JP5381441B2 - Euvリソグラフィ用反射型マスクブランクの製造方法 - Google Patents
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Description
また、ここで言う欠点数とは、異物やファイバのような凸欠点、および、ピットやスクラッチのような凹欠点を含めた総欠点数である。
すなわち、基板表面の欠点検査時には検出できなかった球相当直径が30nm以上の大きさの欠点が、該成膜面に多層反射膜を形成した時点、または、該多層反射膜上に保護層を形成した時点で顕在化することで、EUVマスクブランクの製造時に大幅な歩留まりの低下が生じるおそれがある。
前記基板の成膜面上に、基板の欠点検査に使用する検査光の波長域における光線反射率が5%以上であり、膜応力の絶対値が200MPa以下であり、かつ、表面部分の結晶構造がアモルファスである、Si単体膜、Moケイ素化合物およびCrの窒化物からなる群から選択される1つを構成材料とする検査膜を形成した後、前記成膜面の欠点検査を行い、前記欠点検査の結果に基づいて、ウェットエッチング処理により前記検査膜を除去した後、前記基板の成膜面に存在する欠点を該成膜面の洗浄により除去する手順を少なくとも1回実施した後に、前記多層反射膜を形成することを特徴とするEUVL用反射型マスクブランクの製造方法を提供する。
前記基板の成膜面上に、基板の欠点検査に使用する検査光の波長域における光線反射率が5%以上であり、300〜400MPaの引張応力を有し、かつ、表面部分の結晶構造がアモルファスである、Si単体膜、Moケイ素化合物およびCrの窒化物からなる群から選択される1つを構成材料とする検査膜を形成した後、前記成膜面の欠点検査を行い、前記欠点検査の結果に基づいて、ウェットエッチング処理により前記検査膜を除去した後、前記基板の成膜面に存在する欠点を該成膜面の洗浄により除去する手順を少なくとも1回実施した後に、前記多層反射膜を形成することを特徴とするEUVL用反射型マスクブランクの製造方法を提供する。
本発明のEUVマスクブランクの製造方法では、まず始めに、基板の欠点検査に使用する検査光の波長域における光線反射率が高い検査膜を基板の成膜面上に形成する。ここで、基板の成膜面とは、EUVマスクブランクを製造する際に、その上に多層反射膜および吸収層が形成される基板の面を指す。
図1は、基板の成膜面上に検査膜が形成された状態を示した模式図である。図1において、基板10の成膜面11上には検査膜20が形成されている。
基板の成膜面は、0.15nm rms以下の平滑性と100nm以下の平坦度を有していることが、EUVマスクブランクをパターニングすることで得られる反射型マスクにおいて高反射率および転写精度が得られるために好ましい。
基板の大きさや厚みなどは、製造するEUVマスクブランクの設計値等により適宜決定されるものである。例えば、一例を挙げると、外形6インチ(152.4mm)角で、厚さ0.25インチ(6.35mm)基板である。
したがって、検査膜は、150〜500nmの波長域における光線反射率が高いことが求められる。具体的には、検査膜は、150〜500nmの波長域における光線反射率が5%以上である。150〜500nmの波長域における光線反射率が5%以上であれば、検査時における欠点の検出感度が十分である。
上記した基板材料の場合、成膜面の150〜500nmの波長域における光線反射率は10%以下であるので、該成膜面上に検査膜を形成して検査光の波長域における光線反射率を高めることにより、後述する成膜面の欠点検査時の欠点検出精度が向上する。
ここで、150〜500nmの波長域における光線反射率のみに着目した場合、成膜面よりも検査膜のほうが光線反射率が低い場合も存在するが、基板の成膜面上に検査膜を形成することにより検査光の波長域における光線反射率は向上する。
検査膜は、150〜500nmの波長域における光線反射率が10%以上であることが好ましく、20%以上であることがより好ましく、50%以上であることがさらに好ましい。
上述したように、基板の欠点検査に使用する検査光の波長域は、現時点では150〜500nmであるが、将来的には検査光の波長域が短波長側または長波長側にシフトすることも考えられる。この場合、その時点における検査光の波長域における光線反射率が5%以上であればよい。
このような理由から、検査膜に発生する応力は小さいことが好ましい。具体的には、検査膜は、膜応力の絶対値が200MPa以下であることが好ましい。検査膜は、膜応力の絶対値が150MPa以下であることがより好ましく、絶対値が100MPa以下であることがさらに好ましい。
EUVマスクブランクの膜構成において、最も発生する応力が高くなるのは高屈折率膜と低屈折率膜を交互に複数回積層させることによって形成される多層反射膜である。EUVマスクブランクの多層反射膜としては、Mo/Si多層反射膜が最も一般的であるが、膜厚2.3±0.1nmのMo膜(低屈折率膜)と、膜厚4.5±0.1nmのSi膜(高屈折率膜)と、を繰り返し単位数が30〜60になるように積層したMo/Si多層反射膜では、300〜400MPaの圧縮応力が発生するので、検査膜を300〜400MPaの引張応力を有する膜とすれば、EUVマスクブランクの膜構成全体の応力を下げることができる。
上記の表面特性を達成するため、検査膜は、表面部分の結晶構造がアモルファスであることが求められる。検査膜の表面部分の結晶構造がアモルファスであれば、結晶粒子のような微細構造を有しないので、平滑性に優れた表面となる。
なお、本明細書において、「結晶構造がアモルファスである」と言った場合、全く結晶構造を持たないアモルファス構造となっているもの以外に、微結晶構造のものを含む。検査膜の表面部分の結晶構造がアモルファスであることは、X線回折(XRD)法によって確認することができる。検査膜の表面部分の結晶構造がアモルファス構造であれば、XRD測定により得られる回折ピークにシャープなピークが見られない。
但し、検査膜全体の結晶構造がアモルファスであることが、該検査膜表面が平滑性に優れ、かつ、該検査膜の膜応力を小さくすることができることから好ましい。
これらの中でも、Si単体、C単体;Si、CrまたはTaの窒化物、ホウ化物;あるいはMoのケイ素化合物が、検査光の波長域における光線反射率が高く、膜の結晶構造がアモルファスとなる半導体マスクブランク用膜材料としても実績があるため好ましい。また、Si単体膜、Moケイ素化合物およびCrの窒化物については、上述した理由に加えて、ウェットエッチング処理により検査膜を比較的容易に除去することできるため、特に好ましい。
これらの中でも、NiNb40、NiTa40およびNiZr40からなる群から選択される少なくとも一つの合金を構成材料とする膜が、アモルファス構造を安定的に形成する点で好ましい。Ni基合金組成の範囲は、アモルファス構造を形成する範囲で上記組成より広くても良く、また更に金属、半金属を加えて3元系以上の合金としても良い。これらのNi基アモルファス合金は状態図において共晶組成を有しており結晶化温度が高く熱的に安定で、厚膜にしてもアモルファス構造を安定に維持できる。
一方、検査膜の膜厚を50nm超としても、検査光の波長域における光線反射率の向上にはもはや寄与せず、検査膜の形成に要する時間が増加し、検査膜の形成に要するコストが増加する。また、検査膜中の欠点も、膜厚が厚くなるにつれて増加する傾向にある。さらにまた、検査膜の膜厚が増加することで、EUVマスクブランクの膜構造全体の厚さが増加する。
検査膜の膜厚は、3〜25nmであることがより好ましく、5〜15nmであることがさらに好ましい。
成膜面上に形成された検査膜の表面に対して、波長150〜500nmの検査光を照射し、該表面からの散乱光強度を測定し、成膜面に存在する欠点(凹欠点、凸欠点)に伴う散乱光強度変化を検出することにより、成膜面に存在する欠点を検出する方法がある。このような方法で欠点を検出する欠点検査機の具体例としては、例えばKLA Tencor社のTeraScan、株式会社堀場製作所のPR−PD2HRなどがある。
また、成膜面上に形成された検査膜の表面に対して、波長150〜500nmの検査光を照射し、該表面からの反射光強度を共焦点光学系を通して測定し、成膜面に存在する欠点(凹欠点、凸欠点)に伴う反射光強度を検出することにより、成膜面に存在する欠点を検出する方法がある。このような方法で欠点を検出する欠点検査機の具体例としては、例えばレーザテック社のM1350(波長488nm)、M7360(波長266nm)などがある。
