DE102015106624B4

DE102015106624B4 - Verfahren zum Verringern einer Defekt-Druckbarkeit für eine 1D-Struktur

Info

Publication number: DE102015106624B4
Application number: DE102015106624.6A
Authority: DE
Inventors: Yen-Cheng Lu; Chia-Hao Hsu; Shinn-Sheng Yu; Chia-Chen Chen; Jeng-Horng Chen; Anthony Yen
Original assignee: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Current assignee: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Priority date: 2014-07-31
Filing date: 2015-04-29
Publication date: 2020-09-17
Anticipated expiration: 2035-04-30
Also published as: US20180253008A1; US11086227B2; US20200310250A1; US9964850B2; CN105319860B; DE102015106624A1; KR101722821B1; KR20160016506A; CN105319860A; TWI569109B; US10684552B2; TW201604658A; US20160033866A1

Abstract

Verfahren, umfassend:Laden einer Maske (18) in ein Lithografiesystem (10), wobei die Maske (18) eine eindimensionale integrierte Schaltungs-Struktur, 1D IC-Struktur, enthält;Verwenden eines Pupillenphasenmodulators (22) in dem Lithografiesystem (10) zum Modulieren einer Phase von Licht, das von der Maske (18) gebeugt wird; undDurchführen eines Lithografiebelichtungsprozesses an einem zu strukturierenden Ziel (26) in dem Lithografiesystem (10) mit der Maske (18) und dem Pupillenphasenmodulator (22),wobei das Laden (62) der Maske (18) in das Lithografiesystem (10) ein Befestigen der Maske (18) in einer derartigen Konfiguration enthält, dass die 1D IC-Struktur in einer ersten Richtung (Y) orientiert ist,wobei der Pupillenphasenmodulator (22) so konfiguriert ist, dass sich die Phase auf einer Projektionspupillenebene (24) des Lithografiesystems (10) entlang der ersten Richtung (Y) ändert.

Description

HINTERGRUND
Die Industrie integrierter Halbleiterschaltungen (IC) hat ein exponentielles Wachstum erfahren. Technologische Fortschritte in IC-Materialien und Design haben Generationen von ICs erzeugt, wobei jede Generation kleinere und komplexere Schaltungen als die vorangehende Generation hat. Im Verlauf der IC-Entwicklung hat die funktionelle Dichte (d.h., die Anzahl miteinander verbundener Vorrichtungen pro Chipfläche) allgemein zugenommen, während die Geometriegröße (d.h., die kleinste Komponente (oder Leitung), die mit einem Herstellungsprozess erzeugt werden kann) abgenommen hat. Dieser Abwärtsskalierungsprozess bietet im Allgemeinen Vorteile durch eine Erhöhung der Produktionseffizienz und Senkung der damit verbundenen Kosten. Ein solches Abwärtsskalieren hat auch die Komplexität einer IC-Bearbeitung und -Herstellung erhöht. Zur Umsetzung dieser Fortschritte sind ähnliche Entwicklungen in der IC-Bearbeitung und -Herstellung erforderlich. Zum Beispiel wächst der Bedarf, Lithografieprozesse mit höherer Auflösung durchzuführen. Eine Lithografietechnik ist die Extrem-Ultraviolett-Lithografie (EUVL). Andere Techniken enthalten die Röntgenlithografie, Ionenstrahlprojektionslithografie, Elektronenstrahlprojektionslithografie und maskenlose Mehrfach-Elektronenstrahllithografie.
Die EUVL setzt Scanner ein, die Licht in der Extrem-Ultraviolett- (EUV) Region mit einer Wellenlänge von etwa 1-100nm verwenden. Einige EV-Scanner stellen einen Projektionsdruck mit 4X-Verringerung bereit, ähnlich einigen optischen Scannern, mit der Ausnahme, dass die EUV-Scanner reflektierende und nicht brechende Optik verwenden, d.h., Spiegel anstelle von Linsen. EUV-Scanner stellen die gewünschte Struktur auf einer Absorptionsschicht bereit („EUV“-Maskenabsorbierer), die auf einer reflektierenden Maske gebildet ist. Derzeit werden Binary Intensity Masks (binäre Intensitätsmasken, BIM) in EUVL zur Herstellung integrierter Schaltungen verwendet. Die EUVL ist einer optischen Lithografie dahingehend sehr ähnlich, dass sie eine Maske zum Bedrucken von Wafern benötigt, mit der Ausnahme, dass sie Licht in der EUV-Region verwendet, d.h., bei 13,5 nm. Bei der Wellenlänge von ungefähr 13,5 nm sind alle Materialien hoch absorbierend. Somit wird eher eine reflektierende Optik als eine brechende Optik verwendet. Eine mehrschichtige („multi-layered“, ML) Struktur wird als EUVL-Maskenrohling verwendet. Jede mikroskopische Unebenheit auf der Trägerschicht verformt jedoch die danach abgeschiedenen Filme. Ein kleiner Höcker oder eine Grube führt einen Defekt ein. Die schädliche Wirkung eines Maskendefekts enthält vergrößerte Fehler bei mehreren Wafern.
Was daher benötigt wird, ist das Verfahren für einen lithografischen Prozess und ein Lithografiesystem zur Lösung der obenstehenden Probleme.
US 5 595 857 A beschreibt ein Lithografieverfahren mittels eines optischen Filters, mit dem eine fest definierte komplexe Amplitudentransmissionsverteilung erzielt wird.
US 2003 / 0 215 616 A1 beschreibt ein Lithografiesystem mit einem Pupillenphasenfilter innerhalb einer Projektionsoptik zur Unterdrückung von Proximity-Effekten.
US 2014 / 0 078 479 A1 beschreibt ein Lithografiesystem mit einem Pupillenamplitudenfilter innerhalb einer Projektionsoptik zur Belichtung von linearen Maskenstrukturen.
US 2007 /0 229 944 A1 beschreibt ein Lithografiesystem mit einem Pupillenphasenfilter innerhalb einer Projektionsoptik zur Unterdrückung von Streulicht.
Figurenliste
Aspekte der vorliegenden Offenbarung werden am besten aus der folgenden ausführlichen Beschreibung verständlich, wenn diese mit den beiliegenden Figuren gelesen wird. Es wird festgehalten, dass gemäß der Standardpraxis in der Industrie verschiedene Merkmale nicht im Maßstab gezeichnet sind. Tatsächlich können die Dimensionen der verschiedenen Merkmale der deutlichen Besprechung wegen beliebig vergrößert oder verkleinert sein.

1 ist eine schematische Ansicht eines Lithografiesystems, das gemäß einigen Ausführungsformen konstruiert ist.
2 ist eine Schnittansicht einer Maske, die gemäß einigen Ausführungsformen konstruiert ist.
3 ist eine Draufsicht einer Maske, die gemäß einigen Ausführungsformen konstruiert ist.
4 ist ein Ablaufdiagramm eines Lithografieprozesses, der gemäß einigen Ausführungsformen konstruiert ist.
5 ist eine schematische Draufsicht eines Illuminators, der in dem Lithografiesystem von 1 verwendet wird, das gemäß einigen Ausführungsformen konstruiert ist.
6 ist eine schematische Draufsicht einer Phasenverteilung, die in dem Lithografieprozess von 4 verwendet wird, der gemäß einigen Ausführungsformen konstruiert ist.
7 zeigt eine Phasenverteilung, die in dem Lithografieprozess von 4 verwendet wird, der gemäß einigen Ausführungsformen konstruiert ist.
8 ist eine schematische Draufsicht einer Phasenverteilung, die in dem Lithografieprozess von 4 verwendet wird, der gemäß einigen Ausführungsformen konstruiert ist.
9 ist eine schematische Draufsicht einer Maske, die gemäß einigen Ausführungsformen konstruiert ist.
10A bis 10K sind schematische Draufsichten von Maskenbildern auf einem Ziel, das gemäß einigen Ausführungsformen konstruiert ist.
11 zeigt verschiedene latente Bilder und Fotolackstrukturen, die gemäß einigen Ausführungsformen konstruiert sind.

AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG
Die folgende Offenbarung sieht viele verschiedene Ausführungsformen oder Beispiele zur Ausführung verschiedener Merkmale der Erfindung vor. Spezielle Beispiele von Komponenten und Anordnungen sind in der Folge zur Vereinfachung der vorliegenden Offenbarung beschrieben. Diese sind natürlich nur Beispiele und nicht als Einschränkung gedacht. Zum Beispiel kann die Bildung eines ersten Merkmals über oder auf einem zweiten Merkmal in der folgenden Beschreibung Ausführungsformen enthalten, in welchen das erste und zweite Merkmal in direktem Kontakt gebildet sind und können auch Ausführungsformen enthalten, in welchen zusätzliche Merkmale zwischen den ersten und zweiten Merkmalen gebildet sein können, so dass die ersten und zweiten Merkmale nicht in direktem Kontakt sein mögen. Zusätzlich kann die vorliegende Offenbarung Bezugsnummern und/oder -buchstaben in den verschiedenen Beispielen wiederholen. Diese Wiederholung dient der Einfachheit und Klarheit und legt selbst kein Verhältnis zwischen den verschiedenen besprochenen Ausführungsformen und/oder Konfigurationen fest.
Ferner können raumbezogene Begriffe, wie „unterhalb“, „unter“, „niedriger“, „über“, „oberer“ und dergleichen hier zur einfachen Beschreibung verwendet werden, um ein Verhältnis eines Elements oder Merkmals zu einem oder mehreren anderen Element(en) oder Merkmale(en) zu beschreiben, die in den Figuren dargestellt sind. Die raumbezogenen Begriffe sollen verschiedene Orientierungen der Vorrichtung in Gebrauch oder Betrieb zusätzlich zu der in den Figuren dargestellten Orientierung umfassen. Die Vorrichtung kann anders orientiert (90 Grad oder in anderen Orientierungen gedreht) sein und die raumbezogenen Deskriptoren, die hier verwendet werden, können ebenso dementsprechend interpretiert werden.
1 ist eine schematische Ansicht eines Lithografiesystems 10, das gemäß einigen Ausführungsformen konstruiert ist. Das Lithografiesystem 10 kann auch generisch als Scanner bezeichnet werden, der bedienbar ist, um Lithografiebelichtungsprozesse mit entsprechender Strahlungsquelle und entsprechende, Belichtungsmodus auszuführen. In der vorliegenden Ausführungsform ist das Lithografiesystem 10 ein Extrem-Ultraviolett- (EUV) Lithografiesystem, das zum Belichten einer Fotolackschicht mit EUV-Licht gestaltet ist. Die Fotolackschicht ist ein Material, das für das EUV-Licht empfindlich ist. Das EUV-Lithografiesystem 10 verwendet eine Strahlungsquelle 12 zum Erzeugen von EUV-Licht mit einer Wellenlänge im Bereich von etwa 1 nm bis etwa 100 nm. In einem besonderen Beispiel generiert die Strahlungsquelle ein EUV-Licht mit einer Wellenlänge, die um etwa 13,5 nm zentriert ist. Daher wird die Strahlungsquelle 12 auch als EUV-Strahlungsquelle 12 bezeichnet.
Das Lithografiesystem 10 verwendet auch einen Illuminator 14. In verschiedenen Ausführungsformen enthält der Illuminator 14 verschiedene brechende Optikkomponenten, wie eine einzelne Linse oder ein Linsensystem mit mehreren Linsen (Zonenplatten) oder aber reflektierende Optik (für ein EUV-Lithografiesystem), wie einen einzelnen Spiegel oder ein Spiegelsystem mit mehreren Spiegeln, um Licht von der Strahlungsquelle 12 auf eine Maskenstufe 16, insbesondere eine Maske 19, die auf der Maskenstufe 16 befestigt ist, zu lenken. In der vorliegenden Ausführungsform, wo die Strahlungsquelle 12 Licht im EUV-Wellenlängenbereich generiert, verwendet der Illuminator 14 eine reflektierende Optik.
In einigen Ausführungsformen ist der Illuminator 14 bedienbar, um die Spiegel so zu konfigurieren, dass sie eine passende Beleuchtung an der Maske 18 bereitstellen. In einem Beispiel sind die Spiegel des Illuminators 14 abstimmbar, um EUV-Licht zu verschiedenen Belichtungspositionen zu reflektieren. In einigen Ausführungsformen kann eine Stufe vor dem Illuminator 14 zusätzlich andere abstimmbare Spiegel enthalten, die steuerbar sind, um das EUV-Licht mit den Spiegeln des Illuminators 14 zu verschiedenen Belichtungspositionen zu lenken. In einigen Ausführungsformen ist der Illuminator 14 so konfiguriert, dass er eine Beleuchtung auf der Achse (On-Axis Illumination, ONI) für die Maske 19 bereitstellt. In einem Beispiel wird ein Scheibenilluminator 14 mit einer Teilkohärenz σ von höchstens 0,3 verwendet. In einigen anderen Ausführungsformen ist der Illuminator 14 so konfiguriert, dass er eine Beleuchtung abseits der Achse (Off-Axis Illumination, OAI) für die Maske 18 bereitstellt. In einem Beispiel wird ein Dipol-Illuminator 14 mit einer Teilkohärenz σ von höchstens 0,3 verwendet.
Das Lithografiesystem 10 enthält auch eine Maskenstufe 16, die zum Befestigen einer Maske 18 konfiguriert ist. In einigen Ausführungsformen enthält die Maskenstufe 16 ein elektrostatisches Spannfutter (e-Spannfutter) zum Befestigen der Maske 18. Der Grund dafür ist, dass Gasmoleküle EUV-Licht absorbieren und das Lithografiesystem für die EUV-Lithografiestrukturierung in einer Vakuumumgebung gehalten wird, um den EUV-Intensitätsverlust zu vermeiden. In der Offenbarung werden die Begriffe Maske, Fotomaske und Fadenkreuz untereinander austauschbar verwendet und beziehen sich auf denselben Gegenstand. In der vorliegenden Ausführungsform ist das Lithografiesystem 10 ein EUV-Lithografiesystem und die Maske 18 ist eine reflektierende Maske. Eine beispielhafte Struktur der Maske 18 ist zur Veranschaulichung bereitgestellt. Die Maske 18 enthält eine Trägerschicht mit einem geeigneten Material, wie ein Material mit geringer Wärmeausdehnung (Low Thermal Expansion Material, LTEM) oder Quarzglas. In verschiedenen Beispielen enthält das LTEM TiO₂ dotiertes SiO₂ oder andere geeignete Materialien mit geringer Wärmeausdehnung. Die Maske 18 enthält eine reflektierende ML, die auf der Trägerschicht abgeschieden ist. Die ML enthält mehrere Filmpaare, wie Molybdän-Silizium-(Mo/Si) Filmpaare (z.B. eine Molybdänschicht über oder unter einer Siliziumschicht in jedem Filmpaar). Alternativ kann die ML Molybdän-Beryllium- (Mo/Be) Filmpaare oder andere geeignete Materialien enthalten, die so gestaltet werden können, dass sie das EUV-Licht stark reflektieren. Die Maske 18 kann ferner eine Deckschicht, wie Ruthenium (Ru) , enthalten, die auf der ML zum Schutz angeordnet ist. Die Maske 18 enthält ferner eine Absorptionsschicht, wie eine Tantalbornitrid- (TaBN) Schicht, die über der ML abgeschieden ist. Die Absorptionsschicht ist so strukturiert, dass sie eine Schicht einer integrierten Schaltung (IC) definiert. Alternativ kann eine andere reflektierende Schicht über der ML abgeschieden und strukturiert werden, um eine Schicht einer integrierten Schaltung zu definieren, wodurch eine EUV-Phasenverschiebungsmaske gebildet wird.
Das Lithografiesystem 10 enthält auch ein Projektionsoptikmodul (oder eine Projektionsoptikbox (POB)) zur Abbildung der Struktur der Maske 18 auf eine Halbleiterträgerschicht 26, die auf einer Trägerschichtstufe 28 des Lithografiesystems 10 befestigt ist. Die POB 20 hat eine brechende Optik (wie für das UV-Lithografiesystem) oder aber eine reflektierende Optik (wie für das EUV-Lithografiesystem) in verschiedenen Ausführungsformen. Das Licht, das von der Maske 18 gelenkt wird, die das Bild der Struktur trägt, die auf der Maske definiert ist, wird von der POB 20 gesammelt. Der Illuminator 14 und die POB 20 werden gemeinsam als optisches Modul des Lithografiesystems 20 bezeichnet.
Das Lithografiesystem 10 enthält auch einen Pupillenphasenmodulator 22, um eine optische Phase des Lichts, das von der Maske 18 gelenkt wird, so zu modulieren, dass das Licht eine Phasenverteilung auf einer Projektionspupillenebene 24 hat. Im optischen Modul gibt es eine Ebene mit einer Feldverteilung, die einer Fourier-Transformation des Objekts (der Maske 18 im vorliegenden Fall) entspricht. Diese Ebene wird als Projektionspupillenebene bezeichnet. Der Pupillenphasenmodulator 22 stellt einen Mechanismus zum Modulieren der optischen Phase des Lichts auf der Projektionspupillenebene 24 bereit. In einigen Ausführungsformen wird der Pupillenphasenmodulator 22 durch Abstimmen der reflektierenden Spiegel der POB 20 für eine Phasenmodulation implementiert. Zum Beispiel sind die Spiegel der POB 20 abstimmbar und werden so gesteuert, dass sie das EUV-Licht reflektieren, wodurch die Phase des Lichts durch die POB 20 moduliert wird.
In einigen Ausführungsformen verwendet der Pupillenphasenmodulator 22 ein Pupillenfilter, das auf der Projektionspupillenebene angeordnet ist. Ein Pupillenfilter filtert spezielle räumliche Frequenzkomponenten des EUV-Lichts von der Maske 18 heraus. Insbesondere ist das Pupillenfilter ein Phasenpupillenfilter, das zur Modulation einer Phasenverteilung des Lichts funktioniert, das durch die POB 20 gelenkt wird. Die Verwendung eines Phasenpupillenfilters ist jedoch in einigen Lithografiesystemen (wie einem EUV-Lithografiesystem) begrenzt, da alle Materialien EUV-Licht absorbieren. Der Pupillenphasenmodulator 22 wird später näher beschrieben.
