TWI434132B - 具有高熱傳導性之極紫外線主光罩基板 - Google Patents

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TWI434132B TW098127002A TW98127002A TWI434132B TW I434132 B TWI434132 B TW I434132B TW 098127002 A TW098127002 A TW 098127002A TW 98127002 A TW98127002 A TW 98127002A TW I434132 B TWI434132 B TW I434132B
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Description

具有高熱傳導性之極紫外線主光罩基板
本發明係關於用於微影裝置中之圖案化器件。
微影術被廣泛地認為製造積體電路(IC)以及其他器件及/或結構時之關鍵製程。微影裝置為在微影術期間所使用之將所要圖案施加至基板上(諸如施加至基板之目標部分上)的機器。在藉由微影裝置來製造IC期間，圖案化器件(其或者被稱作光罩或主光罩)產生待形成於IC中之個別層上的電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包括晶粒之一部分、一個晶粒或若干晶粒)上。圖案之轉印通常係經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(例如，抗蝕劑)層上。一般而言，單一基板含有經順次圖案化之鄰近目標部分的網路。製造IC之不同層通常會需要藉由不同主光罩而將不同圖案成像於不同層上。因此，必須在微影製程期間改變主光罩。
現有極紫外線(EUV)微影裝置併有具有由超低膨脹(ULE)玻璃形成之基板的反射主光罩，ULE玻璃為在一寬操作溫度範圍內具有為大體上零之熱膨脹係數的玻璃-陶瓷材料。選擇ULE玻璃以作為基板係基於ULE玻璃之熱膨脹係數及針對為EUV微影應用所必要之精細表面要求(亦即，展現極低粗糙度、大體上無缺陷且大體上平坦之表面)而拋光ULE玻璃之表面的能力。
一般而言，用於EUV微影裝置之現有反射主光罩展現大約70%之反射率。因此，取決於待印刷之圖案，現有反射主光罩可吸收入射EUV輻射光束之在大約30%與100%之間的能量。該吸收可導致主光罩之顯著加熱，儘管ULE玻璃基板之熱膨脹係數相對較低，但此顯著加熱亦可使主光罩表面失真，且將誤差引入於經投影影像中。
另外，即使最佳地冷卻該反射主光罩之背側，EUV輻射之吸收亦可導致在具有ULE玻璃基板之主光罩之厚度內的過大熱梯度。該等過大熱梯度可由ULE玻璃基板之相對較低熱傳導性引起，此促成ULE玻璃基板內之相對較高熱阻且因此促成主光罩內之相對較高熱阻。將減少主光罩之熱阻的對現有主光罩設計之一修改係薄化ULE玻璃基板且因此薄化主光罩。然而，此修改可在使經圖案化表面保持平坦方面產生極端且潛在不可克服之困難。此外，該主光罩將偏離EUV反射主光罩之所接受業界厚度(例如，大約6.35毫米±0.10毫米)。
因此，需要一種用於EUV微影應用中之反射主光罩，其大體上減少或消除歸因於EUV輻射之吸收的圖案失真，同時維持符合業界標準之主光罩厚度，藉此大體上避免習知系統之缺點。
在一實施例中，一種主光罩包括光學層，光學層具有第一表面及第二表面。主光罩亦包括基板，基板具有大體上大於光學層之熱傳導性的熱傳導性。傳導層安置於光學層與基板之間。傳導層接合至(i)基板之表面及(ii)光學層之第一表面中的一或多者。舉例而言，光學層可為具有大體上零熱膨脹係數之材料，基板可為具有大體上零熱膨脹係數之材料，且傳導層可為鋁。
在另一實施例中，一種微影裝置包括：照明系統，照明系統經組態以產生輻射光束；主光罩，主光罩經組態以圖案化輻射光束；及投影系統，投影系統經組態以將經圖案化光束投影至基板之目標部分上。主光罩包括光學層，光學層具有第一表面及第二表面。主光罩亦包括基板，基板具有大體上大於光學層之熱傳導性的熱傳導性。傳導層安置於光學層與基板之間，且傳導層接合至(i)基板之表面及(ii)光學層之第一表面中的一或多者。舉例而言，光學層可為具有大體上零熱膨脹係數之材料，基板可為具有大體上零熱膨脹係數之材料，且傳導層可為鋁。
在另一實施例中，提供一種用於製造主光罩之方法，其將傳導材料層安置至光學層之第一表面上。接著，將傳導材料層接合至(i)中間層之第一表面或(ii)具有大體上大於光學層之熱傳導性的熱傳導性之基板之表面中的一者。
在另一實施例中，提供一種用於製造用於極紫外線微影(EUVL)系統中之主光罩的方法。將厚基板接合至薄膜多層塗層以提供具有第一熱傳導性之EUVL主光罩，第一熱傳導性相對地高於以單一材料層而形成之反射微影主光罩之第二熱傳導性。
以下參看隨附圖式來詳細地描述本發明之另外實施例、特徵及優點，以及本發明之各種實施例之結構及操作。
併入於本文中且形成本說明書之一部分的隨附圖式說明本發明之一或多個實施例，且連同描述進一步用以解釋本發明之原理且使熟習相關技術者能夠製造及使用本發明。
I.概述
本發明係針對包括具有高熱傳導性之基板的主光罩，且尤其係針對用於具有高熱傳導性之EUV反射主光罩的基板。本說明書揭示併有本發明之特徵的一或多個實施例。所揭示實施例僅僅例示本發明。本發明之範疇不限於所揭示實施例。本發明係由此處附加之申請專利範圍界定。
所描述實施例及在本說明書中對「一實施例」、「一實例實施例」等等之參考指示所描述實施例可能包括一特定特徵、結構或特性，但每一實施例可能未必包括該特定特徵、結構或特性。此外，該等短語未必指代同一實施例。另外，當結合一實施例來描述一特定特徵、結構或特性時，應理解，無論是否明確地進行描述，結合其他實施例來實現該特徵、結構或特性均係在熟習此項技術者之認識內。
本發明之實施例可以硬體、韌體、軟體或其任何組合進行實施。本發明之實施例亦可被實施為儲存於機器可讀媒體上之指令，其可由一或多個處理器讀取及執行。機器可讀媒體可包括用於儲存或傳輸以可由機器(例如，計算器件)讀取之形式之資訊的任何機構。舉例而言，機器可讀媒體可包括：唯讀記憶體(ROM)；隨機存取記憶體(RAM)；磁碟儲存媒體；光學儲存媒體；快閃記憶體器件；電學、光學、聲學或其他形式之傳播信號(例如，載波、紅外線信號、數位信號，等等)；及其他者。另外，韌體、軟體、常式、指令可在本文中被描述為執行某些動作。然而，應瞭解，該等描述僅僅係出於方便起見，且該等動作事實上係由計算器件、處理器、控制器或執行韌體、軟體、常式、指令等等之其他器件引起。
在各種實施例中，適合用於EUV微影裝置中之反射主光罩包括光學層，光學層在主光罩於EUV微影裝置中被曝光至之溫度範圍內具有為大體上零之熱膨脹係數。光學層包括：第一表面，傳導層安置於第一表面上；及第二表面，第二表面可經拋光成大體上平坦且大體上無缺陷。舉例而言，光學層可由超低膨脹(ULE)鈦-矽酸鹽玻璃形成，且傳導層可為鋁。
在一實施例中，傳導層直接接合至基板之第一表面，基板在一操作溫度範圍內具有為大體上零之熱膨脹係數且具有大體上高於光學層之熱傳導性的熱傳導性。在該實施例中，基板可由菫青石(Cordierite)形成，菫青石具有比ULE玻璃之熱傳導性大大約三倍的熱傳導性。經接合基板及光學層形成適合用於EUV微影應用中之主光罩。
