JP2006352134A - Ｅｕｖマスクおよびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】従来技術によるＥＵＶマスクの不都合点を克服するＥＵＶマスク、特に、より容易に検査できるＥＵＶマスクを提供する。
【解決手段】隆起部と、この隆起部の間にある溝部とを有するＥＵＶマスクであって、熱膨張係数が非常に低い基板と、例えばモリブデンおよびシリコンからなる多層と、例えばシリコンからなるキャッピング層と、を少なくとも有している。ＥＵＶマスクの隆起部は、連続した導電性の層の上に配置されている。
【選択図】図３

Description

本発明は、ＥＵＶ技術によるマスクに関し、さらにＥＵＶマスクの製造方法に関するものである。

マイクロチップの製造において、半導体基板に対してパターン形成するためにフォトレジストの薄い層が用いられる。このフォトレジストは、フォトマスクを用いた露光、または、例えば電子ビームの直接照射によって、その化学的性質を選択的に変えることができる。従って、露光領域または非露光領域は、現像液を用いて選択的に除去できる。なぜなら、用いられるレジストに応じて、露光領域または非露光領域のみが現像液に溶解するからである。フォトレジストの露光領域または非露光領域が除去される現像工程の後、パターン形成されたフォトレジストが得られる。このパターン形成されたフォトレジストは、例えば半導体基板のエッチング時にマスクとして用いられる。

化学放射光は、一般的にフォトレジストの照射において用いられる。この放射光は、一般的にレーザー光源によって生成される。現在用いられている放射光の最短波長は、１５７〜１９３ｎｍの範囲内である。

現在のフォトリソグラフィ技術の分解能によってもたらされる限界を克服するために、フォトレジストを露光する時に、波長がより短い放射光の使用が試みられている。波長が１９３ｎｍを超える放射光、さらに一部では、波長が１５７ｎｍの放射光を発するための、多くの材料および装置が開発されている。しかしながら、半導体技術において遂げられた進歩によって、さらに波長が短い放射光によってのみ生成され得る、さらに小さい構造体のための解像度が必要とされている。現在はまだ試験段階にある極端紫外線（Extreme UV（ＥＵＶ））技術は、全く新しい技術的アプローチを必要とする、１３．４ｎｍの放射光を用いる。

１３．４ｎｍという放射光は、可視光の波長より遥かに短く、Ｘ線の波長の範囲に近い。ＥＵＶ放射光は、ほぼ全ての材料によって吸収される特性を持っているため、透明マスク、および、例えばレンズなどの屈折光学部材を用いた従来のシステムを使用することができない。従ってＥＵＶ放射光は、パターン形成されるウェハ上に形成および方向付けられる、高い反射性を有するミラー部材によってフォーカスされる。

従ってＥＵＶマスクは、高い反射性を有する表面を有し、そして熱が上昇する場合においてもその形状を保持するという特性を有していなければならない。ＥＵＶマスクに対する上記２つの要件を実現するために、熱膨張係数が特に低い基板に対して多層システムが適用される。一般的には、モリブデンおよびシリコンからなり、かつ厚みがそれぞれ２〜４ｎｍである８０〜１２０の層が交互に堆積される。放射光の一部は、モリブデン／シリコン層の各界面において反射し、その結果、理論的には入射光の７０％超が反射され得る。

露光放射光は、ＥＵＶマスクに対して直角である場合は影響を及ぼすことはないが、入射角度が直角より小さい場合には影響を及ぼす。そして、露光放射光は、反射マスクの反射領域から反射し、ウェハの感光性層の上に至る。

ＥＵＶリソグラフィによる従来の反射マスクについて、図１を参照しながら以下に説明する。

基板１上にあり、モリブデン層およびシリコン層を含んでいる多層体２の上には、正面Ｖ上に予め配された吸収層からなる放射光吸収領域３が形成されている。この吸収領域３は、多層体２の上に隆起したように配置されている。また、多層体２の放射光反射領域４は、放射光吸収領域３の間にある。多層体２上の、隆起した放射光吸収領域３および放射光反射領域（溝部）４は、半導体ウェハ上において露光されるパターンと一致している。

