DE102005027697A1

DE102005027697A1 - EUV-Reflexionsmaske und Verfahren zu deren Herstellung

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Publication number: DE102005027697A1
Application number: DE102005027697A
Authority: DE
Inventors: Frank-Michael Kamm; Siegfried Schwarzl; Christian Dr. Holfeld
Original assignee: Infineon Technologies AG; Advanced Mask Technology Center GmbH and Co KG
Current assignee: Advanced Mask Technology Center GmbH and Co KG; Qimonda AG
Priority date: 2005-06-15
Filing date: 2005-06-15
Publication date: 2006-12-28
Also published as: TW200702898A; TWI310878B; US20060292459A1; JP2006352134A

Abstract

EUV-Maske mit erhabenen Abschnitten und dazwischen liegenden Gräben, wobei die Maske mindestens folgende Schichten aufweist: DOLLAR A - Substrat mit einem sehr geringen thermischen Ausdehnungs-Koeffizienten; DOLLAR A - ein Multilayer aus z. B. Molybdän und Silizium; DOLLAR A - eine Capping-Schicht (aus z. B. Silizium), DOLLAR A wobei die erhabenen Abschnitte der EUV-Maske auf einer durchgehenden leitfähigen Schicht angeordnet sind.

Description

Die Erfindung betrifft eine Maske für die EUV-Technologie sowie ein Verfahren zur Herstellung von EUV-Masken.
Bei der Herstellung von Mikrochips werden für die Strukturierung von Halbleitersubstraten dünne Schichten von Fotoresists eingesetzt. Die Fotoresists lassen sich durch Belichtung mit Hilfe einer Fotomaske oder durch direkte Bestrahlung, zum Beispiel mit einem Elektronenstrahl, selektiv in ihrer chemischen Natur verändern. Damit können die belichteten oder die nicht belichteten Bereiche mit einem Entwickler selektiv abgetragen werden, da abhängig vom eingesetzten Resist nur die belichteten oder unbelichteten Bereiche im Entwickler löslich sind. Nach einem Entwicklungsschritt, bei dem die belichteten bzw. die nicht belichteten Bereiche des Fotoresists entfernt werden, wird ein strukturierter Fotoresist erhalten, der als Maske zum Beispiel beim Ätzen des Halbleitersubstrats verwendet wird.
Bei der Bestrahlung von Fotoresist wird in der Regel aktinische Strahlung verwendet, die üblicherweise von einer Laserquelle erzeugt wird. Derzeit bewegt sich die kleinste Wellenlänge der verwendeten Strahlung im Bereich von 157–193 nm.
Um die Grenzen zu überwinden, welche durch das Auflösungsvermögen der derzeit üblichen Fotolithographietechniken gegeben sind, versucht man, für die Belichtung der Fotoresists Strahlungen mit immer kürzeren Wellenlängen zu verwenden. Für Strahlungen, die eine Wellenlänge von mehr als 193 nm, und teilweise für Strahlungen, die eine Wellenlänge von 157 nm aufweisen, ist eine Vielzahl von Materialen und Apparaten entwickelt worden. Die in der Halbleitertechnologie erzielten Fortschritte erfordern jedoch die Auflösung noch kleinerer Strukturen, die nur durch die Verwendung einer Strahlung mit noch kleinerer Wellenlänge erzeugt werden können. Die jetzt in der Pilotphase befindliche Extrem-UV(EUV)-Technologie verwendet Strahlung von 13,4 nm, was vollständig neue technologische Ansätze erfordert.
Die Strahlung von 13,4 nm liegt weit unterhalb der Wellenlänge des sichtbaren Lichts und ist nahe am Bereich der Röntgenstrahlen. Da die EUV-Strahlung die Eigenschaft besitzt, dass sie von fast jedem Material absorbiert wird, können die herkömmlichen Systeme mit transparenten Masken und refraktiven Optiken, wie Linsen, nicht mehr verwendet werden. Die EUV-Strahlung wird deshalb durch hoch reflektierende Spiegeloptiken gebündelt, geformt und auf den zu strukturierenden Wafer gelenkt.
Die EUV-Masken weisen deshalb eine stark reflektierende Oberfläche auf und müssen die Eigenschaft haben, dass sie bei zunehmender Wärme die Form beibehalten. Um die beiden Erfordernisse für eine EUV-Maske zu erreichen, wird auf ein Substrat mit einer besonders niedrigen thermischen Ausdehnung ein Multischicht-System (Multilayer) aufgetragen. Typischerweise werden alternierend 80 bis 120 Schichten aus Molybdän und Silizium von je 2 bis 4 nm Stärke abgeschieden. An jeder Grenzfläche der Molybdän-/Siliziumschichten wird ein Teil der Strahlung reflektiert, so dass im Idealfall über 70 % der eingefallenen Strahlung zurückgeworfen werden kann.
Die Belichtungsstrahlung trifft nicht senkrecht, sondern unter einem kleinen Einfallswinkel relativ zum Lot auf die EUV-Maske und wird von reflektierenden Bereichen der Reflexionsmaske zurückgeworfen und fällt dann auf die lichtempfindliche Schicht des Wafers.

Anhand der 1 wird nachstehend eine herkömmliche reflexive Maske für die EUV-Lithographie erläutert.

Auf einem auf einem Substrat 1 liegenden Multilayer 2, die aus Molybdän- und Siliziumschichten besteht, werden strahlungsabsorbierende Bereiche 3 aus einer auf der Vorderseite V zuvor aufgebrachten Absorberschicht gebildet. Diese absorbierenden Bereiche 3 stehen erhaben auf dem Multilayer 2, und zwischen den absorbierenden Bereichen 3 entstehen strahlungsreflektierende Bereiche 4 des Multilayers 2. Die erhabenen strahlungsabsorbierenden Bereiche 3 und die strahlungsreflektierenden Bereiche (Gräben) 4 des Multilayer entsprechen auf dem Halbleiterwafer zu belichtenden Mustern.

Die Belichtungsstrahlung, die durch gezeichnete Pfeile dargestellt ist, trifft unter einem kleinen Winkel a zum Lot auf die Reflexionsmaske.

Das Verfahren zur Herstellung einer herkömmlichen EUV-Maske wird anhand der 2 näher erläutert.

Auf einem Substrat 1 aus z. B. ULE^®-Glas oder Zerodur^®-Keramik wird ein Multilayer 2, der aus alternierenden Molybdän- und Siliziumschichten 2a, 2b besteht, abgeschieden. Die jeweiligen Molybdän- bzw. Siliziumschichten sind extrem dünn und haben eine Stärke von ca. 2,7–2,8 nm (Molybdän-Schicht) und ca. 4,2–4,3 nm (Siliziumschicht). Die oberste Schicht dieses Multilayer besteht aus Silizium und wird als "capping layer" oder "Capping-Schicht" bezeichnet. Die Capping-Schicht weist eine Stärke von ca. 11 nm auf. Auf diesem Multilayer wird nun eine Buffer-Schicht 5 aus z. B. SiO₂ abgeschieden, die eine Stärke von beispielsweise 50 nm aufweist. Diese Buffer-Schicht 5 dient als eine Stoppschicht bei der Strukturierung der EUV-Maske.

In einem weiteren Verfahrensschritt wird eine Absorberschicht 3 abgeschieden, die z. B. aus Aluminium-Kupfer, Chrom oder Tantalnitrid bestehen kann. Die so erhaltene Struktur ist in 2b gezeichnet. Auf diese Struktur wird nun ein Resist abgeschieden (nicht gezeigt), belichtet und entwickelt, um nach Entfernen der freiliegenden Absorberschicht 3 und anschließender Entfernung des Resists die Struktur gemäß 2c zu erhalten.

Da es bei der Herstellung von EUV-Masken sehr oft zu Defekten kommt, werden danach die entstandenen Defekte in einem Reparaturschritt, herkömmlicherweise unter Verwendung von FIB (Focus-Ion-Beam), behoben. Danach wird die Buffer-Schicht 5 entfernt, um eine fertige Maske zu erhalten (2d).

Die in 1 und 2 gezeichneten Masken sind auch als Absorber-EUV-Masken bekannt.

Neben den klassischen Absorbermasken, die in 1 und 2 dargestellt worden sind, wird ein weiterer als "etched multilayer Maske" bezeichneter Maskentyp vorgeschlagen, bei dem der reflektierende Multilayer selbst strukturiert wird, wodurch die Verwendung einer Buffer-Schicht und Absorberschicht entfällt. Dieser Maskentyp bietet einige Vorteile in Bezug auf Prozessfenstergröße, Lageverschiebung der Strukturen und Horizontal-Vertikal-Bias, ist aber in der Herstellung schwieriger zu realisieren. Ein Grund für die erschwerte Herstellung liegt unter anderem in Aufladungseffekten der Strukturen bei Exposition mit ionisierender Strahlung bzw. geladenen Teilchen (z. B. Elektronen), da in den strukturierten Bereichen große Flächen von nicht leitendem Substrat offen liegen und isolierte Strukturen vorkommen. Diese Aufladungseffekte verhindern eine korrekte Inspektion mittels Elektronenmikroskopie, eine Reparatur mit geladenen Teilchen, wie z. B. Ionen oder Elektronen, sowie eine zweimalige oder weitere Strukturgenerierung durch Schreiben mit geladenen Teilchen. Das Problem konnte bisher teilweise durch eine zweite Belichtung gelöst werden, die die Multilagen-Hartmaske in größeren unstrukturierten Bereichen vor dem Hartmasken-Strip schützt und so in den geschützten Bereichen eine leitfähige Oberflä che erzeugt. Dieses Verfahren ist aber aufwändig und kann nur für größere unstrukturierte Bereiche angewendet werden. Innerhalb der fein strukturierten Felder ist dieses Verfahren nicht anwendbar. Ebenfalls ist bei der Strukturgenerierung auf der Maske eine Verwendung eines leitfähigen Resists oder einer leitfähigen Zusatzschicht zum Resist möglich.

Diese Probleme treten auch bei den Absorbermasken, jedoch in geringem Maße, auf.

Die Aufgabe der Erfindung ist eine EUV-Maske vorzuschlagen, die die Nachteile der EUV-Masken gemäß dem Stand der Technik überwindet, und insbesondere eine EUV-Maske, die sich leichter inspizieren lässt. Eine weitere Aufgabe der Erfindung ist, ein Verfahren zur Herstellung von erfindungsgemäßen EUV-Masken vorzuschlagen.

Die erfindungsgemäße EUV-Maske weist eine durchgehende leitfähige Schicht auf, auf der die erhabenen Abschnitte angeordnet sind, wobei die Maske folgende Schichten aufweist:

– ein Substrat mit einem sehr niedrigen thermischen Ausdehnungs-Koeffizient (wie z. B. ULE^® oder Zerodur^®);
– eine leitfähige Basisschicht aus z. B. Chrom, Tantalnitrid, leitfähige Kohlenstoff-Schichten, Aluminium, Kupfer, Eisen, Kobalt oder Nickel;
– gegebenenfalls eine Glättungsschicht aus z. B. Silizium;
– einen Multilayer, der aus einer Mehrzahl von alternierenden Molybdän- und Silizium-Dünnschichten und einer abschließenden Capping-Schicht (z. B. aus Silizium) aufgebaut ist;
– gegebenenfalls eine Buffer-Schicht aus z. B. Siliziumoxid oder Chrom; und
– eine Absorberschicht aus z. B. Chrom oder Tantalnitrid.

Die Buffer-Schicht ist insbesondere bei den Absorber-EUV-Masken vorhanden. Die erhabenen Abschnitte dieses Maskentyps werden daher aus der Absorberschicht und der Buffer-Schicht gebildet. Diese Ausführungsform entspricht in Grundzügen der Maske gemäß 1 oder 2, so dass der Mo-/Si-Multilayer nicht strukturiert wird. In dieser Ausführungsform wird erfindungsgemäß die Capping-Schicht (die letzte Schicht des Multilayers) leitend konstruiert oder auf der Capping-Schicht wird eine weitere Schicht abgeschieden, die leitfähig ist. Wenn z. B. die Capping-Layer aus Silizium besteht, kann diese Capping-Schicht durch Dotierung mit geeigneten Materialien leitend gestaltet werden.

Die Etched-Multilayer-Masken weisen demgegenüber vorzugsweise eine leitfähige Basisschicht und gegebenenfalls eine Glättungsschicht auf, die zwischen dem Substrat und dem Mo/Si-Multilayer angeordnet sind. Die Glättungsschicht besteht vorzugsweise aus Silizium. Bei diesem Maskentyp werden die erhabenen Abschnitte aus dem Mo-Si-Multilayer gebildet. In dieser Ausführungsform ist das Substrat selbst leitfähig oder weist eine leitfähige Schicht auf, auf der die erhabenen Abschnitte angeordnet sind.

In der ersten Ausführungsform der Erfindung bestehen die erhabenen Abschnitte der EUV-Maske aus der Absorberschicht und der Buffer-Schicht, während in der zweiten Ausführungsform die erhabenen Abschnitte aus dem Mo-/Si-Multilayer gebildet werden.

Beiden Ausführungsformen ist jedoch gemeinsam, dass sich die erhabenen Abschnitte auf einer leitfähigen Oberfläche befinden. Der Unterschied zwischen diesen zwei Ausführungsformen besteht aber darin, dass bevorzugterweise bei den Absorbermasken die leitfähige Schicht eine niedrige Lichtabsorption für die EUV-Strahlung aufweist, während bei der Etched-Multilayer-Maske die leitfähige Schicht eine hohe EUV-Lichtabsorption aufweisen soll.

In einer besonderen Ausführungsform der Erfindung besteht das Substrat aus ULE^® oder Zerodur^®. Die Auswahl der geeigneten Materialien für das Substrat ist nicht auf ULE^® oder Zerodur^® beschränkt, so dass auch weitere Materialien verwendet werden können. Das Entscheidende bei der Auswahl für die Substratmaterialen ist, dass diese Materialien einen niedrigen thermischen Ausdehnungs-Koeffizienten und eine niedrige Rauhigkeit aufweisen sollen. Die typische Stärke des Substrats beträgt ca. 6,35 mm.

Auf der Rückseite des Substrats kann eine elektrisch leitfähige Schicht aus z. B. Chrom aufgebracht werden. Diese Chromschicht ist jedoch für die Funktionsweise der EUV-Maske nicht notwendig. Falls aber diese Chromschicht vorhanden ist, weist sie typischerweise eine Stärke von 50 bis 100 nm auf. Auf der der Chrom-Schicht abgewandten Seite ist ein Multilayer abgeschieden, der vorzugsweise aus 60 bis 200 dünnen, alternierenden Schichten, vorzugsweise aus Molybdän- und Siliziumschichten, besteht. Diese Schichten haben jeweils eine Stärke von 2,7 bis 2,8 und 4,2 bis 4,3 nm. Die Auswahl der Materialien für den Multilayer ist nicht auf Molybdän und Silizium beschränkt, so dass auch andere Materialien verwendet werden können. Die Stärke der Schichten ist der Wellenlänge des einfallenden Lichtes angepasst und kann, falls eine andere Wellenlänge verwendet werden soll, von den oben genannten Abgaben abweichen.

Die letzte Schicht des Multilayers (Capping-Schicht) besteht vorzugsweise aus Silizium, falls ein Mo-/Si-Multilayer eingesetzt wird. Die Stärke der Capping-Schicht ist vorzugsweise im Bereich von 2 bis 20 nm, wobei der Bereich von 8 bis 12 nm bei der Wahl von Silizium besonders bevorzugt ist.

Auf die Capping-Schicht kann eine Buffer-Schicht aus z. B. SiO₂ oder Chrom abgeschieden werden. Diese Barrierenschicht dient als Stoppschicht bei der Strukturierung des Absorbers. Die Auswahl der Materialien für die Buffer-Schicht ist daher dem verwendeten Ätzverfahren anzupassen und kann dementsprechend aus anderen Materialien bestehen. Die Stärke der Buffer-Schicht ist im Bereich von vorzugsweise 10 bis 80 nm.

Die letzte Schicht besteht aus einem Material, das die einfallende EUV-Strahlung absorbiert, und kann z. B. aus Tantalnitrid oder Chrom bestehen. Die Stärke der absorbierenden Schicht ist vorzugsweise im Bereich von 50 bis 100 nm.

Erfindungsgemäß wird daher eine EUV-Maske mit erhabenen Abschnitten und dazwischen liegenden Gräbern bereitgestellt, wobei die Maske mindestens folgende Schichten aufweist:

– Substrat mit einem sehr geringen thermischen Ausdehnungs-Koeffizienten;
– einen Multilayer aus z. B. Molybdän und Silizium;
– eine Capping-Schicht (aus z. B. Silizium),

Vorzugsweise ist die erfindungsgemäße EUV-Maske entweder eine Absorber-EUV-Maske oder eine Etched-Multilayer-EUV-Maske.
Auf einer Seite des Substrates ist dabei vorzugsweise eine durchgehende Cr-Schicht angeordnet.
In einer besonders bevorzugten Ausführungsform besteht das Substrat aus ULE^® oder Zerodur^®. Die Stärke des Substrats ist ca. 6,35 mm.
Der erfindungsgemäße Multilayer besteht vorzugsweise aus alternierenden Molybdän- und Siliziumeinzelschichten, wobei die Zahl der jeweiligen Einzelschichten im Bereich von 60 bis 200 bevorzugt ist.
Die Stärke der Einzelschichten ist vorzugsweise 2,7–2,8 nm für die Molybdäneinzelschichten und 4,3 nm für die Siliziumeinzelschichten.
Die letzte Schicht des Multilayers (capping layer oder Capping-Schicht) besteht vorzugsweise aus Silizium und weist eine Stärke im Bereich von 2 bis 20 nm, vorzugsweise von 8 bis 12 nm auf.
Das Verfahren zur Herstellung einer erfindungsgemäßen EUV-Maske des Absorbertyps wird anhand der 3a–3e näher erläutert.
Die Absorberschicht der Absorber-EUV-Maske besteht vorzugsweise aus Tantalnitrid oder Chrom.
Auf einer Schichtfolge, die aus einem Substrat, einem Multilayer, einer Capping-Schicht, einer Buffer-Schicht und einer Absorberschicht besteht, wird ein Resist abgeschieden, belichtet und strukturiert (nicht gezeigt), um eine Struktur gemäß 3b zu erhalten, bei der die Absorberschicht teilweise freiliegt. Die freiliegenden Abschnitte der Absorberschicht werden entfernt, um eine Struktur gemäß 3c zu erhalten. Danach wird zunächst der Resist (3d) und anschließend die freiliegenden Abschnitte der Buffer-Schicht entfernt, um eine fertige Maske zu erhalten (3e).
In dieser Ausführungsform ist entweder die Capping-Schicht leitfähig oder zwischen der Capping-Schicht und den erhabenen Abschnitten ist eine leitfähige Schicht angeordnet (nicht gezeigt).
Erfindungsgemäß wird auch ein Verfahren zur Herstellung von EUV-Masken des Absorber-Typs mit folgenden Schritten vorgeschlagen:

– Bereitstellen einer Struktur mit folgenden Schichten: – Substrat; – Multilayer; – Capping-Schicht, die entweder leitfähig ist oder eine darauf angeordnete leitfähige Schicht aufweist; – Buffer-Schicht; – Absorber-Schicht; – Resistschicht;
– Beschreiben der Resistschicht z. B. mit Elektronenstrahlen;
– Unterziehen der so erhaltenen Struktur einem Temperschritt (Post-Exposure Bake);
– Entwickeln des Resists;
– Abtragen der freiliegenden Abschnitte der Absorberschicht bis zur Buffer-Schicht (z. B. durch Trockenätzen), so dass freiliegende Abschnitte der Buffer-Schicht erhalten werden;
– Entfernen des Resists;
– Untersuchen der so erhaltenen Struktur vorzugsweise mittels eines Secondary-Electron-Microscope (SEM), und falls Defekte vorhanden sind, Durchführen eines Reparaturschrittes;
– Abtragen der freiliegenden Abschnitte der Buffer-Schicht bis hin zur Capping-Schicht;
– Untersuchen der zu erhaltenden Struktur;
– Reparieren der gegebenenfalls vorhandenen Defekte;
– Endreinigen der Maske.

Ein Herstellungsverfahren für die EUV-Etched-Multilayer-Masken ist in 4a–4f dargestellt.
Auf eine in 4a dargestellte Schichtfolge, die aus Substrat, einem Multilayer mit Capping-Schicht, einer darauf angeordneten Hartmaske und darauf abgeschiedenem Resist besteht, wird der Resist belichtet und strukturiert, um eine wie in 4b dargestellte Struktur zu erreichen. Danach wird die Hartmaske selektiv zum Resist geätzt wodurch eine in 4c dargestellte Struktur erhalten wird. Nach Entfernen des Resists bleibt die Hartmaske nur auf bestimmten Bereichen des Multilayers erhalten, wie in 4d gezeigt, so dass nun der Multilayer strukturiert werden kann. Die Struktur, die nach dem Ätzen des Multilayers entsteht, ist in 4e gezeigt. Im letzten Schritt wird nun die Hartmaske entfernt, wodurch eine fertige etched-multilayer Maske erhalten wird (4f).
In der Ausführungsform gemäß 4a–4e befindet sich unter den strukturierten erhabenen Abschnitten keine separate leitfähige Schicht, da das gesamte Substrat oder wenigsten der Bereich, der sich im Kontakt mit dem Multilayer befindet, leitfähig ist. Die Leitfähigkeit kann durch gezielte Dotierung von z. B. Zerodur^® oder ULE^® erreicht werden, da Zerodur^® und ULE^® Gläser bzw. Keramiken sind, die sich leicht dotieren lassen.
Erfindungsgemäß wird daher auch ein Verfahren zur Herstellung von EUV-Masken des Etched-Multilayer-Typs mit folgenden Schritten vorgeschlagen:

– Bereitstellen einer Struktur mit folgenden Schichten: – Substrat; – gegebenenfalls eine elektrisch leitfähige Schicht, falls das Substrat nicht selbst leitfähig ist; – gegebenenfalls eine Glättungsschicht; – Multilayer; – Hartmasken-Schicht; – Resistschicht;
– Beschreiben der Resistschicht, z. B. mit Elektronenstrahlen;
– Unterziehen der so erhaltenen Struktur einem Temperschritt (Post-Exposure Bake);
– Entwickeln des Resists;
– Ätzen der Hartmaske;
– Entfernen des Resists;
– Untersuchen der so erhaltenen Struktur vorzugsweise mittels eines Secondary-Electron-Microscope (SEM), und falls Defekte vorhanden sind, Durchführen eines Reparaturschrittes;
– Ätzen des Multilayers bis zum Substrat, falls das Substrat leitfähig ist, oder bis hin zur auf dem Substrat angeordneten leitfähigen Schicht;
– Entfernen der Hartmaske;
– Untersuchen der zu erhaltenden Struktur vorzugsweise mittels eines Secondary-Electron-Microscope (SEM);
– Reparieren der gegebenenfalls vorhandenen Defekte;
– Endreinigen der Maske.

Claims

EUV-Maske mit erhabenen Abschnitten und dazwischen liegenden Gräben, mit folgenden Schichten: – Substrat mit einem sehr geringen thermischen Ausdehnungs-Koeffizienten; – ein Multilayer aus z. B. Molybdän und Silizium; – eine Capping-Schicht (aus z. B. Silizium); wobei die erhabenen Abschnitte der EUV-Maske auf einer durchgehenden leitfähigen Schicht angeordnet sind.
EUV-Maske nach Anspruch 1, wobei die Maske entweder eine Maske des Absorbertyps oder des Etched-Multilayer-Typs ist.
EUV-Maske nach einem der Ansprüche 1 oder 2, wobei auf der Rückseite des Substrats eine elektrisch leitfähige Schicht, z. B. eine Chromschicht, angeordnet ist.
EUV-Maske nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat aus ULE^® oder Zerodur^® besteht.
EUV-Maske nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat eine Stärke von 6,35 mm aufweist.
EUV-Maske nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Multilayer alternierend aus einer ersten Einzelschicht und einer zweiten Einzelschicht besteht.
EUV-Maske nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Zahl der Einzelschichten in dem Multilayer im Bereich von 60 bis 200 liegt.
EUV-Maske nach Anspruch 6 oder 7, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Einzelschicht des Multilayers aus Molybdän und die zweite Einzelschicht aus Silizium besteht.
EUV-Maske nach einem der Ansprüche 6 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Einzelschicht des Multilayers eine Stärke von 2–3 nm aufweist und die zweite Einzelschicht eine Stärke von 4–5 nm aufweist, wenn die Wellenlänge des verwendeten Lichts zwischen 13 und 14 nm und der Einfallswinkel zwischen 3° und 7° liegt.
EUV-Maske nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Capping-Schicht eine Stärke im Bereich von 2 bis 20 nm, vorzugsweise von 8 bis 12 nm aufweist.
EUV-Maske nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Absorberschicht aus Tantalnitrid oder Chrom besteht.
Verfahren zur Herstellung von EUV-Masken des Absorber-Typs mit folgenden Schritten: – Bereitstellen einer Struktur mit folgenden Schichten: – Substrat; – Multilayer; – Capping-Schicht, die entweder leitfähig ist oder eine darauf angeordnete leitfähige Schicht aufweist; – Buffer-Schicht; – Absorber-Schicht; – Resistschicht; – Beschreiben der Resistschicht, z. B. mit Elektronenstrahlen; – Unterziehen der so erhaltenen Struktur einem Temperschritt (Post-Exposure Bake); – Entwickeln des Resists; – Abtragen der freiliegenden Abschnitte der Absorberschicht bis zur Buffer-Schicht, so dass freiliegende Abschnitte der Buffer-Schicht erhalten werden; – Entfernen des Resists; – Untersuchen der so erhaltenen Struktur vorzugsweise mittels eines Secondary-Electron-Microscope (SEM), und falls Defekte vorhanden sind, Durchführen eines Reparaturschrittes; – Abtragen der freiliegenden Abschnitte der Buffer-Schicht bis hin zur Capping-Schicht, falls die Capping-Schicht leitfähig ist, oder bis hin zur auf der Capping-Schicht angeordneten leitfähigen Schicht; – Untersuchen der zu erhaltenden Struktur; – Reparieren der gegebenenfalls vorhandenen Defekte; – Endreinigen der Maske.
Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass auf der Rückseite des Substrats eine elektrisch leitfähige Schicht, z. B. eine Chromschicht, angeordnet ist.
Verfahren nach Anspruch 12 oder 13, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat aus ULE^® oder Zerodur^® besteht.
Verfahren nach einem der Ansprüche 12 bis 14, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat eine Stärke von 6,35 mm aufweist.
Verfahren nach einem der Ansprüche 12 bis 15, dadurch gekennzeichnet, dass der Multilayer alternierend aus einer ersten Einzelschicht und einer zweiten Einzelschicht besteht.
Verfahren nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, dass die Zahl der Einzelschichten in dem Multilayer im Bereich von 60 bis 200 liegt.
Verfahren nach Anspruch 16 oder 17, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Einzelschicht des Multilayers aus Molybdän und die zweite Einzelschicht aus Silizium besteht.
Verfahren nach einem der Ansprüche 16 bis 18, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Einzelschicht des Multilayers eine Stärke von 2–3 nm und die zweite Einzelschicht eine Stärke von 4–5 nm aufweist, wenn die Wellenlänge des verwendeten Lichts zwi schen 13 und 14 nm und der Einfallswinkel zwischen 3° und 7° liegt.
Verfahren nach einem der Ansprüche 12 bis 19, dadurch gekennzeichnet, dass die Capping-Schicht eine Stärke im Bereich von 2 bis 20 nm, vorzugsweise von 8 bis 12 nm aufweist.
Verfahren nach einem der Ansprüche 12 bis 20, dadurch gekennzeichnet, dass die Absorberschicht aus Tantalnitrid oder Chrom besteht.
Verfahren zur Herstellung von EUV-Masken des Etched-Multilayer-Typs mit folgenden Schritten: – Bereitstellen einer Struktur mit folgenden Schichten: – Substrat; – gegebenenfalls eine elektrisch leitfähige Schicht, falls das Substrat nicht selbst leitfähig ist; – gegebenenfalls eine Glättungsschicht; – Multilayer; – Hartmasken-Schicht; – Resistschicht; – Beschreiben der Resistschicht, z. B. mit Elektronenstrahlen; – Unterziehen der so erhaltenen Struktur einem Temperschritt (Post-Exposure Bake); – Entwickeln des Resists; – Abtrag der Hartmaske; – Entfernen des Resists; – Untersuchen der so erhaltenen Struktur vorzugsweise mittels eines Secondary-Electron-Microscope (SEM), und falls Defekte vorhanden sind, Durchführen eines Reparaturschrittes; – Abtrag des Multilayers bis zum Substrat, falls das Substrat leitfähig ist, oder bis hin zur auf dem Substrat angeordneten leitfähigen Schicht; – Entfernen der Hartmaske; – Untersuchen der zu erhaltenden Struktur vorzugsweise mittels eines Secondary-Electron-Microscope (SEM); – Reparieren der gegebenenfalls vorhandenen Defekte; – Endreinigen der Maske.
Verfahren nach Anspruch 22, dadurch gekennzeichnet, dass auf der Rückseite des Substrats eine elektrisch leitfähige Schicht, z. B. eine Chromschicht, angeordnet ist.
Verfahren nach Anspruch 22 oder 23, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat aus ULE^® oder Zerodur^® besteht.
Verfahren nach einem der Ansprüche 22 bis 24, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat eine Stärke von 6,35 mm aufweist.
Verfahren nach einem der Ansprüche 22 bis 25, dadurch gekennzeichnet, dass der Multilayer alternierend aus einer ersten Einzelschicht und einer zweiten Einzelschicht besteht.
Verfahren nach Anspruch 26, dadurch gekennzeichnet, dass die Zahl der Einzelschichten in dem Multilayer im Bereich von 60 bis 200 liegt.
Verfahren nach Anspruch 26 oder 27, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Einzelschicht des Multilayers aus Molybdän und die zweite Einzelschicht aus Silizium besteht.
Verfahren nach Anspruch 26 bis 28, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Einzelschicht des Multilayers eine Stärke von 2–3 nm und die zweite Einzelschicht eine Stärke von 4–5 nm aufweist, wenn die Wellenlänge des verwendeten Lichts zwischen 13 und 14 nm und der Einfallswinkel zwischen 3° und 7° liegt.
Verfahren nach einem der Ansprüche 22 bis 29, dadurch gekennzeichnet, dass die Capping-Schicht eine Stärke im Bereich von 2 bis 20 nm, vorzugsweise von 8 bis 12 nm aufweist.