在一額外實施例中，可將第二傳導層安置至基板之第一表面上。另外，可接著將第一傳導材料層接合至中間層之第一表面，且可將第二傳導層接合至中間層之第二表面。舉例而言，基板可由菫青石形成(如以上所描述)，中間層可由微晶玻璃(Zerodur)(無孔無機玻璃陶瓷材料)形成，且第二傳導層可為鋁。在該實施例中，經接合光學層、中間層及基板形成適合用於EUV微影應用中之主光罩。
此等反射主光罩(如以下在其各種實施例中所描述)大體上減少或消除由EUV輻射之吸收引起的圖案失真，同時維持符合業界標準之主光罩厚度。因而，此等反射主光罩大體上避免現有EUV主光罩技術之缺點。
然而，在更詳細地描述該等實施例之前，有指導性的係呈現可實施本發明之實施例的實例環境。
II.實例微影環境
A.實例反射微影系統及透射微影系統
圖1A及圖1B分別示意性地描繪微影裝置100及微影裝置100'。微影裝置100及微影裝置100'各自包括：照明系統(照明器)IL，其經組態以調節輻射光束B(例如，DUV或EUV輻射)；支撐結構(例如，光罩台)MT，其經組態以支撐圖案化器件(例如，光罩、主光罩或動態圖案化器件)MA，且連接至經組態以精確地定位圖案化器件MA之第一定位器PM；及基板台(例如，晶圓台)WT，其經組態以固持基板(例如，塗覆抗蝕劑之晶圓)W，且連接至經組態以精確地定位基板W之第二定位器PW。微影裝置100及100'亦具有投影系統PS，其經組態以將由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分(例如，包含一或多個晶粒)C上。在微影裝置100中，圖案化器件MA及投影系統PS係反射的，且在微影裝置100'中，圖案化器件MA及投影系統PS係透射的。
照明系統IL可包括用於引導、成形或控制輻射B之各種類型的光學組件，諸如折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。
支撐結構MT以取決於圖案化器件MA之定向、微影裝置100及100'之設計及其他條件(諸如圖案化器件MA是否固持於真空環境中)的方式來固持圖案化器件MA。支撐結構MT可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術來固持圖案化器件MA。支撐結構MT可為(例如)框架或台，其可根據需要而為固定或可移動的。支撐結構MT可確保圖案化器件(例如)相對於投影系統PS而處於所要位置。
術語「圖案化器件」MA應被廣泛地解釋為指代可用以在輻射光束B之橫截面中向輻射光束B賦予圖案以便在基板W之目標部分C中形成圖案的任何器件。被賦予至輻射光束B之圖案可對應於目標部分C中所形成之器件(諸如積體電路)中的特定功能層。
圖案化器件MA可為透射的(如在圖1B之微影裝置100'中)或為反射的(如在圖1A之微影裝置100中)。圖案化器件MA之實例包括主光罩、光罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化LCD面板。光罩在微影術中係熟知的，且包括諸如二元、交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中之每一者可個別地傾斜，以便在不同方向上反射入射輻射光束。傾斜鏡面將圖案賦予於由鏡面矩陣所反射之輻射光束B中。
術語「投影系統」PS可涵蓋任何類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統或其任何組合，其適合於所使用之曝光輻射，或適合於諸如浸沒液體之使用或真空之使用的其他因素。真空環境可用於EUV或電子束輻射，因為其他氣體可能吸收過多輻射或電子。因此，可藉助於真空壁及真空泵而將真空環境提供至整個光束路徑。
微影裝置100及/或微影裝置100'可為具有兩個(雙平台)或兩個以上基板台(及/或兩個或兩個以上光罩台)WT的類型。在該等「多平台」機器中，可並行地使用額外基板台WT，或可在一或多個台上進行預備步驟，同時將一或多個其他基板台WT用於曝光。
參看圖1A及圖1B，照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。舉例而言，當輻射源SO為準分子雷射時，輻射源SO與微影裝置100、100'可為單獨實體。在該等情況下，不認為輻射源SO形成微影裝置100或100'之一部分，且輻射光束B藉助於包含(例如)適當引導鏡面及/或光束放大器之光束傳送系統BD(圖1B)而自輻射源SO傳遞至照明器IL。在其他情況下，例如，當輻射源SO為汞燈時，輻射源SO可為微影裝置100、100'之整體部分。輻射源SO及照明器IL連同光束傳送系統BD(在需要時)可被稱作輻射系統。
照明器IL可包含用於調整輻射光束之角強度分布的調整器AD(圖1B)。通常，可調整照明器之光瞳平面中之強度分布的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σouter 及σinner )。此外，照明器IL可包含各種其他組件(圖1B)，諸如積光器IN及聚光器CO。照明器IL可用以調節輻射光束B，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分布。
參看圖1A，輻射光束B入射於被固持於支撐結構(例如，光罩台)MT上之圖案化器件(例如，光罩)MA上，且係藉由圖案化器件MA而圖案化。在微影裝置100中，輻射光束B係自圖案化器件(例如，光罩)MA反射。在自圖案化器件(例如，光罩)MA反射之後，輻射光束B傳遞通過投影系統PS，投影系統PS將輻射光束B聚焦至基板W之目標部分C上。藉助於第二定位器PW及位置感測器IF2(例如，干涉量測器件、線性編碼器或電容性感測器)，基板台WT可精確地移動，例如，以便在輻射光束B之路徑中定位不同目標部分C。類似地，第一定位器PM及另一位置感測器IF1可用以相對於輻射光束B之路徑而精確地定位圖案化器件(例如，光罩)MA。可使用光罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化器件(例如，光罩)MA及基板W。
參看圖1B，輻射光束B入射於被固持於支撐結構(例如，光罩台MT)上之圖案化器件(例如，光罩MA)上，且係藉由圖案化器件而圖案化。在橫穿光罩MA後，輻射光束B傳遞通過投影系統PS，投影系統PS將光束聚焦至基板W之目標部分C上。藉助於第二定位器PW及位置感測器IF(例如，干涉量測器件、線性編碼器或電容性感測器)，基板台WT可精確地移動，例如，以便在輻射光束B之路徑中定位不同目標部分C。類似地，第一定位器PM及另一位置感測器(其未在圖1B中被明確地描繪)可用以(例如)在自光罩庫之機械擷取之後或在掃描期間相對於輻射光束B之路徑而精確地定位光罩MA。
一般而言，可藉助於形成第一定位器PM之一部分的長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現光罩台MT之移動。類似地，可使用形成第二定位器PW之一部分的長衝程模組及短衝程模組來實現基板台WT之移動。在步進器(與掃描器相對)之情況下，光罩台MT可僅連接至短衝程致動器，或可為固定的。可使用光罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準光罩MA及基板W。儘管如所說明之基板對準標記佔用專用目標部分，但其可位於目標部分之間的空間中(被稱為切割道對準標記)。類似地，在一個以上晶粒提供於光罩MA上之情形中，光罩對準標記可位於該等晶粒之間。
微影裝置100及100'可用於以下模式中之至少一者中：
1.在步進模式中，在將被賦予至輻射光束B之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使支撐結構(例如，光罩台)MT及基板台WT保持基本上靜止(亦即，單次靜態曝光)。接著，使基板台WT在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。
2.在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束B之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描支撐結構(例如，光罩台)MT及基板台WT(亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(或縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT相對於支撐結構(例如，光罩台)MT之速度及方向。
3.在另一模式中，在將被賦予至輻射光束B之圖案投影至目標部分C上時，使支撐結構(例如，光罩台)MT保持大體上靜止，從而固持可程式化圖案化器件，且移動或掃描基板台WT。可使用脈衝式輻射源SO，且在基板台WT之每一移動之後或在掃描期間的順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化器件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化器件(諸如本文所提及之類型的可程式化鏡面陣列)之無光罩微影術。
亦可使用對所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同的使用模式。
儘管在本文中可特定地參考微影裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文所描述之微影裝置可具有其他應用，諸如製造積體光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭，等等。熟習此項技術者應瞭解，在該等替代應用之情境中，可認為本文對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更通用之術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在(例如)軌道(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文所提及之基板。適用時，可將本文之揭示應用於該等及其他基板處理工具。另外，可將基板處理一次以上，(例如)以便形成多層IC，使得本文所使用之術語基板亦可指代已經含有多個經處理層之基板。
在另一實施例中，微影裝置100包括極紫外線(EUV)源，EUV源經組態以產生用於EUV微影術之EUV輻射光束。一般而言，EUV源經組態於輻射系統(見下文)中，且對應照明系統經組態以調節EUV源之EUV輻射光束。
B.實例EUV微影裝置
圖2示意性地描繪根據本發明之一實施例的例示性EUV微影裝置200。在圖2中，EUV微影裝置200包括輻射系統42、照明光學器件單元44及投影系統PS。輻射系統42包括輻射源SO，其中輻射光束可由放電電漿形成。在一實施例中，EUV輻射可由氣體或蒸汽產生，例如，由Xe氣體、Li蒸汽或Sn蒸汽產生，其中形成極熱電漿以發射在電磁光譜之EUV範圍內的輻射。可藉由(例如)放電而產生至少部分地離子化之電漿來形成極熱電漿。為了輻射之有效產生，可能需要為(例如)10Pa之分壓的Xe、Li、Sn蒸汽或任何其他適當氣體或蒸汽。由輻射源SO所發射之輻射係經由定位於源腔室47中之開口中或後的氣體障壁或污染物捕捉器49而自源腔室47傳遞至集光器腔室48中。在一實施例中，氣體障壁49可包括通道結構。
集光器腔室48包括可由掠入射集光器形成之輻射集光器50(其亦可被稱作集光器鏡面或集光器)。輻射集光器50具有上游輻射集光器側50a及下游輻射集光器側50b，且由集光器50所傳遞之輻射可經反射離開光柵光譜濾光器51以在集光器腔室48中之孔徑處聚焦於虛擬源點52處。熟習此項技術者已知輻射集光器50。
自集光器腔室48，輻射光束56係在照明光學器件單元44中經由法線入射反射器53及54而反射至定位於主光罩台或光罩台MT上之主光罩或光罩(未圖示)上。形成經圖案化光束57，其係在投影系統PS中經由反射元件58及59而成像至被支撐於晶圓平台或基板台WT上之基板(未圖示)上。在各種實施例中，照明光學器件單元44及投影系統PS可包括比圖2所描繪之元件多(或少)的元件。舉例而言，取決於微影裝置之類型，可視情況存在光柵光譜濾光器51。另外，在一實施例中，照明光學器件單元44及投影系統PS可包括比圖2所描繪之鏡面多的鏡面。舉例而言，除了反射元件58及59以外，投影系統PS亦可併有一至四個反射元件。在圖2中，參考數字180指示兩個反射器之間的空間，例如，反射器142與143之間的空間。
在一實施例中，代替掠入射鏡面或除了掠入射鏡面以外，集光器鏡面50亦可包括法線入射集光器。另外，儘管關於具有反射器142、143及146之巢套式集光器而進行描述，但在本文中進一步將集光器鏡面50用作集光器之實例。
另外，代替光柵51，如圖2示意性地所描繪，亦可應用透射光學濾光器。熟習此項技術者已知對於EUV為透射之光學濾光器以及對於UV輻射為較不透射或甚至大體上吸收UV輻射之光學濾光器。因此，「光柵光譜純度濾光器」之使用在本文中進一步被可互換地指示為「光譜純度濾光器」，其包括光柵或透射濾光器。儘管圖2中未描繪，但可包括作為額外光學元件之EUV透射光學濾光器(例如，經組態於集光器鏡面50之上游)，或照明單元44及/或投影系統PS中之光學EUV透射濾光器。
相對於光學元件之術語「上游」及「下游」指示一或多個光學元件分別在一或多個額外光學元件之「光學上游」及「光學下游」之位置。遵循輻射光束橫穿通過微影裝置200之光路，比第二光學元件更接近於源SO之第一光學元件經組態於第二光學元件之上游；第二光學元件經組態於第一光學元件之下游。舉例而言，集光器鏡面50經組態於光譜濾光器51之上游，而光學元件53經組態於光譜濾光器51之下游。
圖2所描繪之所有光學元件(及此實施例之示意性圖式中未展示的額外光學元件)均可易受由源SO所產生之污染物(例如，Sn)之沈積的損壞。對於輻射集光器50及(在存在時)光譜純度濾光器51可為該情況。因此，可使用清潔器件以清潔此等光學元件中之一或多者，以及可將清潔方法應用於彼等光學元件，而且應用於法線入射反射器53及54以及反射元件58及59或其他光學元件(例如，額外鏡面、光柵，等等)。
輻射集光器50可為掠入射集光器，且在該實施例中，集光器50係沿著光軸O而對準。源SO或其影像亦可沿著光軸O而定位。輻射集光器50可包含反射器142、143及146(亦被稱作「殼體」(shell)或Wolter型反射器(包括若干Wolter型反射器))。反射器142、143及146可為巢套式且圍繞光軸O而旋轉對稱。在圖2中，內部反射器係由參考數字142指示，中間反射器係由參考數字143指示，且外部反射器係由參考數字146指示。輻射集光器50封閉某一容積，亦即，外部反射器146內之容積。通常，外部反射器146內之容積係圓周閉合的，但可存在小開口。
反射器142、143及146分別可包括至少一部分表示一反射層或許多反射層之表面。因此，反射器142、143及146(或具有三個以上反射器或殼體之輻射集光器之實施例中的額外反射器)經至少部分地設計以用於反射及收集來自源SO之EUV輻射，且反射器142、143及146之至少一部分可能未經設計成反射及收集EUV輻射。舉例而言，反射器之背側之至少一部分可能未經設計成反射及收集EUV輻射。在此等反射層之表面上，可此外存在用於保護之頂蓋層或作為提供於反射層之表面之至少一部分上的光學濾光器。
輻射集光器50可置放於源SO或源SO之影像附近。每一反射器142、143及146可包含至少兩個鄰近反射表面，較遠離於源SO之反射表面與較接近於源SO之反射表面相比經置放成與光軸O成小角度。以此方式，掠入射集光器50經組態以產生沿著光軸O而傳播之(E)UV輻射光束。至少兩個反射器可經大體上同軸地置放且圍繞光軸O而大體上旋轉對稱地延伸。應瞭解，輻射集光器50可具有在外部反射器146之外部表面上之另外特徵或圍繞外部反射器146之另外特徵，例如，保護固持器、加熱器，等等。
在本文所描述之實施例中，術語「透鏡」及「透鏡元件」在情境允許時可指代各種類型之光學組件中之任一者或其組合，包含折射、反射、磁性、電磁及靜電光學組件。
另外，本文所使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋所有類型之電磁輻射，包含紫外線(UV)輻射(例如，具有為365奈米、248奈米、193奈米、157奈米或126奈米之波長λ)、極紫外線(EUV或軟X射線)輻射(例如，具有在為5奈米至20奈米之範圍內的波長，例如，13.5奈米)，或在小於5奈米下工作之硬X射線；以及粒子束(諸如離子束或電子束)。通常，認為具有在約780奈米至3000奈米(或更大)之間的波長之輻射係IR輻射。UV指代具有大約100奈米至400奈米之波長的輻射。在微影術內，其通常亦適用於可由汞放電燈所產生之波長：G線436奈米；H線405奈米；及/或I線365奈米。真空UV或VUV(亦即，由空氣所吸收之UV)指代具有大約100奈米至200奈米之波長的輻射。深UV(DUV)通常指代具有在自126奈米至428奈米之範圍內之波長的輻射，且在一實施例中，準分子雷射可產生用於微影裝置內之DUV輻射。應瞭解，具有在(例如)5奈米至20奈米之範圍內之波長的輻射係關於具有至少一部分係在5奈米至20奈米之範圍內之某一波長帶的輻射。
III.用於具有高熱傳導性之EUV主光罩的例示性基板
圖3示意性地描繪由單一基板材料層形成之現有EUV反射主光罩300的實例。在圖3中，主光罩300包括基板302，一或多個高反射材料層已安置至基板302上以形成反射層304。圖案(未圖示)可經由經圖案化抗蝕劑層之化學蝕刻或(另外或或者)經由對於熟習此項技術者為顯而易見之任何其他技術而形成至層304之反射表面304a上。
通常，現有EUV反射主光罩之基板(諸如基板302)係由光學級玻璃、陶瓷、玻璃-陶瓷材料及以在一寬溫度範圍(例如，包括基板於EUV微影裝置中被曝光至之溫度範圍)內之相對較低熱膨脹係數及高彈性模數為特徵的其他材料建構。舉例而言，基板302可由超低膨脹(ULE)鈦-矽酸鹽玻璃(諸如由Corning,Incorporated,of Corning,New York製造之ULE鈦-矽酸鹽玻璃)形成。
然而，由此等材料建構之基板亦展現在基板於EUV微影裝置中被曝光至之溫度範圍內的相對較低熱傳導性值。舉例而言，ULE玻璃之平均熱傳導性在25℃下為大約1.31W/(m-℃)，而鋁之平均熱傳導性在25℃下為大約250W/(m-℃)。該等熱傳導性值可導致在基板之厚度內的相對較大熱阻(亦即，基板之厚度與其熱傳導性的商數)，藉此抑制熱遍及基板之均一分布及熱自基板至EUV微影裝置之周圍部分(包括(但不限於)支撐主光罩之一或多個器件)之傳導。
如以上所描述，現有EUV主光罩可吸收入射EUV輻射光束之在大約30%與100%之間的能量。藉由主光罩而對EUV輻射之該吸收可導致基板之局域化加熱，其歸因於基板之機械性質而通常不能夠遍及基板而擴散或經傳導遠離於基板。在該等情況下，此加熱可使基板局域地變形且因此使對應反射層之經圖案化表面(例如，圖3中之反射層308之表面308a)局域地變形。另外，圖案表面之熱驅動失真可使被賦予至入射輻射光束上之圖案失真，且將誤差引入至藉由EUV微影裝置而投影至基板上之影像中。
一般而言，現有EUV微影裝置不能夠補償藉由圖案化表面之熱失真而引入至經圖案化影像中之多於一小分數的誤差。因而，經圖案化影像及圖案化表面兩者之熱失真為限制現有EUV微影裝置中之成像效能的因素。另外，隨著將更多能量傳送至反射主光罩以滿足EUV微影裝置中之容積製造之增加的產出率需求，將很可能加劇歸因於主光罩加熱之圖案失真的問題。
在一實施例中，可藉由增加反射主光罩中之基板的熱傳導性來減輕歸因於輻射吸收之局域化主光罩加熱的效應。藉由增加基板之熱傳導性且藉此降低基板之熱阻(在恆定厚度下)，歸因於經吸收輻射之局域化加熱可遍及基板而更均一地分布，且可更有效地經傳導遠離於基板而進入周圍支撐器件，包括(但不限於)主光罩夾盤或光罩台。因此，主光罩基板之熱傳導性的增加可大體上減少或消除圖案化表面之任何誘發性失真且因此大體上減少或消除經圖案化影像中之任何誘發性誤差。
包括於用於EUV微影裝置之反射主光罩中的一適當基板材料為菫青石，其為可自許多供應商(包括(但不限於)Hitachi Metals America Ltd. of Tarrytown,New York)購得之陶瓷材料。菫青石在由EUV主光罩所經歷之操作溫度範圍內具有為大體上零之熱膨脹係數的同時亦具有比現有主光罩基板材料之熱傳導性大大約三倍的熱傳導性。舉例而言，在ULE玻璃在25℃下具有大約1.31W/(m-℃)之熱傳導性的同時，菫青石在25℃下之熱傳導性為大約3.0W/(m-℃)。
然而，固體菫青石之微結構致使材料不適合用作現有反射主光罩中之基板。固體菫青石併有微觀空隙，微觀空隙在拋光後便在經拋光菫青石表面中形成孔及其他缺陷。此等表面缺陷之存在致使經拋光菫青石表面不適合用於施加反射材料以形成主光罩之反射層(例如，圖3中之主光罩300之反射層308)。
在一實施例中，致使菫青石不適合用作現有反射主光罩中之基板的微結構缺陷可藉由將相對較薄光學材料層黏合至菫青石基板之表面而進行補救。在該實施例中，且如圖4A及圖4B所描繪，薄光學層可經處理(例如，拋光)以產生無表現經拋光菫青石表面之特性之彼等缺陷且適合於施加反射材料的大體上平坦表面。在該實施例中，光學層足夠薄以提供小熱阻，同時提供供以執行表面拋光、膜施加及圖案化之習知玻璃表面。
圖4A為根據本發明之一實施例的適合用於微影裝置中之例示性反射主光罩400的分解示意圖。與用於EUV微影裝置(諸如圖3所描繪之EUV微影裝置)之現有反射主光罩技術對比，主光罩400包括基板402、光學層404，及安置於基板402與光學層404之間的傳導層406。在該實施例中，主光罩400之複合本性大體上減少或消除主光罩表面之失真，及在經圖案化影像中歸因於輻射之吸收的表現現有EUV反射主光罩之特性之誤差的引入。
在圖4A中，光學層404具有第一表面404a及第二表面404b，且基板402具有第一表面402a及第二表面402b。在該實施例中，傳導層406安置於光學層404之第一表面404a與基板402之第一表面402a之間。另外，在一實施例中，傳導層406可安置至光學層404之第一表面404a上。
在一實施例中，傳導層406可為金屬層，包括(但不限於)鋁、非金屬傳導材料(諸如石墨)或其任何組合。另外，在一實施例中，可經由對於熟習此項技術者為顯而易見且適合於材料之許多沈積技術中的任一者而將傳導層406沈積至光學層404之第一表面404a上。舉例而言，可使用濺鍍沈積或噴霧沈積而將傳導層406沈積於光學層404之第一表面404a上。在額外實施例中，可使用適合於傳導層406及光學層404之任何額外或替代技術來預製造傳導層406且將傳導層406接合至光學層404之第一表面404a。
圖4B示意性地描繪圖4A所描繪之例示性主光罩400的額外特徵。在圖4B中，主光罩400已藉由將安置至表面404a上之傳導層406接合至基板402之第一表面402a以形成主光罩400而形成。在一實施例中，可使用對於熟習此項技術者為顯而易見之任何數目之技術(包括(但不限於)陽極接合)而將傳導層406接合至第一表面402a。
在一實施例中，主光罩400之第二表面402b(及基板402)可在EUV微影裝置內由主光罩夾盤、光罩台或任何其他器件支撐。在該實施例中，主光罩夾盤、光罩台或其他器件可擔當用於主光罩400之散熱片，藉此促進熱自主光罩400至EUV微影裝置之各種組件之轉移。
在一實施例中，且如圖4B所描繪，光學層404可接合或以另外方式附著至基板402，使得光學層404之第一層404a大體上平行於基板402之第一表面402a。另外，光學層404之第二表面404b亦大體上平行於第一表面404a，且類似地，基板402之第二表面402b大體上平行於第一表面402a。然而，本發明不限於以該等組態而接合或以另外方式附著之基板及光學層。在一額外實施例中，基板402及光學層404之各別第一表面及第二表面可在不脫離本發明之精神或範疇的情況下分別以包括(但不限於)相對於彼此以任何角度而配置的任何組態而定向。
在一實施例中，且如以上所描述，光學層404可由在由主光罩400所經歷之溫度範圍內具有為大體上零之熱膨脹係數的材料形成。舉例而言，光學層404可由超低膨脹(ULE)鈦矽酸鹽玻璃(其係由Corning,Incorporated,of Corning,New York製造)形成。在該實施例中，可選擇光學層404之厚度以維持相對較低熱阻，同時提供具有足夠完整性之表面以支援拋光及反射膜之施加。舉例而言，光學層404之厚度可在大約0.1毫米至大約0.5毫米之範圍內，但低至大約0.025毫米之厚度可為可能的。
另外，且如以上所描述，基板402可由菫青石形成，菫青石在該溫度範圍內具有大體上零熱膨脹係數，且其亦具有比光學層之熱傳導性大大約三倍的熱傳導性(例如，菫青石在25℃下具有大約3.0W/(m-℃)之熱傳導性，且ULE玻璃在25℃下具有大約1.31W/(m-℃)之熱傳導性)。在一實施例中，基板402之厚度可在大約5.25毫米至大約6.25毫米之範圍內。
如以上所描述，主光罩400在併入至EUV微影裝置中時可吸收在大約30%與100%之間的入射EUV輻射光束。然而，在圖4A及圖4B之實施例中，可由EUV輻射之吸收引起的光學層404之局域化加熱歸因於光學層404之低熱阻而經快速地擴散或傳導通過光學層404且通過傳導層406而進入基板402。另外，因為基板402之熱傳導性大體上高於現有EUV主光罩之基板之熱傳導性，所以歸因於EUV輻射之吸收的局域化加熱遍及基板而均一地擴散，且經快速地耗散通過基板而進入主光罩夾盤、光罩台或在EUV微影裝置內支撐主光罩400之其他結構。因此，且與圖3所描繪之現有EUV主光罩對比，主光罩400大體上減少或消除主光罩表面之任何失真，且因此大體上減少或消除歸因於來自經吸收EUV輻射之局域化加熱的任何誘發性圖案誤差。
在圖4A及圖4B之實施例中，將傳導層406安置於光學層404之第一表面404a上，且隨後將傳導層406接合至基板402之第一表面402a。然而，在額外實施例中，中間材料 層可進一步使光學層404絕緣於基板402。舉例而言，由菫青石形成之基板可能不足夠電傳導以陽極接合至傳導層406。在該實施例中，可將中間層定位於基板402與光學層404之間以促進該陽極接合。
圖5A為根據本發明之一額外實施例的用於EUV微影系統中之例示性反射主光罩500的分解示意圖。與圖4之實施例對比，主光罩500包括使基板502分離於光學層504之中間層530。在該實施例中，中間層530促進光學層504與基板502之間的接合。
類似於圖4A及圖4B之實施例，光學層504具有第一表面504a及第二表面504b。在一實施例中，第二表面504b可經由對於熟習此項技術者為顯而易見之許多技術中的任一者(包括(但不限於)使用各種研磨化合物進行拋光)而經處理成大體上平坦且無缺陷。
將傳導層506安置於光學層504之第一表面504a與中間層530之第一中間表面530a之間。在圖5A之實施例中，將傳導層506安置至第一表面504a上。然而，本發明不限於該等組態，且在額外實施例中，可在不脫離本發明之精神或範疇的情況下將傳導層506安置至中間層530之第一中間表面530a上。
在該等實施例中，傳導層506可為金屬層，包括(但不限於)鋁、非金屬傳導材料(諸如石墨)或其任何組合。另外，在一實施例中，可經由對於熟習此項技術者為顯而易見且適合於材料之許多沈積技術中的任一者而將傳導層506沈積至光學層504之第一表面504a上(或或者，沈積至中間層530之第一中間表面530a上)。舉例而言，可使用任何濺鍍沈積、噴霧沈積或物理氣相沈積技術而將傳導層506沈積於第一表面504a或第一中間表面530a上。
在額外實施例中，傳導層506可為經預製造傳導材料層。在該等實施例中，經預製造傳導層506可接合至光學層504之第一表面504a或中間層530之第一中間表面530a，此對於熟習此項技術者為顯而易見且適合於材料。
與圖4A及圖4B之實施例進一步對比，將第二傳導層516安置於中間層530與基板502之間。在圖5A之實施例中，將第二傳導層516安置至基板502之第一表面502a上。然而，本發明不限於該組態，且在一額外實施例中，可在不脫離本發明之精神或範疇的情況下將傳導層516安置至中間層530之第二中間表面530b上。
在該等實施例中，且類似於以上所描述之實施例，傳導層516可為金屬層，包括(但不限於)鋁、非金屬傳導材料(諸如石墨)或其任何組合。另外，在一實施例中，可經由對於熟習此項技術者為顯而易見且適合於材料之許多沈積技術中的任一者而將傳導層516沈積至基板502之第一表面502a上(或或者，沈積至中間層530之第二中間表面530b上)。舉例而言，可使用任何濺鍍沈積、噴霧沈積或物理氣相沈積技術而將傳導層516沈積於第一表面502a或第二中間表面530b上。
圖5B示意性地描繪圖5A所描繪之主光罩500的額外特徵。在圖5B中，已藉由首先將如安置至光學層504之第一表面504a上的傳導層506接合至中間層530之第一中間表面530a且藉由接著將如安置於基板502之第一表面502a上的傳導層516接合至中間層530之第二中間表面530b而形成主光罩500。在一實施例中，可將傳導層506及513分別陽極接合至第一中間表面530a及第二中間表面530b。然而，本發明不限於陽極接合，且在額外實施例中，可使用對於熟習此項技術者為顯而易見且適合於中間層530以及傳導層506及516之許多技術中的任一者而將傳導層506及516中之一或多者分別接合或以另外方式附著至對應第一中間表面530a及第二中間表面530b。
在一實施例中，基板502之第二表面502b(及因此，主光罩500)可由主光罩夾盤、光罩台或經組態以在EUV微影裝置內支撐主光罩500之任何其他器件支撐。在該實施例中，主光罩夾盤、光罩台或其他器件可擔當用於主光罩500之散熱片，藉此促進熱自主光罩500至EUV微影裝置之各種組件之轉移。
在圖5A及圖5B之實施例中，光學層504之第一表面504a及第二表面504b、基板502之第一表面502a及第二表面502b與中間層530之第一中間表面530a及第二中間表面530b全部分別大體上相互平行。然而，本發明不限於以該等組態而接合或以另外方式附著之基板及光學層。在一額外實施例中，光學層504之第一表面504a及第二表面504b、基板502之第一表面502a及第二表面502b與中間層530之第一中間表面530a及第二中間表面530b中的一或多者可在不脫離本發明之精神或範疇的情況下相對於任何其他表面以任何角度而安置，此對於熟習此項技術者將為顯而易見且將適合於主光罩500。
在一實施例中，且如以上參看圖4A及圖4B所描述，光學層504可由在由主光罩500所經歷之溫度範圍內具有為大體上零之熱膨脹係數的材料(包括(但不限於)超低膨脹(ULE)鈦矽酸鹽玻璃)形成。在該實施例中，可選擇光學層504之厚度以維持相對較低熱阻且提供具有足夠完整性之表面以支援拋光。舉例而言，光學層504之厚度可在大約0.1毫米至大約0.5毫米之範圍內，但低至大約0.025毫米之厚度可為可能的。
另外，且如以上所描述，基板502可由菫青石形成，菫青石在該操作溫度範圍內具有大體上零熱膨脹係數，且其亦具有比光學層之熱傳導性大大約三倍的熱傳導性(例如，菫青石在25℃下具有大約3.0W/(m-℃)之熱傳導性，且ULE玻璃在25℃下具有大約1.31W/(m-℃)之熱傳導性)。在一實施例中，基板502之厚度可在大約5.25毫米至大約6.25毫米之範圍內。
另外，在圖5A及圖5B之實施例中，中間層530可由玻璃材料、陶瓷材料或具有為大體上零之熱膨脹係數的玻璃-陶瓷材料形成。舉例而言，中間層530可由微晶玻璃形成，微晶玻璃為由Schott North America,Inc.of Elmsford,New York製造之無孔無機玻璃-陶瓷材料。另外，在一實 施例中，中間層530之厚度可大體上小於基板502之厚度，且經選擇成使得中間層之熱阻大體上等於或小於光學層504之熱阻。舉例而言，由微晶玻璃形成之中間層之厚度可在大約0.1毫米至大約0.5毫米之範圍內，但低至大約0.025毫米之厚度可為可能的。
然而，本發明不限於由微晶玻璃形成之中間層，且在額外實施例中，中間層530可由具有適當機械性質(例如，在一操作溫度範圍內之大體上零熱膨脹係數)且能夠促進與光學層504及基板502之陽極接合之許多材料中的任一者形成。
如以上所描述，主光罩500在併入至EUV微影裝置中時可吸收在大約30%與100%之間的入射EUV輻射光束。然而，且類似於圖4A及圖4B之實施例，可由EUV輻射之吸收引起的光學層504之任何局域化加熱歸因於光學層之低熱阻而經快速地擴散(例如，傳導)通過光學層、通過傳導層506而進入中間層530，且隨後通過第二傳導層516且進入基板502。另外，因為基板502之熱傳導性大體上高於現有EUV主光罩之基板中之熱傳導性，所以歸因於EUV輻射之吸收的基板之局域化加熱遍及基板而擴散，且經耗散通過主光罩夾盤、光罩台或在EUV微影裝置內支撐主光罩500之其他結構。因此，且與圖3所描繪之現有EUV主光罩對比，主光罩500亦大體上減少或消除主光罩表面之任何失真，且因此大體上減少或消除歸因於來自經吸收EUV輻射之局域化加熱的任何誘發性圖案誤差。
圖6示意性地描繪根據本發明之一實施例的在額外處理及圖案化之後的例示性主光罩600(諸如圖4A至圖4B及圖5A至圖5B所描繪之主光罩)之一部分。在圖6中，主光罩600之光學層604具有安置有傳導塗層606之第一表面604a，及第二表面604b。在圖6之實施例中，使用對於熟習此項技術者為顯而易見之許多技術中的任一者來處理第二表面604b，以產生大體上無任何缺陷之大體上平坦表面。在該實施例中，可將對於EUV輻射為高度反射之材料層608施加至經拋光表面604b，且可在反射層內形成圖案。舉例而言，可將抗蝕劑層施加至層608，可將彼抗蝕劑層曝光至適當波長之輻射，且可使用對於熟習此項技術者為顯而易見之任何技術來蝕刻經曝光抗蝕劑層以在層608上形成圖案。
在一實施例中，主光罩之製造商可將高度反射層608施加至光學層604之表面604b。然而，在額外實施例中，主光罩600之最終使用者可在將主光罩600傳送至使用者之後將高度反射層608施加至光學層604之第二表面604b。另外，在一實施例中，如以上所描述，主光罩之最終使用者亦可在傳送之後圖案化高度反射層608。
圖7為根據本發明之一實施例的用於製造適合用於EUV微影裝置中之主光罩(諸如圖4A及圖4B之主光罩400)之例示性方法700的流程圖。在步驟702中，將包括(但不限於)鋁之傳導材料層安置至超低膨脹(ULE)鈦-矽酸鹽玻璃層之第一表面上。在該實施例中，選擇ULE玻璃層之厚度，使得ULE玻璃層之熱阻在一溫度範圍內相對較低。
在一實施例中，可使用對於熟習此項技術者為顯而易見且適合於材料之許多沈積技術中的任一者而將傳導層安置至ULE玻璃層之第一表面上。舉例而言，步驟702可使用任何濺鍍沈積、噴霧沈積或物理氣相沈積技術而將傳導層沈積至ULE玻璃層之第一表面上。
隨後，在步驟704中將安置於ULE玻璃層上之傳導層接合至菫青石基板之第一表面以形成主光罩。在一實施例中，步驟704將菫青石基板之第一表面陽極接合至傳導層。然而，在額外實施例中，可在不脫離本發明之精神或範疇的情況下使用對於熟習此項技術者為顯而易見且適合於菫青石基板及傳導層之任何數目之技術而將菫青石基板之第一表面接合或以另外方式附著至傳導層。
接著，在步驟706中處理ULE玻璃層之第二表面以形成大體上無缺陷之大體上平坦表面。在一實施例中，可在步驟706中拋光ULE玻璃層之第二表面以得到大體上平坦且大體上無缺陷之表面。然而，在一額外或替代實施例中，可在步驟706中在不脫離本發明之精神或範疇的情況下使用對於熟習此項技術者為顯而易見之任何技術來處理第二表面。
圖8為根據本發明之一實施例的用於製造適合用於EUV微影裝置中之主光罩(諸如圖5A及圖5B之主光罩500)之例示性方法800的流程圖。在步驟802中，將包括(但不限於)鋁之傳導材料層安置至(i)超低膨脹(ULE)鈦-矽酸鹽玻璃層之第一表面及(ii)菫青石基板之第一表面上。在一實施例中，選擇ULE玻璃(或另一光學層)之厚度，使得ULE玻璃(或另一光學層)之熱阻在一可適用溫度範圍內相對較低。
在一實施例中，可使用對於熟習此項技術者為顯而易見且適合於材料之許多沈積技術中的任一者而將傳導層安置至ULE玻璃層之第一表面及菫青石基板之第一表面上。舉例而言，步驟802可使用任何濺鍍沈積、噴霧沈積或物理氣相沈積技術而將傳導層沈積至ULE玻璃層之第一表面及菫青石基板之第一表面上。
隨後，在步驟804中將安置於菫青石基板上之傳導層接合至中間微晶玻璃層(例如，圖5A及圖5B之層530)之第一表面。另外，在步驟806中，接著將安置於ULE玻璃層上之傳導層接合至微晶玻璃層之第二表面，藉此形成主光罩。
在一實施例中，可在步驟804及806中將傳導層中之一或多者陽極接合至微晶玻璃層之各別表面。然而，在額外實施例中，可在步驟804及806中在不脫離本發明之精神或範疇的情況下使用對於熟習此項技術者為顯而易見且適合於菫青石基板及微晶玻璃層之任何數目之技術而將傳導層接合或以另外方式附著至微晶玻璃層之各別表面。
接著，在步驟808中處理ULE玻璃層之第二表面以形成大體上無缺陷之大體上平坦表面。在一實施例中，可在步驟808中拋光ULE玻璃層之第二表面以得到大體上平坦且大體上無缺陷之表面。然而，在一額外或替代實施例中，可在步驟808中在不脫離本發明之精神或範疇的情況下使用對於熟習此項技術者為顯而易見之任何其他技術來處理第二表面。
在一額外實施例(未圖示)中，可將對於EUV輻射為高度反射之材料層施加至藉由圖7及圖8之例示性方法所產生之主光罩之經拋光表面。另外，對於熟習此項技術者將顯而易見，可使用適合於反射材料及EUV微影製程之許多技術中的任一者而將圖案形成於經施加反射層上。舉例而言，可將抗蝕劑層施加至經拋光表面，可將彼抗蝕劑層曝光至適當波長之輻射，且可蝕刻經曝光抗蝕劑層以在經拋光表面上形成圖案。另外，在額外實施例中，可在傳送至最終使用者之前由主光罩之製造商執行該等額外施加及圖案化步驟。或者，可使用圖7及圖8之方法來製造主光罩，且最終使用者可施加及圖案化反射塗層。
如以上參看圖5A及圖5B所描述，本發明不限於由微晶玻璃形成之中間層。在額外實施例中，中間層可由具有適當機械性質(例如，在一操作溫度範圍內之大體上零熱膨脹係數)且能夠促進與ULE玻璃層及菫青石基板之陽極接合之許多材料中的任一者形成。
在以上所描述之實施例中，在由超低膨脹(ULE)鈦-矽酸鹽玻璃形成之光學層方面描述反射主光罩。然而，本發明之光學層不限於該等材料。在額外實施例中，本文所描述之反射主光罩可包括由任何材料形成之光學層，該材料(i)在一操作溫度範圍內具有為表現EUV微影裝置之特性的大體上零之熱膨脹係數，及(ii)能夠經處理以得到大體上無缺陷且順從於施加一或多個反射材料層之大體上平坦表面。
另外，在以上所描述之實施例中，在菫青石陶瓷材料方面描述主光罩基板。然而，本發明之主光罩基板不限於該等材料。在額外實施例中，本文所描述之主光罩可包括由任何材料形成之基板，該材料具有(i)在一操作溫度範圍內具有為表現EUV微影裝置之特性的大體上零之熱膨脹係數、(ii)在彼溫度範圍內具有相對較高之彈性模數，及(iii)在彼溫度範圍內具有大體上高於光學層之熱傳導性的熱傳導性。
本發明之反射主光罩(如本文經由其各種實施例所描述)大體上減少或消除主光罩表面之任何失真，且因此大體上減少或消除歸因於來自經吸收EUV輻射之局域化加熱的任何誘發性圖案誤差。光學層之任何局域化加熱歸因於光學層之低熱阻而經快速地擴散通過光學層且進入基板。另外，因為基板之熱傳導性大體上高於現有EUV主光罩之基板中之熱傳導性，所以歸因於EUV輻射之吸收的在基板處所接收之任何局域化熱流通量均遍及基板而擴散，且經耗散通過基板且進入主光罩夾盤、光罩台或在EUV微影裝置內支撐主光罩之其他結構。因此，且與圖3所描繪之現有EUV主光罩對比，本發明之主光罩大體上減少或消除歸因於經吸收EUV輻射的圖案化表面之熱失真，同時維持符合業界標準之主光罩厚度。
結論
儘管以上已描述本發明之各種實施例，但應理解，其已僅藉由實例而非限制進行呈現。對於熟習相關技術者將顯而易見，在不脫離本發明之精神及範疇的情況下，可在該等實施例中進行形式及細節上之各種改變。因此，本發明之寬度(breadth)及範疇不應由上述例示性實施例中之任一者限制，而應僅根據以下申請專利範圍及其等效物進行界定。
應瞭解，[實施方式]章節而非[發明內容]及[中文發明摘要]章節意欲用以解釋申請專利範圍。[發明內容]及[中文發明摘要]章節可闡述如由發明人所預期的本發明之一或多個而非所有例示性實施例，且因此，不意欲以任何方式來限制本發明及附加申請專利範圍。
42‧‧‧輻射系統
44‧‧‧照明光學器件單元/照明單元
47‧‧‧源腔室
48‧‧‧集光器腔室
49‧‧‧氣體障壁/污染物捕捉器
50‧‧‧輻射集光器/集光器鏡面/掠入射集光器
50a‧‧‧上游輻射集光器側
50b‧‧‧下游輻射集光器側
51‧‧‧光柵光譜濾光器/光柵/光譜純度濾光器
52‧‧‧虛擬源點
53‧‧‧法線入射反射器/光學元件
54‧‧‧法線入射反射器
56‧‧‧輻射光束
57‧‧‧經圖案化光束
58‧‧‧反射元件
59‧‧‧反射元件
100‧‧‧微影裝置
100'‧‧‧微影裝置
142‧‧‧反射器/內部反射器
143‧‧‧反射器/中間反射器
146‧‧‧反射器/外部反射器
180‧‧‧兩個反射器之間的空間
200‧‧‧EUV微影裝置
300‧‧‧EUV反射主光罩
302‧‧‧基板
304‧‧‧反射層
304a‧‧‧反射表面
400‧‧‧反射主光罩
402‧‧‧基板
402a‧‧‧基板402之第一表面
402b‧‧‧基板402之第二表面
404‧‧‧光學層
404a‧‧‧光學層404之第一表面
404b‧‧‧光學層404之第二表面
406‧‧‧傳導層
500‧‧‧反射主光罩
502‧‧‧基板
502a‧‧‧基板502之第一表面
502b‧‧‧基板502之第二表面
504‧‧‧光學層
504a‧‧‧光學層504之第一表面
504b‧‧‧光學層504之第二表面
506‧‧‧傳導層
516．．．第二傳導層
530．．．中間層
530a．．．中間層530之第一中間表面
530b．．．中間層530之第二中間表面
600．．．主光罩
604．．．光學層
604a．．．光學層604之第一表面
604b．．．光學層604之第二表面
606．．．傳導塗層
608．．．材料層/高度反射層
AD．．．調整器
B．．．輻射光束
BD．．．光束傳送系統
C．．．目標部分
CO．．．聚光器
IF．．．位置感測器
IF1．．．位置感測器
IF2．．．位置感測器
IL．．．照明系統/照明器
IN．．．積光器
M1．．．光罩對準標記
M2．．．光罩對準標記
MA．．．圖案化器件/光罩
MT．．．支撐結構/光罩台
O．．．光軸
P1．．．基板對準標記
P2．．．基板對準標記
PM．．．第一定位器
PS．．．投影系統
PW．．．第二定位器
SO．．．輻射源
W．．．基板
WT．．．基板台
圖1A及圖1B分別描繪反射微影裝置及透射微影裝置；