なお、上記したいずれの方法においても、検査光としては、波長150〜500nmのレーザ光が、検査するパターンのサイズと同等以上であること、安定して連続発振する光源が工業的に利用できることから通常用いられる。
したがって、成膜面の欠点検査時においても、球相当直径30nm以上の欠点数で評価することとなる。具体的には、成膜面における球相当直径30nm以上の欠点数が10個未満の場合、製造されるEUVマスクブランクにとって問題となる欠点は成膜面には存在しなかったと判断する。この場合、成膜面に存在する欠点を除去する手順を実施することなしに、後述する手順にしたがって、成膜面上に多層反射膜を形成し、該多層反射膜上に吸収層を形成する。
ここで、検査膜の除去方法としては、検査膜の構成材料に対してエッチング作用を有する薬液を用いたウェットエッチング処理が挙げられる。例えば、検査膜の構成材料がSiの場合、過酸化水素水やオゾン水などを用いてSiを酸化してSiO2とした後、薬液としてフッ化水素酸を用いてウェットエッチング処理を実施すればよい。
また、上記以外の検査膜の除去方法としては、化学機械的作用を利用した研磨処理がある。研磨処理には、例えば、研磨パッドとしてウレタン系の軟質パッドを使用し、遊離砥粒としてコロイダルシリカ、ダイヤモンド、酸化セリウム、アルミナなどを用いてもよい。また、研磨パッド(例えば、ウレタン系の軟質パッド)にコロイダルシリカ、ダイヤモンド、酸化セリウム、アルミナなどの砥粒が固着された固定砥粒パッドを用いてもよい。
一方、成膜面における球相当直径30nm以上の欠点数が10個以上の場合、製造されるEUVマスクブランクにとって問題となる欠点は成膜面には存在すると判断し、上述した手順にしたがって、検査膜の除去、および、成膜面の洗浄を行う。
多層反射膜は、EUVマスクブランクの反射膜として所望の特性を有するものである限り特に限定されない。ここで、多層反射膜に特に要求される特性は、EUV波長域のピーク反射率が高いことである。具体的には、EUV光の波長域の光線を多層反射膜表面に入射角度6〜8度で照射した際に、EUV波長域のピーク反射率が60%以上であることが好ましく、65%以上であることがより好ましい。
吸収層は、EUV光に対する吸収係数の高い材料で構成され、具体的には、CrやTaを含有する膜、例えば、CrN膜、TaHf膜、TaN膜、TaBN膜、TaSi膜、TaNH膜などが挙げられる。
吸収層の膜厚は、吸収層からの反射光と多層反射・保護膜からの反射光の強度比が確保できるよう適宜調整すればよく、10〜100nmであることが好ましい。
吸収層がTaを含む膜(例えばTaHf膜、TaN膜、TaBN膜、TaSi膜、TaNH膜など)であれば、結晶構造がアモルファス構造の膜となるため、吸収層表面の表面粗さが0.5nm rms以下と吸収層表面が十分平滑であるため、エッジラフネスの影響によってパターンの寸法精度が悪化するおそれがないばかりか、フレアーも問題ない程度に抑えることができる。吸収層表面の表面粗さは0.4nm rms以下であることがより好ましく、0.3nm rms以下であることがさらに好ましい。
吸収層のHfの含有率が20〜60at%であることが、結晶構造がアモルファス構造の膜となりやすく、吸収層表面が平滑性に優れるので好ましい。また、より薄い膜厚でEUV波長域の反射率およびパターン検査光の波長域の反射率を比較的低くすることができる等、EUVL用マスクブランクとして優れた特性を有している。
吸収層のHfの含有率は、30〜50at%であることがより好ましく、30〜45at%であることがさらに好ましい。
TaHf化合物ターゲットは、その組成がTa=30〜70at%、Hf=70〜30at%であることが、所望の組成の吸収層を得ることができ、かつ膜の組成や膜厚のばらつきを回避できる点で好ましい。
スパッタガス:Arガス(ガス圧1.0×10-1Pa〜50×10-1Pa、好ましくは1.0×10-1Pa〜40×10-1Pa、より好ましくは1.0×10-1Pa〜30×10-1Pa)
投入電力:30〜1000W、好ましくは50〜750W、より好ましくは80〜500W
成膜速度:2.0〜60nm/min、好ましくは3.5〜45nm/min、より好ましくは5〜30nm/min
TaN膜のNの含有率は10at%以上50at%未満であることが好ましい。
[保護層]
多層反射膜表面およびその近傍が、保管時に自然酸化されたり洗浄時に酸化されたりするのを防止するため、多層反射膜上に保護層を設けることができる。保護層としては、Si、Ru、Rh、C、SiC、あるいはこれら元素の混合物、あるいはこれら元素に窒素やボロンなどを添加したものなどを用いることができる。保護層としてRuを用いた場合、後述するバッファー膜の機能を兼ねることができるため特に好ましい。また保護層としてSiを用いた場合は、多層反射膜がMo/Siから成る場合、最上層をSi膜とすることによって、該最上層を保護層として機能させることができる。その場合保護層としての役割も果たす最上層のSi膜の膜厚は、通常の4.5nmより厚い、5〜15nmであることが好ましい。また、保護層としてSi膜を形成した後、該Si膜上に保護層とバッファー膜とを兼ねるRu膜を形成してもよい。
エッチングプロセス、通常はドライエッチングプロセスによってEUVマスクブランクの吸収層にパターン形成する際に、多層反射膜がダメージを受けるのを防止するため、エッチングストッパーとしての役割を果たすバッファー層を、多層反射膜(多層反射膜上に保護層が形成されている場合は保護層)と、吸収層と、の間に設けてもよい。したがってバッファー層の材質としては、吸収層のエッチングプロセスによる影響を受けにくい、つまりこのエッチング速度が吸収層よりも遅く、しかもこのエッチングプロセスによるダメージを受けにくい物質が選択される。この条件を満たす物質としては、たとえばCr、Al、Ru、Ta及びこれらの窒化物、ならびにSiO2、Si3N4、Al2O3やこれらの混合物が例示される。これらの中でも、Ru、CrNおよびSiO2が好ましく、CrNおよびRuがより好ましく、保護層とバッファー層の機能を兼ね備えるため特にRuが好ましい。
バッファー層の膜厚は1〜60nmであることが好ましい。
吸収層上にはマスクパターンの検査に使用する検査光に対する反射率が低い反射防止層を設けてもよい。
EUV反射型マスクの製造後、マスクパターンが設計通りに形成されているかどうか検査される。このマスクパターンの検査では、検査光として現在通常波長257nmの紫外光、将来的には波長190〜200nmの紫外光を使用した検査機が使用されると予想される。つまり、この検査光の波長における反射率の差異、具体的には、吸収層がエッチング処理により除去されて露出した多層反射膜表面(吸収層下に保護層が形成されている場合は保護層表面、吸収層下にバッファー層が形成されている場合はバッファー層表面)と、エッチング処理により除去されずに意図して残した吸収体膜表面と、の反射率の差異を利用して検査される。したがって、多層反射膜表面(若しくは保護層表面若しくはバッファー層表面)と吸収体膜表面との検査光の波長における反射率の差が小さいと、検査時のコントラストが悪くなり、正確な検査が出来ないことになる。
従い、Taを含んだ吸収層上に反射防止層を形成することが好ましい。反射防止層を形成すれば、検査光の波長域での反射防止層表面の反射率が極めて低くなり、検査時のコントラストが良好となる。具体的には、検査光の波長域の光線を入射角度約10度で照射した際に、多層反射膜表面(吸収層下に保護層が形成されている場合は保護層表面、吸収層下にバッファー層が形成されている場合はバッファー層表面)の検査光の波長における反射率は、その材質にもよるが、60〜70%程度であるため、反射防止層の該検査光の波長域の反射率が20%以下であることが好ましく、10%以下であることがより好ましい。この場合、該検査時のコントラストが良好となり、具体的には、多層反射膜表面(多層反射膜上に保護層が形成されている場合は保護層表面、吸収層下にバッファー層が形成されている場合はバッファー層表面)における検査光の波長の反射光と反射防止層表面における検査光の波長の反射光とのコントラストが30%以上となる。
コントラスト(%)=((R2−R1)/(R2+R1))×100
ここで、検査光の波長域におけるR2は多層反射膜表面(吸収層下に保護層が形成されている場合は保護層表面、吸収層下にバッファー層が形成されている場合はバッファー層表面)での反射率であり、R1は反射防止層表面での反射率である。なお、上記R1は、多層反射膜上に吸収層、反射防止層がこの順に形成された状態で、R2は検査膜上に多層反射層(場合によっては、保護層、バッファー層)が形成された状態で、それぞれ反射率を測定する。あるいはまたEUVマスクブランクの吸収層および反射防止層をパターニングした状態でR1およびR2を測定しても良い。
