KR20100013975A - 반사형 마스크, 그 제조방법 및 그를 이용한 반도체 소자의패턴 형성방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반사형 마스크의 패턴이 왜곡되어 노광되는 쉐도잉 효과(shadowing effect)를 개선할 수 있는 반사형 마스크, 그 제조방법, 및 그를 이용한 반도체 소자의 패턴 형성방법에 관한 것이다.
본 발명은 입사광이 입사되는 방향의 흡수 패턴의 측벽을 경사지게 형성하고, 노광 공정시 입사광을 흡수 패턴의 측벽에 형성된 경사각과 동일한 각으로 입사시킴으로써 반사형 마스크의 패턴이 왜곡되어 노광되는 현상을 개선할 수 있다. 이와 더불어 본 발명은 입사광이 입사되는 방향에 대해 수직한 방향의 흡수 패턴의 측벽을 수직하게 형성함으로써 포토레지스트막에 조사되는 광의 콘트라스트 비가 저하되어 반사형 마스크 패턴이 왜곡되어 노광되는 현상을 개선할 수 있다.
EUV광, 반사형 마스크, shadowing effect, 콘트라스트
Description
본 발명은 반사형 마스크, 그 제조방법, 및 그를 이용한 반도체 소자의 패턴 형성방법에 관한 것으로서, 특히 반사형 마스크의 패턴이 왜곡되어 노광되는 쉐도잉 효과(shadowing effect)를 개선할 수 있는 반사형 마스크, 그 제조방법, 및 그를 이용한 반도체 소자의 패턴 형성방법에 관한 것이다.
반도체 소자의 패턴은 다수의 마스크 공정을 이용하여 형성된다. 하나의 마스크 공정은 박막 증착(코팅) 공정, 세정 공정, 포토리소그래피 공정, 및 식각 공정 등과 같은 다수의 공정을 포함한다. 포토리소그래피 공정은 반도체 기판상에 박막을 형성하는 공정, 박막 상에 포토레지스트막을 형성하는 공정, 노광 마스크를 이용하여 포토레지스트막을 선택적으로 노광하는 공정, 및 포토레지스트막을 현상하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 공정을 포함한다. 이러한 포토레지스트 패턴 을 식각 베리어로 이용하여 반도체 기판상에 형성된 박막을 식각하면, 포토레지스트 패턴 하부에 박막 패턴이 형성된다. 이에 따라 박막 패턴의 임계 치수(critical demension)는 포토레지스트 패턴의 임계 치수에 따라 결정되며, 포토레지스트 패턴의 임계 치수는 노광 공정시 어떤 파장의 광원을 사용하느냐에 따라 좌우된다.
포토레지스트 패턴의 임계 치수는 노광 공정시 이용되는 광원의 파장이 짧을 수록 미세해질 수 있다. 이에 따라 반도체 소자의 고집적화에 대응하여 미세패턴을 형성하기 위해 KrF 및 ArF와 같은 DUV(deep ultra violet) 광원을 이용한 노광 공정이 개발되었으며, 더 나아가 광원으로 KrF 및 ArF보다 더 짧은 파장의 광원을 이용한 EUV(Extreme Ultra-Violet) 노광 공정이 개발되었다.
EUV광은 마스크등을 투과하는 과정에서 대부분 흡수되기 때문에 일반적인 노광 공정시 이용하는 투광 마스크 대신 반사형 마스크를 이용하여 노광 공정을 실시한다. 반사형 마스크에는 반사층 및 반사층 상에 형성된 흡수 패턴을 포함한다. 일반적으로 EUV 노광 공정은 반사형 마스크의 일측 방향에서 경사진 각으로 EUV광을 입사킴으로써 실시된다. 반사형 마스크에 입사된 EUV광은 흡수 패턴에서 흡수되며, 반사층에서는 반사된다. 이에 따라 반사층에 입사된 빛은 반사되어 반도체 기판 상에 형성된 포토레지스트막에 조사된다. 그 결과 포토레지스트막에서 노광 영역은 반사형 마스크의 흡수 패턴과 반전된 위상을 가진다.
