JP2024517210A - 極端紫外線マスク吸収体材料 - Google Patents
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Abstract
極端紫外線（ＥＵＶ）マスクブランク、それらの製作のための方法、およびそれらのための生産システムが開示される。ＥＵＶマスクブランクは、ルテニウム（Ｒｕ）と第１族の１つまたは複数の元素、Ｒｕと第１族の１つまたは複数の元素と第２族の１つまたは複数の元素、Ｒｕと第１族の１つまたは複数の元素とタンタル（Ｔａ）、Ｒｕと第１族の１つまたは複数の元素とＴａと第２族の１つまたは複数の元素、テルル（Ｔｅ）とニッケル（Ｎｉ）、およびテルル（Ｔｅ）とアルミニウム（Ａｌ）からなるグループから選択された材料を備える吸収体層を備える。【選択図】図５
Description
本開示は、概して極端紫外線リソグラフィに関し、より詳細には、２つまたはそれ以上の材料から構成された吸収体をもつ極端紫外線マスクブランク、および製造方法に関する。
軟Ｘ線投影リソグラフィとしても知られる極端紫外線（ＥＵＶ）リソグラフィが、０．０１３５ミクロンおよびそれよりも小さい最小フィーチャサイズの半導体デバイスの製造のために使用される。しかしながら、概して、５～１００ナノメートル波長範囲にある極端紫外線光は、ほぼすべての材料に強く吸収される。その理由で、極端紫外線システムは、光の透過によってではなく反射によって機能する。一連のミラー、またはレンズ要素、および反射要素、または無反射吸収体マスクパターンでコーティングされたマスクブランクの使用によって、パターニングされた作用光は、レジストコーティングされた半導体基板の上に反射される。
極端紫外線リソグラフィシステムのレンズ要素およびマスクブランクは、モリブデンおよびシリコンなど、材料の反射多層コーティングでコーティングされる。例えば、１３．５ナノメートルの紫外光であれば１２．５～１４．５ナノメートルの帯域とされる、非常に狭い紫外通過帯域の光を強く反射する多層コーティングでコーティングされた基板を使用することによって、レンズ要素またはマスクブランクごとの約６５％の反射値が得られている。
図１は、マスクされていない部分においてブラッグ干渉によってＥＵＶ放射を反射する、基板１４上の反射多層積層体１２を含む、ＥＵＶマスクブランクから形成された従来のＥＵＶ反射マスク１０を示す。従来のＥＵＶ反射マスク１０のマスクされた（無反射）エリア１６は、緩衝層１８および吸収層２０をエッチングすることによって形成される。吸収層は、典型的に、５１ｎｍ～７７ｎｍの範囲内の厚さを有する。キャッピング層２２は、反射多層積層体１２の上に形成され、エッチングプロセス中に反射多層積層体１２を保護する。以下でさらに考察されるように、ＥＵＶマスクブランクは、多層でコーティングされた低熱膨張材料基板上にキャッピング層および吸収層で作られ、これは、次いで、マスクされた（無反射）エリア１６および反射エリア２４を提供するためにエッチングされる。
国際半導体技術ロードマップ（ＩＴＲＳ）は、技術の最小ハーフピッチフィーチャサイズに対するパーセンテージとして、ノードのオーバーレイ要件を指定している。すべての反射リソグラフィシステムに固有の画像配置とオーバーレイエラーへの影響のため、ＥＵＶ反射マスクは、将来の生産のためにより正確な平坦度仕様に準拠する必要があるであろう。追加として、ＥＵＶブランクは、ブランクのワーキングエリア上の欠陥に非常に低い耐性を有する。３Ｄ効果を緩和し、結像性能を改善するために、より薄い吸収体層を有するＥＵＶマスクブランクを提供する必要がある。
本開示の１つまたは複数の実施形態は、基板と、基板上の反射層の多層積層体であって、反射層の多層積層体が、複数の反射層ペアを含む、反射層の多層積層体と、反射層の多層積層体上の吸収体層であって、吸収体層が、ルテニウム（Ｒｕ）、ならびにニオブ（Ｎｂ）、イリジウム（Ｉｒ）、レニウム（Ｒｅ）、白金（Ｐｔ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、オスミウム（Ｏｓ）、マンガン（Ｍｎ）、銀（Ａｇ）、テクネチウム（Ｔｃ）、コバルト（Ｃｏ）およびニッケル（Ｎｉ）からなるグループから選択された第１族の１つまたは複数の元素からなる合金と、Ｒｕ、第１族の１つまたは複数の元素、ならびにシリコン（Ｓｉ）、ホウ素（Ｂ）、窒素（Ｎ）および酸素（Ｏ）からなるグループから選択された第２族の１つまたは複数の元素からなる合金と、Ｒｕ、第１族の１つまたは複数の元素、およびタンタル（Ｔａ）からなる合金と、Ｒｕ、第１族の１つまたは複数の元素、第２族の１つまたは複数の元素、およびＴａからなる合金と、テルル（Ｔｅ）およびニッケル（Ｎｉ）からなる合金と、テルル（Ｔｅ）およびアルミニウム（Ａｌ）からなる合金と、から選択された合金を備える、吸収体層とを備える、極端紫外線（ＥＵＶ）マスクブランクを対象とする。
追加の実施形態は、極端紫外（ＥＵＶ）マスクブランクを製造する方法を対象とする。この方法は、基板上に複数の反射層ペアを含む多層積層体を形成し、反射層の多層積層体上に吸収体層を形成することを含む。そして、吸収体層は、ルテニウム（Ｒｕ）、ならびにニオブ（Ｎｂ）、イリジウム（Ｉｒ）、レニウム（Ｒｅ）、白金（Ｐｔ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、オスミウム（Ｏｓ）、マンガン（Ｍｎ）、銀（Ａｇ）、テクネチウム（Ｔｃ）、コバルト（Ｃｏ）およびニッケル（Ｎｉ）からなるグループから選択された第１族の１つまたは複数の元素からなる合金と、Ｒｕ、第１族の１つまたは複数の元素、ならびにシリコン（Ｓｉ）、ホウ素（Ｂ）、窒素（Ｎ）および酸素（Ｏ）からなるグループから選択された第２族の１つまたは複数の元素からなる合金と、Ｒｕ、第１族の１つまたは複数の元素、およびタンタル（Ｔａ）からなる合金と、Ｒｕ、第１族の１つまたは複数の元素、Ｔａ、および第２族の１つまたは複数の元素からなる合金と、テルル（Ｔｅ）およびニッケル（Ｎｉ）からなる合金と、テルル（Ｔｅ）およびアルミニウム（Ａｌ）からなる合金と、から選択された合金を備える。
本開示のさらなる実施形態は、基板と、基板上の多層積層体であって、多層積層体が、モリブデン（Ｍｏ）とシリコン（Ｓｉ）との反射層ペアを含む複数の反射層ペアを含む、多層積層体と、多層積層体上の吸収体層とを備える、極端紫外線（ＥＵＶ）マスクブランクを対象とする。そして、吸収体層は、ルテニウム（Ｒｕ）、ならびにニオブ（Ｎｂ）、イリジウム（Ｉｒ）、レニウム（Ｒｅ）、白金（Ｐｔ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、オスミウム（Ｏｓ）、マンガン（Ｍｎ）、銀（Ａｇ）、テクネチウム（Ｔｃ）、コバルト（Ｃｏ）およびニッケル（Ｎｉ）からなるグループから選択された第１族の１つまたは複数の元素からなる合金と、Ｒｕ、第１族の１つまたは複数の元素、ならびにシリコン（Ｓｉ）、ホウ素（Ｂ）、窒素（Ｎ）および酸素（Ｏ）からなるグループから選択された第２族の１つまたは複数の元素からなる合金と、Ｒｕ、第１族の１つまたは複数の元素、およびタンタル（Ｔａ）からなる合金と、Ｒｕ、第１族の１つまたは複数の元素、第２族の１つまたは複数の元素、およびＴａからなる合金と、テルル（Ｔｅ）およびニッケル（Ｎｉ）からなる合金と、テルル（Ｔｅ）およびアルミニウム（Ａｌ）からなる合金と、から選択された合金を備える。
本開示の追加の実施形態は、極端紫外線（ＥＵＶ）マスクブランクであって、ＥＵＶマスクブランクが、ルテニウム（Ｒｕ）と第１族の１つまたは複数の元素、Ｒｕと第１族の１つまたは複数の元素と第２族の１つまたは複数の元素、Ｒｕと第１族の１つまたは複数の元素とタンタル（Ｔａ）、Ｒｕと第１族の１つまたは複数の元素とＴａと第２族の１つまたは複数の元素、テルル（Ｔｅ）とニッケル（Ｎｉ）、およびテルル（Ｔｅ）とアルミニウム（Ａｌ）からなるグループから選択された材料を備える吸収体層を備える、極端紫外線（ＥＵＶ）マスクブランクを対象とする。
本開示の上述の特徴が詳細に理解され得るように、上記で手短に要約された本開示のより詳細な説明が、それらのうちのいくつかが添付の図面中に図示されている、実施形態を参照することによって行われ得る。しかしながら、添付の図面は、本開示の典型的な実施形態を図示するにすぎず、それゆえ、それの範囲の限定と見なされるべきではなく、なぜならば、本開示は、他の等しく効果的な実施形態を認め得るからであることに留意されたい。
本開示の数個の例示の実施形態を説明する前に、本開示は、以下の説明において記載される構成またはプロセスステップの詳細に限定されないことを理解されたい。本開示は、他の実施形態が可能であり、様々なやり方で実践されるか、または行われることが可能である。
本明細書で使用される「水平（ｈｏｒｉｚｏｎｔａｌ）」という用語は、それの配向にかかわらず、マスクブランクの面または表面に平行な面として定義される。「垂直（ｖｅｒｔｉｃａｌ）」という用語は、たった今定義された水平に直角な方向を指す。「の上方（ａｂｏｖｅ）」、「の下方（ｂｅｌｏｗ）」、「底部（ｂｏｔｔｏｍ）」、「上部（ｔｏｐ）」、（「側壁」の場合のような）「側部（ｓｉｄｅ）」、「より高い（ｈｉｇｈｅｒ）」、「下側（ｌｏｗｅｒ）」、「上側（ｕｐｐｅｒ）」、「の上（ｏｖｅｒ）」、および「の下（ｕｎｄｅｒ）」などの用語は、図中に示されているように、水平面に関して定義される。
「上（ｏｎ）」という用語は、要素の間の直接的なコンタクトがあることを指し示す。「の直接上（ｄｉｒｅｃｔｌｙ ｏｎ）」という用語は、介在要素のない要素の間の直接的なコンタクトがあることを指し示す。
本明細書および添付の特許請求の範囲で使用される、「前駆体」、「反応物」、「反応性ガス」という用語などは、基板表面と反応する任意のガス種を指すために、互換的に使用される。
当業者は、プロセス領域を説明するための「第１の」および「第２の」などの序数の使用が、処理チャンバ内の特定のロケーション、または処理チャンバ内での露光の順序を暗示しないことを理解するであろう。
本明細書および添付の特許請求の範囲において使用される「基板」という用語は、プロセスがそれに対して作用する、面、または面の部分を指す。基板への言及は、コンテキストが別段に明確に指し示さない限り、基板の一部分のみを指すことができることも、当業者には理解されよう。追加として、基板上に堆積させることへの言及は、ベア基板と、その上に堆積または形成された１つまたは複数のフィルムまたは特徴をもつ基板の両方を意味する。
１つまたは複数の実施形態によれば、フィルムコーティングまたは層に関して「上（ｏｎ）」という用語は、層が、表面、たとえば、基板表面の直接上にあること、ならびに層と表面、たとえば、基板表面との間に１つまたは複数の下層があることを含む。これにより、１つまたは複数の実施形態では、「基板表面上（ｏｎ ｔｈｅ ｓｕｂｓｔｒａｔｅ ｓｕｒｆａｃｅ）」という句は、１つまたは複数の下層を含むことが意図される。他の実施形態では、「直接上（ｄｉｒｅｃｔｌｙ ｏｎ）」という句は、介在層なしに表面、たとえば、基板表面と接触している層またはフィルムを指す。これにより、「基板表面の直接上の層（ａ ｌａｙｅｒ ｄｉｒｅｃｔｌｙ ｏｎ ｔｈｅ ｓｕｂｓｔｒａｔｅ ｓｕｒｆａｃｅ）」という句は、間の層なしに基板表面と直接接触している層を指す。
本明細書および添付の特許請求の範囲で使用される、「第１族の１つまたは複数の元素」または「第１族元素」という用語は、ニオブ（Ｎｂ）、イリジウム（Ｉｒ）、レニウム（Ｒｅ）、白金（Ｐｔ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、オスミウム（Ｏｓ）、マンガン（Ｍｎ）、銀（Ａｇ）、テクネチウム（Ｔｃ）、コバルト（Ｃｏ）およびニッケル（Ｎｉ）からなるグループから選択された１つまたは複数の元素を指す。
本明細書および添付の特許請求の範囲で使用される、「第２族の１つまたは複数の元素」または「第２族元素」という用語は、シリコン（Ｓｉ）、ホウ素（Ｂ）、窒素（Ｎ）および酸素（Ｏ）からなるグループから選択された１つまたは複数の元素を指す。
次に図２を参照すると、極端紫外線リソグラフィシステム１００の例示的な実施形態が示されている。極端紫外線リソグラフィシステム１００は、極端紫外線光１１２を生成するための極端紫外線光源１０２と、反射要素のセットと、ターゲットウエハ１１０とを含む。反射要素は、集光器１０４、ＥＵＶ反射マスク１０６、光学縮小アセンブリ１０８、マスクブランク、ミラー、またはそれらの組合せを含む。
極端紫外線光源１０２は、極端紫外線光１１２を生成する。極端紫外線光１１２は、５～５０ナノメートル（ｎｍ）の範囲内の波長を有する電磁放射線である。たとえば、極端紫外線光源１０２は、レーザー、レーザーがもたらしたプラズマ、放電がもたらしたプラズマ、自由電子レーザー、シンクロトロン放射、またはそれらの組合せを含む。
極端紫外線光源１０２は、様々な特性を有する極端紫外線光１１２を生成する。極端紫外線光源１０２は、波長のある範囲にわたる広帯域極端紫外線放射をもたらす。たとえば、極端紫外線光源１０２は、５から５０ｎｍに及ぶ波長を有する極端紫外線光１１２を生成する。
１つまたは複数の実施形態では、極端紫外線光源１０２は、狭帯域幅を有する極端紫外線光１１２をもたらす。たとえば、極端紫外線光源１０２は、１３．５ｎｍの極端紫外線光１１２を生成する。波長ピークの中心は、１３．５ｎｍである。
集光器１０４は、極端紫外線光１１２を反射し、集束させるための光学ユニットである。集光器１０４は、ＥＵＶ反射マスク１０６を照らすために、極端紫外線光源１０２からの極端紫外線光１１２を反射し、集光させる。
集光器１０４は、単一の要素として示されているが、いくつかの実施形態における集光器１０４は、極端紫外線光１１２を反射し、集光させるために、凹面ミラー、凸面ミラー、平坦ミラー、またはそれらの組合せなど、１つまたは複数の反射要素を含むことを理解されたい。たとえば、示されている実施形態における集光器１０４は、単一の凹面ミラー、または凸面光学要素、凹面光学要素、および平坦光学要素を有する光学アセンブリである。
ＥＵＶ反射マスク１０６は、マスクパターン１１４を有する極端紫外線反射要素である。ＥＵＶ反射マスク１０６は、ターゲットウエハ１１０上に形成されるべき回路レイアウトを形成するためのリソグラフィックパターンを作り出す。ＥＵＶ反射マスク１０６は、極端紫外線光１１２を反射する。マスクパターン１１４は、回路レイアウトの一部分を画定する。
光学縮小アセンブリ１０８は、マスクパターン１１４の像を縮小するための光学ユニットである。ＥＵＶ反射マスク１０６からの極端紫外線光１１２の反射は、光学縮小アセンブリ１０８によって縮小され、ターゲットウエハ１１０上に反射される。いくつかの実施形態の光学縮小アセンブリ１０８は、マスクパターン１１４の像のサイズを縮小するために、ミラーおよび他の光学要素を含む。たとえば、いくつかの実施形態における光学縮小アセンブリ１０８は、極端紫外線光１１２を反射し、集束させるための凹面ミラーを含む。
光学縮小アセンブリ１０８は、ターゲットウエハ１１０上のマスクパターン１１４の像のサイズを縮小する。たとえば、マスクパターン１１４は、ターゲットウエハ１１０上にマスクパターン１１４によって表された回路を形成するために、ターゲットウエハ１１０上に光学縮小アセンブリ１０８によって４：１の比で結像される。極端紫外線光１１２は、ターゲットウエハ１１０上にマスクパターン１１４を形成するために、ターゲットウエハ１１０と同期してＥＵＶ反射マスク１０６を走査する。
次に図３を参照すると、極端紫外線反射要素製造システム２００の実施形態が示されている。極端紫外線反射要素は、ＥＵＶマスクブランク２０４、極端紫外線ミラー２０５、またはＥＵＶ反射マスク１０６などの他の反射要素を含む。
極端紫外線反射要素製造システム２００は、マスクブランク、ミラー、または図２の極端紫外線光１１２を反射する他の要素をもたらす。極端紫外線反射要素製造システム２００は、ソース基板２０３に薄いコーティングを塗布することによって、反射要素を製造する。
ＥＵＶマスクブランク２０４は、図２のＥＵＶ反射マスク１０６を形成するためのマルチレイヤード構造である。ＥＵＶマスクブランク２０４は、半導体製造技術を使用して形成される。ＥＵＶ反射マスク１０６は、エッチングおよび他のプロセスによってＥＵＶマスクブランク２０４上に形成された図２のマスクパターン１１４を有する。
極端紫外線ミラー２０５は、極端紫外線光の範囲内で反射性のマルチレイヤード構造である。極端紫外線ミラー２０５は、半導体製造技術を使用して形成される。いくつかの実施形態では、ＥＵＶマスクブランク２０４および極端紫外線ミラー２０５は、各要素上に形成された層に関して類似の構造であるが、極端紫外線ミラー２０５は、マスクパターン１１４を有しない。
反射要素は、極端紫外線光１１２の効率的なリフレクタである。実施形態では、ＥＵＶマスクブランク２０４および極端紫外線ミラー２０５は、６０％よりも大きい極端紫外線反射率を有する。反射要素が極端紫外線光１１２の６０％超を反射する場合、反射要素は効率的である。
極端紫外線反射要素製造システム２００は、ソース基板２０３がそれの中に運び込まれ、反射要素がそれから運び出される、ウエハローディングおよびキャリアハンドリングシステム２０２を含む。大気ハンドリングシステム２０６は、ウエハハンドリング真空チャンバ２０８へのアクセスを提供する。ウエハローディングおよびキャリアハンドリングシステム２０２は、大気からシステム内の真空に基板を移送するために、基板搬送ボックス、ロードロック、および他の部品を含む。ＥＵＶマスクブランク２０４は、非常に小さいスケールでデバイスを形成するために使用されるので、ソース基板２０３およびＥＵＶマスクブランク２０４は、汚染および他の欠陥を防ぐために、真空システムにおいて処理される。
ウエハハンドリング真空チャンバ２０８は、２つの真空チャンバ、すなわち、第１の真空チャンバ２１０および第２の真空チャンバ２１２を含んでいる。第１の真空チャンバ２１０は、第１のウエハハンドリングシステム２１４を含み、第２の真空チャンバ２１２は、第２のウエハハンドリングシステム２１６を含む。ウエハハンドリング真空チャンバ２０８は、２つの真空チャンバとともに説明されるが、システムは、任意の数の真空チャンバを有することができることを理解されたい。
ウエハハンドリング真空チャンバ２０８は、様々な他のシステムの取付けのために、ウエハハンドリング真空チャンバ２０８の外縁の周りに複数のポートを有する。第１の真空チャンバ２１０は、ガス抜きシステム２１８、第１の物理的気相堆積システム２２０、第２の物理的気相堆積システム２２２、および前洗浄システム２２４を有する。ガス抜きシステム２１８は、基板から水分を熱的に脱着させるためのものである。前洗浄システム２２４は、ウエハ、マスクブランク、ミラー、または他の光学部品の表面を洗浄するためのものである。
いくつかの実施形態では、第１の物理気相堆積システム２２０および第２の物理気相堆積システム２２２など、物理気相堆積システムは、ソース基板２０３上に導電性材料の薄膜を形成するために使用される。たとえば、いくつかの実施形態の物理気相堆積システムは、マグネトロンスパッタリングシステム、イオンスパッタリングシステム、パルスレーザー堆積、カソードアーク堆積、またはそれらの組合せなど、真空堆積システムを含む。マグネトロンスパッタリングシステムなど、物理気相堆積システムは、シリコン、金属、合金、化合物、またはそれらの組合せの層を含む薄層をソース基板２０３上に形成する。
物理気相堆積システムは、反射層、キャッピング層、および吸収体層を形成する。たとえば、物理的気相堆積システムは、シリコン、モリブデン、酸化チタン、二酸化チタン、酸化ルテニウム、酸化ニオブ、ルテニウムタングステン、ルテニウムモリブデン、ルテニウムニオブ、クロム、タンタル、窒化物、化合物、またはそれらの組合せの層を形成するように構成される。いくつかの化合物は、酸化物として説明されるが、化合物は、酸化物、二酸化物、酸素原子を有する原子混合物、またはそれらの組合せを含むことを理解されたい。
第２の真空チャンバ２１２は、第２の真空チャンバ２１２に接続された、第１のマルチカソードソース２２６、化学気相堆積システム２２８、硬化チャンバ２３０、および超平滑堆積チャンバ２３２を有する。たとえば、いくつかの実施形態の化学気相堆積システム２２８は、流動性化学気相堆積システム（ＦＣＶＤ）、プラズマ支援化学気相堆積システム（ＣＶＤ）、エアロゾル支援ＣＶＤ、ホットフィラメントＣＶＤシステム、または類似のシステムを含む。別の例では、化学気相堆積システム２２８、硬化チャンバ２３０、および超平滑堆積チャンバ２３２は、極端紫外線反射要素生産システム２００とは別個のシステム中にある。
化学気相堆積システム２２８は、ソース基板２０３上に材料の薄膜を形成する。たとえば、化学気相堆積システム２２８は、単結晶層、多結晶層、アモルファス層、エピタキシャル層、またはそれらの組合せを含む、材料の層をソース基板２０３上に形成するために使用される。化学気相堆積システム２２８は、シリコン、酸化ケイ素、オキシ炭化ケイ素、炭素、タングステン、炭化ケイ素、窒化ケイ素、窒化チタン、金属、合金、および化学気相堆積に好適な他の材料の層を形成する。たとえば、化学気相堆積システムは、平坦化層を形成する。
第１のウエハハンドリングシステム２１４は、連続真空中で、大気ハンドリングシステム２０６と、第１の真空チャンバ２１０の外縁の周りの様々なシステムとの間でソース基板２０３を移動させることが可能である。第２のウエハハンドリングシステム２１６は、連続真空中にソース基板２０３を維持しながら、第２の真空チャンバ２１２の周りでソース基板２０３を移動させることが可能である。極端紫外線反射要素製造システム２００は、連続真空中で第１のウエハハンドリングシステム２１４と第２のウエハハンドリングシステム２１６との間でソース基板２０３およびＥＵＶマスクブランク２０４を移送する。
次に図４を参照すると、極端紫外線反射要素３０２の実施形態が示されている。１つまたは複数の実施形態では、極端紫外線反射要素３０２は、図３のＥＵＶマスクブランク２０４または図３の極端紫外線ミラー２０５である。ＥＵＶマスクブランク２０４および極端紫外線ミラー２０５は、図２の極端紫外線光１１２を反射するための構造である。ＥＵＶマスクブランク２０４は、図２中に示されているＥＵＶ反射マスク１０６を形成するために使用される。
極端紫外線反射要素３０２は、基板３０４と、反射層の多層積層体３０６と、キャッピング層３０８とを含む。１つまたは複数の実施形態では、極端紫外線ミラー２０５は、図２の集光器１０４または図２の光学縮小アセンブリ１０８において使用するための反射構造を形成するために使用される。
いくつかの実施形態では、ＥＵＶマスクブランク２０４である、極端紫外線反射要素３０２は、基板３０４と、反射層の多層積層体３０６と、キャッピング層３０８と、吸収体層３１０とを含む。いくつかの実施形態における極端紫外線反射要素３０２は、必要とされる回路のレイアウトを用いて吸収体層３１０をパターニングすることによって、図２のＥＵＶ反射マスク１０６を形成するために使用される、ＥＵＶマスクブランク２０４である。
以下のセクションでは、ＥＵＶマスクブランク２０４のための用語は、簡単のために極端紫外線ミラー２０５の用語と互換的に使用される。１つまたは複数の実施形態では、ＥＵＶマスクブランク２０４は、図２のマスクパターン１１４を形成するために、吸収体層３１０が追加として加えられた、極端紫外線ミラー２０５の部品を含む。
ＥＵＶマスクブランク２０４は、マスクパターン１１４を有するＥＵＶ反射マスク１０６を形成するために使用される光学的に平坦な構造である。１つまたは複数の実施形態では、ＥＵＶマスクブランク２０４の反射面は、図２の極端紫外線光１１２など、入射光を反射するための平坦な焦点面を形成する。
基板３０４は、極端紫外線反射要素３０２に構造的支持を提供するための要素である。１つまたは複数の実施形態では、基板３０４は、温度変化中の安定性を提供するために、低い熱膨張係数（ＣＴＥ）を有する材料から作られる。１つまたは複数の実施形態では、基板３０４は、機械的循環、熱循環、結晶形成、またはそれらの組合せに対する安定性などの性質を有する。１つまたは複数の実施形態による基板３０４は、シリコン、ガラス、酸化物、セラミック、ガラスセラミック、またはそれらの組合せなどの材料から形成される。
多層積層体３０６は、極端紫外線光１１２に対して反射性である構造である。多層積層体３０６は、第１の反射層３１２および第２の反射層３１４の交互する反射層を含む。
第１の反射層３１２および第２の反射層３１４は、図４の反射ペア３１６を形成する。非限定的な実施形態では、多層積層体３０６は、合計で最高１２０個の反射層について２０～６０個の範囲の反射ペア３１６を含む。
第１の反射層３１２および第２の反射層３１４は、様々な材料から形成される。実施形態では、第１の反射層３１２および第２の反射層３１４は、それぞれ、シリコンおよびモリブデンから形成される。層は、シリコンおよびモリブデンとして示されているが、いくつかの実施形態における交互層は、他の材料から形成されるか、または他の内部構造を有することを理解されたい。
第１の反射層３１２および第２の反射層３１４は、様々な構造を有することができる。実施形態では、第１の反射層３１２と第２の反射層３１４の両方は、単一の層、複数の層、分割された層構造、非均一な構造、またはそれらの組合せを用いて形成される。
たいていの材料は、極端紫外線波長の光を吸収するので、使用される光学要素は、他のリソグラフィシステムにおいて使用されるような透過性の代わりに、反射性である。多層積層体３０６は、ブラッグリフレクタまたはミラーを作り出すために、異なる光学的性質をもつ材料の交互する薄層を有することによって、反射構造を形成する。
実施形態では、交互層の各々は、極端紫外線光１１２について類似しない光学定数を有する。交互層は、交互層の厚さの周期が極端紫外線光１１２の波長の１／２であるとき、共鳴反射性を提供する。実施形態では、１３ｎｍの波長の極端紫外線光１１２について、交互層は、約６．５ｎｍの厚さである。提供されるサイズおよび寸法は、典型的な要素のための通常の工学的許容誤差内にあることを理解されたい。
多層積層体３０６は、様々なやり方で形成される。実施形態では、第１の反射層３１２および第２の反射層３１４は、マグネトロンスパッタリング、イオンスパッタリングシステム、パルスレーザー堆積、カソードアーク堆積、またはそれらの組合せを用いて形成される。
例示的な実施形態では、多層積層体３０６は、マグネトロンスパッタリングなど、物理気相堆積技法を使用して形成される。実施形態では、多層積層体３０６の第１の反射層３１２および第２の反射層３１４は、正確な厚さ、低い粗さ、および層の間の清浄な界面を含む、マグネトロンスパッタリング技法によって形成されることの特性を有する。実施形態では、多層積層体３０６の第１の反射層３１２および第２の反射層３１４は、正確な厚さ、低い粗さ、および層の間の清浄な界面を含む、物理気相堆積によって形成されることの特性を有する。
物理気相堆積技法を使用して形成された多層積層体３０６の層の物理的寸法は、反射率を増加させるために正確に制御される。実施形態では、シリコンの層など、第１の反射層３１２は、４．１ｎｍの厚さを有する。モリブデンの層など、第２の反射層３１４は、２．８ｎｍの厚さを有する。層の厚さは、極端紫外線反射要素のピーク反射率波長を規定する。層の厚さが不正確な場合、所望の波長１３．５ｎｍにおける反射率は、低減される。
実施形態では、多層積層体３０６は、６０％よりも大きい反射率を有する。実施形態では、物理気相堆積を使用して形成された多層積層体３０６は、６６％～６７％の範囲内の反射率を有する。１つまたは複数の実施形態では、より硬い材料を用いて形成された多層積層体３０６の上にキャッピング層３０８を形成することは、反射率を改善する。いくつかの実施形態では、７０％よりも大きい反射率は、低い粗さの層、層の間の清浄な界面、改善された層材料、またはそれらの組合せを使用して実現される。
１つまたは複数の実施形態では、キャッピング層３０８は、極端紫外線光１１２の透過を可能にする保護層である。実施形態では、キャッピング層３０８は、多層積層体３０６の直接上に形成される。１つまたは複数の実施形態では、キャッピング層３０８は、汚染物質および機械的損傷から多層積層体３０６を保護する。一実施形態では、多層積層体３０６は、酸素、炭素、炭化水素、またはそれらの組合せによる汚染に対して敏感である。実施形態によるキャッピング層３０８は、汚染物質と相互作用し、それらを中和する。
１つまたは複数の実施形態では、キャッピング層３０８は、極端紫外線光１１２に対して透過的である、光学的に均一な構造である。極端紫外線光１１２は、キャッピング層３０８を通過し、多層積層体３０６で反射する。１つまたは複数の実施形態では、キャッピング層３０８は、１％～２％の総反射率損失を有する。１つまたは複数の実施形態では、異なる材料の各々は、厚さに応じて、異なる反射率損失を有するが、反射率損失のすべては、１％～２％の範囲内にある。
１つまたは複数の実施形態では、キャッピング層３０８は、滑らかな表面を有する。たとえば、いくつかの実施形態におけるキャッピング層３０８の表面は、０．２ｎｍ ＲＭＳ（二乗平均平方根測定値）未満の粗さを有する。別の例では、キャッピング層３０８の表面は、１／１００ｎｍと１／１μｍの範囲内の長さについて０．０８ｎｍ ＲＭＳの粗さを有する。ＲＭＳ粗さは、ＲＭＳ粗さが測定される範囲に応じて変動する。１００ｎｍ～１ミクロンの特定の範囲について、その粗さは、０．０８ｎｍ以下である。より広い範囲に対して、粗さはより高くなる。
キャッピング層３０８は、様々な方法で形成される。実施形態では、キャッピング層３０８は、マグネトロンスパッタリング、イオンスパッタリングシステム、イオンビーム堆積、電子ビーム蒸着、高周波（ＲＦ）スパッタリング、原子層堆積（ＡＬＤ）、パルスレーザー堆積、カソードアーク堆積、またはそれらの組合せを用いて多層積層体３０６上に、または多層積層体３０６の直接上に形成される。１つまたは複数の実施形態では、キャッピング層３０８は、正確な厚さ、低い粗さ、および層の間の清浄な界面を含む、マグネトロンスパッタリング技法によって形成されることの物理的特性を有する。実施形態では、キャッピング層３０８は、正確な厚さ、低い粗さ、および層の間の清浄な界面を含む、物理気相堆積によって形成されることの物理的特性を有する。
１つまたは複数の実施形態では、キャッピング層３０８は、洗浄中の浸食に抵抗するのに十分な硬度を有する様々な材料から形成される。一実施形態では、ルテニウムは、ルテニウムが、良好なエッチング停止であり、動作条件の下で比較的不活性であるので、キャッピング層材料として使用される。しかしながら、いくつかの実施形態では、他の材料が、キャッピング層３０８を形成するために使用されることを理解されたい。特定の実施形態では、キャッピング層３０８は、２．５と５．０ｎｍの範囲内の厚さを有する。
１つまたは複数の実施形態では、吸収体層３１０は、極端紫外線光１１２を吸収する層である。実施形態では、吸収体層３１０は、極端紫外線光１１２を反射しないエリアを提供することによってＥＵＶ反射マスク１０６上にパターンを形成するために使用される。吸収体層３１０は、１つまたは複数の実施形態によれば、約１３．５ｎｍなど、極端紫外線光１１２の特定の周波数について高い吸収係数を有する材料を備える。実施形態では、吸収体層３１０は、キャッピング層３０８の直接上に形成され、吸収体層３１０は、ＥＵＶ反射マスク１０６のパターンを形成するために、フォトリソグラフィプロセスを使用してエッチングされる。
１つまたは複数の実施形態によれば、極端紫外線ミラー２０５など、極端紫外線反射要素３０２は、基板３０４、多層積層体３０６、およびキャッピング層３０８を用いて形成される。極端紫外線ミラー２０５は、光学的に平坦な表面を有し、極端紫外線光１１２を効率的におよび均一に反射する。
１つまたは複数の実施形態によれば、ＥＵＶマスクブランク２０４など、極端紫外線反射要素３０２は、基板３０４、多層積層体３０６、キャッピング層３０８、および吸収体層３１０を用いて形成される。マスクブランク２０４は、光学的に平坦な表面を有し、極端紫外線光１１２を効率的におよび均一に反射する。実施形態では、マスクパターン１１４は、ＥＵＶマスクブランク２０４の吸収体層３１０を用いて形成される。
１つまたは複数の実施形態によれば、キャッピング層３０８の上に吸収体層３１０を形成することは、ＥＵＶ反射マスク１０６の信頼性を増加させる。キャッピング層３０８は、吸収体層３１０についてのエッチング停止層として働く。図２のマスクパターン１１４が、吸収体層３１０の中にエッチングされるとき、吸収体層３１０の下方のキャッピング層３０８は、多層積層体３０６を保護するために、エッチング作用を停止する。１つまたは複数の実施形態では、吸収体層３１０は、キャッピング層３０８に対してエッチング選択的である。いくつかの実施形態では、キャッピング層３０８は、ルテニウムを備え、吸収体層３１０は、ルテニウムに対してエッチング選択的である。
１つまたは複数の実施形態では、吸収体層３１０は、ルテニウム（Ｒｕ）と少なくとも１つまたは複数の元素との合金を備える。１つまたは複数の実施形態では、Ｒｕと少なくとも１つまたは複数の元素との合金は、０．９２未満の「ｎ」値を有し、これは、約１８０度から約２２０度までの範囲の位相シフトを提供する。約０．９２未満の「ｎ」値は、正規化された像対数勾配（ＮＩＬＳ）を改善し、３Ｄ効果を緩和する。本明細書および添付の特許請求の範囲で使用される、「正規化画像対数勾配（ＮＩＬＳ）」は、空間像のリソグラフィック品質を説明するメトリックを指す。本明細書および添付の特許請求の範囲で使用される、「ｎ」または「ｎ値」は、屈折率を指す。屈折率は、ある媒体から別の媒体に通過するときの光線の曲げの測量である。低い「ｎ」値は、ＮＩＬＳを改善し、３Ｄ効果を緩和する。
実施形態では、吸収体層３１０は、ルテニウム（Ｒｕ）と第１族の１つまたは複数の元素との合金を備える。いくつかの実施形態では、吸収体層３１０は、約５０ｎｍ未満、約４５ｎｍ未満、約４０ｎｍ未満、約３５ｎｍ未満、約３０ｎｍ未満、約２５ｎｍ未満、約２０ｎｍ未満、約１５ｎｍ未満、約１０ｎｍ未満、約５ｎｍ未満、約１ｎｍ未満、または約０．５ｎｍ未満を含む、約５５ｎｍ未満の厚さを有する。他の実施形態では、吸収体層３１０は、約１ｎｍ～約５４ｎｍ、１ｎｍ～約５０ｎｍ、および１５ｎｍ～約４０ｎｍの範囲を含む、約０．５ｎｍ～約５５ｎｍの範囲内の厚さを有する。
実施形態では、吸収体層３１０は、ルテニウム（Ｒｕ）と第１族の１つまたは複数の元素と第２族の１つまたは複数の元素との合金を備える。いくつかの実施形態では、吸収体層３１０は、約５０ｎｍ未満、約４５ｎｍ未満、約４０ｎｍ未満、約３５ｎｍ未満、約３０ｎｍ未満、約２５ｎｍ未満、約２０ｎｍ未満、約１５ｎｍ未満、約１０ｎｍ未満、約５ｎｍ未満、約１ｎｍ未満、または約０．５ｎｍ未満を含む、約５５ｎｍ未満の厚さを有する。他の実施形態では、吸収体層３１０は、約１ｎｍ～約５４ｎｍ、１ｎｍ～約５０ｎｍ、および１５ｎｍ～約５０ｎｍの範囲を含む、約０．５ｎｍ～約５５ｎｍの範囲内の厚さを有する。
実施形態では、吸収体層３１０は、ルテニウム（Ｒｕ）と第１族の１つまたは複数の元素とタンタル（Ｔａ）との合金を備える。いくつかの実施形態では、吸収体層３１０は、約５０ｎｍ未満、約４５ｎｍ未満、約４０ｎｍ未満、約３５ｎｍ未満、約３０ｎｍ未満、約２５ｎｍ未満、約２０ｎｍ未満、約１５ｎｍ未満、約１０ｎｍ未満、約５ｎｍ未満、約１ｎｍ未満、または約０．５ｎｍ未満を含む、約５５ｎｍ未満の厚さを有する。他の実施形態では、吸収体層３１０は、約１ｎｍ～約５４ｎｍ、１ｎｍ～約５０ｎｍ、および１５ｎｍ～約５０ｎｍの範囲を含む、約０．５ｎｍ～約５５ｎｍの範囲内の厚さを有する。
実施形態では、吸収体層３１０は、ルテニウム（Ｒｕ）と、第１族の１つまたは複数の元素と、第２族の１つまたは複数の元素とタンタル（Ｔａ）との合金を備える。いくつかの実施形態では、吸収体層３１０は、約５０ｎｍ未満、約４５ｎｍ未満、約４０ｎｍ未満、約３５ｎｍ未満、約３０ｎｍ未満、約２５ｎｍ未満、約２０ｎｍ未満、約１５ｎｍ未満、約１０ｎｍ未満、約５ｎｍ未満、約１ｎｍ未満、または約０．５ｎｍ未満を含む、約５５ｎｍ未満の厚さを有する。他の実施形態では、吸収体層３１０は、約１ｎｍ～約５４ｎｍ、１ｎｍ～約５０ｎｍ、および１５ｎｍ～約５０ｎｍの範囲を含む、約０．５ｎｍ～約５５ｎｍの範囲内の厚さを有する。
１つまたは複数の実施形態では、吸収体層３１０は、テルル（Ｔｅ）とニッケル（Ｎｉ）との合金を備える。いくつかの実施形態では、吸収体層３１０は、約５０ｎｍ未満、約４５ｎｍ未満、約４０ｎｍ未満、約３５ｎｍ未満、約３０ｎｍ未満、約２５ｎｍ未満、約２０ｎｍ未満、約１５ｎｍ未満、約１０ｎｍ未満、約５ｎｍ未満、約１ｎｍ未満、または約０．５ｎｍ未満を含む、約５５ｎｍ未満の厚さを有する。他の実施形態では、吸収体層３１０は、約１ｎｍ～約５４ｎｍ、１ｎｍ～約４０ｎｍ、および１５ｎｍ～約５０ｎｍの範囲を含む、約０．５ｎｍ～約５５ｎｍの範囲内の厚さを有する。
実施形態では、吸収体層３１０は、テルル（Ｔｅ）とアルミニウム（Ａｌ）との合金を備える。いくつかの実施形態では、吸収体層３１０は、約５０ｎｍ未満、約４５ｎｍ未満、約４０ｎｍ未満、約３５ｎｍ未満、約３０ｎｍ未満、約２５ｎｍ未満、約２０ｎｍ未満、約１５ｎｍ未満、約１０ｎｍ未満、約５ｎｍ未満、約１ｎｍ未満、または約０．５ｎｍ未満を含む、約５５ｎｍ未満の厚さを有する。他の実施形態では、吸収体層３１０は、約１ｎｍ～約５４ｎｍ、１ｎｍ～約５０ｎｍ、および１５ｎｍ～約５０ｎｍの範囲を含む、約０．５ｎｍ～約５５ｎｍの範囲内の厚さを有する。
実施形態では、吸収体層３１０は、ルテニウム（Ｒｕ）と、ニオブ（Ｎｂ）、イリジウム（Ｉｒ）、レニウム（Ｒｅ）、白金（Ｐｔ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、オスミウム（Ｏｓ）、マンガン（Ｍｎ）、銀（Ａｇ）、テクネチウム（Ｔｃ）、コバルト（Ｃｏ）およびニッケル（Ｎｉ）からなるグループから選択された第１族の１つまたは複数の元素との合金から作られる。１つまたは複数の実施形態では、Ｒｕと第１族の１つまたは複数の元素との合金は、約３１．８重量％から約８６．１重量％までのＲｕと、約１３．９重量％から約６８．２重量％までのＮｂとを有するＲｕとＮｂとの合金、約２．６重量％から約９０．９重量％までのＲｕと、約９．１重量％から約９７．４重量％までのＩｒとを有するＲｕとＩｒとの合金、約１８．８重量％から約７５．５重量％までのＲｕと、約２４．５重量％から約８１．２重量％までのＲｅとを有するＲｕとＲｅとの合金、約２．６重量％から約９０．８重量％までのＲｕと、約９．２重量％から約９７．４重量％までのＰｔとを有するＲｕとＰｔとの合金、約４７．５重量％から約９５．５重量％までのＲｕと、約４．５重量％から約５２．５重量％までのＺｒとを有するＲｕとＺｒとの合金、約２．７重量％から約９１．０重量％までのＲｕと、約９．０重量％から約９７．３重量％までのＯｓとを有するＲｕとＯｓとの合金、約４４．０重量％から約８８．１重量％までのＲｕと、約１１．９重量％から約５６．０重量％までのＭｎとを有するＲｕとＭｎとの合金、約４．７重量％から約９４．７重量％までのＲｕと、約５．３重量％から約９５．３重量％までのＡｇとを有するＲｕとＡｇとの合金、約５．１重量％から約９５．２重量％までのＲｕと、約４．８重量％から約９４．９重量％までのＴｃとを有するＲｕとＴｃとの合金、約８．２重量％から約９７．１重量％までのＲｕと、約２．９重量％から約９１．８重量％までのＣｏとを有するＲｕとＣｏとの合金、および約２３．３重量％から約９７．１重量％までのＲｕと、約２．９重量％から約７６．７重量％までのＮｉとを有するＲｕとＮｉとの合金からなるグループから選択される。
他の実施形態では、吸収体層３１０は、Ｒｕと第１族の１つまたは複数の元素とＴａとの合金から作られる。１つまたは複数の実施形態では、Ｒｕと第１族の１つまたは複数の元素とＴａとの合金は、約１８．１重量％から約８４．８重量％までのＲｕと、約６．６重量％から約７３．３重量％までのＮｂと、約８．６重量％から約７５．３重量％までのＴａとを有するＲｕとＮｂとＴａとの合金、約２．７重量％から約８８．６重量％までのＲｕと、約６．６重量％から約９２．５重量％までのＩｒと、約４．８重量％から約９０．７重量％までのＴａとを有するＲｕとＩｒとＴａとの合金、約２．７重量％から約８８．７重量％までのＲｕと、約６．４重量％から約９２．４重量％までのＲｅと、約４．９重量％から約９０．９重量％までのＴａとを有するＲｕとＲｅとＴａとの合金、約２．６重量％から約８８．７重量％までのＲｕと、約６．６重量％から約９２．７重量％までのＰｔと、約４．７重量％から約９０．８重量％までのＴａとを有するＲｕとＰｔとＴａとの合金、約２８．８重量％から約８８．２重量％までのＲｕと、約３．２重量％から約６２．６重量％までのＺｒと、約８．６重量％から約６８．０重量％までのＴａとを有するＲｕとＺｒとＴａとの合金、約２．７重量％から約８８．７重量％までのＲｕと、約６．５重量％から約９２．５重量％までのＯｓと、約４．８重量％から約９０．８重量％までのＴａとを有するＲｕとＯｓとＴａとの合金、約１９．５重量％から約８７．０重量％までのＲｕと、約４．０重量％から約７１．５重量％までのＭｎと、約９．０重量％から約７６．５重量％までのＴａとを有するＲｕとＭｎとＴａとの合金、約３．５重量％から約８８．１重量％までのＲｕと、約３．８重量％から約８８．４重量％までのＡｇと、約８．１重量％から約９２．７重量％までのＴａとを有するＲｕとＡｇとＴａとの合金、約３．６重量％から約８８．０重量％までのＲｕと、約３．４重量％から約８７．８重量％までのＴｃと、約８．６重量％から約９３．０重量％までのＴａとを有するＲｕとＴｃとＴａとの合金、約１９．３重量％から約８６．８重量％までのＲｕと、約４．３重量％から約７１．８重量％までのＣｏと、約８．９重量％から約７６．４重量％までのＴａとを有するＲｕとＣｏとＴａとの合金、および約３７．４重量％から約８９．２重量％までのＲｕと、約２．１重量％から約５３．９重量％までのＮｉと、約８．７重量％から約６０．５重量％までのＴａとを有するＲｕとＮｉとＴａとの合金からなるグループから選択される。
１つまたは複数の実施形態では、吸収体層３１０は、ルテニウム（Ｒｕ）と第１族の１つまたは複数の元素と第２族の１つまたは複数の元素との合金から作られる。
１つまたは複数の実施形態では、吸収体層３１０は、ルテニウム（Ｒｕ）と第１族の１つまたは複数の元素と第２族の１つまたは複数の元素とタンタル（Ｔａ）との合金から作られる。
別の実施形態では、吸収体層３１０は、ＴｅとＮｉとの合金から作られ、ここにおいて、ＴｅとＮｉとの合金は、約１０．０重量％から約９７．７重量％までのＴｅ、および約２．３重量％から約９０．０重量％までのＮｉを含む。
別の実施形態では、吸収体層３１０は、ＴｅとＡｌとの合金から作られ、ここにおいて、ＴｅとＡｌとの合金は、約１９．９重量％から約９８．９重量％までのＴｅ、および約１．１重量％から約８０．１重量％までのＡｌを含む。
１つまたは複数の実施形態では、Ｒｕと第１族の１つまたは複数の元素との合金は、ドーパントを備える。１つまたは複数の実施形態では、Ｒｕと第１族の１つまたは複数の元素とＴａとの合金は、ドーパントを備える。ドーパントは、シリコン（Ｓｉ）、ホウ素（Ｂ）、窒素（Ｎ）および酸素（Ｏ）からなるグループから選択された第２族の１つまたは複数の元素を含み得る。実施形態では、ドーパントは、合金の重量に基づいて、約０．１重量％～約５．０重量％の範囲内の量で合金中に存在する。他の実施形態では、ドーパントは、約０．１重量％、０．２重量％、０．３重量％、０．４重量％、０．５重量％、０．６重量％、０．７重量％、０．８重量％、０．９重量％、１．０重量％、１．１重量％、１．２重量％、１．３重量％、１．４重量％、１．５重量％、１．６重量％、１．７重量％、１．８重量％、１．９重量％、２．０重量％、２．１重量％、２．２重量％、２．３重量％、２．４重量％、２．５重量％、２．６重量％、２．７重量％、２．８重量％、２．９重量％、３．０重量％、３．１重量％、３．２重量％、３．３重量％、３．４重量％、３．５重量％、３．６重量％、３．７重量％、３．８重量％、３．９重量％、４．０重量％、４．１重量％、４．２重量％、４．３重量％、４．４重量％、４．５重量％、４．６重量％、４．７重量％、４．８重量％、４．９重量％、または５．０重量％の量で合金中に存在する。
１つまたは複数の実施形態では、ＴｅとＮｉとの合金から選択された合金は、ドーパントを備える。１つまたは複数の実施形態では、ＴｅとＡｌとの合金から選択された合金は、ドーパントを備える。ドーパントは、窒素または酸素のうちの１つまたは複数から選択され得る。実施形態では、ドーパントは、酸素を備える。代替実施形態では、ドーパントは、窒素を備える。実施形態では、ドーパントは、合金の重量に基づいて、約０．１重量％～約５．０重量％の範囲内の量で合金中に存在する。他の実施形態では、ドーパントは、約０．１重量％、０．２重量％、０．３重量％、０．４重量％、０．５重量％、０．６重量％、０．７重量％、０．８重量％、０．９重量％、１．０重量％、１．１重量％、１．２重量％、１．３重量％、１．４重量％、１．５重量％、１．６重量％、１．７重量％、１．８重量％、１．９重量％、２．０重量％、２．１重量％、２．２重量％、２．３重量％、２．４重量％、２．５重量％、２．６重量％、２．７重量％、２．８重量％、２．９重量％、３．０重量％、３．１重量％、３．２重量％、３．３重量％、３．４重量％、３．５重量％、３．６重量％、３．７重量％、３．８重量％、３．９重量％、４．０重量％、４．１重量％、４．２重量％、４．３重量％、４．４重量％、４．５重量％、４．６重量％、４．７重量％、４．８重量％、４．９重量％、または５．０重量％の量で合金中に存在する。
１つまたは複数の実施形態では、吸収体層の合金は、（３０ｎｍ未満の）はるかに薄い吸収体層厚さを、２％未満の反射率および好適なエッチング性質を実現しながら提供する、物理堆積チャンバ中に形成された共スパッタリングされた合金吸収体材料である。１つまたは複数の実施形態では、吸収体層の合金は、アルゴン（Ａｒ）、酸素（Ｏ２）、または窒素（Ｎ２）のうちの１つまたは複数から選択されたガスによって共スパッタリングされる。実施形態では、吸収体層の合金は、アルゴンガスと酸素ガスの混合物（Ａｒ＋Ｏ２）によって共スパッタリングされる。いくつかの実施形態では、アルゴンと酸素との混合物による共スパッタリングは、Ｒｕの酸化物および／または第１族の１つまたは複数の元素の酸化物を形成する。他の実施例では、アルゴンと酸素との混合物による共スパッタリングは、Ｒｕまたは第１族の１つまたは複数の元素の酸化物を形成しない。実施形態では、吸収体層の合金は、アルゴンガスと窒素ガスとの混合物（Ａｒ＋Ｎ２）によって共スパッタリングされる。いくつかの実施形態では、アルゴンと窒素との混合物による共スパッタリングは、Ｒｕの窒化物および／または第１族の１つまたは複数の元素の窒化物を形成する。他の実施例では、アルゴンと窒素との混合物による共スパッタリングは、Ｒｕまたは第１族の１つまたは複数の元素の窒化物を形成しない。実施形態では、吸収体層の合金は、アルゴンガスと酸素ガスと窒素ガスとの混合物（Ａｒ＋Ｏ２＋Ｎ２）によって共スパッタリングされる。いくつかの実施形態では、アルゴンと酸素と窒素との混合物による共スパッタリングは、Ｒｕの酸化物および／または窒化物、ならびに／あるいは第１族の１つまたは複数の元素の酸化物および／または窒化物を形成する。他の実施例では、アルゴンと酸素と窒素との混合物による共スパッタリングは、Ｒｕまたは第１族の１つまたは複数の元素の酸化物または窒化物を形成しない。実施形態では、吸収体層のエッチング性質および／または他の性質は、上記で考察されたように、合金割合を制御することによって仕様に適合される。
いくつかの実施形態では、アルゴンと酸素との混合物による共スパッタリングは、ルテニウム（Ｒｕ）の酸化物、および／または第１族の１つまたは複数の元素の酸化物、および／または第２族の１つまたは複数の元素の酸化物を形成する。他の実施例では、アルゴンと酸素との混合物による共スパッタリングは、Ｒｕまたは第１族の１つまたは複数の元素または第２族の１つまたは複数の元素の酸化物を形成しない。実施形態では、吸収体層の合金は、アルゴンガスと窒素ガスとの混合物（Ａｒ＋Ｎ２）によって共スパッタリングされる。いくつかの実施形態では、アルゴンと窒素との混合物による共スパッタリングは、Ｒｕの窒化物、および／または第１族の１つまたは複数の元素の窒化物、および／または第２族の１つまたは複数の元素の窒化物を形成する。他の実施例では、アルゴンと窒素との混合物による共スパッタリングは、Ｒｕまたは第１族の１つまたは複数の元素または第２族の１つまたは複数の元素の窒化物を形成しない。実施形態では、吸収体層の合金は、アルゴンガスと酸素ガスと窒素ガスとの混合物（Ａｒ＋Ｏ２＋Ｎ２）によって共スパッタリングされる。いくつかの実施形態では、アルゴンと酸素と窒素との混合物による共スパッタリングは、Ｒｕの酸化物および／または窒化物、ならびに／あるいは第１族の１つまたは複数の元素の酸化物および／または窒化物、ならびに／あるいは第２族の１つまたは複数の元素の酸化物および／または窒化物を形成する。他の実施例では、アルゴンと酸素と窒素との混合物による共スパッタリングは、Ｒｕまたは第１族の１つまたは複数の元素または第２族の１つまたは複数の元素の酸化物または窒化物を形成しない。
いくつかの実施形態では、アルゴンと酸素との混合物による共スパッタリングは、Ｒｕの酸化物、および／または第１族の１つまたは複数の元素の酸化物、および／またはタンタル（Ｔａ）の酸化物を形成する。他の実施例では、アルゴンと酸素との混合物による共スパッタリングは、Ｒｕまたは第１族の１つまたは複数の元素および／またはＴａの酸化物を形成しない。実施形態では、吸収体層の合金は、アルゴンガスと窒素ガスとの混合物（Ａｒ＋Ｎ２）によって共スパッタリングされる。いくつかの実施形態では、アルゴンと窒素との混合物による共スパッタリングは、Ｒｕの窒化物、および／または第１族の１つまたは複数の元素の窒化物、および／またはＴａの窒化物を形成する。他の実施例では、アルゴンと窒素との混合物による共スパッタリングは、Ｒｕまたは第１族の１つまたは複数の元素またはＴａの窒化物を形成しない。実施形態では、吸収体層の合金は、アルゴンガスと酸素ガスと窒素ガスとの混合物（Ａｒ＋Ｏ２＋Ｎ２）によって共スパッタリングされる。いくつかの実施形態では、アルゴンと酸素と窒素との混合物による共スパッタリングは、Ｒｕの酸化物および／または窒化物、ならびに／あるいは第１族の１つまたは複数の元素の酸化物および／または窒化物、ならびに／あるいはＴａの酸化物および／または窒化物を形成する。他の実施例では、アルゴンと酸素と窒素との混合物による共スパッタリングは、Ｒｕまたは第１族の１つまたは複数の元素またはＴａの酸化物または窒化物を形成しない。
