KR101076886B1 - 극자외선 리소그래피를 위한 마스크 및 이를 이용한 노광방법 - Google Patents

극자외선 리소그래피를 위한 마스크 및 이를 이용한 노광방법 Download PDF

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Abstract

본 발명의 극자외선 리소그래피를 위한 마스크는, 기판 상에 입사되는 극자외선(EUV)을 반사시키는 반사층; 반사층 상에 반사층의 제1 영역 및 제2 영역을 노출하게 형성된 흡수층 패턴; 및 반사층의 제1 영역 내의 제3 영역이 제1 깊이만큼 리세스되어 형성된 제1 홈 및 반사층의 제2 영역 내의 제3 영역이 제1 깊이보다 깊은 제2 깊이만큼 리세스되어 형성된 제2 홈을 포함한다.
EUV 마스크, 소멸 간섭, 보강 간섭

Description

극자외선 리소그래피를 위한 마스크 및 이를 이용한 노광방법{Mask for EUV lithography and method for exposure using the same}
본 발명은 리소그래피(lithography) 기술에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 극자외선(EUV; Extreme Ultra Violet) 리소그래피를 위한 마스크(mask) 및 이를 이용한 노광방법에 관한 것이다.
포토마스크(Photomask)는 투명한 재질의 기판 상에 형성된 마스크 패턴 상에 빛을 투과시켜 투과된 빛이 웨이퍼로 전사되어 웨이퍼 상에 원하는 패턴을 형성하는 역할을 한다. 반도체 소자의 집적도가 높아지면서 패턴의 크기가 미세화됨에 따라 마스크 패턴을 형성하는데 있어서 한계가 나타나고 있다. 특히 반도체 소자가 30nm 이하급으로 작아지면서 ArF 파장을 이용하는 노광 장치로 미세 패턴을 웨이퍼 상으로 전사하는데 어려움이 있다. 이러한 한계를 극복하는 방법 가운데 하나로 극자외선(EUV)을 이용한 리소그래피 공정이 제안되어 적용되고 있다.
극자외선 리소그래피(EUVL) 공정은 종래 노광 공정에서 사용하는 KrF 또는 ArF 파장의 광원보다 짧은 13.5nm 파장대의 극자외선(EUV)을 광원으로 사용한다. 이러한 극자외선을 광원으로 사용할 경우, 극자외선 광원이 대부분의 물질에서 흡 수가 이루어져 현재의 투과(transmission)를 이용한 노광 방법으로는 이용이 어려운 점이 있다. 이에 따라 투과를 이용한 노광 방법이 아닌 광을 반사시켜 노광하는 방법이 연구되고 있다. 극자외선 리소그래피 공정에서 사용되는 마스크는, 기판 상에 Mo/Si층의 다층 구조로 이루어지는 광반사층을 포함하여 형성된다. 따라서, 웨이퍼 상으로 전사될 패턴의 레이아웃(layout)을 따르는 형상으로는 광흡수층 패턴이 형성된다.
이러한 극자외선 리소그래피용 마스크를 이용한 리소그래피 과정은, 대략 150㎚ 정도의 포커스심도(DOF: Depth Of Focus)에서 웨이퍼(wafer) 상에 대략 32㎚ 선폭(CD: Critical Dimension)의 패턴을 노광 전사할 수 있을 것으로 예상되고 있다. 그럼에도 불구하고, 반도체 소자의 집적도가 보다 높은 수준으로 요구되고 있으며, 또한, 웨이퍼 상에 집적될 회로 패턴의 임계 선폭(CD)의 크기가 30㎚ 이하로 축소될 경우, 보다 높은 해상력을 구현하는 EUV 리소그래피 방법의 개발이 요구되고 있다.