이와 같이 EUV노광 공정은 반사형 마스크의 기판에 대해 수직한 방향에서 EUV광을 입사시키지 않고 경사진 방향에서 EUV광을 입사시켜 실시된다. 그 결과 반사층 상에 형성된 흡수 패턴에 의해 반사형 마스크 표면에 형성된 단차의 영향으로 EUV광이 반사되어야 하는 부분에서 EUV광이 흡수되거나, EUV광이 흡수되어야 할 부분에서 EUV광이 반사되어 반사광에 의해 형성되는 패턴이 왜곡되는 쉐도잉 효과(shadowing effect)가 유발된다. 쉐도잉 효과를 개선하기 위해서는 반사형 마스크 설계시 왜곡되는 치수만큼 보상을 해주어야 하기 때문에 마스크 제작이 어렵고 정확한 크기의 패턴을 얻기 힘들다는 단점이 있다. 이에 따라 단순화된 방법으로 쉐도잉 효과를 개선하기 위한 반사형 마스크에 대한 개발이 요구된다.
본 발명은 반사형 마스크의 패턴이 왜곡되어 노광되는 쉐도잉 효과(shadowing effect)를 개선할 수 있는 반사형 마스크, 그 제조방법, 및 그를 이용한 반도체 소자의 패턴 형성방법을 제공한다.
본 발명에 따른 반사형 마스크는 모기판 상에 형성된 반사층, 및 반사층 상에 형성되며, 제1 축 방향의 양측벽이 모기판에 대해 경사지며, 제1 축에 수직한 제2 축 방향의 양측벽이 모기판에 대해 수직하게 형성된 흡수 패턴을 포함한다.
흡수 패턴과 반사층 사이에는 흡수 패턴과 동일한 각으로 형성된 측벽을 가지는 버퍼 패턴이 더 형성된다.
본 발명에 따른 반사형 마스크의 제조방법은 모기판 상에 반사층을 형성하는 단계, 반사층 상에 제1 축 방향의 양측벽과, 제1 축에 수직한 제2 축 방향의 양측벽이 상기 모기판에 대해 경사진 흡수 패턴을 형성하는 단계, 및 흡수 패턴을 식각하여 상기 흡수 패턴의 측벽 중 제2 축 방향의 양측벽을 모기판에 대해 수직하도록 형성하는 단계를 포함한다.
반사층을 형성하는 단계 이 후, 반사층 상에 버퍼층을 형성하는 단계를 더 포함한다.
흡수 패턴을 형성하는 단계는 반사층 상에 탄탈륨을 포함하는 흡수층을 형성 하는 단계, 흡수층 상에 제1 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계, Cl2에 CHCL3, CH2F2, 및 CF4 중 적어도 어느 하나를 첨가시킨 식각액을 이용하여 흡수층을 식각하는 단계, 및 제1 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계를 포함한다.
제2 축 방향의 양측벽을 모기판에 대해 수직하도록 형성하는 단계는 흡수 패턴이 형성된 반사층 상에 흡수 패턴과 교차되는 방향으로 제2 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계, 흡수 패턴을 식각하는 단계, 및 제2 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계를 포함한다.
제2 축 방향의 양측벽을 모기판에 대해 수직하도록 형성하는 단계에서 흡수 패턴이 다수의 패턴으로 분리된다.
본 발명에 따른 반도체 소자의 패턴 형성방법은 식각 대상막 및 포토레지스트막이 적층된 반도체 기판을 제공하는 단계, 모기판 상에 형성된 반사층, 및 상기 반사층 상에 형성되며 제1 축 방향의 양측벽이 상기 모기판에 대해 경사지며, 상기 제1 축에 수직한 제2 축 방향의 양측벽이 상기 모기판에 대해 수직하게 형성된 흡수 패턴을 포함하는 반사형 마스크를 상기 포토레지스트막의 상부에 정렬하는 단계, 및 제1 축 방향에서 흡수 패턴에 형성된 경사각과 동일한 각으로 광을 입사시켜서 포토레지스트막에 흡수 패턴과 반전된 위상의 노광 영역을 형성하는 단계를 포함한다.
노광 영역을 형성하는 단계에서 EUV광을 이용하여 실시하는 것이 바람직하다.
