TW202008073A - 極紫外光遮罩吸收劑材料 - Google Patents

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賓尼 瓦吉斯
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Abstract

茲揭示極紫外光(EUV)遮罩胚料、其製造方法和生產系統。所述EUV遮罩胚料包含：基板；位於基板上之反射層之多層堆疊；位於反射層之多層堆疊上之覆蓋層；及位於覆蓋層上之吸收劑層，所述吸收劑層由鉭和鎳之合金製成。

Description

極紫外光遮罩吸收劑材料
一般而言，本揭示內容涉及極紫外光微影術，且更具體而言，涉及具合金吸收劑之極紫外光遮罩胚料及其製造方法。
極紫外光(EUV)微影術，也稱為軟性x射線投射微影術，用於製造0.0135微米及更小的最小特徵尺寸半導體裝置。然而，極紫外光線，其通常在5至100奈米波長範圍內，幾乎在所有材料中會被強烈吸收。出於這個原因，極紫外光系統藉由反射而非藉由光的傳輸來運作。藉由使用一系列的鏡，或透鏡元件，及反射元件，或塗佈有非反射性吸收劑遮罩圖案之遮罩胚料，將圖案化的光化光(actinic light)反射到塗有光阻的半導體基板上。
極紫外光微影系統的透鏡元件和遮罩胚料塗佈有諸如鉬及矽等材料之多層反射塗層。藉由使用塗佈有多層塗層的基板可獲得每個透鏡元件或遮罩胚料約略65%的反射值，所述多層塗層強烈反射極窄的紫外光帶通(如，就13.5奈米紫外光而言12.5至14.5奈米的帶通)內之光。
第1圖繪示習用的EUV反射遮罩10，其由EUV遮罩胚料形成，EUV反射遮罩10包括基板14上之反射性多層堆疊12，其藉由布拉格干涉而於未被遮蔽部分反射EUV輻射。習用EUV反射遮罩10的被遮蔽(非反射性)區域16由蝕刻緩衝層18和吸收層20形成。吸收層通常具有在51 nm至77 nm的範圍內之厚度。覆蓋層22形成在反射性多層堆疊12上方並在蝕刻製程期間保護反射性多層堆疊12。如將於下文進一步討論的，EUV遮罩胚料由塗佈有多層、覆蓋層和吸收層之低熱膨脹材料基板製成，接著經蝕刻以提供被遮蔽(非反射性)區域16及反射性區域24。
國際半導體技術研發藍圖(International Technology Roadmap for Semiconductors；ITRS)將節點的覆蓋要求指定為技術最小半間距(half-pitch)特徵尺寸的一定百分比。由於所有反射性微影系統中固有的影像設置和重疊誤差之影響，EUV反射遮罩將需要遵守更精確的平坦度規範以用於將來的生產。此外，EUV胚料對於胚料的工作區域上之瑕疵具有非常低的耐受性。需要提供具有更薄的吸收劑之EUV遮罩胚料，以減輕3D效應。
本揭示內容之一或多個實施例涉及製造極紫外光(EUV)遮罩胚料之方法，包含以下步驟：於基板上形成反射層之多層堆疊於基板上，多層堆疊包括複數個反射層對；於多層堆疊上形成覆蓋層；以及於覆蓋層上形成吸收劑層，吸收劑層包含鉭和鎳之合金，其中鉭和鎳之合金選自：具有約70重量%至約85重量%的鉭和約15重量%至約30重量%的鎳之合金、具有約45重量%至約55重量%的鉭和約45重量%至約55重量%的鎳之合金，及具有約30重量%至約45重量%的鉭和約55重量%至約70重量%的鎳之合金。
本揭示內容之額外實施例涉及極紫外光(EUV)遮罩胚料，包含：基板；基板上之反射層的多層堆疊，反射層的多層堆疊包括複數個反射層對；反射層的多層堆疊上之覆蓋層；以及吸收劑層，吸收劑層包含鉭和鎳之合金，其中鉭和鎳之合金選自：具有約70重量%至約85重量%的鉭和約15重量%至約30重量%的鎳之合金、具有約45重量%至約55重量%的鉭和約45重量%至約55重量%的鎳之合金，及具有約30重量%至約45重量%的鉭和約55重量%至約70重量%的鎳之合金。
本揭示內容之進一步實施例涉及極紫外光(EUV)遮罩胚料，包含：基板；基板上之多層堆疊，多層堆疊包括複數個反射層對，複數個反射層對包括鉬(Mo)和矽(Si)的反射層對；反射層的多層堆疊上之覆蓋層；及包含鉭和鎳之合金之吸收劑層，其中鉭和鎳之合金選自：具有約70重量%至約85重量%的鉭和約15重量%至約30重量%的鎳之合金、具有約45重量%至約55重量%的鉭和約45重量%至約55重量%的鎳之合金，及具有約30重量%至約45重量%的鉭和約55重量%至約70重量%的鎳之合金。
在描述本揭示內容的若干示例性實施例之前，應理解到，本揭示內容不限於以下描述中闡述之構造或處理步驟的細節。本揭示內容能夠有其他實施例並且能夠以各種方式實踐或實施。
本文所用之術語「水平」係界定為平行於遮罩胚料的平面或表面之平面，無論其取向如何。術語「垂直」指的是與剛剛界定之水平正交之方向。如圖所示，諸如「上方」、「下方」、「底部」、「頂部」、「側面」(如在「側壁」中)、「較高」、「較低」、「上部」、「之上」及「之下」等術語係參考水平面來界定。
術語「在…上」表示元件之間有直接接觸。術語「直接在…上」表示元件之間有直接接觸而沒有中間元件。
如本說明書及隨附申請專利範圍所用，術語「前驅物」、「反應劑」、「反應氣體」等可互換使用，以指稱與基板表面反應的任何氣態物種。
本案所屬技術領域中具通常知識者將理解到，使用如「第一」及「第二」等序數來描述製程區域並不意味著處理腔室內的特定位置或處理腔室內之暴露的順序。
如在本說明書和隨附申請專利範圍所用，術語「基板」是指製程在其上作用之表面或表面的一部分。本案所屬技術領域中具通常知識者亦將理解到，除非上下文另有明確說明，否則對基板的提及可僅指基板的一部分。此外，參照沉積於基板上意味著裸基板和具有一或多個膜或特徵沉積於或形成於其上之基板二者。
現請參見第2圖，其示出極紫外光微影系統100的示範實施例。極紫外光微影系統100包括：極紫外光源102，用於產生極紫外光線112；一組反射元件；及目標晶圓110。反射元件包括聚光器(condenser) 104、EUV反射遮罩106、光學縮減組件108、遮罩胚料、鏡或前述者之組合。
極紫外光源102產生極紫外光線112。極紫外光線112為波長在5至50奈米(nm)之範圍內的電磁輻射。舉例而言，極紫外光源102包括雷射、雷射產生之電漿、放電產生之電漿、自由電子雷射、同步輻射或前述者之組合。
