TW202303259A - 極紫外光遮罩吸收材料 - Google Patents

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Abstract

揭示了極紫外光(EUV)遮罩坯件、其製造方法及其產生系統。EUV遮罩坯件包含吸收層，該吸收層包含選自由下列組成的群組的材料：釕(Ru)及第1組的一或多種元素，Ru及第1組的一或多種元素及第2組的一或多種元素，Ru及第1組的一或多種元素及鉭(Ta)，Ru及第1組的一或多種元素及Ta及第2組的一或多種元素，銻(Te)及鎳(Ni)，以及銻(Te)及鋁(Al)。

Description

極紫外光遮罩吸收材料
本揭示大體係關於極紫外光微影，並且更特定地係關於具有包含兩種或多種材料的吸收劑的極紫外光遮罩坯件及製造方法。
極紫外光(extreme ultraviolet; EUV)微影（亦稱為軟性x射線投影微影）用於製造0.0135微米及更小的最小特徵大小的半導體元件。然而，大體在5至100奈米的波長範圍中的極紫外光在幾乎所有材料中被強烈地吸收。出於此原因，極紫外光系統藉由反射而非藉由透射光來工作。經由使用一系列反射鏡、或透鏡元件、以及用非反射吸收遮罩圖案塗佈的反射元件、或遮罩坯件，將圖案化的光化光反射到抗蝕劑塗佈的半導體基板上。
極紫外光微影系統的透鏡元件及遮罩坯件用諸如鉬及矽的材料的反射多層塗層塗佈。藉由使用用多層塗層塗佈的基板，已經獲得了每個透鏡元件、或遮罩坯件的大約65%的反射值，該等多層塗層強烈地反射極窄紫外光帶通內的光，例如，對於13.5奈米紫外光為12.5至14.5奈米帶通。
第1圖圖示了由EUV遮罩坯件形成的習知EUV反射遮罩10，該EUV遮罩坯件包括基板14上的反射多層堆疊12，該反射性多層堆疊藉由布拉格干擾反射未遮蔽的部分處的EUV輻射。習知EUV反射遮罩10的經遮蔽（非反射）區域16藉由蝕刻緩衝層18及吸收層20來形成。吸收層通常具有在51 nm至77 nm的範圍中的厚度。覆蓋層22在反射多層堆疊12上方形成並且在蝕刻製程期間保護反射多層堆疊12。如將在下文進一步論述，EUV遮罩坯件由用多層、覆蓋層及吸收層塗佈的低熱膨脹材料基板製成，該等層隨後經蝕刻以提供經遮蔽（非反射）區域16及反射區域24。
半導體國際技術路線圖（International  Technology  Roadmap  for  Semiconductor; ITRS）將節點的覆蓋要求規定為技術的最小半間距特徵大小的某一百分比。歸因於在所有反射微影系統中固有的對影像安置及覆蓋誤差的影響，EUV反射遮罩將需要遵守用於未來生產的更精確的平面度規格。此外，EUV坯件對坯件的工作區域上的缺陷具有非常低的容限。需要提供具有較薄吸收層以減輕3D效應並且改進成像效能的EUV遮罩坯件。
本揭示的一或多個實施例涉及一種極紫外光(EUV)遮罩坯件，包含基板；在基板上的反射層的多層堆疊，反射層的多層堆疊包括複數個反射層對；以及包含選自下列的合金的在反射層的多層堆疊上的吸收層：釕(Ru)及選自由鈮(Nb)、銥(Ir)、錸(Re)、鉑(Pt)、鋯(Zr)、鋨(Os)、錳(Mn)、銀(Ag)、鎝(Tc)、鈷(Co)及鎳(Ni)組成的群組的第1組的一或多種元素的合金，Ru及第1組的一或多種元素及選自由矽(Si)、硼(B)、氮及氧(O)組成的群組的第2組的一或多種元素的合金，Ru及第1組的一或多種元素及鉭(Ta)的合金，Ru及第1組的一或多種元素及第2組的一或多種元素及Ta的合金，銻(Te)及鎳(Ni)的合金，以及銻(Te)及鋁(Al)的合金。
額外實施例涉及一種製造極紫外光(EUV)遮罩坯件的方法，包含在基板上形成基板上的反射層的多層堆疊，多層堆疊包括複數個反射層對；以及在反射層的多層堆疊上形成吸收層，吸收層包含選自下列的合金：釕(Ru)及選自由鈮(Nb)、銥(Ir)、錸(Re)、鉑(Pt)、鋯(Zr)、鋨(Os)、錳(Mn)、銀(Ag)、鎝(Tc)、鈷(Co)及鎳(Ni)組成的群組的第1組的一或多種元素的合金，Ru及第1組的一或多種元素及選自由矽(Si)、硼(B)、氮及氧(O)組成的群組的第2組的一或多種元素的合金，Ru及第1組的一或多種元素及鉭(Ta)的合金，Ru及第1組的一或多種元素及Ta及第2組的一或多種元素的合金，銻(Te)及鎳(Ni)的合金，以及銻(Te)及鋁(Al)的合金。
本揭示的另外實施例涉及一種極紫外光(EUV)遮罩坯件，包含基板；在基板上的多層堆疊，多層堆疊包括複數個反射層對，包括鉬(Mo)及矽(Si)的反射層對；以及在多層堆疊上的吸收層，包含選自下列的合金：釕(Ru)及選自由鈮(Nb)、銥(Ir)、錸(Re)、鉑(Pt)、鋯(Zr)、鋨(Os)、錳(Mn)、銀(Ag)、鎝(Tc)、鈷(Co)及鎳(Ni)組成的群組的第1組的一或多種元素的合金，Ru及第1組的一或多種元素及選自由矽(Si)、硼(B)、氮及氧(O)組成的群組的第2組的一或多種元素的合金，Ru及第1組的一或多種元素及鉭(Ta)的合金，Ru及第1組的一或多種元素及第2組的一或多種元素及Ta的合金，銻(Te)及鎳(Ni)的合金，以及銻(Te)及鋁(Al)的合金。
本揭示的額外實施例涉及極紫外光(EUV)遮罩坯件，該等EUV遮罩坯件包含吸收層，該吸收層包含選自由下列組成的群組的材料：釕(Ru)及第1組的一或多種元素，Ru及第1組的一或多種元素及第2組的一或多種元素，Ru及第1組的一或多種元素及鉭(Ta)，Ru及第1組的一或多種元素及Ta及第2組的一或多種元素，銻(Te)及鎳(Ni)，以及銻(Te)及鋁(Al)。
在描述本揭示的若干示例性實施例之前，將理解，本揭示不限於在以下描述中闡述的構造或製程步驟的細節。本揭示能夠具有其他實施例並且以各種方式實踐或進行。
如本文使用的術語「水平」定義為平行於遮罩坯件的平面或表面的平面，而與其定向無關。術語「垂直」指垂直於剛剛定義的水平的方向。如圖所示，術語諸如「之上」、「之下」、「底部」、「頂部」、「側面」（如在「側壁」中）、「較高」、「下部」、「上部」、「上方」、及「下方」關於水平面定義。
術語「在…上」指示在元件之間存在直接接觸。術語「直接在…上」指示在元件之間存在直接接觸而沒有中間元件。
如在本說明書及隨附申請專利範圍中使用，術語「前驅物」、「反應物」、「反應性氣體」及類似者可互換使用以指與基板表面反應的任何氣體物種。
本領域中的技術人員將理解，使用序數諸如「第一」及「第二」來描述處理區域不暗指處理腔室內的具體位置、或在處理腔室內的暴露次序。
如在本說明書及隨附申請專利範圍中使用，術語「基板」指表面、或表面的一部分，其上製程起作用。如亦將由熟習此項技術者所理解，除非上下文另外明確地指出，提及基板亦可以指基板的僅一部分。此外，提及在基板上沉積意味著裸基板及其上沉積或形成有一或多個膜或特徵的基板。
根據一或多個實施例，關於膜塗層或層的術語「在…上」包括直接在表面（例如，基板表面）上的層，以及在層與表面（例如，基板表面）之間存在一或多個底層。因此，在一或多個實施例中，片語「在基板表面上」意欲包括一或多個底層。在其他實施例中，片語「直接在…上」指與表面（例如，基板表面）接觸而無中介層的層或膜。因此，片語「直接在基板表面上的層」指與基板表面直接接觸而其間沒有層的層。
如在此說明書及隨附申請專利範圍中使用，術語「第1組的一或多種元素」或「第1組元素」指選自由鈮(Nb)、銥(Ir)、錸(Re)、鉑(Pt)、鋯(Zr)、鋨(Os)、錳(Mn)、銀(Ag)、鎝(Tc)、鈷(Co)及鎳(Ni)組成的群組的一或多種元素。
如在此說明書及隨附申請專利範圍中使用，術語「第2組的一或多種元素」或「第2組元素」指選自由矽(Si)、硼(B)、氮(N)及氧(O)組成的群組的一或多種元素。
現參見第2圖，圖示了極紫外光微影系統100的示例性實施例。極紫外光微影系統100包括用於產生極紫外光112的極紫外光源102、反射元件的集合、及目標晶圓110。反射元件包括聚光器104、EUV反射遮罩106、光學縮小組件108、遮罩坯件、反射鏡、或其組合。
極紫外光源102產生極紫外光112。極紫外光112係具有在5至50奈米(nm)的範圍中的波長的電磁輻射。例如，極紫外光源102包括雷射、雷射產生電漿、放電產生電漿、自由電子雷射、同步輻射、或其組合。
極紫外光源102產生具有各種特性的極紫外光112。極紫外光源102在一波長範圍上產生寬頻極紫外光輻射。例如，極紫外光源102產生具有從5至50 nm範圍變化的波長的極紫外光112。
在一或多個實施例中，極紫外光源102產生具有窄頻寬的極紫外光112。例如，極紫外光源102產生在13.5 nm下的極紫外光112。波長峰的中心係13.5 nm。
聚光器104係用於反射及聚焦極紫外光112的光學單元。聚光器104反射及集中來自極紫外光源102的極紫外光112以照明EUV反射遮罩106。
儘管將聚光器104圖示為單個元件，將理解，在一些實施例中，聚光器104包括用於反射及集中極紫外光112的一或多個反射元件，諸如凹面鏡、凸面鏡、平面鏡、或其組合。例如，在所圖示的實施例中，聚光器104係單個凹面鏡或具有凸起、凹入、及平坦光學元件的光學組件。
EUV反射遮罩106係具有遮罩圖案114的極紫外光反射元件。EUV反射遮罩106產生微影圖案以形成將在目標晶圓110上形成的電路系統佈局。EUV反射遮罩106反射極紫外光112。遮罩圖案114定義電路系統佈局的一部分。
光學縮小組件108係用於縮小遮罩圖案114的影像的光學單元。來自EUV反射遮罩106的極紫外光112的反射藉由光學縮小組件108縮小並且反射到目標晶圓110上。一些實施例的光學縮小組件108包括反射鏡及其他光學元件以縮小遮罩圖案114的影像的大小。例如，在一些實施例中，光學縮小組件108包括用於反射及聚焦極紫外光112的凹面鏡。
光學縮小組件108縮小在目標晶圓110上的遮罩圖案114的影像的大小。例如，遮罩圖案114藉由目標晶圓110上的光學縮小組件108以4:1的比率成像，用於形成藉由目標晶圓110上的遮罩圖案114表示的電路系統。極紫外光112同步地掃描EUV反射遮罩106與目標晶圓110以在目標晶圓110上形成遮罩圖案114。
