JP5105862B2 - 半導体素子の微細パターンの形成方法 - Google Patents
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Description
1)半導体基板に形成された被食刻層の上部に、化学増幅型フォトレジスト膜を形成したあとフォトリソグラフィ工程により第1フォトレジストパターンを形成する段階と、
2)前記第1フォトレジストパターンを露光マスクが取り除かれた状態で全面露光を行ってからベークする段階と、
3)前記第1フォトレジストパターンにレジストフロー工程を適用し、第2フォトレジストパターンを得る段階とを含む半導体素子の微細パターンの形成方法を提供する。
図1aに示すように、半導体基板110の上部に、ArFフォトレジストのA52T3フォトレジスト(錦湖石油化学社製、ガラス転移温度:141℃)を250nmの厚さにコーティングしたあと、110℃で90秒間ソフトベークを行った。ソフトベークのあと、ArF露光装備であるXT:1400E(ASML社製)を用いて露光したあと、再度110℃で90秒間ポストベークを行った。ポストベークのあと、2.35%TMAH(Tetramethyl Ammonium Hydroxide)現像液で現像して第1コンタクトホールパターン120を得た。得られたコンタクトホールの大きさをウェハの左側部分から右側部分に移動しながら9ポイントを測定した結果、コンタクトホールは100〜105nm範囲の大きさを見せた(図3の●)。
図2a,図2bに示すように、前記参考例から得られた第1コンタクトホールのパターン220を、ArF露光装備を用いて別途の露光マスクなく全領域を再露光したあと、120℃で90秒間ベークした。前記ウェハを再び154℃で60秒間ベークしてコンタクトホールのパターンをフローさせることにより、第2コンタクトホールのパターン220’を得た。得られたコンタクトホールの大きさをウェハの左側部分から右側部分に移動しながら9ポイントを測定した結果、第2コンタクトホールの大きさは64〜68nm範囲であった(図3の■)。即ち、前記参考例の第1コンタクトホールに比べ、平均的に約40nm程の小さいコンタクトホールのパターンを得ており、このとき、ウェハ上の位置に関係なく均一な大きさを表わした。
図1bに示すように、前記参考例から得られた第1コンタクトホールのパターン120を別途の再露光工程なく154℃で60秒間ベークし、コンタクトホールのパターンをフローさせることにより第2’コンタクトホールのパターン120’を得た。得られたコンタクトホールの大きさをウェハの左側部分から右側部分に移動しながら9ポイントを測定した結果、第2’コンタクトホールの大きさは49〜61nm範囲であった(図3の▲)。しかし、前記実施例の場合とは異なり、ウェハの中央部位の場合、コンタクトホールの大きさが49nmに表われ、他の8箇所の部位より約10nm以上小さく形成されることを確認した。
120、220 第1フォトレジストパターン
120’、220’ 第2フォトレジストパターン
Claims (3)
- 1)半導体基板に形成された被食刻層の上部に、化学増幅型フォトレジスト膜を形成したあとフォトリソグラフィ工程により第1フォトレジストパターンを形成する段階と、
2)前記第1フォトレジストパターンを露光マスクが取り除かれた状態で全面露光を行ってからベークする段階と、
3)前記第1フォトレジストパターンにレジストフロー工程を適用し、第2フォトレジストパターンを得る段階と、
を含み、
段階(2)のベークは、フォトレジストのガラス転移温度未満で行うことを特徴とする半導体素子の微細パターンの形成方法。 - 段階(2)の露光源は、KrF、ArF及びVUVからなる群から選択されることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の微細パターンの形成方法。
- 段階(3)のレジストフロー工程は、フォトレジストのガラス転移温度以上で行うことを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の微細パターンの形成方法。
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