극자외선 리소그래피 공정에서 보다 높은 해상력을 구현하기 위한 방법 가운데 하나로 더블 패터닝 기술(DPT; Double patterning tech.)이 있다. 더블 패터닝 기술은 두 장의 마스크를 이용하여 두 번의 노광 공정으로 최종 웨이퍼에 전사하고자 하는 패턴을 형성하는 방법이다. 즉, 한 층의 포토 공정시 한 장의 마스크를 이용하는 대신에, 두 장의 마스크로 나누어 진행한다. 이 경우 데이터베이스도 각각의 마스크로 나누어지게 된다. 이러한 더블 패터닝 기술은 마스크 패턴을 두 장의 마스크에 나누어 마스크를 제작하고, 두 번의 노광 공정을 진행하므로 공정 단계가 복잡해지는 문제가 있다. 또한 마스크를 두 장으로 나누어 제작하면 마스크상 정렬도가 각각 발생하여 마스크 정렬도 에러(mask registration error) 문제가 발생한다. 이러한 마스크 정렬도 에러는 이후 노광공정 진행시 노광 장비의 오버레이를 악화시키는 문제를 유발한다. 이에 따라 극자외선 리소그래피 공정 진행시 마스크 정렬도 에러를 개선하여 웨이퍼 상에 정확한 패턴을 구현할 수 있는 방법이 요구된다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 극자외선 리소그래피 과정으로 미세한 패턴을 보다 높은 해상력을 구현하며 웨이퍼 상으로 전사할 수 있는 극자외선 리소그래피를 위한 마스크 및 이를 이용한 노광방법을 제공하는데 있다.
본 발명에 따른 극자외선 리소그래피를 위한 마스크는, 기판 상에 입사되는 극자외선(EUV)을 반사시키는 반사층; 상기 반사층 상에 상기 반사층의 제1 영역 및 제2 영역을 노출하게 형성된 흡수층 패턴; 및 상기 반사층의 제1 영역 내의 제3 영역이 제1 깊이만큼 리세스되어 형성된 제1 홈 및 상기 반사층의 제2 영역 내의 제3 영역이 상기 제1 깊이보다 깊은 제2 깊이만큼 리세스되어 형성된 제2 홈을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 있어서, 상기 제1 홈은 제1 파장(λ1)의 극자외선 광원 입사시 0도로 반사되는 반사광의 양과 180도로 반사되는 반사광의 양이 동일하여 소멸되며, 제2 파장(λ2)의 극자외선 광원 입사시 상기 제3 영역 부분에서 반사되는 반사광과 180도 위상차를 가지는 반사광을 반사하는 제1 깊이로 형성된다.
상기 제2 홈은 제2 파장(λ2)의 극자외선 광원 입사시 0도로 반사되는 반사광의 양과 180도로 반사되는 반사광의 양이 동일하여 소멸되며, 제1 파장(λ1)의 극자외선 광원 입사시 상기 제3 영역 부분에서 반사되는 반사광과 180도 위상차를 가 지는 반사광을 반사하는 제2 깊이로 형성된다.
상기 반사층과 상기 흡수층 패턴의 계면에 상기 반사층을 보호하는 캡핑층을 더 포함하여 형성된다.
본 발명에 따른 극자외선 리소그래피를 위한 마스크를 이용한 노광 방법은, 기판 상에 입사되는 극자외선(EUV)광을 반사시키는 반사층을 형성하는 단계; 상기 반사층 상에 상기 반사층의 제1 영역을 노출하는 흡수층 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 반사층의 제1 영역 내의 제3 영역 부분을 리세스하여 상기 제1 영역의 표면과 단차를 가지는 제1 깊이의 홈을 형성하고, 상기 반사층의 제2 영역 내의 제3 영역 부분을 리세스하여 상기 제2 영역의 표면과 단차를 가지는 제2 깊이의 홈을 형성하여 극자외선 리소그래피용 마스크를 제작하는 단계; 상기 극자외선 리소그래피용 마스크를 이용한 1차 노광으로 웨이퍼의 제1 부분을 노출하는 레지스트막 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 극자외선 리소그래피용 마스크를 이용한 2차 노광으로 상기 웨이퍼의 제1 부분을 제외한 제2 부분을 노출하는 레지스트막 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 제1 홈은 제1 파장(λ1)의 극자외선 광원 입사시 0도로 반사되는 반사광의 양과 180도로 반사되는 반사광의 양이 동일하여 소멸되며, 제2 파장(λ2)의 극자외선 광원 입사시 상기 제3 영역 부분에서 반사되는 반사광과 180도 위상차를 가지는 반사광을 반사하는 제1 깊이로 형성하는 것이 바람직하다.
상기 제2 홈은 제2 파장(λ2)의 극자외선 광원 입사시 0도로 반사되는 반사 광의 양과 180도로 반사되는 반사광의 양이 동일하여 소멸되며, 제1 파장(λ1)의 극자외선 광원 입사시 상기 제3 영역 부분에서 반사되는 반사광과 180도 위상차를 가지는 반사광을 반사하는 제2 깊이로 형성하는 것이 바람직하다.
상기 1차 노광 공정은 제1 파장의 극자외선 광원이 입사하여 상기 반사층의 제1 영역에서 소멸 간섭을 유도하고, 상기 반사층의 제2 영역에서 보강 간섭을 유도하여 상기 웨이퍼상의 제1 부분을 노출하는 레지스트막 패턴을 형성하는 것이 바람직하다.
상기 2차 노광 공정은 제2 파장의 극자외선 광원이 입사하여 상기 반사층의 제2 영역에서 소멸 간섭을 유도하고, 상기 반사층의 제1 영역에서 보강 간섭을 유도하여 상기 웨이퍼상의 제1 부분을 제외한 제2 부분을 노출하는 레지스트막 패턴을 형성하는 것이 바람직하다.
본 발명에 따르면, 극자외선 리소그래피 공정을 진행하는 과정에서 한 장의 마스크로 더블 패터닝 기술을 수행할 수 있어 마스크 정렬도 에러를 방지할 수 있다. 또한 노광 파장을 변화시켜 마스크 상에 구현된 패턴을 웨이퍼 상에 선택적으로 전사할 수 있다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 상세히 설 명하고자 한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
도 1 내지 도 11은 본 발명의 실시예에 따른 극자외선 리소그래피를 위한 마스크 및 이를 이용한 노광방법을 설명하기 위해 나타내보인 도면들이다.
도 1을 참조하면, 기판(100) 상에 반사층(mirror layer, 110)을 형성한다. 기판(100)은 빛을 투과시킬 수 있는 투명한 재질, 예를 들어 석영(Quartz)을 포함하여 이루어진다. 기판(100)의 후면에는 극자외선 리소그래피 장비의 정전척(electrostatic chuck) 상에 기판(100)이 장착될 때, 정전 작용에 의한 기판(100)의 장착을 유도하는 정전 유도층(135)이 크롬질화물(CrN)층을 포함하여 형성될 수 있다.
기판(100) 상에 형성되는 반사층(110)은 이후 진행될 노광 공정에서 마스크로 조사되는 광을 반사시키는 역할을 한다. 반사층(110)은 입사되는 극자외선광(EUV)을 산란시키는 산란층(115)과 산란층(115) 사이를 이격시키는 이격층(117)을 포함하는 이중층(120)이 다층으로 적층되어 형성된다. 여기서 산란층(115)은 몰리브데늄(Mo)층을 포함하여 형성될 수 있고, 이격층(117)은 실리콘(Si)층을 포함하여 형성될 수 있다. 이러한 산란층(115) 및 이격층(117)은 고반사율을 구현하기 위하여 30층 내지 60층이 교차 증착된 다층 구조로 형성할 수 있다. 이 경우 반사층(110)의 최상위층(127)은 마스크를 제작하는 공정을 진행하는 동안 반사층(110)을 산화 또는 오염으로부터 보호하는 캡핑층 역할을 한다. 이러한 캡핑층 역할을 하는 반사층(110)의 최상위층(127)은 실리콘(Si) 또는 실리콘옥사이드(SiO2)을 포함하여 형성할 수 있다.
다음에 반사층(110) 위에 버퍼층(buffer layer, 125) 및 흡수층(absorber layer, 130)을 형성한다. 반사층(110) 위에 형성된 버퍼층(125)은 반사층(110)과 흡수층(130) 사이의 스트레스를 완화하는 역할을 한다. 이러한 버퍼층(125)은 크롬질화물(CrN)을 포함하여 형성할 수 있다. 흡수층(130)은 반사층(110)과 대응하여 이후 진행될 노광 공정에서 마스크로 입사되는 입사광을 흡수 및 소광시키는 역할을 한다. 이러한 흡수층(130)은 입사되는 극자외선광(EUV)에 대하여 99.8% 정도의 흡수율을 가지는 물질을 포함하여 형성된다.
도 2를 참조하면, 반사층(110)의 최상위층 표면을 선택적으로 노출시키는 흡수층 패턴(140) 및 버퍼층 패턴(145)을 형성한다. 구체적으로, 흡수층(130, 도 1 참조) 위에 레지스트막(미도시함)을 도포하고, 노광 공정 및 현상 공정을 포함하는 리소그래피 공정을 진행하여 흡수층(130) 표면 일부를 노출시키는 레지스트막 패턴을 형성한다. 다음에 이 레지스트막 패턴을 식각 마스크로 흡수층(130) 및 버퍼층(125)을 식각하여 반사층(110)의 최상위층의 표면 일부를 노출시키는 흡수층 패턴(140) 및 버퍼층 패턴(145)을 형성한다. 흡수층 패턴(140) 및 버퍼층 패턴(145)에 의해 반사층(110)은 제1 영역(200) 및 제2 영역(205)이 선택적으로 노출된다. 여기서 제1 영역(200) 및 제2 영역(205)은 동일한 폭으로 형성된다.
도 3을 참조하면, 흡수층 패턴(140)을 덮는 제1 레지스트 패턴(147)을 형성 한다. 구체적으로, 기판(100) 상에 레지스트막을 도포하여 형성한다. 다음에 레지스트막 상에 노광 및 현상 공정을 포함하는 리소그래피 공정을 진행하여 제1 레지스트 패턴(147)을 형성한다. 제1 레지스트 패턴(147)은 흡수층 패턴(140)에 노출된 반사층(110)의 제1 영역(200) 내의 가운데 부분인 제3 영역(210)을 노출하고, 제1 영역(200)의 가장자리 부분인 제4 영역(215)은 덮게 형성한다. 또한 제1 레지스트 패턴(147)은 제2 영역(205)의 반사층(110)이 노출된 부분을 모두 덮게 형성한다.
계속해서 제1 레지스트 패턴(147)을 식각 마스크로 이용하여 노출된 반사층(110)의 제1 영역(200) 내의 제3 영역(210) 부분을 식각하여 제1 깊이(d1)의 홈(149)을 형성한다. 여기서 제1 깊이(d1)의 홈(149)은 이후 극자외선광(EUV)을 이용한 노광시 제1 파장(λ1)에 의해 소멸 간섭이 일어나는 깊이만큼 식각하여 형성한다. 즉, 광학적으로 2d1= A*(λ1/2)를 따르며, A는 홀수이다. 이 경우 제1 깊이(d1)의 홈(149)은 제1 파장(λ1)을 제외한 파장, 예를 들어 제2 파장(λ2)에서는 보강 간섭이 일어나는 깊이이다.
이에 따라 제1 깊이(d1)의 홈(149)은 그 깊이에 의해 반사층(110)의 제4 영역(215)의 표면 부분과 단차를 가지게 된다. 이 경우 반사층(110)의 제2 영역(205)은 제1 레지스트 패턴(147)으로 덮여 있으므로 식각에 의한 영향을 받지 않는다. 다음에 제1 레지스트 패턴(147)을 선택적으로 스트립(strip)하여 제거한다.
도 4를 참조하면, 흡수층 패턴(140)을 덮는 제2 레지스트 패턴(150)을 형성 한다. 제2 레지스트 패턴(150)은 기판(100) 상에 레지스트막을 도포하고, 노광 및 현상 공정을 포함하는 리소그래피 공정을 진행하여 형성한다. 여기서 제2 레지스트 패턴(150)은 흡수층 패턴(140)에 의해 노출된 반사층(110)의 제2 영역(205) 내의 가운데 부분인 제3 영역(210)을 노출하고, 제2 영역(205)의 가장자리 부분인 제4 영역(215)은 덮게 형성한다. 또한 제2 레지스트 패턴(150)은 제1 영역(200)의 반사층(110)이 노출된 부분을 모두 덮게 형성한다.
계속해서 제2 레지스트 패턴(150)을 식각 마스크로 노출된 반사층(110)의 제3 영역(210) 부분을 선택적으로 식각하여 제2 깊이(d2)의 홈(153)을 형성한다. 여기서 제2 깊이(d2)의 홈(153)은 이후 극자외선광(EUV)을 이용한 노광시 제2 파장(λ2)에 의해 소멸 간섭이 일어나는 깊이만큼 식각하여 형성한다. 즉, 광학적으로 2d2= A*(λ2/2)를 따르며, A는 홀수이다. 이러한 제2 깊이(d2)의 홈(153)은 그 깊이에 의해 반사층(110)의 제4 영역(215)의 표면 부분과 단차를 가지게 된다. 여기서 제2 깊이(d2)의 홈(153)은 제1 깊이(d1)의 홈(149)보다 상대적으로 깊게 형성한다. 이 경우 제2 깊이(d2)의 홈(153)은 제2 파장(λ2)을 제외한 파장, 예를 들어 제1 파장(λ1)에서는 보강 간섭이 일어나는 깊이로 형성한다. 이 경우, 반사층(110)의 제1 영역(200)은 제2 레지스트 패턴(150)으로 덮여 있으므로 식각에 의한 영향을 받지 않는다. 다음에 제2 레지스트 패턴(150)을 선택적으로 스트립(strip)하여 제거하여 도 5에 제시된 바와 같은 극자외선 리소그래피를 위한 마스크 구조를 형성한다.
한편, 반사층 내에 하나의 레지스트 패턴을 이용하여 홈을 형성할 수도 있다. 구체적으로, 도 10을 참조하면, 흡수층 패턴(140)을 덮는 제3 레지스트 패턴(300)을 형성한다. 제3 레지스트 패턴(300)은 기판(100) 상에 레지스트막을 도포하고, 노광 및 현상 공정을 포함하는 리소그래피 공정을 진행하여 형성한다. 여기서 제3 레지스트 패턴(300)은 흡수층 패턴(140)에 의해 노출된 반사층(110)의 제2 영역(205) 내의 가운데 부분인 제3 영역(210)을 노출하고, 제2 영역(205)의 가장자리 부분인 제4 영역(215)은 덮게 형성한다. 또한 제2 레지스트 패턴(150)은 제1 영역(200)의 반사층(110)이 노출된 부분을 모두 덮게 형성한다. 계속해서 제3 레지스트 패턴(300)을 식각 마스크로 노출된 반사층(110)의 제3 영역(210) 부분을 선택적으로 식각하여 제3 깊이(d3)의 홈(305)을 형성한다.
다음에 도 11에 도시한 바와 같이, 제3 깊이(d3)의 홈(305)이 노출된 상태에서 제3 레지스트 패턴(300)의 제1 영역(200)에 대한 리소그래피 공정을 진행하여 반사층(110)의 제1 영역(200) 내의 가운데 부분인 제3 영역(210)을 노출시킨다. 계속해서 제3 레지스트 패턴(300)을 식각 마스크로 노출된 반사층(110)의 제1 영역(200) 내의 제3 영역(210)을 식각하여 제4 깊이(d4)의 홈(310)을 형성한다. 이 경우 제2 영역(205)은 제3 영역(210)을 식각하는 동한 제3 깊이(d3)의 홈(305)이 함께 식각되어 제4 깊이(d4)의 홈(310)보다 상대적으로 깊은 깊이의 제5 깊이(d5)의 홈(315)이 형성된다.
도 6 및 도 7을 참조하면, 극자외선 리소그래피용 마스크를 이용한 1차 노광 공정을 진행하여 도 7에 제시된 바와 같이, 웨이퍼(240) 상의 제1 부분(225)을 노출시키는 레지스트막 패턴(220)을 형성한다. 이를 위해 먼저 도 7의 웨이퍼(240) 상에 레지스트막을 도포한다. 다음에 웨이퍼(240) 상에 도 5의 극자외선 리소그래피용 마스크를 배치하고, 제1 파장(λ1)의 EUV 광원을 조사한다.
극자외선 리소그래피용 마스크 상에 제1 파장(λ1)의 EUV 광원이 조사되면 도 6에 도시한 바와 같이, 소멸 간섭이 일어나는 제1 깊이(d1)만큼 식각된 제1 영역(200)의 제3 영역(210)에서는 EUV 광원이 반사되지 않는다. 그리고 EUV 광원의 반사는 제2 영역(205) 내의 제3 영역(210)에서 이루어진다. 이 경우, 제2 영역(205) 내의 제3 영역(210)에서 반사되는 반사광과 180도 위상차를 가지는 반사광을 반사하여 웨이퍼(240) 상의 제1 부분(225)의 포토레지스트층을 노광시킨다.
그러면 웨이퍼(240) 상의 제1 부분(225)을 제외한 나머지 영역에서 포토레지스트층을 노광시키는 이미지 콘트라스트(image contrast)는 패턴이 형성되는 임계점 이하에서 형성되어 노광이 이루어지지 않는다. 웨이퍼(240) 상의 제1 부분(225)을 제외한 나머지 영역에서는 0도로 반사되는 EUV 광원(155)의 양과 180도로 반사되는 EUV 광원(160)의 양이 동일하게 되어, 즉, 반사 면적이 동일해져 패턴 이미지가 사라진다. 다음에 현상액을 이용하여 포토레지스트층의 노광 부분을 제거하면, 도 7에 도시한 레지스트막 패턴(220)이 형성된다.
도 8 및 도 9를 참조하면, 도 5의 극자외선 리소그래피용 마스크를 이용한 2차 노광 공정을 진행하여 도 9에 제시된 바와 같이, 웨이퍼(240) 상의 제2 부분(235)을 노출시키는 레지스트막 패턴(220)을 형성한다. 이를 위해 먼저 도 7의 웨이퍼(240) 상에 도 5의 마스크를 배치하고, 제2 파장(λ2)의 EUV 광원을 조사한다.
극자외선 리소그래피용 마스크 상에 제2 파장(λ2)의 EUV 광원이 조사되면 도 8에 도시한 바와 같이, 소멸 간섭이 일어나는 제2 깊이(d2)만큼 식각된 제2 영역(205) 내의 제3 영역(210)에서는 EUV 광원이 반사되지 않는다. 그리고 EUV 광원의 반사는 제1 영역(200) 내의 제3 영역(210)에서 이루어진다. 이 경우, 제1 영역(200) 내의 제3 영역(210)에서 반사되는 반사광과 180도 위상차를 가지는 반사광을 반사하여 웨이퍼(240) 상의 제1 부분(225)을 제외한 제2 부분(235)의 포토레지스트층을 노광시킨다.
그러면 웨이퍼(240) 상의 제2 부분(235)을 제외한 나머지 영역에서 포토레지스트층을 노광시키는 이미지 콘트라스트는 패턴이 형성되는 임계점 이하에서 형성되어 노광이 이루어지지 않는다. 이에 따라 웨이퍼(240)의 제1 부분(225)은 2차 노광 공정에 의한 영향을 받지 않는다. 웨이퍼(240) 상의 제2 부분(235)을 제외한 나머지 영역에서는 0도로 반사되는 EUV 광원(165)의 양과 180도로 반사되는 EUV 광원(170)의 양이 동일하게 되고 반사 면적이 동일해져 패턴 이미지가 사라진다.
그리고 EUV 광원의 반사는 제1 영역(200) 내의 제3 영역(210)에서 이루어져 웨이퍼(240) 상의 제2 부분(235)의 포토레지스트층을 노광시킨다. 다음에 현상액을 이용하여 포토레지스트층의 노광 부분을 제거하면, 도 8에 도시한 레지스트막 패턴(220)이 형성된다.
본원 발명에 의하면, 웨이퍼(240) 상에 제1 부분(225) 및 제2 부분(235)을 포함하는 레지스트막 패턴(220)을 각각 연속된 과정으로 구현하면 마스크 두 장을 이용하여 진행한 더블 패터닝 기술(DPT) 방법을 진행하는 방식과 동일하게 마스크 1장으로 가능하다. 이에 따라 마스크를 두 장을 이용하여 진행시 유발된 마스크 정렬도(mask registration) 에러를 방지할 수 있다.
도 1 내지 도 11은 본 발명의 실시예에 따른 극자외선 리소그래피를 위한 마스크 및 이를 이용한 노광방법을 설명하기 위해 나타내보인 도면들이다.

Claims (9)

  1. 기판 상에 입사되는 극자외선(EUV)을 반사시키는 반사층;
    상기 반사층 상에 상기 반사층의 제1 영역 및 제2 영역을 노출하게 형성된 흡수층 패턴; 및
    상기 반사층의 제1 영역 내의 제3 영역이 제1 깊이만큼 리세스되어 형성된 제1 홈 및 상기 반사층의 제2 영역 내의 제3 영역이 상기 제1 깊이보다 깊은 제2 깊이만큼 리세스되어 형성된 제2 홈을 포함하는 극자외선 리소그래피를 위한 마스크.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 홈은 제1 파장(λ1)의 극자외선 광원 입사시 0도로 반사되는 반사광의 양과 180도로 반사되는 반사광의 양이 동일하여 소멸되며, 제2 파장(λ2)의 극자외선 광원 입사시 상기 제3 영역 부분에서 반사되는 반사광과 180도 위상차를 가지는 반사광을 반사하는 제1 깊이로 형성된 극자외선 리소그래피를 위한 마스크.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제2 홈은 제2 파장(λ2)의 극자외선 광원 입사시 0도로 반사되는 반사광의 양과 180도로 반사되는 반사광의 양이 동일하여 소멸되며, 제1 파장(λ1)의 극 자외선 광원 입사시 상기 제3 영역 부분에서 반사되는 반사광과 180도 위상차를 가지는 반사광을 반사하는 제2 깊이로 형성된 극자외선 리소그래피를 위한 마스크.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 반사층과 상기 흡수층 패턴의 계면에 상기 반사층을 보호하는 캡핑층을 더 포함하여 형성된 극자외선 리소그래피를 위한 마스크.
  5. 기판 상에 입사되는 극자외선(EUV)광을 반사시키는 반사층을 형성하는 단계;
    상기 반사층 상에 상기 반사층의 제1 영역을 노출하는 흡수층 패턴을 형성하는 단계; 및
    상기 반사층의 제1 영역 내의 제3 영역 부분을 리세스하여 상기 제1 영역의 표면과 단차를 가지는 제1 깊이의 홈을 형성하고, 상기 반사층의 제2 영역 내의 제3 영역 부분을 리세스하여 상기 제2 영역의 표면과 단차를 가지는 제2 깊이의 홈을 형성하여 극자외선 리소그래피용 마스크를 제작하는 단계;
    레지스트막이 형성된 웨이퍼 상에 상기 극자외선 리소그래피용 마스크를 배치하는 단계;
    상기 극자외선 리소그래피용 마스크를 이용한 1차 노광으로 상기 웨이퍼의 표면 일부를 노출하는 제1 개구부를 포함하는 레지스트막 패턴을 형성하는 단계; 및
    상기 레지스트막 패턴 상에 상기 극자외선 리소그래피용 마스크를 이용한 2차 노광을 수행하여 상기 레지스트막 패턴 상에 상기 웨이퍼의 다른 부분의 표면 일부를 노출하는 제2 개구부를 형성하는 단계를 포함하는 극자외선 리소그래피를 위한 마스크를 이용한 노광 방법.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제1 홈은 제1 파장(λ1)의 극자외선 광원 입사시 0도로 반사되는 반사광의 양과 180도로 반사되는 반사광의 양이 동일하여 소멸되며, 제2 파장(λ2)의 극자외선 광원 입사시 상기 제3 영역 부분에서 반사되는 반사광과 180도 위상차를 가지는 반사광을 반사하는 제1 깊이로 형성하는 극자외선 리소그래피를 위한 마스크를 이용한 노광 방법.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 제2 홈은 제2 파장(λ2)의 극자외선 광원 입사시 0도로 반사되는 반사광의 양과 180도로 반사되는 반사광의 양이 동일하여 소멸되며, 제1 파장(λ1)의 극자외선 광원 입사시 상기 제3 영역 부분에서 반사되는 반사광과 180도 위상차를 가지는 반사광을 반사하는 제2 깊이로 형성하는 극자외선 리소그래피를 위한 마스크를 이용한 노광 방법.
  8. 제5항에 있어서,
    상기 1차 노광 공정은 제1 파장의 극자외선 광원이 입사하여 상기 반사층의 제1 영역에서 소멸 간섭을 유도하고, 상기 반사층의 제2 영역에서 보강 간섭을 유도하여 상기 레지스트막 패턴에 상기 웨이퍼의 표면 일부를 노출하는 제1 개구부를 형성하는 극자외선 리소그래피를 위한 마스크를 이용한 노광 방법.
  9. 제5항에 있어서,
    상기 2차 노광 공정은 제2 파장의 극자외선 광원이 입사하여 상기 반사층의 제2 영역에서 소멸 간섭을 유도하고, 상기 반사층의 제1 영역에서 보강 간섭을 유도하여 상기 레지스트막 패턴 상에 상기 웨이퍼의 다른 부분의 표면 일부를 노출하는 제2 개구부를 형성하는 극자외선 리소그래피를 위한 마스크를 이용한 노광 방법.
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