現參見第3圖，圖示了極紫外光反射元件產生系統200的實施例。極紫外光反射元件包括EUV遮罩坯件204、極紫外光反射鏡205、或其他反射元件，諸如EUV反射遮罩106。
極紫外光反射元件生產系統200產生遮罩坯件、反射鏡、或反射第2圖的極紫外光112的其他元件。極紫外光反射元件生產系統200藉由將薄塗層應用於源基板203來製造反射元件。
EUV遮罩坯件204係用於形成第2圖的EUV反射遮罩106的多層結構。EUV遮罩坯件204使用半導體製造技術形成。EUV反射遮罩106具有藉由蝕刻及其他製程在EUV遮罩坯件204上形成的第2圖的遮罩圖案114。
極紫外光反射鏡205係在極紫外光的範圍中反射的多層結構。極紫外光反射鏡205使用半導體製造技術形成。EUV遮罩坯件204及極紫外光反射鏡205在一些實施例中係關於在每個元件上形成的層類似的結構，然而，極紫外光反射鏡205不具有遮罩圖案114。
反射元件係極紫外光112的有效反射器。在一實施例中，EUV遮罩坯件204及極紫外光反射鏡205具有大於60%的極紫外光反射率。若反射元件反射多於60%的極紫外光112，則該等反射元件係有效的。
極紫外光反射元件生產系統200包括將源基板204載入其中並且從其卸載反射元件的晶圓裝載及載具搬運系統202。大氣搬運系統206提供到晶圓搬運真空腔室208的入口。晶圓裝載及載具搬運系統202包括基板運輸盒、裝載閘、及用於將基板從大氣傳遞到系統內部的真空的其他部件。因為EUV遮罩坯件204用於以非常小的尺度形成裝置，源基板203及EUV遮罩坯件204在真空系統中處理以防止污染及其他缺陷。
晶圓搬運真空腔室208含有兩個真空腔室，第一真空腔室210及第二真空腔室212。第一真空腔室210包括第一晶圓搬運系統214，並且第二真空腔室212包括第二晶圓搬運系統216。儘管將晶圓搬運真空腔室208描述為具有兩個真空腔室，將理解系統可以具有任何數量的真空腔室。
晶圓搬運真空腔室208在其周邊周圍具有複數個埠，用於附接各種其他系統。第一真空腔室210具有除氣系統218、第一物理氣相沉積系統220、第二物理氣相沉積系統222、及預清潔系統224。除氣系統218係用於從基板熱解吸水分。預清潔系統224係用於清潔晶圓、遮罩坯件、反射鏡、或其他光學部件的表面。
物理氣相沉積系統（諸如第一物理氣相沉積系統220及第二物理氣相沉積系統222）在一些實施例中用於在源基板203上形成導電材料的薄膜。例如，一些實施例的物理氣相沉積系統包括真空沉積系統，諸如磁控濺射系統、離子濺射系統、脈衝雷射沉積、陰極電弧沉積、或其組合。物理氣相沉積系統（諸如磁控濺射系統）在源基板203上形成薄層，包括矽、金屬、合金、化合物、或其組合的層。
物理氣相沉積系統形成反射層、覆蓋層、及吸收層。例如，物理氣相沉積系統經構造為形成矽、鉬、氧化鈦、二氧化鈦、氧化釕、氧化鈮、釕鎢、釕鉬、釕鈮、鉻、鉭、氮化物、化合物、或其組合的層。儘管將一些化合物描述為氧化物，將理解化合物包括氧化物、二氧化物、具有氧原子的原子混合物、或其組合。
第二真空腔室212具有與其連接的第一多陰極源226、化學氣相沉積系統228、固化腔室230、及超光滑沉積腔室232。例如，一些實施例的化學氣相沉積系統228包括可流動化學氣相沉積系統(flowable chemical vapor deposition; FCVD)、電漿輔助的化學氣相沉積系統(chemical vapor deposition system; CVD)、氣溶膠輔助的CVD、熱絲CVD系統、或類似系統。在另一實例中，化學氣相沉積系統228、固化腔室230、及超光滑沉積腔室232係在與極紫外光反射元件生產系統200分離的系統中。
化學氣相沉積系統228在源基板203上形成材料的薄膜。例如，化學氣相沉積系統228用於在源基板203上形成材料層，包括單晶層、多晶層、非晶層、磊晶層、或其組合。化學氣相沉積系統228形成矽、氧化矽、碳氧化矽、碳、鎢、碳化矽、氮化矽、氮化鈦、金屬、合金、及適用於化學氣相沉積的其他材料的層。例如，化學氣相沉積系統形成平坦化層。
第一晶圓搬運系統214能夠在連續真空中在大氣搬運系統206與第一真空腔室210的周邊周圍的各個系統之間移動源基板203。第二晶圓搬運系統216能夠在第二真空腔室212周圍移動源基板203，同時將源基板203維持在連續真空中。極紫外光反射元件生產系統200在連續真空中在第一晶圓搬運系統214、第二晶圓搬運系統216之間傳遞源基板203及EUV遮罩坯件204。
現參見第4圖，圖示了極紫外光反射元件302的實施例。在一或多個實施例中，極紫外光反射元件302係第3圖的EUV遮罩坯件204或第3圖的極紫外光反射鏡205。EUV遮罩坯件204及極紫外光反射鏡205係用於反射第2圖的極紫外光112的結構。EUV遮罩坯件204用於形成第2圖所示的EUV反射遮罩106。
極紫外光反射元件302包括基板304、反射層的多層堆疊306、及覆蓋層308。在一或多個實施例中，極紫外光反射鏡205用於形成在第2圖的聚光器104或第2圖的光學縮小組件108中使用的反射結構。
極紫外光反射元件302（在一些實施例中係EUV遮罩坯件204）包括基板304、反射層的多層堆疊306、覆蓋層308、及吸收層310。在一些實施例中，極紫外光反射元件302係EUV遮罩坯件204，該EUV遮罩坯件用於藉由用所需的電路系統佈局圖案化吸收層310來形成第2圖的EUV反射遮罩106。
在以下部分中，為了簡便，EUV遮罩坯件204的術語與極紫外光反射鏡205的術語可互換使用。在一或多個實施例中，EUV遮罩坯件204包括極紫外光反射鏡205的部件，其中另外添加吸收層310以形成第2圖的遮罩圖案114。
EUV遮罩坯件204係用於形成具有遮罩圖案114的EUV反射遮罩106的光學平坦結構。在一或多個實施例中，EUV遮罩坯件204的反射表面形成用於反射入射光（諸如第2圖的極紫外光112）的平坦焦平面。
基板304係用於向極紫外光反射元件302提供結構支撐的元件。在一或多個實施例中，基板304由具有低熱膨脹係數(low coefficient of thermal expansion; CTE)的材料製成以在溫度改變期間提供穩定性。在一或多個實施例中，基板304具有性質，諸如對抗機械循環、熱循環、晶體形成、或其組合的穩定性。根據一或多個實施例的基板304由諸如矽、玻璃、氧化物、陶瓷、玻璃陶瓷、或其組合的材料形成。
多層堆疊306係反射極紫外光112的結構。多層堆疊306包括第一反射層312及第二反射層314的交替反射層。
第一反射層312及第二反射層314形成第4圖的反射對316。在非限制性實施例中，多層堆疊306包括範圍20至60個反射對316，總共多達120個反射層。
第一反射層312及第二反射層314由各種材料形成。在一實施例中，第一反射層312及第二反射層314分別由矽及鉬形成。儘管將多個層圖示為矽及鉬，應理解，在一些實施例中交替層由其他材料形成或具有其他內部結構。
第一反射層312及第二反射層314可以具有各種結構。在一實施例中，第一反射層312及第二反射層314兩者形成為具有單個層、多個層、分開的層結構、非均勻結構、或其組合。
因為大部分材料吸收在極紫外光波長下的光，所使用的光學元件係反射性的而非在其他微影系統中使用般透射性的。多層堆疊306藉由具有材料的交替薄層而形成反射結構，該等材料具有不同光學性質以產生布拉格反射器或反射鏡。
在一實施例中，對於極紫外光112，交替層的每一者具有不同的光學常數。當交替層的厚度的週期係極紫外光112的波長的一半時，交替層提供諧振反射率。在一實施例中，對於波長為13 nm的極紫外光112，交替層係約6.5 nm厚。將理解，所提供的大小及尺寸係在常見元件的正常工程化容差內。
多層堆疊306以各種方式形成。在一實施例中，第一反射層312及第二反射層314利用磁控濺射、離子濺射系統、脈衝雷射沉積、陰極電弧沉積、或其組合形成。
在一說明性實施例中，多層堆疊306使用物理氣相沉積技術（諸如磁控濺射）形成。在一實施例中，多層堆疊306的第一反射層312及第二反射層314具有藉由磁控濺射技術形成的特性，包括精確厚度、低粗糙度、及多層之間的清潔界面。在一實施例中，多層堆疊306的第一反射層312及第二反射層314具有藉由物理氣相沉積形成的特性，包括精確厚度、低粗糙度、及多層之間的清潔界面。
精確地控制使用物理氣相沉積技術形成的多層堆疊306的多層的實體尺寸以增加反射率。在一實施例中，第一反射層312（諸如矽層）具有4.1 nm的厚度。第二反射層314（諸如鉬層）具有2.8 nm的厚度。層的厚度指示極紫外光反射元件的峰反射率波長。若層的厚度不正確，則減小在期望波長13.5 nm下的反射率。
在一實施例中，多層堆疊306具有大於60%的反射率。在一實施例中，使用物理氣相沉積形成的多層堆疊306具有在66%至67%的範圍中的反射率。在一或多個實施例中，在利用較硬材料形成的多層堆疊306上方形成覆蓋層308改進了反射率。在一些實施例中，大於70%的反射率使用低粗糙度層、層之間的清潔界面、改進的層材料、或其組合實現。
在一或多個實施例中，覆蓋層308係保護層，從而允許透射極紫外光112。在一實施例中，覆蓋層308直接在多層堆疊306上形成。在一或多個實施例中，覆蓋層308保護多層堆疊306不受污染物及機械損壞的影響。在一個實施例中，多層堆疊306對藉由氧、碳、烴、或其組合的污染敏感。根據一實施例的覆蓋層308與污染物相互作用以中和該等污染物。
在一或多個實施例中，覆蓋層308係對極紫外光112透明的光學均勻結構。極紫外光112穿過覆蓋層308以反射離開多層堆疊306。在一或多個實施例中，覆蓋層308具有1%至2%的總反射率損失。在一或多個實施例中，不同材料的每一者具有取決於厚度的不同反射率損失，但所有其等將在1%至2%的範圍中。
在一或多個實施例中，覆蓋層308具有光滑表面。例如，在一些實施例中，覆蓋層308的表面具有小於0.2 nm RMS（均方根量測）的粗糙度。在另一實例中，對於1/100 nm與1/1 μm的範圍中的長度，覆蓋層308的表面具有0.08 nm RMS的粗糙度。RMS粗糙度將取決於其量測的範圍而變化。對於100 nm至1微米的具體範圍，粗糙度係0.08 nm或更小。在較大範圍中，粗糙度將係更高的。