極紫外光源102可產生具有各種特徵之極紫外光線112。極紫外光源102可產生在某波長範圍內之寬帶極紫外光輻射。舉例而言，極紫外光源102產生波長範圍從5至50 nm之極紫外光線112。
在一或多個實施例中，極紫外光源102可產生具有窄帶寬之極紫外光線112。舉例而言，極紫外光源102可產生13.5 nm之極紫外光線112。波長峰值的中心為13.5 nm。
聚光器104為光學單元，用於反射和聚焦極紫外光線112。聚光器104反射並聚集來自極紫外光源102之極紫外光線112，以照射EUV反射遮罩106。
儘管聚光器104被示出為單一元件，但應理解，在一些實施例中之聚光器104包括諸如凹面鏡、凸面鏡、平面鏡或前述者之組合等一或多種反射元件，用於反射和聚集極紫外光線112。舉例而言，在所示之實施例中的聚光器104為單一凹面鏡或具有凸面、凹面和平面光學元件的光學組件。
EUV反射遮罩106為具有遮罩圖案114之極紫外光反射元件。EUV反射遮罩106產生微影圖案，以形成待形成於目標晶圓110上之電路佈局。EUV反射遮罩106反射極紫外光線112。遮罩圖案114界定電路佈局的一部分。
光學縮減組件108為光學單元，用於縮減遮罩圖案114的影像。來自EUV反射遮罩106之極紫外光線112的反射被光學縮減組件108縮減並反射至目標晶圓110上。一些實施例的光學縮減組件108包括鏡和其他光學元件，以縮減遮罩圖案114之影像的尺寸。舉例而言，一些實施例中之光學縮減組件108包括用於反射和聚焦極紫外光線112之凹面鏡。
光學縮減組件108可縮減目標晶圓110上之遮罩圖案114的影像之尺寸。舉例而言，遮罩圖案114由光學縮減組件108以4:1之比例成像至目標晶圓110上，以於目標晶圓110上形成由遮罩圖案114所表示之電路。極紫外光線112與目標晶圓110同步掃描EUV反射遮罩106，以於目標晶圓110上形成遮罩圖案114。
現請參見第3圖，圖示極紫外光反射元件生產系統200之實施例。極紫外光反射元件包括EUV遮罩胚料204、極紫外光鏡205，或如EUV反射遮罩106等其他反射裝置。
極紫外光反射元件生產系統200產生遮罩胚料、鏡或能反射第2圖的極紫外光線112之其他元件。極紫外光反射元件生產系統200藉由將薄塗層施加至源基板203來製造反射裝置。
EUV遮罩胚料204是多層結構，用於形成第2圖的EUV反射遮罩106。可使用半導體製造技術來形成EUV遮罩胚料204。藉由蝕刻及其他製程，EUV反射遮罩106可具有形成於EUV遮罩胚料204上之第2圖的遮罩圖案114。
極紫外光鏡205為多層結構，其能反射一範圍內的極紫外光線。可使用半導體製造技術來形成極紫外光鏡205。在一些實施例中，從形成在各元件上之層來看，EUV遮罩胚料204和極紫外光鏡205是類似結構，但極紫外光鏡205不具有遮罩圖案114。
反射元件是極紫外光線112之高效反射器。在實施例中，EUV遮罩胚料204和極紫外光鏡205具有大於60%之極紫外光反射率。若反射元件能反射超過60%的極紫外光線112則為高效的。
極紫外光反射元件生產系統200包括晶圓裝載和載體搬運系統202，源基板203裝載至晶圓裝載和載體搬運系統202內，且反射元件從晶圓裝載和載體搬運系統202卸載。大氣之搬運系統206提供對晶圓傳送真空腔室208之接取。晶圓裝載和載體搬運系統202包括基板傳送盒、裝載閘(loadlock)及其他部件，以將基板從大氣轉移至系統內之真空。因為EUV遮罩胚料204用於形成非常小型的裝置，所以在真空系統中處理源基板203和EUV遮罩胚料204以避免污染及其他瑕疵。
晶圓傳送真空腔室208含有第一真空腔室210和第二真空腔室212等兩個真空腔室。第一真空腔室210包括第一晶圓傳送系統214，且第二真空腔室212包括第二晶圓傳送系統216。儘管以兩個真空腔室來描述晶圓傳送真空腔室208，但應理解該系統可具有任何數量的真空腔室。
晶圓傳送真空腔室208具有圍繞其周邊之複數個埠，用以附接各種其他系統。第一真空腔室210具有脫氣系統218、第一物理氣相沉積系統220、第二物理氣相沉積系統222及預清潔系統224。脫氣系統218用於從基板熱脫附(thermally desorbing)水分。預清潔系統224用於清潔晶圓、遮罩胚料、鏡或其他光學部件的表面。
物理氣相沉積系統，諸如第一物理氣相沉積系統220和第二物理氣相沉積系統222，可用於一些實施例中以於源基板203上形成導電材料的薄膜。舉例而言，一些實施例之物理氣相沉積系統包括真空沉積系統，如磁控濺射系統、離子濺射系統、脈衝式雷射沉積、陰極電弧沉積或前述者之組合。物理氣相沉積系統，如磁控濺射系統，在源基板203上形成薄層，包括矽、金屬、合金、化合物或前述者之組合物的層。
物理氣相沉積系統可形成反射層、覆蓋層和吸收劑層。舉例而言，物理氣相沉積系統經配置以形成矽、鉬、氧化鈦、二氧化鈦、氧化釕、氧化鈮、釕鎢、釕鉬、釕鈮、鉻、鉭、氮化物、化合物或前述者之組合的層。儘管一些化合物被描述為氧化物，但應理解，化合物包括氧化物、二氧化物、具有氧原子之原子混合物或前述者之組合。
第二真空腔室212具有與其連接之第一多陰極源226、化學氣相沉積系統228、硬化腔室230及超平滑沉積腔室(ultra-smooth deposition chamber) 232。舉例而言，一些實施例之化學氣相沉積系統228包括可流動化學氣相沉積系統(FCVD)、電漿輔助化學氣相沉積系統(CVD)、氣溶膠(aerosol)輔助CVD、熱絲CVD系統或類似系統。在另一個實例中，化學氣相沉積系統228、硬化腔室230及超平滑沉積腔室232位在與極紫外光反射元件生產系統200分開的系統中。
化學氣相沉積系統228可於源基板203上形成材料的薄膜。舉例而言，化學氣相沉積系統228用於在源基板203上形成材料層，包括單晶層、多晶層、非晶層、磊晶層或前述者之組合。化學氣相沉積系統228形成矽、氧化矽、碳氧化矽、碳、鎢、碳化矽、氮化矽、氮化鈦、金屬、合金及適用於化學氣相沉積之其他材料的層。舉例而言，化學氣相沉積系統形成平坦化層。
第一晶圓傳送系統214能在連續真空中於大氣之搬運系統206與圍繞第一真空腔室210周邊的多個系統之間移動源基板203。第二晶圓傳送系統216能繞著第二真空腔室212移動源基板203，同時將源基板203維持於連續真空中。極紫外光反射元件生產系統200在連續真空中於第一晶圓傳送系統214與第二晶圓傳送系統216之間轉移源基板203及EUV遮罩胚料204。
現請參見第4圖，其示出極紫外光反射元件302的實施例。在一或多個實施例中，極紫外光反射元件302為第3圖的EUV遮罩胚料204或第3圖的極紫外光鏡205。EUV遮罩胚料204和極紫外光鏡205為用於反射第2圖的極紫外光線112之結構。EUV遮罩胚料204用於形成第2圖所示之EUV反射遮罩106。
極紫外光反射元件302包括基板304、反射層之多層堆疊306及覆蓋層308。在一或多個實施例中，極紫外光鏡205用於形成反射結構，所述反射結構可用於第2圖的聚光器104中或用於第2圖的光學縮減組件108中。
在一些實施例中之極紫外光反射元件302為EUV遮罩胚料204，包括基板304、反射層的多層堆疊306、覆蓋層308及吸收劑層310。在一些實施例中之極紫外光反射元件302為EUV遮罩胚料204，其用於藉由以所需電路之佈局圖案化吸收劑層310來形成第2圖的EUV反射遮罩106。
在以下段落中，為簡化起見，EUV遮罩胚料204之術語可與極紫外光鏡205之術語互換使用。在一或多個實施例中，EUV遮罩胚料204包括極紫外光鏡205的組件，還加入吸收劑層310以額外形成第2圖的遮罩圖案114。
EUV遮罩胚料204為光學上平坦的結構，用於形成具有遮罩圖案114之EUV反射遮罩106。在一或多個實施例中，EUV遮罩胚料204的反射表面形成平坦的焦平面，用於反射入射光，如第2圖的極紫外光線112。
基板304為用於對極紫外光反射元件302提供結構性支撐的元件。在一或多個實施例中，由具有低熱膨脹係數(CTE)的材料製成基板304，以在溫度變化期間提供穩定性。在一或多個實施例中，基板304具有諸如對機械循環、熱循環、結晶形成或前述者之組合具穩定性之特性。根據一或多個實施例之基板304可由諸如矽、玻璃、氧化物、陶瓷、玻璃陶瓷或前述者之組合等材料形成。
多層堆疊306為對極紫外光線112有反射性之結構。多層堆疊306包括第一反射層312和第二反射層314之交替反射層。
第一反射層312及第二反射層314形成第4圖之反射對316。在不受限之實施例中，就總共達120個之反射層而言，多層堆疊306包括20至60個反射對316之範圍。
第一反射層312和第二反射層314由各種材料形成。在實施例中，第一反射層312和第二反射層314分別由矽和鉬形成。儘管所述層表示為矽和鉬，應理解的是，在一些實施例中之交替層由其他材料形成或具有其他內部結構。
第一反射層312和第二反射層314可具有各種結構。在實施例中，第一反射層312和第二反射層314二者被形成為單一層、多層、分層結構、非均勻結構或前述者之組合。
因為大多數材料吸收極紫外光波長的光，所以使用的光學元件具反射性，而不是如使用於其他微影系統中那樣具透射性。多層堆疊306藉由具有交替的不同光學特性之材料薄層來形成反射結構，以產生布拉格反射器或鏡。
在實施例中，就極紫外光線112而言，各交替層具有不同光學常數。當交替層之厚度的週期是極紫外光線112之波長的一半時，交替層可提供共振反射率(resonant reflectivity)。在實施例中，就波長為13 nm之極紫外光線112而言，交替層為約6.5 nm厚。應理解到，所提供之尺寸和維度在典型元件的常態工程公差內。
可以各種方式形成多層堆疊306。在實施例中，可以磁控濺射、離子濺射系統、脈衝式雷射沉積、陰極電弧沉積或前述者之組合來形成第一反射層312和第二反射層314。
在說明性實施例中，使用諸如磁控濺射等物理氣相沉積技術來形成多層堆疊306。在實施例中，多層堆疊306的第一反射層312和第二反射層314具有藉由磁控濺射技術形成之特性，包括精確的厚度、低粗糙度和介於層之間的乾淨介面。在實施例中，多層堆疊306的第一反射層312和第二反射層314具有藉由物理氣相沉積形成之特性，包括精確的厚度、低粗糙度和介於層之間的乾淨介面。
使用物理氣相沉積技術形成之多層堆疊306的層之物理性維度被精確控制，以提升反射率。在實施例中，第一反射層312，如矽層，具有4.1 nm之厚度。第二反射層314，如鉬層，具有2.8 nm之厚度。層的厚度決定了極紫外光反射元件的峰值反射率波長。若層的厚度不正確，則在期望波長13.5 nm處的反射率會降低。
在實施例中，多層堆疊306具有大於60%之反射率。在實施例中，使用物理氣相沉積形成之多層堆疊306具有在66%至67%之範圍內的反射率。在一或多個實施例中，在以較硬的材料形成之多層堆疊306上方形成覆蓋層308可增進反射率。在一些實施例中，使用低粗糙度層、層間的乾淨介面、改良的層材料或前述者之組合來實現大於70%之反射率。
在一或多個實施例中，覆蓋層308為容許極紫外光線112透射之保護層。在實施例中，覆蓋層308直接形成於多層堆疊306上。在一或多個實施例中，覆蓋層308保護多層堆疊306不受汙染和機械損壞。在一個實施例中，多層堆疊306對氧、碳、碳氫化合物或前述者之組合的污染物敏感。根據實施例之覆蓋層308與污染物交互作用以中和汙染物。
在一或多個實施例中，覆蓋層308為對極紫外光線112呈透明的光學性一致結構。極紫外光線112穿過覆蓋層308以從多層堆疊306反射。在一或多個實施例中，覆蓋層308具有1%至2%的總反射率損失。在一或多個實施例中，取決於厚度，各不同材料具有不同的反射率損失，但它們全部將在1%至2%的範圍內。
在一或多個實施例中，覆蓋層308具有平滑表面。舉例而言，一些實施例中之覆蓋層308的表面具有小於0.2 nm RMS (均方根測量值)之粗糙度。在另一個實例中，就1/100 nm與1/1 µm的範圍中之長度而言，覆蓋層308的表面具有0.08 nm RMS之粗糙度。RMS粗糙度將根據測量其之範圍而改變。就100 nm至1微米的特定範圍而言，粗糙度為0.08 nm或更小。在更大的範圍內，粗糙度將更高。
可由多種方法形成覆蓋層308。在實施例中，以磁控濺射、離子濺射系統、離子束沉積、電子束蒸鍍、射頻(RF)濺射、原子層沉積(ALD)、脈衝式雷射沉積、陰極電弧沉積或前述者之組合，將覆蓋層308形成在多層堆疊306上或直接在多層堆疊306上。在一或多個實施例中，覆蓋層308具有藉由磁控濺射技術形成之物理特性，包括精確的厚度、低粗糙度和介於層之間的乾淨介面。在實施例中，覆蓋層308具有藉由物理氣相沉積形成之物理特性，包括精確的厚度、低粗糙度和介於層之間的乾淨介面。
在一或多個實施例中，覆蓋層308由多種材料形成，所述材料具有足以在清潔期間抵抗侵蝕之硬度。在一個實施例中，釕用作覆蓋層材料，因為釕是良好的蝕刻終止，且在操作條件下是相對惰性的。然而，應理解到，在一些實施例中，使用其他材料來形成覆蓋層308。在具體實施例中，覆蓋層308的厚度在2.5與5.0 nm之範圍內。
在一或多個實施例中，吸收劑層310為吸收極紫外光線112之層。在實施例中，吸收劑層310用於藉由提供不反射極紫外光線112的區域而在EUV反射遮罩106上形成圖案。根據一或多個實施例，吸收劑層310包含對極紫外光線112的特定頻率(如約13.5 nm)具有高吸收係數的材料。在實施例中，將吸收劑層310直接形成在覆蓋層308上，並使用光微影製程蝕刻吸收劑層310，以形成EUV反射遮罩106的圖案。
根據一或多個實施例，諸如極紫外光鏡205之極紫外光反射元件302經形成而具有基板304、多層堆疊306及覆蓋層308。極紫外光鏡205具有光學上平坦的表面並高效且均勻地反射極紫外光線112。
根據一或多個實施例，諸如EUV遮罩胚料204之極紫外光反射元件302經形成而具有基板304、多層堆疊306、覆蓋層308及吸收劑層310。遮罩胚料204具有光學上平坦的表面並高效且均勻地反射極紫外光線112。在實施例中，以EUV遮罩胚料204的吸收劑層310形成遮罩圖案114。
根據一或多個實施例，在覆蓋層308上方形成吸收劑層310增加了EUV反射遮罩106的可靠度。覆蓋層308用作吸收劑層310之蝕刻終止層。當將第2圖的遮罩圖案114蝕刻進入吸收劑層310時，吸收劑層310下方的覆蓋層308阻擋蝕刻作用，以保護多層堆疊306。在一或多個實施例中，吸收劑層310對覆蓋層308具蝕刻選擇性。在一些實施例中，覆蓋層308包含釕，且吸收劑層310對釕具蝕刻選擇性。
在一或多個實施例中，「吸收劑材料」指的是鉭(Ta)及鉭(Ta)和鎳(Ni)之合金。
在實施例中，吸收劑層310包含鉭和鎳之合金。在一些實施例中，吸收劑層的厚度小於約45 nm，包括小於約40 nm、小於約35 nm、小於約30 nm、小於約25 nm、小於約20 nm、小於約15 nm、小於約10 nm、小於約 5 nm、小於約1 nm或小於約0.5 nm。在其他實施例中，吸收劑層310的厚度在約0.5 nm至約45 nm之範圍內，包括約1 nm至約44 nm、1 nm至約40 nm及15 nm至約40 nm等範圍。
不欲受限於理論，認為具有小於約45 nm的厚度之吸收劑層310有利地導致吸收劑層具有小於約2%之反射率，從而減少並減輕極紫外光(EUV)遮罩胚料中之3D效應。
在實施例中，吸收劑層310由鉭和鎳之合金製成。在一或多個實施例中，鉭和鎳之合金選自：具有約70重量%至約85重量%的鉭和約15重量%至約30重量%的鎳之合金、具有約45重量%至約55重量%的鉭和約45重量%至約55重量%的鎳之合金，及具有約30重量%至約45重量%的鉭和約55重量%至約70重量%的鎳之合金，所有重量百分比(重量%)是基於合金的總重量。
在其他實施例中，鉭和鎳之合金選自：具有約70重量%至約75重量%的鉭和約25重量%至約30重量%的鎳之合金、具有約48重量%至約55重量%的鉭和約45重量%至約52重量%的鎳之合金，及具有約35重量%至約45重量%的鉭和約55重量%至約65重量%的鎳之合金，所有重量百分比(重量%)是基於合金的總重量。
在具體實施例中，鉭和鎳之合金為富鉭合金。如本文所用，術語「富鉭(tantalum rich)」意指合金中之鉭明顯多於鎳。舉例而言，在具體實施例中，鉭和鎳之合金為具有約70重量%至約85重量%的鉭和約15重量%及約30重量%的鎳之合金。在另一個具體實施例中，鉭和鎳之合金為具有約70重量%至約75重量%的鉭和約25重量%及約30重量%的鎳之合金。
在一或多個實施例中，鉭和鎳之合金包含摻質。摻質可選自氮或氧中之一或多者。在實施例中，摻質包含氧。在替代實施例中，摻質包含氮。在實施例中，基於合金的重量，合金中存在之摻質的量在約0.1重量%至約5重量%之範圍內。在其他實施例中，合金中存在之摻質的量為約0.1重量%、0.2重量%、0.3重量%、0.4重量%、0.5重量%、0.6重量%、0.7重量%.0.8重量%、0.9重量%、1.0重量%、1.1重量%、1.2重量%、1.3重量%、1.4重量%、1.5重量%、1.6重量%、1.7重量%.1.8重量%、1.9重量%、2.0重量%2.1重量%、2.2重量%、2.3重量%、2.4重量%、2.5重量%、2.6重量%、2.7重量%.2.8重量%、2.9重量%、3.0重量%、3.1重量%、3.2重量%、3.3重量%、3.4重量%、3.5重量%、3.6重量%、3.7重量%.3.8重量%、3.9重量%、4.0重量%、4.1重量%、4.2重量%、4.3重量%、4.4重量%、4.5重量%、4.6重量%、4.7重量%.4.8重量%、4.9重量%或5.0重量%。
在另一個具體實施例中，鉭和鎳之合金為等比例合金。如本文所用，術語「等比例(equal ratio)」意指合金中存在大約相同量(按重量計)之鉭和鎳。舉例而言，在實施例中，鉭和鎳之合金為具有約45重量%至約55重量%的鉭和約45重量%和約55重量%的鎳之合金。在另一個實施例中，鉭和鎳之合金為具有約48重量%至約55重量%的鉭和約45重量%至約52重量%的鎳之合金。
在更進一步的具體實施例中，鉭和鎳之合金為富鎳合金。如本文所用，術語「富鎳(nickel rich)」意指合金中之鎳明顯多於鉭。舉例而言，在實施例中，鉭和鎳之合金為具有約30重量%至約45重量%的鉭和約55重量%至約70重量%的鎳之合金。在另一個實施例中，鉭和鎳之合金為具有約35重量%至約45重量%的鉭和約55重量%至約65重量%的鎳之合金。
在一或多個實施例中，吸收劑層的合金為在物理沉積腔室中形成之共濺射的合金吸收劑材料，其提供薄得多的吸收劑層厚度(小於30nm)同時實現了小於2%的反射率和適當的蝕刻特性。在一或多個實施例中，藉由選自氬(Ar)、氧(O2 )或氮(N2 )中之一或多者之氣體來共濺射吸收劑層的合金。在實施例中，藉由氬和氧氣之混合物(Ar + O2 )來共濺射吸收劑層的合金。在一些實施例中，藉由氬和氧的混合物進行之共濺射形成及鎳的氧化物及/或鉭的氧化物。在其他實施例中，藉由氬和氧的混合物進行之共濺射不形成鎳或鉭的氧化物。在實施例中，藉由氬和氮氣之混合物(Ar + N2 )來共濺射吸收劑層的合金。在一些實施例中，藉由氬和氮的混合物進行之共濺射形成鎳的氮化物及/或鉭的氮化物。在其他實施例中，藉由氬和氮的混合物進行之共濺射不形成鎳或鉭的氮化物。在實施例中，藉由氬和氧和氮氣的混合物(Ar + O2 + N2 )來共濺射吸收劑層的合金。在一些實施例中，藉由氬和氧和氮的混合物進行之共濺射形成鎳的氧化物及/或氮化物及/或鉭的氧化物及/或氮化物。在其他實施例中，藉由氬和氧和氮的混合物進行之共濺射不形成鎳或鉭的氧化物或氮化物。在實施例中，如上文所討論，可藉由控制(多個)合金百分比來調整吸收劑層的蝕刻特性及/或其他特性。在實施例中，可藉由物理氣相沉積腔室之操作參數(如電壓、壓力、流量等等)來精確控制(多個)合金百分比。在實施例中，製程氣體用於進一步修飾材料特性，例如，N2 氣體用於形成鉭和鎳的氮化物。
在一或多個實施例中，如本文所用之「共濺射(co-sputtering)」意指使用選自氬(Ar)、氧(O2 )或氮(N2 )中之一或多種氣體同時濺射兩個靶材(一個靶材包含鎳，且第二靶材包含鉭)，以沉積/形成包含鉭和鎳之合金的吸收劑層。
在其他實施例中，使用選自氬(Ar)、氧(O2 )或氮(N2 )中之一或多者的氣體，逐層沉積鉭和鎳之合金成為鉭層和鎳層之層疊。在實施例中，使用氬和氧氣的混合物(Ar + O2 )逐層沉積吸收劑層的合金成為鉭和鎳層之層疊。在一些實施例中，使用氬和氧的混合物之逐層沉積可形成鎳的氧化物及/或鉭的氧化物。在其他實施例中，使用氬和氧的混合物之逐層沉積不形成鎳或鉭的氧化物。在實施例中，使用氬和氮氣的混合物(Ar + N2 )逐層沉積吸收劑層的合金成為鉭和鎳層之層疊。在一些實施例中，使用氬和氮的混合物之逐層沉積可形成鎳的氮化物及/或鉭的氮化物。在其他實施例中，使用氬和氮的混合物之逐層沉積不形成鎳或鉭的氮化物。在實施例中，使用氬和氧和氮氣的混合物(Ar + O2 + N2 )逐層沉積吸收劑層的合金成為鉭和鎳層之層疊。在一些實施例中，使用氬和氧和氮的混合物之逐層沉積形成鎳的氧化物及/或氮化物及/或鉭的氧化物及/或氮化物。在其他實施例中，使用氬和氧和氮的混合物之逐層沉積不形成鎳或鉭的氧化物或氮化物。
在一或多個實施例中，可製造本文所述之合金成分的塊狀靶材，藉由使用選自氬(Ar)、氧(O2 )或氮(N2 )中之一或多者的氣體之常規濺射來濺射所述靶材。在一或多個實施例中，使用具有與合金相同成分之塊狀靶材來沉積合金，並使用選自氬(Ar)、氧(O2 )或氮(N2 )中之一或多者的氣體來濺射以形成吸收劑層。在實施例中，使用具有與合金相同成分之塊狀靶材並使用氬和氧氣的混合物(Ar + O2 )來濺射，以沉積吸收劑層的合金。在一些實施例中，使用氬和氧的混合物之塊狀靶材沉積可形成鎳的氧化物及/或鉭的氧化物。在其他實施例中，使用氬和氧的混合物之塊狀靶材沉積不形成鎳或鉭的氧化物。在實施例中，使用具有與合金相同成分之塊狀靶材來沉積吸收劑層的合金，並使用氬和氮氣的混合物(Ar + N2 )來濺射。在一些實施例中，使用氬和氮的混合物之塊狀靶材沉積可形成鎳的氮化物及/或鉭的氮化物。在其他實施例中，使用氬和氮的混合物之塊狀靶材沉積不形成鎳或鉭的氮化物。在實施例中，使用具有與合金相同成分之塊狀靶材來沉積吸收劑層的合金，並使用氬和氧和氮氣的混合物(Ar + O2 + N2 )來濺射。在一些實施例中，使用氬和氧和氮的混合物之塊狀靶材沉積可形成鎳的氧化物及/或氮化物及/或鉭的氧化物及/或氮化物。在其他實施例中，使用氬和氧和氮的混合物之塊狀靶材沉積不形成鎳或鉭的氧化物或氮化物。
可在物理沉積腔室中製造EUV遮罩胚料，物理沉積腔室具有：包含第一吸收劑材料之第一陰極、包含第二吸收劑材料之第二陰極、包含第三吸收劑材料之第三陰極、包含第四吸收劑材料之第四陰極，及包含第五吸收劑材料之第五陰極，其中第一吸收劑材料、第二吸收劑材料、第三吸收劑材料、第四吸收劑材料及第五吸收劑材料彼此不同，且各吸收劑材料具有與其他材料不同之消光係數(extinction coefficient)，且各吸收劑材料具有與其他吸收劑材料不同之折射率。
現請參見第5圖，圖中所示之極紫外光遮罩胚料400包含基板414、基板414上之反射層412的多層堆疊，反射層412的多層堆疊包括複數個反射層對。在一或多個實施例中，複數個反射層對是由選自含鉬(Mo)材料及含矽(Si)材料中之材料所製成。在一些實施例中，複數個反射層對包含交替的鉬層和矽層。極紫外光遮罩胚料400進一步包括位於反射層412的多層堆疊上之覆蓋層422，還有位在覆蓋層422上之吸收劑層的多層堆疊420。在一或多個實施例中，複數個反射層412選自含鉬(Mo)材料及含矽(Si)材料，且覆蓋層422包含釕。
吸收劑層之多層堆疊420包括複數個吸收劑層對(pair) 420a、420b、420c、420d、420e、420f，各對(420a/420b、420c/420d、420e/420f)包含鉭和鎳之合金。在一些實施例中，鉭和鎳之合金選自：具有約70重量%至約85重量%的鉭和約15重量%至約30重量%的鎳之合金、具有約45重量%至約55重量%的鉭和約45重量%至約55重量%的鎳之合金，及具有約30重量%至約45重量%的鉭和約55重量%至約70重量%的鎳之合金。舉例而言，吸收劑層420a由鉭材料製成，且製成吸收劑層420b之材料為鉭和鎳之合金。類似地，吸收劑層420c由鉭材料製成，且製成吸收劑層420d之材料為鉭和鎳之合金，且吸收劑層420e由鉭材料製成，且製成吸收劑層420f之材料為鉭和鎳之合金。
在一個實施例中，極紫外光遮罩胚料400包括複數個反射層412，所述反射層412選自含鉬(Mo)材料及含矽(Si)材料，例如，鉬(Mo)和矽(Si)。用於形成吸收劑層420a、420b、420c、420d、420e及420f之吸收劑材料為鉭和鎳之合金。鉭和鎳之合金可選自：具有約70重量%至約85重量%的鉭和約15重量%至約30重量%的鎳之合金、具有約45重量%至約55重量%的鉭和約45重量%至約55重量%的鎳之合金，及具有約30重量%至約45重量%的鉭和約55重量%至約70重量%的鎳之合金。在其他實施例中，鉭和鎳之合金選自：具有約70重量%至約75重量%的鉭和約25重量%至約30重量%的鎳之合金、具有約48重量%至約55重量%的鉭和約45重量%至約52重量%的鎳之合金，及具有約35重量%至約45重量%的鉭和約55重量%至約65重量%的鎳之合金。
在一或多個實施例中，吸收劑層對420a/420b、420c/420d、420e/420f包含：包括吸收劑材料之第一層(420a、420c、420e)，所述吸收劑材料包含鉭和鎳之合金；及包括吸收劑材料之第二吸收劑層(420b、420d、420f)，所述吸收劑材料包括鉭和鎳之合金。在具體實施例中，吸收劑層對包含：包括鉭和鎳之合金之第一層(420a、420c、420e)，鉭和鎳之合金選自：具有約70重量%至約75重量%的鉭和約25重量%至約30重量%的鎳之合金、具有約48重量%至約55重量%的鉭和約45重量%至約52重量%的鎳之合金，及具有約35重量%至約45重量%的鉭和約55重量%至約65重量%的鎳之合金；及包括吸收劑材料之第二吸收劑層(420b、420d、420f)，所述吸收劑材料包括鉭和鎳之合金，鉭和鎳之合金選自：具有約70重量%至約75重量%的鉭和約25重量%至約30重量%的鎳之合金、具有約48重量%至約55重量%的鉭和約45重量%至約52重量%的鎳之合金，及具有約35重量%至約45重量%的鉭和約55重量%至約65重量%的鎳之合金。
根據一或多個實施例，吸收劑層對包含：第一層(420a、420c、420e)及第二吸收劑層(420b、420d、420f)，各所述第一吸收劑層(420a、420c、420e)及第二吸收劑層(420b、420d、420f)之厚度在0.1 nm與10 nm之範圍內，例如在1 nm與5 nm之範圍內，或在1 nm與3 nm之範圍內。在一或多個具體實施例中，第一層420a的厚度為0.5 nm、0.6 nm、0.7 nm、0.8 nm、0.9 nm、1 nm、1.1 nm、1.2 nm、1.3 nm、1.4 nm、1.5 nm、1.6 nm、1.7 nm、1.8 nm、1.9 nm、2 nm、2.1 nm、2.2 nm、2.3 nm、2.4 nm、2.5 nm、2.6 nm、2.7 nm、2.8 nm、2.9 nm、3 nm、3.1 nm、3.2 nm、3.3 nm、3.4 nm、3.5 nm、3.6 nm、3.7 nm、3.8 nm、3.9 nm、4 nm、4.1 nm、4.2 nm、4.3 nm、4.4 nm、4.5 nm、4.6 nm、4.7 nm、4.8 nm、4.9 nm，及5 nm。在一或多個實施例中，各對之第一吸收劑層和第二吸收劑層的厚度相同或相異。舉例而言，第一吸收劑層和第二吸收劑層具有之厚度使得第一吸收劑層厚度對第二吸收劑層厚度之比值為 1:1、1.5:1、2:1、2.5:1、3:1、3.5:1、4:1、4.5:1、5:1、6:1、7:1、8:1、9:1、10:1、11:1、12:1、13:1、14:1、15:1、16:1、17:1、18:1、19:1或20:1，這導致在各對中之第一吸收劑層的厚度等於或大於第二吸收劑層的厚度。或者，第一吸收劑層和第二吸收劑層具有之厚度使得第二吸收劑層厚度對第一吸收劑層厚度之比值為1.5:1、2:1、2.5:1、3:1、3.5:1、4:1、4.5:1、5:1、6:1、7:1、8:1、9:1、10:1、11:1、12:1、13:1、14:1、15:1、16:1、17:1、18:1、19:1或20:1，這導致在各對中之第二吸收劑層的厚度等於或大於第一吸收劑層的厚度。
根據一或多個實施例，可選擇不同的吸收劑材料和吸收劑層的厚度，使得由於吸收性且由於來自反射層的多層堆疊之光的破壞性干擾所導致之相變，而吸收極紫外光線。儘管第5圖所示之實施例示出三對吸收劑層對，420a/420b、420c/420d及420e/420f，申請專利範圍不應受限於特定數量的吸收劑層對。根據一或多個實施例，EUV遮罩胚料400包括範圍在5與60之間的吸收劑層對，或範圍在10與40之間的吸收劑層對。
根據一或多個實施例，吸收劑層的厚度可提供小於2%的反射率和其他蝕刻特性。供應氣體用於進一步修飾吸收劑層之材料特性，例如，氮(N2 )氣可用來形成上文提供之材料的氮化物。根據一或多個實施例之吸收劑層的多層堆疊為不同材料的單獨厚度之重複性圖案，使得EUV光不僅因吸收性還因多層吸收劑堆疊引起之相變而被吸收，其中多層吸收劑堆疊將破壞性干涉來自下方之反射材料的多層堆疊之光，以提供更好的對比度。
本揭示內容的另一個態樣與製造極紫外光(EUV)遮罩胚料之方法有關，該方法包含：於基板上將反射層的多層堆疊形成於基板上，多層堆疊包括複數個反射層對；於反射層的多層堆疊上形成覆蓋層；以及於覆蓋層上形成吸收劑層，吸收劑層包含鉭和鎳之合金，其中鉭和鎳之合金選自：具有約70重量%至約85重量%的鉭和約15重量%至約30重量%的鎳之合金、具有約45重量%至約55重量%的鉭和約45重量%至約55重量%的鎳之合金，及具有約30重量%至約45重量%的鉭和約55重量%至約70重量%的鎳之合金。
在一或多個實施例中，鉭和鎳之合金選自：具有約70重量%至約75重量%的鉭和約25重量%至約30重量%的鎳之合金、具有約48重量%至約55重量%的鉭和約45重量%至約52重量%的鎳之合金，及具有約35重量%至約45重量%的鉭和約55重量%至約65重量%的鎳之合金。EUV遮罩胚料可具有參照第4圖及第5圖而於上文描述之實施例的任何特徵，且在參照第3圖描述之系統中進行所述方法。
因此，在實施例中，複數個反射層選自含鉬(Mo)材料及含矽(Si)材料，且吸收劑層為鉭和鎳之合金，其中鉭和鎳之合金選自具有約70重量%至約75重量%的鉭和約25重量%至約30重量%的鎳之合金。在另一個實施例中，複數個反射層選自含鉬(Mo)材料及含矽(Si)材料，且吸收劑層為鉭和鎳之合金，其中鉭和鎳之合金選自具有約48重量%至約55重量%的鉭和約45重量%至約52重量%的鎳之合金之合金。在進一步實施例中，複數個反射層選自含鉬(Mo)材料及含矽(Si)材料，且吸收劑層為鉭和鎳之合金，其中鉭和鎳之合金選自具有約35重量%至約45重量%的鉭和約55重量%至約65重量%的鎳之合金之合金。
在另一個具體方法實施例中，在物理沉積腔室中形成不同的吸收劑層，所述物理沉積腔室具有第一陰極和第二陰極，第一陰極包含第一吸收劑材料且第二陰極包含第二吸收劑材料。現請參見第6圖，其示出根據實施例之多陰極源腔室500的上方部分。多陰極腔室500包括基底結構501，其具有由頂部連接器504覆蓋之圓柱狀主體部分502。頂部連接器504具有供數個陰極源所用之配置，所述陰極源如圍繞頂部連接器504安置之陰極源506、508、510、512及514。
在一或多個實施例中，所述方法形成之吸收劑層的厚度在5 nm與60 nm之範圍中。在一或多個實施例中，吸收劑層的厚度在51 nm與57 nm之範圍中。在一或多個實施例中，可選擇用於形成吸收劑層之材料，以實現吸收劑層的蝕刻特性。在一或多個實施例中，藉由共濺射在物理沉積腔室中形成之合金吸收劑材料來形成吸收劑層的合金，這提供了薄得多的吸收劑層厚度(小於30nm)並實現小於2%的反射率和期望的蝕刻特性。在實施例中，可根據規格藉由控制各吸收劑材料之合金百分比來調整吸收劑層的蝕刻特性和其他期望的特性。在實施例中，可藉由物理氣相沉積腔室之操作參數(如電壓、壓力、流量等等)來精確控制合金百分比。在實施例中，製程氣體用於進一步修飾材料特性，例如，N2 氣體用於形成鉭和鎳的氮化物。合金吸收劑材料包含鉭和鎳之合金，鉭和鎳之合金選自：具有約70重量%至約85重量%的鉭和約15重量%至約30重量%的鎳之合金、具有約45重量%至約55重量%的鉭和約45重量%至約55重量%的鎳之合金，及具有約30重量%至約45重量%的鉭和約55重量%至約70重量%的鎳之合金。
在一些實施例中，多陰極源腔室500為第3圖所示之系統的部分。在實施例中，極紫外光(EUV)遮罩胚料生產系統包含：用於產生真空之基板搬運真空腔室；基板搬運平台，處於真空中，用於輸送裝載於基板搬運真空腔室中之基板；以及由基板搬運平台接取之多個子腔室，用以形成EUV遮罩胚料，EUV遮罩胚料包括：基板上之反射層的多層堆疊，多層堆疊包括複數個反射層對；反射層的多層堆疊上之覆蓋層；及覆蓋層上之吸收劑層，所述吸收劑層由鉭和鎳之合金製成。所述系統用於製造參照第4圖或第5圖所示之EUV遮罩胚料，並具有與參照第4圖或第5圖而於上文描述之EUV遮罩胚料有關的任何特性。
通常可將製程儲存於記憶體中做為軟體常式，當由處理器執行該軟體常式時會引起製程腔室執行本揭示內容的製程。軟體常式也可由第二處理器(未示出)儲存及/或執行，第二處理器位在由處理器控制之硬體的遠端。也可在硬體中進行本揭示內容的一些或所有方法。這樣的話，製程可實作為軟體並使用電腦系統執行；製程可在硬體中實作為，如特定用途積體電路或其他類型的硬體實作；或實作為軟體與硬體之組合。當由處理器執行時，軟體常式將通用電腦轉換成專用電腦(控制器)，所述專用電腦(控制器)控制腔室操作使得製程可被進行。
在整個說明書中對「一個實施例」、「某個實施例」、「一或多個實施例」或「一實施例」意味著結合所述實施例描述之具體特徵、結構、材料或特徵包括在本揭示內容的至少一個實施例中。因此在整個說明書多處出現之諸如「在一或多個實施例中」、「在某個實施例中」、「在一個實施例中」或「在實施例中」等短語不必然指稱本揭示內容的相同實施例。進一步，在一或多個實施例中，可以任何合適的方式組合具體特徵、結構、材料或特徵。
儘管已經參照具體實施例描述了本文的揭示內容，但應理解，這些實施例僅僅是對本揭示內容的原理和應用的說明。對於本案所屬技術領域中具通常知識者顯而易見的是，在不脫離本揭示內容的精神和範圍的情況下，可以對本揭示內容之方法和裝置進行各種修飾和變化。因此，本揭示內容欲包括在隨附申請專利範圍及其等效範圍內的修飾和變化。
10‧‧‧EUV反射遮罩 12‧‧‧反射性多層堆疊 14‧‧‧基板 16‧‧‧被遮蔽(非反射性)區域 18‧‧‧蝕刻緩衝層 20‧‧‧吸收層 22‧‧‧覆蓋層 24‧‧‧反射性區域 100‧‧‧極紫外光微影系統 102‧‧‧極紫外光源 104‧‧‧聚光器 106‧‧‧EUV反射遮罩 108‧‧‧光學縮減組件 110‧‧‧目標晶圓 112‧‧‧極紫外光線 114‧‧‧遮罩圖案 200‧‧‧極紫外光反射元件生產系統 202‧‧‧晶圓裝載和載體搬運系統 203‧‧‧源基板 204‧‧‧EUV遮罩胚料 205‧‧‧極紫外光鏡 206‧‧‧於大氣之搬運系統 208‧‧‧晶圓傳送真空腔室 210‧‧‧第一真空腔室 212‧‧‧第二真空腔室 214‧‧‧第一晶圓傳送系統 216‧‧‧第二晶圓傳送系統 218‧‧‧脫氣系統 220‧‧‧第一物理氣相沉積系統 222‧‧‧第二物理氣相沉積系統 224‧‧‧預清潔系統 226‧‧‧第一多陰極源 228‧‧‧化學氣相沉積系統 230‧‧‧硬化腔室 232‧‧‧超平滑沉積腔室 302‧‧‧極紫外光反射元件 304‧‧‧基板 306‧‧‧反射層之多層堆疊 308‧‧‧覆蓋層 310‧‧‧吸收劑層 312‧‧‧第一反射層 314‧‧‧第二反射層 316‧‧‧反射對 400‧‧‧極紫外光遮罩胚料 412‧‧‧反射層 414‧‧‧基板 420‧‧‧吸收劑層的多層堆疊 420a~420f‧‧‧吸收劑層對 422‧‧‧覆蓋層 500‧‧‧多陰極腔室 501‧‧‧基底結構 502‧‧‧主體部分 504‧‧‧頂部連接器 506、508、510、512及514‧‧‧陰極源
因此，可以詳細地理解本揭示內容的上述特徵的方式，可以通過參考實施例獲得上面簡要概述的本揭示內容的更具體的描述，其中一些實施例在附圖中示出。然而，應注意，附圖僅示出了本揭示內容之典型實施例，因此不應認為是對其範圍的限制，因為本揭示內容可允許其他同等有效的實施例。
第1圖概要地繪示利用傳統吸收劑之先前技術EUV反射遮罩；
第2圖概要地繪示極紫外光微影系統之實施例；
第3圖繪示極紫外光反射元件生產系統之實施例；
第4圖繪示極紫外光反射元件(如EUV遮罩胚料)之實施例；
第5圖繪示極紫外光反射元件(如EUV遮罩胚料)之實施例；以及
第6圖繪示多陰極物理沉積腔室之實施例。
國內寄存資訊 (請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無
國外寄存資訊 (請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
400‧‧‧極紫外光遮罩胚料
412‧‧‧反射層
414‧‧‧基板
420‧‧‧吸收劑層的多層堆疊
420a~420f‧‧‧吸收劑層對
422‧‧‧覆蓋層

Claims (20)

  1. 一種製造一極紫外光(EUV)遮罩胚料之方法，包含以下步驟： 於該基板上形成反射層之一多層堆疊，反射層之該多層堆疊包括複數個反射層對(pair)；於反射層之該多層堆疊上形成一覆蓋層；以及於該覆蓋層上形成一吸收劑層，該吸收劑層包含鉭和鎳之一合金，其中鉭和鎳之該合金係選自：具有約70重量%至約85重量%的鉭和約15重量%至約30重量%的鎳之一合金、具有約45重量%至約55重量%的鉭和約45重量%至約55重量%的鎳之一合金，及具有約30重量%至約45重量%的鉭和約55重量%至約70重量%的鎳之一合金。
  2. 如請求項1所述之方法，其中鉭和鎳之該合金係選自：具有約70重量%至約75重量%的鉭和約25重量%至約30重量%的鎳之一合金、具有約48重量%至約55重量%的鉭和約45重量%至約52重量%的鎳之一合金，及具有約35重量%至約45重量%的鉭和約55重量%至約65重量%的鎳之一合金。
  3. 如請求項1所述之方法，其中藉由選自氬(Ar)、氧(O2 )或氮(N2 )中之一或多者之一氣體共濺射該合金，以形成該吸收劑層。
  4. 如請求項1所述之方法，其中使用選自氬(Ar)、氧(O2 )或氮(N2 )中之一或多者之一氣體逐層沉積該合金成為多個鉭及鎳層之一層疊，以形成該吸收劑層。
  5. 如請求項1所述之方法，其中使用與該合金具有相同成分之一塊狀靶材，並使用選自氬(Ar)、氧(O2 )或氮(N2 )中之一或多者之一氣體來濺射該塊狀靶材而沉積該合金，以形成該吸收劑層。
  6. 如請求項1所述之方法，其中鉭和鎳之該合金包含：具有約70重量%至約75重量%的鉭和約30重量%至約25重量%的鎳之一合金。
  7. 如請求項1所述之方法，其中鉭和鎳之該合金包含：具有約48重量%至約55重量%的鉭和約45重量%至約52重量%的鎳之一合金。
  8. 如請求項1所述之方法，其中鉭和鎳之該合金包含：具有約35重量%至約45重量%的鉭和約55重量%至約65重量%的鎳之一合金。
  9. 如請求項1所述之方法，其中該吸收劑層具有小於45 nm之一厚度。
  10. 如請求項1所述之方法，其中該吸收劑層相對於該覆蓋層是有蝕刻選擇性的。
  11. 一種極紫外光(EUV)遮罩胚料，包含： 一基板；位於該基板上之反射層之一多層堆疊，反射層之該多層堆疊包括複數個反射層，該複數個反射層包括多個反射層對(pair)；位於反射層之該多層堆疊上之一覆蓋層；以及一吸收劑層，包含鉭和鎳之一合金，其中鉭和鎳之該合金係選自：具有約70重量%至約85重量%的鉭和約15重量%至約30重量%的鎳之一合金、具有約45重量%至約55重量%的鉭和約45重量%至約55重量%的鎳之一合金，及具有約30重量%至約45重量%的鉭和約55重量%至約70重量%的鎳之一合金。
  12. 如請求項11所述之極紫外光(EUV)遮罩胚料，其中鉭和鎳之該合金係選自：具有約70重量%至約75重量%的鉭和約30重量%至約25重量%的鎳之一合金、具有約48重量%至約55重量%的鉭和約45重量%至約52重量%的鎳之一合金，及具有約35重量%至約45重量%的鉭和約55重量%至約65重量%的鎳之一合金。
  13. 如請求項11所述之極紫外光(EUV)遮罩胚料，其中該吸收劑層具有小於45 nm之一厚度。
  14. 如請求項11所述之極紫外光(EUV)遮罩胚料，其中該吸收劑層具有小於約2%之一反射率。
  15. 如請求項11所述之極紫外光(EUV)遮罩胚料，其中該吸收劑層相對於該覆蓋層是有蝕刻選擇性的。
  16. 如請求項11所述之極紫外光(EUV)遮罩胚料，其中該吸收劑層進一步包含：0.1重量%至約5重量%之一摻質，該摻質選自氮或氧中之一或多者。
  17. 如請求項11所述之極(EUV)遮罩胚料，其中鉭和鎳之該合金包含：具有約70重量%至約75重量%的鉭和約30重量%至約25重量%的鎳之一合金。
  18. 如請求項11所述之極紫外光(EUV)遮罩胚料，其中鉭和鎳之該合金包含：具有約48重量%至約55重量%的鉭和約45重量%至約52重量%的鎳之一合金。
  19. 如請求項11所述之極紫外光(EUV)遮罩胚料，其中鉭和鎳之該合金包含：具有約35重量%至約45重量%的鉭和約55重量%至約65重量%的鎳之一合金。
  20. 一種極紫外光(EUV)遮罩胚料，包含： 一基板； 位於該基板上之反射層之一多層堆疊，反射層之該多層堆疊包括複數個反射層，該複數個反射層包括鉬(Mo)和矽(Si)之多個反射層對(pair)； 位於反射層之該多層堆疊上之一覆蓋層；以及 一吸收劑層，包含鉭和鎳之一合金， 其中鉭和鎳之該合金係選自：具有約70重量%至約75重量%的鉭和約30重量%至約25重量%的鎳之一合金、具有約48重量%至約55重量%的鉭和約45重量%至約52重量%的鎳之一合金，及具有約35重量%至約45重量%的鉭和約55重量%至約65重量%的鎳之一合金。
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