본 발명은 입사광이 입사되는 방향의 흡수 패턴의 측벽을 경사지게 형성하고, 노광 공정시 입사광을 흡수 패턴의 측벽에 형성된 경사각과 동일한 각으로 입사시켜 반사형 마스크의 패턴이 왜곡되어 노광되는 현상을 개선할 수 있다. 이와 더불어 본 발명은 입사광이 입사되는 방향에 대해 수직한 방향의 흡수 패턴의 측벽을 수직하게 형성하여 콘트라스트 비가 저하되어 반사형 마스크 패턴이 왜곡되어 노광되는 현상을 개선할 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며 통상의 지식을 가진자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다.
도 1a 내지 도 1d는 본 발명에 따른 반사형 마스크의 제조방법을 설명하기 위한 평면도들이다. 그리고 도 2a 내지 도 2d는 도 1a 내지 도 1d에 도시된 선 "I-I'"를 따라 절취하여 나타낸 단면도들이다. 또한 도 3은 도 1d에 도시된 선 "Ⅱ-Ⅱ'"를 따라 절취하여 나타낸 단면도이다.
도 1a 및 도 2a를 참조하면, 반사층(103)이 적층된 모기판(101)의 반사 층(103) 상에 흡수층(107)을 적층하고, 흡수층(107) 상에 제1 포토레지스트 패턴(109)을 형성한다.
반사층(103)은 노광 공정 진행시 입사되는 EUV(Extreme Ultra-Violet)광을 반사시키는 역할을 하는 것으로서, EUV광에 대한 반사율이 60%이상인 물질로 형성할 수 있다. 예를 들어 반사층(103)은 몰리브덴(MO)막 및 실리콘(Si)막이 교대로 적층된 다층막(multi layer)(예를 들어, 40개 층)으로 형성될 수 있다. 흡수층(107)은 노광 공정 진행시 입사되는 EUV광을 흡수하는 물질로 형성되며, 반사층(103)과의 반사율 차이가 50%이상인 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 흡수층(107)은 TaN 또는 TaON과 같이 탄탈륨(Ta)을 포함하는 물질로 형성될 수 있다. 반사층(103)과 흡수층(107) 사이에는 후속 식각 공정 진행시 식각 정지막으로 사용되어 반사층(103)을 보호하는 역할을 하는 버퍼층(105)이 더 형성될 수 있다. 버퍼층(105)은 실리콘(Si) 또는 루비듐(Ru)으로 형성할 수 있다. 제1 포토레지스트 패턴(109)은 흡수층(107) 상에 제1 포토레지스트막을 형성한 후 전자빔(E-Beam)을 이용하여 제1 포토레지스트막을 노광하고 현상함으로써 형성된다.
도 1b 및 도 2b를 참조하면, 도 1a 및 도 2a에 도시된 제1 포토레지스트 패턴(109)을 식각 베리어로 사용하여 도 1a 및 도 2a에 도시된 흡수층(107)을 식각하여 1차 흡수 패턴(107a)을 형성한다. 이 후, 도 1a 및 도 2a에 도시된 제1 포토레지스트 패턴(109)을 스트립 공정으로 제거하고, 이어서 세정(cleaning)공정을 실시한다. 이 후, 1차 흡수 패턴(107a)을 식각 베리어로 사용하여 도 1a 및 도 2a에 도시된 버퍼층(105)을 더 식각하여 1차 버퍼 패턴(105a)을 형성할 수 있다.
