CN117452763A - 反射掩模、极紫外相移掩模以及制造抗反射图案的方法 - Google Patents

反射掩模、极紫外相移掩模以及制造抗反射图案的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN117452763A
CN117452763A CN202310912279.XA CN202310912279A CN117452763A CN 117452763 A CN117452763 A CN 117452763A CN 202310912279 A CN202310912279 A CN 202310912279A CN 117452763 A CN117452763 A CN 117452763A
Authority
CN
China
Prior art keywords
alignment mark
region
pattern
mask
reflective
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202310912279.XA
Other languages
English (en)
Inventor
裵亨钟
黄炫晶
金熙范
沈星辅
李承润
郑羽容
黄灿
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Electronics Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Electronics Co Ltd filed Critical Samsung Electronics Co Ltd
Publication of CN117452763A publication Critical patent/CN117452763A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
    • G03F1/24—Reflection masks; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
    • G03F1/42—Alignment or registration features, e.g. alignment marks on the mask substrates
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
    • G03F1/46—Antireflective coatings
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/54—Absorbers, e.g. of opaque materials
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/80—Etching

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

本公开提供了反射掩模、极紫外相移掩模以及制造抗反射图案的方法。一种在EUV曝光工艺中使用的反射掩模包括掩模基板、在掩模基板上的反射层以及在反射层上的吸收层。反射掩模包括主区域、围绕主区域的带外区域以及在带外区域的周边之外的对准标记区域。对准标记区域中的吸收层包括对准标记和与对准标记相邻的抗反射图案，并且抗反射图案包括在对准标记区域中具有预定线宽的线和间隔图案。

Description

反射掩模、极紫外相移掩模以及制造抗反射图案的方法
技术领域
本发明构思涉及一种在EUV曝光工艺中使用的反射掩模以及用于设计在其中使用的抗反射图案的方法。
背景技术
随着半导体器件集成密度的增大，对高分辨率光刻系统的需求也在增加。因此，正在开发极紫外(EUV)曝光系统，在其中具有比深紫外(DUV)光更短的波长的EUV光用作源光。反射EUV光的反射掩模用于EUV曝光系统。
发明内容
本发明构思的实施方式提供一种能够实现具有提高的精度和分辨率的EUV光刻工艺的反射掩模。
本发明构思的实施方式提供一种设计反射掩模的抗反射图案的方法。
根据本发明构思的一些实施方式的一种反射掩模可以包括掩模基板、在掩模基板上的反射层以及在反射层上的吸收层。反射掩模包括主区域、围绕主区域的带外区域以及在带外区域的周边之外的对准标记区域。对准标记区域中的吸收层包括对准标记和与对准标记相邻的抗反射图案，并且抗反射图案包括在对准标记区域中的具有预定线宽和预定节距的线和间隔图案(line-and-space pattern)。
根据本发明构思的一些实施方式的一种极紫外(EUV)相移掩模可以包括掩模基板、在掩模基板上的反射层以及在反射层上的吸收层。EUV相移掩模包括主区域、围绕主区域的带外区域以及在带外区域的周边之外的对准标记区域。对准标记区域中的吸收层包括对准标记和与对准标记相邻的抗反射图案。对准标记配置为在对准标记区域中提供第一反射率，抗反射图案配置为在对准标记区域中提供小于第一反射率的第二反射率。
根据本发明构思的一些实施方式的一种反射掩模可以包括掩模基板、在掩模基板上的反射层以及在反射层上的吸收层。反射掩模可以包括主区域、围绕主区域的带外区域以及在带外区域的周边之外的对准标记区域，并且对准标记区域中的吸收层可以包括对准标记和与对准标记相邻的抗反射图案。根据本发明构思的一些实施方式的一种制造反射掩模的抗反射图案的方法可以包括由处理器执行存储在非暂时性存储介质中的计算机可读程序指令以执行包括以下的操作：执行光学模拟，在光学模拟期间改变对准标记区域中的吸收层中的线和间隔图案的线宽和节距以及在线和间隔图案与对准标记之间的间隔；从由光学模拟获得的空间图像强度计算抛物线宽度；以及基于其中抛物线宽度小于阈值的计算的结果确定线宽、节距和间隔。
附图说明
从以下结合附图的简要描述，示例实施方式将被更清楚地理解。附图表示如这里所述的非限制性的示例实施方式。
图1是示出根据本发明构思的实施方式的EUV曝光装置的示意图。
图2是示意性地示出应用于图1的EUV曝光装置的反射掩模的平面图。
图3是具体地示出图2的反射掩模的周边区域的平面图。
图4是沿着图3的线I-I'截取的截面图。
图5是用于示出根据本发明构思的比较例的使用反射掩模的与晶片的对准工艺的示意图。
图6示出当图5所示的对准传感器扫描对准标记区域时的空间图像强度。
图7是用于说明根据本发明构思的一实施方式的使用反射掩模的与晶片的对准工艺的示意图。
图8示出当图7所示的对准传感器扫描对准标记区域时的空间图像强度。
图9是具体地示出根据本发明构思的一实施方式的图3的反射掩模的第一对准标记区域的第五对准标记的平面图。
图10是沿着图9的线II-II'截取的截面图。
图11是示出根据本发明构思的另一实施方式的图3的反射掩模的第一对准标记区域中的第五对准标记的平面图。
图12是沿着图11的线II-II'截取的截面图。
图13是具体地示出根据本发明构思的另一实施方式的图3的反射掩模的第一对准标记区域的第五对准标记的平面图。
图14是示出根据本发明构思的实施方式的一种设计抗反射图案的方法的流程图。
图15、图16、图17和图18是用于示出根据本发明构思的实施方式的一种制造半导体器件的方法的图。
具体实施方式
图1是示出根据本发明构思的实施方式的EUV曝光装置的示意图。参照图1，EUV曝光装置EPA可以包括光学光源单元10、会聚单元20、投影单元40和控制器90。光源单元10可以产生极紫外(EUV)光，例如具有4nm至124nm的波长的光。在一实施方式中，光源单元10可以产生EUV光，例如具有13.5nm的波长的光。光源单元10可以产生具有6.21eV至124eV(具体地，90eV至95eV)的能量的光。
光源单元10产生EUV光，但是可能不期望地产生DUV光，例如具有100nm或更大且300nm或更小的波长的光。会聚单元20用于引导光11，使得由光源单元10产生的光11被安装在掩模台32上的反射掩模MA反射。
会聚单元20包括会聚光学器件22，例如透镜和/或反射镜。会聚光学器件22收集并反射光11并且将光11引导到反射掩模MA。光11可以通过会聚单元20倾斜地入射在反射掩模MA上。掩模台32可以取决于反射掩模MA的扫描方向来移动反射掩模MA。光源单元10和掩模台32可以由控制器90控制。
入射在反射掩模MA上的光11可以被反射掩模MA反射并可以倾斜地入射(即以非正交角度入射)在投影单元40上。投影单元40用于将反射掩模MA的掩模图案(吸收图案)投影到位于基板台52上的基板SUB上。例如，基板SUB可以是其上形成有集成电路的硅晶片。能够对光起反应的光致抗蚀剂涂覆在基板SUB上。基板台52可以移动基板SUB以改变基板SUB的曝光区域(或曝光位置)。
投影单元40包括反射投影光学器件42，例如反射镜。反射投影光学器件42可以使用从反射掩模MA倾斜反射的光11将反射掩模MA上的掩模图案缩小预定缩放比例(例如4倍、6倍或8倍)以投影到基板SUB上。
根据本发明构思的实施方式，基板台52可以包括第一对准传感器TIS1和第二对准传感器TIS2。第一对准传感器TIS1和第二对准传感器TIS2可以分别与基板SUB的两侧(例如相反侧)相邻地设置。反射掩模MA可以包括分别设置在其两侧(例如相反侧)的第一对准标记区域TMR1和第二对准标记区域TMR2。术语第一、第二等可以在这里仅用于将一个元件或区域与另一个区别开。
为了使用EUV曝光装置EPA执行从反射掩模MA到基板SUB的曝光工艺，反射掩模MA和基板SUB应当被准确地对准。第一对准标记区域TMR1和第二对准标记区域TMR2可以包括用于对准的对准标记。第一对准传感器TIS1和第二对准传感器TIS2可以分别读取第一对准标记区域TMR1和第二对准标记区域TMR2。
通过第一对准传感器TIS1读取第一对准标记区域TMR1可以包括从光源单元10产生光以通过会聚单元20将光照射到第一对准标记区域TMR1以及将从第一对准标记区域TMR1反射的光通过投影单元40照射(或投射)到第一对准传感器TIS1。通过第二对传感器TIS2读取第二对准标记区域TMR2可以包括从光源单元10产生光以通过会聚单元20将光照射到第二对准标记区域TMR2以及将从第二对准标记区域TMR2反射的光通过投影单元40照射(或投射)到第二对准传感器TIS2。
通过第一对准传感器TIS1对第一对准标记区域TMR1的读取和通过第二对准传感器TIS2对第二对准标记区域TMR2的读取可以被同时或依次执行。在本发明构思的一实施方式中，第一对准传感器TIS1和第二对准传感器TIS2中的每个可以包括透射图像传感器(TIS)。第一对准传感器TIS1和第二对准传感器TIS2可以感测或检测EUV光。
在曝光工艺之前，第一对准传感器TIS1和第二对准传感器TIS2可以分别读取第一对准标记区域TMR1和第二对准标记区域TMR2，因此可以确定反射掩模MA和基板SUB是否被正确地对准。当在反射掩模MA和基板SUB之间存在未对准时，控制器90可以移动掩模台32和/或基板台52以使反射掩模MA和基板SUB对准。当作为第一对准传感器TIS1和第二对准传感器TIS2的读取结果，反射掩模MA和基板SUB彼此对准时，可以执行曝光工艺。
图2是示意性地示出应用于图1的EUV曝光装置或在图1的EUV曝光装置中使用的反射掩模的平面图。参照图2，反射掩模MA可以包括中央区域CER和围绕中央区域CER的周边区域PER。如这里所用的，“围绕”另一元件或区域的一元件或区域可以部分地或完全地围绕该另一元件或区域。
中央区域CER可以包括主区域CRG和在主区域CRG之间的内部辅助区域ISR。主区域CRG可以分别对应于图1的基板SUB的芯片区域(或管芯)。每个主区域CRG可以转移构成图1的基板SUB的芯片区域中的集成电路的图案。主区域CRG可以二维地排列。内部辅助区域ISR可以转移在图1的基板SUB上的划片槽区域中的辅助图案。
周边区域PER可以包括外部辅助区域OSR、带外区域OBR以及第一对准标记区域TMR1和第二对准标记区域TMR2。外部辅助区域OSR可以围绕中央区域CER。外部辅助区域OSR可以转移在图1的基板SUB上的划片槽区域中的辅助图案，类似于内部辅助区域ISR。
带外区域OBR可以构成反射掩模MA的边缘。带外区域OBR可以吸收或散射入射在反射掩模MA上的光而不反射光。例如，带外区域OBR可以吸收EUV光并可以散射DUV光。
反射掩模MA的中央区域CER和外部辅助区域OSR可以反射入射在反射掩模MA上的光。也就是，形成在中央区域CER和外部辅助区域OSR(其在带外区域OBR的外围或周边内)中的图案可以被转移到图1的基板SUB上。由于光在带外区域OBR中没有被反射，所以形成在带外区域OBR上的图案可以不被转移到基板SUB上。
掩模基板MAS可以包括在第一方向D1上彼此相对的第一侧SID1和第二侧SID2。第一对准标记区域TMR1可以提供在第一侧SID1和带外区域OBR之间。第二对准标记区域TMR2可以提供在第二侧SID2和带外区域OBR之间。
第一对准标记区域TMR1和第二对准标记区域TMR2可以提供在带外区域OBR外部(即，在带外区域OBR的外围或周边之外)，因此可以不执行随后将描述的光密度(OD)工艺。因此，第一对准标记区域TMR1和第二对准标记区域TMR2可以反射入射在反射掩模MA上的光。然而，从第一对准标记区域TMR1和第二对准标记区域TMR2反射的光可以不被投射到基板SUB上，而是可以照射到基板台52的第一对准传感器TIS1和第二对准传感器TIS2(参照随后将描述的图5和图7)。
图3是具体地示出图2的反射掩模的周边区域的平面图。图4是沿着图3的线I-I'截取的截面图。
参照图3，反射掩模MA可以包括中央区域CER以及分别设置在其两侧(例如，相反侧)的第一周边区域PER1和第二周边区域PER2。第一周边区域PER1可以包括第一对准标记区域TMR1，第二周边区域PER2可以包括第二对准标记区域TMR2。
第一对准标记区域TMR1可以包括在第二方向D2上排列的多个对准标记TMP1至TMP7。例如，所述多个对准标记TMP1至TMP7可以包括第一对准标记TMP1至第七对准标记TMP7。第一对准标记TMP1至第七对准标记TMP7可以包括构成第一对准标记TMP1至第七对准标记TMP7的多种标记图案。第一对准标记TMP1至第七对准标记TMP7可以包括不同类型的标记图案。
例如，第一对准标记TMP1可以包括具有四边形形状的一个标记图案。第二对准标记TMP1可以包括与第一对准标记TMP1相同或不同的标记图案。第三对准标记TMP3可以包括在第二方向D2上彼此平行地延伸的线形标记图案。第四对准标记TMP4可以包括在第一方向D1上彼此平行地延伸的线形标记图案。第五对准标记TMP5可以包括为二维排列的接触的形式的标记图案。第六对准标记TMP6可以包括以与第二方向D2成135°的角度延伸的线形标记图案。第七对准标记TMP7可以包括以与第二方向D2成45°的角度延伸的线形标记图案。
第一对准标记区域TMR1还可以包括围绕第一对准标记TMP1至第七对准标记TMP7的抗反射图案ARP。在本发明构思的一实施方式中，抗反射图案ARP可以包括在第二方向D2上彼此平行地延伸的线和间隔图案。在本发明构思的另一实施方式中，抗反射图案ARP可以包括为二维排列的接触的形式的图案。构成抗反射图案ARP的图案可以具有彼此相同的形状(或尺寸)并可以以恒定的节距重复地排列。
第二对准标记区域TMR2可以在反射掩模MA上与第一对准标记区域TMR1相对地定位。对第二对准标记区域TMR2的描述可以与对第一对准标记区域TMR1的描述基本上相同。
第一周边区域PER1和第二周边区域PER2中的每个可以包括外部辅助区域OSR以及在外部辅助区域OSR与相应的对准标记区域(TMR1或TMR2)之间的带外区域OBR。外部辅助区域OSR可以包括辅助图案区域APR。每个辅助图案区域APR可以包括限定划片槽区域中的辅助图案(例如，键图案)的图案。中央区域CER可以包括限定芯片区域中的电路图案的多个主图案MAP。
参照图3和图4，根据本发明构思的实施方式的反射掩模MA可以包括掩模基板MAS(掩模版基板)、反射层RFL、盖层CPL和吸收层ABL。
掩模基板MAS可以是玻璃或石英基板。反射层RFL可以设置在掩模基板MAS上。反射层RFL可以反射入射光。反射层RFL可以具有例如其中第一层L1和第二层L2重复堆叠30至60次的多层结构。例如，第一层L1可以包括硅(Si)和/或硅化合物。第二层L2可以包括钼(Mo)和/或钼化合物。
盖层CPL可以提供在反射层RFL上以保护反射层RFL。例如，盖层CPL可以包括钌(Ru)或钌氧化物。在本发明构思的另一实施方式中，尽管没有示出，但是盖层CPL可以被省略。
吸收层ABL可以提供在盖层CPL上。吸收层ABL可以包括无机材料或金属。吸收层ABL可以包括钌合金、钽合金、钽基化合物(TaN、TaBN或TaBON)或其组合。例如，钌合金可以包括钌(Ru)以及铬(Cr)、镍(Ni)和/或钴(Co)。钽合金可以包括钽(Ta)以及铬(Cr)、镍(Ni)和/或钴(Co)。此外，可以不受限制地使用本发明构思的吸收层ABL，只要材料是对光不透明的无机材料或金属(例如Cr、CrO、Ni、Cu、Mo、Al、Ti、W或Ru)。吸收层ABL可以暴露于反射掩模MA的外部。
根据本发明构思的实施方式的反射掩模MA可以是EUV相移掩模(PSM)。例如，EUVPSM可以使用基于钌合金的吸收层ABL。EUV PSM可以在EUV光刻工艺中具有比EUV二元掩模的分辨率高的分辨率。
另外，EUV PSM的吸收层ABL可以具有比EUV二元掩模的吸收层ABL的EUV反射率高的EUV反射率。例如，EUV二元掩模的吸收层ABL可以具有约3％的EUV反射率，而EUV PSM的吸收层ABL可以具有10％或更大的EUV反射率。EUV PSM的吸收层ABL的高反射率可以提高EUV光刻工艺中的图案化的分辨率和图案化工艺的性能。
然而，EUV PSM的吸收层ABL的高反射率可能不利地影响利用以上在图1中描述的第一和第二对准传感器TIS1和TIS2对第一和第二对准标记区域TMR1和TMR2的读取。具体地，当从第一和第二对准标记区域TMR1和TMR2反射的EUV光被输入到第一和第二对准传感器TIS1和TIS2时，可能出现增大空间图像强度的问题。当空间图像强度高时，对准信号对比度可能低，并且可能发生通过第一和第二对准传感器TIS1和TIS2的对准失败。
根据本发明构思的实施方式，可以提供在第一对准标记区域TMR1和第二对准标记区域TMR2的每个中的抗反射图案ARP，因此可以降低第一对准标记区域TMR1和第二对准标记区域TMR2的吸收层ABL的EUV反射率。因此，第一和第二对准传感器TIS1和TIS2准确地读取第一和第二对准标记区域TMR1和TMR2，因此可以解决在EUV PSM中可能出现的未对准或无法读取对准的问题。
带外区域OBR的吸收层ABL可以包括光栅图案GRP。也就是，带外区域OBR的吸收层ABL可以具有格子形状。吸收层ABL的光栅图案GRP可以散射入射光。例如，光栅图案GRP可以有效地散射DUV光以防止DUV光被反射。
带外区域OBR的反射层RFL可以配置为防止反射层RFL反射光，例如通过诸如激光退火的光密度(OD)工艺。换言之，反射层RFL的在带外区域OBR中的部分可以吸收光。例如，第一层L1的在带外区域OBR中的部分可以通过光密度工艺从硅(Si)变成硅氮化物(SiN)。
另外，除了带外区域OBR之外，在第一和第二对准标记区域TMR1和TMR2以及外部辅助区域OSR中可以排除光密度(OD)工艺。换言之，反射层RFL的在第一和第二对准标记区域TMR1和TMR2以及外部辅助区域OSR中的部分可以不改变或者可以保持反射特性从而顺利地反射光(例如，EUV)。
外部辅助区域OSR的吸收层ABL可以包括多个辅助图案ASP。辅助图案ASP可以具有恒定或均匀的宽度和/或恒定或均匀的节距。主区域CRG的吸收层ABL可以包括多个主图案MAP。