覆蓋層308以各種方法形成。在一實施例中，覆蓋層308利用磁控濺射、離子濺射系統、離子束沉積、電子束蒸發、射頻(radio frequency; RF)濺射、原子層沉積(atomic layer deposition; ALD)、脈衝雷射沉積、陰極電弧沉積、或其組合在或直接在多層堆疊306上形成。在一或多個實施例中，覆蓋層308具有藉由磁控濺射技術形成的物理特性，包括精確厚度、低粗糙度、及多層之間的清潔界面。在一實施例中，覆蓋層308具有藉由物理氣相沉積形成的物理特性，包括精確厚度、低粗糙度、及多層之間的清潔界面。
在一或多個實施例中，覆蓋層308由具有在清潔期間足以抵抗腐蝕的硬度的各種材料形成。在一個實施例中，釕用作覆蓋層材料，因為其係良好蝕刻終止件並且在操作條件下係相對惰性的。然而，將理解，在一些實施例中，其他材料用於形成覆蓋層308。在具體實施例中，覆蓋層308具有在2.5與5.0 nm的範圍中的厚度。
在一或多個實施例中，吸收層310係吸收極紫外光112的層。在一實施例中，吸收層310用於藉由提供不反射極紫外光112的區域來在EUV反射遮罩106上形成圖案。根據一或多個實施例，吸收層310包含對特定頻率的極紫外光112（諸如約13.5 nm）具有高吸收係數的材料。在一實施例中，吸收層310直接在覆蓋層308上形成，並且吸收層310使用光微影製程蝕刻以形成EUV反射遮罩106的圖案。
根據一或多個實施例，極紫外光反射元件302（諸如極紫外光反射鏡205）形成為具有基板304、多層堆疊306、及覆蓋層308。極紫外光反射鏡205具有光學平坦表面並高效且均勻地反射極紫外光112。
根據一或多個實施例，極紫外光反射元件302（諸如EUV遮罩坯件204）形成為具有基板304、多層堆疊306、覆蓋層308、及吸收層310。遮罩坯件204具有光學平坦表面並高效且均勻地反射極紫外光112。在一實施例中，遮罩圖案114形成為具有EUV遮罩坯件204的吸收層310。
根據一或多個實施例，在覆蓋層308上方形成吸收層310增加EUV反射遮罩106的可靠性。覆蓋層308用作吸收層310的蝕刻終止層。當將第2圖的遮罩圖案114蝕刻到吸收層310中時，在吸收層310之下的覆蓋層308終止蝕刻動作以保護多層堆疊306。在一或多個實施例中，吸收層310係對覆蓋層308具有選擇性的蝕刻。在一些實施例中，覆蓋層308包含釕，並且吸收層310係對釕具有蝕刻選擇性。
在一或多個實施例中，吸收層310包含釕(Ru)及至少一或多種元素的合金。在一或多個實施例中，Ru及至少一或多種元素的合金具有小於0.92的「n」值，此提供範圍從約180度至約220度的相移。小於約0.92的「n」值改進了歸一化影像對數斜率(normalized image log slope; NILS)並且減輕了3D效應。如在本說明書及隨附申請專利範圍中使用，「歸一化影像對數斜率(NILS)」指描述空中影像的微影品質的度量。如在本說明書及隨附申請專利範圍中使用，「n」或「n值」指折射率。折射率係當從一種介質傳遞到另一介質中時的光射線的彎曲量度。低「n」值改進了NILS並且減輕了3D效應。
在一實施例中，吸收層310包含釕(Ru)及第1組的一或多種元素的合金。在一些實施例中，吸收層310具有小於約55 nm的厚度，包括小於約50 nm、小於約45 nm、小於約40 nm、小於約35 nm、小於約30 nm、小於約25 nm、小於約20 nm、小於約15 nm、小於約10 nm、小於約5 nm、小於約1 nm、或小於約0.5 nm。在其他實施例中，吸收層310具有在約0.5 nm至約55 nm的範圍中的厚度，包括約1 nm至約54 nm、1 nm至約50 nm、及15 nm至約40 nm的範圍。
在一實施例中，吸收層310包含釕(Ru)及第1組的一或多種元素及第2組的一或多種元素的合金。在一些實施例中，吸收層310具有小於約55 nm的厚度，包括小於約50 nm、小於約45 nm、小於約40 nm、小於約35 nm、小於約30 nm、小於約25 nm、小於約20 nm、小於約15 nm、小於約10 nm、小於約5 nm、小於約1 nm、或小於約0.5 nm。在其他實施例中，吸收層310具有在約0.5 nm至約55 nm的範圍中的厚度，包括約1 nm至約54 nm、1 nm至約50 nm、及15 nm至約50 nm的範圍。
在一實施例中，吸收層310包含釕(Ru)及第1組的一或多種元素及鉭(Ta)的合金。在一些實施例中，吸收層310具有小於約55 nm的厚度，包括小於約50 nm、小於約45 nm、小於約40 nm、小於約35 nm、小於約30 nm、小於約25 nm、小於約20 nm、小於約15 nm、小於約10 nm、小於約5 nm、小於約1 nm、或小於約0.5 nm。在其他實施例中，吸收層310具有在約0.5 nm至約55 nm的範圍中的厚度，包括約1 nm至約54 nm、1 nm至約50 nm、及15 nm至約50 nm的範圍。
在一實施例中，吸收層310包含釕(Ru)及第1組的一或多種元素及第2組的一或多種元素及鉭(Ta)的合金。在一些實施例中，吸收層310具有小於約55 nm的厚度，包括小於約50 nm、小於約45 nm、小於約40 nm、小於約35 nm、小於約30 nm、小於約25 nm、小於約20 nm、小於約15 nm、小於約10 nm、小於約5 nm、小於約1 nm、或小於約0.5 nm。在其他實施例中，吸收層310具有在約0.5 nm至約55 nm的範圍中的厚度，包括約1 nm至約54 nm、1 nm至約50 nm、及15 nm至約50 nm的範圍。
在一或多個實施例中，吸收層310包含銻(Te)及鎳(Ni)的合金。在一些實施例中，吸收層310具有小於約55 nm的厚度，包括小於約50 nm、小於約45 nm、小於約40 nm、小於約35 nm、小於約30 nm、小於約25 nm、小於約20 nm、小於約15 nm、小於約10 nm、小於約5 nm、小於約1 nm、或小於約0.5 nm。在其他實施例中，吸收層310具有在約0.5 nm至約55 nm的範圍中的厚度，包括約1 nm至約54 nm、1 nm至約40 nm、及15 nm至約50 nm的範圍。
在一實施例中，吸收層310包含銻(Te)及鋁(Al)的合金。在一些實施例中，吸收層310具有小於約55 nm的厚度，包括小於約50 nm、小於約45 nm、小於約40 nm、小於約35 nm、小於約30 nm、小於約25 nm、小於約20 nm、小於約15 nm、小於約10 nm、小於約5 nm、小於約1 nm、或小於約0.5 nm。在其他實施例中，吸收層310具有在約0.5 nm至約55 nm的範圍中的厚度，包括約1 nm至約54 nm、1 nm至約50 nm、及15 nm至約50 nm的範圍。
在一實施例中，吸收層310由釕(Ru)及選自由鈮(Nb)、銥(Ir)、錸(Re)、鉑(Pt)、鋯(Zr)、鋨(Os)、錳(Mn)、銀(Ag)、鎝(Tc)、鈷(Co)及鎳(Ni)組成的群組的第1組的一或多種元素的合金製成。在一或多個實施例中，Ru及第1組的一或多種元素的合金選自由下列組成的群組：具有從約31.8重量%至約86.1重量%的Ru及從約13.9重量%至約68.2重量%的Nb的Ru及Nb的合金，具有從約2.6重量%至約90.9重量%的Ru及從約9.1重量%至約97.4重量%的Ir的Ru及Ir的合金，具有從約18.8重量%至約75.5重量%的Ru及從約24.5重量%至約81.2重量%的Re的Ru及Re的合金，具有從約2.6重量%至約90.8重量%的Ru及從約9.2重量%至約97.4重量%的Pt的Ru及Pt的合金，具有從約47.5重量%至約95.5重量%的Ru及從約4.5重量%至約52.5重量%的Zr的Ru及Zr的合金，具有從約2.7重量%至約91.0重量%的Ru及從約9.0重量%至約97.3重量%的Os的Ru及Os的合金，具有從約44.0重量%至約88.1重量%的Ru及從約11.9重量%至約56.0重量%的Mn的Ru及Mn的合金，具有從約4.7重量%至約94.7重量%的Ru及從約5.3重量%至約95.3重量%的Ag的Ru及Ag的合金，具有從約5.1重量%至約95.2重量%的Ru及從約4.8重量%至約94.9重量%的Tc的Ru及Tc的合金，具有從約8.2重量%至約97.1重量%及從約2.9重量%至約91.8重量%的Co的Ru及Co的合金以及具有從約23.3重量%至約97.1重量%的Ru及從約2.9重量%至約76.7重量%的Ni的Ru及Ni的合金。
在其他實施例中，吸收層310由Ru及第1組的一或多種元素及Ta的合金製成。在一或多個實施例中，Ru及第1組的一或多種元素及Ta的合金選自由下列組成的群組：具有從約18.1重量%至約84.8重量%的Ru、從約6.6重量%至約73.3重量%的Nb及從約8.6重量%至約75.3重量%的Ta的Ru、Nb及Ta的合金，具有從約2.7重量%至約88.6重量%的Ru、從約6.6重量%至約92.5重量%的Ir及從約4.8重量%至約90.7重量%的Ta的Ru、Ir及Ta的合金，具有從約2.7重量%至約88.7重量%的Ru、從約6.4重量%至約92.4重量%的Re及從約4.9重量%至約90.9重量%的Ta的Ru、Re及Ta的合金，具有從約2.6重量%至約88.7重量%的Ru、從約6.6重量%至約92.7重量%的Pt及從約4.7重量%至約90.8重量%的Ta的Ru、Pt及Ta的合金，具有從約28.8重量%至約88.2重量%的Ru、從約3.2重量%至約62.6重量%的Zr及從約8.6重量%至約68.0重量%的Ta的Ru、Zr及Ta的合金，具有從約2.7重量%至約88.7重量%的Ru、從約6.5重量%至約92.5重量%的Os及從約4.8重量%至約90.8重量%的Ta的Ru、Os及Ta的合金，具有從約19.5重量%至約87.0重量%的Ru、從約4.0重量%至約71.5重量%的Mn及從約9.0重量%至約76.5重量%的Ta的Ru、Mn及Ta的合金，具有從約3.5重量%至約88.1重量%的Ru、從約3.8重量%至約88.4重量%的Ag及從約8.1重量%至約92.7重量%的Ta的Ru、Ag及Ta的合金，具有從約3.6重量%至約88.0重量%的Ru、從約3.4重量%至約87.8重量%的Tc及從約8.6重量%至約93.0重量%的Ta的Ru、Tc及Ta的合金，具有從約19.3重量%至約86.8重量%的Ru、從約4.3重量%至約71.8重量%的Co及從約8.9重量%至約76.4重量%的Ta的Ru、Co及Ta的合金以及具有從約37.4重量%至約89.2重量%的Ru、從約2.1重量%至約53.9重量%的Ni及從約8.7重量%至約60.5重量%的Ta的Ru、Ni及Ta的合金。
在一或多個實施例中，吸收層310由釕(Ru)及第1組的一或多種元素及第2組的一或多種元素的合金製成。
在一或多個實施例中，吸收層310由釕(Ru)及第1組的一或多種元素及第2組的一或多種元素及鉭(Ta)的合金製成。
在另一實施例中，吸收層310由Te及Ni的合金製成，其中Te及Ni的合金包括從約10.0重量%至約97.7重量%的Te及從約2.3重量%至約90.0重量%的Ni。
在另一實施例中，吸收層310由Te及Al的合金製成，其中Te及Al的合金包括從約19.9重量%至約98.9重量%的Te及從約1.1重量%至約80.1重量%的Al。
在一或多個實施例中，Ru及第1組的一或多種元素的合金包含摻雜劑。在一或多個實施例中，Ru及第1組的一或多種元素及Ta的合金包含摻雜劑。摻雜劑可包括選自由矽(Si)、硼(B)、氮(N)及氧(O)組成的群組的第2組的一或多種元素。在一實施例中，基於合金的重量，摻雜劑在合金中以約0.1重量%至約5.0重量%的範圍中的量存在。在其他實施例中，摻雜劑在合金中以約0.1重量%、0.2重量%、0.3重量%、0.4重量%、0.5重量%、0.6重量%、0.7重量%、0.8重量%、0.9重量%、1.0重量%、1.1重量%、1.2重量%、1.3重量%、1.4重量%、1.5重量%、1.6重量%、1.7重量%、1.8重量%、1.9重量%、2.0重量%、2.1重量%、2.2重量%、2.3重量%、2.4重量%、2.5重量%、2.6重量%、2.7重量%、2.8重量%、2.9重量%、3.0重量%、3.1重量%、3.2重量%、3.3重量%、3.4重量%、3.5重量%、3.6重量%、3.7重量%、3.8重量%、3.9重量%、4.0重量%、4.1重量%、4.2重量%、4.3重量%、4.4重量%、4.5重量%、4.6重量%、4.7重量%、4.8重量%、4.9重量%、或5.0重量%的量存在。
在一或多個實施例中，選自Te及Ni的合金的合金包含摻雜劑。在一或多個實施例中，選自Te及Al的合金的合金包含摻雜劑。摻雜劑可選自氮或氧的一或多個。在一實施例中，摻雜劑包含氧。在替代實施例中，摻雜劑包含氮。在一實施例中，基於合金的重量，摻雜劑在合金中以約0.1重量%至約5.0重量%的範圍中的量存在。在其他實施例中，摻雜劑在合金中以約0.1重量%、0.2重量%、0.3重量%、0.4重量%、0.5重量%、0.6重量%、0.7重量%、0.8重量%、0.9重量%、1.0重量%、1.1重量%、1.2重量%、1.3重量%、1.4重量%、1.5重量%、1.6重量%、1.7重量%、1.8重量%、1.9重量%、2.0重量%、2.1重量%、2.2重量%、2.3重量%、2.4重量%、2.5重量%、2.6重量%、2.7重量%、2.8重量%、2.9重量%、3.0重量%、3.1重量%、3.2重量%、3.3重量%、3.4重量%、3.5重量%、3.6重量%、3.7重量%、3.8重量%、3.9重量%、4.0重量%、4.1重量%、4.2重量%、4.3重量%、4.4重量%、4.5重量%、4.6重量%、4.7重量%、4.8重量%、4.9重量%、或5.0重量%的量存在。
在一或多個實施例中，吸收層的合金係在物理沉積腔室中形成的共同濺射的合金吸收材料，該材料提供薄得多的吸收層厚度（小於30 nm），同時實現小於2%的反射率及適宜蝕刻性質。在一或多個實施例中，吸收層的合金藉由選自氬氣(Ar)、氧氣(O 2)、或氮氣(N 2)的一或多個的氣體共同濺射。在一實施例中，吸收層的合金藉由氬氣及氧氣的混合物(Ar+O 2)共同濺射。在一些實施例中，藉由氬氣及氧氣的混合物共同濺射形成Ru的氧化物及/或第1組的一或多種元素的氧化物。在其他實施例中，藉由氬氣及氧氣的混合物共同濺射不形成Ru或第1組的一或多種元素的氧化物。在一實施例中，吸收層的合金藉由氬氣及氮氣的混合物(Ar+N 2)共同濺射。在一些實施例中，藉由氬氣及氮氣的混合物共同濺射形成Ru的氮化物及/或第1組的一或多種元素的氮化物。在其他實施例中，藉由氬氣及氮氣的混合物共同濺射不形成Ru或第1組的一或多種元素的氮化物。在一實施例中，吸收層的合金藉由氬氣及氧氣及氮氣的混合物(Ar+O 2+N 2)共同濺射。在一些實施例中，藉由氬氣及氧氣及氮氣的混合物共同濺射形成Ru的氧化物及/或氮化物及/或第1組的一或多種元素的氧化物及/或氮化物。在其他實施例中，藉由氬氣及氧氣及氮氣的混合物共同濺射不形成Ru或第1組的一或多種元素的氧化物或氮化物。在一實施例中，如上文論述，藉由控制合金百分比，吸收層的蝕刻性質及/或其他性質適應規範。
在一些實施例中，藉由氬氣及氧氣的混合物共同濺射形成並且釕(Ru)的氧化物及/或第1組的一或多種元素的氧化物及/或第2組的一或多種元素的氧化物。在其他實施例中，藉由氬氣及氧氣的混合物共同濺射不形成Ru或第1組的一或多種元素或第2組的一或多種元素的氧化物。在一實施例中，吸收層的合金藉由氬氣及氮氣的混合物(Ar+N 2)共同濺射。在一些實施例中，藉由氬氣及氮氣的混合物共同濺射形成Ru的氮化物及/或第1組的一或多種元素的氮化物及/或第2組的一或多種元素的氮化物。在其他實施例中，藉由氬氣及氮氣的混合物共同濺射不形成Ru或第1組的一或多種元素或第2組的一或多種元素的氮化物。在一實施例中，吸收層的合金藉由氬氣及氧氣及氮氣的混合物(Ar+O 2+N 2)共同濺射。在一些實施例中，藉由氬氣及氧氣及氮氣的混合物共同濺射形成Ru的氧化物及/或氮化物及/或第1組的一或多種元素的氧化物及/或氮化物及/或第2組的一或多種元素的氧化物及/或氮化物。在其他實施例中，藉由氬氣及氧氣及氮氣的混合物共同濺射不形成Ru或第1組的一或多種元素或第2組的一或多種元素的氧化物或氮化物。
在一些實施例中，藉由氬氣及氧氣的混合物共同濺射形成Ru的氧化物及/或第1組的一或多種元素的氧化物及/或鉭(Ta)的氧化物。在其他實施例中，藉由氬氣及氧氣的混合物共同濺射不形成Ru或第1組的一或多種元素及/或Ta的氧化物。在一實施例中，吸收層的合金藉由氬氣及氮氣的混合物(Ar+N 2)共同濺射。在一些實施例中，藉由氬氣及氮氣的混合物共同濺射形成Ru的氮化物及/或第1組的一或多種元素的氮化物及/或Ta的氮化物。在其他實施例中，藉由氬氣及氮氣的混合物共同濺射不形成Ru或第1組的一或多種元素或Ta的氮化物。在一實施例中，吸收層的合金藉由氬氣及氧氣及氮氣的混合物(Ar+O 2+N 2)共同濺射。在一些實施例中，藉由氬氣及氧氣及氮氣的混合物共同濺射形成Ru的氧化物及/或氮化物及/或第1組的一或多種元素的氧化物及/或氮化物及/或Ta的氧化物及/或氮化物。在其他實施例中，藉由氬氣及氧氣及氮氣的混合物共同濺射不形成Ru或第1組的一或多種元素或Ta的氧化物或氮化物。
在一實施例中，吸收層的合金藉由氬氣及氧氣的混合物(Ar+O 2)共同濺射。在一些實施例中，藉由氬氣及氧氣的混合物共同濺射形成並且Ru的氧化物及/或第1組的一或多種元素的氧化物及/或第2組的一或多種元素的氧化物及/或Ta的氧化物。在其他實施例中，藉由氬氣及氧氣的混合物共同濺射不形成Ru或第1組的一或多種元素或第2組的一或多種元素或Ta的氧化物。在一實施例中，吸收層的合金藉由氬氣及氮氣的混合物(Ar+N 2)共同濺射。在一些實施例中，藉由氬氣及氮氣的混合物共同濺射形成Ru的氮化物及/或第1組的一或多種元素的氮化物及/或第2組的一或多種元素的氮化物及/或Ta的氮化物。在其他實施例中，藉由氬氣及氮氣的混合物共同濺射不形成Ru或第1組的一或多種元素或第2組的一或多種元素或Ta的氮化物。在一實施例中，吸收層的合金藉由氬氣及氧氣及氮氣的混合物(Ar+O 2+N 2)共同濺射。在一些實施例中，藉由氬氣及氧氣及氮氣的混合物共同濺射形成Ru的氧化物及/或氮化物及/或第1組的一或多種元素的氧化物及/或氮化物及/或第2組的一或多種元素的氧化物及/或氮化物及/或Ta的氧化物及/或氮化物。在其他實施例中，藉由氬氣及氧氣及氮氣的混合物共同濺射不形成Ru或第1組的一或多種元素或第2組的一或多種元素或Ta的氧化物或氮化物。
在一些實施例中，藉由氬氣及氧氣的混合物共同濺射形成銻(Te)的氧化物及/或鎳(Ni)的氧化物。在其他實施例中，藉由氬氣及氧氣的混合物共同濺射不形成銻(Te)或鎳(Ni)的氧化物。在一實施例中，吸收層的合金藉由氬氣及氮氣的混合物(Ar+N 2)共同濺射。在一些實施例中，藉由氬氣及氮氣的混合物共同濺射形成銻(Te)的氮化物及/或鎳(Ni)的氮化物。在其他實施例中，藉由氬氣及氮氣的混合物共同濺射不形成銻(Te)或鎳(Ni)的氮化物。在一實施例中，吸收層的合金藉由氬氣及氧氣及氮氣的混合物(Ar+O 2+N 2)共同濺射。在一些實施例中，藉由氬氣及氧氣及氮氣的混合物共同濺射形成銻(Te)的氧化物及/或氮化物及/或鎳(Ni)的氧化物及/或氮化物。在其他實施例中，藉由氬氣及氧氣及氮氣的混合物共同濺射不形成銻(Te)或鎳(Ni)的氧化物或氮化物。在一實施例中，如上文論述，藉由控制合金百分比，吸收層的蝕刻性質及/或其他性質適應規範。
在一些實施例中，藉由氬氣及氧氣的混合物共同濺射形成銻(Te)的氧化物及/或鋁(Al)的氧化物。在其他實施例中，藉由氬氣及氧氣的混合物共同濺射不形成銻(Te)或鋁(Al)的氧化物。在一實施例中，吸收層的合金藉由氬氣及氮氣的混合物(Ar+N 2)共同濺射。在一些實施例中，藉由氬氣及氮氣的混合物共同濺射形成銻(Te)的氮化物及/或鋁(Al)的氮化物。在其他實施例中，藉由氬氣及氮氣的混合物共同濺射不形成銻(Te)或鋁(Al)的氮化物。在一實施例中，吸收層的合金藉由氬氣及氧氣及氮氣的混合物(Ar+O 2+N 2)共同濺射。在一些實施例中，藉由氬氣及氧氣及氮氣的混合物共同濺射形成銻(Te)的氧化物及/或氮化物及/或鋁(Al)的氧化物及/或氮化物。在其他實施例中，藉由氬氣及氧氣及氮氣的混合物共同濺射不形成銻(Te)或鋁(Al)的氧化物或氮化物。在一些實施例中，合金百分比藉由物理氣相沉積腔室的操作參數（此電壓、壓力、流量等）來精確地控制。
在一或多個實施例中，如本文使用，「共同濺射」意味著如本文描述的包含兩種不同材料的兩個目標或包含三種或多種不同材料的三個或多個目標使用選自氬氣(Ar)、氧氣(O 2)、或氮氣(N 2)的一或多種氣體同時濺射以沉積/形成包含來自兩個目標或三個或多個目標的材料的合金的吸收層。如本文使用，共同濺射意味著兩個目標或三個或多個目標使用選自氬氣(Ar)、氧氣(O 2)、或氮氣(N 2)的一或多種氣體同時濺射以沉積/形成包含來自以下群組的材料的合金的吸收層：Ru及第1組的一或多種元素的合金；Ru及第1組的一或多種元素及第2組的一或多種元素的合金；Ru及第1組的一或多種元素及Ta的合金；Ru及第1組的一或多種元素及Ta及第2組的一或多種元素的合金；Te及Ni的合金；以及Te及Al的合金。
在其他實施例中，兩種不同材料或三種或多種不同材料的合金使用選自氬氣(Ar)、氧氣(O 2)、或氮氣(N 2)的一或多個的氣體逐層沉積為本文描述的兩種不同材料的層疊或三種或多種材料的層疊。如本文使用，兩種不同材料或三種或多種不同材料的合金包含來自以下群組的材料的合金：Ru及第1組的一或多種元素的合金；Ru及第1組的一或多種元素及第2組的一或多種元素的合金；Ru及第1組的一或多種元素及Ta的合金；Ru及第1組的一或多種元素及Ta及第2組的一或多種元素的合金；Te及Ni的合金；以及Te及Al的合金。所描述的逐層沉積為兩種不同材料的層疊或三種或多種材料的層疊的兩種不同材料或三種或多種不同材料的此種合金在物理沉積腔室中根據一或多個實施例進行，該物理沉積腔室具有包含第一吸收材料的第一陰極、包含第二吸收材料的第二陰極，及在一些實施例中，包含第三吸收材料的第三陰極、包含第四吸收材料的第四陰極、及包含第五吸收材料的第五陰極，其中第一吸收材料、第二吸收材料、第三吸收材料、第四吸收材料及第五吸收材料彼此不同。交替層可以藉由於不同時間交替濺射第一陰極及第二陰極及在一些實施例中第三陰極、第四陰極及第五陰極來形成以形成不同吸收材料的交替層。
在其他實施例中，兩種不同材料或三種或多種不同材料的非合金使用選自氬氣(Ar)、氧氣(O 2)、或氮氣(N 2)的一或多個的氣體逐層沉積為本文描述的兩種不同材料的層疊或三種或多種材料的層疊。如本文使用，兩種不同材料或三種或多種不同材料的非合金包含來自以下群組的材料的非合金：Ru及第1組的一或多種元素；Ru及第1組的一或多種元素及第2組的一或多種元素；Ru及第1組的一或多種元素及Ta；Ru及第1組的一或多種元素及Ta及第2組的一或多種元素；Te及Ni；以及Te及Al。所描述的逐層沉積為兩種不同材料的層疊或三種或多種材料的層疊的兩種不同材料或三種或多種不同材料的此種非合金在物理沉積腔室中根據一或多個實施例進行，該物理沉積腔室具有包含第一吸收材料的第一陰極、包含第二吸收材料的第二陰極，及在一些實施例中，包含第三吸收材料的第三陰極、包含第四吸收材料的第四陰極、及包含第五吸收材料的第五陰極，其中第一吸收材料、第二吸收材料、第三吸收材料、第四吸收材料及第五吸收材料彼此不同。交替層可以藉由於不同時間交替濺射第一陰極及第二陰極及在一些實施例中濺射第三陰極、第四陰極及第五陰極來形成以形成不同吸收材料的交替層。
在一或多個實施例中，可製成本文描述的合金組成物的主體目標，該等目標使用選自氬氣(Ar)、氧氣(O 2)、或氮氣(N 2)的一或多個的氣體藉由正常濺射來濺射。在一或多個實施例中，合金使用具有合金的相同組成物的主體目標沉積，並且使用選自氬氣(Ar)、氧氣(O 2)、或氮氣(N 2)的一或多個的氣體濺射以形成吸收層。在一實施例中，吸收層的合金使用具有合金的相同組成物的主體目標沉積，並且使用氬氣及氧氣的混合物(Ar+O 2)濺射。
現參見第5圖，將極紫外光遮罩坯件400圖示為包含基板414、在基板414上的反射層412的多層堆疊、包括複數個反射層對的反射層412的多層堆疊。在一或多個實施例中，複數個反射層對由選自含鉬(Mo)材料及含矽(Si)材料的材料製成。在一些實施例中，複數個反射層對包含鉬及矽的交替層。極紫外光遮罩坯件400進一步包括在反射層412的多層堆疊上的覆蓋層422，並且在覆蓋層422上存在吸收層的多層堆疊420。在一或多個實施例中，複數個反射層412選自含鉬(Mo)材料及含矽(Si)材料並且覆蓋層422包含釕。
吸收層的多層堆疊420包括複數個吸收層對420a、420b、420c、420d、420e、420f，每對（420a/420b、420c/420d、420e/420f）包含選自由下列組成的群組的合金：釕(Ru)及選自由鈮(Nb)、銥(Ir)、錸(Re)、鉑(Pt)、鋯(Zr)、鋨(Os)、錳(Mn)、銀(Ag)、鎝(Tc)、鈷(Co)及鎳(Ni)組成的群組的第1組的一或多種元素的合金，Ru及第1組的一或多種元素及選自由矽(Si)、硼(B)、氮及氧(O)組成的群組的第2組的一或多種元素的合金，Ru及第1組的一或多種元素及鉭(Ta)的合金，Ru及第1組的一或多種元素及第2組的一或多種元素及Ta的合金，銻(Te)及鎳(Ni)的合金，以及銻(Te)及鋁(Al)的合金。在一些實施例中，Ru及第1組的一或多種元素的合金選自由下列組成的群組：具有從約31.8重量%至約86.1重量%的Ru及從約13.9重量%至約68.2重量%的Nb的Ru及Nb的合金，具有從約2.6重量%至約90.9重量%的Ru及從約9.1重量%至約97.4重量%的Ir的Ru及Ir的合金，具有從約18.8重量%至約75.5重量%的Ru及從約24.5重量%至約81.2重量%的Re的Ru及Re的合金，具有從約2.6重量%至約90.8重量%的Ru及從約9.2重量%至約97.4重量%的Pt的Ru及Pt的合金，具有從約47.5重量%至約95.5重量%的Ru及從約4.5重量%至約52.5重量%的Zr的Ru及Zr的合金，具有從約2.7重量%至約91.0重量%的Ru及從約9.0重量%至約97.3重量%的Os的Ru及Os的合金，具有從約44.0重量%至約88.1重量%的Ru及從約11.9重量%至約56.0重量%的Mn的Ru及Mn的合金，具有從約4.7重量%至約94.7重量%的Ru及從約5.3重量%至約95.3重量%的Ag的Ru及Ag的合金，具有從約5.1重量%至約95.2重量%的Ru及從約4.8重量%至約94.9重量%的Tc的Ru及Tc的合金，具有從約8.2重量%至約97.1重量%及從約2.9重量%至約91.8重量%的Co的Ru及Co的合金以及具有從約23.3重量%至約97.1重量%的Ru及從約2.9重量%至約76.7重量%的Ni的Ru及Ni的合金。在一或多個實施例中，Ru及第1組的一或多種元素的合金係非晶的。
在一個實例中，吸收層420a由釕(Ru)材料製成，並且形成吸收層420b的材料由第1組的一或多種元素的材料製成。同樣，吸收層420c由釕材料製成且形成吸收層420d的材料由第1組的一或多種元素的材料製成，並且吸收層420e由釕(Ru)材料製成且形成吸收層420f的材料係第1組的一或多種元素的材料。
在一或多個實施例中，吸收層的多層堆疊420包括複數個吸收層對420a、420b、420c、420d、420e、420f，每對（420a/420b、420c/420d、420e/420f）包含Ru及第1組的一或多種元素及鉭(Ta)的合金。在一些實施例中，Ru及第1組的一或多種元素及Ta的合金選自由下列組成的群組：具有從約18.1重量%至約84.8重量%的Ru、從約6.6重量%至約73.3重量%的Nb及從約8.6重量%至約75.3重量%的Ta的Ru、Nb及Ta的合金，具有從約2.7重量%至約88.6重量%的Ru、從約6.6重量%至約92.5重量%的Ir及從約4.8重量%至約90.7重量%的Ta的Ru、Ir及Ta的合金，具有從約2.7重量%至約88.7重量%的Ru、從約6.4重量%至約92.4重量%的Re及從約4.9重量%至約90.9重量%的Ta的Ru、Re及Ta的合金，具有從約2.6重量%至約88.7重量%的Ru、從約6.6重量%至約92.7重量%的Pt及從約4.7重量%至約90.8重量%的Ta的Ru、Pt及Ta的合金，具有從約28.8重量%至約88.2重量%的Ru、從約3.2重量%至約62.6重量%的Zr及從約8.6重量%至約68.0重量%的Ta的Ru、Zr及Ta的合金，具有從約2.7重量%至約88.7重量%的Ru、從約6.5重量%至約92.5重量%的Os及從約4.8重量%至約90.8重量%的Ta的Ru、Os及Ta的合金，具有從約19.5重量%至約87.0重量%的Ru、從約4.0重量%至約71.5重量%的Mn及從約9.0重量%至約76.5重量%的Ta的Ru、Mn及Ta的合金，具有從約3.5重量%至約88.1重量%的Ru、從約3.8重量%至約88.4重量%的Ag及從約8.1重量%至約92.7重量%的Ta的Ru、Ag及Ta的合金，具有從約3.6重量%至約88.0重量%的Ru、從約3.4重量%至約87.8重量%的Tc及從約8.6重量%至約93.0重量%的Ta的Ru、Tc及Ta的合金，具有從約19.3重量%至約86.8重量%的Ru、從約4.3重量%至約71.8重量%的Co及從約8.9重量%至約76.4重量%的Ta的Ru、Co及Ta的合金以及具有從約37.4重量%至約89.2重量%的Ru、從約2.1重量%至約53.9重量%的Ni及從約8.7重量%至約60.5重量%的Ta的Ru、Ni及Ta的合金。在一或多個實施例中，Ru及第1組的一或多種元素及Ta的合金係非晶的。
在一個實例中，吸收層420a由釕(Ru)材料製成且形成吸收層420b的材料由第1組的一或多種元素的材料製成。同樣，吸收層420c由鉭(Ta)材料製成且形成吸收層420d的材料由釕(Ru)材料製成，並且吸收層420e由第1組的一或多種元素的材料製成且形成吸收層420f的材料係鉭(Ta)的材料。
在一或多個實施例中，吸收層的多層堆疊420包括複數個吸收層對420a、420b、420c、420d、420e、420f，每對（420a/420b、420c/420d、420e/420f）包含Ru及第1組的一或多種元素及第2組的一或多種元素的合金。在一或多個實施例中，Ru及第1組的一或多種元素及第2組的一或多種元素的合金係非晶的。
在一個實例中，吸收層420a由釕(Ru)材料製成且形成吸收層420b的材料由第1組的一或多種元素的材料製成。同樣，吸收層420c由第2組的一或多種元素的材料製成且形成吸收層420d的材料由釕(Ru)材料製成，並且吸收層420e由第1組的一或多種元素的材料製成且形成吸收層420f的材料係第2組的一或多種元素的材料。
在一或多個實施例中，吸收層的多層堆疊420包括複數個吸收層對420a、420b、420c、420d、420e、420f，每對（420a/420b、420c/420d、420e/420f）包含Ru及第1組的一或多種元素及第2組的一或多種元素及鉭(Ta)的合金。在一或多個實施例中，Ru及第1組的一或多種元素及第2組的一或多種元素及鉭(Ta)的合金係非晶的。
在一個實例中，吸收層420a由釕(Ru)材料製成且形成吸收層420b的材料由第1組的一或多種元素的材料製成。同樣，吸收層420c由第2組的一或多種元素的材料製成且形成吸收層420d的材料由鉭(Ta)材料製成，並且吸收層420e由釕(Ru)材料製成且形成吸收層420f的材料係第1組的一或多種元素的材料。
在一個實施例中，極紫外光遮罩坯件400包括選自含鉬(Mo)材料及含矽(Si)材料（例如，鉬(Mo)及矽(Si)）的複數個反射層412。用於形成吸收層420a、420b、420c、420d、420e及420f的吸收材料係選自由下列組成的群組的合金：釕(Ru)及第1組的一或多種元素的合金，Ru及第1組的一或多種元素及第2組的一或多種元素的合金，Ru及第1組的一或多種元素及鉭(Ta)的合金，Ru及第1組的一或多種元素及第2組的一或多種元素及Ta的合金，銻(Te)及鎳(Ni)的合金，以及銻(Te)及鋁(Al)的合金。
在一或多個實施例中，吸收層對420a/420b、420c/420d、420e/420f包含第一層（420a、420c、420e）及第二吸收層（420b、420d、420f），該第一層包括吸收材料，包含釕(Ru)及第1組的一或多種元素的合金，且該第二吸收層包括吸收材料，包括釕(Ru)及第1組的一或多種元素的合金。在具體實施例中，吸收層對包含第一層（420a、420c、420e）及第二吸收層（420b、420d、420f），該第一層包括Ru及第1組的一或多種元素的合金，其中Ru及第1組的一或多種元素的合金選自由下列組成的群組：具有從約31.8重量%至約86.1重量%的Ru及從約13.9重量%至約68.2重量%的Nb的Ru及Nb的合金，具有從約2.6重量%至約90.9重量%的Ru及從約9.1重量%至約97.4重量%的Ir的Ru及Ir的合金，具有從約18.8重量%至約75.5重量%的Ru及從約24.5重量%至約81.2重量%的Re的Ru及Re的合金，具有從約2.6重量%至約90.8重量%的Ru及從約9.2重量%至約97.4重量%的Pt的Ru及Pt的合金，具有從約47.5重量%至約95.5重量%的Ru及從約4.5重量%至約52.5重量%的Zr的Ru及Zr的合金，具有從約2.7重量%至約91.0重量%的Ru及從約9.0重量%至約97.3重量%的Os的Ru及Os的合金，具有從約44.0重量%至約88.1重量%的Ru及從約11.9重量%至約56.0重量%的Mn的Ru及Mn的合金，具有從約4.7重量%至約94.7重量%的Ru及從約5.3重量%至約95.3重量%的Ag的Ru及Ag的合金，具有從約5.1重量%至約95.2重量%的Ru及從約4.8重量%至約94.9重量%的Tc的Ru及Tc的合金，具有從約8.2重量%至約97.1重量%及從約2.9重量%至約91.8重量%的Co的Ru及Co的合金以及具有從約23.3重量%至約97.1重量%的Ru及從約2.9重量%至約76.7重量%的Ni的Ru及Ni的合金，且該第二吸收層包括吸收材料，包括Ru及第1組的一或多種元素的合金，其中Ru及第1組的一或多種元素的合金選自由下列組成的群組：具有從約31.8重量%至約86.1重量%的Ru及從約13.9重量%至約68.2重量%的Nb的Ru及Nb的合金，具有從約2.6重量%至約90.9重量%的Ru及從約9.1重量%至約97.4重量%的Ir的Ru及Ir的合金，具有從約18.8重量%至約75.5重量%的Ru及從約24.5重量%至約81.2重量%的Re的Ru及Re的合金，具有從約2.6重量%至約90.8重量%的Ru及從約9.2重量%至約97.4重量%的Pt的Ru及Pt的合金，具有從約47.5重量%至約95.5重量%的Ru及從約4.5重量%至約52.5 重量%的Zr的Ru及Zr的合金，具有從約2.7重量%至約91.0重量%的Ru及從約9.0重量%至約97.3重量%的Os的Ru及Os的合金，具有從約44.0重量%至約88.1重量%的Ru及從約11.9重量%至約56.0重量%的Mn的Ru及Mn的合金，具有從約4.7重量%至約94.7重量%的Ru及從約5.3重量%至約95.3重量%的Ag的Ru及Ag的合金，具有從約5.1重量%至約95.2重量%的Ru及從約4.8重量%至約94.9重量%的Tc的Ru及Tc的合金，具有從約8.2重量%至約97.1重量%及從約2.9重量%至約91.8重量%的Co的Ru及Co的合金以及具有從約23.3重量%至約97.1重量%的Ru及從約2.9重量%至約76.7重量%的Ni的Ru及Ni的合金。
根據一或多個實施例中，吸收層對包含第一層（420a、420c、420e）及第二吸收層（420b、420d、420f），第一吸收層（420a、420c、420e）及第二吸收層（420b、420d、420f）的每一者具有在0.1 nm與10 nm的範圍中的厚度，例如，在1 nm與5 nm的範圍中、或在1 nm與3 nm的範圍中。在一或多個具體實施例中，第一層420a的厚度係0.5 nm、0.6 nm、0.7 nm、0.8 nm、0.9 nm、1 nm、1.1 nm、1.2 nm、1.3 nm、1.4 nm、1.5 nm、1.6 nm、1.7 nm、1.8 nm、1.9 nm、2 nm、2.1 nm、2.2 nm、2.3 nm、2.4 nm、2.5 nm、2.6 nm、2.7 nm、2.8 nm、2.9 nm、3 nm、3.1 nm、3.2 nm、3.3 nm、3.4 nm、3.5 nm、3.6 nm、3.7 nm、3.8 nm、3.9 nm、4 nm、4.1 nm、4.2 nm、4.3 nm、4.4 nm、4.5 nm、4.6 nm、4.7 nm、4.8 nm、 4.9 nm、及5 nm。在一或多個實施例中，每對的第一吸收層及第二吸收層的厚度係相同或不同的。例如，第一吸收層及第二吸收層具有一厚度，使得第一吸收層厚度與第二吸收層厚度的比率係1:1、1.5:1、2:1、2.5:1、3:1、3.5:1、4:1、4.5:1、5:1、6:1、7:1、8:1、9:1、10:1、11:1、12:1、13:1、14:1、15:1、16:1、17:1、18:1、19:1、或20:1，此導致每對中第一吸收層具有等於或大於第二吸收層厚度的厚度。或者，第一吸收層及第二吸收層具有一厚度，使得第二吸收層厚度與第一吸收層厚度的比率係1.5:1、2:1、2.5:1、3:1、3.5:1、4:1、4.5:1、5:1、6:1、7:1、8:1、9:1、10:1、11:1、12:1、13:1、14:1、15:1、16:1、17:1、18:1、19:1、或20:1，此導致每對中第二吸收層具有等於或大於第一吸收層厚度的厚度。
根據一或多個實施例，吸收層的不同吸收材料及厚度經選擇為使得吸收極紫外光，歸因於吸收並且歸因於藉由利用來自反射層的多層堆疊的光的破壞性干擾導致的相變。儘管第5圖所示的實施例圖示了三個吸收層對420a/420b、420c/420d及420e/420f，申請專利範圍不應當限於特定數量的吸收層對。根據一或多個實施例，EUV遮罩坯件400包括在5與60的範圍中的吸收層對或在10與40的範圍中的吸收層對。
根據一或多個實施例，吸收層具有提供小於2%的反射率及其他蝕刻性質的厚度。供應氣體用於進一步修改吸收層的材料性質，例如，氮(N 2)氣用於形成上文提供的材料的氮化物。根據一或多個實施例的吸收層的多層堆疊係不同材料的獨立厚度的重複圖案，使得EUV光不僅歸因於吸光度而被吸收，亦藉由多層吸收堆疊導致的相變而被吸收，該相變將破壞性地干擾來自下方的反射材料的多層堆疊的光以提供較佳對比度。
本揭示的另一態樣涉及一種製造極紫外光(EUV)遮罩坯件的方法，包含在基板上形成基板上的反射層的多層堆疊，多層堆疊包括複數個反射層對；以及在多層堆疊上形成吸收層，吸收層包含選自由下列組成的群組的合金：釕(Ru)及選自由鈮(Nb)、銥(Ir)、錸(Re)、鉑(Pt)、鋯(Zr)、鋨(Os)、錳(Mn)、銀(Ag)、鎝(Tc)、鈷(Co)及鎳(Ni)組成的群組的第1組的一或多種元素的合金，Ru及第1組的一或多種元素及選自由矽(Si)、硼(B)、氮及氧(O)組成的群組的第2組的一或多種元素的合金，Ru及第1組的一或多種元素及鉭(Ta)的合金，Ru及第1組的一或多種元素及第2組的一或多種元素及Ta的合金，銻(Te)及鎳(Ni)的合金，以及銻(Te)及鋁(Al)的合金。
EUV遮罩坯件具有上文關於第4圖及第5圖描述的實施例的特性的任一者並且方法在關於第3圖描述的系統中執行。