圖2描繪實例EUV微影裝置；
圖3示意性地描繪用於EUV微影裝置中之現有反射主光罩；
圖4A及圖4B示意性地描繪根據本發明之一實施例的適合用於EUV微影裝置中之例示性反射主光罩的特徵；
圖5A及圖5B示意性地描繪根據本發明之一額外實施例的適合用於EUV微影裝置中之例示性反射主光罩的特徵；
圖6描繪圖4A、圖4B、圖5A及圖5B之例示性反射主光罩的額外特徵；及
圖7及圖8描繪根據本發明之實施例的用於製造適合用於EUV微影裝置中之反射主光罩的例示性方法。
上文已參看隨附圖式來描述本發明之一或多個實施例。在該等圖式中，相似參考數字可指示相同或功能類似之元件。
400．．．反射主光罩
402．．．基板
402a．．．基板402之第一表面
402b．．．基板402之第二表面
404．．．光學層
404a．．．光學層404之第一表面
404b．．．光學層404之第二表面
406．．．傳導層

Claims (39)

  1. 一種主光罩，其包含：一光學層，該光學層具有一第一表面及一第二表面；一基板，其中該基板之一熱傳導性實質上大於該光學層之一熱傳導性；及一傳導層，該傳導層安置於該光學層與該基板之間，該傳導層接合至(i)該基板之一表面及(ii)該光學層之該第一表面中的一或多者。
  2. 如請求項1之主光罩，其中：該光學層包含具有一實質上零熱膨脹係數之一材料；且該基板包含具有一實質上零熱膨脹係數之一材料。
  3. 如請求項1之主光罩，其中：該光學層包含超低膨脹(ULE)玻璃；該基板包含菫青石；且該傳導層包含鋁。
  4. 如請求項1之主光罩，其中該傳導層安置於該光學層之該第一表面上。
  5. 如請求項4之主光罩，其中該傳導層接合至該基板之該表面。
  6. 如請求項5之主光罩，其中該傳導層係陽極接合至該基板之該表面。
  7. 如請求項4之主光罩，其進一步包含：一第二傳導層，該第二傳導層安置於該基板之該表面上；及 一中間層，該中間層安置於該傳導層與該第二傳導層之間，其中：該傳導層接合至該中間層之一第一表面；且該第二傳導層接合至該中間層之一第二表面。
  8. 如請求項7之主光罩，其中：該傳導層係陽極接合至該中間層之該第一表面；且該第二傳導層係陽極接合至該中間層之該第二表面。
  9. 如請求項7之主光罩，其中該中間層包含具有一實質上零熱膨脹係數之一材料。
  10. 如請求項7之主光罩，其中：該中間層包含微晶玻璃；且該第二傳導層包含鋁。
  11. 如請求項1之主光罩，其中該光學層之第二表面實質上平坦且實質上無缺陷。
  12. 如請求項11之主光罩，其進一步包含安置於該光學層之該第二表面上的一反射層。
  13. 如請求項1之主光罩，其中該基板之一厚度大於該光學層之一厚度。
  14. 一種微影裝置，其包含：一照明系統，該照明系統經組態以針對一主光罩產生一輻射光束，該主光罩經組態以圖案化該輻射光束；及一投影系統，該投影系統經組態以將該經圖案化光束投影至一基板之一目標部分上， 其中該主光罩包含：一光學層，該光學層具有一第一表面及一第二表面；一基板，其中該基板之一熱傳導性實質上大於該光學層之一熱傳導性；及一傳導層，該傳導層安置於該光學層與該基板之間，該傳導層接合至(i)該基板之一表面及(ii)該光學層之該第一表面中的一或多者。
  15. 如請求項14之微影裝置，其中：該光學層包含具有一實質上零熱膨脹係數之一材料；且該基板包含具有一實質上零熱膨脹係數之一材料。
  16. 如請求項14之微影裝置，其中：該光學層包含超低膨脹(ULE)玻璃；該基板包含菫青石；且該傳導層包含鋁。
  17. 如請求項14之微影裝置，其中該傳導層安置至該光學層之該第一表面上。
  18. 如請求項17之微影裝置，其中該傳導層接合至該基板之該表面。
  19. 如請求項18之微影裝置，其中該傳導層係陽極接合至該基板之該表面。
  20. 如請求項17之微影裝置，其進一步包含：一第二傳導層，該第二傳導層安置於該基板之該表面上；及 一中間層，該中間層安置於該傳導層與該第二傳導層之間，其中：該傳導層接合至該中間層之一第一表面；且該第二傳導層接合至該中間層之一第二表面。
  21. 如請求項20之微影裝置，其中：該傳導層係陽極接合至該中間層之該第一表面；且該第二傳導層係陽極接合至該中間層之該第二表面。
  22. 如請求項20之微影裝置，其中該中間層包含具有一實質上零熱膨脹係數之一材料。
  23. 如請求項20之微影裝置，其中：該中間層包含微晶玻璃；且該第二傳導層包含鋁。
  24. 如請求項14之微影裝置，其中該光學層之第二表面實質上平坦且實質上無缺陷。
  25. 如請求項24之微影裝置，其進一步包含安置至該光學層之該第二表面上的一反射層。
  26. 如請求項14之微影裝置，其中該基板之一厚度大於該光學層之一厚度。
  27. 一種用於製造一主光罩之方法，其包含：將一傳導材料層安置至一光學層之一第一表面上；及將該傳導材料層接合至(i)一中間層之一第一表面或(ii)一基板之一表面中的一者，該基板具有實質上大於該光學層之一熱傳導性的一熱傳導性。
  28. 如請求項27之方法，其中該安置步驟包含：將一鋁層安置至該光學層之該第一表面上。
  29. 如請求項27之方法，其中該接合步驟包含：將該傳導材料層陽極接合至(i)該中間層之該表面或(ii)該基板之該表面中的一者。
  30. 如請求項27之方法，其中該接合步驟包含：將該傳導材料層接合至該中間層之該第一表面；將一第二傳導材料層安置至該基板之該表面上；及將該第二傳導材料層接合至該中間層之一第二表面。
  31. 如請求項30之方法，其中將該第二傳導材料層安置至該基板之該表面上包含將一鋁層安置於該基板之該表面上。
  32. 如請求項27之方法，其中該接合步驟包含將該傳導材料層接合至該基板之該表面。
  33. 如請求項27之方法，其進一步包含：將該光學層之一第二表面處理成實質上平坦且實質上無缺陷。
  34. 如請求項27之方法，其進一步包含：將一反射塗層施加至該經處理之第二表面；及在該反射塗層上形成一圖案。
  35. 一種用於製造用於一極紫外線微影(EUVL)系統中之主光罩的方法，其包含：將一厚基板接合至一薄膜多層塗層以用於提供具有一第一熱傳導性之一EUVL主光罩，該第一熱傳導性相對 地高於以一單一材料層而形成之一反射微影主光罩之一第二熱傳導性。
  36. 如請求項35之方法，其中將一厚基板接合至一薄膜多層塗層進一步包含：使用一金屬層而將該厚基板與該薄膜多層塗層進行陽極接合。
  37. 如請求項36之方法，其中將該厚基板與該薄膜多層塗層進行陽極接合進一步包含：使用鋁以將該厚基板與該薄膜多層塗層之一或多個層進行陽極接合。
  38. 如請求項35之方法，其中將一厚基板接合至一薄膜多層塗層進一步包含：形成一個三件式夾層，其中微晶玻璃係用作一中間附著層，其中微晶玻璃接合至一塗覆鋁之菫青石基板，該菫青石基板又接合至一塗覆鋁之超低膨脹(ULE)玻璃板。
  39. 如請求項35之方法，其中將一厚基板接合至一薄膜多層塗層進一步包含：在一微晶玻璃層上陽極接合一超低膨脹(ULE)玻璃板；及將該微晶玻璃層陽極接合至為該厚基板之菫青石。
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