1차 흡수 패턴(107a) 및 1차 버퍼 패턴(105a)은 제1 축(I-I' 방향의 축)의 양측벽 및 제1 축(I-I' 방향의 축)에 수직한 제2 축(Ⅱ-Ⅱ' 방향의 축) 방향의 양측벽이 후속 노광 공정 진행시 입사되는 입사광과 동일한 경사각(θ)을 갖도록 형성된다. 1차 흡수 패턴(107a) 및 1차 버퍼 패턴(105a)의 측벽이 경사지게 형성되도록 하기 위해 식각 공정시 이용되는 식각액(etchant)의 조성을 조절함으로써 가능하다. 흡수층이 탄탈륨을 포함하는 경우, Cl2를 포함하는 식각액을 이용할 수 있다. Cl2를 이용하여 흡수층을 식각하면, TaCl5가 반응 부산물로 생성되며 이는 기체 상태로 외부로 배출된다. 1차 흡수 패턴(107a) 및 1차 버퍼 패턴(105a)의 측벽이 경사지게 형성되도록 하기 위해서는 Cl2이외에 폴리머 발생을 유도할 수 있는 첨가물을 포함시켜야 한다. 폴리머 발생을 유도할 수 있는 첨가물로 CHCL3, CH2F2, 및 CF4 중 적어도 어느 하나를 이용할 수 있다. 첨가물을 통해 발생된 폴리머는 1차 흡수 패턴(107a) 및 1차 버퍼 패턴(105a)의 측벽에 남아 식각을 방해하므로 첨가물의 양을 조절하여 생성되는 폴리머의 양을 조절함으로써 1차 흡수 패턴(107a) 및 1차 버퍼 패턴(105a)의 측벽을 경사지게 형성할 수 있다.
도 1c 및 도 2c를 참조하면, 1차 흡수 패턴(107a) 및 1차 버퍼 패턴(105a)이 형성된 반사층(103) 상에 제2 포토레지스트 패턴(111)을 형성한다.
제2 포토레지스트 패턴(111)은 후속 식각 공정에서 식각 베리어 역할을 하는 것으로서, 후속 식각 공정 진행 후 1차 흡수 패턴(107a) 및 1차 버퍼 패턴(105a)의 제2 축(Ⅱ-Ⅱ' 방향의 축) 방향의 양측벽을 모기판(101)에 대해 수직이 되도록 하기 위해 형성된 것이다. 이를 위하여 제2 포토레지스트 패턴(111)은 1차 흡수 패턴(107a)들 및 1차 버퍼 패턴(105a)들에 교차되는 방향으로 형성한다.
도 1d 및 도 2d를 참조하면, 도 1c 및 도 2c에 도시된 제2 포토레지스트 패턴(111)을 식각 베리어로 사용하여 도 1c 및 도 2c에 도시된 1차 흡수패턴(107a)을 식각하여 최종 흡수 패턴(107b)을 형성한다. 이 후, 도 1c 및 도 2c에 도시된 제2 포토레지스트 패턴(111)을 스트립 공정으로 제거하고, 이어서 세정(cleaning)공정을 실시한다. 이 후, 최종 흡수 패턴(107b)을 식각 베리어로 사용하여 도 1c 및 도 2c에 도시된 1차 버퍼 패턴(105a)을 더 식각하여 최종 버퍼 패턴(105b)을 형성할 수 있다. 그 결과, 도 3에 도시된 바와 같이 도 1c 및 도 2c에 도시된 제2 포레지스트 패턴에 의해 가려지지 않아서 식각된 최종 흡수 패턴(107b) 및 최종 버퍼 패턴(105b)의 제2 축(Ⅱ-Ⅱ' 방향의 축) 방향의 양측벽은 모기판(101)에 대해 수직하게 형성된다. 식각 공정 후 최종 흡수 패턴(107b) 및 최종 버퍼 패턴(105b)의 측벽을 수직으로 형성하기 위해서는 Cl2를 포함하는 식각액(etchant)을 이용한다. 최종 흡수 패턴(107b) 및 최종 버퍼 패턴(105b)의 제2 축(Ⅱ-Ⅱ' 방향의 축)의 양측벽을 모기판(101)에 대해 수직이 되도록 형성하는 식각 공정을 이용하여 도 1c 및 도 2c에 도시된 1차 흡수패턴(107a) 및 1차 버퍼 패턴(105a)을 다수의 패턴으로 분리할 수 있다.
이하, 도 2d 및 도 3을 참조하여 본 발명에 따른 반사형 마스크를 이용한 반 도체 소자의 패턴 형성방법에 대해 설명한다. 도 2d 및 도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 반사형 마스크의 패턴(107b 및 105b)의 제1 축(I-I'방향의 축) 방향의 양 측벽은 경사각을 갖도록 형성되고, 제2 축(Ⅱ-Ⅱ' 방향의 축) 방향의 양 측벽은 모기판(101)에 대해 수직하게 형성된다. 이러한 반사형 마스크 패턴은 식각 대상막 및 포토레지스트막이 적층된 반도체 기판(미도시)이 제공된 후, 그 상부에 정렬된다. 이 후, 반사형 마스크에 광을 조사한다. 이 때, 광원으로는 EUV광을 이용하는 것이 바람직하다. 노광 공정을 실시한 결과, 반사형 마스크의 반사층(103)에서 반사된 광이 포토레지스트막에 조사되어 포토레지스트막에 흡수 패턴(107b)과 반전된 위상을 가지는 노광 영역이 형성된다.
노광 공정 진행시, 반사형 마스크에 입사된 입사광은 제1 축(I-I'방향의 축) 방향에 대해 경사지게 입사되며, 제2 축(Ⅱ-Ⅱ' 방향의 축)방향에 대해 수직하게 입사된다. 특히, 입사광과 반사광의 각이 동일한 것을 고려하여 노광 공정시 흡수 패턴(107b)의 제1 축(I-I'방향의 축) 방향의 양측벽에 형성된 경사각과 동일한 각으로 광을 입사시킨다. 그 결과, 반사층(103)을 향해 입사된 입사광은 쉐도잉 효과(shadowing effect)없이 모두 반사되어 포토레지스트막에 조사될 수 있다. 이에 따라 포토레지스트막의 노광 영역이 설계치에 맞게 형성될 수 있으므로 반도체 소자 패턴이 왜곡되는 현상을 개선할 수 있다.
또한 노광 공정 진행시, 반사형 마스크에 입사된 입사광은 제2 축(Ⅱ-Ⅱ' 방향의 축) 방향에 대해 수직하게 입사된다. 따라서 제2 축(Ⅱ-Ⅱ' 방향의 축) 방향의 양측벽이 제1 축(I-I'방향의 축) 방향의 측벽과 동일하게 경사지게 형성되면, 노광 공정 진행 시 제2 축(Ⅱ-Ⅱ' 방향의 축) 방향 끝단으로 갈수록 흡수 패턴(107b)의 두께가 얇아져서 입사광이 모두 흡수되지 못하고 일부 반사될 수 있다. 이로 인하여 포토레지스트막에 조사되는 광의 콘트라스트(contrast)가 저하된다. 본 발명은 제2 축(Ⅱ-Ⅱ' 방향의 축) 방향의 양측벽을 모기판(101)에 대해 수직하게 형성함으로써 입사광을 흡수하는 흡수 패턴(107b)의 두께를 동일하게 형성할 수 있으므로 콘트라스트의 저하를 개선할 수 있다. 이에 따라 콘트라스트 저하로 인하여 포토레지스트 패턴이 설계치와 다르게 형성되어 반도체 소자의 패턴이 왜곡되는 현상을 개선할 수 있다.
상기에서 설명한 본 발명의 기술적 사상은 바람직한 실시예에서 구체적으로 기술되었으나, 상기한 실시예는 그 설명을 위한 것이며 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다. 또한, 본 발명은 본 발명의 기술 분야의 통상의 전문가라면 본 발명의 기술적 사상의 범위 내에서 다양한 실시예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.
도 1a 내지 도 1d는 본 발명에 따른 반사형 마스크의 제조방법을 설명하기 위한 평면도들.
도 2a 내지 도 2d는 도 1a 내지 도 1d에 도시된 선 "I-I'"를 따라 절취하여 나타낸 단면도들.
도 3은 도 1d에 도시된 선 "Ⅱ-Ⅱ'"를 따라 절취하여 나타낸 단면도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
101 : 모기판 103 : 반사층
105 : 버퍼층 107 : 흡수층
109 : 제1 포토레지스트 패턴 111 : 제2 포토레지스트 패턴
Claims (9)
- 모기판 상에 형성된 반사층; 및상기 반사층 상에 형성되며, 제1 축 방향의 양측벽이 상기 모기판에 대해 경사지며, 상기 제1 축에 수직한 제2 축 방향의 양측벽이 상기 모기판에 대해 수직하게 형성된 흡수 패턴을 포함하는 반사형 마스크.
- 제 1 항에 있어서,상기 흡수 패턴과 상기 반사층 사이에는 상기 흡수 패턴과 동일한 각으로 형성된 측벽을 가지는 버퍼 패턴이 더 형성되는 반사형 마스크.
- 모기판 상에 반사층을 형성하는 단계;상기 반사층 상에 제1 축 방향의 양측벽과, 상기 제1 축에 수직한 제2 축 방향의 양측벽이 상기 모기판에 대해 경사진 흡수 패턴을 형성하는 단계; 및상기 흡수 패턴을 식각하여 상기 흡수 패턴의 측벽 중 상기 제2 축 방향의 양측벽을 상기 모기판에 대해 수직하도록 형성하는 단계를 포함하는 반사형 마스크의 제조방법.
- 제 3 항에 있어서,상기 반사층을 형성하는 단계 이 후,상기 반사층 상에 버퍼층을 형성하는 단계를 더 포함하는 반사형 마스크의 제조방법.
- 제 3 항에 있어서,상기 흡수 패턴을 형성하는 단계는상기 반사층 상에 탄탈륨을 포함하는 흡수층을 형성하는 단계;상기 흡수층 상에 제1 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;Cl2에 CHCL3, CH2F2, 및 CF4 중 적어도 어느 하나를 첨가시킨 식각액을 이용하여 상기 흡수층을 식각하는 단계; 및상기 제1 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계를 포함하는 반사형 마스크의 제조방법.
- 제 3 항에 있어서,상기 제2 축 방향의 양측벽을 상기 모기판에 대해 수직하도록 형성하는 단계는상기 흡수 패턴이 형성된 상기 반사층 상에 상기 흡수 패턴과 교차되는 방향으로 제2 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;상기 흡수 패턴을 식각하는 단계; 및상기 제2 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계를 포함하는 반사형 마스크의 제조방법.
- 제 3 항에 있어서,상기 제2 축 방향의 양측벽을 상기 모기판에 대해 수직하도록 형성하는 단계에서 상기 흡수 패턴이 다수의 패턴으로 분리되는 반사형 마스크의 제조방법.
- 식각 대상막 및 포토레지스트막이 적층된 반도체 기판을 제공하는 단계;모기판 상에 형성된 반사층, 및 상기 반사층 상에 형성되며 제1 축 방향의 양측벽이 상기 모기판에 대해 경사지며, 상기 제1 축에 수직한 제2 축 방향의 양측벽이 상기 모기판에 대해 수직하게 형성된 흡수 패턴을 포함하는 반사형 마스크를 상기 포토레지스트막의 상부에 정렬하는 단계; 및상기 제1 축 방향에서 상기 흡수 패턴에 형성된 경사각과 동일한 각으로 광을 입사시켜서 상기 포토레지스트막에 상기 흡수 패턴과 반전된 위상의 노광 영역을 형성하는 단계를 포함하는 반도체 소자의 패턴 형성방법.
- 제 8 항에 있어서,상기 노광 영역을 형성하는 단계에서 EUV광을 이용하여 실시하는 반도체 소자의 패턴 형성방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020080075739A KR20100013975A (ko) | 2008-08-01 | 2008-08-01 | 반사형 마스크, 그 제조방법 및 그를 이용한 반도체 소자의패턴 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1020080075739A KR20100013975A (ko) | 2008-08-01 | 2008-08-01 | 반사형 마스크, 그 제조방법 및 그를 이용한 반도체 소자의패턴 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20100013975A true KR20100013975A (ko) | 2010-02-10 |
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ID=42087896
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Country Status (1)
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| KR (1) | KR20100013975A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20160088456A (ko) * | 2015-01-15 | 2016-07-26 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반사형 마스크 및 제조 방법 |
-
2008
- 2008-08-01 KR KR1020080075739A patent/KR20100013975A/ko not_active Application Discontinuation
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| KR20160088456A (ko) * | 2015-01-15 | 2016-07-26 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반사형 마스크 및 제조 방법 |
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