返回参照图4，第一对准标记区域TMR1和第二对准标记区域TMR2中的每个的吸收层ABL可以包括抗反射图案ARP和第一对准标记TMP1。具体地，抗反射图案ARP和第一对准标记TMP1中的每个可以具有其中吸收层ABL被图案化的孔或沟槽形状。抗反射图案ARP和第一对准标记TMP1中的每个可以暴露反射层RFL。在一实施方式中，抗反射图案ARP可以包括形成在吸收层ABL中的多个沟槽。第一对准标记TMP1可以包括形成在吸收层ABL中的一个孔或开口，其可以比吸收层ABL中的限定抗反射图案ARP的沟槽宽。也就是，吸收层ABL中的限定抗反射图案ARP的沟槽可以比抗反射图案ARP中的限定第一对准标记TMP1至第七对准标记TMP7的孔或开口更窄或另外地更小(例如，在第一方向D1上)。在一些实施方式中，吸收层ABL中的限定第一对准标记区域TMR1和第二对准标记区域TMR2中的抗反射图案ARP的沟槽可以具有比带外区域OBR中的光栅图案GRP更精细或不同的节距(例如，在第一方向D1上)。
图5是用于示出根据本发明构思的比较例的使用反射掩模的与晶片的对准工艺的示意图。图6示出当图5所示的对准传感器扫描对准标记区域时的空间图像强度。
参照图5，在根据本发明构思的比较例的反射掩模MA'中，在第一对准标记区域TMR1和第二对准标记区域TMR2的每个中可以省略抗反射图案ARP。由于抗反射图案ARP被省略，所以第一对准标记区域TMR1和第二对准标记区域TMR2的除了对准标记TMP1之外的剩余区域可以仅由吸收层ABL形成。也就是，吸收层ABL可以在第一对准标记区域TMR1和第二对准标记区域TMR2的在对准标记之外的部分中没有被图案化或者可以在其中连续地延伸。
用于第一对准传感器TIS1的扫描的光可以从第一对准标记区域TMR1反射。从第一对准标记区域TMR1反射的光可以包括第一反射光REL1和第二反射光REL2。第一反射光REL1可以从第一对准标记TMP1反射。第二反射光REL2可以从在第一对准标记TMP1周围的吸收层ABL反射。如上所述，在EUV PSM中，由于吸收层ABL具有相对高的EUV反射率，所以第二反射光REL2可以具有相对高的强度。例如，第二反射光REL2的强度可以大于第一反射光REL1的强度的10％。
理想地，仅第一反射光REL1可以入射到第一对准传感器TIS1，但是第二反射光REL2也可以入射。这可能导致信号噪声、增大空间图像强度并降低对准信号对比度。结果，第一对准传感器TIS1可能错误地扫描第一对准标记区域TMR1，因此可能发生对准失败。
用于第二对准传感器TIS2的扫描的光可以从第二对准标记区域TMR2反射。对其的描述可以与以上对于第一对准传感器TIS1和第一对准标记区域TMR1描述的那些基本上相同。
参照图6，示出根据本发明构思的比较例的反射掩模MA'的第一对准标记TMP1的扫描信号。图6的扫描信号可以表示空间图像强度。
在空间图像强度中，具有最大强度的一半的强度点的宽度可以被定义为抛物线或抛物线形宽度。图6的抛物线宽度可以具有第一宽度PBW1。例如，第一宽度PBW1可以大于55μm。如上所述，当由于第二反射光REL2，空间图像强度增大并且对准信号对比度降低时，第一宽度PBW1可以相对大。
图7是用于说明根据本发明构思的一实施方式的使用反射掩模的与晶片的对准工艺的示意图。图8示出当图7所示的对准传感器扫描对准标记区域时的空间图像强度。
参照图7，在根据本发明构思的实施方式的反射掩模MA中，可以在第一对准标记区域TMR1和第二对准标记区域TMR2的每个中提供抗反射图案ARP。对抗反射图案ARP的描述可以与以上参照图3和图4描述的基本上相同。在除了对准标记TMP1之外的区域中的吸收层ABL可以包括由线和间隔型沟槽形成的抗反射图案ARP。
用于第一对准传感器TIS1的扫描的光可以从第一对准标记区域TMR1反射。从第一对准标记区域TMR1反射的光可以包括第一反射光REL1和第二反射光REL2。第一反射光REL1可以从第一对准标记TMP1反射。第二反射光REL2可以从吸收层ABL和从在第一对准标记TMP1周围的抗反射图案ARP反射。
从吸收层ABL反射的第二反射光REL2和从抗反射图案ARP反射的第二反射光REL2可以引起彼此相消干涉。因此，与以上描述的图5不同，根据本实施方式，第二反射光REL2可以不到达第一对准传感器TIS1并且仅第一反射光REL1可以入射在第一对准传感器TIS1上(并且类似地关于第二对准传感器TIS2)。
根据本实施方式的抗反射图案ARP可以降低EUV PSM的吸收层ABL的EUV反射率。换言之，抗反射图案ARP可以消除第二反射光REL2或降低第二反射光REL2的强度。例如，形成在第一对准标记区域TMR1和第二对准标记区域TMR2的吸收层ABL上的抗反射图案ARP可以将第二反射光REL2的强度降低到第一反射光REL1的强度的10％或更小。
在外部辅助区域OSR和中央区域CER的吸收层ABL中可以省略抗反射图案ARP，外部辅助区域OSR和中央区域CER通过EUV光刻工艺将图案转移到基板SUB(即晶片)上。抗反射图案ARP可以降低吸收层ABL的反射率，因此当抗反射图案ARP提供在外部辅助区域OSR和中央区域CER中时，可能降低EUV光刻工艺的分辨率。
用于确定反射掩模MA和基板SUB是否对准的第一对准标记区域TMR1和第二对准标记区域TMR2没有被转移到基板SUB上，而仅是第一对准传感器TIS1和第二对准传感器TIS2的扫描目标。抗反射图案ARP可以选择性地提供在第一对准标记区域TMR1和第二对准标记区域TMR2的吸收层ABL中，因此可以增大对准信号对比度以提高扫描精度。抗反射图案ARP可以选择性地仅提供给第一对准标记区域TMR1和第二对准标记区域TMR2(例如，使得外部辅助区域OSR和/或中央区域CER可以没有抗反射图案ARP)，因此EUV光刻工艺可以不受影响。
参照图8，示出根据本发明构思的一实施方式的反射掩模MA的第一对准标记TMP1的扫描信号。图8的扫描信号可以表示空间图像强度。可以看到，图8所示的图像比图6所示的图像更清晰。
在图8的空间图像强度中，抛物线宽度可以具有第二宽度PBW2。第二宽度PBW2可以小于图6的第一宽度PBW1。例如，第二宽度PBW2可以是30μm至45μm。如上所述，根据本实施方式的抗反射图案ARP可以抵消或以其它方式降低第二反射光REL2的强度，因此空间图像强度可以降低，对准信号对比度可以增大，并且第二宽度PBW2可以变得相对小。
使用根据本实施方式的反射掩模MA的对准工艺可以降低信号噪声并增大对准信号对比度。结果，第一对准传感器TIS1可以准确地扫描第一对准标记区域TMR1并且第二对准传感器TIS2可以准确地扫描第二对准标记区域TMR2，从而确定反射掩模MA和基板SUB是否被准确对准。
抗反射图案ARP可以不提供在要求高反射率的外部辅助区域OSR和中央区域CER的吸收层ABL中，因此根据本实施方式的反射掩模MA可以提高EUV光刻工艺的分辨率。另外，抗反射图案ARP可以选择性地仅提供在要求低反射率的第一对准标记区域TMR1和第二对准标记区域TMR2的吸收层ABL中，因此可以实现通过第一对准传感器TIS1和第二对准传感器TIS2的对对准标记的准确扫描。
在本发明构思的另一实施方式中，抗反射图案ARP也可以提供在外部辅助区域OSR和/或内部辅助区域ISR中。提供在外部辅助区域OSR和内部辅助区域ISR中的抗反射图案ARP可以降低外部辅助区域OSR和内部辅助区域ISR的吸收层ABL的反射率。
可以在主区域CRG的单元区域(或单元)中省略抗反射图案ARP。然而，抗反射图案ARP可以提供在主区域CRG的块间区域中。主区域CRG中的单元可以对应于基板SUB的芯片区域中的功能块。主区域CRG的单元可以对应于功能块的电路单元或存储单元。
提供在外部辅助区域OSR和内部辅助区域ISR以及主区域CRG的块间区域中的抗反射图案ARP可以具有与提供在第一对准标记区域TMR1和第二对准标记区域TMR2中的抗反射图案ARP相同或不同的形状。例如，提供在外部辅助区域OSR和内部辅助区域ISR以及主区域CRG的块间区域中的抗反射图案ARP可以具有随后将描述的图13的形状，提供在第一对准标记区域TMR1和第二对准标记区域TMR2中的抗反射图案ARP可以具有随后将描述的图9的形状。
图9是具体地示出根据本发明构思的一实施方式的图3的反射掩模的第一对准标记区域的对准标记之一(例如第五对准标记TMP5)的平面图。图10是沿着图9的线II-II'截取的截面图。
参照图9和图10，反射掩模MA可以包括掩模基板MAS、反射层RFL、盖层CPL和吸收层ABL。可以省略盖层CPL。吸收层ABL可以包括基于钌合金和/或钽合金的至少一个层。
第五对准标记TMP5可以包括第一标记图案SMP1至第四标记图案SMP4。第一标记图案SMP1至第四标记图案SMP4可以具有二维排列的接触的形状。第一标记图案SMP1至第四标记图案SMP4中的每个可以具有四边形形状。
可以提供围绕第一标记图案SMP1至第四标记图案SMP4的抗反射图案ARP。抗反射图案ARP可以包括设置在第一标记图案SMP1至第四标记图案SMP4外部(也就是，第五对准标记TMP5外部)的第一线图案LIP1以及设置在第一标记图案SMP1至第四标记图案SMP4之间的区域中的第二线图案LIP2。
第一线图案LIP1和第二线图案LIP2可以在第二方向D2上彼此平行地延伸。第一线图案LIP1和第二线图案LIP2可以具有相同的线宽LW。第一线图案LIP1和第二线图案LIP2可以具有相同的间隔SPA。第一线图案LIP1和第二线图案LIP2可以以恒定的节距PI在第一方向D1上排列。也就是，根据本实施方式的抗反射图案ARP可以包括规则的线和间隔图案。
在本发明构思的一实施方式中，线宽LW可以小于间隔SPA。线宽LW和间距SPA之和可以被定义为节距PI。例如，节距PI可以是25nm至50nm。线宽LW可以是10nm至25nm。抗反射图案ARP的线宽LW和节距PI可以取决于EUV光刻工艺中使用的照明系统的类型而变化。可以取决于随后将描述的设计抗反射图案ARP的方法(参照随后将描述的图14)来选择合适的线宽LW和节距PI。
抗反射图案ARP可以与第一标记图案SMP1至第四标记图案SMP4间隔开预定间隔。在抗反射图案ARP和第一标记图案SMP1至第四标记图案SMP4之间在第一方向D1上的间隔可以是第一间隔SPC1。在抗反射图案ARP和第一标记图案SMP1至第四标记图案SMP4之间在第二方向D2上的间隔可以是第二间隔SPC2。第一间隔SPC1和第二间隔SPC2可以基本上彼此相同或彼此不同。在一实施方式中，第一间隔SPC1和第二间隔SPC2可以大于抗反射图案ARP的节距PI。适合于第一间隔SPC1和第二间隔SPC2的值也可以取决于随后将描述的设计抗反射图案ARP的方法(参照随后将描述的图14)来选择。
图11是示出根据本发明构思的另一实施方式的图3的反射掩模的第一对准标记区域中的对准标记之一(例如第五对准标记TMP5)的平面图。图12是沿着图11的线II-II'截取的截面图。图13是具体地示出根据本发明构思的另一实施方式的图3的反射掩模的第一对准标记区域的对准标记之一(例如第五对准标记TMP5)的平面图。在随后将描述的实施方式中，与以上参照图9和图10描述的那些重复的对技术特征的详细描述将被省略，并且将详细描述差异。
参照图11和图12，抗反射图案ARP可以包括设置在第一标记图案SMP1至第四标记图案SMP4外部(也就是，第五对准标记TMP5外部)的第一线图案LIP1。可以省略设置在第一标记图案SMP1至第四标记图案SMP4之间的区域中的第二线图案LIP2。在第一标记图案SMP1至第四标记图案SMP4之间的区域可以仅填充有吸收层ABL或主要填充有吸收层ABL。第一线图案LIP1可以以恒定的节距PI在第一方向D1上排列。第一线图案LIP1可以具有相同的线宽LW。
参照图13，抗反射图案ARP可以具有二维排列的接触(或孔)的形状。抗反射图案ARP可以包括设置在第一标记图案SMP1至第四标记图案SMP4外部(也就是，第五对准标记TMP5外部)的第一孔图案HOP1和设置在第一标记图案SMP1至第四标记图案SMP4之间的区域中的第二孔图案HOP2。
第一孔图案HOP1和第二孔图案HOP2可以具有相同的宽度LW。第一孔图案HOP1和第二孔图案HOP2可以具有相同的间隔SPA。第一孔图案HOP1和第二孔图案HOP2可以以恒定或均匀的节距PI在第一方向D1和第二方向D2上排列。
可以不受限制地使用根据本发明构思的抗反射图案ARP，只要抗反射图案ARP为均匀地重复的图案的形式。抗反射图案ARP可以配置为能够通过相消干涉降低吸收层ABL的反射率的形式。
图14是示出根据本发明构思的实施方式的一种设计抗反射图案的方法的流程图。该方法可以通过存储在非暂时性存储介质中的计算机可读程序指令(其可以由处理器运行以执行图14的流程图的操作)来实现。参照图14，以上参照图9和图10描述的抗反射图案ARP的线宽LW和节距PI可以被确定为能够降低或最小化吸收层ABL的反射率的值。
即使具有相同的抗反射图案ARP，吸收层ABL的反射率也可以取决于EUV光刻工艺中使用的照明系统的类型(例如，同轴照明或离轴照明)而变化。因此，抗反射图案ARP的线宽LW和节距PI应当根据要应用的EUV光刻工艺和要使用的照明系统来确定。
为了增大第一对准标记区域TMR1和第二对准标记区域TMR2的对准信号对比度，决定吸收层ABL的反射率的在对准标记TMP和抗反射图案ARP之间的间隔SPC1和SPC2以及抗反射图案ARP的线宽LW和节距PI会是重要的。
总之，当改变抗反射图案ARP的线宽LW和节距PI以及在抗反射图案ARP和对准标记TMP之间的间隔SPC1和SPC2这三个变量时，可以执行在方框S100中的对第一对准标记区域TMR1和第二对准标记区域TMR2的光学模拟。
作为执行光学模拟的结果，可以获得对于第一对准标记区域TMR1和第二对准标记区域TMR2的以上参照图6和图8描述的空间图像强度。可以测量空间图像强度中的抛物线或抛物线形宽度(例如，图6中的PBW1和图8中的PBW2)。可以在方框S200中计算其中三个变量改变的多种情况中的每个的抛物线宽度。
可以提取计算出的抛物线宽度当中的小于阈值的结果。该阈值可以是第一对准传感器TIS1和第二对准传感器TIS2能够无误地读取的抛物线宽度的最小值。例如，在第一对准标记TMP1的情况下，由安装在EUV曝光装置中的第一对准传感器TIS1和第二对准传感器TIS2可读取的抛物线宽度的最小值可以是45μm。在这种情况下，可以提取计算出的抛物线宽度当中的45μm或更小的结果作为合适的数据。
可以在方框S300中基于提取的结果的三个变量(也就是，线宽LW、节距PI以及间隔SPC1和SPC2)的值来设计抗反射图案ARP。例如，当抗反射图案的线宽为12nm、节距为32nm、间隔为50nm并且光学模拟的抛物线宽度呈现最小值时，可以基于这些值分别确定图9的抗反射图案ARP的线宽LW、节距PI以及间隔SPC1和SPC2。
图15至图18是用于示出根据本发明构思的实施方式的一种制造半导体器件的方法的图。具体地，图15至图18是晶片的截面图。将示例性地描述半导体器件当中的DRAM的制造工艺。
参照图15，可以通过图案化基板SUB的上部而在基板SUB的芯片区域中形成有源图案ACT。沟槽TR可以被限定在有源图案ACT之间。可以形成填充沟槽TR的器件隔离层ST。
根据本发明构思的一实施方式，用于形成有源图案ACT的图案化工艺可以包括使用EUV的光刻工艺。使用EUV的光刻工艺可以包括使用照射到光致抗蚀剂层上的EUV的曝光和显影工艺。
在使用EUV的曝光工艺中，可以使用根据本发明构思的实施方式的反射掩模MA。图1的第一对准传感器TIS1和第二对准传感器TIS2可以分别扫描第一对准标记区域TMR1和第二对准标记区域TMR2，以准确地对准反射掩模MA和基板SUB。此后，可以执行使用EUV的曝光工艺。以上描述的抗反射图案ARP可以提供在第一对准标记区域TMR1和第二对准标记区域TMR2中(参照图9和图10)。设计要应用于曝光工艺的反射掩模MA的抗反射图案ARP与以上参照图14所描述的相同。
光致抗蚀剂层可以是包含有机聚合物(诸如聚羟基苯乙烯)的有机光致抗蚀剂。有机光致抗蚀剂还可以包括对EUV作出反应的光敏化合物。有机光致抗蚀剂还可以包括具有高EUV吸收率的材料，例如有机金属材料、含碘材料或含氟材料。作为另一示例，光致抗蚀剂层可以是包含无机材料(诸如锡氧化物)的无机光致抗蚀剂。
光致抗蚀剂层可以形成为具有相对薄的厚度。可以通过显影暴露于EUV的光致抗蚀剂层来形成光致抗蚀剂图案。在平面图中，光致抗蚀剂图案可以具有在一个方向上延伸的线形或直线形、岛形、Z字形、蜂窝形或圆形，但是不限于此。
可以使用光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模来图案化堆叠在光致抗蚀剂图案下方的一个或更多个掩模层以形成掩模图案。可以使用掩模图案作为蚀刻掩模来图案化目标层以在晶片上形成期望的图案。
作为本发明构思的比较例，需要使用两个或更多个光掩模的多重图案化技术(MPT)以在晶片上形成具有精细节距的图案。另一方面，在执行根据本发明构思的实施方式的EUV光刻工艺的情况下，即使利用单个光掩模也可以形成具有精细节距的有源图案ACT。
例如，通过本实施方式的EUV光刻工艺实现的在有源图案ACT之间的最小节距可以是45nm或更小。也就是，通过执行EUV光刻工艺，可以在没有多重图案化技术的情况下实现精确和精细的有源图案ACT。以上描述的根据本发明构思的实施方式的反射掩模MA可以用作用于形成有源图案ACT的光掩模。
参照图16，可以在基板SUB上形成与有源图案ACT交叉的多个掩埋栅电极(未示出)。可以通过对有源图案ACT执行离子注入工艺而在有源图案ACT上形成第一源极/漏极区域SD1和第二源极/漏极区域SD2。可以在基板SUB的整个表面上形成绝缘层IL。例如，绝缘层IL可以具有多层结构，其中堆叠硅氧化物层和硅氮氧化物层。
可以图案化绝缘层IL以形成分别暴露有源图案ACT的第一源极/漏极区域SD1的第一接触孔CNH1。当形成第一接触孔CNH1时，第一源极/漏极区域SD1的上部可以凹陷。当形成第一接触孔CNH1时，在第一源极/漏极区域SD1周围的器件隔离层ST的上部可以凹陷。在本发明构思的一实施方式中，可以使用上述EUV光刻工艺形成第一接触孔CNH1。
参照图17，可以在有源图案ACT上形成彼此平行地延伸的线结构LST。每个线结构LST可以包括依次堆叠的导电图案CP、阻挡图案BP、位线BL和掩模图案MP。导电图案CP可以包括填充第一接触孔CNH1并且连接到第一源极/漏极区域SD1的接触部分CNP。接触部分CNP可以与第一源极/漏极区域SD1直接接触。在本发明构思的一实施方式中，可以使用上述EUV光刻工艺形成掩模图案MP。
阻挡图案BP可以抑制位线BL中的金属材料扩散到导电图案CP中。位线BL可以通过阻挡图案BP和导电图案CP电连接到第一源极/漏极区域SD1。导电图案CP可以包括掺杂的半导体材料(掺杂的硅、掺杂的锗等)。阻挡图案BP可以包括导电的金属氮化物(例如钛氮化物或钽氮化物)。位线BL可以包括金属材料(例如钛、钽、钨、铜或铝)。
可以在每个线结构LST的两个(例如，相反的)侧壁上形成一对间隔物SP。间隔物SP可以包括硅氧化物层、硅氮化物层和/或硅氮氧化物层。
可以使用间隔物SP和掩模图案MP作为掩模来蚀刻基板SUB的整个表面以分别形成暴露第二源极/漏极区域SD2的第二接触孔CNH2。当形成第二接触孔CNH2时，第二源极/漏极区域SD2的上部可以凹陷。
参照图18，第二接触孔CNH2可以用导电材料填充，因此接触CNT可以分别形成在第二接触孔CNH2中。接触CNT可以连接到第二源极/漏极区域SD2。填充第二接触孔CNH2的导电材料可以包括掺杂的半导体材料。
着陆焊盘LP可以分别形成在芯片区域上的接触CNT上。具体地，可以在接触CNT和线结构LST上形成金属层。多个着陆焊盘LP可以通过图案化该金属层来形成。可以通过用绝缘材料填充在所述多个着陆焊盘LP之间的空间来形成绝缘图案INP。在本发明构思的一实施方式中，图案化着陆焊盘LP可以包括上述EUV光刻工艺。
随后，第一电极LEL可以分别形成在着陆焊盘LP上。电介质层HDL可以共形地形成在第一电极LEL上。第二电极TEL可以形成在电介质层HDL上。第一电极LEL、电介质层HDL和第二电极TEL可以构成数据存储元件DS，例如电容器。尽管没有示出，但是可以形成堆叠在第二电极TEL上的布线层(例如M1、M2、M3、M4……)。
使用根据本发明构思的反射掩模的对准工艺可以降低信号噪声并增大对准信号对比度。因此，晶片台的对准传感器可以准确地扫描反射掩模的对准标记区域以确定反射掩模和晶片是否被正确对准。
根据本发明构思的反射掩模可以在要求较高反射率的主区域的吸收层中省略抗反射图案以提高EUV光刻工艺的分辨率。另外，可以在要求较低反射率的对准标记区域中选择性地(例如，在吸收层的部分中)提供抗反射图案，以实现对对准标记的准确扫描，而不影响EUV光刻工艺。
尽管以上描述了实施方式，但是本领域技术人员可以理解，在不脱离所附权利要求中限定的本发明构思的范围的情况下，可以做出许多修改和变化。因此，本发明构思的示例实施方式在所有的方面都应当被认为是说明性而不是限制性的，本发明构思的范围由所附权利要求指示。
本申请要求于2022年7月25日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2022-0091843号的优先权，该韩国专利申请的全部内容通过引用结合于此。

Claims (20)

1.一种反射掩模，包括：
掩模基板、在所述掩模基板上的反射层以及在所述反射层上的吸收层，
其中所述反射掩模包括主区域、围绕所述主区域的带外区域以及在所述带外区域的周边之外的对准标记区域，
其中所述对准标记区域中的所述吸收层包括对准标记和与所述对准标记相邻的抗反射图案，以及
其中所述抗反射图案包括在所述对准标记区域中具有预定线宽和预定节距的线和间隔图案。
2.如权利要求1所述的反射掩模，其中所述吸收层包括钌合金和/或钽合金，
其中所述反射掩模是极紫外相移掩模，以及
其中所述对准标记配置为在所述对准标记区域中提供第一反射率，并且所述抗反射图案配置为在所述对准标记区域中提供小于所述第一反射率的第二反射率。
3.如权利要求1所述的反射掩模，其中所述抗反射图案选择性地提供在所述对准标记区域中，使得所述主区域的单元没有所述抗反射图案，以及其中所述预定线宽小于所述对准标记在第一方向上的宽度。
4.如权利要求1所述的反射掩模，其中所述对准标记包括多个标记图案，
其中所述线和间隔图案包括：
第一线图案，在所述对准标记的周边之外；和
第二线图案，在所述多个标记图案之间的区域中设置在所述对准标记的所述周边内。
5.如权利要求1所述的反射掩模，其中所述对准标记包括多个标记图案，
其中所述线和间隔图案不提供在所述多个标记图案之间的区域中。
6.一种极紫外相移掩模，包括：
掩模基板、在所述掩模基板上的反射层以及在所述反射层上的吸收层，
其中所述极紫外相移掩模包括主区域、围绕所述主区域的带外区域以及在所述带外区域的周边之外的对准标记区域，
其中所述对准标记区域中的所述吸收层包括对准标记和与所述对准标记相邻的抗反射图案，以及
其中所述对准标记配置为在所述对准标记区域中提供第一反射率，并且所述抗反射图案配置为在所述对准标记区域中提供小于所述第一反射率的第二反射率。
7.如权利要求6所述的极紫外相移掩模，其中所述抗反射图案包括多个线图案，
其中所述多个线图案具有相同的预定线宽，所述预定线宽小于所述对准标记在第一方向上的宽度，以及
其中所述多个线图案在所述第一方向上以预定节距排列。
8.如权利要求7所述的极紫外相移掩模，其中所述对准标记包括多个标记图案，
其中所述多个线图案包括：
第一线图案，在所述对准标记的周边之外；和
第二线图案，在所述对准标记的所述周边内设置在所述多个标记图案之间的区域中。
9.如权利要求7所述的极紫外相移掩模，其中所述对准标记包括多个标记图案，
其中所述多个线图案没有提供在所述多个标记图案之间的区域中。
10.如权利要求7所述的极紫外相移掩模，其中所述多个线图案与所述对准标记间隔开预定间隔。
11.如权利要求6所述的极紫外相移掩模，其中所述抗反射图案包括多个孔图案，
其中所述多个孔图案在第一方向和第二方向上二维地排列，
其中所述多个孔图案具有相同的预定宽度，以及
其中所述多个孔图案在所述第一方向上和/或在所述第二方向上以预定节距排列。
12.如权利要求6所述的极紫外相移掩模，其中所述对准标记和所述抗反射图案暴露所述反射层的部分，以及
其中所述对准标记区域的没有所述对准标记和所述抗反射图案的其余区域包括在所述反射层上的所述吸收层。
13.如权利要求6所述的极紫外相移掩模，其中所述吸收层包括钌合金和/或钽合金。
14.如权利要求6所述的极紫外相移掩模，其中所述抗反射图案选择性地提供在所述对准标记区域中，使得所述主区域的单元没有所述抗反射图案。
15.如权利要求6所述的极紫外相移掩模，其中所述对准标记区域配置为向晶片台的对准传感器指示在所述极紫外相移掩模和晶片之间的对准。
16.一种制造反射掩模的抗反射图案的方法，所述反射掩模包括掩模基板、在所述掩模基板上的反射层以及在所述反射层上的吸收层，其中所述反射掩模包括主区域、围绕所述主区域的带外区域以及在所述带外区域的周边之外的对准标记区域，所述对准标记区域中的所述吸收层包括对准标记和与所述对准标记相邻的抗反射图案，所述方法包括：
由处理器执行存储在非暂时性存储介质中的计算机可读程序指令以执行包括以下的操作：
执行光学模拟，在所述光学模拟期间改变所述对准标记区域中的所述吸收层中的线和间隔图案的线宽和节距以及在所述线和间隔图案与所述对准标记之间的间隔；
从由所述光学模拟获得的空间图像强度计算抛物线宽度；以及
基于其中所述抛物线宽度小于阈值的所述计算的结果确定所述线宽、所述节距和所述间隔。
17.如权利要求16所述的方法，其中所述阈值是晶片台的对准传感器配置为无错误地读取的抛物线宽度的最小值。
18.如权利要求16所述的方法，其中由于所述抗反射图案减小所述对准标记区域中的所述吸收层的反射率，所述抛物线宽度减小。
19.如权利要求16所述的方法，其中所述吸收层包括钌合金和/或钽合金，以及
其中所述反射掩模是极紫外相移掩模。
20.如权利要求16所述的方法，还包括：
基于所述线宽、所述节距和所述间隔制造包括所述线和间隔图案的所述抗反射图案。
CN202310912279.XA 2022-07-25 2023-07-24 反射掩模、极紫外相移掩模以及制造抗反射图案的方法 Pending CN117452763A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020220091843A KR20240014283A (ko) 2022-07-25 2022-07-25 반사형 마스크 및 그의 반사 저감 패턴의 설계 방법
KR10-2022-0091843 2022-07-25

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN117452763A true CN117452763A (zh) 2024-01-26

Family

ID=89577303

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202310912279.XA Pending CN117452763A (zh) 2022-07-25 2023-07-24 反射掩模、极紫外相移掩模以及制造抗反射图案的方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20240027890A1 (zh)
KR (1) KR20240014283A (zh)
CN (1) CN117452763A (zh)

Also Published As

Publication number Publication date
KR20240014283A (ko) 2024-02-01
US20240027890A1 (en) 2024-01-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9791771B2 (en) Photomask structure with an etch stop layer that enables repairs of detected defects therein and extreme ultraviolet(EUV) photolithograpy methods using the photomask structure
US6686108B2 (en) Fabrication method of semiconductor integrated circuit device
US20090148781A1 (en) Reflective-type mask
KR101076886B1 (ko) 극자외선 리소그래피를 위한 마스크 및 이를 이용한 노광방법
KR100695583B1 (ko) 반사 마스크, 반도체 부품 제조 프로세스 및 반사 마스크 제조 방법
US9235114B2 (en) Reflective mask and method for manufacturing the same
US20090233185A1 (en) Extreme Ultraviolet Mask and Method for Fabricating the Same
US20120156450A1 (en) Multi-exposure lithography employing differentially sensitive photoresist layers
US8765328B2 (en) Exposure mask and method for manufacturing same and method for manufacturing semiconductor device
US20210072634A1 (en) Reflective mask
US8007959B2 (en) Photomask and pattern formation method using the same
US20240027890A1 (en) Reflective mask and method of designing anti-reflection pattern of the same
KR100945933B1 (ko) 극자외선 리소그래피에 사용되는 마스크 및 제조 방법
US9274411B2 (en) Reflection type blank masks, methods of fabricating the same, and methods of fabricating reflection type photo masks using the same
US8673521B2 (en) Blank substrates for extreme ultra violet photo masks and methods of fabricating an extreme ultra violet photo mask using the same
JP2000021978A (ja) フォトマスクおよびパターン形成方法
US7361434B2 (en) Phase shift mask
US20230305381A1 (en) Euv photo masks and manufacturing method thereof
US20220091497A1 (en) Reflective mask and method for manufacturing a semiconductor device using the same
US20230314927A1 (en) Euv photo masks and manufacturing method thereof
US7482110B2 (en) Method for adapting structure dimensions during the photolithographic projection of a pattern of structure elements onto a semiconductor wafer
CN115268212A (zh) 掩膜版的制作方法
CN116560175A (zh) Euv光掩模及其制造方法
US8748065B2 (en) Reflection type blank masks, methods of fabricating the same, and methods of fabricating reflection type photo masks using the same
US20080070126A1 (en) Patterning masks, methods, and systems

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication