KR100945933B1 - 극자외선 리소그래피에 사용되는 마스크 및 제조 방법 - Google Patents
극자외선 리소그래피에 사용되는 마스크 및 제조 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100945933B1 KR100945933B1 KR1020080029361A KR20080029361A KR100945933B1 KR 100945933 B1 KR100945933 B1 KR 100945933B1 KR 1020080029361 A KR1020080029361 A KR 1020080029361A KR 20080029361 A KR20080029361 A KR 20080029361A KR 100945933 B1 KR100945933 B1 KR 100945933B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- region
- reflective layer
- layer
- extreme ultraviolet
- pattern
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 238000001900 extreme ultraviolet lithography Methods 0.000 claims abstract description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 19
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 4
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 2
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 claims 1
- 238000000233 ultraviolet lithography Methods 0.000 claims 1
- 229910004535 TaBN Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 85
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 6
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CXOWYMLTGOFURZ-UHFFFAOYSA-N azanylidynechromium Chemical compound [Cr]#N CXOWYMLTGOFURZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XTDAIYZKROTZLD-UHFFFAOYSA-N boranylidynetantalum Chemical compound [Ta]#B XTDAIYZKROTZLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002835 absorbance Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
Abstract
기판 상에 입사되는 극자외선(EUV)광을 반사시키는 반사층, 반사층 상에 반사층의 제1영역을 노출하게 형성되어 입사되는 극자외선광을 흡수하는 흡수층 패턴, 및 반사층의 제1영역 내의 제2영역 부분이 리세스(recess)되어 형성된 위상반전영역을 포함하는 극자외선 리소그래피에 사용되는 마스크를 제시한다.
EUV, PSM, TaBN, 림
Description
본 발명은 리소그래피(lithography) 기술에 관한 것으로, 특히, 극자외선(EUV: Extreme Ultra Violet) 리소그래피에 사용되는 마스크(mask) 및 제조 방법에 관한 것이다.
반도체 소자의 회로 선폭이 급격히 축소됨에 따라, 현재 사용되고 있는 ArF 파장대의 노광 장비로 미세 패턴을 웨이퍼 상으로 전사하는 데 한계를 나타내고 있다. 이에 따라 보다 미세한 선폭의 패턴을 웨이퍼 상으로 전사하기 위해서 극자외선 리소그래피 기술이 개발되고 있다. 극자외선 리소그래피는 32nm 이하 배선폭을 가지는 보다 더 작고 더 빠른 마이크로칩(microchip)을 생산하는데 이용될 차세대 기술로 개발되고 있다. EUV 리소그래피에 사용되는 노광 광은 대략 13.5nm 파장대의 극자외선이 이용되고 있다. 이러한 파장대의 노광 광은 원자 규모의 정밀도로 증착된 몰리브덴(Mo) 및 실리콘(Si) 이중층이 대략 7㎚ 두께로 대략 20 내지 80층 정도 적층되어 구성된 반사층에서 효과적으로 반사될 것으로 예측되고 있다.
EUV 리소그래피 기술에 매우 짧은 파장의 빛이 이용되므로, 웨이퍼 상으로 전사할 회로 패턴이 마스크 패턴(mask pattern)으로 구비되는 마스크 구조 또한 광투과형 구조가 아닌 광 반사형 구조로 달리 제안되고 있다. EUV 리소그래피에서 사용되는 마스크는, 석영(quartz)과 같은 낮은 열팽창 계수(LTE: Low Thermal Expansion coefficient)를 가지는 기판 상에 Mo/Si층의 다층 구조로 이루어지는 광 반사층을 포함하여 형성되고, 광 반사층 상에 광 반사층 표면을 부분적으로 노출하는 광 흡수층 패턴을 포함하여 형성된다. 따라서, 웨이퍼 상으로 전사될 패턴의 레이아웃(layout)을 따르는 형상으로 광 흡수층 패턴이 형성된다.
이러한 EUV 마스크를 이용한 리소그래피 과정은, 대략 150㎚ 정도의 포커스심도(DOF: Depth Of Focus)에서 웨이퍼(wafer) 상에 대략 32㎚ 선폭(CD: Critical Dimension)의 패턴을 노광 전사할 수 있을 것으로 예상되고 있다. 그럼에도 불구하고, 반도체 소자의 집적도가 보다 높은 수준으로 요구되고 있으며, 또한, 웨이퍼 상에 집적될 회로 패턴의 임계 선폭(CD)의 크기가 30㎚ 이하로 축소될 경우, 보다 높은 해상력을 구현하는 EUV 리소그래피 방법의 개발이 요구되고 있다.
본 발명은 극자외선 리소그래피 과정으로 미세한 패턴을 보다 높은 해상력을 구현하며 웨이퍼 상으로 노광 전사할 수 있는 마스크 구조 및 그 제조 방법을 제시하고자 한다.
본 발명의 일 관점은, 기판 상에 입사되는 극자외선(EUV)광을 반사시키는 반사층; 상기 반사층 상에 상기 반사층의 제1영역을 노출하게 형성되어 입사되는 상기 극자외선광을 흡수하는 흡수층 패턴; 및 상기 반사층의 제1영역 내의 제2영역 부분이 리세스(recess)되어 형성된 위상반전영역을 포함하는 극자외선 리소그래피에 사용되는 마스크를 제시한다.
상기 위상반전영역은 상기 제2영역 이외의 상기 제1영역 부분에서 반사되는 제1반사광과 180° 위상차를 가지는 제1반사광을 반사하는 깊이로 형성된 홈으로 이루어질 수 있다.
상기 위상반전영역은 상기 반사층 부분이 리세스된 제2영역 이외의 상기 제1영역 부분들이 양옆으로 위치하게 상기 제1영역의 가운데 부분에 위치할 수 있다.
상기 흡수층 패턴은 상기 제1영역이 사각형 또는 원형을 이루게 형성되고, 상기 위상반전영역은 상기 반사층 부분이 리세스된 제2영역 이외의 상기 제1영역 부분들이 상기 제2영역 가장자리를 둘러싸는 림(rim) 형태를 이루게 상기 제1영역의 가운데 부분에 위치할 수 있다.
상기 반사층과 상기 흡수층 패턴의 계면에 상기 반사층을 보호하는 캐핑층(capping layer)을 더 포함할 수 있다.
상기 반사층은 상기 입사되는 극자외선광을 산란시키는 산란층 및 상기 산란층 상에 형성되는 이격층의 이중층이 다층으로 적층되어 형성될 수 있다.
상기 흡수층 패턴은 상기 입사되는 극자외선광의 일부를 반사시키는 두께를 가지는 낮은 반사율을 가지는 흡수층을 포함하여 형성될 수 있다.
본 발명의 다른 일 관점은, 기판 상에 입사되는 극자외선(EUV)광을 반사시키는 반사층을 형성하는 단계; 상기 반사층 상에 상기 반사층의 제1영역을 노출하며 입사되는 상기 극자외선광을 흡수하는 흡수층 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 반사층의 제1영역 내의 제2영역 부분을 리세스(recess)하여 상기 제1영역의 표면과 단차를 가지는 위상반전영역을 형성하는 단계를 포함하는 극자외선 리소그래피에 사용되는 마스크 제조 방법.
상기 위상반전영역을 형성하는 단계는 상기 흡수층 패턴 및 상기 반사층의 제1영역의 가장자리 부분을 덮게 연장되어 상기 반사층의 제2영역 부분을 노출하는 레지스트 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 레지스트 패턴에 노출된 상기 반사층의 제2영역 부분을 선택적으로 식각하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 레지스트 패턴은 상기 위상반전영역이 상기 제1영역의 가운데 부분에 위치하게 상기 반사층의 제2영역 부분을 노출하게 형성될 수 있다.
상기 레지스트 패턴은 상기 위상반전영역이 상기 리세스될 제2영역 이외의 상기 제1영역 부분들이 상기 제2영역 가장자리를 둘러싸는 림(rim) 형태를 이루게 상기 제1영역의 가운데 부분에 상기 제2영역 부분이 위치하게 형성될 수 있다.
본 발명의 실시예는 극자외선 리소그래피 과정으로 미세한 패턴을 보다 높은 해상력을 구현하며 웨이퍼 상으로 노광 전사할 수 있는 마스크 구조 및 그 제조 방법을 제시할 수 있다.
도 1 내지 도 3은 본 발명의 실시예에 따른 극자외선 리소그래피에 사용되는 마스크 및 제조 방법을 보여준다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 극자외선(EUV) 리소그래피에 사용되는 마스크 제조 방법은, 석영(quartz)과 같은 낮은 열팽창 계수(LTE: Low Thermal Expansion coefficient)를 가지는 기판(100) 상에 반사층(200)을 형성한다. 기판(100)의 후면에는 극자외선 리소그래피 장비의 정전척(electrostatic chuck) 상에 기판(100)이 장착될 때, 정전 작용에 의한 기판(100)의 장착을 유도하는 정전 유도층(110)이 크롬질화물(CrN)층을 포함하여 형성될 수 있다.
기판(100) 상에 형성되는 반사층(200)은 입사되는 극자외선광(EUV)을 산란시키는 산란층(201)과 산란층(201)들 사이를 이격시키는 이격층(202)을 포함하는 이중층(203)이 다층으로 적층되어 형성된다. 산란층(201)은 몰리브데늄(Mo)층을 포함하여 형성될 수 있고, 이격층(202)은 실리콘(Si)층을 포함하여 형성될 수 있다. 이러한 이중층(203)은 대략 7㎚ 정도 두께로 형성되어 대략 13㎚ 파장의 극자외선광을 분배형 브래그 반사(distributed Bragg reflector) 원리로 반사시키게 된다. 이 때, Mo/Si층은 대략 30 내지 40층 이상 적층되고 있다.
반사층(200) 상에는 반사층의 원하지 않는 산화나 오염을 억제하기 위한 보호층으로 캐핑층(capping layer: 210)이 도입될 수 있다. 보호층(210)은 크롬질화물(CrN)층이나 루테늄(Ru)층을 포함하여 대략 10㎚ 두께로 형성될 수 있다.
캐핑층(210) 상에는 입사되는 극자외선광을 흡수하는 흡수층 패턴(absorber pattern: 300)이 형성된다. 흡수층 패턴(300)은 반사층(200)의 제1영역(101) 부분을 노출하게 형성될 수 있다. 이때, 흡수층 패턴(300)은 입사되는 EUV 광에 대해서 대략 99.8% 정도의 흡수율을 가지게 형성될 수 있다. 흡수층 패턴(300)은 입사되는 극자외선광의 대부분을 실질적으로 흡수하게 탄탈륨보론질화물(TaBN)층을 포함하여 형성될 수 있다. 또한, 실질적으로 극자외선광을 흡수하는 탄탈륨질화물(TaN)층 상에 표면층으로 탄탈륨보론질화물(TaBN)층을 증착하여 형성될 수 있다.
또는, 전사할 패턴의 콘트라스트(contrast)의 증가를 위해서, 반사층(200)의 제1영역(101)에서 반사되는 광과 180° 위상차를 갖는 반사광을 일부 반사하게 형성될 수 있다. 즉, 흡수층 패턴(300)은 입사되는 EUV 광의 일부, 예컨대, 반사층(200)의 제1영역(101)에서 반사되는 극자외선광에 비해 3% 내지 5% 세기의 반사광이 출사되게 입사되는 극자외선광을 대부분을 흡수하고 일부는 누설하는 두께로 형성될 수 있다. 이러한 낮은 반사율의 흡수층 패턴(300)의 두께는 전형적인 99.8% 정도의 EUV 흡수율, 즉, 실질적으로 무시할 수 있는 광의 누설(leakage)량을 가지는 두께로 형성된 경우에 비해 30% 내지 70% 정도 감소된 두께를 가지게 형성될 수 있다.
도 2를 참조하면, 흡수층 패턴(300)을 덮는 레지스트 패턴(400)을 형성한다. 레지스트 패턴(400)은, 흡수층 패턴(300)에 노출된 반사층(200)의 제1영역(101) 내의 가운데 부분인 제2영역(102)을 노출하게, 제1영역(101)의 가장자리 부분인 제3영역(103) 부분을 덮도록 연장되게 형성될 수 있다. 이러한 레지스트 패턴(400)을 전자빔 노광 및 현상 과정으로 형성한 후, 레지스트 패턴(400)을 식각 마스크로 이용하여 노출된 반사층(200)의 제2영역(102) 부분을 선택적으로 식각하여 홈(205)을 형성한다. 이러한 홈(205)은 그 깊이(d)에 의해 반사층(200)의 제3영역(103) 표면 부분과 단차를 가지게 된다. 이후에, 레지스트 패턴(400)을 선택적으로 스트립(strip) 하여 도 3에 제시된 바와 같은 EUV 마스크 구조를 형성한다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 마스크에 노광을 위해 EUV 광이 입사될 경우, 흡수층 패턴(300)에 입사되는 EUV 광은 실질적으로 흡수되게 되므로, 흡수층 패턴(300)이 위치하는 제4영역(104)에서는 실질적으로 EUV광이 반사되지 않게 된다. 이러한 제4영역(104)에서 의도적으로 미세한 세기의 반사광이 누설되게 유도할 경우, 반사되는 광의 세기는 웨이퍼 상의 포토레지스트층을 노광시키는 문턱 세기(threshold intensity)에 실질적으로 미치지 못하게 된다.
EUV 광의 반사는 실질적으로 흡수층 패턴(300)에 의해 노출되는 반사층(200)의 제1영역(101)에서 이루어진다. 이때, 제1영역(101) 내의 제2영역 부분(102)이 리세스(recess)되어 형성된 홈(205)은 위상반전영역으로 작용한다.
반사층(200) 부분이 리세스된 제2영역(102)의 홈(205) 이외의 제1영역(101) 부분들, 즉, 제3영역(103)들은 홈(205)의 가장자리 바깥을 둘러싸는 림(rim: 207) 형태를 이루게 된다. 이때, 림(207)에 의해 둘러싸인 홈(205)은 라인(line) 형상으로 연장될 수 있다. 또한, 홈(205)은 사각형이나 원형으로 이루어, 웨이퍼 상에 콘택홀(contact hole) 패턴을 전사하는 데 이용될 수 있다. 이러한 림(207) 부분과 홈(205)의 바닥은 깊이(d) 만큼의 단차를 가지게 된다. 이러한 단차는 제2영역(102)과 제3영역(103)에 각각 입사되는 EUV 제1입사광(510)과 제2입사광(520)에 따른 각각의 제1반사광(511) 및 제2반사광(521) 사이에 위상 차이를 유발하게 된다.
이러한 위상 차이는 홈(204)의 깊이(d)를 조절함으로써, 도 4에 제시된 바와 같이 180° 위상차로 유도될 수 있다. 즉, 2d = A × sin θ(여기서 A는 홀수이고 θ는 위상차, d는 깊이)에 의해서 180°의 위상차를 위한 d 값이 설정될 수 있다. 이러한 d값이 구현되게 도 2의 식각 과정이 제어되어 홈(205)의 깊이가 이러한 d를 따르게 구현된다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 홈(205)에서 반사되는 제1반사광(511)과 림(207)에서 반사되는 제2반사광(521)은, 도 4에 제시된 바와 같이 서로 다른 반대 방향의 위상을 가져, 즉, 실질적으로 180°의 위상차를 가지게 된다. 이에 따라, 제1반사광(511)과 제2반사광(521)은 상호 간섭을 일으키게 된다. 이러한 상호 간섭 작용이 일어나는 영역은 실질적으로 제1영역(101)과 제4영역(104)의 경계이게 된다. 따라서, 제4영역(104)과 제1영역(101)의 콘트라스트(contrast)는 증가되고, 이에 따라, 노광 과정에 의해 웨이퍼 상으로 전사될 패턴 레이아웃(layout)을 따른 흡수층 패턴(300)의 이미지(image)의 콘트라스트는 증가되게 된다. 따라서, 본 발명의 실시 예에 의한 EUV 마스크는 노광 과정의 패턴 해상력을 개선하게 된다.
이상 설명한 바와 같이 본 발명의 실시예에 따른 EUV 마스크는, 흡수층 패턴(300)에 의해 노출된 반사층(200)의 제1영역(101) 내에 리세스 홈(205)의 제2영역(102)을 도입하여, 제2영역(102)의 가장자리 바깥의 림(207)의 제3영역(103)을 도입함으로써, 제3영역(103)과 제2영역(102)에서 각각 반사되는 반사광들(521, 511)이 상호 간섭되게 유도한다. 이에 따라, 흡수층 패턴(300)이 위치하는 제4영역(104)과 제1영역(101) 간의 콘트라스트를 개선할 수 있다. 이러한 콘트라스트의 증가에 의해 웨이퍼 상으로 전사되는 패턴 이미지의 해상력을 보다 개선한다. 이에 따라, 보다 미세한 선폭의 패턴을 웨이퍼 상에 전사할 수 있는 EUV 리소그래피 기술을 구현할 수 있다.
도 1 내지 도 3은 본 발명의 실시예에 따른 극자외선 리소그래피에 사용되는 마스크 및 제조 방법을 설명하기 위해서 제시한 도면들이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 극자외선 마스크에 의해 웨이퍼 상으로 제공되는 극자외선광의 위상(phase) 상태를 설명하기 위해서 제시한 도면이다.
Claims (12)
- 기판 상에 입사되는 극자외선(EUV)광을 반사시키는 반사층;상기 반사층 상에 상기 반사층의 제1영역을 노출하게 형성되어 입사되는 상기 극자외선광을 흡수하는 흡수층 패턴; 및상기 반사층의 제1영역 내의 제2영역 부분이 리세스(recess)되어 형성된 위상반전영역을 포함하고,상기 위상반전영역은 상기 반사층 부분이 리세스된 제2영역 이외의 상기 제1영역 부분들이 상기 제2영역 가장자리를 둘러싸는 림(rim) 형태를 이루게 상기 제1영역의 가운데 부분에 위치하여,상기 위상반전영역에서의 제1반사광과 상기 제2영역 이외의 상기 제1영역 부분에서의 제2반사광의 상호 간섭을 유도하여 상기 흡수층 패턴의 콘트라스트(contrast)를 증가시키는 극자외선 리소그래피에 사용되는 마스크.
- 제1항에 있어서,상기 위상반전영역은 상기 제2영역 이외의 상기 제1영역 부분에서 반사되는 제1반사광과 180° 위상차를 가지는 제2반사광을 반사하는 깊이로 형성된 홈으로 이루어지는 극자외선 리소그래피에 사용되는 마스크.
- 제1항에 있어서,상기 위상반전영역은 상기 반사층 부분이 리세스된 제2영역 이외의 상기 제1영역 부분들이 양옆으로 위치하게 상기 제1영역의 가운데 부분에 위치하는 극자외선 리소그래피에 사용되는 마스크.
- 제1항에 있어서,상기 흡수층 패턴은 상기 제1영역이 사각형 또는 원형을 이루게 형성되는 극자외선 리소그래피에 사용되는 마스크.
- 제1항에 있어서,상기 반사층과 상기 흡수층 패턴의 계면에 상기 반사층을 보호하는 캐핑층(capping layer)을 더 포함하는 극자외선 리소그래피에 사용되는 마스크.
- 제1항에 있어서,상기 반사층은 상기 입사되는 극자외선광을 산란시키는 산란층 및 상기 산란층 상에 형성되는 이격층의 이중층이 다층으로 적층되어 형성된 극자외선 리소그래피에 사용되는 마스크.
- 제1항에 있어서,상기 흡수층 패턴은 상기 입사되는 극자외선광의 일부를 반사시키는 두께를 가지는 낮은 반사율을 가지는 흡수층을 포함하여 형성된 극자외선 리소그래피에 사용되는 마스크.
- 기판 상에 입사되는 극자외선(EUV)광을 반사시키는 반사층을 형성하는 단계;상기 반사층 상에 상기 반사층의 제1영역을 노출하며 입사되는 상기 극자외선광을 흡수하는 흡수층 패턴을 형성하는 단계; 및상기 반사층의 제1영역 내의 제2영역 부분을 리세스(recess)하여 상기 제1영역의 표면과 단차를 가지는 위상반전영역이고,상기 반사층 부분이 리세스된 제2영역 이외의 상기 제1영역 부분들이 상기 제2영역 가장자리를 둘러싸는 림(rim) 형태를 이루게 상기 제1영역의 가운데 부분에 위치하여, 상기 위상반전영역에서의 제1반사광과 상기 제2영역 이외의 상기 제1영역 부분에서의 제2반사광의 상호 간섭을 유도하여 상기 흡수층 패턴의 콘트라스트(contrast)를 증가시키는 상기 위상반전영역을 형성하는 단계를 포함하고,극자외선 리소그래피에 사용되는 마스크 제조 방법.
- 제8항에 있어서,상기 위상반전영역은 상기 제2영역 이외의 상기 제1영역 부분에서 반사되는 제1반사광과 180° 위상차를 가지는 제2반사광을 반사하는 깊이의 홈으로 형성되는 극자외선 리소그래피에 사용되는 마스크 제조 방법.
- 제8항에 있어서,상기 위상반전영역을 형성하는 단계는상기 흡수층 패턴 및 상기 반사층의 제1영역의 가장자리 부분을 덮게 연장되어 상기 반사층의 제2영역 부분을 노출하는 레지스트 패턴을 형성하는 단계; 및상기 레지스트 패턴에 노출된 상기 반사층의 제2영역 부분을 선택적으로 식각하는 단계를 포함하는 극자외선 리소그래피에 사용되는 마스크 제조 방법.
- 제10항에 있어서,상기 레지스트 패턴은 상기 위상반전영역이 상기 제1영역의 가운데 부분에 위치하게 상기 반사층의 제2영역 부분을 노출하는 극자외선 리소그래피에 사용되는 마스크 제조 방법.
- 제10항에 있어서,상기 레지스트 패턴은 상기 위상반전영역이 상기 리세스될 제2영역 이외의 상기 제1영역 부분들이 상기 제2영역 가장자리를 둘러싸는 림(rim) 형태를 이루게 상기 제1영역의 가운데 부분에 상기 제2영역 부분이 위치하게 형성되는 극자외선 리소그래피에 사용되는 마스크 제조 방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020080029361A KR100945933B1 (ko) | 2008-03-28 | 2008-03-28 | 극자외선 리소그래피에 사용되는 마스크 및 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020080029361A KR100945933B1 (ko) | 2008-03-28 | 2008-03-28 | 극자외선 리소그래피에 사용되는 마스크 및 제조 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20090103629A KR20090103629A (ko) | 2009-10-01 |
| KR100945933B1 true KR100945933B1 (ko) | 2010-03-05 |
Family
ID=41533144
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020080029361A KR100945933B1 (ko) | 2008-03-28 | 2008-03-28 | 극자외선 리소그래피에 사용되는 마스크 및 제조 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100945933B1 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8795931B2 (en) | 2012-01-30 | 2014-08-05 | SK Hynix Inc. | Reflection-type photomasks and methods of fabricating the same |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101076886B1 (ko) | 2009-06-22 | 2011-10-25 | 주식회사 하이닉스반도체 | 극자외선 리소그래피를 위한 마스크 및 이를 이용한 노광방법 |
| WO2013046627A1 (ja) * | 2011-09-28 | 2013-04-04 | 凸版印刷株式会社 | 反射型露光用マスクブランクおよび反射型露光用マスク |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010063593A (ko) * | 1999-12-23 | 2001-07-09 | 박종섭 | 이유브이 노광장비용 반사 마스크 |
-
2008
- 2008-03-28 KR KR1020080029361A patent/KR100945933B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010063593A (ko) * | 1999-12-23 | 2001-07-09 | 박종섭 | 이유브이 노광장비용 반사 마스크 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8795931B2 (en) | 2012-01-30 | 2014-08-05 | SK Hynix Inc. | Reflection-type photomasks and methods of fabricating the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20090103629A (ko) | 2009-10-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI713114B (zh) | 微影光罩、微影光罩之製造方法以及進行微影製程之方法 | |
| JP5295553B2 (ja) | 反射型マスク | |
| KR101076886B1 (ko) | 극자외선 리소그래피를 위한 마스크 및 이를 이용한 노광방법 | |
| KR20060110480A (ko) | Ｅｕｖｌ 교호 위상반전 마스크의 제조 방법 | |
| KR100695583B1 (ko) | 반사 마스크, 반도체 부품 제조 프로세스 및 반사 마스크 제조 방법 | |
| TWI752019B (zh) | 具有多層遮光層的光罩 | |
| US7977016B2 (en) | Method for fabricating extreme ultraviolet lithography mask | |
| CN105097455A (zh) | 光掩模及其制造方法 | |
| US8911920B2 (en) | Methods for fabricating EUV masks and methods for fabricating integrated circuits using such EUV masks | |
| KR100940270B1 (ko) | 극자외선 리소그라피용 마스크 및 그 형성 방법. | |
| KR100945933B1 (ko) | 극자외선 리소그래피에 사용되는 마스크 및 제조 방법 | |
| US9429835B2 (en) | Structure and method of photomask with reduction of electron-beam scatterring | |
| US8673521B2 (en) | Blank substrates for extreme ultra violet photo masks and methods of fabricating an extreme ultra violet photo mask using the same | |
| JP2005340553A (ja) | 露光用マスク | |
| KR20210133862A (ko) | Euv 포토 마스크 및 관련 방법 | |
| KR100846678B1 (ko) | 반도체 제조에서 포토리소그래피 시스템 및 방법 | |
| KR20090103630A (ko) | 극자외선 리소그래피에 사용되는 마스크 및 제조 방법 | |
| TWI824196B (zh) | 極紫外微影之相移式遮罩 | |
| KR20090095388A (ko) | 반사형 포토마스크의 제조방법 | |
| KR20230098678A (ko) | 포토리소그래피에 사용하기 위한 위상 시프트 레티클 | |
| CN113050361A (zh) | 制造半导体元件的方法 | |
| CN117452763A (zh) | 反射掩模、极紫外相移掩模以及制造抗反射图案的方法 | |
| JP2004172339A (ja) | 極短紫外光の露光用マスク | |
| US20080070126A1 (en) | Patterning masks, methods, and systems | |
| KR20020052470A (ko) | 반도체 소자의 위상 반전 마스크 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |