KR101076782B1 - Ｅｕｖ 마스크 및 그 형성방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 EUV 마스크 및 그 형성방법에 관한 것으로, 특히 그림자 효과(Shadowing effect)를 방지함으로써, 종래 그림자 효과의 보정 공정을 불필요하게 하여 마스크 제작 시간을 단축시키며, 위상반전막을 형성하는 경우에도 그림자 효과를 방지하는 EUV 마스크 및 그 형성방법에 관한 것이다.
본 발명의 EUV 마스크는, 석영 기판; 상기 석영 기판의 상부에 형성되는 다중 박막; 상기 다중 박막의 상부에 형성되고, 경사진 측면을 구비하는 소정 깊이의 홈을 구비하는 다중 박막 패턴; 및 상기 다중 박막 패턴의 상부에 형성되며, 경사진 측면을 구비하는 크롬 패턴을 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

ＥＵＶ 마스크 및 그 형성방법{EXTREME ULTRA VIOLET MASK AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME}
본 발명은 EUV 마스크 및 그 형성방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는 반도체 제조공정 중 노광 공정에 사용되는 마스크 중 반사 마스크에 해당되는 EUV 마스크 및 그 형성방법에 관한 것이다.
반도체 소자의 크기가 점차 감소함에 따라 반도체 공정기술에서도 많은 기술개발이 이루어지고 있다. 그 중에서 노광공정 기술이 가장 큰 변화를 이루고 있으며, 특히 40nm 이하 소자에서는 기존에 사용하였던 이머젼(immersion) 기술 또한 한계에 이르게 되어 EUV(Extreme Ultra Violet) 리소그래피에 대한 개발이 이루어지고 있다.
EUV 노광은 기존의 노광 기술과 달리 파장이 13.5 nm로 매우 짧은 광원을 사용하여 노광을 하므로 선폭이 40 nm 이하인 반도체 소자 개발에 있어서 핵심적인 공정기술로 취급되고 있다. 다만 EUV는 기존 노광원에 비하여 매우 짧은 파장을 가진 광원을 사용하기 때문에, 종래의 투과 마스크가 아닌 반사 마스크를 사용하게 된다.
도 1은 종래의 투과 마스크를 개략적으로 도시한 단면도이고, 도 2는 반사 마스크인 EUV 마스크를 개략적으로 도시한 단면도이다. 도 1을 참조하면 투과 마스크는 석영 기판(10)에 몰리브덴 실리사이드(MoSi) 패턴(30)과 크롬 패턴(20)이 형성되고, 입사광(A)이 마스크를 투과할 때 크롬 패턴(20)에서는 광원이 흡수되고 석영 기판(10)에서는 광원이 투과됨으로써, 투과광(C)은 입사광(A)과는 다른 패턴을 가지고 노광 대상인 감광막에 도달하게 된다.
그리고 도 2를 참조하면, 석영 기판(10)에는 다중 박막(40)이 형성되고 이 다중 박막(40)의 상부에 크롬 패턴(20)이 형성된다. 다중 박막(40)은 빛의 간섭 효과를 줄이기 위한 것으로 몰리브덴(42)과 실리콘(44)이 차례로 적층된 구조를 가진다. 이러한 반사 마스크에서는 입사광(A)이 다중 박막(40) 표면에서 반사되어 반사광(B)으로 반사되는데, 이 때 크롬 패턴(20)이 위치한 부분에서는 입사광(A)이 흡수되면서 크롬 패턴(20)의 형상이 반사광(B)에 반영되고 이 결과 노광 대상인 감광막에 패터닝이 이루어지게 된다.
도 2에 도시된 바와 같이 EUV 마스크에서 반사 마스크를 사용하는 이유는, EUV 광원은 종래의 광원에 비하여 짧은 파장을 가지기 때문에 종래와 같은 투과 마스크로 구성할 경우, 광원이 석영 기판(10)에 흡수되어 버리기 때문이다.
그리고 반사 마스크를 사용하려면, 광원으로부터 입사된 입사광(A) 또한 마스크에 대하여 수직하게 입사되지 않고 소정 각도 경사진 상태로 마스크에 입사되어야 한다. 이는 광원이 서로 간섭하는 현상을 방지하기 위한 것으로, 이 때 입사광이 경사진 각도는 장비 구성에 따라 다르겠지만, 마스크 표면에 수직한 직선으로 부터 6° 기울어지는 것이 일반적이다.
그런데, 이와 같이 6° 경사지게 입사광(A)을 조사하는 EUV 노광공정에서는 또 다른 문제점이 발생한다. 종래 EUV 마스크의 문제점을 도시한 사시도인 도 3 및 도 4를 참조하면, 입사광(A)은 6° 경사진 우측 방향에서 조사되고 반사광(B)은 6° 경사지게 좌측 방향으로 반사되며, 이 때 입사각과 반사각이 동일한 것은 스넬의 법칙(snell's law)으로 알려져 있다.
먼저 도 3과 같이 크롬 패턴(20)이 입사광(A) 및 반사광(B)과 평행한 방향으로 형성되는 경우에는, 크롬 패턴(20)이 위치한 부분을 제외하면 입사광(A)이 문제없이 반사되어 반사광(B)으로 반사된다. 그런데 도 4와 같이 크롬 패턴(20)이 입사광(A) 및 반사광(B)과 수직한 방향으로 형성되는 경우에는, 크롬 패턴(20)이 위치하지 않은 부분에서도, 입사광(A)이 크롬 패턴(20)에 흡수되어 버리는 문제가 발생한다. 이는 크롬 패턴(20)도 소정 높이를 가지고 있고 입사광(A)이 경사지게 조사됨에 따라 발생하는 문제이며, 이를 그림자 효과(Shadowing Effect)라 한다.
이러한 그림자 효과 때문에, 크롬 패턴(20)이 형성된 방향에 따라 입사광(A)이 흡수되는 정도가 일정하지 않게 되어, 실제 EUV 패터닝 후에는 동일한 사이즈의 패턴도 형성된 방향에 따라 실제로 다르게 패터닝되는 문제점이 있다.
본 발명은 상기한 바와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 경사진 크롬 패턴과 경사진 다중 박막 패턴을 구비함으로써, 그림자 효과(Shadowing effect)를 방지하여, 종래 그림자 효과의 보정 공정을 불필요하게 하고 마스크 제작 시간을 단축시키며, 위상반전막을 형성하는 경우에도 그림자 효과를 방지하는 EUV 마스크 및 그 형성방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명은 석영 기판; 상기 석영 기판의 상부에 형성되는 다중 박막; 상기 다중 박막의 상부에 형성되고, 경사진 측면을 구비하는 소정 깊이의 홈을 구비하는 다중 박막 패턴; 및 상기 다중 박막 패턴의 상부에 형성되며, 경사진 측면을 구비하는 크롬 패턴을 포함하여, 그림자 효과(Shadowing effect)를 방지하여, 종래 그림자 효과의 보정 공정을 불필요하게 하고 마스크 제작 시간을 단축시키며, 위상반전막을 형성하는 경우에도 그림자 효과를 방지하는 것을 특징으로 한다.
나아가, 상기 홈에 형성되는 위상반전막을 더 포함하는 것이 바람직하다.
또한 상기 크롬 패턴의 경사진 측면은, 상기 석영 기판에 수직한 선으로부터 6° 내지 10° 기울어지고, 상기 다중 박막 패턴의 경사진 측면은, 상기 석영 기판에 수직한 선으로부터 6° 내지 10° 기울어진 것이 가장 바람직하다.
아울러 상기 다중 박막은 몰리브덴과 실리콘을 포함하는 것이 바람직하며, 상기 다중 박막은, 40개의 몰리브덴과 40개의 실리콘의 번갈아 적층된 구조인 것을 특징으로 한다.
한편 본 발명에 따르는 EUV 마스크의 형성방법은, 석영 기판을 준비하는 단계; 상기 석영 기판의 상부에 다중 박막을 형성하는 단계; 상기 다중 박막의 상부에, 경사진 측면을 구비하는 소정 깊이의 홈을 구비하는 다중 박막 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 다중 박막 패턴의 상부에 경사진 측면을 구비하는 크롬 패턴을 형성하는 단계를 포함하여, 그림자 효과(Shadowing effect)를 방지하여, 종래 그림자 효과의 보정 공정을 불필요하게 하고 마스크 제작 시간을 단축시키며, 위상반전막을 형성하는 경우에도 그림자 효과를 방지하는 것을 특징으로 한다.
나아가 상기 홈에 위상반전막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것이 바람직하다.
그리고 상기 크롬 패턴을 형성하는 단계는, 상기 크롬 패턴의 경사진 측면을 상기 석영 기판에 수직한 선으로부터 6° 내지 10° 기울어지게 형성하며, 상기 다중 박막 패턴을 형성하는 단계도 상기 홈이 경사진 측면을 상기 석영 기판에 수직한 선으로부터 6° 내지 10° 기울어지게 형성하는 것을 특징으로 한다.
또한 상기 다중 박막을 형성하는 단계는, 상기 석영 기판의 상부에 몰리브덴을 형성하는 단계; 및 상기 몰리브덴 상부에 실리콘을 형성하는 단계를 포함하는 것이 바람직하다.
아울러 상기 다중 박막을 형성하는 단계는, 40개의 몰리브덴과 40개의 실리콘을 번갈아 적층하는 단계를 포함하는 것이 바람직하다.
본 발명의 EUV 마스크 및 그 형성방법은 그림자 효과(Shadowing effect)를 방지함으로써, 종래 그림자 효과의 보정 공정을 불필요하게 하여 마스크 제작 시간을 단축시키며, 위상반전막을 형성하는 경우에도 그림자 효과를 방지하는 효과를 제공한다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 EUV 마스크 및 그 형성방법의 일실시예에 대해 상세히 설명하기로 한다. 이하 본 발명에 대한 설명 중 종래기술과 동일한 구성 및 작용?효과에 대해서는 중복되는 설명은 생략한다.
도 5 내지 및 도 7은 본 발명에 따르는 EUV 마스크를 도시한 사시도이다. 이 중 먼저 도 5를 참조하면, 본 발명에 따르는 EUV 마스크는 석영 기판(10)과 다중 박막(40) 및 크롬 패턴(20)을 포함한다. 구체적으로, 석영 기판(10)의 상부 표면에 다중 박막(40)이 형성되고, 이 다중 박막(40)의 상부에 크롬 패턴(20)이 형성된다. 다중 박막(40)은 빛의 간섭 효과를 줄이기 위한 것으로 몰리브덴(42)과 실리콘(44)이 차례로 다수 층 적층된 구조를 가진다. 이 때 다중 박막(40)은 40개의 몰리브덴(42)과 40개의 실리콘(44)이 번갈아 적층된 구조를 가지는 것이 빛의 간섭을 감소시키기에 가장 바람직하다.
그리고 크롬 패턴(20)은 측면이 다중박막(40) 표면에 대하여 수직하지 않고 소정 각도 경사지게 형성된다. 즉 크롬 패턴(20)의 단면은 상변이 하변보다 길이가 짧은 사다리꼴 형상으로 구성되는 것이 바람직하다.
이 크롬 패턴(20)의 측면이 경사진 각도(α)는 입사광(A)의 입사 각도인 6° 보다 큰 것이 바람직하다. 다만 이 경사진 각도(α)가 너무 크면 크롬 패턴(20)의 모서리 부분에서 입사광(A)의 흡수가 충분하지 않을 수 있기 때문에, 크롬 패턴(20)의 경사진 각도(α)는 약 6° 이상 10° 이하인 것이 가장 바람직하다.
이와 같이 크롬 패턴(20)이 경사지게 구성됨에 따라, EUV 광원으로부터 입사된 입사광(A)은 크롬 패턴(20)에 인접한 다중박막(40) 영역에 입사된 경우에도 크롬 패턴(20)의 측면에 흡수되지 않게 되므로, 그림자 효과가 방지된다.
다음으로 도 6을 참조하면, 도 5에 도시된 EUV 마스크 구조에서, 다중 박막(40)과 크롬 패턴(20) 사이에 다중 박막 패턴(45)이 더 형성된다. 이 다중 박막 패턴(45)은 크롬 패턴(20)과 동일한 위치 및 형상으로 형성되며, 다중 박막 패턴(45) 또한 크롬 패턴(20)과 마찬가지로 경사진 측면을 구비한다. 이 다중 박막 패턴(45)의 측면이 경사진 각도는 크롬 패턴(20)과 마찬가지로 약 6° 이상 10° 이하인 것이 바람직하다.
이와 같이 경사진 측면을 가진 다중 박막 패턴(45)을 형성함으로써, 도 7에 도시된 바와 같이 EUV 마스크에 위상반전막(46)을 추가로 형성하는 경우에도, 그림자 효과를 효과적으로 방지할 수 있다. EUV 마스크에 위상반전막(46)을 추가로 형성하는 경우 다중 박막(40)의 표면을 소정 깊이 식각하여 형성된 공간에 위상반전막(46)을 매립하여 형성하는 것이 바람직하다. 이 경우 크롬 패턴(20)이 경사지게 형성되더라도, 위상반전막(46) 좌우에 위치한 다중 박막(40)에 경사면이 형성되지 않으면 여전히 그림자 효과가 나타나는데, 도 6 및 도 7에 도시된 실시예의 경우 이러한 문제점 또한 해결할 수 있게 된다.
이와 같은 본 발명에 따르는 EUV 마스크를 제조하는 방법을 설명하면 다음과 같다.
먼저 석영 기판(10)을 준비하고, 석영 기판(10) 상부에 다중 박막(40)을 형성한다. 이 때 다중 박막(40)은 몰리브덴(42)과 실리콘(44)을 번갈아 차례대로 증착하는 것이 바람직하며, 몰리브덴(42)과 실리콘(44)은 각각 40개씩 형성하는 것이 빛의 간섭을 방지하는데 가장 바람직하다.
이후 다중 박막(40)의 상부에 다중 박막 패턴(45)을 형성하면서 홈(47)을 형성한다. 이는 다중 박막(40) 상부에 추가로 다중 박막을 형성한 후, 추가로 형성된 다중 박막 상부에 다중 박막 패턴(45)을 정의하는 감광막 패턴(미도시)을 형성하고, 이 감광막 패턴을 마스크로 추가로 형성된 다중 박막을 식각하는 방법에 의할 수 있다. 그리고 더 바람직하게는, 다중 박막(40)의 증착시 다중 박막 패턴(45)이 될 다중 박막도 함께 증착한 후, 다중 박막 패턴(45)의 높이만큼 즉 위상 반전막(46)의 높이만큼 다중 박막을 식각하여 홈(47)을 형성하는 것이 바람직하다.
그 다음 위상반전막(46)을 홈(47)에 매립하여 형성하고, 다중 박막 패턴(45)의 상부에 크롬 패턴(20)을 형성하는데, 이 두 단계의 순서는 서로 바뀌어도 무방하다. 즉 다중 박막 패턴(45)의 상부에 크롬 패턴(20)을 먼저 형성하고 위상반전막(46)을 홈(47)에 매립하는 것도 가능하다.
또한, 다중 박막(40)과 크롬 층(Chrome layer)을 형성한 후, 크롬 층과 다중 박막(40)을 함께 식각하여, 다중 박막(40)에 홈(47)을 형성함과 동시에(즉, 다중 박막 패턴을 형성함과 동시에) 크롬 패턴(20)을 형성하는 것도 가능하다.
이 과정 중, 다중 박막 패턴(45)을 형성하는 공정 및 크롬 패턴(20)을 형성하는 공정에서, 그 측면을 경사지도록 형성할 필요가 있다. 이 공정은 측면이 석영 기판(10)에 대하여 수직한 다중 박막 패턴(45) 또는 크롬 패턴(20)을 먼저 형성한 후, i) 다중 박막 패턴(45) 또는 크롬 패턴(20)을 건식 식각(dry etch)한 후 습식 식각(wet etch)하는 방법, 또는 ii) 다중 박막 패턴(45) 또는 크롬 패턴(20)을 과도 건식 식각(over dry etch)하는 방법에 의할 수 있다.
이와 같이 본 발명에 따르는 EUV 마스크는 경사진 크롬 패턴과 경사진 다중 박막 패턴을 구비함으로써, 그림자 효과(Shadowing effect)를 방지하여, 종래 그림자 효과의 보정 공정을 불필요하게 하고 마스크 제작 시간을 단축시키며, 위상반전막을 형성하는 경우에도 그림자 효과를 방지하는 효과를 제공한다.
본 발명은 기재된 실시예에 한정하는 것이 아니고, 본 발명의 사상 및 범위를 벗어나지 않는 한 다양하게 수정 및 변형을 할 수 있음은 당업자에게 자명하다고 할 수 있는 바, 그러한 변형예 또는 수정예들은 본 발명의 특허청구범위에 속하는 것이다.
도 1은 종래의 투과식 마스크를 개략적으로 도시한 단면도;
도 2는 종래의 EUV 마스크를 개략적으로 도시한 단면도;
도 3 및 도 4는 종래 EUV 마스크의 문제점을 도시한 사시도; 그리고,
도 5 내지 도 7은 본 발명에 따르는 EUV 마스크를 도시한 사시도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
10 : 석영 기판 20 : 크롬 패턴
30 : 몰리브덴 실리사이드 40 : 다중박막
42 : 몰리브덴 44 : 실리콘
45 : 다중 박막 패턴 46 : 위상반전막
47 : 홈 A : 입사광원
B : 반사광원 C : 투과광원

Claims (12)

  1. 석영 기판;
    상기 석영 기판의 상부에 형성되는 다중 박막;
    상기 다중 박막의 상부에 형성되고, 경사진 측면을 구비하는 소정 깊이의 홈을 구비하며 경사진 측면을 갖는 다중 박막 패턴; 및
    상기 다중 박막 패턴의 상부에 형성되며, 경사진 측면을 구비하는 크롬 패턴
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 EUV 마스크.
  2. 청구항 2은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    청구항 1에 있어서,
    상기 홈에 형성되는 위상반전막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 EUV 마스크.
  3. 청구항 3은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    청구항 1에 있어서,
    상기 크롬 패턴의 경사진 측면은,
    상기 석영 기판에 수직한 선으로부터 6° 내지 10° 기울어진 것을 특징으로 하는 EUV 마스크.
  4. 청구항 4은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    청구항 1에 있어서,
    상기 다중 박막 패턴의 경사진 측면은,
  5. 청구항 5은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    청구항 1에 있어서,
    상기 다중 박막은 몰리브덴과 실리콘을 포함하는 것을 특징으로 하는 EUV 마스크.
  6. 청구항 6은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    청구항 1에 있어서,
    상기 다중 박막은,
    40개의 몰리브덴과 40개의 실리콘의 번갈아 적층된 구조인 것을 특징으로 하는 EUV 마스크.
  7. 석영 기판을 준비하는 단계;
    상기 석영 기판의 상부에 다중 박막을 형성하는 단계;
    상기 다중 박막의 상부에, 경사진 측면을 구비하는 소정 깊이의 홈을 구비하며 경사진 측면을 갖는 다중 박막 패턴을 형성하는 단계; 및
    상기 다중 박막 패턴의 상부에 경사진 측면을 구비하는 크롬 패턴을 형성하는 단계
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 EUV 마스크의 형성방법.
  8. 청구항 8은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    청구항 7에 있어서,
    상기 다중 박막 패턴을 형성하는 단계 이후 상기 홈에 위상반전막을 형성하거나, 상기 크롬 패턴을 형성하는 단계 이후 상기 홈에 위상반전막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 EUV 마스크의 형성방법.
  9. 청구항 9은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    청구항 7에 있어서,
    상기 크롬 패턴을 형성하는 단계는,
    상기 크롬 패턴의 경사진 측면을 상기 석영 기판에 수직한 선으로부터 6° 내지 10° 기울어지게 형성하는 것을 특징으로 하는 EUV 마스크의 형성방법.
  10. 청구항 10은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    청구항 7에 있어서,
    상기 다중 박막 패턴을 형성하는 단계는,
    상기 홈이 경사진 측면을 상기 석영 기판에 수직한 선으로부터 6° 내지 10° 기울어지게 형성하는 것을 특징으로 하는 EUV 마스크의 형성방법.
  11. 청구항 11은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    청구항 7에 있어서,
    상기 다중 박막을 형성하는 단계는,
    상기 석영 기판의 상부에 몰리브덴을 형성하는 단계; 및
    상기 몰리브덴 상부에 실리콘을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 EUV 마스크의 형성방법.
  12. 청구항 12은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    상기 다중 박막을 형성하는 단계는,
    40개의 몰리브덴과 40개의 실리콘을 번갈아 적층하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 EUV 마스크의 형성방법.
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