KR101179269B1 - 극자외선용 블랭크 마스크 및 그 형성방법 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 48
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims abstract description 74
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 53
- 230000006698 induction Effects 0.000 claims abstract description 42
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 8
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 7
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 6
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims description 6
- 230000003068 static effect Effects 0.000 claims description 6
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- CXOWYMLTGOFURZ-UHFFFAOYSA-N azanylidynechromium Chemical group [Cr]#N CXOWYMLTGOFURZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 5
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 107
- 239000000463 material Substances 0.000 description 21
- 238000001900 extreme ultraviolet lithography Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 2
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
- G03F1/24—Reflection masks; Preparation thereof
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/52—Reflectors
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/72—Repair or correction of mask defects
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/033—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
- H01L21/0334—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane
- H01L21/0337—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane characterised by the process involved to create the mask, e.g. lift-off masks, sidewalls, or to modify the mask, e.g. pre-treatment, post-treatment
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- G—PHYSICS
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
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Abstract
본 발명의 극자외선용 블랭크 마스크의 형성방법은, 기판의 제1면 상에 입사되는 극자외선광을 반사시키는 반사층을 형성하는 단계; 기판의 제1면과 대향하는 기판의 제2면 상에 정전기를 유도하는 정전 유도층을 형성하는 단계; 기판의 제1면에서 반사층을 형성하는 과정에서 발생된 결함을 포함하는 제1 영역을 검출하는 단계; 및 검출된 제1 영역과 대응하는 정전 유도층의 제2 영역에 제2 영역의 표면과 단차를 가지는 제1 깊이의 리세스 홈을 형성하는 단계를 포함한다.
Description
본 발명은 포토마스크에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 극자외선용 블랭크 마스크 및 그 형성방법에 관한 것이다.
포토마스크(Photomask)는 투명한 재질의 기판 상에 형성된 마스크 패턴 상에 빛을 투과시켜 투과된 빛이 웨이퍼로 전사되어 웨이퍼 상에 원하는 패턴을 형성한다. 포토마스크 상에 적용하는 노광 공정으로 주로 전자빔(electron beam)을 이용하고 있다. 그러나 반도체 소자의 집적도가 높아지면서 마스크 패턴을 형성하는데 있어 한계가 나타나고 있다. 이러한 한계를 극복하기 위한 방법 가운데 하나로 극자외선(EUV; Extreme Ultra Violet)을 이용한 리소그래피(Lithography) 공정이 있다. 극자외선 리소그래피(EUVL) 공정은 종래 노광 공정에서 사용하는 KrF 또는 ArF 파장의 광원보다 짧은 극자외선(EUV)을 광원으로 사용한다. 극자외선을 광원으로 사용하게 되면, 대부분의 물질에서 흡수가 이루어지는 극자외선 광원의 특성에 따라 현재의 투과(transmission)를 이용한 노광 방법으로는 이용이 어려운 점이 있다. 이에 따라 투과를 이용한 노광 방법이 아닌 광을 반사시켜 노광하는 방법이 연구되고 있다.
극자외선 리소그래피에서 사용되는 마스크, 즉, 극자외선용 포토마스크는, 석영(quartz)과 같은 낮은 열팽창 계수(LTE: Low Thermal Expansion coefficient)를 가지는 기판 상에 Mo/Si층의 다층 구조로 이루어지는 반사층을 포함하여 형성되고, 광반사층 표면을 부분적으로 노출하는 광흡수층 패턴이 반사층 상에 형성된다. 따라서 웨이퍼 상으로 전사될 패턴의 레이아웃(layout)을 따르는 형상으로 광흡수층 패턴이 형성된다. 그런데 다층 구조로 이루어지는 반사층에 결함이 존재하면 결함이 발생된 영역의 빛의 반사가 이루어지지 못하게 되고, 이로 인해 웨이퍼 상에 원하는 패턴을 구현하기 어려운 문제가 있다. 그러나 현재 극자외선 리소그래피에 사용되는 극자외선용 포토마스크의 리페어(repair) 공정은 광흡수층 패턴의 수정 방법에 대해서만 제시하고 있으며, 반사층을 수정하는 방법에 대해서는 제시하지 못하고 있는 실정이다. 이는 반사층은 Mo/Si층이 복수의 쌍으로 증착된 다층 구조로 구성되어 있으므로 반사층 내부에 결함이 발생하게 되면 이에 대한 수정이 실질적으로 어렵기 때문이다. 이에 따라 결함을 검출하는 검사 단계에서 반사층 상에 결함을 가지고 있는 마스크가 발견되면, 결함이 발견된 마스크는 반송하고, 다시 작업하여 극자외선용 포토마스크를 제작해야 하는 문제가 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 극자외선용 포토마스크를 제조하는 과정에서 기판 상에 형성된 범프형 이물에 의한 위상 결함의 영향을 감소시켜 웨이퍼에 결함이 전사되는 것을 방지할 수 있는 극자외선용 블랭크 마스크 및 그 형성방법을 제공하는데 있다.
본 발명의 일 관점에 따른 극자외선용 블랭크 마스크의 형성방법은, 기판의 제1면 상에 입사되는 극자외선광을 반사시키는 반사층을 형성하는 단계; 상기 기판의 제1면과 대향하는 상기 기판의 제2면 상에 정전기를 유도하는 정전 유도층을 형성하는 단계; 상기 기판의 제1면에서 상기 반사층을 형성하는 과정에서 발생된 결함을 포함하는 제1 영역을 검출하는 단계; 및 상기 검출된 제1 영역과 대응하는 정전 유도층의 제2 영역에 상기 제2 영역의 표면과 단차를 가지는 제1 깊이의 리세스 홈을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 있어서, 상기 반사층은 몰리브데늄(Mo)층 및 실리콘(Si)층이 30층 내지 60층이 교차 증착된 다층 구조로 형성하고, 상기 정전 유도층은 크롬질화물(CrN)을 포함하여 30nm 내지 60nm의 두께로 형성할 수 있다.
상기 결함을 포함하는 제1 영역을 검출하는 단계는, 상기 반사층이 형성된 기판 상에 결함 검출 장치를 배치하는 단계; 및 상기 결함 검출 장치를 일 방향으로 이동하면서 상기 기판 상에 존재하는 결함의 위치, 결함의 높이 및 폭을 확인하는 단계를 포함하는 것이 바람직하다.
상기 결함 검출 장치는 상기 기판 상에 자외선을 포함하는 화학선(actinic)을 조사하거나 광학적인 방법을 이용하여 상기 기판 상의 결함을 검출할 수 있다.
상기 결함은 1개 이상의 범프형 이물질을 포함한다.
상기 리세스 홈을 형성하는 단계는, 상기 정전 유도층 상에 레지스트막을 형성하는 단계; 상기 레지스트막 상에 노광 및 현상 공정을 진행하여 상기 제2 영역의 정전 유도층을 선택적으로 노출시키는 오픈 영역을 형성하는 단계; 및 상기 정전 유도층의 노출 부분을 식각하여 리세스 홈을 형성하는 단계를 포함하는 것이 바람직하다.
상기 리세스 홈은 상기 반사층을 형성하는 과정에서 발생된 결함의 폭과 동일하거나 넓은 폭을 가지게 형성하고, 상기 리세스 홈은 상기 결함의 높이와 같거나 더 큰 깊이로 형성하여 결함의 높이가 0nm인 현상으로 유도하여 상기 제1 영역으로 극자외선광이 입사하여 반사되는 반사광의 위상을 완화시킨다.
상기 리세스 홈을 형성하는 단계는, 포커스 이온빔 장비 또는 전자빔 장비로부터 이온빔 또는 전자빔을 정전 유도층의 제2 영역 상에 선택적으로 조사하여 형성하는 것이 바람직하다.
본 발명의 다른 관점에 따른 극자외선용 블랭크 마스크는, 기판; 상기 기판의 제1면에 입사되는 극자외선광을 반사시키는 반사층; 상기 기판의 제1면과 대향하는 상기 기판의 제2면에 형성된 정전기를 유도하는 정전 유도층; 및 상기 반사층 상에 존재하는 결함의 제1 위치와 대응하는 상기 정전 유도층의 제2 위치에 형성된 상기 제2 위치의 표면과 단차를 가지는 리세스 홈을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 극자외선용 블랭크 마스크의 반사층 상에 위상 결함을 유도하는 범프형 이물이 발생하는 경우 이 범프형 이물의 위치를 확인하고, 범프형 이물이 위치하는 영역의 위상 결함을 완화시켜 웨이퍼 상에 형성하고자 하는 패턴의 형상대로 구현할 수 있다.
도 1은 극자외선용 블랭크 마스크를 나타내보인 도면이다.
도 2 및 도 3은 도 1의 범프형 이물에 따른 영향을 설명하기 위해 나타내보인 도면들이다.
도 4 내지 도 7은 본 발명의 실시예에 따른 위상 결함이 완화된 극자외선용 블랭크 마스크의 형성방법을 설명하기 위해 나타내보인 도면들이다.
도 2 및 도 3은 도 1의 범프형 이물에 따른 영향을 설명하기 위해 나타내보인 도면들이다.
도 4 내지 도 7은 본 발명의 실시예에 따른 위상 결함이 완화된 극자외선용 블랭크 마스크의 형성방법을 설명하기 위해 나타내보인 도면들이다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 상세히 설명하고자 한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
도 1은 극자외선용 블랭크 마스크를 나타내보인 도면이다. 그리고 도 2 및 도 3은 도 1의 범프형 이물에 따른 영향을 설명하기 위해 나타내보인 도면들이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 기판(100) 상에 반사층(mirror layer, 125) 및 캡핑층(120)을 형성하여 극자외선용 블랭크 마스크(M)를 형성한다. 기판(100)은 열팽창계수(Thermal expansion coefficient)가 낮은 물질로 이루어지며, 불투명한 재질로 이루어져도 무관하다. 그러나 극자외선 리소그래피용 마스크를 제작하는 과정에서 공급되는 에너지를 흡수하기 때문에 이후 형성될 마스크 패턴들의 최소 팽창 및 축소를 위하여 극도로 낮은 열팽창 계수를 갖는 물질을 이용하는 것이 바람직하다. 본 발명의 실시예에서는 석영(quartz)을 포함한 기판으로 적용할 수 있다.
기판(100) 상에 형성되는 반사층(125)은 이후 진행될 노광 공정에서 마스크로 조사되는 광을 반사시키는 역할을 한다. 반사층(125)은 입사되는 극자외선광(EUV)을 산란시키는 산란층(105)과 산란층(105) 사이를 이격시키는 이격층(110)을 포함하는 이중층(115)이 다층으로 적층되어 형성된다. 여기서 산란층(105)은 몰리브데늄(Mo)층을 포함하여 형성될 수 있고, 이격층(110)은 실리콘(Si)층을 포함하여 형성될 수 있다. 이러한 산란층(105) 및 이격층(110)은 고반사율을 구현하기 위하여 30층 내지 60층이 교차 증착된 다층 구조로 형성할 수 있다. 반사층(125) 상에는 반사층(125)의 원하지 않는 산화나 오염을 억제하기 위한 보호층으로 캡핑층(capping layer: 120)이 도입될 수 있다. 캡핑층(120)은 크롬질화물(CrN)층이나 루테늄(Ru)층을 포함하여 형성할 수 있다.
그런데 이러한 극자외선용 블랭크 마스크를 형성하는 과정에서 1개 이상의 범프(bump)형 이물(130)이 기판(100) 또는 반사층(125) 상에 발생할 수 있다. 범프형 이물(130)은 산란층(105)과 이격층(110)을 형성하기 위한 증착 공정을 수행하는 단계에서 파티클(particle)들이 발생하여 제거되지 않고 남아 있는 이물질로 정의될 수 있다. 이러한 범프형 이물(130)이 남아 있는 극자외선용 블랭크 마스크(M)에 극자외선 광원을 조사하면, 도 2에 도시한 바와 같이, 입사된 극자외선광(λ1)의 위상과 범프형 이물(130)이 존재하는 영역에 대응하는 반사층(125)의 영역(A)에서 반사된 반사광(λ2)의 위상에 차이가 나타나게 된다. 따라서 범프형 이물을 제거하지 않으면 이후 반사도의 차이는 크지 않지만 위상차(phase error)가 큰 결함인 위상 결함(phase defect)으로 발전하여 웨이퍼 인쇄적합성(wafer printability)에 영향을 미치게 된다. 즉, 웨이퍼에 전사하고자 하는 목표 패턴 형상뿐만 아니라 범프형 이물의 형상까지 웨이퍼 상에 인쇄되는 결함이 발생할 수 있다.
범프형 이물이 웨이퍼 인쇄적합성에 미치는 영향을 나타내보인 도 3을 참조하면, 기판 또는 반사층에서 반사되는 반사광의 위상이 돌출되는 높이에 따라 웨이퍼상에 결함이 인쇄되는 여부가 결정되는 결과를 도출할 수 있다. 구체적으로, 도 3의 (a1) 내지 (f1)는 결함(130')의 높이에 따라 반사층에서 반사되는 반사광의 위상이 돌출되는 높이를 시뮬레이션하여 나타내보인 도면이고, 도 3의 (a2) 내지 (f2)는 반사광의 위상이 (a1) 내지 (f1)의 높이를 가지는 경우 웨이퍼 상에 결함이 나타나는 위치를 그래프(g1~g6)로 나타내보인 도면이다. 여기서 결함의 폭(w)은 40nm로 모두 동일하게 적용하였다. 예를 들어, 도 3의 (a1)에 도시한 바와 같이, 반사층 상에 존재하는 결함의 높이가 0nm인 경우, 도 3의 (a2)에 도시한 바와 같이, 그래프 g1은 웨이퍼 상에 결함이 형성되는 임계선(CL; Critical Line) 위에 배치되어 웨이퍼 상에 결함이 인쇄되지 않는다. 그런데 도 3의 (b1) 및 (b2)를 참조하면, 반사층 상에 존재하는 결함의 높이(h1)가 8nm인 경우에는 그래프 g2가 임계선(CL) 아래로 진행하여 웨이퍼 상에 결함이 인쇄되고, 결함이 웨이퍼에 인쇄되는 간격은 11nm이다. 다음에 도 3의 (c1) 및 (c2)를 참조하면, 반사층 상에 존재하는 결함의 높이(h2)가 16nm인 경우에는 그래프 g3에서 결함이 웨이퍼에 인쇄되는 간격은 5nm로 결함의 높이가 8nm인 경우보다 결함이 나타나는 간격이 더 좁아지는 것을 확인할 수 있다. 이는 결함이 웨이퍼 상에 영향을 미치는 부분이 더 넓어지는 것으로 이해될 수 있다. 이와 마찬가지로 반사층 상에 존재하는 결함의 높이(h3, h4, h5)가 24nm, 32nm 및 40nm로 높아질수록(도 3의 d1, e1, f1 참조) 결함이 나타나는 간격은 4nm, 3nm 및 2.5nm(도 3의 d2, e2, f2 참조)로 더욱 좁아지는 것을 확인할 수 있다.
즉, 결함의 높이가 높을수록 웨이퍼 상에 결함이 인쇄되는 가능성이 더 높아지고, 영향을 미치는 부분 또한 더 넓어지는 것을 확인할 수 있다. 이에 따라 결함의 높이를 극자외선 블랭크 마스크 상에 반영하여 반사층에서 반사되는 반사광의 위상이 돌출되는 것을 완화시키면 범프형 이물의 형상이 웨이퍼 상에 인쇄되는 것을 방지할 수 있다는 결과를 도출할 수 있다. 이에 본 발명의 실시예에서는 결함의 높이를 반영하여 반사층에서 반사되는 반사광의 위상이 돌출되는 것을 완화시키고자 한다. 이하 도 4 내지 도 7을 참조하여 설명하기로 한다.
도 4 내지 도 6은 본 발명의 실시예에 따른 위상 결함이 완화된 극자외선용 블랭크 마스크의 형성방법을 설명하기 위해 나타내보인 도면들이다. 그리고 도 7은 본 발명에 따라 형성된 위상 결함이 완화된 극자외선 블랭크 마스크를 나타내보인 도면이다.
먼저 도 4를 참조하면, 기판(100)의 제1면 상에 반사층(125) 및 캡핑층(120)이 형성된 극자외선용 블랭크 마스크(M)를 준비한다. 기판(100) 상에 형성되는 반사층(125)은 입사되는 극자외선광(EUV)을 산란시키는 산란층(105)과 산란층(105) 사이를 이격시키는 이격층(110)을 포함하는 이중층(115)이 다층으로 적층되어 형성된다. 산란층(105)은 몰리브데늄(Mo)층을 포함하여 형성될 수 있고, 이격층(110)은 실리콘(Si)층을 포함하여 형성될 수 있다. 산란층(105) 및 이격층(110)은 30층 내지 60층이 교차 증착된 다층 구조로 형성할 수 있다. 반사층(125) 상에는 반사층(125)의 보호층으로 캡핑층(120)이 도입될 수 있다.
다음에 기판(100)의 제1면과 대향하는 기판(100)의 제2면 상에 정전 유도층(135)을 형성한다. 여기서 기판(100)의 제1면은 기판(100)의 전면부이고, 제2면은 기판(100)의 후면부이다. 극자외선용 리소그래피 공정은 마스크 패턴 형성시 기판(100)을 정전 척(ESC; Electrostatic chuck)에 흡착시킨 상태에서 노광 공정을 진행한다. 정전 척은 기판(100)을 물리적으로 고정(clamping)하거나 탈착(declamping)시키는 동작에서 마스크의 표면으로 파티클(particle)과 같은 이물질이 전이되는 것을 방지하기 위해 물리적 고정 도구(mechanical clamping fixture) 대신에 적용하며, 진공 상태가 요구된다. 이러한 정전 척을 기판(100)에 고정시키기 위해 정전 작용에 의한 기판(100)의 장착을 유도하는 정전 유도층(135)을 기판(100)의 제2면 상에 형성한다. 이후 공정에서 정전 척과 연결된 전극(미도시함)에 전압을 인가하면 전극과 정전 유도층(135) 사이에서 정전기가 발생하고, 이 정전기에 의해 정전 유도층(135)이 고정되어 극자외선용 마스크가 정전 척에 고정될 수 있다. 여기서 정전 유도층(135)은 크롬질화물(CrN)을 포함하여 형성할 수 있다. 정전 유도층(135)은 30nm 내지 60nm의 두께(h)로 형성하며, 바람직하게는 60nm의 두께로 형성한다.
도 5를 참조하면, 기판(100) 또는 반사층(125) 상에 발생한 범프형 이물질(130)의 위치를 검출한다. 구체적으로, 반사층(125)이 형성된 기판(100) 상에 결함 검출 장치(300)를 배치한다. 결함 검출 장치는 기판(100) 상에 자외선을 포함하는 화학선(actinic)을 조사하거나 광학적인 방법을 이용하여 결함을 검출하는 장치를 이용할 수 있다. 이러한 결함 검출 장치(300)를 일 방향으로 이동하면서 기판(100)상에 존재하는 범프형 이물질(130)의 좌표를 확인한다. 결함 검출 장치(300)에 의해 좌표로 검출된 범프형 이물질(130)의 높이 및 폭을 확인할 수 있다.
도 6을 참조하면, 정전 유도층(135)의 일부 영역을 식각하여 리세스 홈(140)을 형성한다. 구체적으로, 결함 검출 장치(300, 도 5 참조)를 이용하여 확인된 범프형 이물질(130)의 위치에 대응하는 정전 유도층(135)의 일부를 식각하여 정전 유도층(135) 내에 리세스 홈(140)을 형성한다. 정전 유도층(135) 내에 형성된 리세스 홈(140)은 범프형 이물질(130)의 제1폭(w1)과 동일하거나 넓은 제2폭(w2)을 가지고, 범프형 이물질(130)의 높이(d1)보다 큰 제1 깊이(d2)를 가지게 형성하는 것이 바람직하다. 여기서 리세스 홈(140)은 이후 정전 척과 흡착시 정전기를 발생시킬 수 있는 두께의 정전 유도층은 남겨놓는 것이 바람직하다.
정전 유도층(135) 내에 형성된 리세스 홈(140)은 패터닝을 이용한 식각 공정으로 형성하거나 또는 레이저 빔을 조사하여 형성할 수 있다. 예를 들어, 정전 유도층(135) 상에 레지스트막(미도시함)을 형성하고, 레지스트막 상에 노광 및 현상 공정을 진행하여 결함 발생 영역의 위치와 대응하는 정전 유도층 부분을 선택적으로 노출시키는 오픈 영역을 형성한다. 다음에 오픈 영역에 의해 노출된 정전 유도층(135)을 식각하여 정전 유도층(135) 내에 제2폭(w2) 및 제1 깊이(d2)를 가지는 리세스 홈(140)을 형성할 수 있다. 또한 정전 유도층(135) 내에 형성된 리세스 홈(140)은 포커스 이온빔 장비 또는 전자빔 장비로부터 이온빔 또는 전자빔을 정전 유도층(135) 상에 선택적으로 조사함으로써 식각하여 형성할 수도 있다.
도 4 내지 도 6에 의해 형성된 극자외선 블랭크 마스크(M) 상에 극자외선광을 입사하여 반사된 반사광의 위상(500)을 나타내보인 도 7을 참조하면, 범프형 이물질(130)의 높이(d1)보다 큰 제1 깊이(d2)를 가지게 형성된 리세스 홈(140)에 의해 범프형 이물질의 높이가 0nm 인 것과 같은 효과를 유도하여 반사광의 위상이 돌출되는 높이를 완화시킬 수 있다.
100: 기판 125: 반사층
120: 캡핑층 130: 정전 유도층
300: 결험 검출 장치
120: 캡핑층 130: 정전 유도층
300: 결험 검출 장치
Claims (15)
- 기판의 제1면 상에 입사되는 극자외선광을 반사시키는 반사층을 형성하는 단계;
상기 기판의 제1면과 대향하는 상기 기판의 제2면 상에 정전기를 유도하는 정전 유도층을 형성하는 단계;
상기 기판 상에 일 방향으로 이동하면서 광선을 조사하여 검출되는 결함의 위치, 결함의 높이 및 폭을 확인할 수 있는 결함 검출 장치를 배치하는 단계;
상기 결함 검출 장치를 기판의 일 방향으로 이동시키면서 상기 기판의 제1면에서 상기 반사층을 형성하는 과정에서 발생된 결함을 포함하는 제1 영역을 검출하는 단계;
상기 정전 유도층 상에 레지스트막을 형성하는 단계; 및
상기 결함을 포함하는 제1 영역과 대향되는 정전 유도층의 제2 영역을 선택적으로 식각하여 상기 정전 유도층 내에 제1 깊이의 리세스 홈을 형성하는 단계를 포함하는 극자외선용 블랭크 마스크의 형성 방법. - 제1항에 있어서,
상기 반사층은 몰리브데늄(Mo)층 및 실리콘(Si)층이 30층 내지 60층이 교차 증착된 다층 구조로 형성하는 극자외선용 블랭크 마스크의 형성방법. - 제1항에 있어서,
상기 정전 유도층은 크롬질화물(CrN)을 포함하여 30nm 내지 60nm의 두께로 형성하는 극자외선용 블랭크 마스크의 형성방법. - 삭제
- 제1항에 있어서,
상기 결함 검출 장치는 상기 기판 상에 자외선을 포함하는 화학선(actinic)을 조사하거나 광학적인 방법을 이용하여 상기 기판 상의 결함을 검출하는 극자외선용 블랭크 마스크의 형성 방법. - 제1항에 있어서,
상기 결함은 1개 이상의 범프형 이물질을 포함하는 극자외선용 블랭크 마스크의 형성 방법. - 제1항에 있어서,
상기 리세스 홈을 형성하는 단계는, 상기 정전 유도층 상에 레지스트막을 형성하는 단계;
상기 레지스트막 상에 노광 및 현상 공정을 진행하여 상기 제2 영역의 정전 유도층을 선택적으로 노출시키는 오픈 영역을 형성하는 단계; 및
상기 정전 유도층의 노출 부분을 식각하여 리세스 홈을 형성하는 단계를 포함하는 극자외선용 블랭크 마스크의 형성 방법. - 제6항에 있어서,
상기 리세스 홈은 상기 반사층을 형성하는 과정에서 발생된 결함의 폭과 동일하거나 넓은 폭을 가지게 형성하는 극자외선용 블랭크 마스크의 형성 방법. - 제1항에 있어서,
상기 리세스 홈은 상기 결함의 높이와 같거나 더 큰 깊이로 형성하여 결함의 높이가 0nm인 현상으로 유도하여 상기 제1 영역으로 극자외선광이 입사하여 반사되는 반사광의 위상을 완화시키는 극자외선용 블랭크 마스크의 형성 방법. - 제1항에 있어서,
상기 리세스 홈을 형성하는 단계는, 포커스 이온빔 장비 또는 전자빔 장비로부터 이온빔 또는 전자빔을 정전 유도층의 제2 영역 상에 선택적으로 조사하여 형성하는 극자외선용 블랭크 마스크의 형성 방법. - 기판;
상기 기판의 제1면에 입사되는 극자외선광을 반사시키는 반사층;
상기 기판의 제1면과 대향하는 상기 기판의 제2면에 형성된 정전기를 유도하는 정전 유도층; 및
상기 반사층 상에 존재하는 결함의 제1 위치와 대응하는 상기 정전 유도층의 제2 위치에 형성된 상기 제2 위치의 표면과 단차를 가지는 리세스 홈을 포함하는 극자외선용 블랭크 마스크. - 상기 제11항에 있어서,
상기 반사층은 몰리브데늄(Mo)층 및 실리콘(Si)층이 30층 내지 60층이 교차 증착된 다층 구조로 형성된 극자외선용 블랭크 마스크. - 제11항에 있어서,
상기 정전 유도층은 크롬질화물(CrN)을 포함하여 30nm 내지 60nm의 두께로 형성된 극자외선용 블랭크 마스크. - 제11항에 있어서,
상기 리세스 홈은 상기 반사층 상에 존재하는 결함의 폭과 동일하거나 넓은 폭을 가지게 형성된 극자외선용 블랭크 마스크. - 제11항에 있어서,
상기 리세스 홈은 상기 결함의 높이와 같거나 더 큰 깊이로 형성하여 상기 결함의 높이가 0nm으로 유도되는 극자외선용 블랭크 마스크.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020100120550A KR101179269B1 (ko) | 2010-11-30 | 2010-11-30 | 극자외선용 블랭크 마스크 및 그 형성방법 |
| US13/305,874 US20120135340A1 (en) | 2010-11-30 | 2011-11-29 | Photomask and formation method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020100120550A KR101179269B1 (ko) | 2010-11-30 | 2010-11-30 | 극자외선용 블랭크 마스크 및 그 형성방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20120081646A KR20120081646A (ko) | 2012-07-20 |
| KR101179269B1 true KR101179269B1 (ko) | 2012-09-03 |
Family
ID=46126892
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020100120550A KR101179269B1 (ko) | 2010-11-30 | 2010-11-30 | 극자외선용 블랭크 마스크 및 그 형성방법 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20120135340A1 (ko) |
| KR (1) | KR101179269B1 (ko) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20160341544A1 (en) * | 2013-12-22 | 2016-11-24 | Applied Materials, Inc. | Monitoring system for deposition and method of operation thereof |
| US9870935B2 (en) | 2014-12-19 | 2018-01-16 | Applied Materials, Inc. | Monitoring system for deposition and method of operation thereof |
| TW202124749A (zh) * | 2019-10-25 | 2021-07-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 極紫外遮罩毛坯之缺陷減少的方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010034129A (ja) | 2008-07-25 | 2010-02-12 | Renesas Technology Corp | 反射型マスクの修正方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5441836A (en) * | 1994-03-30 | 1995-08-15 | International Business Machines Corporation | Laser ablation mask repair method |
| DE102007028172B3 (de) * | 2007-06-20 | 2008-12-11 | Advanced Mask Technology Center Gmbh & Co. Kg | EUV-Maske und Verfahren zur Reparatur einer EUV-Maske |
-
2010
- 2010-11-30 KR KR1020100120550A patent/KR101179269B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2011
- 2011-11-29 US US13/305,874 patent/US20120135340A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010034129A (ja) | 2008-07-25 | 2010-02-12 | Renesas Technology Corp | 反射型マスクの修正方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20120135340A1 (en) | 2012-05-31 |
| KR20120081646A (ko) | 2012-07-20 |
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| E902 | Notification of reason for refusal | ||
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| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
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|
| FPAY | Annual fee payment |
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|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170724 Year of fee payment: 6 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |