말단 표면이 연마되었기 때문이다. 연마 중에 제거되는 재료의 양은 연마석과 제1 버얼(220) 사이의 힘에 좌우된다. 대응하는 제2 버얼(240)을 갖지 않는 제1 버얼(220)의 경우, 연마석이 제1 버얼(220)을 누르고 본체(210)를 약간 굽힐 것이며 따라서 연마석이 대응하는 제2 버얼(240)에 의해 바로 아래에서 지지된 경우에서보다 이 제1 버얼(220)로부터 더 적은 재료를 제거할 것이다. 그러나 이온 빔 밀링/연마, 리소 에칭 등과 같은 새로운 평탄화 기술의 도입 이후, 이온 빔 밀링에서 제거된 재료의 양이 밀링되고 있는 버얼 아래의 본체(210)의 강성과 관련이 없기 때문에 제1 버얼(220) 아래의 본체(210)의 강성의 변화는 더 이상 이러한 결함을 야기하지 않는다. 이 새로운 평탄화 기술의 도입은 도 4에 도시된 바와 같은 기판 홀더(200)가 제1 버얼들의 상이한 서브세트들의 버얼들이 상이한 높이로 제조될 수 있는 곳에 도입될 수 있게 한다.
실시예에서, 갭(222)은 3㎚ 이상, 바람직하게는 10㎚ 그 이상, 더욱 바람직하게는 30㎚ 이상, 바람직하게는 50㎚ 이상 또는 심지어 100㎚ 이상이다. 갭(222)은 이미징 동안, 사용 중인 본체(210)의 강성 및 제1 및 제2 힘의 크기에 따라 선택된다. 예를 들어, 갭은 제1 서브세트(220a)와 제2 서브세트(220b)의 버얼들 사이의 본체(210)의 강성 차이에 기판의 이미징 동안 제1 힘 및 제2 힘에 의해 본체(210)에 가해진 전체 힘을 곱한 것과 같다.
위의 설명은 과소 압력을 이용하여 발생되는, 기판(W), 기판 홀더(200) 및 기판 지지체(WT) 사이의 힘에 기초하여 설명된다. 그러나 이는 그럴 필요가 없으며, 정전기력을 사용하는 것을 포함하는 임의의 다른 방식으로 힘이 발생될 수 있다. 이는 이제 도 8을 참조하여 설명될 것이다.
도 8에서, 기판(W), 기판 홀더(200) 및 기판 지지체(WT) 사이에 제1 및 제2 힘을 발생시키기 위하여 전극(500, 510, 600, 610)이 제공된다. 힘의 크기는 전극에 인가된 전압에 의존한다.
도 8의 실시예에서, 하나 이상의 기판 전극(들)(500)이 기판(W)의 하면 상에 증착된다. 기판 홀더(200)의 본체(210) 내에 내장된 하나 이상의 제1 기판 홀더 전극(510)이 또한 제공된다. 기판 전극(들)(500)과 제1 기판 홀더 전극(들)(510) 사이에 전위차를 제공함으로써, 기판(W)을 기판 홀더(200)를 향하여 끌어당기는 힘이 발생될 수 있다. 유사하게, 하나 이상의 기판 지지 전극(들)(600)이 기판 지지체(WT)에 제공되어 있다. 하나 이상의 제2 기판 홀더 전극(들)(610)이 기판 홀더(200)의 본체(210)에 제공되어 있다. 기판 지지 전극(들)(600)과 제2 기판 홀더 전극(들)(610) 사이의 전위차는 기판 홀더(200)와 기판 지지체(WT) 사이에 힘을 야기한다. 힘이 발생되는 방식 외에, 도 8의 클램핑 시스템(1000)은 도 3 내지 도 7을 참조하여 위에서 설명된 것과 동일하다.
실시예에서, 동일한 전위에 있고 또한 기판(W)과 기판 홀더(200) 사이 그리고 기판 홀더(200)와 기판 지지체(WT) 사이에 힘을 발생시키기 위해 사용되는 하나 이상의 제1 기판 홀더 전극(들)이 기판 홀더(200)에 제공되어 있다.
도 9 및 도 10은 다른 실시예를 보여주고 있다. 도 9 및 도 10의 실시예에서, 기판 홀더(200)와 기판(W) 사이의 제2 힘은 도 9 및 도 10에 도시된 바와 같이 정전기적으로, 또는 예를 들어 도 3에 도시된 바와 같이 과소 압력을 사용하여, 또는 다른 수단에 의해, 또는 이 2개의 수단의 조합에 의하여 발생될 수 있다.