矢印によって示されている露光放射光は、直角より小さい角度で、反射マスクに影響を及ぼす。

従来のＥＵＶマスクの製造方法について、図２Ａ〜図２Ｄを参照しながら以下により詳しく説明する。

交互に積層されたモリブデン層２ａおよびシリコン層２ｂを含む多層体２が、例えばＵＬＥ（登録商標）ガラスまたはＺｅｒｏｄｕｒ（登録商標）セラミックなどからなる基板１上に堆積される。各モリブデン層およびシリコン層は極めて薄く、その厚みは約２．７〜２．８ｎｍ（モリブデン層）、および約４．２〜４．３ｎｍ（シリコン層）である。多層体２の最上層はシリコンを含んでおり、「キャップ層」と称される。このキャップ層の厚みは、約１１ｎｍである。次に、例えばＳｉＯ_２からなるバッファ層５が多層体２上に堆積される。このバッファ層５の厚みは、例えば約５０ｎｍである。このバッファ層５は、ＥＵＶマスクをパターン形成する時にストップ層として機能する。

この方法のさらなる工程では、吸収層３が堆積される。この吸収層３は、アルミニウム−銅、クロミウム、または窒化タンタルなどを含んでいてもよい。このようにして得られた構造体を図２Ｂに示す。次に、この構造体の上にレジスト（図示せず）が堆積され、露光、現像される。そして覆われていない吸収層３が除去され、続いて上記レジストが除去された後に、図２Ｃに示すような構造体が得られる。

ＥＵＶマスクの製造中において非常に頻繁に欠陥が生じるため、生じた欠陥は、修復工程において、現在ではＦＩＢ法（集束イオンビーム法）を用いて排除される。次にバッファ層５が除去されて、完成したマスクが得られる（図２Ｄ）。

図１および図２Ａ〜図２Ｄに示すマスクは、吸収体ＥＵＶマスクとしても知られている。

図１および図２Ａ〜図２Ｄに示す従来の吸収体マスクに加えて、「エッチ多層マスク（etched multiplayer mask）と称される別のマスクタイプが提案されている。このマスクタイプでは、反射多層体そのものがパターン形成されるため、バッファ層および吸収層を用いる必要がなくなる。このマスクタイプによって、プロセス窓の大きさ、構造体の位置変位、および水平−垂直バイアスに関するいくつかの利点が得られるが、それ以上に製造を実現することが困難である。製造の困難度が増す理由のひとつとしては、とりわけ、電離放射光または荷電粒子（例えば電子）を用いて露光したときの、構造体の電荷効果が挙げられる。

なぜなら、パターン形成された領域では、非導電性基板の広い区域が露出しており、絶縁構造が生じるからである。これらの荷電効果によって、電子顕微鏡法を用いた正確な検査、荷電粒子（例えばイオンまたは電子）を用いた修復、および荷電粒子を用いた書き込みによる、２層またはそれ以上の構造体の形成が阻害される。この問題は、第２の露光を行うことによって予め部分的に解決しておくことができる。この第２の露光では、パターン形成されていない比較的広い領域においてハードマスクが剥離しないように多層ハードマスクを保護することによって、この保護された領域内に導電性の表層が形成される。

しかしながら、上記の方法は複雑であり、パターン形成されていない領域が比較的広い場合にしか使用できず、さらに、精巧にパターン形成された領域内では使用できない。なお、マスク上に上記構造体を形成する時に、導電性のレジスト、またはこのレジストに加えて導電性の別の層を用いることも同様に可能である。

これらの問題は、吸収体マスクである場合にも生じるが、その程度は小さい。

本発明は、従来技術によるＥＵＶマスクの不都合点を克服するＥＵＶマスク、特に、より容易に検査できるＥＵＶマスクを提案することを目的とする。本発明はさらに、本発明に係るＥＵＶマスクの製造方法を提案することを目的とする。

本発明は、隆起部と、この隆起部の間にあるトレンチとを有するＥＵＶマスクを提供するものであって、このＥＵＶマスクは、熱膨張係数が非常に低い基板と、例えばモリブデンおよびシリコンからなる多層体と、例えばシリコンからなるキャップ層と、を少なくとも有していて、上記ＥＵＶマスクの上記隆起部は、連続した導電性の層の上に配置されている。

本発明に係るＥＵＶマスクは、吸収体ＥＵＶマスク、またはエッチ多層ＥＵＶマスクであることが好ましい。

この場合、上記基板の片面上には、連続したＣｒ層が配置されていることが好ましい。

特に好ましい実施形態では、上記基板は、ＵＬＥ（登録商標）またはＺｅｒｏｄｕｒ（登録商標）を含んでいる。上記基板の厚さは、約６．３５ｍｍである。

上記多層体は、モリブデン層およびシリコン層の単層が交互に積層されたものであることが好ましく、これら単層の数が６０〜２００の範囲内であることが好ましい。

上記単層の厚みは、モリブデン層の場合は２．７〜２．８ｎｍであり、シリコン層の場合は４．３ｎｍであることが好ましい。

上記多層体の最後の層（キャップ層）はシリコンを含んでいることが好ましく、その厚みは２〜２０ｎｍ、好ましくは８〜１２ｎｍである。

本発明は、吸収体型のＥＵＶマスクを製造するための、以下の工程を含む方法を提案することを目的とする。すなわち、本発明のＥＵＶマスクの製造方法は、基板と、多層体と、導電性のキャップ層または導電性の層がその上に配置されているキャップ層と、バッファ層と、吸収層と、レジスト層とを有する構造体を供給する工程と、例えば電子ビームを用いて、上記レジスト層に書き込みを行う工程と、このようにして得られた構造体に熱処理を加える（露光後加熱する）工程と、上記レジスト層を現像する工程と、上記吸収層の覆われていない部分を、上記バッファ層に達するまで（例えばドライエッチングにより）除去することによって、上記バッファ層の覆われていない部分を形成する工程と、上記レジスト層を除去する工程と、このようにして得られた構造体を、電子顕微鏡、好ましくは二次電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて検査し、もし上記構造体に欠陥がある場合には当該欠陥の修復を行う工程と、上記バッファ層の上記覆われていない部分を、上記キャップ層に達するまで除去する工程と、このようにして得られた構造を検査する工程と、上記構造体に欠陥がある場合には当該欠陥を修復する工程と、上記マスクを最終的に洗浄する工程とを含んでいる。

本発明は、エッチ多層型（etched multilayer type）のＥＵＶマスクを製造するための、以下の工程を含む方法を提案することをさらに目的とする。すなわち、本発明に係るエッチ多層型のＥＵＶマスクの製造方法は、基板と、当該基板自体が導電性でなく、必要がある場合には導電性の層と、必要であれば平滑層と、多層体と、ハードマスク層と、レジスト層とを有する構造体を供給する工程と、例えば電子ビームを用いて、上記レジスト層に書き込みを行う工程と、このようにして得られた構造体に熱処理を加える（露光後加熱する）工程と、上記レジスト層を現像する工程と、上記ハードマスク層をエッチングする工程と、上記レジスト層を除去する工程と、このようにして得られた構造体を、電子顕微鏡、好ましくは二次電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて検査し、もし欠陥がある場合にはその修復を行う工程と、上記基板が導電性である場合には、上記多層体を、上記基板に達するまで、または上記基板上に配置された上記導電性の層に達するまでエッチングする工程と、上記ハードマスクを除去する工程と、得られた構造体を、好ましくは二次電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて検査する工程と、欠陥がある場合には修復する工程と、上記マスクを最終的に洗浄する工程とを含む。

本発明に係るＥＵＶマスクは、以上のように、熱膨張係数が非常に低い基板と、多層体と、キャップ層とを備え、上記隆起部は、連続した導電性の層の上に配されている構成である。

本発明に係るＥＵＶマスクの製造方法は、以上のように、基板と、多層体と、導電性であるか、または導電性の層を含むキャップ層と、バッファ層と、吸収層と、レジスト層とを含む構造体を供給する工程と、上記レジスト層に対して書き込みを行う工程と、上記各工程を経て得られた上記構造体に対して熱処理を行う工程と、上記レジスト層を現像する工程と、上記吸収層の被覆されていない部分を上記バッファ層に達するまで除去し、当該バッファ層の被覆されていない部分を形成する工程と、上記レジスト層を除去する工程と、上記各工程を経て得られた上記構造体を、電子顕微鏡、好ましくは二次電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて検査し、欠陥がある場合にはその修復を行う工程と、上記バッファ層の上記被覆されていない部分を、上記キャップ層が導電性の場合には当該キャップ層に達するまで除去するか、または、上記キャップ層に含まれる導電性の層に達するまで除去する工程と、上記各工程を経て得られた上記構造体を検査する工程と、上記構造体に欠陥がある場合に、当該欠陥を修復する工程と、上記ＥＵＶマスクを最終的に洗浄する工程とを含む構成である。

本発明に係るＥＵＶマスクの製造方法は、以上のように、基板と、当該基板自体が導電性でない場合に設けられる導電性の層と、必要であれば平滑層と、多層体と、ハードマスク層と、レジスト層とを含む構造体を供給する工程と、上記レジスト層に対して書き込みを行う工程と、上記各工程を経て得られた上記構造体に対して熱処理を行う工程と、上記レジスト層を現像する工程と、上記ハードマスク層をエッチングする工程と、上記レジスト層を除去する工程と、上記各工程を経て得られた上記構造体を、電子顕微鏡、好ましくは二次電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて検査し、欠陥がある場合にはその修復を行う工程と、上記基板が導電性である場合は、上記多層体を上記基板に達するまでエッチングするか、または上記基板上に配された上記導電性の層に達するまでエッチングする工程と、上記ハードマスク層を除去する工程と、上記各工程を経て得られた上記構造体を、二次電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて検査する工程と、上記構造体に欠陥がある場合には、当該欠陥を修復する工程と、上記ＥＵＶマスクを最終的に洗浄する工程とを含む構成である。

それゆえ、従来技術によるＥＵＶマスクの不都合点を克服するＥＵＶマスク、特に、より容易に検査できるＥＵＶマスクを実現することができるという効果を奏する。

本実施形態のＥＵＶマスクは、隆起部が配置されている連続的な導電性の層を有しており、このＥＵＶマスクは、
熱膨張係数が非常に低い基板（例えばＵＬＥ（登録商標）またはＺｅｒｏｄｕｒ（登録商標））と、
例えば、クロミウム、窒化タンタル、導電性の炭素層、アルミニウム銅、鉄、コバルト、またはニッケルからなる導電性の基層と、
必要であれば、例えばシリコンからなる平滑層と、
交互に積層されている複数の薄いモリブデン層およびシリコン層と、
最後の層である、例えばシリコンからなるキャップ層とからなる多層体と、
必要であれば、例えば酸化ケイ素またはクロミウムからなるバッファ層と、
例えばクロミウムまたは窒化タンタルからなる吸収層と、を含んでいる。

上記バッファ層は、特に吸収体ＥＵＶマスクである場合に形成される。従ってこのマスクタイプの上記隆起部は、吸収層およびバッファ層から形成される。この形態は、その基本的な特徴において、図１または図２Ａ〜図２Ｄに示すマスクと一致している。従って上記Ｍｏ／Ｓｉ多層体はパターン形成されていない。この形態では、本発明によると、上記キャップ層（上記多層体の最後の層）は、導通するように形成されている。または、導電性である別の層が上記キャップ層上に堆積されている。上記キャップ層が、例えばシリコンを含んでいる場合は、適切な材料を用いてドープすることによって導通させることができる。

対照的に、上記エッチ多層マスクは、導電性の基層と、必要であれば平滑層とを有していることが好ましい。上記基層および平滑層は、上記基板とＭｏ／Ｓｉ多層体との間に配置されている。上記平滑層はシリコンを含んでいることが好ましい。このマスクタイプの場合は、上記隆起部は、Ｍｏ／Ｓｉ多層体から形成されている。この実施形態では、基板そのものが導電性であるか、または、基板は隆起部が配置されている場所の上に、導電性の層を有している。

本発明の第１の実施形態では、ＥＵＶマスクの上記隆起部は、吸収層およびバッファ層を有している。一方、第２の実施形態では、上記隆起部はＭｏ／Ｓｉ多層体から形成されている。

上記２つの実施形態において共通している点は、隆起部が導電性の表面上に配置されている点である。上記２つの実施形態において異なっている点は、吸収体マスクの場合では、導電性の層によるＥＵＶ放射光の吸収性は低いことが好ましく、一方、エッチ多層マスクの場合では、導電性の層によるＥＵＶ光の吸収性は高くなるように形成されているという点である。

本発明の特定の一実施形態では、基板は、ＵＬＥ（登録商標）またはＺｅｒｏｄｕｒ（登録商標）を含んでいる。基板に用いられる適切な材料の選択肢はＵＬＥ（登録商標）またはＺｅｒｏｄｕｒ（登録商標）に限られることはなく、別の材料を用いてもよい。基板材料を選択する時の重大な要素は、熱膨張係数が低く、かつ粗さがほとんどない材料であることである。上記基板の典型的な厚みは、約６．３５ｍｍである。

上記基板の背面に、例えばクロミウムからなる導電性の層を塗布してよい。しかし、このクロミウム層は、ＥＵＶマスクが機能する上で必要ではない。このクロミウム層を形成した場合には、その典型的な厚みは５０〜１００ｎｍである。上記クロミウム層から離れた面に、多層体が堆積される。この多層体は、交互になった６０〜２００の薄い層を有していることが好ましく、これらの薄い層は、モリブデン層およびシリコン層であることが好ましい。これらの層の厚みはそれぞれ、２．７〜２．８ｎｍ、および４．２〜４．３ｎｍである。上記多層体に用いられる材料の選択肢はモリブデンおよびシリコンに限定されず、他の材料を用いてもよい。上記層の厚みは、入射光の波長に合わせて変えられる。また、異なる波長が用いられる場合は、上記層の厚みは、上述した仕様から外れたものとなる。

Ｍｏ／Ｓｉ多層体が用いられる場合は、この多層体の最後の層（キャップ層）は、シリコンを含んでいることが好ましい。上記キャップ層の厚みは、２〜２０ｎｍの範囲内であることが好ましく、またシリコンを選択することを考慮すると、８〜１２ｎｍの範囲内であることが特に好ましい。

上記キャップ層上に、例えばＳｉＯ_２またはクロミウムからなるバッファ層を堆積してもよい。このバッファ層は、上記吸収層をパターン形成する時にストップ層として機能する。従って、上記バッファ層に用いられる材料の選択は、用いるエッチング方法に合わせて変えられ、従って、他の材料を用いてもよい。上記バッファ層の厚みは、１０〜８０ｎｍの範囲内であることが好ましい。

上記最後の層は、入射ＥＵＶ放射光を吸収する材料を含んでいて、例えば窒化タンタルまたはクロミウムなどを含んでいてもよい。この吸収層の厚みは、５０〜１００ｎｍの範囲内であることが好ましい。

以上のように、本発明は、隆起部と、この隆起部の間にあるトレンチとを有するＥＵＶマスクを提供するものであって、このＥＵＶマスクは、
熱膨張係数が非常に低い基板と、
例えばモリブデンおよびシリコンからなる多層体と、
例えばシリコンからなるキャップ層と、を少なくとも有していて、
上記ＥＵＶマスクの上記隆起部は、連続した導電性の層の上に配置されている。

本発明に係るＥＵＶマスクは、吸収体ＥＵＶマスク、またはエッチ多層ＥＵＶマスクであることが好ましい。

この場合、上記基板の片面上には、連続したＣｒ層が配置されていることが好ましい。

特に好ましい実施形態では、上記基板は、ＵＬＥ（登録商標）またはＺｅｒｏｄｕｒ（登録商標）を含んでいる。上記基板の厚さは、約６．３５ｍｍである。

上記多層体は、モリブデン層およびシリコン層の単層が交互に積層されたものであることが好ましく、これら単層の数が６０〜２００の範囲内であることが好ましい。

上記単層の厚みは、モリブデン層の場合は２．７〜２．８ｎｍであり、シリコン層の場合は４．３ｎｍであることが好ましい。

上記多層体の最後の層（キャップ層）はシリコンを含んでいることが好ましく、その厚みは２〜２０ｎｍ、好ましくは８〜１２ｎｍである。

（吸収体型のＥＵＶマスクの製造方法）
本実施形態に係る吸収体型のＥＵＶマスクの製造方法について、図３（ａ）〜（ｅ）を参照しながらより詳しく説明する。

上記吸収体ＥＵＶマスクの吸収層は、窒化タンタルまたはクロムを含んでいることが好ましい。

基板、多層体、キャップ層、バッファ層、および吸収層を含む連続した層の上に、レジストが堆積され、露光、およびパターン形成されて（図示せず）、図３（ｂ）に示すような構造体が得られる。図３（ｂ）に示す構造体では、上記吸収層は部分的に覆われていない。上記吸収層の覆われていない部分が除去されて、図３（ｃ）に示すような構造体が得られる。次に、まず上記レジストが除去され（図３（ｄ））、続いて上記バッファ層の覆われていない部分が除去されて、完成したマスクが得られる（図３（ｅ））。

この実施形態では、上記キャップ層が導電性であるか、または上記キャップ層と上記隆起部との間に導電性の層が配置される（図示せず）。

以上のように、本発明は、吸収体型のＥＵＶマスクを製造するための、以下の工程を含む方法を提案することを目的とする。

すなわち、本発明のＥＵＶマスクの製造方法は、
基板と、多層体と、導電性のキャップ層または導電性の層がその上に配置されているキャップ層と、バッファ層と、吸収層と、レジスト層とを有する構造体を供給する工程と、
例えば電子ビームを用いて、上記レジスト層に書き込みを行う工程と、
このようにして得られた構造体に熱処理を加える（露光後加熱する）工程と、
上記レジスト層を現像する工程と、
上記吸収層の覆われていない部分を、上記バッファ層に達するまで（例えばドライエッチングにより）除去することによって、上記バッファ層の覆われていない部分を形成する工程と、
上記レジスト層を除去する工程と、
このようにして得られた構造体を、好ましくは二次電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて検査し、もし上記構造体に欠陥がある場合には当該欠陥の修復を行う工程と、
上記バッファ層の上記覆われていない部分を、上記キャップ層に達するまで除去する工程と、
このようにして得られた構造を検査する工程と、
上記構造体に欠陥がある場合には当該欠陥を修復する工程と、
上記マスクを最終的に洗浄する工程とを含んでいる。

（ＥＵＶエッチ多層マスクの製造方法）
ＥＵＶエッチ多層マスクの製造方法について、図４（ａ）〜（ｆ）を参照しつつ説明する。

図４（ａ）に示すように、基板と、キャップ層を有する多層体と、この多層体上に配置されたハードマスクと、このハードマスク上に堆積されたレジストとを含む連続した層が形成される。そして、この連続した層上において、上記レジストが露光およびパターン形成されて、図４ｂに示すような構造体が得られる。

次に、上記レジストに沿って上記ハードマスクが選択的にエッチングされて、図４（ｃ）に示すような構造体が得られる。上記レジストを除去した後に、上記ハードマスクは、図４（ｄ）に示すように、上記多層体の特定の領域にのみ保持される。その結果、上記多層体がパターン形成できるようになる。上記多層体をエッチングした後に得られる構造体を図４（ｅ）に示す。最後の工程では、上記ハードマスクが除去されて、完成したエッチ多層マスクが得られる（図４（ｆ））。

図４（ａ）〜図４（ｆ）に示す実施形態では、パターン形成された上記隆起部の下に、導電性の別の層は配置されていない。なぜなら上記基板全体が、または少なくとも上記多層体に接触している上記基板の一部が、導電性であるからである。導電性は、例えばＺｅｒｏｄｕｒ（登録商標）またはＵＬＥ（登録商標）などを用いた標的ドーピングによって得てもよい。なぜなら、Ｚｅｒｏｄｕｒ（登録商標）およびＵＬＥ（登録商標）は、容易にドープ可能なガラスおよびセラミックであるからである。

以上のように、本発明は、エッチ多層型（etched multilayer type）のＥＵＶマスクを製造するための、以下の工程を含む方法を提案することをさらに目的とする。

すなわち、本発明に係るエッチ多層型のＥＵＶマスクの製造方法は、
基板と、当該基板自体が導電性でなく、必要がある場合には導電性の層と、必要であれば平滑層と、多層体と、ハードマスク層と、レジスト層とを有する構造体を供給する工程と、
例えば電子ビームを用いて、上記レジスト層に書き込みを行う工程と、
このようにして得られた構造体に熱処理を加える（露光後加熱する）工程と、
上記レジスト層を現像する工程と、
上記ハードマスク層をエッチングする工程と、
上記レジスト層を除去する工程と、
このようにして得られた構造体を、好ましくは二次電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて検査し、もし欠陥がある場合にはその修復を行う工程と、
上記基板が導電性である場合には、上記多層体を、上記基板に達するまで、または上記基板上に配置された上記導電性の層に達するまでエッチングする工程と、
上記ハードマスクを除去する工程と、
得られた構造体を、好ましくは二次電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて検査する工程と、
欠陥がある場合には修復する工程と、
上記マスクを最終的に洗浄する工程とを含む。

従来の反射マスクの構造を示す断面図である。 従来のＥＵＶマスクの製造方法を説明するための断面図である。 従来のＥＵＶマスクの製造方法を説明するための断面図である。 従来のＥＵＶマスクの製造方法を説明するための断面図である。 従来のＥＵＶマスクの製造方法を説明するための断面図である。 （ａ）〜（ｅ）は、一実施形態の吸収体型のＥＵＶマスクの製造方法を説明するための断面図である。 （ａ）〜（ｆ）は、一実施形態のＥＵＶエッチ多層マスクの製造方法を説明するための断面図である。

Claims (30)

1. 隆起部と、
   上記隆起部の間にある溝部とを備えるＥＵＶマスクであって、
   熱膨張係数が非常に低い基板と、
   多層体と、
   キャップ層とを備え、
   上記隆起部は、連続した導電性の層の上に配されていることを特徴とするＥＵＶマスク。
2. 上記ＥＵＶマスクは、吸収体型、またはエッチ多層型であることを特徴とする請求項１に記載のＥＵＶマスク。
3. 上記基板の背面には、導電性の層が配されていることを特徴とする請求項１または２に記載のＥＵＶマスク。
4. 上記基板は、ＵＬＥ（登録商標）またはＺｅｒｏｄｕｒ（登録商標）を含んでいることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のＥＵＶマスク。
5. 上記基板の厚さは、６．３５ｍｍであることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載のＥＵＶマスク。
6. 上記多層体は、第１の単層と、第２の単層とを交互に含むことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載のＥＵＶマスク。
7. 上記多層体における上記単層の数は、６０〜２００の範囲内のものであることを特徴とする請求項６に記載のＥＵＶマスク。
8. 上記第１の単層はモリブデンを含み、
   上記第２の単層はシリコンを含むことを特徴とする請求項６または７に記載のＥＵＶマスク。
9. 使用される放射光の波長が１３〜１４ｎｍであり、当該放射光の入射角が３°〜７°である場合に、
   上記第１の単層は、２〜３ｎｍの厚さを有し、
   上記第２の単層は、４〜５ｎｍの厚さを有していることを特徴とする請求項６〜８のいずれか１項に記載のＥＵＶマスク。
10. 上記キャップ層は、２〜２０ｎｍ、好ましくは、８〜１２ｎｍの厚さを有していることを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載のＥＵＶマスク。
11. 窒化タンタルまたはクロミウムを含む吸収層をさらに備えていることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１項に記載のＥＵＶマスク。
12. 吸収体型のＥＵＶマスクの製造方法であって、
    基板と、
    多層体と、
    導電性であるか、または導電性の層を含むキャップ層と、
    バッファ層と、
    吸収層と、
    レジスト層とを含む構造体を供給する工程と、
    上記レジスト層に対して書き込みを行う工程と、
    上記各工程を経て得られた上記構造体に対して熱処理を行う工程と、
    上記レジスト層を現像する工程と、
    上記吸収層の被覆されていない部分を上記バッファ層に達するまで除去し、当該バッファ層の被覆されていない部分を形成する工程と、
    上記レジスト層を除去する工程と、
    上記各工程を経て得られた上記構造体を、電子顕微鏡、好ましくは二次電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて検査し、欠陥がある場合にはその修復を行う工程と、
    上記バッファ層の上記被覆されていない部分を、上記キャップ層が導電性の場合には当該キャップ層に達するまで除去するか、または、上記キャップ層に含まれる導電性の層に達するまで除去する工程と、
    上記各工程を経て得られた上記構造体を検査する工程と、
    上記構造体に欠陥がある場合に、当該欠陥を修復する工程と、
    上記ＥＵＶマスクを最終的に洗浄する工程とを含むことを特徴とするＥＵＶマスクの製造方法。
13. 上記基板の背面には、導電性の層が配されていることを特徴とする請求項１２に記載のＥＵＶマスクの製造方法。
14. 上記基板は、ＵＬＥ（登録商標）またはＺｅｒｏｄｕｒ（登録商標）を含んでいることを特徴とする請求項１２または１３に記載のＥＵＶマスクの製造方法。
15. 上記基板の厚さは、６．３５ｍｍであることを特徴とする請求項１２〜１４のいずれか１項に記載のＥＵＶマスクの製造方法。
16. 上記多層体は、第１の単層と、第２の単層とを交互に含むことを特徴とする請求項１２〜１５のいずれか１項に記載のＥＵＶマスクの製造方法。
17. 上記多層体における上記単層の数は、６０〜２００の範囲内のものであることを特徴とする請求項１６に記載のＥＵＶマスクの製造方法。
18. 上記第１の単層はモリブデンを含み、
    上記第２の単層はシリコンを含むことを特徴とする請求項１６または１７に記載のＥＵＶマスクの製造方法。
19. 使用される放射光の波長が１３〜１４ｎｍであり、当該放射光の入射角が３°〜７°である場合に、
    上記第１の単層は、２〜３ｎｍの厚さを有し、
    上記第２の単層は、４〜５ｎｍの厚さを有していることを特徴とする請求項１６〜１８のいずれか１項に記載のＥＵＶマスクの製造方法。
20. 上記キャップ層は、２〜２０ｎｍ、好ましくは、８〜１２ｎｍの厚さを有していることを特徴とする請求項１２〜１９のいずれか１項に記載のＥＵＶマスクの製造方法。
21. 上記吸収層は、窒化タンタルまたはクロミウムを含んでいることを特徴とする請求項１２〜２０のいずれか１項に記載のＥＵＶマスクの製造方法。
22. エッチ多層型のＥＵＶマスクの製造方法であって、
    基板と、
    当該基板自体が導電性でない場合に設けられる導電性の層と、
    必要であれば平滑層と、
    多層体と、
    ハードマスク層と、
    レジスト層とを含む構造体を供給する工程と、
    上記レジスト層に対して書き込みを行う工程と、
    上記各工程を経て得られた上記構造体に対して熱処理を行う工程と、
    上記レジスト層を現像する工程と、
    上記ハードマスク層をエッチングする工程と、
    上記レジスト層を除去する工程と、
    上記各工程を経て得られた上記構造体を、電子顕微鏡、好ましくは二次電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて検査し、欠陥がある場合にはその修復を行う工程と、
    上記基板が導電性である場合は、上記多層体を上記基板に達するまでエッチングするか、または上記基板上に配された上記導電性の層に達するまでエッチングする工程と、
    上記ハードマスク層を除去する工程と、
    上記各工程を経て得られた上記構造体を、二次電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて検査する工程と、
    上記構造体に欠陥がある場合には、当該欠陥を修復する工程と、
    上記ＥＵＶマスクを最終的に洗浄する工程とを含むことを特徴とするＥＵＶマスクの製造方法。
23. 上記基板の背面には、導電性の層が配されていることを特徴とする請求項２２に記載のＥＵＶマスクの製造方法。
24. 上記基板は、ＵＬＥ（登録商標）またはＺｅｒｏｄｕｒ（登録商標）を含んでいることを特徴とする請求項２２または２３に記載のＥＵＶマスクの製造方法。
25. 上記基板の厚さは、６．３５ｍｍであることを特徴とする請求項２２〜２４のいずれか１項に記載のＥＵＶマスクの製造方法。
26. 上記多層体は、第１の単層と、第２の単層とを交互に含むことを特徴とする請求項２２〜２５のいずれか１項に記載のＥＵＶマスクの製造方法。
27. 上記多層体における上記単層の数は、６０〜２００の範囲内のものであることを特徴とする請求項２６に記載のＥＵＶマスクの製造方法。
28. 上記第１の単層はモリブデンを含み、
    上記第２の単層はシリコンを含むことを特徴とする請求項２６または２７に記載のＥＵＶマスクの製造方法。
29. 使用される放射光の波長が１３〜１４ｎｍであり、当該放射光の入射角が３°〜７°である場合に、
    上記第１の単層は、２〜３ｎｍの厚さを有し、
    上記第２の単層は、４〜５ｎｍの厚さを有していることを特徴とする請求項２６〜２８のいずれか１項に記載のＥＵＶマスクの製造方法。
30. 上記キャップ層は、２〜２０ｎｍ、好ましくは、８〜１２ｎｍの厚さを有していることを特徴とする請求項２２〜２９のいずれか１項に記載のＥＵＶマスクの製造方法。