実施形態では、吸収体層の合金は、アルゴンガスと酸素ガスとの混合物（Ａｒ＋Ｏ２）によって共スパッタリングされる。いくつかの実施形態では、アルゴンと酸素との混合物による共スパッタリングは、Ｒｕの酸化物、および／または第１族の１つまたは複数の元素の酸化物、および／または第２族の１つまたは複数の元素の酸化物、および／またはＴａの酸化物を形成する。他の実施例では、アルゴンと酸素との混合物による共スパッタリングは、Ｒｕまたは第１族の１つまたは複数の元素または第２族の１つまたは複数の元素またはＴａの酸化物を形成しない。実施形態では、吸収体層の合金は、アルゴンガスと窒素ガスとの混合物（Ａｒ＋Ｎ２）によって共スパッタリングされる。いくつかの実施形態では、アルゴンと窒素との混合物による共スパッタリングは、Ｒｕの窒化物、および／または第１族の１つまたは複数の元素の窒化物、および／または第２族の１つまたは複数の元素の窒化物、および／またはＴａの窒化物を形成する。他の実施例では、アルゴンと窒素との混合物による共スパッタリングは、Ｒｕまたは第１族の１つまたは複数の元素または第２族の１つまたは複数の元素またはＴａの窒化物を形成しない。実施形態では、吸収体層の合金は、アルゴンガスと酸素ガスと窒素ガスとの混合物（Ａｒ＋Ｏ２＋Ｎ２）によって共スパッタリングされる。いくつかの実施形態では、アルゴンと酸素と窒素との混合物による共スパッタリングは、Ｒｕの酸化物および／または窒化物、ならびに／あるいは第１族の１つまたは複数の元素の酸化物および／または窒化物、ならびに／あるいは第２族の１つまたは複数の元素の酸化物および／または窒化物、ならびに／あるいはＴａの酸化物および／または窒化物を形成する。他の実施例では、アルゴンと酸素と窒素との混合物による共スパッタリングは、Ｒｕまたは第１族の１つまたは複数の元素または第２族の１つまたは複数の元素またはＴａの酸化物または窒化物を形成しない。
いくつかの実施形態では、アルゴンと酸素との混合物による共スパッタリングは、テルル（Ｔｅ）の酸化物および／またはニッケル（Ｎｉ）の酸化物を形成する。他の実施例では、アルゴンと酸素との混合物による共スパッタリングは、テルル（Ｔｅ）またはニッケル（Ｎｉ）の酸化物を形成しない。実施形態では、吸収体層の合金は、アルゴンガスと窒素ガスとの混合物（Ａｒ＋Ｎ２）によって共スパッタリングされる。いくつかの実施形態では、アルゴンと窒素の混合物による共スパッタリングは、テルル（Ｔｅ）の窒化物および／またはニッケル（Ｎｉ）の窒化物を形成する。他の実施例では、アルゴンと窒素との混合物による共スパッタリングは、テルル（Ｔｅ）またはニッケル（Ｎｉ）の窒化物を形成しない。実施形態では、吸収体層の合金は、アルゴンガスと酸素ガスと窒素ガスとの混合物（Ａｒ＋Ｏ２＋Ｎ２）によって共スパッタリングされる。いくつかの実施形態では、アルゴンと酸素と窒素との混合物による共スパッタリングは、テルル（Ｔｅ）の酸化物および／または窒化物、ならびに／あるいはニッケル（Ｎｉ）の酸化物および／または窒化物を形成する。他の実施形態では、アルゴンと酸素と窒素との混合物による共スパッタリングは、テルル（Ｔｅ）またはニッケル（Ｎｉ）の酸化物または窒化物を形成しない。実施形態では、吸収体層のエッチング性質および／または他の性質は、上記で考察されたように、合金割合を制御することによって仕様に適合される。
いくつかの実施形態では、アルゴンと酸素の混合物による共スパッタリングは、テルル（Ｔｅ）の酸化物および／またはアルミニウム（Ａｌ）の酸化物を形成する。他の実施形態では、アルゴンと酸素との混合物による共スパッタリングは、テルル（Ｔｅ）またはアルミニウム（Ａｌ）の酸化物を形成しない。実施形態では、吸収体層の合金は、アルゴンガスと窒素ガスとの混合物（Ａｒ＋Ｎ２）によって共スパッタリングされる。いくつかの実施形態では、アルゴンと窒素との混合物による共スパッタリングは、テルル（Ｔｅ）の窒化物および／またはアルミニウム（Ａｌ）の窒化物を形成する。他の実施例では、アルゴンと窒素との混合物による共スパッタリングは、テルル（Ｔｅ）またはアルミニウム（Ａｌ）の窒化物を形成しない。実施形態では、吸収体層の合金は、アルゴンガスと酸素ガスと窒素ガスとの混合物（Ａｒ＋Ｏ２＋Ｎ２）によって共スパッタリングされる。いくつかの実施形態では、アルゴンと酸素と窒素との混合物による共スパッタリングは、テルル（Ｔｅ）の酸化物および／または窒化物、ならびに／あるいはアルミニウム（Ａｌ）の酸化物および／または窒化物を形成する。他の実施形態では、アルゴンと酸素と窒素との混合物による共スパッタリングは、テルル（Ｔｅ）またはアルミニウム（Ａｌ）の酸化物または窒化物を形成しない。いくつかの実施形態では、合金割合は、物理気相堆積チャンバの、電圧、気圧、流量など、動作パラメータによって正確に制御される。
１つまたは複数の実施形態では、本明細書で使用される「共スパッタリング」は、本明細書で説明される、２つの異なる材料を備える２つのターゲットあるいは３つまたはそれ以上の異なる材料を備える３つまたはそれ以上のターゲットが、２つのターゲットあるいは３つまたはそれ以上のターゲットからの材料の合金を備える吸収体層を堆積させ／形成するために、アルゴン（Ａｒ）、酸素（Ｏ２）、または窒素（Ｎ２）から選択された１つまたは複数のガスを使用して同時にスパッタリングされることを意味する。本明細書で使用される、共スパッタリングは、２つのターゲットあるいは３つまたはそれ以上のターゲットが、以下のグループからの材料の合金、すなわち、Ｒｕと第１族の１つまたは複数の元素との合金、Ｒｕと第１族の１つまたは複数の元素と第２族の１つまたは複数の元素との合金、Ｒｕと第１族の１つまたは複数の元素とＴａとの合金、Ｒｕと第１族の１つまたは複数の元素とＴａと第２族の１つまたは複数の元素との合金、ＴｅとＮｉとの合金、およびＴｅとＡｌとの合金を備える吸収体層を堆積させ／形成するために、アルゴン（Ａｒ）、酸素（Ｏ２）、または窒素（Ｎ２）から選択された１つまたは複数のガスを使用して同時にスパッタリングされることを意味する。
他の実施形態では、２つの異なる材料あるいは３つまたはそれ以上の異なる材料の合金は、アルゴン（Ａｒ）、酸素（Ｏ２）、または窒素（Ｎ２）のうちの１つまたは複数から選択されたガスを使用して、本明細書で説明される、２つの異なる材料の積層あるいは３つまたはそれ以上の材料の積層として層ごとに堆積される。本明細書で使用される、２つの異なる材料あるいは３つまたはそれ以上の異なる材料の合金は、以下のグループからの材料の合金、すなわち、Ｒｕと第１族の１つまたは複数の元素との合金、Ｒｕと第１族の１つまたは複数の元素と第２族の１つまたは複数の元素との合金、Ｒｕと第１族の１つまたは複数の元素とＴａとの合金、Ｒｕと第１族の１つまたは複数の元素とＴａと第２族の１つまたは複数の元素との合金、ＴｅとＮｉとの合金、およびＴｅとＡｌとの合金を備える。説明された、２つの異なる材料の積層あるいは３つまたはそれ以上の材料の積層として層ごとに堆積された２つの異なる材料あるいは３つまたはそれ以上の異なる材料のそのような合金は、第１の吸収体材料を備える第１のカソード、第２の吸収体材料を備える第２のカソード、およびいくつかの実施形態では、第３の吸収体材料を備える第３のカソード、第４の吸収体材料を備える第４のカソード、および第５の吸収体材料を備える第５のカソードを有する物理的堆積チャンバにおいて１つまたは複数の実施形態に従って作られ、ここにおいて、第１の吸収体材料、第２の吸収体材料、第３の吸収体材料、第４の吸収体材料および第５の吸収体材料は、互いに異なる。交互層は、異なる吸収体材料の交互層を形成するために、異なる時間において、第１のカソードおよび第２のカソード、ならびにいくつかの実施形態では、第３のカソード、第４のカソードおよび第５のカソードを交互にスパッタリングすることによって形成され得る。
他の実施形態では、２つの異なる材料あるいは３つまたはそれ以上の異なる材料の非合金が、アルゴン（Ａｒ）、酸素（Ｏ２）、または窒素（Ｎ２）のうちの１つまたは複数から選択されたガスを使用して、本明細書で説明される、２つの異なる材料の積層あるいは３つまたはそれ以上の材料の積層として層ごとに堆積される。本明細書で使用される、２つの異なる材料あるいは３つまたはそれ以上の異なる材料の非合金は、以下のグループ、すなわち、Ｒｕと第１族の１つまたは複数の元素、Ｒｕと第１族の１つまたは複数の元素と第２族の１つまたは複数の元素、Ｒｕと第１族の１つまたは複数の元素とＴａ、Ｒｕと第１族の１つまたは複数の元素とＴａと第２族の１つまたは複数の元素、ＴｅとＮｉ、およびＴｅとＡｌからの材料の非合金を備える。説明された、２つの異なる材料の積層あるいは３つまたはそれ以上の材料の積層として層ごとに堆積された２つの異なる材料あるいは３つまたはそれ以上の異なる材料のそのような非合金は、第１の吸収体材料を備える第１のカソード、第２の吸収体材料を備える第２のカソード、およびいくつかの実施形態では、第３の吸収体材料を備える第３のカソード、第４の吸収体材料を備える第４のカソード、および第５の吸収体材料を備える第５のカソードを有する物理的堆積チャンバにおいて１つまたは複数の実施形態に従って作られ、ここにおいて、第１の吸収体材料、第２の吸収体材料、第３の吸収体材料、第４の吸収体材料および第５の吸収体材料は、互いに異なる。交互層は、異なる吸収体材料の交互層を形成するために、異なる時間において、第１のカソードおよび第２のカソード、ならびにいくつかの実施形態では、第３のカソード、第４のカソードおよび第５のカソードを交互にスパッタリングすることによって形成され得る。
１つまたは複数の実施形態では、本明細書で説明される合金組成のバルクターゲットが作られ得、これは、アルゴン（Ａｒ）、酸素（Ｏ２）、または窒素（Ｎ２）のうちの１つまたは複数から選択されたガスを使用する通常のスパッタリングによってスパッタリングされる。１つまたは複数の実施形態では、合金は、吸収体層を形成するために、合金と同じ組成を有するバルクターゲットを使用して堆積され、アルゴン（Ａｒ）、酸素（Ｏ２）、または窒素（Ｎ２）のうちの１つまたは複数から選択されたガスを使用してスパッタリングされる。実施形態では、吸収体層の合金は、合金と同じ組成を有するバルクターゲットを使用して堆積され、アルゴンガスと酸素ガスとの混合物（Ａｒ＋Ｏ２）を使用してスパッタリングされる。
次に図５を参照すると、極端紫外線マスクブランク４００は、基板４１４、基板４１４上の反射層４１２の多層積層体を備えるものとして示されており、反射層４１２の多層積層体は、複数の反射層ペアを含む。１つまたは複数の実施形態では、複数の反射層ペアは、モリブデン（Ｍｏ）含有材料およびシリコン（Ｓｉ）含有材料から選択された材料から作られる。いくつかの実施形態では、複数の反射層ペアは、モリブデンとシリコンの交互層を備える。極端紫外線マスクブランク４００は、反射層４１２の多層積層体上のキャッピング層４２２をさらに含み、キャッピング層４２２上の吸収体層の多層積層体４２０がある。１つまたは複数の実施形態では、複数の反射層４１２は、モリブデン（Ｍｏ）含有材料およびシリコン（Ｓｉ）含有材料から選択され、キャッピング層４２２は、ルテニウムを備える。
吸収体層の多層積層体４２０は、複数の吸収体層ペア４２０ａ、４２０ｂ、４２０ｃ、４２０ｄ、４２０ｅ、４２０ｆを含み、各ペア（４２０ａ／４２０ｂ、４２０ｃ／４２０ｄ、４２０ｅ／４２０ｆ）は、ルテニウム（Ｒｕ）と、ニオブ（Ｎｂ）、イリジウム（Ｉｒ）、レニウム（Ｒｅ）、白金（Ｐｔ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、オスミウム（Ｏｓ）、マンガン（Ｍｎ）、銀（Ａｇ）、テクネチウム（Ｔｃ）、コバルト（Ｃｏ）およびニッケル（Ｎｉ）からなるグループから選択された第１族の１つまたは複数の元素との合金、Ｒｕと、第１族の１つまたは複数の元素と、シリコン（Ｓｉ）、ホウ素（Ｂ）、窒素（Ｎ）および酸素（Ｏ）からなるグループから選択された第２族の１つまたは複数の元素との合金、Ｒｕと第１族の１つまたは複数の元素とタンタル（Ｔａ）との合金、Ｒｕと第１族の１つまたは複数の元素と第２族の１つまたは複数の元素とＴａとの合金、テルル（Ｔｅ）とニッケル（Ｎｉ）との合金、およびテルル（Ｔｅ）とアルミニウム（Ａｌ）との合金からなるグループから選択された合金を備える。いくつかの実施形態では、Ｒｕと第１族の１つまたは複数の元素との合金は、約３１．８重量％から約８６．１重量％までのＲｕと、約１３．９重量％から約６８．２重量％までのＮｂとを有するＲｕとＮｂとの合金、約２．６重量％から約９０．９重量％までのＲｕと、約９．１重量％から約９７．４重量％までのＩｒとを有するＲｕとＩｒとの合金、約１８．８重量％から約７５．５重量％までのＲｕと、約２４．５重量％から約８１．２重量％までのＲｅとを有するＲｕとＲｅとの合金、約２．６重量％から約９０．８重量％までのＲｕと、約９．２重量％から約９７．４重量％までのＰｔとを有するＲｕとＰｔとの合金、約４７．５重量％から約９５．５重量％までのＲｕと、約４．５重量％から約５２．５重量％までのＺｒとを有するＲｕとＺｒとの合金、約２．７重量％から約９１．０重量％までのＲｕと、約９．０重量％から約９７．３重量％までのＯｓとを有するＲｕとＯｓとの合金、約４４．０重量％から約８８．１重量％までのＲｕと、約１１．９重量％から約５６．０重量％までのＭｎとを有するＲｕとＭｎとの合金、約４．７重量％から約９４．７重量％までのＲｕと、約５．３重量％から約９５．３重量％までのＡｇとを有するＲｕとＡｇとの合金、約５．１重量％から約９５．２重量％までのＲｕと、約４．８重量％から約９４．９重量％までのＴｃとを有するＲｕとＴｃとの合金、約８．２重量％から約９７．１重量％までのＲｕと、約２．９重量％から約９１．８重量％までのＣｏとを有するＲｕとＣｏとの合金、および約２３．３重量％から約９７．１重量％までのＲｕと、約２．９重量％から約７６．７重量％までのＮｉとを有するＲｕとＮｉとの合金からなるグループから選択される。１つまたは複数の実施形態では、Ｒｕと第１族の１つまたは複数の元素との合金は、アモルファスである。
１つの例では、吸収体層４２０ａは、ルテニウム（Ｒｕ）材料から作られ、吸収体層４２０ｂを形成する材料は、第１族の１つまたは複数の元素の材料から作られる。同じように、吸収体層４２０ｃは、ルテニウム材料から作られ、吸収体層４２０ｄを形成する材料は、第１族の１つまたは複数の元素の材料から作られ、吸収体層４２０ｅは、ルテニウム（Ｒｕ）材料から作られ、吸収体層４２０ｆを形成する材料は、第１族の１つまたは複数の元素のものである。
１つまたは複数の実施形態では、吸収体層の多層積層体４２０は、複数の吸収体層ペア４２０ａ、４２０ｂ、４２０ｃ、４２０ｄ、４２０ｅ、４２０ｆを含み、各ペア（４２０ａ／４２０ｂ、４２０ｃ／４２０ｄ、４２０ｅ／４２０ｆ）は、Ｒｕと第１族の１つまたは複数の元素とタンタル（Ｔａ）との合金を備える。いくつかの実施形態では、Ｒｕと第１族の１つまたは複数の元素とＴａとの合金は、約１８．１重量％から約８４．８重量％までのＲｕと、約６．６重量％から約７３．３重量％までのＮｂと、約８．６重量％から約７５．３重量％までのＴａとを有するＲｕとＮｂとＴａとの合金、約２．７重量％から約８８．６重量％までのＲｕと、約６．６重量％から約９２．５重量％までのＩｒと、約４．８重量％から約９０．７重量％までのＴａとを有するＲｕとＩｒとＴａとの合金、約２．７重量％から約８８．７重量％までのＲｕと、約６．４重量％から約９２．４重量％までのＲｅと、約４．９重量％から約９０．９重量％までのＴａとを有するＲｕとＲｅとＴａとの合金、約２．６重量％から約８８．７重量％までのＲｕと、約６．６重量％から約９２．７重量％までのＰｔと、約４．７重量％から約９０．８重量％までのＴａとを有するＲｕとＰｔとＴａとの合金、約２８．８重量％から約８８．２重量％までのＲｕと、約３．２重量％から約６２．６重量％までのＺｒと、約８．６重量％から約６８．０重量％までのＴａとを有するＲｕとＺｒとＴａとの合金、約２．７重量％から約８８．７重量％までのＲｕと、約６．５重量％から約９２．５重量％までのＯｓと、約４．８重量％から約９０．８重量％までのＴａとを有するＲｕとＯｓとＴａとの合金、約１９．５重量％から約８７．０重量％までのＲｕと、約４．０重量％から約７１．５重量％までのＭｎと、約９．０重量％から約７６．５重量％までのＴａとを有するＲｕとＭｎとＴａとの合金、約３．５重量％から約８８．１重量％までのＲｕと、約３．８重量％から約８８．４重量％までのＡｇと、約８．１重量％から約９２．７重量％までのＴａとを有するＲｕとＡｇとＴａとの合金、約３．６重量％から約８８．０重量％までのＲｕと、約３．４重量％から約８７．８重量％までのＴｃと、約８．６重量％から約９３．０重量％までのＴａとを有するＲｕとＴｃとＴａとの合金、約１９．３重量％から約８６．８重量％までのＲｕと、約４．３重量％から約７１．８重量％までのＣｏと、約８．９重量％から約７６．４重量％までのＴａとを有するＲｕとＣｏとＴａとの合金、および約３７．４重量％から約８９．２重量％までのＲｕと、約２．１重量％から約５３．９重量％までのＮｉと、約８．７重量％から約６０．５重量％までのＴａとを有するＲｕとＮｉとＴａとの合金からなるグループから選択される。１つまたは複数の実施形態では、Ｒｕと第１族の１つまたは複数の元素とＴａとの合金は、アモルファスである。
１つの例では、吸収体層４２０ａは、ルテニウム（Ｒｕ）材料から作られ、吸収体層４２０ｂを形成する材料は、第１族の１つまたは複数の元素の材料から作られる。同じように、吸収体層４２０ｃは、タンタル（Ｔａ）材料から作られ、吸収体層４２０ｄを形成する材料は、ルテニウム（Ｒｕ）材料から作られ、吸収体層４２０ｅは、第１族の１つまたは複数の元素の材料から作られ、吸収体層４２０ｆを形成する材料は、タンタル（Ｔａ）のものである。
１つまたは複数の実施形態では、吸収体層の多層積層体４２０は、複数の吸収体層ペア４２０ａ、４２０ｂ、４２０ｃ、４２０ｄ、４２０ｅ、４２０ｆを含み、各ペア（４２０ａ／４２０ｂ、４２０ｃ／４２０ｄ、４２０ｅ／４２０ｆ）は、Ｒｕと第１族の１つまたは複数の元素と第２族の１つまたは複数の元素との合金を備える。１つまたは複数の実施形態では、Ｒｕと第１族の１つまたは複数の元素と第２族の１つまたは複数の元素との合金は、アモルファスである。
１つの例では、吸収体層４２０ａは、ルテニウム（Ｒｕ）材料から作られ、吸収体層４２０ｂを形成する材料は、第１族の１つまたは複数の元素の材料から作られる。同じように、吸収体層４２０ｃは、第２族の１つまたは複数の元素の材料から作られ、吸収体層４２０ｄを形成する材料は、ルテニウム（Ｒｕ）材料から作られ、吸収体層４２０ｅは、第１族の１つまたは複数の元素の材料から作られ、吸収体層４２０ｆを形成する材料は、第２族の１つまたは複数の元素のものである。
１つまたは複数の実施形態では、吸収体層の多層積層体４２０は、複数の吸収体層ペア４２０ａ、４２０ｂ、４２０ｃ、４２０ｄ、４２０ｅ、４２０ｆを含み、各ペア（４２０ａ／４２０ｂ、４２０ｃ／４２０ｄ、４２０ｅ／４２０ｆ）は、Ｒｕと第１族の１つまたは複数の元素と第２族の１つまたは複数の元素とタンタル（Ｔａ）との合金を備える。１つまたは複数の実施形態では、Ｒｕと第１族の１つまたは複数の元素と第２族の１つまたは複数の元素とタンタル（Ｔａ）との合金は、アモルファスである。
１つの例では、吸収体層４２０ａは、ルテニウム（Ｒｕ）材料から作られ、吸収体層４２０ｂを形成する材料は、第１族の１つまたは複数の元素の材料から作られる。同じように、吸収体層４２０ｃは、第２族の１つまたは複数の元素の材料から作られ、吸収体層４２０ｄを形成する材料は、タンタル（Ｔａ）材料から作られ、吸収体層４２０ｅは、ルテニウム（Ｒｕ）材料から作られ、吸収体層４２０ｆを形成する材料は、第１族の１つまたは複数の元素のものである。
一実施形態では、極端紫外線マスクブランク４００は、モリブデン（Ｍｏ）含有材料およびシリコン（Ｓｉ）含有材料、たとえば、モリブデン（Ｍｏ）およびシリコン（Ｓｉ）から選択された複数の反射層４１２を含む。吸収体層４２０ａ、４２０ｂ、４２０ｃ、４２０ｄ、４２０ｅおよび４２０ｆを形成するために使用される吸収体材料は、ルテニウム（Ｒｕ）と第１族の１つまたは複数の元素との合金、Ｒｕと第１族の１つまたは複数の元素と第２族の１つまたは複数の元素との合金、Ｒｕと第１族の１つまたは複数の元素とタンタル（Ｔａ）との合金、Ｒｕと第１族の１つまたは複数の元素と第２族の１つまたは複数の元素とＴａとの合金、テルル（Ｔｅ）とニッケル（Ｎｉ）との合金、およびテルル（Ｔｅ）とアルミニウム（Ａｌ）との合金からなるグループから選択された合金である。
１つまたは複数の実施形態では、吸収体層ペア４２０ａ／４２０ｂ、４２０ｃ／４２０ｄ、４２０ｅ／４２０ｆは、ルテニウム（Ｒｕ）と第１族の１つまたは複数の元素との合金を備える吸収体材料を含む第１の層（４２０ａ、４２０ｃ、４２０ｅ）と、ルテニウム（Ｒｕ）と第１族の１つまたは複数の元素との合金を含む吸収体材料を含む第２の吸収体層（４２０ｂ、４２０ｄ、４２０ｆ）とを備える。特定の実施形態では、吸収体層ペアは、Ｒｕと第１族の１つまたは複数の元素との合金を含む第１の層（４２０ａ、４２０ｃ、４２０ｅ）であって、ここにおいて、Ｒｕと第１族の１つまたは複数の元素との合金が、約３１．８重量％から約８６．１重量％までのＲｕと、約１３．９重量％から約６８．２重量％までのＮｂとを有するＲｕとＮｂとの合金、約２．６重量％から約９０．９重量％までのＲｕと、約９．１重量％から約９７．４重量％までのＩｒとを有するＲｕとＩｒとの合金、約１８．８重量％から約７５．５重量％までのＲｕと、約２４．５重量％から約８１．２重量％までのＲｅとを有するＲｕとＲｅとの合金、約２．６重量％から約９０．８重量％までのＲｕと、約９．２重量％から約９７．４重量％までのＰｔとを有するＲｕとＰｔとの合金、約４７．５重量％から約９５．５重量％までのＲｕと、約４．５重量％から約５２．５重量％までのＺｒとを有するＲｕとＺｒとの合金、約２．７重量％から約９１．０重量％までのＲｕと、約９．０重量％から約９７．３重量％までのＯｓとを有するＲｕとＯｓとの合金、約４４．０重量％から約８８．１重量％までのＲｕと、約１１．９重量％から約５６．０重量％までのＭｎとを有するＲｕとＭｎとの合金、約４．７重量％から約９４．７重量％までのＲｕと、約５．３重量％から約９５．３重量％までのＡｇとを有するＲｕとＡｇとの合金、約５．１重量％から約９５．２重量％までのＲｕと、約４．８重量％から約９４．９重量％までのＴｃとを有するＲｕとＴｃとの合金、約８．２重量％から約９７．１重量％までのＲｕと、約２．９重量％から約９１．８重量％までのＣｏとを有するＲｕとＣｏとの合金、および約２３．３重量％から約９７．１重量％までのＲｕと、約２．９重量％から約７６．７重量％までのＮｉとを有するＲｕとＮｉとの合金からなるグループから選択された、第１の層（４２０ａ、４２０ｃ、４２０ｅ）と、Ｒｕと第１族の１つまたは複数の元素との合金を含む吸収体材料を含む第２の吸収体層（４２０ｂ、４２０ｄ、４２０ｆ）であって、ここにおいて、Ｒｕと第１族の１つまたは複数の元素との合金が、約３１．８重量％から約８６．１重量％までのＲｕと、約１３．９重量％から約６８．２重量％までのＮｂとを有するＲｕとＮｂとの合金、約２．６重量％から約９０．９重量％までのＲｕと、約９．１重量％から約９７．４重量％までのＩｒとを有するＲｕとＩｒとの合金、約１８．８重量％から約７５．５重量％までのＲｕと、約２４．５重量％から約８１．２重量％までのＲｅとを有するＲｕとＲｅとの合金、約２．６重量％から約９０．８重量％までのＲｕと、約９．２重量％から約９７．４重量％までのＰｔとを有するＲｕとＰｔとの合金、約４７．５重量％から約９５．５重量％までのＲｕと、約４．５重量％から約５２．５重量％までのＺｒとを有するＲｕとＺｒとの合金、約２．７重量％から約９１．０重量％までのＲｕと、約９．０重量％から約９７．３重量％までのＯｓとを有するＲｕとＯｓとの合金、約４４．０重量％から約８８．１重量％までのＲｕと、約１１．９重量％から約５６．０重量％までのＭｎとを有するＲｕとＭｎとの合金、約４．７重量％から約９４．７重量％までのＲｕと、約５．３重量％から約９５．３重量％までのＡｇとを有するＲｕとＡｇとの合金、約５．１重量％から約９５．２重量％までのＲｕと、約４．８重量％から約９４．９重量％までのＴｃとを有するＲｕとＴｃとの合金、約８．２重量％から約９７．１重量％までのＲｕと、約２．９重量％から約９１．８重量％までのＣｏとを有するＲｕとＣｏとの合金、および約２３．３重量％から約９７．１重量％までのＲｕと、約２．９重量％から約７６．７重量％までのＮｉとを有するＲｕとＮｉとの合金からなるグループから選択された、第２の吸収体層（４２０ｂ、４２０ｄ、４２０ｆ）とを備える。
１つまたは複数の実施形態によれば、吸収体層ペアは、第１の層（４２０ａ、４２０ｃ、４２０ｅ）と第２の吸収体層（４２０ｂ、４２０ｄ、４２０ｆ）とを備え、第１の吸収体層（４２０ａ、４２０ｃ、４２０ｅ）および第２の吸収体層（４２０ｂ、４２０ｄ、４２０ｆ）の各々は、０．１ｎｍと１０ｎｍの範囲内の、たとえば、１ｎｍと５ｎｍの範囲内の、または１ｎｍと３ｎｍの範囲内の厚さを有する。１つまたは複数の特定の実施形態では、第１の層４２０ａの厚さは、０．５ｎｍ、０．６ｎｍ、０．７ｎｍ、０．８ｎｍ、０．９ｎｍ、１ｎｍ、１．１ｎｍ、１．２ｎｍ、１．３ｎｍ、１．４ｎｍ、１．５ｎｍ、１．６ｎｍ、１．７ｎｍ、１．８ｎｍ、１．９ｎｍ、２ｎｍ、２．１ｎｍ、２．２ｎｍ、２．３ｎｍ、２．４ｎｍ、２．５ｎｍ、２．６ｎｍ、２．７ｎｍ、２．８ｎｍ、２．９ｎｍ、３ｎｍ、３．１ｎｍ、３．２ｎｍ、３．３ｎｍ、３．４ｎｍ、３．５ｎｍ、３．６ｎｍ、３．７ｎｍ、３．８ｎｍ、３．９ｎｍ、４ｎｍ、４．１ｎｍ、４．２ｎｍ、４．３ｎｍ、４．４ｎｍ、４．５ｎｍ、４．６ｎｍ、４．７ｎｍ、４．８ｎｍ、４．９ｎｍ、および５ｎｍである。１つまたは複数の実施形態では、各ペアの第１の吸収体層および第２の吸収体層の厚さは、同じであるか、または異なる。たとえば、第１の吸収体層および第２の吸収体層は、１：１、１．５：１、２：１、２．５：１、３：１、３．５：１、４：１、４．５：１、５：１、６：１、７：１、８：１、９：１、１０：１、１１：１、１２：１、１３：１、１４：１、１５：１、１６：１、１７：１、１８：１、１９：１、または２０：１の第１の吸収体層の厚さと第２の吸収体層の厚さとの比があるような厚さを有し、これは、各ペアにおいて、第２の吸収体層の厚さに等しいかまたはそれよりも大きい厚さを有する第１の吸収体層を生じる。代替的に、第１の吸収体層および第２の吸収体層は、１．５：１、２：１、２．５：１、３：１、３．５：１、４：１、４．５：１、５：１、６：１、７：１、８：１、９：１、１０：１、１１：１、１２：１、１３：１、１４：１、１５：１、１６：１、１７：１、１８：１、１９：１、または２０：１の第２の吸収体層の厚さと第１の吸収体層の厚さとの比があるような厚さを有し、これは、各ペアにおいて、第１の吸収体層の厚さに等しいかまたはそれよりも大きい厚さを有する第２の吸収体層を生じる。
１つまたは複数の実施形態によれば、吸収体層の異なる吸収体材料および厚さは、極端紫外線光が、吸光度により、および反射層の多層積層体からの光との破壊的な干渉によって引き起こされた位相変化により吸収されるように選択される。図５中に示されている実施形態は、３つの吸収体層ペア４２０ａ／４２０ｂ、４２０ｃ／４２０ｄおよび４２０ｅ／４２０ｆを示しているが、特許請求の範囲は、特定の数の吸収体層ペアに限定されるべきではない。１つまたは複数の実施形態によれば、ＥＵＶマスクブランク４００は、５～６０個の吸収体層ペアの範囲内で、または１０～４０個の吸収体層ペアの範囲内で含む。
１つまたは複数の実施形態によれば、吸収体層は、２％未満の反射率および他のエッチング性質を提供する厚さを有する。供給ガスが、吸収体層の材料特性をさらに変更するために使用され、たとえば、窒素（Ｎ２）ガスが、上記で提供された材料の窒化物を形成するために使用される。１つまたは複数の実施形態による吸収体層の多層積層体は、ＥＵＶ光が、吸光度により吸収されるだけではなく、多層吸収体積層体によって引き起こされた位相変化によっても吸収されるような、個々の厚さの異なる材料の繰返しパターンであり、これは、下方の反射性材料の多層積層体からの光と破壊的に干渉し、より良いコントラストを提供する。
本開示の別の態様は、基板上に反射層の多層積層体を形成することであって、多層積層体が、複数の反射層ペアを含む、反射層の多層積層体を形成することと、多層積層体上に吸収体層を形成することであって、吸収体層が、ルテニウム（Ｒｕ）と、ニオブ（Ｎｂ）、イリジウム（Ｉｒ）、レニウム（Ｒｅ）、白金（Ｐｔ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、オスミウム（Ｏｓ）、マンガン（Ｍｎ）、銀（Ａｇ）、テクネチウム（Ｔｃ）、コバルト（Ｃｏ）およびニッケル（Ｎｉ）からなるグループから選択された第１族の１つまたは複数の元素との合金、Ｒｕと、第１族の１つまたは複数の元素と、シリコン（Ｓｉ）、ホウ素（Ｂ）、窒素（Ｎ）および酸素（Ｏ）からなるグループから選択された第２族の１つまたは複数の元素との合金、Ｒｕと第１族の１つまたは複数の元素とタンタル（Ｔａ）との合金、Ｒｕと第１族の１つまたは複数の元素と第２族の１つまたは複数の元素とＴａとの合金、テルル（Ｔｅ）とニッケル（Ｎｉ）との合金、およびテルル（Ｔｅ）とアルミニウム（Ａｌ）との合金からなるグループから選択された合金を備える、吸収体層を形成することとを備える、極端紫外線（ＥＵＶ）マスクブランクを製作する方法に関係する。
ＥＵＶマスクブランクは、図４および図５に関して上記で説明された実施形態の特性のうちのいずれかを有し、方法は、図３に関して説明されたシステムにおいて実施される。
これにより、実施形態では、複数の反射層は、モリブデン（Ｍｏ）含有材料およびシリコン（Ｓｉ）含有材料から選択され、吸収体層は、ルテニウム（Ｒｕ）と第１族の１つまたは複数の元素との合金である。別の実施形態では、複数の反射層は、モリブデン（Ｍｏ）含有材料およびシリコン（Ｓｉ）含有材料から選択され、吸収体層は、ルテニウム（Ｒｕ）と第１族の１つまたは複数の元素と第２族の１つまたは複数の元素との合金である。さらなる実施形態では、複数の反射層は、モリブデン（Ｍｏ）含有材料およびシリコン（Ｓｉ）含有材料から選択され、吸収体層は、ルテニウム（Ｒｕ）と第１族の１つまたは複数の元素とタンタル（Ｔａ）との合金である。さらなる実施形態では、複数の反射層は、モリブデン（Ｍｏ）含有材料およびシリコン（Ｓｉ）含有材料から選択され、吸収体層は、ルテニウム（Ｒｕ）と第１族の１つまたは複数の元素と第２族の１つまたは複数の元素とタンタル（Ｔａ）との合金である。別の実施形態では、複数の反射層は、モリブデン（Ｍｏ）含有材料およびシリコン（Ｓｉ）含有材料から選択され、吸収体層は、テルル（Ｔｅ）とニッケル（Ｎｉ）との合金である。さらなる実施形態では、複数の反射層は、モリブデン（Ｍｏ）含有材料およびシリコン（Ｓｉ）含有材料から選択され、吸収体層は、テルル（Ｔｅ）とアルミニウム（Ａｌ）との合金である。
別の特定の方法実施形態では、異なる吸収体層は、第１の吸収体材料を備える第１のカソードと、第２の吸収体材料を備える第２のカソードとを有する物理的堆積チャンバにおいて形成される。次に図６を参照すると、実施形態によるマルチカソードソースチャンバ５００の上側部分が示されている。マルチカソードチャンバ５００は、上部アダプタ５０４によってキャッピングされた円筒形本体部分５０２をもつベース構造５０１を含む。上部アダプタ５０４は、上部アダプタ５０４の周りに置かれた、カソードソース５０６、５０８、５１０、５１２、および５１４など、いくつかのカソードソースのためのプロビジョンを有する。１つまたは複数の実施形態によるカソードソース５０６、５０８、５１０、５１２、および５１４は、吸収体材料の積層を形成するために、本明細書で説明される異なる吸収体材料を備える。
１つまたは複数の実施形態では、方法は、５ｎｍと６０ｎｍの範囲内の厚さを有する吸収体層を形成する。１つまたは複数の実施形態では、吸収体層は、５１ｎｍと５７ｎｍの範囲内の厚さを有する。１つまたは複数の実施形態では、吸収体層を形成するために使用される材料は、吸収体層のエッチング性質を生じさせるように選択される。１つまたは複数の実施形態では、吸収体層の合金は、物理的堆積チャンバにおいて形成された合金吸収体材料を共スパッタリングすることによって形成され、これは、はるかに薄い吸収体層の厚さ（３０ｎｍ未満）を提供し、２％未満の反射率および所望のエッチング性質を実現する。実施形態では、吸収体層のエッチング性質および他の所望の性質は、各吸収体材料の合金割合を制御することによって仕様に適合される。実施形態では、合金割合は、物理的気相堆積チャンバの、電圧、気圧、流量など、動作パラメータによって正確に制御される。実施形態では、プロセスガスが、材料性質をさらに変更するために使用され、たとえば、Ｎ２ガスが、ルテニウム（Ｒｕ）および第１族の１つまたは複数の元素の窒化物を形成するために使用される。別の実施形態では、プロセスガスが、材料性質をさらに変更するために使用され、たとえば、Ｎ２ガスが、ルテニウム（Ｒｕ）および第１族の１つまたは複数の元素および第２族の１つまたは複数の元素の窒化物を形成するために使用される。いくつかの実施形態では、プロセスガスが、材料性質をさらに変更するために使用され、たとえば、Ｎ２ガスが、ルテニウム（Ｒｕ）および第１族の１つまたは複数の元素およびタンタル（Ｔａ）の窒化物を形成するために使用される。さらなる実施形態では、プロセスガスが、材料性質をさらに変更するために使用され、たとえば、Ｎ２ガスが、ルテニウム（Ｒｕ）および第１族の１つまたは複数の元素および第２族の１つまたは複数の元素およびタンタルの窒化物を形成するために使用される。実施形態では、プロセスガスが、材料性質をさらに変更するために使用され、たとえば、Ｎ２ガスが、テルル（Ｔｅ）およびニッケル（Ｎｉ）の窒化物を形成するために使用される。さらなる実施形態では、プロセスガスが、材料性質をさらに変更するために使用され、たとえば、Ｎ２ガスが、テルル（Ｔｅ）およびアルミニウム（Ａｌ）の窒化物を形成するために使用される。合金吸収体材料は、ルテニウム（Ｒｕ）と、ニオブ（Ｎｂ）、イリジウム（Ｉｒ）、レニウム（Ｒｅ）、白金（Ｐｔ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、オスミウム（Ｏｓ）、マンガン（Ｍｎ）、銀（Ａｇ）、テクネチウム（Ｔｃ）、コバルト（Ｃｏ）およびニッケル（Ｎｉ）からなるグループから選択された第１族の１つまたは複数の元素との合金、Ｒｕと、第１族の１つまたは複数の元素と、シリコン（Ｓｉ）、ホウ素（Ｂ）、窒素（Ｎ）および酸素（Ｏ）からなるグループから選択された第２族の１つまたは複数の元素との合金、Ｒｕと第１族の１つまたは複数の元素とタンタル（Ｔａ）との合金、Ｒｕと第１族の１つまたは複数の元素と第２族の１つまたは複数の元素とＴａとの合金、テルル（Ｔｅ）とニッケル（Ｎｉ）との合金、およびテルル（Ｔｅ）とアルミニウム（Ａｌ）との合金からなるグループから選択された合金を備える。
いくつかの実施形態では、マルチカソードソースチャンバ５００は、図３中に示されているシステムの一部である。実施形態では、極端紫外線（ＥＵＶ）マスクブランク製造システムは、真空を作り出すための基板ハンドリング真空チャンバと、基板ハンドリング真空チャンバ中に運び込まれた基板を搬送するための、真空にある基板ハンドリングプラットフォームと、基板上の反射層の多層積層体を含むＥＵＶマスクブランクを形成するための、基板ハンドリングプラットフォームによってアクセスされる複数のサブチャンバであって、多層積層体が、複数の反射層ペアと、反射層の多層積層体上のキャッピング層と、キャッピング層上の吸収体層とを含み、吸収体層が、ルテニウム（Ｒｕ）と、ニオブ（Ｎｂ）、イリジウム（Ｉｒ）、レニウム（Ｒｅ）、白金（Ｐｔ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、オスミウム（Ｏｓ）、マンガン（Ｍｎ）、銀（Ａｇ）、テクネチウム（Ｔｃ）、コバルト（Ｃｏ）およびニッケル（Ｎｉ）からなるグループから選択された第１族の１つまたは複数の元素との合金、Ｒｕと、第１族の１つまたは複数の元素と、シリコン（Ｓｉ）、ホウ素（Ｂ）、窒素（Ｎ）および酸素（Ｏ）からなるグループから選択された第２族の１つまたは複数の元素との合金、Ｒｕと第１族の１つまたは複数の元素とタンタル（Ｔａ）との合金、Ｒｕと第１族の１つまたは複数の元素と第２族の１つまたは複数の元素とＴａとの合金、テルル（Ｔｅ）とニッケル（Ｎｉ）との合金、およびテルル（Ｔｅ）とアルミニウム（Ａｌ）との合金からなるグループから選択された合金から作られる、複数のサブチャンバとを備える。システムは、図４または図５に関して示され、上記の図４または図５に関して説明されたＥＵＶマスクブランクに関して説明された性質のうちのいずれかを有する、ＥＵＶマスクブランクを作るために使用される。
プロセスは、概して、プロセッサによって実行されたとき、プロセスチャンバが本開示のプロセスを実施することを引き起こすソフトウェアルーチンとして、メモリに記憶され得る。ソフトウェアルーチンは、プロセッサによって制御されているハードウェアから離れて配置された第２のプロセッサ（図示せず）によって記憶および／または実行されてもよい。本開示の方法の一部または全部は、ハードウェアで実施されてもよい。よって、プロセスは、ソフトウェアで実装され、コンピュータシステムを使用して実行されるか、たとえば、特定用途向け集積回路または他のタイプのハードウェア実装形態としてハードウェアで実装されるか、あるいはソフトウェアとハードウェアの組合せとして実装され得る。ソフトウェアルーチンは、プロセッサによって実行されたとき、プロセスが実施されるようにチャンバ動作を制御する専用コンピュータ（コントローラ）に汎用コンピュータを変換する。
「一実施形態」、「いくらかの実施形態」、「１つまたは複数の実施形態」または「実施形態」への本明細書全体を通しての言及は、実施形態に関して説明される特定の特徴、構造、材料、または特性が、本開示の少なくとも１つの実施形態に含まれ得ることを意味する。これにより、本明細書全体にわたる様々な場所での「１つまたは複数の実施形態では」、「いくらかの実施形態では」、「一実施形態では」または「実施形態では」などの句の出現は、本開示の同じ実施形態を必ずしも指しているとは限らない。その上、特定の特徴、構造、材料、または特性は、１つまたは複数の実施形態において任意の好適な様式で組み合わせられ得る。
本明細書の開示は、特定の実施形態を参照しながら説明されたが、これらの実施形態は、本開示の原理および用途の例示的なものにすぎないことを理解されたい。様々な変更形態および変形形態が、本開示の趣旨および範囲から逸脱することなく本開示の方法および装置に対して行われ得ることが当業者には明らかであろう。これにより、本開示は、添付の特許請求の範囲およびそれらの等価物の範囲内にある変更形態および変形形態を含むことが意図される。
Claims (20)
- 極端紫外線（ＥＵＶ）マスクブランクであって、
基板と、
前記基板上の反射層の多層積層体であって、反射層の前記多層積層体が、反射層ペアを含む複数の反射層を含む、反射層の多層積層体と、
反射層の前記多層積層体上の吸収体層であって、前記吸収体層が、ルテニウム（Ｒｕ）、ならびにニオブ（Ｎｂ）、イリジウム（Ｉｒ）、レニウム（Ｒｅ）、白金（Ｐｔ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、オスミウム（Ｏｓ）、マンガン（Ｍｎ）、銀（Ａｇ）、テクネチウム（Ｔｃ）、コバルト（Ｃｏ）およびニッケル（Ｎｉ）からなるグループから選択された第１族の１つまたは複数の元素からなる合金と、Ｒｕ、第１族の前記１つまたは複数の元素、ならびにシリコン（Ｓｉ）、ホウ素（Ｂ）、窒素（Ｎ）および酸素（Ｏ）からなるグループから選択された第２族の１つまたは複数の元素からなる合金と、Ｒｕ、第１族の前記１つまたは複数の元素、およびタンタル（Ｔａ）からなる合金と、Ｒｕ、第１族の前記１つまたは複数の元素、第２族の前記１つまたは複数の元素、およびＴａからなる合金と、テルル（Ｔｅ）およびニッケル（Ｎｉ）からなる合金と、テルル（Ｔｅ）およびアルミニウム（Ａｌ）からなる合金と、からなるグループから選択された合金を備える、吸収体層と
を備える、極端紫外線（ＥＵＶ）マスクブランク。 - Ｒｕと第１族の前記１つまたは複数の元素との前記合金が、約３１．８重量％から約８６．１重量％までのＲｕと、約１３．９重量％から約６８．２重量％までのＮｂとを有するＲｕとＮｂとの合金、約２．６重量％から約９０．９重量％までのＲｕと、約９．１重量％から約９７．４重量％までのＩｒとを有するＲｕとＩｒとの合金、約１８．８重量％から約７５．５重量％までのＲｕと、約２４．５重量％から約８１．２重量％までのＲｅとを有するＲｕとＲｅとの合金、約２．６重量％から約９０．８重量％までのＲｕと、約９．２重量％から約９７．４重量％までのＰｔとを有するＲｕとＰｔとの合金、約４７．５重量％から約９５．５重量％までのＲｕと、約４．５重量％から約５２．５重量％までのＺｒとを有するＲｕとＺｒとの合金、約２．７重量％から約９１．０重量％までのＲｕと、約９．０重量％から約９７．３重量％までのＯｓとを有するＲｕとＯｓとの合金、約４４．０重量％から約８８．１重量％までのＲｕと、約１１．９重量％から約５６．０重量％までのＭｎとを有するＲｕとＭｎとの合金、約４．７重量％から約９４．７重量％までのＲｕと、約５．３重量％から約９５．３重量％までのＡｇとを有するＲｕとＡｇとの合金、約５．１重量％から約９５．２重量％までのＲｕと、約４．８重量％から約９４．９重量％までのＴｃとを有するＲｕとＴｃとの合金、約８．２重量％から約９７．１重量％までのＲｕと、約２．９重量％から約９１．８重量％までのＣｏとを有するＲｕとＣｏとの合金、および約２３．３重量％から約９７．１重量％までのＲｕと、約２．９重量％から約７６．７重量％までのＮｉとを有するＲｕとＮｉとの合金からなるグループから選択される、請求項１に記載の極端紫外線（ＥＵＶ）マスクブランク。
- Ｒｕと第１族の前記１つまたは複数の元素とＴａとの前記合金が、約１８．１重量％から約８４．８重量％までのＲｕと、約６．６重量％から約７３．３重量％までのＮｂと、約８．６重量％から約７５．３重量％までのＴａとを有するＲｕとＮｂとＴａとの合金、約２．７重量％から約８８．６重量％までのＲｕと、約６．６重量％から約９２．５重量％までのＩｒと、約４．８重量％から約９０．７重量％までのＴａとを有するＲｕとＩｒとＴａとの合金、約２．７重量％から約８８．７重量％までのＲｕと、約６．４重量％から約９２．４重量％までのＲｅと、約４．９重量％から約９０．９重量％までのＴａとを有するＲｕとＲｅとＴａとの合金、約２．６重量％から約８８．７重量％までのＲｕと、約６．６重量％から約９２．７重量％までのＰｔと、約４．７重量％から約９０．８重量％までのＴａとを有するＲｕとＰｔとＴａとの合金、約２８．８重量％から約８８．２重量％までのＲｕと、約３．２重量％から約６２．６重量％までのＺｒと、約８．６重量％から約６８．０重量％までのＴａとを有するＲｕとＺｒとＴａとの合金、約２．７重量％から約８８．７重量％までのＲｕと、約６．５重量％から約９２．５重量％までのＯｓと、約４．８重量％から約９０．８重量％までのＴａとを有するＲｕとＯｓとＴａとの合金、約１９．５重量％から約８７．０重量％までのＲｕと、約４．０重量％から約７１．５重量％までのＭｎと、約９．０重量％から約７６．５重量％までのＴａとを有するＲｕとＭｎとＴａとの合金、約３．５重量％から約８８．１重量％までのＲｕと、約３．８重量％から約８８．４重量％までのＡｇと、約８．１重量％から約９２．７重量％までのＴａとを有するＲｕとＡｇとＴａとの合金、約３．６重量％から約８８．０重量％までのＲｕと、約３．４重量％から約８７．８重量％までのＴｃと、約８．６重量％から約９３．０重量％までのＴａとを有するＲｕとＴｃとＴａとの合金、約１９．３重量％から約８６．８重量％までのＲｕと、約４．３重量％から約７１．８重量％までのＣｏと、約８．９重量％から約７６．４重量％までのＴａとを有するＲｕとＣｏとＴａとの合金、および約３７．４重量％から約８９．２重量％までのＲｕと、約２．１重量％から約５３．９重量％までのＮｉと、約８．７重量％から約６０．５重量％までのＴａとを有するＲｕとＮｉとＴａとの合金からなるグループから選択される、請求項１に記載の極端紫外線（ＥＵＶ）マスクブランク。
- 前記合金が、第２族の前記１つまたは複数の元素からなるグループから選択された約０．１重量％～約５．０重量％のドーパントをさらに備える、請求項２に記載の極端紫外線（ＥＵＶ）マスクブランク。
- 前記合金が、第２族の前記１つまたは複数の元素からなるグループから選択された約０．１重量％～約５．０重量％のドーパントをさらに備える、請求項３に記載の極端紫外線（ＥＵＶ）マスクブランク。
- ＴｅとＮｉとの前記合金が、約１０．０重量％から約９７．７重量％までのＴｅ、および約２．３重量％から約９０．０重量％までのＮｉを含む、請求項１に記載の極端紫外線（ＥＵＶ）マスクブランク。
- ＴｅとＡｌとの前記合金が、約１９．９重量％から約９８．９重量％までのＴｅ、および約１．１重量％から約８０．１重量％までのＡｌを含む、請求項１に記載の極端紫外線（ＥＵＶ）マスクブランク。
- 前記吸収体層が、窒素または酸素のうちの１つまたは複数から選択された、約０．１重量％から約５．０重量％までのドーパントをさらに備える、請求項６に記載の極端紫外線（ＥＵＶ）マスクブランク。
- 前記吸収体層が、窒素または酸素のうちの１つまたは複数から選択された、約０．１重量％から約５．０重量％までのドーパントをさらに備える、請求項７に記載の極端紫外線（ＥＵＶ）マスクブランク。
- 前記吸収体層が、４５ｎｍ未満の厚さを有する、請求項１に記載の極端紫外線（ＥＵＶ）マスクブランク。
- 前記吸収体層が、約２％未満の反射率を有する、請求項１に記載の極端紫外線（ＥＵＶ）マスクブランク。
- 前記吸収体層が、キャッピング層に関してエッチング選択的である、請求項１に記載の極端紫外線（ＥＵＶ）マスクブランク。
- 極端紫外線（ＥＵＶ）マスクブランクを製作する方法であって、
基板上に反射層の多層積層体を形成することであって、反射層の前記多層積層体が、複数の反射層ペアを含む、反射層の多層積層体を形成することと、
反射層の前記多層積層体上に吸収体層を形成することであって、前記吸収体層が、ルテニウム（Ｒｕ）、ならびにニオブ（Ｎｂ）、イリジウム（Ｉｒ）、レニウム（Ｒｅ）、白金（Ｐｔ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、オスミウム（Ｏｓ）、マンガン（Ｍｎ）、銀（Ａｇ）、テクネチウム（Ｔｃ）、コバルト（Ｃｏ）およびニッケル（Ｎｉ）からなるグループから選択された第１族の１つまたは複数の元素からなる合金と、Ｒｕ、第１族の前記１つまたは複数の元素、ならびにシリコン（Ｓｉ）、ホウ素（Ｂ）、窒素（Ｎ）および酸素（Ｏ）からなるグループから選択された第２族の１つまたは複数の元素からなる合金と、Ｒｕ、第１族の前記１つまたは複数の元素、およびタンタル（Ｔａ）からなる合金と、Ｒｕ、第１族の前記１つまたは複数の元素、第２族の前記１つまたは複数の元素、およびＴａからなる合金と、テルル（Ｔｅ）およびニッケル（Ｎｉ）からなる合金と、テルル（Ｔｅ）およびアルミニウム（Ａｌ）からなる合金と、からなるグループから選択された合金を備える、吸収体層を形成することと
を備える、方法。 - Ｒｕと第１族の前記１つまたは複数の元素との前記合金が、約３１．８重量％から約８６．１重量％までのＲｕと、約１３．９重量％から約６８．２重量％までのＮｂとを有するＲｕとＮｂとの合金、約２．６重量％から約９０．９重量％までのＲｕと、約９．１重量％から約９７．４重量％までのＩｒとを有するＲｕとＩｒとの合金、約１８．８重量％から約７５．５重量％までのＲｕと、約２４．５重量％から約８１．２重量％までのＲｅとを有するＲｕとＲｅとの合金、約２．６重量％から約９０．８重量％までのＲｕと、約９．２重量％から約９７．４重量％までのＰｔとを有するＲｕとＰｔとの合金、約４７．５重量％から約９５．５重量％までのＲｕと、約４．５重量％から約５２．５重量％までのＺｒとを有するＲｕとＺｒとの合金、約２．７重量％から約９１．０重量％までのＲｕと、約９．０重量％から約９７．３重量％までのＯｓとを有するＲｕとＯｓとの合金、約４４．０重量％から約８８．１重量％までのＲｕと、約１１．９重量％から約５６．０重量％までのＭｎとを有するＲｕとＭｎとの合金、約４．７重量％から約９４．７重量％までのＲｕと、約５．３重量％から約９５．３重量％までのＡｇとを有するＲｕとＡｇとの合金、約５．１重量％から約９５．２重量％までのＲｕと、約４．８重量％から約９４．９重量％までのＴｃとを有するＲｕとＴｃとの合金、約８．２重量％から約９７．１重量％までのＲｕと、約２．９重量％から約９１．８重量％までのＣｏとを有するＲｕとＣｏとの合金、および約２３．３重量％から約９７．１重量％までのＲｕと、約２．９重量％から約７６．７重量％までのＮｉとを有するＲｕとＮｉとの合金からなるグループから選択される、請求項１３に記載の方法。
- Ｒｕと第１族の前記１つまたは複数の元素とＴａとの前記合金が、約１８．１重量％から約８４．８重量％までのＲｕと、約６．６重量％から約７３．３重量％までのＮｂと、約８．６重量％から約７５．３重量％までのＴａとを有するＲｕとＮｂとＴａとの合金、約２．７重量％から約８８．６重量％までのＲｕと、約６．６重量％から約９２．５重量％までのＩｒと、約４．８重量％から約９０．７重量％までのＴａとを有するＲｕとＩｒとＴａとの合金、約２．７重量％から約８８．７重量％までのＲｕと、約６．４重量％から約９２．４重量％までのＲｅと、約４．９重量％から約９０．９重量％までのＴａとを有するＲｕとＲｅとＴａとの合金、約２．６重量％から約８８．７重量％までのＲｕと、約６．６重量％から約９２．７重量％までのＰｔと、約４．７重量％から約９０．８重量％までのＴａとを有するＲｕとＰｔとＴａとの合金、約２８．８重量％から約８８．２重量％までのＲｕと、約３．２重量％から約６２．６重量％までのＺｒと、約８．６重量％から約６８．０重量％までのＴａとを有するＲｕとＺｒとＴａとの合金、約２．７重量％から約８８．７重量％までのＲｕと、約６．５重量％から約９２．５重量％までのＯｓと、約４．８重量％から約９０．８重量％までのＴａとを有するＲｕとＯｓとＴａとの合金、約１９．５重量％から約８７．０重量％までのＲｕと、約４．０重量％から約７１．５重量％までのＭｎと、約９．０重量％から約７６．５重量％までのＴａとを有するＲｕとＭｎとＴａとの合金、約３．５重量％から約８８．１重量％までのＲｕと、約３．８重量％から約８８．４重量％までのＡｇと、約８．１重量％から約９２．７重量％までのＴａとを有するＲｕとＡｇとＴａとの合金、約３．６重量％から約８８．０重量％までのＲｕと、約３．４重量％から約８７．８重量％までのＴｃと、約８．６重量％から約９３．０重量％までのＴａとを有するＲｕとＴｃとＴａとの合金、約１９．３重量％から約８６．８重量％までのＲｕと、約４．３重量％から約７１．８重量％までのＣｏと、約８．９重量％から約７６．４重量％までのＴａとを有するＲｕとＣｏとＴａとの合金、および約３７．４重量％から約８９．２重量％までのＲｕと、約２．１重量％から約５３．９重量％までのＮｉと、約８．７重量％から約６０．５重量％までのＴａとを有するＲｕとＮｉとＴａとの合金からなるグループから選択される、請求項１３に記載の方法。
- ＴｅとＮｉとの前記合金が、約１０．０重量％から約９７．７重量％までのＴｅ、および約２．３重量％から約９０．０重量％までのＮｉを含む、請求項１３に記載の方法。
- ＴｅとＡｌとの前記合金が、約１９．９重量％から約９８．９重量％までのＴｅ、および約１．１重量％から約８０．１重量％までのＡｌを含む、請求項１３に記載の方法。
- 前記合金が、前記吸収体層を形成するために、アルゴン（Ａｒ）、酸素（Ｏ２）、または窒素（Ｎ２）のうちの１つまたは複数から選択されたガスによって共スパッタリングされる、請求項１３に記載の方法。
- 前記合金が、前記吸収体層を形成するために、アルゴン（Ａｒ）、酸素（Ｏ２）、または窒素（Ｎ２）のうちの１つまたは複数から選択されたガスを使用して、積層として層ごとに堆積される、請求項１３に記載の方法。
- 前記合金が、前記吸収体層を形成するために、前記合金と同じである組成を有するバルクターゲットを使用して堆積され、アルゴン（Ａｒ）、酸素（Ｏ２）、または窒素（Ｎ２）のうちの１つまたは複数から選択されたガスを使用してスパッタリングされる、請求項１３に記載の方法。
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