因此，在一實施例中，複數個反射層選自含鉬(Mo)材料及含矽(Si)材料並且吸收層係釕(Ru)及第1組的一或多種元素的合金。在另一實施例中，複數個反射層選自含鉬(Mo)材料及含矽(Si)材料並且吸收層係釕(Ru)及第1組的一或多種元素及第2組的一或多種元素的合金。在另外實施例中，複數個反射層選自含鉬(Mo)材料及含矽(Si)材料並且吸收層係釕(Ru)及第1組的一或多種元素及鉭(Ta)的合金。在另外實施例中，複數個反射層選自含鉬(Mo)材料及含矽(Si)材料並且吸收層係釕(Ru)及第1組的一或多種元素及第2組的一或多種元素及鉭(Ta)的合金。在另一實施例中，複數個反射層選自含鉬(Mo)材料及含矽(Si)材料並且吸收層係銻(Te)及鎳(Ni)的合金。在另外實施例中，複數個反射層選自含鉬(Mo)材料及含矽(Si)材料並且吸收層係銻(Te)及鋁(Al)的合金。
在另一具體的方法實施例中，不同吸收層在具有包含第一吸收材料的第一陰極及包含第二吸收材料的第二陰極的物理沉積腔室中形成。現參見第6圖，根據一實施例圖示了多陰極源腔室500的上部。多陰極腔室500包括基底結構501，該基底結構具有藉由頂部配接器504覆蓋的圓柱形主體部分502。為數個陰極源提供頂部配接器504，陰極源諸如在頂部配接器504周圍定位的陰極源506、508、510、512、及514。根據一或多個實施例的陰極源506、508、510、512、及514包含如本文描述的不同吸收材料以形成吸收材料的層疊。
在一或多個實施例中，方法形成具有在5 nm與60 nm的範圍中的厚度的吸收層。在一或多個實施例中，吸收層具有在51 nm與57 nm的範圍中的厚度。在一或多個實施例中，用於形成吸收層的材料經選擇為實現吸收層的蝕刻性質。在一或多個實施例中，吸收層的合金藉由共同濺射在物理沉積腔室中形成的合金吸收材料形成，此提供薄得多的吸收層厚度（小於30 nm）並且實現小於2%的反射率及期望的蝕刻性質。在一實施例中，藉由控制每種吸收材料的合金百分比，吸收層的蝕刻性質及其他期望性質適應規範。在一實施例中，合金百分比藉由物理氣相沉積腔室的操作參數（此電壓、壓力、流量等）來精確地控制。在一實施例中，處理氣體用於進一步修改材料性質，例如，N 2氣體用於形成釕(Ru)及第1組的一或多種元素的氮化物。在另一實施例中，處理氣體用於進一步修改材料性質，例如，N 2氣體用於形成釕(Ru)及第1組的一或多種元素及第2組的一或多種元素的氮化物。在一些實施例中，處理氣體用於進一步修改材料性質，例如，N 2氣體用於形成釕(Ru)及第1組的一或多種元素及鉭(Ta)的氮化物。在另外的實施例中，處理氣體用於進一步修改材料性質，例如，N 2氣體用於形成釕(Ru)及第1組的一或多種元素及第2組的一或多種元素及鉭的氮化物。在一實施例中，處理氣體用於進一步修改材料性質，例如，N 2氣體用於形成銻(Te)及鎳(Ni)的氮化物。在另外的實施例中，處理氣體用於進一步修改材料性質，例如，N 2氣體用於形成銻(Te)及鋁(Al)的氮化物。合金吸收材料包含選自由下列組成的群組的合金：釕(Ru)及選自由鈮(Nb)、銥(Ir)、錸(Re)、鉑(Pt)、鋯(Zr)、鋨(Os)、錳(Mn)、銀(Ag)、鎝(Tc)、鈷(Co)及鎳(Ni)組成的群組的第1組的一或多種元素的合金，Ru及第1組的一或多種元素及選自由矽(Si)、硼(B)、氮及氧(O)組成的群組的第2組的一或多種元素的合金，Ru及第1組的一或多種元素及鉭(Ta)的合金，Ru及第1組的一或多種元素及第2組的一或多種元素及Ta的合金，銻(Te)及鎳(Ni)的合金，以及銻(Te)及鋁(Al)的合金。
在一些實施例中，多陰極源腔室500係第3圖所示的系統的一部分。在一實施例中，極紫外光(EUV)遮罩坯件生產系統包含：基板搬運真空腔室，用於產生真空；基板搬運平台，在真空中，用於運輸在基板搬運真空腔室中裝載的基板；以及多個子腔室，藉由基板搬運平台進入，用於形成EUV遮罩坯件，包括在基板上的反射層的多層堆疊，多層堆疊包括複數個反射層對、在反射層的多層堆疊上的覆蓋層、及在覆蓋層上的吸收層，吸收層由選自由下列組成的群組的合金製成：釕(Ru)及選自由鈮(Nb)、銥(Ir)、錸(Re)、鉑(Pt)、鋯(Zr)、鋨(Os)、錳(Mn)、銀(Ag)、鎝(Tc)、鈷(Co)及鎳(Ni)組成的群組的第1組的一或多種元素的合金，Ru及第1組的一或多種元素及選自由矽(Si)、硼(B)、氮及氧(O)組成的群組的第2組的一或多種元素的合金，Ru及第1組的一或多種元素及鉭(Ta)的合金，Ru及第1組的一或多種元素及第2組的一或多種元素及Ta的合金，銻(Te)及鎳(Ni)的合金，以及銻(Te)及鋁(Al)的合金。系統用於製成關於第4圖或第5圖所示的EUV遮罩坯件，並且具有關於EUV遮罩坯件描述的性質的任一者，該等EUV遮罩坯件關於上文的第4圖或第5圖描述。
製程可大體在記憶體中儲存為軟體常式，當由處理器執行時，該軟體常式導致處理腔室執行本揭示的製程。軟體常式亦可由第二處理器（未圖示）儲存及/或執行，該第二處理器位於由處理器控制的硬體遠端。本揭示的一些或所有方法亦可在硬體中執行。因此，製程可在軟體中實施並且在硬體中使用電腦系統執行，作為例如特殊應用積體電路或其他類型的硬體實施方式，或作為軟體及硬體的組合。當由處理器執行時，軟體常式將通用電腦轉換為專用電腦（控制器），該專用電腦控制腔室操作，使得製程得以執行。
在整個此說明書中提及「一個實施例」、「某些實施例」、「一或多個實施例」或「一實施例」意味著結合實施例描述的特定特徵、結構、材料、或特性包括在本揭示的至少一個實施例中。因此，在整個此說明書的各個位置中出現片語諸如「在一或多個實施例中」、「在某些實施例中」、「在一個實施例中」或「在一實施例中」不一定指本揭示的相同實施例。此外，特定特徵、結構、材料或特性可以任何適宜方式結合在一或多個實施例中。
儘管已經參考特定實施例描述本文的揭示，將理解，此等實施例僅說明本揭示的原理及應用。熟習此項技術者將顯而易見，可以對本揭示的方法及設備進行各種修改及變化，而不脫離本揭示的精神及範疇。因此，本揭示意欲包括在隨附申請專利範圍及其等效的範疇內的修改及變化。
10:習知EUV反射遮罩 12:反射多層堆疊 14:基板 16:經遮蔽（非反射）區域 18:緩衝層 20:吸收層 22:覆蓋層 24:反射區域 100:極紫外光微影系統 102:極紫外光源 104:聚光器 106:EUV反射遮罩 108:光學縮小組件 110:目標晶圓 112:極紫外光 114:遮罩圖案 200:極紫外光反射元件生產系統 202:晶圓裝載及載具搬運系統 203:源基板 204:EUV遮罩坯件 205:極紫外光反射鏡 206:大氣搬運系統 208:晶圓搬運真空腔室 210:第一真空腔室 212:第二真空腔室 214:第一晶圓搬運系統 216:第二晶圓搬運系統 218:除氣系統 220:第一物理氣相沉積系統 222:第二物理氣相沉積系統 224:預清潔系統 226:第一多陰極源 228:化學氣相沉積系統 230:固化腔室 232:超光滑沉積腔室 302:極紫外光反射元件 304:基板 306:反射層的多層堆疊 308:覆蓋層 310:吸收層 312:第一反射層 314:第二反射層 316:反射對 400:極紫外光遮罩坯件 412:反射層 414:基板 420:多層堆疊 420a:吸收層對 420b:吸收層對 420c:吸收層對 420d:吸收層對 420e:吸收層對 420f:吸收層對 422:覆蓋層 500:多陰極腔室 501:基底結構 502:圓柱形主體部分 504:頂部配接器 506:陰極源 508:陰極源 510:陰極源 512:陰極源 514:陰極源
為了能夠詳細理解本揭示的上述特徵所用方式，可參考實施例進行對上文簡要概述的本揭示的更特定描述，一些實施例在附圖中示出。然而，將注意，附圖僅示出本揭示的常見實施例，並且由此不被認為限制其範疇，因為本揭示可允許其他等同有效的實施例。
第1圖示意性地示出了採用習知吸收劑的背景技術EUV反射遮罩；
第2圖示意性地示出了極紫外光微影系統的實施例；
第3圖示出了極紫外光反射元件生產系統的實施例；
第4圖示出了諸如EUV遮罩坯件的極紫外光反射元件的實施例；
第5圖示出了諸如EUV遮罩坯件的極紫外光反射元件的實施例；以及
第6圖示出了多陰極物理沉積腔室的實施例。
國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無 國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
500:多陰極腔室
501:基底結構
502:圓柱形主體部分
504:頂部配接器
506:陰極源
508:陰極源
510:陰極源
512:陰極源
514:陰極源

Claims (20)

  1. 一種極紫外光(EUV)遮罩坯件，包含： 一基板； 在該基板上的反射層的一多層堆疊，反射層的該多層堆疊包括複數個反射層，包括反射層對；以及 在反射層的該多層堆疊上的一吸收層，該吸收層包含選自由下列組成的群組的一合金：釕(Ru)及選自由鈮(Nb)、銥(Ir)、錸(Re)、鉑(Pt)、鋯(Zr)、鋨(Os)、錳(Mn)、銀(Ag)、鎝(Tc)、鈷(Co)及鎳(Ni)組成的群組的第1組的一或多種元素的一合金，Ru及第1組的該一或多種元素及選自由矽(Si)、硼(B)、氮（N）及氧(O)組成的群組的第2組的一或多種元素的一合金，Ru及第1組的該一或多種元素及鉭(Ta)的一合金，Ru及第1組的該一或多種元素及第2組的該一或多種元素及Ta的一合金，銻(Te)及鎳(Ni)的一合金，以及銻(Te)及鋁(Al)的一合金。
  2. 如請求項1所述的極紫外光(EUV)遮罩坯件，其中Ru及第1組的該一或多種元素的該合金選自由下列組成的群組：具有從約31.8重量%至約86.1重量%的Ru及從約13.9重量%至約68.2重量%的Nb的Ru及Nb的一合金，具有從約2.6重量%至約90.9重量%的Ru及從約9.1重量%至約97.4重量%的Ir的Ru及Ir的一合金，具有從約18.8重量%至約75.5重量%的Ru及從約24.5重量%至約81.2重量%的Re的Ru及Re的一合金，具有從約2.6重量%至約90.8重量%的Ru及從約9.2重量%至約97.4重量%的Pt的Ru及Pt的一合金，具有從約47.5重量%至約95.5重量%的Ru及從約4.5重量%至約52.5重量%的Zr的Ru及Zr的一合金，具有從約2.7重量%至約91.0重量%的Ru及從約9.0重量%至約97.3重量%的Os的Ru及Os的一合金，具有從約44.0重量%至約88.1重量%的Ru及從約11.9重量%至約56.0重量%的Mn的Ru及Mn的一合金，具有從約4.7重量%至約94.7重量%的Ru及從約5.3重量%至約95.3重量%的Ag的Ru及Ag的一合金，具有從約5.1重量%至約95.2重量%的Ru及從約4.8重量%至約94.9重量%的Tc的Ru及Tc的一合金，具有從約8.2重量%至約97.1重量%及從約2.9重量%至約91.8重量%的Co的Ru及Co的一合金以及具有從約23.3重量%至約97.1重量%的Ru及從約2.9重量%至約76.7重量%的Ni的Ru及Ni的一合金。
  3. 如請求項1所述的極紫外光(EUV)遮罩坯件，其中Ru及第1組的該一或多種元素及Ta的該合金選自由下列組成的群組：具有從約18.1重量%至約84.8重量%的Ru、從約6.6重量%至約73.3重量%的Nb及從約8.6重量%至約75.3重量%的Ta的Ru、Nb及Ta的一合金，具有從約2.7重量%至約88.6重量%的Ru、從約6.6重量%至約92.5重量%的Ir及從約4.8重量%至約90.7重量%的Ta的Ru、Ir及Ta的一合金，具有從約2.7重量%至約88.7重量%的Ru、從約6.4重量%至約92.4重量%的Re及從約4.9重量%至約90.9重量%的Ta的Ru、Re及Ta的一合金，具有從約2.6重量%至約88.7重量%的Ru、從約6.6重量%至約92.7重量%的Pt及從約4.7重量%至約90.8重量%的Ta的Ru、Pt及Ta的一合金，具有從約28.8重量%至約88.2重量%的Ru、從約3.2重量%至約62.6重量%的Zr及從約8.6重量%至約68.0重量%的Ta的Ru、Zr及Ta的一合金，具有從約2.7重量%至約88.7重量%的Ru、從約6.5重量%至約92.5重量%的Os及從約4.8重量%至約90.8重量%的Ta的Ru、Os及Ta的一合金，具有從約19.5重量%至約87.0重量%的Ru、從約4.0重量%至約71.5重量%的Mn及從約9.0重量%至約76.5重量%的Ta的Ru、Mn及Ta的一合金，具有從約3.5重量%至約88.1重量%的Ru、從約3.8重量%至約88.4重量%的Ag及從約8.1重量%至約92.7重量%的Ta的Ru、Ag及Ta的一合金，具有從約3.6重量%至約88.0重量%的Ru、從約3.4重量%至約87.8重量%的Tc及從約8.6重量%至約93.0重量%的Ta的Ru、Tc及Ta的一合金，具有從約19.3重量%至約86.8重量%的Ru、從約4.3重量%至約71.8重量%的Co及從約8.9重量%至約76.4重量%的Ta的Ru、Co及Ta的一合金以及具有從約37.4重量%至約89.2重量%的Ru、從約2.1重量%至約53.9重量%的Ni及從約8.7重量%至約60.5重量%的Ta的Ru、Ni及Ta的一合金。
  4. 如請求項2所述的極紫外光(EUV)遮罩坯件，其中該合金進一步包含選自由第2組的該一或多種元素組成的群組的約0.1重量%至約5.0重量%的一摻雜劑。
  5. 如請求項3所述的極紫外光(EUV)遮罩坯件，其中該合金進一步包含選自由第2組的該一或多種元素組成的群組的約0.1重量%至約5.0重量%的一摻雜劑。
  6. 如請求項1所述的極(EUV)遮罩坯件，其中Te及Ni的該合金包括從約10.0重量%至約97.7重量%的Te及從約2.3重量%至約90.0重量%的Ni。
  7. 如請求項1所述的極(EUV)遮罩坯件，其中Te及Al的該合金包括從約19.9重量%至約98.9重量%的Te及從約1.1重量%至約80.1重量%的Al。
  8. 如請求項6所述的極紫外光(EUV)遮罩坯件，其中該吸收層進一步包含選自氮或氧的一或多個的從約0.1重量%至約5.0重量%的一摻雜劑。
  9. 如請求項7所述的極紫外光(EUV)遮罩坯件，其中該吸收層進一步包含選自氮或氧的一或多個的從約0.1重量%至約5.0重量%的一摻雜劑。
  10. 如請求項1所述的極紫外光(EUV)遮罩坯件，其中該吸收層具有小於45 nm的一厚度。
  11. 如請求項1所述的極紫外光(EUV)遮罩坯件，其中該吸收層具有小於約2%的一反射率。
  12. 如請求項1所述的極紫外光(EUV)遮罩坯件，其中該吸收層相對於該覆蓋層選擇性蝕刻。
  13. 一種製造一極紫外光(EUV)遮罩坯件的方法，包含以下步驟： 在一基板上形成反射層的一多層堆疊，反射層的該多層堆疊包括複數個反射層對；以及 在反射層的該多層堆疊上形成一吸收層，該吸收層包含選自由下列組成的群組的一合金：釕(Ru)及選自由鈮(Nb)、銥(Ir)、錸(Re)、鉑(Pt)、鋯(Zr)、鋨(Os)、錳(Mn)、銀(Ag)、鎝(Tc)、鈷(Co)及鎳(Ni)組成的群組的第1組的一或多種元素的一合金，Ru及第1組的該一或多種元素及選自由矽(Si)、硼(B)、氮及氧(O)組成的群組的第2組的一或多種元素的一合金，Ru及第1組的該一或多種元素及鉭(Ta)的一合金，Ru及第1組的該一或多種元素及第2組的該一或多種元素及Ta的一合金，銻(Te)及鎳(Ni)的一合金，以及銻(Te)及鋁(Al)的一合金。
  14. 如請求項13所述的方法，其中Ru及第1組的該一或多種元素的該合金選自由下列組成的群組：具有從約31.8重量%至約86.1重量%的Ru及從約13.9重量%至約68.2重量%的Nb的Ru及Nb的一合金，具有從約2.6重量%至約90.9重量%的Ru及從約9.1重量%至約97.4重量%的Ir的Ru及Ir的一合金，具有從約18.8重量%至約75.5重量%的Ru及從約24.5重量%至約81.2重量%的Re的Ru及Re的一合金，具有從約2.6重量%至約90.8重量%的Ru及從約9.2重量%至約97.4重量%的Pt的Ru及Pt的一合金，具有從約47.5重量%至約95.5重量%的Ru及從約4.5重量%至約52.5重量%的Zr的Ru及Zr的一合金，具有從約2.7重量%至約91.0重量%的Ru及從約9.0重量%至約97.3重量%的Os的Ru及Os的一合金，具有從約44.0重量%至約88.1重量%的Ru及從約11.9重量%至約56.0重量%的Mn的Ru及Mn的一合金，具有從約4.7重量%至約94.7重量%的Ru及從約5.3重量%至約95.3重量%的Ag的Ru及Ag的一合金，具有從約5.1重量%至約95.2重量%的Ru及從約4.8重量%至約94.9重量%的Tc的Ru及Tc的一合金，具有從約8.2重量%至約97.1重量%及從約2.9重量%至約91.8重量%的Co的Ru及Co的一合金以及具有從約23.3重量%至約97.1重量%的Ru及從約2.9重量%至約76.7重量%的Ni的Ru及Ni的一合金。
  15. 如請求項13所述的方法，其中Ru及第1組的該一或多種元素及Ta的該合金選自由下列組成的群組：具有從約18.1重量%至約84.8重量%的Ru、從約6.6重量%至約73.3重量%的Nb及從約8.6重量%至約75.3重量%的Ta的Ru、Nb及Ta的一合金，具有從約2.7重量%至約88.6重量%的Ru、從約6.6重量%至約92.5重量%的Ir及從約4.8重量%至約90.7重量%的Ta的Ru、Ir及Ta的一合金，具有從約2.7重量%至約88.7重量%的Ru、從約6.4重量%至約92.4重量%的Re及從約4.9重量%至約90.9重量%的Ta的Ru、Re及Ta的一合金，具有從約2.6重量%至約88.7重量%的Ru、從約6.6重量%至約92.7重量%的Pt及從約4.7重量%至約90.8重量%的Ta的Ru、Pt及Ta的一合金，具有從約28.8重量%至約88.2重量%的Ru、從約3.2重量%至約62.6重量%的Zr及從約8.6重量%至約68.0重量%的Ta的Ru、Zr及Ta的一合金，具有從約2.7重量%至約88.7重量%的Ru、從約6.5重量%至約92.5重量%的Os及從約4.8重量%至約90.8重量%的Ta的Ru、Os及Ta的一合金，具有從約19.5重量%至約87.0重量%的Ru、從約4.0重量%至約71.5重量%的Mn及從約9.0重量%至約76.5重量%的Ta的Ru、Mn及Ta的一合金，具有從約3.5重量%至約88.1重量%的Ru、從約3.8重量%至約88.4重量%的Ag及從約8.1重量%至約92.7重量%的Ta的Ru、Ag及Ta的一合金，具有從約3.6重量%至約88.0重量%的Ru、從約3.4重量%至約87.8重量%的Tc及從約8.6重量%至約93.0重量%的Ta的Ru、Tc及Ta的一合金，具有從約19.3重量%至約86.8重量%的Ru、從約4.3重量%至約71.8重量%的Co及從約8.9重量%至約76.4重量%的Ta的Ru、Co及Ta的一合金以及具有從約37.4重量%至約89.2重量%的Ru、從約2.1重量%至約53.9重量%的Ni及從約8.7重量%至約60.5重量%的Ta的Ru、Ni及Ta的一合金。
  16. 如請求項13所述的方法，其中Te及Ni的該合金包括從約10.0重量%至約97.7重量%的Te及從約2.3重量%至約90.0重量%的Ni。
  17. 如請求項13所述的方法，其中Te及Al的該合金包括從約19.9重量%至約98.9重量%的Te及從約1.1重量%至約80.1重量%的Al。
  18. 如請求項13所述的方法，其中該合金藉由選自氬氣(Ar)、氧氣(O 2)、或氮氣(N 2)的一或多個的一氣體共同濺射以形成該吸收層。
  19. 如請求項13所述的方法，其中該合金使用選自氬氣(Ar)、氧氣(O 2)、或氮氣(N 2)的一或多個的一氣體逐層沉積為一層疊以形成該吸收層。
  20. 如請求項13所述的方法，其中該合金使用具有與該合金相同的一組成物的一主體目標沉積，並且使用選自氬氣(Ar)、氧氣(O 2)、或氮氣(N 2)的一或多個的一氣體濺射以形成該吸收層。
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