本発明において、上記式で表されるコントラストが45%以上であることがより好ましく、60%以上であることがさらに好ましく、80%以上であることが特に好ましい。
TaHfO膜に含めることができる元素の一例として、Nが挙げられる。この場合、TaHfO膜がNを含有することにより、表面の平滑性が向上すると考えられる。
TaHfO膜がNを含有する場合(すなわち、TaHfON膜である場合)、TaおよびHfの合計含有率は30〜80at%であり、TaとHfの組成比がTa:Hf=8:2〜4:6であり、NおよびOの合計含有率は20〜70at%であり、NとOの組成比が9:1〜1:9であることが好ましい。TaおよびHfの合計含有率が30at%未満であると、導電性が低下し、電子線描画する際にチャージアップの問題が生じる可能性がある。TaおよびHfの合計含有率が80at%超であると、パターン検査光の波長域のピーク反射率を十分低くすることができない。Hfが上記組成比より低い場合、結晶構造がアモルファスとならない可能性がある。Hfが上記組成比より高い場合、エッチング特性が悪化し、要求されるエッチング選択比を満足することができない可能性がある。また、NおよびOの含有率が20at%より低い場合、パターン検査光の波長域のピーク反射率を十分低くすることができない可能性がある。NおよびOの含有率が70at%より高い場合、耐酸性が低下し、絶縁性が増し電子線描画する際にチャージアップが起こる等の問題が生じる可能性がある。
上記したように、エッジラフネスの影響によってパターンの寸法精度の悪化が防止するため、吸収層表面は平滑であることが要求される。吸収層上に反射防止膜として形成されるTaHfON膜は、その表面が平滑であることが要求される。
TaHfON膜表面の表面粗さ(rms)が0.5nm以下であれば、表面が十分平滑であるため、エッジラフネスの影響によってパターンの寸法精度が悪化したり散乱光が増加するおそれがない。TaHfON層表面の表面粗さ(rms)は0.4nm以下であることがより好ましく、0.3nm以下であることがさらに好ましい。
なお、TaHfO膜の場合、例えばアルゴン、で希釈した酸素(O2)雰囲気中でTaHf化合物ターゲットを放電させることによって形成する。または、不活性ガス雰囲気中でTaHf化合物ターゲットを放電させてTaおよびHfを含有する膜を形成した後、例えば酸素プラズマ中にさらしたり、酸素を用いたイオンビームを照射することによって、形成された膜を酸化することにより、TaHfO膜としてもよい。
一方、TaHfON膜の場合、アルゴンで希釈した酸素(O2)・窒素(N2)混合ガス雰囲気中でTaHf化合物ターゲットを放電させることによって形成する。または、アルゴンで希釈した窒素(N2)雰囲気中でTaHf化合物ターゲットを放電させることによってTa、HfおよびNを含有する膜を形成した後、例えば酸素プラズマ中にさらしたり、酸素を用いたイオンビームを照射することによって、形成された膜を酸化することにより、TaHfON膜としてもよい。
TaHf化合物ターゲットは、その組成がTa=30〜70at%、Hf=70〜30at%であることが、所望の組成のTaHfO膜およびTaHfON膜を得ることができ、かつ膜の組成や膜厚のばらつきを回避できる点で好ましい。TaHf化合物ターゲットは、Zrを0.1〜5.0at%含有してもよい。
TaHfO膜を形成する場合
スパッタガス:ArとO2の混合ガス(O2ガス濃度3〜80vol%、好ましくは5〜60vol%、より好ましくは10〜40vol%;ガス圧1.0×10-1Pa〜50×10-1Pa、好ましくは1.0×10-1Pa〜40×10-1Pa、より好ましくは1.0×10-1Pa〜30×10-1Pa)
投入電力:30〜1000W、好ましくは50〜750W、より好ましくは80〜500W
成膜速度:2.0〜60nm/min、好ましくは3.5〜45nm/min、より好ましくは5〜30nm/min
TaHfON膜を形成する場合
スパッタガス:ArとO2とN2の混合ガス(O2ガス濃度5〜40vol%、N2ガス濃度5〜40vol%、好ましくはO2ガス濃度6〜35vol%、N2ガス濃度6〜35vol%、より好ましくはO2ガス濃度10〜30vol%、N2ガス濃度10〜30vol%;ガス圧1.0×10-1Pa〜50×10-1Pa、好ましくは1.0×10-1Pa〜40×10-1Pa、より好ましくは1.0×10-1Pa〜30×10-1Pa)
投入電力:30〜1000W、好ましくは50〜750W、より好ましくは80〜500W
成膜速度:2.0〜60nm/min、好ましくは3.5〜45nm/min、より好ましくは5〜30nm/min
EUVマスクブランクの製造時、基板の成膜面上に、多層反射膜、吸収層および各種機能膜を形成する手順は、該基板を静電チャックで保持した状態で通常行われる。また、製造されたEUVマスクブランクのパターニングプロセス時、あるいはパターニング後のEUV反射型マスクの露光プロセスも、該基板を静電チャックで保持した状態で通常行われる。本発明のEUVマスクブランクの製造方法においても、基板の成膜面上に検査膜を形成する手順、該検査膜上に多層反射膜、吸収層および各種機能膜を形成する手順は、該基板を静電チャックで保持した状態で行うことが好ましく、製造されたEUVマスクブランクのパターニングプロセス時、および、パターニング後のEUV反射型マスクの露光プロセスは、該基板を静電チャックで保持した状態で行うことが好ましい。
このような問題を解消するため、ガラス基板よりも高い誘電率および高い導電率を有する材料の膜(導電膜)を、ガラス基板の成膜面に対する裏面(以下、本明細書において、「裏面」という。)に形成して、ガラス基板のチャック力を高めることが通常行われている。
本発明においても、EUVマスクブランクの基板としてガラス基板を用いる場合、ガラス基板のチャック力を高めるために、ガラス基板の裏面に導電膜を形成することが好ましい。
導電膜は、公知の成膜方法、例えば、マグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法といったスパッタリング法、CVD法、真空蒸着法、電解メッキ法を用いて形成することができる。
上記の手順で得られたEUVマスクは、EUV光を露光用光源として用いるフォトリソグラフィ法による半導体集積回路の製造方法に適用できる。具体的には、レジストを塗布したシリコンウェハ等の基板をステージ上に配置し、反射鏡を組み合わせて構成した反射型の露光装置に本発明のEUVマスクを設置する。そして、EUV光を光源から反射鏡を介してEUVマスクに照射し、EUV光をEUVマスクによって反射させてレジストが塗布された基板に照射する。このパターン転写工程により、回路パターンが基板上に転写される。回路パターンが転写された基板は、現像によって感光部分または非感光部分をエッチングした後、レジストを剥離する。半導体集積回路は、このような工程を繰り返すことで製造される。
Claims (6)
- 基板の成膜面上にEUV光を反射する多層反射膜を形成し、該多層反射膜上にEUV光を吸収する吸収層を形成することにより、EUVリソグラフィ(EUVL)用反射型マスクブランクを製造する、EUVL用反射型マスクブランクの製造方法であって、
前記基板の成膜面上に、基板の欠点検査に使用する検査光の波長域における光線反射率が5%以上であり、膜応力の絶対値が200MPa以下であり、かつ、表面部分の結晶構造がアモルファスである、Si単体膜、Moケイ素化合物およびCrの窒化物からなる群から選択される1つを構成材料とする検査膜を形成した後、前記成膜面の欠点検査を行い、前記欠点検査の結果に基づいて、ウェットエッチング処理により前記検査膜を除去した後、前記基板の成膜面に存在する欠点を該成膜面の洗浄により除去する手順を少なくとも1回実施した後に、前記多層反射膜を形成することを特徴とするEUVL用反射型マスクブランクの製造方法。 - 基板の成膜面上にEUV光を反射する多層反射膜を形成し、該多層反射膜上にEUV光を吸収する吸収層を形成することにより、EUVリソグラフィ(EUVL)用反射型マスクブランクを製造する、EUVL用反射型マスクブランクの製造方法であって、
前記基板の成膜面上に、基板の欠点検査に使用する検査光の波長域における光線反射率が5%以上であり、300〜400MPaの引張応力を有し、かつ、表面部分の結晶構造がアモルファスである、Si単体膜、Moケイ素化合物およびCrの窒化物からなる群から選択される1つを構成材料とする検査膜を形成した後、前記成膜面の欠点検査を行い、前記欠点検査の結果に基づいて、ウェットエッチング処理により前記検査膜を除去した後、前記基板の成膜面に存在する欠点を該成膜面の洗浄により除去する手順を少なくとも1回実施した後に、前記多層反射膜を形成することを特徴とするEUVL用反射型マスクブランクの製造方法。 - 前記基板の欠点検査に使用する検査光の波長域が、150〜500nmである請求項1または2に記載のEUVL用反射型マスクブランクの製造方法。
- 前記成膜面の洗浄後、該成膜面上に検査膜を再度形成し、該成膜面の欠点検査を再度行った後に、前記多層反射膜を形成する請求項1〜3のいずれかに記載のEUVL用反射型マスクブランクの製造方法。
- 前記検査膜がSi単体膜であり、前記Si単体膜を酸化してSiO 2 とした後、フッ化水素酸を用いてウェットエッチング処理を実施する請求項1〜4のいずれかに記載のEUVL用反射型マスクブランクの製造方法。
- 前記検査膜の膜厚が2〜50nmである請求項1〜5のいずれかに記載のEUVL用反射型マスクブランクの製造方法。
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KR20130111524A (ko) | 2010-07-27 | 2013-10-10 | 아사히 가라스 가부시키가이샤 | Euv 리소그래피용 반사층 형성 기판, 및 euv 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크 |
JP5736900B2 (ja) * | 2011-03-30 | 2015-06-17 | 凸版印刷株式会社 | 反射型露光用マスク |
US9335206B2 (en) * | 2012-08-30 | 2016-05-10 | Kla-Tencor Corporation | Wave front aberration metrology of optics of EUV mask inspection system |
KR101567057B1 (ko) | 2013-11-15 | 2015-11-09 | 주식회사 에스앤에스텍 | 극자외선용 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토마스크 |
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---|---|---|---|---|
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US20120039522A1 (en) * | 2004-02-05 | 2012-02-16 | Koninklijke Philips Electronic, N.V. | Mask inspection apparatus and method |
JP2007107888A (ja) * | 2005-10-11 | 2007-04-26 | Nikon Corp | 多層膜反射鏡、多層膜反射鏡の製造方法及び縮小投影露光装置 |
JP2007183120A (ja) * | 2006-01-05 | 2007-07-19 | Canon Inc | 多層膜ミラー、製造方法、露光装置及びデバイス製造方法 |
JP5076620B2 (ja) * | 2006-06-07 | 2012-11-21 | 旭硝子株式会社 | ガラス基板表面の平滑化方法 |
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DE102007028800B4 (de) * | 2007-06-22 | 2016-11-03 | Advanced Mask Technology Center Gmbh & Co. Kg | Maskensubstrat, Photomaske und Verfahren zur Herstellung einer Photomaske |
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