TW201351027A - 反射式光罩 - Google Patents
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Abstract
一種反射式光罩包含一基板、一第一反射複層、一第二反射複層、一第一圖案化吸收層及一第二圖案化吸收層。基板包含一第一表面和一第二表面，其中該第一表面與該第二表面是相對。第一反射複層形成於基板之第一表面上。第二反射複層形成於基板之第二表面上。第一圖案化吸收層形成於第一反射複層上。第二圖案化吸收層形成於第二反射複層上。
Description
本發明係關於一種微影光罩；特別關於一種反射式光罩。
光微影技術的進步讓半導體積體電路可製作得更小，且具有更好的效能。具有248、193或157奈米波長之深紫外光(deep ultraviolet)現已被運用來製作晶片。使用極端紫外光(extreme ultraviolet light；EUV)、X光、電子和離子束等數種候選方法正為成為下一世代之光微影技術而相互競爭。
極端紫外光微影技術(EUV lithography；EUVL)可能是最有希望的競爭者，其是使用約10至15奈米波長之EUV光。由於缺少可穿透EUV光之材料，使得EUVL使用反射式光學元件而非折射式光學元件來曝照晶圓。EUV光可利用放電電漿(discharge produced plasma)來產生。所產生之EUV光則可利用一系列之布拉格鏡(Bragg mirrors)，導向至一用來在晶圓上之光阻層上形成圖案之反射式光罩。整個曝光過程是在真空條件下進行，以避免EUV光被空氣所吸收。
現今在EUVL技術中，發展出合適、優質的EUVL光罩仍是主要的挑戰。EUVL光罩技術包括EUVL空白光罩(blank mask)之準備及光罩之製作。空白光罩要求平整、無缺陷之基板及無缺陷之堆疊層，其中基板需具有極低的熱膨脹係數，而疊層需具有準確的厚度及化學組成。由於嚴格的EUV光罩規格難以符合，因此EUV光罩的成本非常地高。
鑑於前述問題，新的反射式光罩及光罩素材被提出。
根據本發明一實施例，一種反射式光罩包含一基板、一第一反射複層、一第二反射複層、一第一圖案化吸收層及一第二圖案化吸收層。
基板包含一第一表面和一第二表面，其中該第一表面與該第二表面是相對。第一反射複層形成於基板之第一表面上。第二反射複層形成於基板之第二表面上。第一圖案化吸收層形成於第一反射複層上。第二圖案化吸收層形成於第二反射複層上。
根據本發明一實施例，一種光罩素材包含一基板、一第一反射複層、一第二反射複層、一第一蓋層、一第二蓋層、一第一吸收層，以及一第二吸收層。基板包含一第一表面和一第二表面，其中該第一表面與該第二表面是相對。第一反射複層形成於基板之第一表面上。第二反射複層形成於基板之第二表面上。第一蓋層形成於第一反射複層上。第二蓋層形成於第二反射複層上。第一吸收層形成於第一蓋層上。第二吸收層形成於第二蓋層上。
本發明至少部分實施例揭露之反射式光罩及光罩素材具有低成本、低管理成本及較長的使用壽命等優點。
1‧‧‧反射式光罩
3‧‧‧光罩素材
10‧‧‧圖案區域
11‧‧‧基板
12‧‧‧第一反射複層
13‧‧‧第二反射複層
14、14'‧‧‧第一圖案化吸收層
15、15'‧‧‧第二圖案化吸收層
16‧‧‧第一蓋層
17‧‧‧第二蓋層
18、18'‧‧‧第一中介層
19、19'‧‧‧第二中介層
20‧‧‧圖案區域
21‧‧‧導電層
111‧‧‧第一表面
112‧‧‧第二表面
圖1為本發明一實施例之反射式光罩之示意圖。
圖2為本發明一實施例之反射式光罩之導電層之示意圖。
圖3為本發明一實施例之光罩素材之示意圖。
實施例是關於反射式光罩，其較佳但不限於是使用在深紫外光微影技術(Extra Ultraviolet Lithography)。
圖1為本發明一實施例之反射式光罩1之示意圖。如圖1所示，反射式光罩1可根據分散式布拉格反射鏡(distributed Bragg reflector)原理運作。反射式光罩1可具有兩圖案區域(10和20)，兩圖案區域(10和20)設置於反射式光罩1之兩相對側。反射式光罩1可包含一基板11、一第一反射複層12、一第二反射複層13、一第一圖案化吸收層14，以及一第二圖案化吸收層15。基板11具有一第一表面111及一第二表面112。第一反射複層12直接形成於第一表面111上。第二反射複層13直接形成於第二
表面112上。第一圖案化吸收層14形成於第一反射複層12上。第二圖案化吸收層15形成於第二反射複層13上。
基板11可為經精密研磨之空白平板。在一些實施例中，基板11包含不穿透EUV光之類玻璃材料(EUV opaque glass-like material)。在一些實施例中，基板11包含熔氧化矽(fused silica)。在一些實施例中，基板11包含摻雜鈦和錫之熔氧化矽(Ti and Sn-doped fused silica)。
第一反射複層12和第二反射複層13中之每一者可讓從其之分層而來之散射光產生建設性干涉，藉此反射出所要波長之EUV光。替第一反射複層12和第二反射複層13選擇合適的材料與厚度可讓反射光依相位來結合(combine in phase)。第一反射複層12和第二反射複層13中之每一者可包含交替相疊之兩材料層，其中兩材料層可視為一層對(layer pair)。兩材料可具有不同的折射率(refractive index)。兩材料之一者較另一者可具有較高的原子數(atomic number)。為達成共振反射率(resonant reflectivity)，第一反射複層12或第二反射複層13之週期(period)需約為反射光之波長之一半。
在本發明之一些實施例中，第一反射複層12和第二反射複層13中之每一者包含鉬(molybdenum)和矽(silicon)。以例言，該層對可形成而具有約2.8奈米厚之鉬和約4.1奈米厚之矽。第一反射複層12和第二反射複層13中之每一者可包含適當數量之層對，以滿足需求。第一反射複層12所具有的層對數目可與第二反射複層13所具有的數目不同。另外，在一些實施例中，第一反射複層12和第二反射複層13中每一者可包含交替相疊之鉬和鈹(beryllium)。
第一圖案化吸收層14和第二圖案化吸收層15可利用會吸收所欲反射之光之材料所形成。許多的金屬和合金適合用來形成第一圖案化吸收層14或第二圖案化吸收層15。在一些實施例中，第一圖案化吸收層14或第二圖案化吸收層15包含金屬、合金、或鉭基材料(tantalum-based material)。在一些實施例中，第一圖案化吸收層14或第二圖案化吸收層15包含鋁(aluminum)、鋁銅(aluminum copper；AlCu)、鉻(chromium)、鉭(tantalum)或鎢(tungsten)。在一些實施例中，第一圖案化吸收層14或第二圖案化吸收層15可包含矽化鎳(nickel silicide)、硼化鉭(tantalum boride)、氮化鉭(tantalum
nitride)、鉭矽化物(tantalum silicide)、鉭矽氮化物(tantalum silicon nitride)或氮化鈦(titanium nitride)。
在本發明之一些實施例中，第一圖案化吸收層14或第二圖案化吸收層15可形成而具有相同的線路圖案(circuit pattern)。由於傳統的反射式光罩僅一側具有圖案，因此當該圖案受損時，傳統的反射式光罩就必須報廢；而相較於傳統的反射式光罩，前述兩吸收層具有相同的線路圖案之設計可延長本案實施例之反射式光罩之壽命。
在本發明一些實施例中，第一圖案化吸收層14及第二圖案化吸收層15具有不同的圖案，如此無需製作兩個光罩以分別承載第一圖案化吸收層14及第二圖案化吸收層15，而使得光罩成本及光罩管理成本可大幅降低。
參照圖1所示，在一些實施例中，反射式光罩1可進一步包含一第一蓋層16及一第二蓋層17。第一蓋層16及第二蓋層17可用來分別保護第一反射複層12及第二反射複層13，以避免第一反射複層12及第二反射複層13在暴露於環境下時受影響或改變，例如：被氧化(oxidized)。在本實施例中，第一蓋層16形成於第一圖案化吸收層14和第一反射複層12之間；而第二蓋層17形成於第二圖案化吸收層15和第二反射複層13之間。第一蓋層16或第二蓋層17可以適當的材料形成，例如：碳(carbon)、碳化矽(silicon carbide)、矽(silicon)、釕(ruthenium)或氮化矽(silicon nitride)。
如圖1所示，在一些實施例中，反射式光罩1可更包含一第一中介層(buffer layer)18及一第二中介層19。第一中介層18或第二中介層19可為一薄層，其中在清洗、檢驗和圖案修復等光罩製作步驟中，第一中介層18或第二中介層19可用來保護第一蓋層16或第二蓋層17和第一反射複層12或第二反射複層13。中介層18或19可由二氧化矽(silicon dioxide)來形成。其他具有類似性質的合適材料(例如：氮氧化矽(silicon oxynitride))亦可用來形成第一中介層18或第二中介層19。
圖2為本發明一實施例之反射式光罩1之導電層之示意圖。如圖2所示，反射式光罩1可被靜電夾具(electrostatic chuck)所固持。在此種設計下，反射式光罩1可包含一第一導電層21及一第二導電層(未繪示)，其中第一導電層21可形成於第一表面111，而第二導電層可形成於第二表
面112。第一導電層21或第二導電層可利用鉻(chromium)、鉬(molybdenum)或鋁(aluminum)等材料來形成。
圖3為本發明一實施例之光罩素材(mask blank)3之示意圖。如圖3所示，光罩素材3可包含一基板11、第一和第二反射複層12和13、第一和第二蓋層16和17，以及第一和第二吸收層14'和15'，其中基板11具有第一表面111及第二表面112；第一和第二反射複層12和13分別形成於第一表面111及第二表面112；第一和第二蓋層16和17分別形成於第一和第二反射複層12和13；第一和第二吸收層14'和15'分別形成於第一和第二蓋層16和17。在一些實施例中，光罩素材3更包含一第一中介層18'及一第二中介層19'，其中第一中介層18'形成於第一蓋層16和第一吸收層14'之間；第二中介層19'形成於第二蓋層17和第二吸收層15'之間。
光罩製造製程可分開運用在光罩素材3之兩相對側上。光阻施加在第一或第二吸收層14'或15'上。使用雷射光或電子束描寫工具(writing tool)，在光阻上形成圖案。利用合適的蝕刻製程，蝕刻第一或第二吸收層14'或15'。在一些實施例中，在檢查第一和第二圖案化吸收層14和15(圖1)後，以適合的蝕刻製程蝕刻第一或第二中介層18'或19'。
在一些實施例中，光罩素材3可進一步包含第一和第二導電層，其中該第一和第二導電層用於讓靜電夾具固持光罩。第一導電層可直接形成在基板11之第一表面111上，並位在第一反射複層12之下方；而第二導電層可直接形成於基板11之第二表面112上，並位在第二反射複層13之下方。第一和第二導電層可利用適合的蝕刻製程來顯露出。
本揭露之技術內容及技術特點已揭示如上，然而熟悉本項技術之人士仍可能基於本揭露之教示及揭示而作種種不背離本揭露精神之替換及修飾。因此，本揭露之保護範圍應不限於實施範例所揭示者，而應包括各種不背離本揭露之替換及修飾，並為以下之申請專利範圍所涵蓋。
1‧‧‧反射式光罩
10‧‧‧圖案區域
11‧‧‧基板
12‧‧‧第一反射複層
13‧‧‧第二反射複層
14‧‧‧第一圖案化吸收層
15‧‧‧第二圖案化吸收層
16‧‧‧第一蓋層
17‧‧‧第二蓋層
18‧‧‧第一中介層
19‧‧‧第二中介層
20‧‧‧圖案區域
111‧‧‧第一表面
112‧‧‧第二表面
Claims (19)
- 一種反射式光罩，包含：一基板，包含一第一表面和一第二表面，其中該第一表面與該第二表面是相對；一第一反射複層，形成於該第一表面上；一第二反射複層，形成於該第二表面上；一第一圖案化吸收層，形成於該第一反射複層上；以及一第二圖案化吸收層，形成於該第二反射複層上。
- 根據申請專利範圍第1項所述之反射式光罩，其中該第一圖案化吸收層和該第二圖案化吸收層具有相同的圖案。
- 根據申請專利範圍第1項所述之反射式光罩，其中該第一圖案化吸收層和該第二圖案化吸收層具有不同的圖案。
- 根據申請專利範圍第1項所述之半反射式光罩，更包含一第一導電層及一第二導電層，其中該第一導電層形成於該第一表面，而該第二導電層形成於該第二表面。
- 根據申請專利範圍第1項所述之反射式光罩，更包含一第一蓋層及一第二蓋層，其中該第一蓋層形成於該第一圖案化吸收層與該第一反射複層之間，而該第二蓋層形成於該第二圖案化吸收層與該第二反射複層之間。
- 根據申請專利範圍第5項所述之反射式光罩，更包含一第一中介層及一第二中介層，其中該第一中介層形成於該第一蓋層與該第一圖案化吸收層之間，而該第二中介層形成於該第二蓋層與該第二圖案化吸收層之間。
- 根據申請專利範圍第6項所述之反射式光罩，其中該第一 中介層或該第二中介層包含二氧化矽。
- 根據申請專利範圍第5項所述之反射式光罩，其中該第一蓋層或該第二蓋層包含碳、碳化矽、矽、釕或氮化矽。
- 根據申請專利範圍第1項所述之反射式光罩，其中該基板包含熔氧化矽或摻雜鈦和錫之熔氧化矽。
- 根據申請專利範圍第1項所述之反射式光罩，其中該第一反射複層或該第二反射複層包含鉬和矽；或者該第一反射複層或該第二反射複層包含鉬和鈹。
- 根據申請專利範圍第1項所述之反射式光罩，其中該第一圖案化吸收層或該第二圖案化吸收層包含金屬、合金或鉭基材料。
- 一種光罩素材，包含：一基板，包含一第一表面和一第二表面，其中該第一表面與該第二表面是相對；一第一反射複層，形成於該第一表面上；一第二反射複層，形成於該第二表面上；一第一蓋層，形成於該第一反射複層上；一第二蓋層，形成於該第二反射複層上；一第一吸收層，形成於該第一蓋層上；以及一第二吸收層，形成於該第二蓋層上。
- 根據申請專利範圍第12項所述之光罩素材，更包含一第一導電層及一第二導電層，其中該第一導電層形成於該第一表面，而該第二導電層形成於該第二表面。
- 根據申請專利範圍第12項所述之光罩素材，更包含一第 一中介層及一第二中介層，其中該第一中介層形成於該第一蓋層與該第一吸收層之間，而該第二中介層形成於該第二蓋層與該第二吸收層之間。
- 根據申請專利範圍第14項所述之光罩素材，其中該第一中介層或該第二中介層包含二氧化矽。
- 根據申請專利範圍第12項所述之光罩素材，其中該第一蓋層或該第二蓋層包含碳、碳化矽、矽、釕或氮化矽。
- 根據申請專利範圍第12項所述之光罩素材，其中該基板包含熔氧化矽或摻雜鈦和錫之熔氧化矽。
- 根據申請專利範圍第12項所述之光罩素材，其中該第一反射複層或該第二反射複層包含鉬和矽；或者該第一反射複層或該第二反射複層包含鉬和鈹。
- 根據申請專利範圍第12項所述之光罩素材，其中該第一吸收層或該第二吸收層包含金屬、合金或鉭基材料。
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|---|---|---|---|---|
| JP3047541B2 (ja) * | 1991-08-22 | 2000-05-29 | 株式会社日立製作所 | 反射型マスクおよび欠陥修正方法 |
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