도 9 및 도 10의 실시예에서, 제1 서브세트(220a)의 버얼에 대응하는 위치 및 제2 서브세트(220b)의 버얼에 대응하는 위치에서의 본체(210)의 강성은, 반드시 그렇지는 않지만, 동일하다. 그러나 제1 서브세트(220a) 아래의 기판 홀더(200)의 본체(210) 일부분에서의 제1 힘이 복수의 제1 버얼(220)의 제2 서브세트(220b) 아래의 기판 홀더(200)의 본체(210)의 부분에서의 제1 힘과는 독립적으로 제어 가능하도록 적어도 2개 세트의 기판 홀더 전극(620, 630)이 제공되어 있다. 도 9 및 도 10의 실시예에서, 이는 각 제1 버얼(220)이 평면에서 대응하는 제2 버얼(240)들 사이의 갭 내에 위치되도록 제1 버얼(220)과 제2 버얼(240)의 상대 위치들이 교대한다는 것을 보장함으로써 배열된다. 따라서, 제1 버얼(220)들의 각각은 본체(210)의 상당히 큰 변형이 가능한 위치에 있다 (즉, 본체(210)는 강성이 아니다). 제1 기판 홀더 전극(630)을 제1 서브세트(220a)의 버얼 아래의 위치에 제공하고 제2 기판 홀더 전극(620)을 제2 서브세트(220b)의 버얼 아래의 위치에 제공함으로써, 지지 표면(300)에 대한 제2 서브세트(220b)의 버얼의 원위 말단 표면의 높이와 비교하여 지지 표면(300)에 대하여 제1 서브세트(220)의 버얼의 원위 말단 표면의 높이를 독립적으로 제어하는 것이 가능하다.
예를 들어, 도 9에 도시된 바와 같이, 제2 서브세트(220b)의 버얼에 대응하는 제2 기판 홀더 전극(620)과 기판 지지체(WT)의 전극(310) 사이에 정전기력이 발생된다. 이러한 인력의 결과로서, 제2 서브세트(220b)의 버얼은 기판(W)으로부터 멀리 후퇴되면서 기판(W)을 제1 서브세트(220a)의 버얼에 의해 지지되게 남겨둔다. 이 위치에서, 제2 서브세트(220b)의 버얼 내의 임의의 면내 응력은 완화될 수 있다.
반대로, 도 10에서, 기판 지지체(WT)의 일부인 전극(310)과 제1 기판 홀더 전극(630) 사이에서 발생된 정전기력은 기판(W)으로부터 멀리 제1 서브세트(220a)의 버얼을 후퇴시키는 데 효과적이다. 기판(W)은 그후 제2 서브세트(220b)의 버얼에 의해 지지된다. 제1 서브세트(220a)의 버얼 내의 임의의 면내 응력이 완화될 수 있다. 이 과정은 여러 번 반복될 수 있다. 그 후 이미징을 위해 기판(W)을 클램핑하기 위하여, 모든 제1 버얼(220)의 원위 말단 표면이 기판(W)의 하면에 접촉하는 것이 허용된다. 이 실시예에서, 기판 홀더(200)에 힘이 존재하지 않을 때에도 모든 제1 버얼(220)의 원위 말단 표면들은 실질적으로 동일 평면 상에 있다.
도 11은 본 발명에 따른 제1 버얼(220) 및 제2 버얼(240)의 배열의 실시예를 도시하고 있다. 개략적인 도면에서, 채워진 점들은 (예를 들어, 도 5 내지 도 8의 중앙 버얼과 같이) 대응하는 제2 버얼(240)을 갖지 않는 (제1 서브세트(220a)의) 제1 버얼(220)을 나타내는 반면에, 음영이 없는 원은 아래에 (즉, 도 5 내지 도 7에 도시된 실시예의 좌측 및 우측에서와 같이) 대응하는 제2 버얼(240)을 갖는 (제2 서브세트(220b)의) 제1 버얼(220)을 나타낸다.
도 11의 실시예에서, 제1 버얼(220)들 중 4개마다 하나만이 대응하는 제2 버얼(240)을 갖고 있다. 제1 버얼(220)마다의 지지된 영역 (즉, 제2 버얼(240)의 지지 영역)은 유사하다. 제1 및 제2 패턴(4개)의 회전 대칭은 제1 패턴 및 제2 패턴에 대해 동일하다. 이는 바람직하게는 각각의 제2 버얼(240) 주위에서 본체(210)의 실질적으로 대칭적인 변형을 초래한다.
본 명세서에서 특정 참조가 집적 회로(IC)의 제조에 있어서의 리소그래피 장치의 사용에 대해 이루어질 수 있지만, 본 명세서에서 설명된 리소그래피 장치는 다른 응용을 가질 수 있다는 점이 이해되어야 한다. 가능한 다른 응용은 집적 광학 시스템, 자기 도메인 메모리용 유도 및 검출 패턴, 플랫 패널(flat-panel) 디스플레이, 액정 디스플레이(LCD), 박막 자기 헤드 등의 제조를 포함한다.
문맥이 허용하는 경우, 본 발명의 실시예는 하드웨어, 펌웨어, 소프트웨어 또는 이들의 임의의 조합으로 구현될 수 있다. 본 발명의 실시예는 또한 기계-판독 가능한 매체에 저장된 명령으로서 구현될 수 있으며, 이는 하나 이상의 프로세서에 의해 판독되고 실행될 수 있다. 기계-판독 가능한 매체는 정보를 기계 (예를 들어, 컴퓨팅 장치)에 의해 판독 가능한 형태로 저장 또는 전송하기 위한 임의의 메커니즘을 포함할 수 있다. 예를 들어, 기계 판독 가능 매체는 판독 전용 메모리(ROM); 랜덤 액세스 메모리(RAM); 자기 저장 매체; 광 저장 매체; 플래시 메모리 디바이스; 전기, 광학, 음향 또는 다른 형태의 전파 신호 (예를 들어, 반송파, 적외선 신호, 디지털 신호 등) 등을 포함할 수 있다. 또한, 펌웨어, 소프트웨어, 루틴(routine), 명령어는 본 명세서에서 특정 동작을 수행하는 것으로 설명될 수 있다. 그러나 이러한 설명은 단지 편의를 위한 것이라는 점 그리고 이러한 동작은 실제로 펌웨어, 소프트웨어, 루틴, 명령 등을 실행하는 컴퓨팅 디바이스, 프로세서, 컨트롤러 또는 다른 디바이스에 기인하며 그렇게 하면 액추에이터 또는 다른 디바이스를 물질계(physical world)와 상호 작용할 수 있게 한다는 점이 인식되어야 한다.
본 명세서에서 리소그래피 장치의 맥락에서 본 발명의 실시예에 대해 특정 참조가 이루어질 수 있지만, 본 발명의 실시예는 다른 장치에서 사용될 수 있다. 본 발명의 실시예는 마스크 검사 장치, 계측 장치, 또는 웨이퍼 (또는 다른 기판) 또는 마스크 (또는 다른 패터닝 디바이스)와 같은 물체를 측정 또는 처리하는 임의의 장치의 일부를 형성할 수 있다. 이들 장치는 일반적으로 리소그래피 툴(tool)로 지칭될 수 있다. 이러한 리소그래피 툴은 진공 조건 또는 주위 (진공이 아닌) 조건을 사용할 수 있다.
비록 광학 리소그래피의 맥락에서 본 발명의 실시예의 사용에 대해 위에서 특정 참조가 이루어질 수 있지만, 맥락이 허용하는 경우, 본 발명은 광학 리소그래피로 제한되지 않으며 다른 응용, 예를 들어 임프린트 리소그래피에서 사용될 수 있다는 점이 인식될 것이다.
본 발명의 특정 실시예가 위에서 설명되었지만, 본 발명은 설명된 것과 다르게 실시될 수 있다는 점이 인식될 것이다. 위의 설명은 내용은 예시를 위한 것으로, 본 발명을 제한하려는 것이 아니다. 따라서, 청구항들의 범위를 벗어나지 않고서도 설명된 본 발명에 대한 변형이 이루어질 수도 있다는 점이 당업자에게 명백할 것이다.

Claims (12)

  1. 리소그래피 장치에 사용하기 위한 그리고 기판을 기판 지지체 상에 지지시키도록 구성된 기판 홀더에 있어서,
    제1 본체 표면과 제2 본체 표면을 가지며, 상기 제1 본체 표면과 상기 제2 본체 표면은 서로 반대 측에 있는 본체;
    상기 제1 본체 표면으로부터 돌출되며, 기판을 지지하도록 구성된 원위 말단을 각각 갖는 복수의 제1 버얼; 및
    상기 제2 본체 표면으로부터 돌출되며, 상기 기판 홀더를 상기 기판 지지체 상에 지지시키기 위한 원위 말단을 각각 갖는 복수의 제2 버얼을 포함하며,
    상기 제1 버얼의 중심 부분을 통해 제1 버얼의 돌출 방향을 따라 이어지는 제1 가상의 선은, 상기 제2 본체 표면으로부터 돌출되는 모든 버얼의 중심 부분을 통해 그러한 버얼의 돌출 방향을 따라 이어지는 제2 가상의 선과 일치하지 않고,
    기판 홀더는 2개의 제2 가상의 선들 사이에 있는 전극을 더 포함하되, 상기 전극은 복수의 제1 버얼 중 대응하는 버얼을 기판으로부터 멀리 후퇴시키도록 기판 홀더와 기판 지지체 사이에 정전기력을 발생시키기 위한 것인, 기판 홀더.
  2. 제1항에 있어서,
    2개의 인접한 제2 가상의 선 사이에 적어도 2개의 제1 가상의 선이 이어지는, 기판 홀더.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1 버얼 중 적어도 하나는 상기 제2 버얼 중 적어도 하나와 중첩되는, 기판 홀더.
  4. 리소그래피 장치에 사용하기 위한 그리고 기판을 기판 지지체 상에 지지시키도록 구성된 기판 홀더에 있어서,
    제1 본체 표면과 제2 본체 표면을 가지며, 상기 제1 본체 표면과 상기 제2 본체 표면은 서로 반대 측에 있는 본체; 및
    상기 제1 본체 표면으로부터 돌출되며, 상기 기판을 지지하도록 구성된 원위 말단을 각각 갖는 복수의 제1 버얼;
    상기 제2 본체 표면으로부터 돌출되며, 상기 기판 홀더를 상기 기판 지지체 상에 지지시키기 위한 원위 말단을 각각 갖는 복수의 제2 버얼을 포함하며,
    상기 제2 버얼 중 하나 이상의 제2 버얼의 중심 부분을 통해 상기 하나 이상의 제2 버얼의 돌출 방향을 따라 이어지는 가상의 선이 제1 버얼들 사이의 하나 이상의 갭을 통과하고,
    기판 홀더는 2개의 가상의 선들 사이에 있는 전극을 더 포함하되, 상기 전극은 복수의 제1 버얼 중 대응하는 버얼을 기판으로부터 멀리 후퇴시키도록 기판 홀더와 기판 지지체 사이에 정전기력을 발생시키기 위한 것인, 기판 홀더.
  5. 제4항에 있어서,
    각각의 상기 가상의 선은 인접하는 제1 버얼 사이의 갭을 통과하는, 기판 홀더.
  6. 리소그래피 장치에 사용하기 위한 그리고 기판을 기판 지지체 상에 지지시키도록 구성된 기판 홀더에 있어서,
    제1 본체 표면과 제2 본체 표면을 가지며, 상기 제1 본체 표면과 상기 제2 본체 표면은 서로 반대 측에 있는 본체; 및
    상기 제1 본체 표면으로부터 돌출되며, 상기 기판을 지지하도록 구성된 원위 말단을 각각 갖는 복수의 제1 버얼;
    상기 제2 본체 표면으로부터 돌출되며, 상기 기판 홀더를 상기 기판 지지체 상에 지지시키기 위한 원위 말단을 각각 갖는 복수의 제2 버얼을 포함하며,
    수직 방향으로, 하나 이상의 제2 버얼은 하나 이상의 제1 버얼과 중첩되지 않고,
    기판 홀더는, 복수의 제1 버얼 중에서 제2 버얼과 중첩되지 않는 제1 버얼을 기판으로부터 멀리 후퇴시키도록 기판 홀더와 기판 지지체 사이에 정전기력을 발생시키기 위한 전극을 더 포함하는, 기판 홀더.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제2 본체 표면을 따른 단위 길이당 제2 버얼의 개수는 상기 제1 본체 표면을 따른 단위 길이당 제1 버얼의 개수와 다른, 기판 홀더.
  8. 제4항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판 홀더는 돌출부를 더 포함하되, 상기 돌출부는, 기판이 제1 버얼에 의해 지지될 때, 기판과 돌출부의 원위 말단 사이에 갭이 존재하도록 배열되는, 기판 홀더.
  9. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 버얼은 절두 원추형 형상을 갖는, 기판 홀더.
  10. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 버얼의 피치는 상기 제2 버얼의 피치보다 작은, 기판 홀더.
  11. 기판을 클램핑하기 위한 클램핑 시스템을 포함하는 리소그래피 장치로서,
    상기 클램핑 시스템은 기판을 유지하도록 구성되는 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항의 기판 홀더를 포함하는, 리소그래피 장치.
  12. 삭제
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