TWI656596B - 靜電夾具及其製造方法 - Google Patents

靜電夾具及其製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI656596B
TWI656596B TW104122210A TW104122210A TWI656596B TW I656596 B TWI656596 B TW I656596B TW 104122210 A TW104122210 A TW 104122210A TW 104122210 A TW104122210 A TW 104122210A TW I656596 B TWI656596 B TW I656596B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
layer
electrostatic
ultra
ule
coupled
Prior art date
Application number
TW104122210A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201608670A (zh
Inventor
馬修 里普森
文斯 德密利亞
羅納多 彼得 多悌羅
塔莫 優特迪克
史蒂芬 麥可 席摩曼
Original Assignee
荷蘭商Ａｓｍｌ控股公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 荷蘭商Ａｓｍｌ控股公司 filed Critical 荷蘭商Ａｓｍｌ控股公司
Publication of TW201608670A publication Critical patent/TW201608670A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI656596B publication Critical patent/TWI656596B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/707—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
    • G03F7/70708—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details being electrostatic; Electrostatically deformable vacuum chucks
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70783—Handling stress or warp of chucks, masks or workpieces, e.g. to compensate for imaging errors or considerations related to warpage of masks or workpieces due to their own weight
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
    • G03F7/70875—Temperature, e.g. temperature control of masks or workpieces via control of stage temperature
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/7095—Materials, e.g. materials for housing, stage or other support having particular properties, e.g. weight, strength, conductivity, thermal expansion coefficient
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B23/00—Re-forming shaped glass
    • C03B23/20—Uniting glass pieces by fusing without substantial reshaping
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B25/00—Annealing glass products
    • C03B25/02—Annealing glass products in a discontinuous way

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

本發明揭示一種靜電夾具及其製造方法。該靜電夾具包括：一第一層，其具有一第一超低膨脹(ULE)材料；一第二層，其耦接至該第一層，具有一第二ULE材料；及一第三層，其耦接至該第二層，具有一第三ULE材料。該靜電夾具進一步包括位於該第一層與該第二層之間的複數個流體通道，及插入於該第二層與該第三層之間的一複合層。用於製造該靜電夾具之該方法包括：形成該複數個流體通道、將該複合層安置於該第三層上，及將該第三層耦接至該第二層。該複數個流體通道經組態以攜載一經熱調節流體以用於一經夾持物件之溫度調節。

Description

靜電夾具及其製造方法
本發明係關於一種用於支撐物件(例如，微影裝置中之圖案化器件及/或基板)之靜電夾具，及其製造方法。
微影裝置為將所要圖案施加至基板之目標部分上之機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)製造中。在彼情況下，圖案化器件(其替代地被稱作光罩或比例光罩)可用以產生對應於IC之個別層上之電路圖案，且可將此圖案成像至具有輻射敏感材料(抗蝕劑)層之基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包含晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。一般而言，單一基板將含有經順次地曝光之鄰近目標部分之網路。已知微影裝置包括：所謂步進器，其中藉由一次性將整個圖案曝光至目標部分上來輻照每一目標部分；及所謂掃描器，其中藉由在給定方向(「掃描」方向)上經由光束而掃描圖案同時平行或反平行於此方向而同步地掃描基板來輻照每一目標部分。亦有可能藉由將圖案壓印至基板上而將圖案自圖案化器件轉印至基板。
微影被廣泛地認為是在IC以及其他器件及/或結構之製造中之關鍵步驟中的一者。然而，隨著使用微影所製造之特徵之尺寸變得愈來愈小，微影正變為用於使能夠製造小型IC或其他器件及/或結構之更具決定性因素。
圖案印刷極限之理論估計可藉由瑞立(Rayleigh)解析度準則給出，如方程式(1)所展示：
其中λ為所使用輻射之波長，NA為用以印刷圖案之投影系統之數值孔徑，k 1為程序相依調整因數(亦被稱為瑞立常數)，且CD為經印刷特徵之特徵大小(或臨界尺寸)。自方程式(1)可見，可以三種方式來獲得特徵之最小可印刷大小之縮減：藉由縮短曝光波長λ、藉由增加數值孔徑NA，或藉由減低k 1之值。
為了縮短曝光波長且因此縮減最小可印刷大小，已提議使用極紫外線(EUV)輻射源。EUV輻射為具有在5奈米至20奈米之範圍內(例如，在13奈米至14奈米之範圍內，例如，在5奈米至10奈米之範圍內，諸如，6.7奈米或6.8奈米)之波長的電磁輻射。舉例而言，可能之源包括雷射產生電漿源、放電電漿源，或基於由電子儲存環提供之同步加速器輻射之源。
然而，由此等源產生之輻射將不僅為EUV輻射，且源亦可在其他波長下(包括紅外線(IR)輻射及深紫外線(DUV)輻射)發射。DUV輻射可對微影系統有害，此係因為其可引起對比度損耗。此外，非想要IR輻射可造成對系統內之組件之熱損害。因此，使用光譜純度濾光器以增加透射輻射中之EUV之比例且縮減或甚至消除諸如DUV及IR輻射之非想要的非EUV輻射為吾人所知。
使用EUV輻射之微影裝置可需要使EUV輻射光束路徑或EUV輻射光束路徑之至少相當大部分在微影操作期間必須保持在真空中。在微影裝置之此等真空區中，靜電夾具可用以將物件(諸如，圖案化器件及/或基板)分別夾持至微影裝置之結構(諸如，圖案化器件台及/或基板台)。
另外，使用EUV輻射之微影裝置可需要(例如)圖案化器件及/或基板之溫度調節。由EUV輻射或非想要的非EUV輻射產生之熱可造成(例如)圖案化器件及/或基板在微影操作期間由於由該圖案化器件及/或該基板吸收之熱之變形。為了縮減變形，可使冷卻劑循環通過靜電夾具。然而，組態靜電夾具以用於使冷卻劑循環可在夾具結構中產生應力。此應力可經轉移至夾持至靜電夾具之物件(例如，圖案化器件、基板)，從而引起經夾持物件之變形。
因此，需要可經組態以安全地固持物件且防止經夾持物件中之熱誘發性變形及應力誘發性變形的靜電夾具。
根據一實施例，一種靜電夾具包括一第一層、一第二層及一第三層。該第一層、該第二層及該第三層中之每一者分別包括一第一超低膨脹(ULE)材料、一第二超低膨脹(ULE)材料及一第三超低膨脹(ULE)材料。該第一層可耦接至該第二層，且該第二層可耦接至該第三層。該靜電夾具進一步包括位於該第一層與該第二層之間的複數個流體通道，及插入於該第二層與該第三層之間的一複合層。該複數個流體通道可經組態以攜載一經熱調節流體。
在另一實施例中，提供一種器件製造方法。該方法包括在一第一層與一第二層之間形成複數個流體通道。該複數個流體通道可經組態以攜載一經熱調節流體。該方法進一步包括將一複合層安置於一第三層上且將該第三層耦接至該第二層。該複合層可包括交替之導電層及電絕緣層。
又在另一實施例中，一種微影裝置包括一夾盤及耦接至該夾盤之一靜電夾具。該靜電夾具可經組態以可釋放地固持一圖案化器件。該靜電夾具包括具有對置之第一表面及第二表面之一第一層、具有對置之第三表面及第四表面之一第二層，及具有對置之第五表面及第六 表面之一第三層。該第四表面可耦接至該第一表面，且該第六表面可耦接至該第三表面。該靜電夾具進一步包括位於該第一表面與該第四表面之間的一通道陣列。
下文參看隨附圖式來詳細地描述本發明之另外特徵及優點，以及本發明之各種實施例之結構及操作。應注意，本發明不限於本文所描述之特定實施例。本文中僅出於說明性目的而呈現此等實施例。基於本文中含有之教示，額外實施例對於熟習相關技術者而言將顯而易見。
100‧‧‧微影裝置
210‧‧‧極紫外線(EUV)輻射發射電漿/極熱電漿
211‧‧‧源腔室
212‧‧‧收集器腔室
219‧‧‧開口
220‧‧‧圍封結構
221‧‧‧輻射光束
222‧‧‧琢面化場鏡面器件
224‧‧‧琢面化光瞳鏡面器件
226‧‧‧經圖案化光束
228‧‧‧反射元件
230‧‧‧選用氣體障壁或污染物截留器/污染截留器/污染物障壁/反射元件
240‧‧‧光柵光譜濾光器
251‧‧‧上游輻射收集器側
252‧‧‧下游輻射收集器側
253‧‧‧掠入射反射器
254‧‧‧掠入射反射器
255‧‧‧掠入射反射器
300‧‧‧靜電夾具
302‧‧‧第一層
302a‧‧‧表面
302b‧‧‧表面
304‧‧‧第二層
304a‧‧‧表面
304b‧‧‧表面
305‧‧‧瘤節
306‧‧‧第三層
306a‧‧‧夾持表面
306b‧‧‧表面
307‧‧‧物件
307a‧‧‧導電表面
308‧‧‧複合層
310‧‧‧導電層/電極
312‧‧‧絕緣層
314‧‧‧中間層
314a‧‧‧結合表面
316‧‧‧流體通道
318‧‧‧流體調節系統
400‧‧‧靜電夾具
418‧‧‧流體調節系統
420‧‧‧夾盤
420a‧‧‧表面
422‧‧‧流體通道
424‧‧‧通孔
505‧‧‧聚合層
508a‧‧‧複合層308之第一部分
508b‧‧‧複合層308之第二部分
510‧‧‧金屬層
512‧‧‧介電層
530‧‧‧渠溝
532‧‧‧堆疊式結構
620‧‧‧夾盤
620a‧‧‧表面
702‧‧‧步驟
704‧‧‧步驟
706‧‧‧步驟
708‧‧‧步驟
710‧‧‧步驟
712‧‧‧步驟
714‧‧‧步驟
B‧‧‧輻射光束
C‧‧‧目標部分
CO‧‧‧輻射收集器/收集器光學件
IF‧‧‧虛擬源點/中間焦點
IL‧‧‧照明系統/照明器/照明光學件單元
M1‧‧‧光罩對準標記
M2‧‧‧光罩對準標記
MA‧‧‧圖案化器件
MT‧‧‧支撐結構
O‧‧‧光軸
P1‧‧‧基板對準標記
P2‧‧‧基板對準標記
PM‧‧‧第一定位器
PS‧‧‧投影系統
PS1‧‧‧位置感測器
PS2‧‧‧位置感測器
PW‧‧‧第二定位器
SO‧‧‧源收集器模組/源收集器裝置
W‧‧‧基板
WT‧‧‧基板台
併入本文中且形成本說明書之部分的隨附圖式說明本發明，且連同【實施方式】一起進一步用以解釋本發明之原理且使熟習相關技術者能夠進行及使用本發明。
圖1為根據本發明之一實施例之反射微影裝置的示意性說明。
圖2為根據本發明之一實施例之反射微影裝置的更詳細示意性說明。
圖3為根據本發明之一實施例之靜電夾具之橫截面圖的示意性說明。
圖4為根據本發明之一實施例之靜電夾具及夾盤之橫截面圖的示意性說明。
圖5A至圖5N為根據本發明之一實施例的靜電夾具在其製造程序之選擇階段之橫截面圖的示意性說明。
圖6為根據本發明之實施例的靜電夾具在與夾盤耦接期間之橫截面圖的示意性說明。
圖7為根據本發明之一實施例之靜電夾具之製造程序的流程圖。
根據下文結合圖式所闡述之詳細描述，本發明之特徵及優點將變得更顯而易見，在該等圖式中，類似元件符號始終識別對應元件。 在該等圖式中，類似元件符號通常指示相同、功能上相似及/或結構上相似之元件。一元件第一次出現之圖式係在對應元件符號中由最左側數位指示。除非另有指示，否則貫穿本發明提供之圖式不應被解譯為按比例圖式。
本說明書揭示併有本發明之特徵之一或多個實施例。所揭示實施例僅僅例示本發明。本發明之範疇不限於所揭示實施例。本發明係由附加於此處之申請專利範圍界定。
所描述實施例及本說明書中對「一實施例」、「一實例實施例」等等之參考指示所描述實施例可能包括一特定特徵、結構或特性，但每一實施例可能未必包括該特定特徵、結構或特性。此外，此等片語未必係指相同實施例。另外，當結合一實施例描述一特定特徵、結構或特性時，應理解，無論是否予以明確描述，結合其他實施例來實現此特徵、結構或特性皆係在熟習此項技術者之認識範圍內。
然而，在更詳細地描述此等實施例之前，有指導性的是呈現可供實施本發明之實施例的實例環境。
實例反射微影系統
圖1示意性地展示根據本發明之一實施例的包括源收集器模組SO之微影裝置100。該裝置包含：照明系統(照明器)IL，其經組態以調節輻射光束B(例如，EUV輻射)；支撐結構(例如，光罩台)MT，其經建構以支撐圖案化器件(例如，光罩或比例光罩)MA，且連接至經組態以準確地定位該圖案化器件之第一定位器PM；基板台(例如，晶圓台)WT，其經建構以固持基板(例如，抗蝕劑塗佈晶圓)W，且連接至經組態以準確地定位該基板之第二定位器PW；及投影系統(例如，反射投影系統)PS，其經組態以將由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C(例如，包含一或多個晶粒)上。
照明系統可包括用於導向、塑形或控制輻射的各種類型之光學組件，諸如，折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。
支撐結構MT以取決於圖案化器件MA之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如，該圖案化器件是否被固持於真空環境中)的方式來固持該圖案化器件。支撐結構可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術以固持圖案化器件。支撐結構可為(例如)框架或台，其可根據需要而固定或可移動。支撐結構可確保圖案化器件(例如)相對於投影系統處於所要位置。
術語「圖案化器件」應被廣泛地解譯為係指可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中產生圖案的任何器件。被賦予至輻射光束之圖案可對應於目標部分中所產生之器件(諸如，積體電路)中之特定功能層。
圖案化器件可為反射的(如在圖1之微影裝置100中)或透射的。圖案化器件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化LCD面板。光罩在微影中為吾人所熟知，且包括諸如二元、交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中之每一者可個別地傾斜，以便在不同方向上反射入射輻射光束。傾斜鏡面在由鏡面矩陣反射之輻射光束中賦予圖案。
類似於照明系統，投影系統可包括適於所使用之曝光輻射或適於諸如真空之使用之其他因素的各種類型之光學組件，諸如，折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。可需要將真空用於EUV輻射，此係因為其他氣體可吸收過多輻射。因此，可憑藉真空壁及真空泵而將真空環境提供至整個光束路徑。
如此處所描繪，微影裝置屬於反射類型(例如，使用反射光罩)。
微影裝置可屬於具有兩個(雙載物台)或兩個以上基板台(及/或兩個或兩個以上光罩台)之類型。在此等「多載物台」機器中，可並行地使用額外台，或可在一或多個台上進行預備步驟，同時將一或多個其他台用於曝光。
參看圖1，照明器IL自源收集器裝置SO接收極紫外線輻射光束。用以產生EUV輻射之方法包括但未必限於運用在EUV範圍內之一或多種發射譜線將具有至少一元素(例如，氙、鋰或錫)之材料轉換成電漿狀態。在一種此類方法(常常被稱為雷射產生電漿「LPP」)中，可藉由運用雷射光束來輻照燃料(諸如，具有所需譜線發射元素之材料小滴、串流或叢集)而產生所需電漿。源收集器裝置SO可為包括雷射(圖1中未繪示)之EUV輻射系統之部件，該雷射用於提供激發燃料之雷射光束。所得電漿發射輸出輻射，例如，EUV輻射，該輻射係使用安置於源收集器裝置中之輻射收集器予以收集。舉例而言，當使用CO2雷射以提供用於燃料激發之雷射光束時，雷射與源收集器裝置可為分離實體。
在此等狀況下，不認為雷射形成微影裝置之部件，且雷射光束係憑藉包含(例如)合適導向鏡面及/或光束擴展器之光束遞送系統而自雷射傳遞至源收集器裝置。
在常常被稱為放電產生電漿(DPP)之替代方法中，藉由使用放電以使燃料汽化來產生EUV發射電漿。燃料可為具有在EUV範圍內之一或多種發射譜線之元素，諸如，氙、鋰或錫。可由電力供應器產生放電，該電力供應器可形成源收集器裝置之部分或可為經由電連接而連接至源收集器裝置的分離實體。
照明器IL可包含用於調整輻射光束之角強度分佈之調整器。通常，可調整照明器之光瞳平面中之強度分佈的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。另外，照明器IL可 包含各種其他組件，諸如，琢面化場鏡面器件及琢面化光瞳鏡面器件。照明器可用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。
輻射光束B入射於被固持於支撐結構(例如，光罩台)MT上之圖案化器件(例如，光罩)MA上，且係藉由該圖案化器件而圖案化。在自圖案化器件(例如，光罩)MA反射之後，輻射光束B傳遞通過投影系統PS，投影系統PS將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位器PW及位置感測器PS2(例如，干涉量測器件、線性編碼器或電容性感測器)，可準確地移動基板台WT，例如，以便使不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中。相似地，第一定位器PM及另一位置感測器PS1可用以相對於輻射光束B之路徑來準確地定位圖案化器件(例如，光罩)MA。可使用光罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化器件(例如，光罩)MA及基板W。
所描繪裝置可用於以下模式中之至少一者中：
在步進模式中，在將被賦予至輻射光束之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使支撐結構(例如，光罩台)MT及基板台WT保持基本上靜止(亦即，單次靜態曝光)。接著，使基板台WT在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。
在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描支撐結構(例如，光罩台)MT及基板台WT(亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT相對於支撐結構(例如，光罩台)MT之速度及方向。
在另一模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，使支撐結構(例如，光罩台)MT保持基本上靜止，從而固持可程式化圖案化器件，且移動或掃描基板台WT。在此模式中，通常使 用脈衝式輻射源，且在基板台WT之每一移動之後或在一掃描期間之順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化器件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化器件(諸如，上文所提及之類型之可程式化鏡面陣列)之無光罩微影。
亦可使用對上文所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同之使用模式。
圖2更詳細地展示微影裝置100，其包括源收集器裝置SO、照明系統IL，及投影系統PS。源收集器裝置SO經建構及配置成使得可將真空環境維持於源收集器裝置SO之圍封結構220中。可由放電產生電漿源形成EUV輻射發射電漿210。可由氣體或蒸汽(例如，Xe氣體、Li蒸汽或Sn蒸汽)來產生EUV輻射，其中產生極熱電漿210以發射在電磁光譜之EUV範圍內之輻射。舉例而言，藉由造成至少部分離子化電漿之放電來產生極熱電漿210。為了輻射之有效率產生，可需要為(例如)10帕斯卡之分壓之Xe、Li、Sn蒸汽或任何其他合適氣體或蒸汽。在一實施例中，提供受激發錫(Sn)電漿以產生EUV輻射。
由熱電漿210發射之輻射係經由經定位於源腔室211中之開口中或後方的選用氣體障壁或污染物截留器230(在一些狀況下，亦被稱作污染物障壁或箔片截留器)而自源腔室211傳遞至收集器腔室212中。污染物截留器230可包括通道結構。污染截留器230亦可包括氣體障壁，或氣體障壁與通道結構之組合。如在此項技術中為吾人所知，本文進一步所指示之污染物截留器或污染物障壁230至少包括通道結構。
收集器腔室212可包括可為所謂掠入射收集器之輻射收集器CO。輻射收集器CO具有上游輻射收集器側251及下游輻射收集器側252。橫穿收集器CO之輻射可自光柵光譜濾光器240反射以聚焦於虛擬源點IF中。虛擬源點IF通常被稱作中間焦點，且源收集器裝置經配置成使 得中間焦點IF位於圍封結構220中之開口219處或附近。虛擬源點IF為輻射發射電漿210之影像。特別地使用光柵光譜濾光器240以用於抑制紅外線(IR)輻射。
隨後，輻射橫穿照明系統IL，照明系統IL可包括琢面化場鏡面器件222及琢面化光瞳鏡面器件224，琢面化場鏡面器件222及琢面化光瞳鏡面器件224經配置以提供在圖案化器件MA處之輻射光束221之所要角分佈，以及在圖案化器件MA處之輻射強度之所要均一性。在由支撐結構MT固持之圖案化器件MA處輻射光束221之反射後，隨即形成經圖案化光束226，且由投影系統PS將經圖案化光束226經由反射元件228、230而成像至由晶圓載物台或基板台WT固持之基板W上。
比所展示元件多的元件通常可存在於照明光學件單元IL及投影系統PS中。取決於微影裝置之類型，可視情況存在光柵光譜濾光器240。另外，可存在比諸圖所展示之鏡面多的鏡面，例如，在投影系統PS中可存在比圖2所展示之反射元件多1至6個的額外反射元件。
如圖2所說明之收集器光學件CO被描繪為具有掠入射反射器253、254及255之巢套式收集器，僅僅作為收集器(或收集器鏡面)之實例。掠入射反射器253、254及255經安置成圍繞光軸O軸向地對稱，且此類型之收集器光學件CO係較佳地結合放電產生電漿源(常常被稱為DPP源)予以使用。
靜電夾具之實例實施例
圖3說明根據一實施例的可經實施為微影裝置100之一部分之靜電夾具300之橫截面圖的示意圖。在此實施例之實例中，靜電夾具300可用於在微影裝置100中將基板W固持於基板台WT上或將圖案化器件MA固持於支撐結構MT上。
根據一實施例，靜電夾具300可包含多層結構，該多層結構包括：第一層302，其具有對置且平行之表面302a及302b；第二層304， 其具有對置且平行之表面304a及304b；及第三層306，其具有對置且平行之表面306a及306b。根據此實施例之實例，第一層302、第二層304及第三層306可分別具有在約1毫米至4毫米、1毫米至4毫米及50微米至200微米之範圍內的垂直尺寸。第一層302可耦接至第二層304，其中表面302a與表面304b實質上接觸，且第三層306可耦接至第二層304，其中表面304a面對表面306b。第三層306之表面306a可界定靜電夾具300之夾持表面306a。夾持表面306a可經組態以收納待夾持至靜電夾具300之物件307(例如，基板W或圖案化器件MA)。物件307可被夾持為與夾持表面306a實質上接觸。視情況，夾持表面306a可包括經組態以在夾持操作期間與物件307接觸之瘤節305。瘤節305可幫助提供物件307與夾持表面306a之間的受較小污染之接觸，此係因為污染物相比於在夾持表面306a之較大表面積上較不可能在瘤節305之較小表面積上。
在一實施例中，第一層302、第二層304及第三層306可包含彼此不同之材料。在另一實施例中，可自經組態以在靜電夾具300之操作期間支援靜電場之一或多個介電材料來製造第一層302、第二層304及第三層306，如在下文進一步所解釋。介電材料可具有可等於零或實質上為零之超低熱膨脹係數，諸如(但不限於)：超低膨脹矽基材料(例如，由Corning製造之ULE®)、玻璃材料、陶瓷材料、矽基玻璃陶瓷材料(例如，由SCHOTT製造之ZERODUR®)，或其組合。此等超低熱膨脹材料中之任一者可幫助縮減靜電夾具300在其製造期間之結構中的熱應力。靜電夾具300中之熱應力(若未被縮減)可引起第一層302、第二層304及/或第三層306中之一或多個非想要變形，該熱應力在夾持操作期間可轉移至物件307。
在另一實施例中，可自具有超低熱膨脹係數之一或多個非介電絕緣材料製造第一層302及/或第二層304。
又在另一實施例中，可自相同一或多個超低熱膨脹介電材料製造第一層302、第二層304及第三層306。自相似材料製造靜電夾具300之所有三個層可幫助進一步縮減歸因於相異材料之間的熱膨脹失配之熱應力。在此實施例之實例中，可自相比於ZERODUR®材料提供更高電穩定度的ULE®材料製造第一層302、第二層304及第三層306。
如圖3所說明，靜電夾具300根據一實施例進一步包含插入於第二層304與第三層306之間的複合層308。在此實施例之實例中，複合層308可具有在約50奈米至200奈米之範圍內的垂直尺寸。複合層308包括以交替組態而配置之導電層310及絕緣層312。導電層310中之一者係由絕緣層312中之一者而與另一導電層電隔離。儘管圖3僅說明兩個導電層，但應理解，在本發明之其他修改中，複合層308可包括單一導電層或兩個以上導電層。在一實施例中，導電層310與絕緣層312共平面。
在此實施例之各種實例中，任何合適導電材料(諸如(但不限於)鋁、鉻、鉑、金或其組合)可用以形成導電層310，且任何合適絕緣材料(諸如，氧化矽)可用以形成絕緣層312。在另一實例中，導電層310可包含金屬之單一層、相同金屬之多個層，或不同金屬之多個層。
導電層310根據一實例實施例可經組態為電極310，該電極310用以在第三層306內產生靜電場以將物件307夾持至夾持表面306a。可藉由將夾持電壓提供至電極310而產生靜電場。夾持電壓可誘發物件307之導電表面307a上之表面影像電荷將物件307靜電地吸引且夾持至夾持表面306a。
靜電夾具300根據一實施例可視情況包含插入於複合層308與第二層304之間的中間層314，如圖3所說明。中間層314可包含矽基材料(諸如，氧化矽)，且可經組態為結合介質以用於將複合層314結合至第二層304。在此實施例之實例中，中間層314可具有約10奈米至200 奈米之垂直尺寸。替代地，可將中間層314插入於複合層308與第三層306之間，如下文中參看圖5J至圖5K進一步詳細地所論述。
在另一實施例中，靜電夾具300包含流體通道316，如圖3所說明。流體通道316可經組態以平行於表面302a而延行且攜載經熱調節流體(例如，液體或氣體)，諸如(但不限於)水、空氣、醇、乙二醇，或相變冷卻劑(例如，氟氯烷、二氧化碳)。耦接至靜電夾具300之流體調節系統318可經組態以將經熱調節流體在使其進入流體通道316之前調節至所要溫度，且使經熱調節流體循環通過靜電夾具300。循環之經熱調節流體可幫助將靜電夾具300之溫度調節至所要溫度。靜電夾具300之溫度調節可包括由經熱調節流體自靜電夾具300吸收非想要熱。此非想要熱自呈經夾持狀態之物件307通過夾持表面306a及/或瘤節而轉移至靜電夾具300。
在此實施例之實例中，物件307可為圖案化器件，且非想要熱可在(例如)投影系統PS及/或微影裝置100之其他系統之操作期間自該投影系統PS及/或微影裝置100之該等其他系統轉移至圖案化器件。圖案化器件中之非想要熱之存在可造成圖案化器件之變形，此可導致自圖案化器件轉印至基板之圖案中之誤差。為了防止此變形，根據各種實施例，可將圖案化器件之溫度維持實質上處於室溫(大約攝氏22度)或任何其他所定義操作溫度。圖案化器件之此溫度調節可包括將熱自圖案化器件轉移(例如，通過夾持表面306a、瘤節316)至靜電夾具300，如上文所論述，且藉此縮減或消除圖案化器件之熱誘發性變形。
圖4說明根據一實施例的耦接至夾盤420之靜電夾具400之橫截面圖的示意圖。根據此實施例之實例，靜電夾具400及夾盤420可被實施為微影裝置100之一部分。夾盤420在實例實施例中可經組態以將靜電夾具400耦接至基板台WT及/或支撐結構MT。靜電夾具400可在結構及功能方面相似於靜電夾具300，惟下文所描述之差異除外。在一實 例實施例中，靜電夾具400之流體通道316可通過通孔424而耦接至夾盤420之流體通道422，如圖4所說明。流體通道422可經組態以平行於表面420a而延行，且與流體通道316一樣攜載經熱調節流體。耦接至夾盤420之流體調節系統418可經組態以將經熱調節流體在使其進入流體通道422之前調節至所要溫度，且使經熱調節流體循環通過靜電夾具400及夾盤404。循環之經熱調節流體可幫助將靜電夾具400及夾盤420之溫度調節至所要溫度。靜電夾具400及夾盤420之溫度調節可包括由經熱調節流體自靜電夾具400及夾盤420吸收非想要熱。靜電夾具400中之非想要熱可自物件307轉移(如上文所描述)，且夾盤420中之非想要熱可自靜電夾具400及/或耦接至夾盤420之微影裝置100之其他部分轉移。
用於製造靜電夾具之實例方法
圖5A至圖5N說明根據一實施例的靜電夾具300(如圖3所展示)在其製造程序之選擇階段的橫截面圖。
圖5A至圖5B說明根據一實施例的在流體通道316(如上文參看圖3至圖4所描述)之形成期間之部分形成之靜電夾具300的橫截面圖。流體通道316之形成可包括在第一層302之表面302a上渠溝530之形成(如圖5A所展示)以及堆疊式結構532之形成(如圖5B所展示)。
根據一實施例，渠溝530之形成可包括表面302a之拋光、加工及蝕刻。可使用任何合適拋光程序(諸如但不限於，氧化鈰研磨漿拋光程序)來執行表面302a之拋光，以獲得具有約0.5毫米或更低之均方根(RMS)粗糙度之平滑表面。在拋光之後，可使用標準玻璃加工技術來加工表面302a，及/或使用標準光微影及玻璃蝕刻程序來圖案化及蝕刻表面302a以形成渠溝530(如圖5A所展示)。應注意，如圖5A所說明之渠溝530之矩形橫截面形狀係出於說明性目的而並非限制性的。在不脫離本發明之精神及範疇的情況下，根據各種實施例，渠溝530可 具有其他橫截面形狀(例如，圓錐形、梯形)。在加工之後，可使用(例如)包含氫氟酸之酸混合物對經加工表面302a執行酸蝕刻。酸蝕刻可自經加工表面302a移除層302之幾微米(例如，約5微米)。自經加工表面302a進行之材料之此移除可幫助減輕層302中之可自加工程序誘發的應力。該應力可歸因於表面302a上之由加工之物理力產生的小變形。
根據一實施例，酸蝕刻程序接著可進行層302至第二層304之耦接以形成堆疊式結構532，如圖5B所說明。耦接程序可包括表面304b之拋光、表面302a及304b之清潔，接著是第一層302至第二層304之直接結合。可使用任何合適拋光程序(諸如但不限於，氧化鈰研磨漿拋光程序)將表面304b拋光至為約0.5毫米或更低之均方根(RMS)粗糙度。隨後，可藉由在適於所使用之層材料之壓力下相對於表面304b按壓表面302a而將第一層302直接結合至第二層304以形成堆疊式結構532。視情況，可在約攝氏350度至攝氏800度之範圍內的溫度下將堆疊式結構532退火，以增強第一層302與第二層304之間的經直接結合界面。
根據一實施例，本文中之直接結合可指在不使用任何結合材料(諸如，環氧樹脂或任何其他黏接劑材料)的情況下為實質上無缺陷表面與經高度拋光表面(例如，表面302a與304b)之間的結合之光學接觸結合。光學接觸結合可起因於有吸引力的分子間靜電相互作用，諸如，結合表面(例如，表面302a與304b)之間的凡得瓦爾力。使光學接觸結合退火(如上文所描述)可將(例如)結合表面之間的凡得瓦爾鍵變換成更強共價鍵，且藉此增強經光學接觸結合結構。
根據一實施例，流體通道316之形成接著可進行層304之變薄至約2毫米。可使用任何合適拋光及/或研磨技術來拋光表面304b以使第二層304變薄。替代地，可在流體通道316之形成之前藉由拋光表面 304a及/或表面304b來執行第二層304之變薄程序。
圖5C至圖5D說明根據一實施例在導電層310之形成期間之部分形成靜電夾具300的橫截面圖。導電層310之形成可包括(例如)一或多個金屬層510在第三層306上之沈積，如圖5C所展示。此金屬沈積接著可進行圖案化及蝕刻程序以界定導電層310，如圖5D所展示。可使用適合於金屬之任何習知方法來執行層510之沈積，該等習知方法諸如(但不限於)，濺鍍、熱蒸鍍、原子層沈積(ALD)或化學氣相沈積(CVD)。可藉由習知光微影程序來執行圖案化程序，且可藉由濕式蝕刻方法或乾式蝕刻方法(諸如(但不限於)，反應性離子蝕刻(RIE))來執行蝕刻程序。
圖5E至圖5F說明根據一實施例在絕緣層312之形成期間之部分形成靜電夾具300的橫截面圖。絕緣層312之形成可包括(例如)一或多個介電層512在導電層310及第三層306之表面306b之經曝光區域上之沈積，如圖5E所展示。此介電沈積接著可進行圖案化及蝕刻程序以界定絕緣層312，如圖5F所展示。可使用適合於介電材料之任何習知方法來執行層512之沈積，該等習知方法諸如(但不限於)，CVD程序、磁控濺鍍、熱蒸鍍或電子束蒸鍍。可藉由如上文所提及之方法來執行圖案化及蝕刻程序。
圖5G至圖5H說明根據一實施例在複合層308至堆疊式結構532(如參看圖5B所描述)之結合期間之部分形成靜電夾具300的橫截面圖。此結合程序可包括將中間層314沈積於複合層308上，如圖5G所展示。中間層314可幫助將結合表面314a提供至相容之複合層308以與表面304a直接結合。可使用用於沈積(例如)氧化矽之任何合適方法(諸如，CVD程序)來沈積中間層314。結合程序可進一步包括相對於堆疊式結構532按壓圖5G之組合式結構以將表面314a結合至表面304a，如圖H所展示。為了增強表面314a與表面304a之間的經結合界面，可在 約攝氏350度至攝氏800度之範圍內的溫度下使經結合結構退火。
視情況，根據一實施例，結合程序接著可進行第三層306至在約50微米至200微米之範圍內的垂直尺寸之變薄程序。可使用任何合適拋光及/或研磨技術來拋光表面306a以使層306變薄。替代地，可在複合層308之形成之前藉由拋光表面306a及/或表面306b來執行第三層306之變薄程序。
圖5I至圖5J說明根據一實施例在瘤節305於夾持表面306a上之形成期間之靜電夾具300的橫截面圖。可藉由沈積(例如)聚合層505而形成瘤節305，如圖5I所展示。此沈積接著可進行圖案化及蝕刻聚合層505以界定瘤節305，如圖5J所展示。可藉由如上文所提及之方法來執行圖案化及蝕刻程序。應注意，瘤節305之矩形橫截面形狀係出於說明性目的而非限制性的。在不脫離本發明之精神及範疇的情況下，根據各種實施例，瘤節305可具有其他橫截面形狀(例如，球形、圓錐形、梯形)。
在一替代途徑中，根據一實施例，複合層308及中間層314可形成於堆疊式結構532之表面304a上，如圖5K所說明。可將第三層306直接結合至中間層314且使第三層306變薄至在約50微米至200微米之範圍內的垂直尺寸，如圖5L所展示。可藉由如上文所提及之方法來執行直接結合及變薄。
如圖5M所說明，在另一替代途徑中，根據一實施例，可分別在表面306b及表面304a上形成複合層308之第一部分508a及第二部分508b。可將第一部分508a及第二部分508b熔融在一起以形成複合層308，如圖5N所展示。在靜電夾具中形成複合層308之此途徑可幫助消除結合介質(例如，中間層314)之使用。
用於將靜電夾具耦接至夾盤之實例方法
圖6說明在靜電夾具300至夾盤620之耦接期間之靜電夾具300的 橫截面圖。夾盤620可在結構及功能方面相似於夾盤420，如上文參看圖4所描述。在一實施例中，耦接程序可包括表面302b及620a之拋光及清潔，接著進行此等表面之直接結合。可使用任何合適拋光程序(諸如但不限於，氧化鈰研磨漿拋光程序)將表面302b及620a拋光至為約0.5毫米或更低之均方根(RMS)粗糙度。隨後，可將表面302b及620a按壓在一起以在表面302b與620a之間形成直接結合。如熟習相關技術者應瞭解，可使用其他類型之結合或耦接以將靜電夾具300耦接至夾盤620。
用於製造靜電夾具之實例步驟
圖7說明根據一實施例的用於製造靜電夾具300及將靜電夾具300耦接至夾盤的流程圖。僅僅出於說明性目的，將參看圖5A至圖5N及圖6中所說明之實例製作程序來描述圖7中所說明之步驟。可以不同次序執行步驟，或取決於特定應用不執行步驟。
在步驟702中，在第一層上形成渠溝。舉例而言，諸如渠溝530之渠溝可形成於諸如第一層302之第一層上，如圖5A所說明。可使用標準玻璃加工技術來形成渠溝530。
在步驟704中，使第一層耦接至第二層以形成堆疊式結構。舉例而言，諸如第二層304之第二層可耦接至第一層302以形成相似於堆疊式結構532的堆疊式結構，如圖5B所說明。耦接程序可包括表面302a與304b之直接結合。可藉由在適於所使用之層材料之壓力下相對於表面304b按壓表面302a來執行直接結合。可在約攝氏350度至攝氏800度之範圍內的溫度下使堆疊式結構532退火。
在步驟706中，在第三層上形成複合層。舉例而言，可在第三層306上形成相似於複合層308的複合層，如圖5C至圖5F所說明。可藉由在第三層306上進行金屬層(諸如，金屬層510)之沈積、圖案化及蝕刻接著進行介電層(諸如，介電層512)之沈積、圖案化及蝕刻來形成 複合層308。可使用(例如)濺鍍、熱蒸鍍、原子層沈積(ALD)或化學氣相沈積(CVD)來執行金屬層510之沈積。可使用(例如)CVD程序、磁控濺鍍、熱蒸鍍或電子束蒸鍍來執行介電層512之沈積。
在步驟708中，在複合層上形成中間層。舉例而言，可在複合層308上形成相似於中間層314的中間層，如圖5G所說明。可使用(例如)CVD程序來沈積中間層314。
在步驟710中，將第三層耦接至堆疊式結構以形成靜電夾具。舉例而言，可藉由將中間層314直接結合至堆疊式結構532之表面304a而將第三結構306耦接至堆疊式結構，如圖5H所說明。
在選用步驟712中，在夾具之夾持表面上形成瘤節。舉例而言，可在夾持表面(諸如，第三層306之夾持表面306a)上形成瘤節(諸如，瘤節305)，如圖5I至圖5J所說明。可藉由聚合層505之沈積、圖案化及蝕刻而形成瘤節305。
在選用步驟714中，將靜電夾具耦接至夾盤。舉例而言，靜電夾具300可耦接至相似於夾盤620之夾盤，如圖6所說明。可藉由將夾具300之表面302b直接結合至夾盤620之表面620a來執行耦接。
儘管本文中可特定地參考靜電夾具在微影裝置中之使用，但應理解，本文所描述之靜電夾具可具有其他應用，諸如，用於光罩檢測裝置、晶圓檢測裝置、空中影像度量衡裝置中，且更通常用於在真空中抑或在周圍(非真空)條件下(諸如，在電漿蝕刻裝置或沈積裝置中)量測或處理諸如晶圓(或其他基板)或光罩(或其他圖案化器件)之物件的任何裝置中。
儘管在本文中可特定地參考微影裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文所描述之微影裝置可具有其他應用，諸如，製造整合式光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭，等等。熟習此項技術者應瞭解，在此等替代應 用之內容背景中，可認為本文對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更一般術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在(例如)塗佈顯影系統(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文所提及之基板。適用時，可將本文之揭示內容應用於此等及其他基板處理工具。另外，可將基板處理一次以上，例如，以便產生多層IC，使得本文所使用之術語基板亦可指已經含有多個經處理層之基板。
儘管上文可特定地參考在光學微影之內容背景中對本發明之實施例之使用，但應瞭解，本發明之實施例可用於其他應用(例如，壓印微影)中，且在內容背景允許時不限於光學微影。在壓印微影中，圖案化器件中之構形(topography)界定產生於基板上之圖案。可將圖案化器件之構形壓入被供應至基板之抗蝕劑層中，在基板上，抗蝕劑係藉由施加電磁輻射、熱、壓力或其組合而固化。在抗蝕劑固化之後，將圖案化器件移出抗蝕劑，從而在其中留下圖案。
應理解，本文中之措詞或術語係出於描述而非限制之目的，使得本說明書之術語或措詞應由熟習相關技術者鑒於本文中之教示予以解譯。
本文所使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如，具有為或為約365奈米、355奈米、248奈米、193奈米、157奈米或126奈米之波長)及極紫外線(EUV)輻射(例如，具有在5奈米至20奈米之範圍內之波長)；以及帶電粒子束(諸如，離子束或電子束)。
術語「透鏡」在內容背景允許時可指各種類型之光學組件中任一者或其組合，包括折射、反射、磁性、電磁及靜電光學組件。
如本文所使用之術語「蝕刻」或「回蝕刻」通常描述圖案化一材料之製作程序，使得該材料之至少一部分在完成蝕刻之後繼續存 在。舉例而言，通常蝕刻一材料之程序涉及如下步驟：圖案化材料上方之遮蔽層(例如，光阻或硬式光罩)，隨後移除不再受光罩層保護之材料區域，且視情況移除光罩層之剩餘部分。通常，使用對材料之「選擇性」比對光罩層之「選擇性」高的「蝕刻劑」來進行移除步驟。因而，受光罩保護之材料區域將在蝕刻程序完成之後繼續存在。然而，出於說明之目的提供上述內容，且上述內容並非限制性的。在另一實例中，蝕刻亦可指不使用光罩但在蝕刻程序完成之後仍留下材料之至少一部分之程序。
以上描述用以區分術語「蝕刻」與「移除」。在一實施例中，當蝕刻材料時，材料之至少一部分在完成程序之後繼續存在。與此對比，當移除材料時，在程序中移除實質上所有材料。然而，在其他實施例中，「移除」可併有蝕刻。
如本文所使用之術語「沈積」或「安置」描述將材料層施加至基板之動作。此等術語意謂描述任何可能層形成技術，包括(但不限於)熱生長、濺鍍、蒸鍍、化學氣相沈積、磊晶成長、原子層沈積、電鍍，等等。
如本文所使用之術語「基板」描述後續材料層經添加至之材料。在實施例中，可圖案化基板自身，且亦可圖案化添加於基板之頂部上之材料，或添加於基板之頂部上之材料可保持不圖案化。
如本文所使用之術語「實質上」或「實質上接觸」通常描述彼此實質上實體接觸的彼此僅具有通常由製作及/或未對準容許度引起之稍微分離度的元件或結構。應理解，本文所使用之一或多個特定特徵、結構或特性之間的相對空間描述(例如，「垂直對準」、「實質上接觸」等等)係僅出於說明之目的，且本文所描述之結構之實務實施在不脫離本發明之精神及範疇的情況下可包括製作及/或未對準容許度。
雖然上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。該描述不意欲限制本發明。
應瞭解，【實施方式】章節而非【發明內容】及【中文發明摘要】章節意欲用以解譯申請專利範圍。【發明內容】及【中文發明摘要】章節可闡述如由本發明之發明人所預料的本發明之一或多個而非所有例示性實施例，且因此，不意欲以任何方式來限制本發明及附加申請專利範圍。
上文已憑藉說明特定功能及該等功能之關係之實施之功能建置區塊來描述本發明。為了便於描述，本文已任意地界定此等功能建置區塊之邊界。只要適當地執行指定功能及其關係，便可界定替代邊界。
對特定實施例之前述描述將因此充分地揭露本發明之一般性質：在不脫離本發明之一般概念的情況下，其他人可藉由應用熟習此項技術者所瞭解之知識針對各種應用而容易地修改及/或調適此等特定實施例，而無需進行不當實驗。因此，基於本文所呈現之教示及指導，此等調適及修改意欲在所揭示實施例之等效者的涵義及範圍內。
本發明之範圍及範疇不應由上述例示性實施例中之任一者限制，而應僅根據以下申請專利範圍及其等效者進行界定。

Claims (20)

  1. 一種靜電夾具(clamp)，其包含：一第一層，其具有一第一超低膨脹(ULE)材料；一第二層，其耦接至該第一層，具有一第二超低膨脹(ULE)材料；複數個流體通道(fluid channels)，其位於該第一層與該第二層之間，該複數個流體通道經組態以攜載一經熱調節流體；一第三層，其耦接至該第二層，具有一第三超低膨脹(ULE)材料；及一複合(composite)層，其插入於該第二層與該第三層之間。
  2. 如請求項1之靜電夾具，其中該第一超低膨脹(ULE)材料、該第二超低膨脹(ULE)材料及該第三超低膨脹(ULE)材料為相同材料。
  3. 如請求項1之靜電夾具，其中該第一超低膨脹(ULE)材料、該第二超低膨脹(ULE)材料及該第三超低膨脹(ULE)材料包含一矽基材料。
  4. 如請求項1之靜電夾具，其中該複合層包含交替之導電層及絕緣層。
  5. 如請求項1之靜電夾具，其進一步包含插入於該複合層與該第二層之間的一中間層，該中間層經組態以促進該複合層與該第二層之間的結合。
  6. 如請求項1之靜電夾具，其中該第三層包含經組態以收納用於夾持之一物件之一頂部表面。
  7. 如請求項1之靜電夾具，其中複數個瘤節(burls)位於該第三層之一頂部表面上，該複數個瘤節經組態以收納用於夾持之一物件。
  8. 如請求項1之靜電夾具，其中該第一層包含經組態以形成該複數個流體通道之複數個渠溝。
  9. 一種器件製造方法，該方法包含：在一第一層與一第二層之間形成複數個流體通道，該複數個流體通道經組態以攜載一經熱調節流體；將一複合層安置於一第三層上，該複合層包含交替之導電層及絕緣層；及將該第三層耦接至該第二層。
  10. 如請求項9之方法，其中形成該複數個流體通道包含：在該第一層之一頂部表面上形成複數個渠溝；拋光該第二層之一底部表面；將該第一層之該頂部表面直接結合至該第二層之該底部表面以形成該第一層及該第二層之一經結合結構；及使該經結合結構退火。
  11. 如請求項9之方法，其中該第一層、該第二層及該第三層包含一相同超低膨脹材料。
  12. 如請求項9之方法，其中安置該複合層包含：將一金屬層安置於該第三層之一底部表面上；圖案化該金屬層；將一介電層安置於該第三層之該底部表面及該經圖案化金屬層上；及圖案化該介電層。
  13. 如請求項9之方法，其中將該第三層耦接至該第二層包含：將一中間層安置於該複合層上；及將該中間層直接結合至該第二層之一頂部表面。
  14. 如請求項9之方法，其進一步包含在該第三層之一頂部表面上形成複數個瘤節，該複數個瘤節經組態以收納用於夾持之一物件。
  15. 如請求項14之方法，其中形成該複數個瘤節包含：將一聚合層安置於該第三層之該頂部表面上；及圖案化該聚合層。
  16. 一種微影裝置，其包含：一夾盤(chuck)；及耦接至該夾盤之一靜電夾具，其經組態以可釋放地固持一圖案化器件，該靜電夾具包含：一第一層，其具有對置之第一表面及第二表面；一第二層，其具有對置之第三表面及第四表面，該第四表面耦接至該第一表面；一通道陣列，其位於該第一表面與該第四表面之間；及一第三層，其具有對置之第五表面及第六表面，該第六表面耦接至該第三表面。
  17. 如請求項16之微影裝置，其中該通道陣列經組態以攜載一經熱調節流體。
  18. 如請求項16之微影裝置，其進一步包含位於該第五表面上之複數個瘤節，該複數個瘤節經組態以收納該圖案化器件。
  19. 如請求項16之微影裝置，其中該第一層、該第二層及該第三層包含具有一實質上零熱膨脹係數之一相同材料。
  20. 如請求項16之微影裝置，其中該第一層直接結合至該夾盤，該夾盤具有經組態以攜載一經熱調節流體之複數個通道。
TW104122210A 2014-08-26 2015-07-08 靜電夾具及其製造方法 TWI656596B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201462042133P 2014-08-26 2014-08-26
US62/042,133 2014-08-26

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201608670A TW201608670A (zh) 2016-03-01
TWI656596B true TWI656596B (zh) 2019-04-11

Family

ID=53716447

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW104122210A TWI656596B (zh) 2014-08-26 2015-07-08 靜電夾具及其製造方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US10310391B2 (zh)
JP (1) JP6618529B2 (zh)
KR (1) KR102456415B1 (zh)
CN (1) CN106796901B (zh)
NL (1) NL2015165A (zh)
TW (1) TWI656596B (zh)
WO (1) WO2016030069A1 (zh)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL2017576A (en) 2015-10-06 2017-04-11 Asml Netherlands Bv Chucks and clamps for holding objects of a lithographic apparatus and methods for controlling a temperature of an object held by a clamp of a lithographic apparatus
KR102456532B1 (ko) * 2017-11-20 2022-10-18 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 기판 홀더, 기판 지지체, 및 기판을 클램핑 시스템에 클램핑시키는 방법
US11491737B2 (en) * 2018-09-25 2022-11-08 Raytheon Company Robust method for bonding optical materials
US11673161B2 (en) * 2019-03-11 2023-06-13 Technetics Group Llc Methods of manufacturing electrostatic chucks
US20220236649A1 (en) * 2019-05-29 2022-07-28 Asml Holding N.V. Split double sided wafer and reticle clamps
CN114388323A (zh) * 2020-10-20 2022-04-22 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种静电夹盘及其等离子体处理装置
DE102021206512A1 (de) 2021-06-24 2022-12-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Ausbilden einer Noppenstruktur, Haltevorrichtung zur elektrostatischen Halterung eines Bauteils, sowie EUV-Lithographiesystem
GB202212686D0 (en) * 2022-08-31 2022-10-12 Smart Photonics Holding B V Method of providing a wafer

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010052015A (ja) * 2008-08-28 2010-03-11 Nhk Spring Co Ltd 異材接合体の製造方法およびその方法による異材接合体

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6714278B2 (en) * 1996-11-25 2004-03-30 Nikon Corporation Exposure apparatus
US6219237B1 (en) * 1998-08-31 2001-04-17 Micron Technology, Inc. Structure and method for an electronic assembly
DE10051466C2 (de) * 2000-10-17 2002-09-19 Infineon Technologies Ag Anordnung als Maske für Lithographie
EP1359466A1 (en) 2002-05-01 2003-11-05 ASML Netherlands B.V. Chuck, lithographic projection apparatus, method of manufacturing a chuck and device manufacturing method
US7105836B2 (en) * 2002-10-18 2006-09-12 Asml Holding N.V. Method and apparatus for cooling a reticle during lithographic exposure
AU2003229725A1 (en) * 2003-04-24 2004-11-19 Carl Zeiss Smt Ag Projection optical system
US8105457B2 (en) 2003-12-22 2012-01-31 Asml Netherlands B.V. Method for joining at least a first member and a second member, lithographic apparatus and device manufacturing method, as well as a device manufactured thereby
JP2005276886A (ja) * 2004-03-23 2005-10-06 Nikon Corp 静電チャックおよび露光装置
JP2006287210A (ja) * 2005-03-07 2006-10-19 Ngk Insulators Ltd 静電チャック及びその製造方法
US20070169703A1 (en) * 2006-01-23 2007-07-26 Brent Elliot Advanced ceramic heater for substrate processing
CN101416031A (zh) * 2006-03-29 2009-04-22 约翰尼斯海登海恩博士股份有限公司 用于使刻度尺保持在载体上的方法以及具有载体和刻度尺的装置
JP5037883B2 (ja) 2006-09-13 2012-10-03 電気化学工業株式会社 放熱部品及びその製造方法
US7940511B2 (en) 2007-09-21 2011-05-10 Asml Netherlands B.V. Electrostatic clamp, lithographic apparatus and method of manufacturing an electrostatic clamp
US20100055298A1 (en) * 2008-08-28 2010-03-04 Applied Materials, Inc. Process kit shields and methods of use thereof
JP5731485B2 (ja) * 2009-05-15 2015-06-10 インテグリス・インコーポレーテッド ポリマー突起を有する静電チャック
KR20130071441A (ko) * 2010-05-28 2013-06-28 액셀리스 테크놀러지스, 인크. 정전 척을 위한 열 팽창 계수 정합
EP2555234B1 (en) * 2011-08-02 2020-08-19 ASML Holding N.V. Electrostatic clamp, lithographic apparatus and method of manufacturing an electrostatic clamp
WO2013113569A1 (en) * 2012-02-03 2013-08-08 Asml Netherlands B.V. Substrate holder and method of manufacturing a substrate holder

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010052015A (ja) * 2008-08-28 2010-03-11 Nhk Spring Co Ltd 異材接合体の製造方法およびその方法による異材接合体

Also Published As

Publication number Publication date
CN106796901A (zh) 2017-05-31
NL2015165A (en) 2016-07-08
WO2016030069A1 (en) 2016-03-03
KR20170046735A (ko) 2017-05-02
TW201608670A (zh) 2016-03-01
JP6618529B2 (ja) 2019-12-11
CN106796901B (zh) 2020-11-20
US10310391B2 (en) 2019-06-04
KR102456415B1 (ko) 2022-10-19
JP2017526970A (ja) 2017-09-14
US20170242345A1 (en) 2017-08-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI656596B (zh) 靜電夾具及其製造方法
TWI733234B (zh) 支撐結構
TWI434132B (zh) 具有高熱傳導性之極紫外線主光罩基板
US10908518B2 (en) Lithographic apparatus and method
JP2018531410A6 (ja) リソグラフィ装置のオブジェクトを保持するためのチャック及びクランプ、並びにリソグラフィ装置のクランプによって保持されるオブジェクトの温度を制御する方法
NL2011920A (en) Electrostatic clamp.
TW201417145A (zh) 微影方法及裝置
TWI539242B (zh) 微影裝置及元件製造方法
US11422478B2 (en) Control of reticle placement for defectivity optimization
US20220236649A1 (en) Split double sided wafer and reticle clamps
TWI853935B (zh) 分割雙面晶圓及光罩夾具
WO2024125915A1 (en) A clamp and a method for manufacturing the same