Das Lithografiesystem 10 enthält auch eine Trägerschichtstufe 28 zur Befestigung eines zu strukturierenden Ziels 26, wie einer Halbleiterträgerschicht. In der vorliegenden Ausführungsform ist die Halbleiterträgerschicht ein Halbleiterwafer, wie ein Siliziumwafer oder eine andere Art von Wafer. Das Ziel 26 wird mit der Fotolackschicht beschichtet, die für das Strahlenbündel empfindlich ist, wie EUV-Licht in der vorliegenden Ausführungsform. Verschiedene Komponenten, einschließlich der oben beschriebenen, sind gemeinsam integriert und bedienbar, um einen Lithografiebelichtungsprozess auszuführen. Das Lithografiesystem 10 kann ferner andere Module enthalten oder mit anderen Modulen integriert (oder gekoppelt) sein.
Die Maske 18 und das Verfahren zu deren Herstellung sind gemäß einigen Ausführungsformen näher beschrieben. In einigen Ausführungsformen enthält der Maskenherstellungsprozess zwei Vorgänge: einen Rohmaskenherstellungsprozess und einen Maskenstrukturierungsprozess. Während des Rohmaskenherstellungsprozesses wird eine Rohmaske durch Abscheiden geeigneter Schichten (z.B. mehrerer reflektierender Schichten) auf einer geeigneten Trägerschicht gebildet. Die Rohmaske wird während des Maskenstrukturierungsprozesses strukturiert, so dass sie ein Design einer Schicht einer integrierten Schaltung (IC) aufweist. Die strukturierte Maske wird dann zum Übertragen von Schaltungsstrukturen (z.B. das Design einer Schicht einer IC) auf einen Halbleiterwafer verwendet. Die Strukturen können immer wieder auf mehrere Wafer durch verschiedene Lithografieprozesse übertragen werden. Ein Satz von Masken wird zum Konstruieren einer vollständigen IC verwendet.
Die Maske 18 enthält in einigen Ausführungsformen eine geeignete Struktur, wie eine binäre Intensitätsmaske (BIM) und eine Phasenverschiebungsmaske (PSM). Eine beispielhafte BIM enthält absorbierende Regionen (auch als undurchsichtige Regionen bezeichnet) und reflektierende Regionen, die so strukturiert sind, dass sie eine IC-Struktur definieren, die auf das Ziel übertragen wird. In den undurchsichtigen Regionen ist ein Absorptionsmittel vorhanden und ein einfallendes Licht wird fast vollständig von dem Absorptionsmittel absorbiert. In den reflektierenden Regionen wird das Absorptionsmittel entfernt und das einfallende Licht wird von einer Mehrfachschicht (ML) reflektiert. Die PSM kann eine abgeschwächte PSM (AttPSM) oder eine alternierende PSM (AltPSM) sein. Eine beispielhafte PSM enthält eine erste reflektierende Schicht (wie eine reflektierende ML) und eine zweite reflektierende Schicht, die entsprechend einer IC-Struktur strukturiert ist. In einigen Beispielen hat eine AttPSM üblicherweise ein Reflexionsvermögen von 2%-15% von ihrem Absorptionsmittel, während eine AltpSM für gewöhnlich ein Reflexionsvermögen von mehr als 50% von ihrem Absorptionsmittel hat.
Ein Beispiel der Maske 18 ist in 2 dargestellt. Die Maske 18 ist eine EUV-Maske und enthält eine Trägerschicht 20, die aus einem LTEM besteht. Das LTEM-Material kann TiO₂ dotiertes SiO₂ und/oder andere Materialien mit geringer Wärmeausdehnung, die nach dem Stand der Technik bekannt sind, enthalten. In einigen Ausführungsformen ist zusätzlich eine leitende Schicht 32 unter der Rückseite der LTEM-Trägerschicht 30 zum elektrostatischen Festspannen angeordnet. In einem Beispiel enthält die leitende Schicht 32 Chromnitrid (CrN), auch wenn andere Zusammensetzungen möglich sind. Die EUV-Maske 18 enthält eine reflektierende Mehrfachschicht (ML) 34, die über der LTEM-Trägerschicht 30 angeordnet ist. Die ML 34 kann so gewählt sein, dass sie ein hohes Reflexionsvermögen für eine ausgewählte Strahlenart/Wellenlänge bereitstellt. Die ML 34 enthält mehrere Filmpaare, wie Mo/Si-Filmpaare (z.B. eine Molybdänschicht über oder unter einer Siliziumschicht in jedem Filmpaar). Alternativ kann die ML 34 Mo/Be-Filmpaare oder sämtliche Materialien mit einer Brechungsindexdifferenz enthalten, so dass sie bei EUV-Wellenlängen hoch reflektierend ist. Die Dicke jeder Schicht der ML 34 hängt von der EUV-Wellenlänge und dem Einfallswinkel ab. Insbesondere wird die Dicke der ML 34 (und die Dicke der Filmpaare) eingestellt, um eine maximale konstruktive Interferenz des EUV-Lichts, das an jeder Grenzfläche gebeugt wird, und eine minimale Absorption des EUV-Lichts durch die ML 34 zu erreichen.
Die EUV-Maske 18 enthält auch eine Deckschicht 36, die über der ML 34 angeordnet ist, um eine Oxidation der ML zu vermeiden. In einer Ausführungsform enthält die Deckschicht 36 Silizium mit einer Dicke im Bereich von 4 am bis etwa 7 nm. Die EUV-Maske 18 kann ferner eine Pufferschicht 38 enthalten, die über der Deckschicht 36 angeordnet ist, so dass sie in einem Strukturierungs- oder Reparaturprozess einer Absorptionsschicht, die später beschrieben wird, als Ätzstoppschicht dient. Die Pufferschicht 38 hat andere Ätzeigenschaften als die Absorptionsschicht. Die Pufferschicht 38 enthält in verschiedenen Beispielen Ruthenium (Ru), Ru-Verbindungen, wie RuB, RuSi, Chrom (Cr), Cr-Oxid und Cr-Nitrid.
Die EUV-Maske 18 enthält auch eine Absorptionsschicht 40, die über der Pufferschicht 38 gebildet ist. In der vorliegenden Ausführungsform absorbiert die Absorptionsschicht 40 die EUV-Strahlung, die auf die Maske gelenkt wird. In verschiedenen Beispielen kann die Absorptionsschicht 40 Chrom, Chromoxid, Chromnitrid, Titan, Titanoxid, Titannitrid, Tantal, Tantaloxid, Tantalnitrid, Tantaloxynitrid, Tantalbornitrid, Tantalboroxid, Tantalboroxynitrid, Aluminium, Aluminiumkupfer, Aluminiumoxid, Silber, Silberoxid, Palladium, Ruthenium, Molybdän, andere geeignete Materialien oder eine Mischung von einigen der obengenannten enthalten.
In einer alternativen Ausführungsform ist die Schicht 40 eine zweite reflektierende Schicht, die zur Bildung einer Phasenverschiebungsmaske strukturiert ist. In weiteren Ausführungsformen haben das EUV-Licht, das von der Schicht 40 reflektiert wird, und das EUV-Licht, das von der reflektierenden ML 34 reflektiert wird, eine andere Lichtphase, wie etwa 180 Grad Phasendifferenz (außerhalb der Phase). In verschiedenen Ausführungsformen hat die zweite reflektierende Schicht einen ähnlichen Materialstapel wie die reflektierende ML 34 oder aber einen anderen Materialstapel, wie einen einzelnen Film und mehrere nicht periodische Filme.
Die Maske 18 kann einen beispielhaften Defekt 42 enthalten, wie in 2 dargestellt. Der Defekt 42 kann ein Höcker (Vorsprung) oder eine Grube (Mulde) auf der Oberfläche der LTEM-Trägerschicht 30 (unterhalb der ML 34) oder in die ML 34 eingebettet sein. Der Defekt 42 kann während der Herstellung der LTEM Trägerschicht 30, der ML 34 oder in einem anderen Prozess erzeugt werden. Als ein Beispiel ist der Defekt 42 ein Höcker und hat eine Höhe von etwa einem Viertel der Wellenlänge des EUV-Lichts von der Strahlungsquelle 12. Im vorliegenden Beispiel bewirkt der Defekt 42 eine lokale Verformung aller folgenden, darüber liegenden Schichten.
Die Absorptionsschicht 40 wird zur Bildung einer IC-Struktur gemäß dem Design-Layout strukturiert. In der vorliegenden Ausführungsform ist die IC-Struktur, die auf der EUV-Maske 18 gebildet wird, eine eindimensionale (1D) Struktur. Für ein besseres Verständnis der 1D-Struktur ist die Maske 18 gemäß einigen Ausführungsformen in 3 in einer Draufsicht näher dargestellt. Die Maske 18 enthält die IC-Struktur mit mehreren Merkmalen (Vielecken) 58, die gemäß dem IC-Design-Layout definiert sind. In einigen Ausführungsformen werden die Vielecke 58 in der Schicht 40 strukturiert, nachdem die Schicht 40 gemäß dem IC-Design-Layout strukturiert wurde. In anderen Ausführungsformen werden die Vielecke 58 innerhalb der Öffnungen der Schicht 40 definiert, nachdem die Schicht 40 strukturiert wurde. Die IC-Struktur, die in 3 dargestellt ist, ist eine 1D-Struktur. Eine 1D-Struktur bezieht sich auf eine Struktur mit mehreren Merkmalen, die im Wesentlichen entlang derselben Richtung orientiert sind. Insbesondere überspannt jedes Merkmal (Vieleck) 58 der 1D-Struktur eine erste Dimension „L“ in einer ersten Richtung (Y-Richtung) und eine zweite Dimension „W“ in einer zweiten Richtung (X-Richtung), senkrecht zur ersten Richtung. Die erste Dimension L ist wesentlich größer als die zweite Dimension W. Mit anderen Worten, die Merkmale in der 1D-Struktur sind längliche Merkmale, die in derselben Richtung orientiert sind. In verschiedenen Beispielen definieren die Merkmale 58, zur Veranschaulichung, aktive Fin-Regionen, Gate-Stapel oder Metallleitungen.
Zurück zu 2, enthält die EUV-Maske 18 erste Regionen 46 und zweite Regionen 48. Die Absorptionsschicht 40 wird von den zweiten Regionen 48 (die auch als reflektierende Regionen bezeichnet werden) entfernt, während sie in den ersten Regionen 46 (auch als absorbierende Regionen bezeichnet) verbleibt. Wie oben festgehalten, können die Merkmale 58 in einigen Ausführungsformen in den ersten Regionen 46 definiert sein oder aber in anderen Ausführungsformen in den zweiten Regionen 48 definiert sein. In einer Ausführungsform enthält zumindest eine der reflektierenden Regionen 48 eine Phasendefektregion 50. Die Phasendefektregion 50 ist auf das Vorhandensein des Defekts 42 unterhalb oder eingebettet in der ML 34 zurückzuführen. Die Phasendefektregion 50 kann eine geringe Auswirkung auf die Amplitude eines Lichts haben, das von der reflektierenden Region 48 gebeugt wird, wo sich die Phasendefektregion 50 befindet. Sie kann jedoch eine große Auswirkung auf die Phase des Lichts haben. Tatsächlich kann ein relativ kleiner Phasenfehler, z.B. 20°, eine auffällige Auswirkung auf das lithografische Prozessfenster haben oder sogar Probleme bei der Strukturwiedergabetreue verursachen. Daher sind eine defektfreie LTEM-Trägerschicht 30 und eine defektfreie ML 34 wünschenswert. Dies bedeutet jedoch Einschränkungen in der Maskenherstellung und kann die Maskenherstellung verteuern. Die dargestellte Offenbarung bietet eine Strategie zur Verringerung von Auswirkungen von Phasendefekten.
4 ist ein Ablaufdiagramm eines Verfahrens 60 zur Ausführung eines Lithografieprozesses in einer Herstellung einer integrierten Schaltung gemäß einigen Ausführungsformen, die gemäß Aspekten der vorliegenden Offenbarung konstruiert ist. Das Verfahren 60 ist unter Bezugnahme auf 1-4 und andere Figuren beschrieben.
Unter Bezugnahme auf 4 enthält das Verfahren 60 einen Vorgang 62 zum Laden der Maske 19 in das Lithografiesystem 10. In der vorliegenden Ausführungsform enthält die Maske 18 eine 1D-Struktur mit mehreren Merkmalen 58, die entlang derselben Richtung orientiert sind, wie in 3 dargestellt. Der Vorgang 62 kann ferner andere Schritte enthalten, wie Orientierung und Ausrichtung, nachdem die Maske 18 an der Maskenstufe 16 befestigt wurde. Somit ist die 1D IC-Struktur richtig orientiert, wenn sie an der Maskenstufe 16 befestigt ist. In der vorliegenden Ausführungsform sind die länglichen Merkmale 58 in der Phasendefektregion in der Y-Richtung orientiert, wenn angenommen wird, dass sich die 1D IC-Struktur in einer X-Y-Ebene befindet, wenn die Maske 18 an der Maskenstufe 16 befestigt ist.
Unter Bezugnahme auf 4 enthält das Verfahren 60 auch einen Vorgang 64 zum Laden eines Ziels auf die Trägerschichtstufe 28 des Lithografiesystems 10. In der vorliegenden Ausführungsform ist das Ziel eine Halbleiterträgerschicht, wie ein Wafer 26. Der Wafer 26 wird vor dem Vorgang 64 mit einer Fotolackschicht beschichtet, die für EUV-Licht empfindlich ist. In einigen Ausführungsformen wird die Fotolackschicht auf dem Wafer 26 durch Rotationsbeschichten gebildet und kann ferner in einem geeigneten Backprozess wie Weichbacken gebacken werden. Die Fotolackschicht ist in verschiedenen Ausführungsformen positiv oder negativ.
Der Illuminator 14 kann in jedem geeigneten Modus eingestellt sein. In einigen Ausführungsformen ist der Illuminator in einem hoch kohärenten Beleuchtungsmodus eingestellt. Der hoch kohärente Beleuchtungsmodus kann durch einen Mechanismus erreicht werden, wie eine Apertur mit einem bestimmten Muster, wie Dipol, Quasar oder Schiebe, der gemäß verschiedenen Beispielen konstruiert ist. Die Apertur wird in der Illuminatorstufe konfiguriert, um den hoch kohärenten Beleuchtungsmodus zu erreichen. Die Apertur verursacht jedoch den EUV-Strahlungsverlust und die Wirkung kann durch einen anderen Mechanismus erzielt werden. In der vorliegenden Ausführungsform enthält der Illuminator 14 verschiedene abstimmbare Spiegel oder Spiegel mit einem anderen geeigneten Mechanismus zum Abstimmen der Reflexionen des EUV-Lichts von diesen Spiegeln. In einer Weiterentwicklung der vorliegenden Ausführungsform wird der hoch kohärente Beleuchtungsmodus durch Konfigurieren der abstimmbaren Spiegel in der Beleuchtungsstufe erreicht. In einigen Ausführungsformen ist die hoch kohärente Beleuchtung eine Beleuchtung auf der Achse (wie eine Scheibe oder ein kreisförmiges Beleuchtungsmuster) oder aber eine Beleuchtung abseits der Achse (wie ein Dipol- oder Quadrupolbeleuchtungsmuster) .
5 zeigt eine Ausführungsform eines Beleuchtungsmusters 104, das zum Erreichen einer Beleuchtung abseits der Achse gestaltet ist. Das Beleuchtungsmuster 104 enthält reflektierende Regionen 106 und blockierende Regionen 108. Das Beleuchtungsmuster 104 ist ferner durch einen Parameter σ_c definiert, der der Radius des reflektierenden Abschnitts 106 ist, ausgewertet relativ zu NA, was die numerische Apertur ist. Der Parameter σ_c ist so gestaltet, dass er klein genug ist, um eine hohe Kohärenz zu haben, und groß genug, um eine gewisse Intensität zu haben. In einigen Ausführungsformen ist der Parameter σ_c so gewählt, dass er kleiner als etwa 0,3 ist, was bedeutet, dass σ_c/NA kleiner als etwa 0,3 ist.
In einigen Ausführungsformen wird das Beleuchtungsmuster anhand der 1D-Struktur, die auf der Maske 18 definiert ist, zur Abbildungsverbesserung festgelegt. Zum Beispiel enthält die 1D-Struktur, die in 3 dargestellt ist, längliche Merkmale, die in Y-Richtung orientiert sind, und das entsprechende Beleuchtungsmuster, wie ein Dipolbeleuchtungsmuster mit reflektierenden Dipolregionen, das die Y-Richtung überspannt. In einer Weiterentwicklung der Ausführungsform wird der Parameter σ_c gemäß der Teilung der 1D-Struktur bestimmt.
Unter erneuter Bezugnahme auf 4 enthält das Verfahren einen Vorgang 68 durch Konfigurieren des Lithografiesystems 10, um eine Phasenmodulation an dem Licht zu erreichen, das von der Maske 18 gebeugt wird. In einigen Ausführungsformen erfolgt die Phasenmodulation durch einen Pupillenphasenmodulator 22. Wie oben festgehalten, moduliert der Pupillenphasenmodulator 22 eine optische Phase des Lichts, das von der Maske 18 gelenkt wird, so dass das Licht eine richtige Phasenverteilung auf einer Projektionspupillenebene 24 hat. Der Pupillenphasenmodulator 22 stellt einen Mechanismus zum Modulieren der optischen Phase des Lichts auf der Projektionspupillenebene 24 bereit. In einigen Ausführungsformen enthält der Pupillenphasenmodulator 22 einen Mechanismus zum Abstimmen (wie zum Rekonfigurieren) der reflektierenden Spiegel der POB 20 für eine Phasenmodulation. Zum Beispiel sind die Spiegel der POB 20 abstimmbar und werden zum Reflektieren des EUV-Lichts gesteuert, wodurch die Phase des Lichts durch die POB 20 moduliert wird. Ein einer Weiterentwicklung der Ausführungsformen enthält der Pupillenphasenmodulator 22 eine Steuerschaltung, mechanische Steuerkomponenten, Software, Hardware und andere Merkmale, die gemeinsam integriert sind, so dass sie zur Steuerung der reflektierenden Spiegel der POB 20 für eine gewünschte Phasenmodulation bedienbar sind.
Der Pupillenphasenmodulator 22 ist zum Modulieren der optischen Phase des Lichts gestaltet und bedienbar, wodurch eine Phasenverteilung des Lichts auf der Projektionspupillenebene 24 bereitgestellt wird, so dass ein Maskendefekt während eines Lithografiebelichtungsprozesses nicht druckbar ist, während die IC-Struktur, die auf der Maske 18 definiert ist, mit ausreichendem Kontrast und ausreichender Auflösung druckbar bleibt. Die Nicht-Druckbarkeit eines Maskendefekts bedeutet, dass der Maskendefekt während des Lithografiebelichtungsprozesses nicht richtig auf den Wafer (oder die Fotolackschicht die auf den Wafer aufgetragen ist) abgebildet wird, so dass eine entsprechend strukturierte Fotolackschicht kein Merkmal aufweist, das mit dem Maskendefekt in Zusammenhang steht, wenn die belichtete Fotolackschicht zur Bildung der strukturierten Fotolackschicht entwickelt wird.
Insbesondere ist die erreichte Phasenverteilung auf der Projektionspupillenebene so gestaltet, dass ein Maskendefekt unscharf ist und somit nicht druckbar ist. 6 zeigt eine Phasenverteilung 112 auf der Projektionspupillenebene, die gemäß einigen Ausführungsformen konstruiert ist. Die Phasenverteilung 112 wird auf der Projektionspupillenebene vom Pupillenphasenmodulator 22 während eines Lithografiebelichtungsprozesses generiert. Die Phasenverteilung 112 moduliert das Bild der Maske 18, so dass die 1D IC-Struktur der Maske 18 auf dem Ziel 26 abgebildet wird, aber zweidimensionale (2D) Merkmale aufgrund der defokussierenden Wirkung des Pupillenphasenmodulators 22 beeinträchtigt sind. Dies führt zu einer Nicht-Druckbarkeit von Defekten (wie der Phasendefekte 42 in 2), da ein Maskendefekt üblicherweise zweidimensional ist, da er zufällig geformt und orientiert ist. Statistisch ist ein Maskendefekt höchstwahrscheinlich zweidimensional, da er zufällig geformt ist. Selbst ein eindimensionaler Maskendefekt ist zufällig orientiert. Der 1D-Defekt, der zufällig orientiert ist, ist mit geringerer Wahrscheinlichkeit in dieselbe Richtung (die Y-Richtung in 3) wie die 1D IC-Struktur in der Maske 18 orientiert, sondern höchstwahrscheinlich in eine Richtung orientiert, die sowohl eine X-Komponente wie auch eine Y-Komponente hat. Somit ist der 1D-Defekt auch aufgrund der X-Komponente unscharf.
In verschiedenen Ausführungsformen kann die Phasenverteilung 112 direkt durch ein physikalisches Pupillenfilter mit der entworfenen Phasenverschiebungsverteilung erreicht werden oder kann alternativ durch einen anderen geeigneten Mechanismus erreicht werden. In der vorliegenden Ausführungsform enthält die POB 20 verschiedene abstimmbare Spiegel oder Spiegel mit einem anderen geeigneten Mechanismus zum Abstimmen der optischen Phase des EUV-Lichts von diesen Spiegeln. In einer Weiterentwicklung der vorliegenden Ausführungsform wird die Phasenverteilung 112 durch Steuern der abstimmbaren Spiegel in der POB 20 erreicht, so dass das EUV-Licht auf die Projektionspupillenebene mit einer richtigen Phasenverschiebung über die Projektionspupillenebene gelenkt wird.
Die Phasenverteilung 112 wird durch die entsprechende IC-Struktur der Maske 18 (oder einfach als Maskenstruktur bezeichnet) erreicht. In der vorliegenden Ausführungsform ist die IC-Struktur eine 1D-Struktur, wie in 2 dargestellt. In einer Weiterentwicklung der Ausführungsform enthält die 1D IC-Struktur der Maske 18 (wie in 3 dargestellt) längliche IC-Merkmale, die in der Y-Richtung orientiert sind, wenn die Maske 18 auf die Maskenstufe 16 geladen und an dieser befestigt wird, und die entsprechende Phasenverteilung 112 hat eine Phasenvariation entlang der Y-Richtung und bleibt über die X-Richtung unverändert (oder im Wesentlichen unverändert). Mit anderen Worten, die Phasenfunktion hat einen Gradienten, der parallel zur Orientierung der länglichen Merkmale der 1D IC-Struktur oder entlang der Y-Richtung in der vorliegenden Ausführungsform verläuft.
Unter weiterer Bezugnahme auf 6 ist, mit einer Punktstelle (x,y) 114 auf der Projektionspupillenebene 24 als Beispiel, die optische Phase φ an der Stelle (x, y) im Wesentlichen eine Funktion des Koordinatenparameters y oder als φ(y) formuliert. Die Phasenfunktion φ(y) definiert die Phasenverteilung 112 auf der Projektionspupillenebene 24. Eine richtig konstruierte Phasenfunktion φ(y) durch den Pupillenphasenmodulator 22 kann den (die) Maskeneffekt(e) effektiv defokussieren (was zu einer Nicht-Druckbarkeit der Maskendefekte führt) während die 1D IC-Struktur während des Lithografiebelichtungsprozesses mit ausreichender Auflösung und ausreichendem Kontrast richtig abgebildet (gedruckt) wird. In einigen Ausführungsformen variiert die optische Phase φ(y) allmählich entlang der y-Richtung. In der vorliegenden Ausführungsform wird der Koordinatenparameter y von der Mitte der Projektionspupillenebene gemessen. Die Phasenfunktion φ(y) kann linear (wie in 7 dargestellt) oder aber nicht linear sein. Die Phasenfunktion φ(y) ist so abgestimmt, dass die Defekte unscharf und nicht druckbar sind, ohne die bildgebende Wirkung der 1D IC-Struktur zu beeinträchtigen. Die Phasenfunktion kann gemäß der IC-Struktur der Maske 18 durch Simulation oder Experiment bestimmt werden, um die Defekte effektiv zu defokussieren, ohne die IC-Struktur zu beeinträchtigen.
In der vorliegenden Ausführungsform ist die Phasenfunktion φ in einer Formal als φ = a₁Z₄+a₂Z₅ definiert. Z₄ und Z₅ sind zwei Terme in Zernike-Polynomen, insbesondere der vierte bzw. fünfte Term. Im Speziellen ist der vierte Term Z₄ als (2ρ²-1) definiert und der fünfte Term Z₅ ist als ρ²cos(2θ) definiert, wobei ρ die radiale Koordinate ist, die von 0 bis 1 reicht und θ die scheitelwinkelige Komponente ist, die von 0 bis 2π reicht. Ferner sind die Koeffizienten a₁ und a₂ abstimmbare Konstanten für eine optimierte Wirkung, um die Druckbarkeit der Defekte auf der Maske zu verringern. Somit ist die Phasenfunktion durch die Terme Z₄ und Z₅ dominiert. Z₄ bewirkt eine gesamte Unschärfe in alle Richtungen. Diese Aberration kann durch Ändern der besten Fokusposition modifiziert werden, wenn ein Wafer belichtet wird, ohne die Bildqualitäten bei der IC-Struktur zu beeinträchtigen. Z₅ ist ein Astigmatismus-Term, der den besten Fokus der y- und y-Richtung separat bewirkt. Zum Beispiel ist der beste Fokus der x-Richtung um + 30 nm verschoben, während der beste Fokus der y-Richtung um -30 nm verschoben ist. Allgemein ist φ eine Funktion von x und y. Durch Einschränken der Phasenfunktion φ als Funktion Z₄ und Z₅ ist die Phasenfunktion φ im Wesentlichen eine Funktion von y. Durch Einstellen von a₂ kann die Phasenfunktion φ so abgestimmt werden, dass die Defekte effektiv unscharf werden, ohne die IC-Struktur zu beeinträchtigen.
In einem Beispiel wird die Phasenfunktion φ als Phasenfunktion φ = Z₄-2Z₅ abgestimmt und definiert. Somit kann die definierte Phasenfunktion Z₄-2Z₅ den besten Fokus der x-Richtung auf einem konstanten Niveau halten und zum besten Fokus der y-Richtung verschoben sein. Beim Abstimmen der Phasenfunktion ist eine Änderung des Z5-Terms notwendig, aber der Z4-Term ist optional, da die Funktion von Z4 die Einstellung der gesamten Fokusposition ist. Wäre die Phasenverteilung eine Überlagerung von Z4 und Z5, gäbe es keine teilungsabhängige Unschärfe, weder in x-Richtung noch in y-Richtung.
8 zeigt eine Phasenverteilung 112 auf der Projektionspupillenebene 24, die gemäß einigen Ausführungsformen konstruiert ist. Die Phasenverteilung 112 ist durch die Phasenfunktion φ = Z₄-2Z₅ definiert. In 8 stellt die Grauskala die optische Phase φ dar. Die horizontale Achse ist die X-Richtung und die vertikale Achse ist die Y-Richtung. Der Koordinatenursprung (0,0) ist der Mittelpunkt des Phasenpupillenfilters. Die Phasenstruktur, die in der Phasenverteilung φ definiert ist, erstreckt sich zu den Rändern der numerischen Apertur, insbesondere von -1 bis +1 in X- bzw. Y-Richtung. Hier sind das X und Y in einer Skala relativ zur numerischen Apertur (NA) dargestellt. Das in 8 beschriebene optische Phasenmuster beschreibt eine Phasenverteilung in der Projektionspupillenebene, die eine Phasenvariation entlang der Y-Richtung aufweist und im Wesentlichen keine Phasenverschiebung entlang der X-Richtung. Daher bewirkt die Phasenverteilung 112 durch den Pupillenphasenmodulator die Unschärfe der Merkmale, die sich in X-Richtung erstrecken, nicht aber der Merkmale, die sich in Y-Richtung erstrecken. Die 1D IC-Struktur, die in der Y-Richtung orientiert ist, bleibt unbeeinträchtigt (oder mit einer tolerierbaren Beeinträchtigung), aber Defekte werden unscharf und sind während des entsprechenden Lithografiebelichtungsprozesses nicht druckbar.
Wie zuvor festgehalten, wird die Phasenfunktion φ gemäß der IC-Struktur durch Simulation oder Experiment bestimmt, um die Maskendefekte effektiv zu defokussieren, ohne die IC-Struktur zu beeinträchtigen. Insbesondere hat die Phasenfunktion φ in der Projektionspupillenebene einen Gradienten parallel zur Orientierung der länglichen Merkmale der 1D IC-Struktur auf der Maske, wodurch die Maskendefekte effektiv unscharf werden. In einigen Ausführungsformen wird die Unschärfe (versetzte Distanz der Fokustiefe) als Index beim Abstimmen und Optimieren der Phasenfunktion φ verwendet, um die Druckbarkeit der Defekte zu verringern, während die Abbildungsqualität der IC-Struktur aufrechterhalten wird.
Unter erneuter Bezugnahme auf 4 fährt das Verfahren 60 mit Vorgang 70 fort, indem ein Lithografiebelichtungsprozess an dem Ziel 26 in dem Lithografiesystem 10 mit dem Pupillenphasenmodulator 22 durchgeführt wird. Die Phasenmodulation an dem Licht, das von der Maske 18 gelenkt wird, in Vorgang 68 bleibt während des Lithografiebelichtungsprozesses bestehen. Während des Lithografiebelichtungsprozesses wird EUV-Licht, das von der Maske 18 gebeugt wird, an der Projektionspupillenebene 24 durch den Pupillenphasenmodulator 22 mit der optischen Phasenverteilung moduliert, um die Defekte der Maske zu defokussieren; es wird auf das Ziel 26 zur Bildung eines latenten Bildes der IC-Struktur auf der Fotolackschicht des Ziels 26 gelenkt, während die Defekte der Maske 18 im Wesentlichen aus dem latenten Bild eliminiert sind.
In einigen Ausführungsformen wird das EUV-Licht, bevor es zur Maske 18 gelenkt wird, auch an der Beleuchtungspupillenebene während des Lithografiebelichtungsprozesses vom Illuminator 14 mit der EUV-Energieverteilung für einen passenden Beleuchtungsmodus (wie einen Modus zur Beleuchtung auf der Achse oder zur Beleuchtung abseits der Achse, wie oben beschrieben) moduliert.
Somit kann ein ausgeführter Lithografiebelichtungsprozess das IC-Patent richtig abbilden und den (die) Maskendefekt(e) defokussieren, so dass sie nicht druckbar sind. Die Vorgänge 68 und 70 sind mit einem folgenden Beispiel näher beschrieben.
9 zeigt eine Draufsicht auf eine Maske 18, die gemäß einigen Ausführungsformen konstruiert ist. Die Maske 18 enthält eine 1D IC-Struktur mit mehreren Vielecken 58, die parallel entlang der Y-Richtung orientiert sind. Die Maske 18 enthält ferner einen beispielhaften Maskendefekt 116. In einigen Ausführungsformen ist der Maskendefekt 116 dem Defekt 42 als Phasendefekt ähnlich. In einer Ausführungsform sind die Vielecke 58 absorbierend und die restlichen Abschnitte sind für das EUV-Licht reflektierend. In einer alternativen Ausführungsform sind die Vielecke 38 reflektierend und die restlichen Abschnitte sind absorbierend.
10A zeigt ein latentes Bild 120 der Maske 18 auf dem Ziel 26 durch einen Lithografiebelichtungsprozess ohne Verwendung des Pupillenphasenmodulators 22 (oder ohne Unschärfe). Das latente Bild 120 wird auf der Fotolackschicht durch den entsprechenden Lithografieprozess in Vorgang 70 gebildet. Das latente Bild 120 auf der Fotolackschicht entspricht den belichteten Abschnitten der Fotolackschicht mit einer höheren Belichtungsdosis als der Belichtungsdosisschwellenwert des Fotolacks und ist chemisch verändert, was zu einer strukturierten Fotolackschicht, die dem latenten Bild 120 entspricht, durch einen Entwicklungsprozess führt. In einer Ausführungsform, in der das latente Bild 120 dem reflektierenden Abschnitt entspricht und die Fotolackschicht positiv ist, wird der Abschnitt der Fotolackschicht, der dem latenten Bild 120 entspricht, entfernt, während der andere Fotolackabschnitt verbleibt. In einer anderen Ausführungsform, in der das latente Bild 120 dem absorbierenden Abschnitt entspricht und die Fotolackschicht negativ ist, wird der Abschnitt der Fotolackschicht, der dem latenten Bild 120 entspricht, entfernt, während der restliche Abschnitt verbleibt. In einer anderen Ausführungsform, in der das latente Bild 120 dem reflektierenden Abschnitt entspricht und die Fotolackschicht positiv ist, verbleibt der Abschnitt der Fotolackschicht, der dem latenten Bild 120 entspricht, während der Fotolackabschnitt entfernt wird. Das latente Bild 120 enthält ferner einen Defekt 122, der vom Maskendefekt 119 übertragen wird, der eine kurze oder offene Stelle in der endgültigen Struktur bewirkt. Für 11A und die folgenden Figuren wird die Unschärfe durch die Phasenänderung entlang der Y-Richtung auf der Projektionspupillenebene verursacht und die entsprechende Unschärfe wird in diesen Figuren als Y- Unschärfe bezeichnet.
10B-10K zeigen verschiedene latente Bilder der Maske 18 von 9 durch den Lithografiebelichtungsprozess unter Verwendung des Pupillenphasenmodulators 22, der so gestaltet ist, dass er unterschiedliche Unschärfewerte erreicht, die von 20 nm (in 10B) bis 200 nm (in 10K) reichen. In einigen Ausführungsformen ist die Phasenverteilung 112, die vom Pupillenphasenmodulator 22 generiert wird, durch die Phasenfunktion φ = a₁Z₄+a₂Z₅ definiert. Diese Figuren zeigen, dass, wenn die Unschärfe im Bereich von etwa 100 nm bis etwa 200 nm liegt, der Defekt 122 aus dem latenten Bild eliminiert ist. Die entsprechende Phasenfunktion φ ist passend abgestimmt, so dass die Unschärfe ausreichend größer ist, um den Maskendefekt aus dem latenten Bild zu eliminieren, während die IC-Struktur richtig auf der Fotolackschicht gebildet wird.
Unter erneuter Bezugnahme auf 5 kann das Verfahren 60 einen Vorgang 72 enthalten, in dem die belichtete Fotolackschicht, die auf das Ziel 26 aufgetragen ist, entwickelt wird, um dadurch eine strukturierte Fotolackschicht mit einer oder mehreren Öffnungen zu bilden, die der IC-Struktur entspricht, die auf der Maske 18 definiert ist. Das Verfahren 60 kann einen Backprozess nach dem Belichten (Post Exposure Baking, PEB) zwischen dem Lithografiebelichtungsprozess und dem Entwicklungsprozess enthalten.
Ein anderes Beispiel ist bereitgestellt, um verschiedene Vorgänge im Verfahren 60 näher zu beschreiben. 11 zeigt mehrere Strukturen, die gemäß einigen Ausführungsformen konstruiert sind. 11 enthält 15 Bilderpaare, wobei jedes Paar ein latentes Bild (links) der Maske 18 durch den Lithografiebelichtungsprozess und einen strukturierten Fotolack (rechts) durch den Entwicklungsprozess enthält. An der linken Seite der Bilder ist die entsprechende Unschärfe durch den Pupillenphasenmodulator 22, der im Lithografiebelichtungsprozess verwendet wird, 0 nm für die fünf Bilderpaare in der ersten Reihe, 100 nm für die fünf Bilderpaare in der zweiten Reihe bzw. 200 nm für die fünf Bilderpaare in der dritten Reihe. An der Oberseite sind die Zahlen Unschärfen, die durch eine Fokusverschiebung der optischen Module des Lithografiesystems 10 verursacht werden. Diese Unschärfen sind dieselben sowohl in die X-Richtung wie auch die Y-Richtung. Insbesondere sind diese Unschärfen -100 nm für die Paare in der ersten Spalte, -50 nm für die Paare in der zweiten Spalte, 0 nm für die Paare in der dritten Spalte, 50 nm für die Paare in der vierten Spalte bzw. 100 nm für die Paare in der fünften Spalte. Die drei Paare im Kasten 126 haben die Fotolackstrukturen, in welchen der Defekt nicht gedruckt oder eliminiert ist. Dies zeigt ferner, dass der Lithografiebelichtungsprozess unter Verwendung des Pupillenphasenmodulators 22 Maskendefekte eliminieren kann und ein großes Prozessfenster hat. In diesem besonderen Beispiel kann der Lithografiebelichtungsprozess selbst bei einem Fokus des Lithografiesystems von etwa -50 nm bis etwa +50 nm mit Hilfe des Pupillenphasenmodulators 22 Maskendefekte eliminieren und hat eine gute Abbildungsqualität der IC-Struktur.
Zurück zum Verfahren 60 in 4 können zusätzliche Schritte vor, während oder nach dem Verfahren 60 ausgeführt werden und einige der beschriebenen Schritte können für zusätzliche Ausführungsformen des Verfahrens 60 ersetzt, eliminiert oder verschoben werden.
Nach dem Entwicklungsprozess in Vorgang 72 kann das Verfahren 60 ferner einen Vorgang 74 zum Durchführen eines Herstellungsprozesses an dem Ziel 26 durch die strukturierte Fotolackschicht durchführen. In einer Ausführungsform wird der Halbleiterwafer oder eine Materialschicht des Ziels durch die Öffnungen der strukturierten Fotolackschicht geätzt, wodurch die IC-Struktur auf die Trägerschicht oder die darunter liegende Materialschicht übertragen wird. In einem Beispiel wird der Halbleiterwafer geätzt, um mehrere Fin-artige aktive Regionen zu bilden. In einem anderen Beispiel ist die darunter liegende Materialschicht eine dielektrische Zwischen- (Interlayer Dielectric, ILD) Schicht, die auf der Halbleiterträgerschicht angeordnet ist. Der Ätzprozess bildet mehrere Gräben in der ILD-Schicht und anschließend werden Metallleitungen in den Gräben durch eine Prozedur gebildet, wie die Prozedur, die eine Metallabscheidung und chemisch-mechanisches Polieren (CMP) enthält. In einem weiteren Beispiel enthält die darunter liegende Materialschicht eine Gate-Elektroden-Materialschicht. Der Ätzprozess bildet mehrere Gates.
Verschiedene Ausführungsformen des Verfahrens 60, des Lithografiesystems 10 und der Maske 18 sind gemäß verschiedenen Aspekten der vorliegenden Offenbarung beschrieben. Andere Alternativen und Modifizierungen können gegeben sein, ohne vom Wesen der vorliegenden Offenbarung abzuweichen.
Die IC-Struktur, die auf der Maske 18 definiert ist, wie in 3 dargestellt, ist eine 1D-Struktur. Die IC-Struktur ist jedoch nicht auf eine vollständige 1D IC-Struktur beschränkt. Zum Beispiel ist die IC-Struktur im Wesentlichen eine eindimensionale und die meisten Vielecke in der IC-Struktur sind in dieselbe Richtung orientiert, aber einige nicht kritische Merkmale (wie Scheinmerkmale) können in anderen Richtungen orientiert sein und/oder 2D-Merkmale sein. In einem anderen Beispiel sind die meisten Vielecke in der IC-Struktur in derselben Richtung orientiert und einige Vielecke können in (einer) Richtung(en) orientiert sein, die leicht von dieser Richtung abweicht (abweichen).
In einigen Ausführungsformen enthält die Maske 18 eine IC-Struktur mit mehreren Vielecken, die in mehreren Regionen angeordnet sind. Ein Teilsatz von Vielecken in derselben Region ist entlang derselben Richtung orientiert, die als Regionsrichtung definiert ist. Die Regionsrichtungen können sich jedoch voneinander unterscheiden. Zum Beispiel ist ein erster Teilsatz von Vielecken auf einer ersten Region entlang einer ersten Richtung orientiert und ein zweiter Teilsatz von Vielecken auf einer zweiten Region ist entlang einer zweiten Richtung orientiert, die sich von der ersten Richtung unterscheidet. In einem besonderen Beispiel ist der erste Teilsatz von Vielecken entlang der X-Richtung orientiert und der zweite Teilsatz von Vielecken ist entlang der Y-Richtung orientiert.
Die Maske mit einer solchen IC-Struktur kann in dem Verfahren 60 verwendet werden und erreicht noch immer ähnliche Vorteile mit dem Pupillenphasenmodulator. Das Verfahren 60 kann so erweitert werden, dass die Maske mit mehreren Regionsrichtungen aufgenommen wird. Wobei angenommen wird, dass die Maske die erste Region und die zweite Region enthält. Wenn die Maske in Vorgang 62 auf der Maskenstufe befestigt wird, ist der erste Teilsatz von Vielecken in der ersten Region entlang der X-Richtung orientiert und der zweite Teilsatz von Vielecken ist entlang der Y-Richtung orientiert. In einigen Ausführungsformen können die Vorgänge 68 und 70 mehrere Male jeweils für verschiedene Regionen wiederholt werden (Zyklen). Das Verfahren 60 enthält einen ersten Zyklus für die erste Region. Insbesondere enthält das Verfahren 60 im ersten Zyklus ein Gestalten des Lithografiesystems in derartiger Weise, dass der Pupillenphasenmodulator eine erste Phasenverteilung auf der Projektionspupillenebene generiert, wobei die erste Phasenverteilung einen Phasengradienten entlang der X-Richtung hat. Dann fährt das Verfahren 60 mit der Ausführung eines ersten Lithografiebelichtungsprozesses zur Abbildung des ersten Teilsatzes von Vielecken in der ersten Region der Maske auf das Ziel fort. Dann fährt das Verfahren 60 mit einem zweiten Zyklus an der zweiten Region fort. Im zweiten Zyklus enthält das Verfahren 60 ein Gestalten des Lithografiesystems in derartiger Weise, dass der Pupillenphasenmodulator eine zweite Phasenverteilung auf der Projektionspupillenebene generiert, wobei die zweite Phasenverteilung einen Phasengradienten entlang der Y-Richtung hat. Dann fährt das Verfahren 60 mit der Ausführung eines zweiten Lithografiebelichtungsprozesses zur Abbildung des zweiten Teilsatzes von Vielecken in der zweiten Region der Maske auf das Ziel fort. Somit steuert der Pupillenphasenmodulator dynamisch die Phasenverteilung auf der Projektionspupillenebene gemäß der Orientierung der Vielecke, die während des Lithografiebelichtungsprozesses abgebildet werden sollen, wodurch die Maskendefekte unscharf werden und die Maskendefekte nicht druckbar werden.
In einigen Ausführungsformen ist das Verfahren 60 nicht auf den EUV-Lithografieprozess beschränkt. Zum Beispiel generiert die Strahlungsquelle 12 des Lithografiesystems 10 Ultraviolett- (UV) Licht oder tiefes UV (DUV). In einer Weiterentwicklung der Ausführungsform kann die Strahlungsquelle 12 eine Quecksilberlampe mit einer Wellenlänge von 436 nm (G-Linie) oder 265 nm (I-Linie) sein; ein Krypton-Fluorid (KrF) Exzimerlaser mit einer Wellenlänge von 249 nm; ein Argon-Fluorid (ArF) Exzimerlaser mit einer Wellenlänge von 193 nm; oder andere Lichtquellen mit einer gewünschten Wellenlänge. Daher sind die Maske 18 und die optischen Komponenten des Lithografiesystems 10 durchlässig. In einem anderen Beispiel enthält die Strahlungsquelle 12 einen Fluorid (F₂) Exzimerlaser mit einer Wellenlänge von 157 nm.
In einigen Ausführungsformen ist der Pupillenphasenmodulator 22 zum Modulieren sowohl der Intensität wie auch der optischen Phase des Lichts auf der Projektionspupillenebene gestaltet, um die Druckbarkeit der Maskendefekte effektiv zu verringern. In einigen Ausführungsformen ist das Beleuchtungsmuster gemäß der Teilung der 1D IC-Struktur gestaltet, die auf der Maske 18 definiert ist. In einigen Ausführungsformen kann die IC-Struktur, die auf der Maske 18 definiert ist, ferner verschiedene Hilfsvielecke enthalten, die durch einen OPC-Prozess eingegliedert werden, und/oder Scheinvielecke, die aus Bearbeitungsgründen eingegliedert werden. In einigen Ausführungsformen ist das Fotolackmaterial ein positiver Fotolack oder ein negativer Fotolack.
Anhand des Vorhergesagten stellt die vorliegende Offenbarung ein Lithografiesystem und ein Verfahren bereit, die einen Pupillenphasenmodulator 22 zum Belichten einer Maske verwenden, wodurch die Defekte der Maske unscharf werden und die Druckbarkeit der Defekte verringert wird. Der Pupillenphasenmodulator ist zum Modulieren der optischen Phasenverteilung des Lichts auf der Projektionspupillenebene gestaltet, um die Maskendefekte (falls vorhanden) unscharf zu machen, während die 1D IC-Struktur, die auf der Maske definiert ist, auf das Ziel ohne Beeinträchtigung abgebildet wird.
Es können verschiedene Vorteile in verschiedenen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung vorhanden sein. Das Lithografiesystem und der Prozess können daher eine Maske verwenden, die Defekte aufweist. Das Lithografiesystem und der Prozess zeigen eine signifikante Verringerung einer Defektdruckbarkeit. Daher kann die teure Prozedur zur Reparatur defekter Masken zumindest für bestimmte Masken verringert oder eliminiert werden, wie die Maske mit einer eindimensionalen IC-Struktur. Zusätzliche Kosten, die mit einer Maskenreparatur, einem Maskenausschuss und/oder einer Verringerung der Waferausbeute in Zusammenhang stehen, sind wesentlich verringert.
Somit stellt die vorliegende Offenbarung eine Ausführungsform eines Verfahrens bereit. Das Verfahren enthält ein Laden einer Maske in ein Lithografiesystem, wobei die Maske eine eindimensionale integrierte Schaltungs- (1D IC) Struktur enthält; Verwenden eines Pupillenphasenmodulators in dem Lithografiesystem zum Modulieren einer Phase von Licht, das von der Maske gebeugt wird; und Durchführen eines Lithografiebelichtungsprozesses an einem Ziel in dem Lithografiesystem mit der Maske und dem Pupillenphasenmodulator.
Die vorliegende Offenbarung stellt auch ein Verfahren gemäß einigen Ausführungsformen bereit. Das Verfahren enthält ein Laden einer Maske in ein Lithografiesystem, wobei die Maske eine erste eindimensionale integrierte Schaltungs- (1D IC) Struktur enthält; Konfigurieren des Lithografiesystems derart, dass eine Phasenverteilung von Licht, das von der Maske gebeugt wird, auf einer Projektionspupillenebene in einer Weise moduliert wird, dass eine Druckbarkeit eines Maskendefekts verringert wird; und Durchführen eines ersten Lithografiebelichtungsprozesses zur Abbildung der ersten 1D IC-Struktur auf einem Ziel durch das konfigurierte Lithografiesystem.
Die vorliegende Offenbarung stellt auch ein Verfahren gemäß einigen Ausführungsformen bereit. Das Verfahren enthält ein Laden einer Extrem-Ultraviolett- (EUV) Maske in ein Lithografiesystem, wobei die Maske eine integrierte Schaltungs-(IC) Struktur enthält; Steuern mehrerer reflektierender Spiegel in einer Projektionsoptikbox des Lithografiesystems, so dass eine Phasenverteilung von Licht moduliert wird, das von der EUV-Maske gebeugt wird, wobei die modulierte Phasenverteilung gemäß der IC-Struktur bestimmt wird; und Durchführen eines Lithografiebelichtungsprozesses an einem Ziel in dem Lithografiesystem mit der EUV-Maske und den konfigurierten mehreren reflektierenden Spiegeln.
Zuvor wurden Merkmale von mehreren Ausführungsformen umrissen, so dass Fachleute auf dem Gebiet die Aspekte der vorliegenden Offenbarung besser verstehen können.

Claims

Verfahren, umfassend: Laden einer Maske (18) in ein Lithografiesystem (10), wobei die Maske (18) eine eindimensionale integrierte Schaltungs-Struktur, 1D IC-Struktur, enthält; Verwenden eines Pupillenphasenmodulators (22) in dem Lithografiesystem (10) zum Modulieren einer Phase von Licht, das von der Maske (18) gebeugt wird; und Durchführen eines Lithografiebelichtungsprozesses an einem zu strukturierenden Ziel (26) in dem Lithografiesystem (10) mit der Maske (18) und dem Pupillenphasenmodulator (22), wobei das Laden (62) der Maske (18) in das Lithografiesystem (10) ein Befestigen der Maske (18) in einer derartigen Konfiguration enthält, dass die 1D IC-Struktur in einer ersten Richtung (Y) orientiert ist, wobei der Pupillenphasenmodulator (22) so konfiguriert ist, dass sich die Phase auf einer Projektionspupillenebene (24) des Lithografiesystems (10) entlang der ersten Richtung (Y) ändert.
Verfahren nach Anspruch 1, wobei der Pupillenphasenmodulator (22) so konfiguriert ist, dass die Phase entlang einer zweiten Richtung (X) auf der Projektionspupillenebene (24) unverändert bleibt, wobei die zweite Richtung (X) senkrecht zur ersten Richtung (Y) verläuft.
Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, wobei der Pupillenphasenmodulator (22) eine Phase des von der Maske (18) gebeugten Lichts so moduliert, dass eine Phasenverteilung des Lichts, das von der Maske (18) gebeugt wird, eine Funktion von Zernike-Polynomen Z₄ und Z₅ ist.
Verfahren nach Anspruch 3, wobei die Funktion als Z₄-2Z₅ formuliert ist.
Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei der Pupillenphasenmodulator (22) zum Bereitstellen einer Phasenverteilung des Lichts auf der Projektionspupillenebene (24) gestaltet ist, so dass ein Maskendefekt (42) auf dem Ziel (26) während des Lithografiebelichtungsprozesses nicht druckbar ist, wobei das Laden der Maske (18) in das Lithografiesystem (10) ein Befestigen der Maske (18) in einer derartigen Konfiguration enthält, dass die erste 1D IC-Struktur in einer ersten Richtung (Y) orientiert ist, wobei das Konfigurieren des Lithografiesystems (10) ein Konfigurieren der reflektierenden Spiegel in einer Projektionsoptikbox (20) des Lithografiesystems (10) enthält, so dass die Phasenverteilung einen ersten Gradienten entlang der ersten Richtung (Y) hat.
Verfahren nach Anspruch 5, wobei das Lithografiesystem (10) ein Extrem-Ultraviolett-Lithografiesystem, EUV-Lithografiesystem, ist; und das EUV-Lithografiesystem eine Strahlungsquelle (12), um EUV-Licht zu generieren, eine Maskenstufe (16) zum Befestigen der Maske (18) und eine Projektionsoptikbox, POB, (20) zum Abbilden der Maske (18) auf dem Ziel (26) enthält.
Verfahren nach Anspruch 6, wobei die POB (20) mehrere reflektierende Spiegel enthält; und der Pupillenphasenmodulator (22) einen Mechanismus zum Konfigurieren der mehreren reflektierenden Spiegel enthält, um dadurch die Phasenverteilung an dem Licht auf der Projektionspupillenebene (24) bereitzustellen.
Verfahren nach Anspruch 6 oder 7, wobei das EUV-Lithografiesystem ferner einen Illuminator (14) enthält, der das EUV-Licht von der Strahlungsquelle (12) moduliert, wobei das Verfahren ferner ein Konfigurieren des Illuminators (14) in einem hoch kohärenten Beleuchtungsmodus enthält; und das Durchführen des Lithografiebelichtungsprozesses ein Durchführen des Lithografiebelichtungsprozesses mit dem Illuminator (14) im hoch kohärenten Beleuchtungsmodus enthält.
Verfahren nach einem der Ansprüche 5 bis 8, wobei der Pupillenphasenmodulator (22) ein Phasenpupillenfilter auf der Projektionspupillenebene (24) enthält, wodurch die Phasenverteilung bei dem Licht auf der Projektionspupillenebene (24) bereitgestellt wird.
Verfahren nach einem der Ansprüche 5 bis 9, wobei der Maskendefekt (42) ein Phasendefekt ist, der auf der Maske (18) gebildet ist.
Verfahren nach einem der Ansprüche 5 bis 10, des Weiteren umfassend ein Anwenden eines Entwicklungsprozesse an der Fotolackschicht nach dem Lithografiebelichtungsprozess, wodurch eine strukturierte Fotolackschicht gebildet wird, die frei von einem Fotolackdefekt ist, der mit dem Maskendefekt (42) verknüpft ist.
Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei die Maske (18) ein Substrat (30) mit geringer Wärmeausdehnung, LTEM-Substrat, eine reflektierende Mehrfachschicht (34), die über dem LTEM-Substrat (30) gebildet ist, und eine Materialschicht (40), die über der reflektierenden Mehrfachschicht (34) gebildet und zur Definition der 1D IC-Struktur strukturiert ist, enthält.
Verfahren nach Anspruch 12, wobei die Materialschicht (40) eines von einer reflektierenden Schicht und einer Absorptionsschicht für das Licht enthält.
Verfahren, umfassend: Laden einer Maske (18) in ein Lithografiesystem (10), wobei die Maske (18) eine erste eindimensionale integrierte Schaltungs-Struktur, 1D IC-Struktur, enthält; Konfigurieren des Lithografiesystems (10) derart, dass eine Phasenverteilung von Licht, das von der Maske (18) gebeugt wird, auf einer Projektionspupillenebene (24) in einer Weise moduliert wird, dass eine Druckbarkeit eines Maskendefekts (42) verringert wird; und Durchführen eines ersten Lithografiebelichtungsprozesses zur Abbildung der ersten 1D IC-Struktur auf einem zu strukturierenden Ziel (26) durch das konfigurierte Lithografiesystem (10).
Verfahren nach Anspruch 14, wobei das Laden der Maske (18) in das Lithografiesystem (10) ein Befestigen der Maske (18) in einer derartigen Konfiguration enthält, dass die erste 1D IC-Struktur in einer ersten Richtung (Y) orientiert ist; und das Konfigurieren des Lithografiesystems (10) ein Konfigurieren der reflektierenden Spiegel in einer Projektionsoptikbox (20) des Lithografiesystems (10) enthält, so dass die Phasenverteilung einen ersten Gradienten entlang der ersten Richtung (Y) hat.
Verfahren nach Anspruch 15 wobei die Phasenverteilung in einer Funktion von Zernike-Polynomen Z₄ und Z₅ definiert ist, die als Z₄-2Z₅ formuliert ist.
Verfahren nach Anspruch 15 oder 16, wobei: die Maske (18) ferner eine zweite 1D IC-Struktur neben der ersten 1D IC-Struktur enthält, wobei die zweite 1D IC-Struktur anders als die erste 1D IC-Struktur orientiert ist; und das Laden der Maske (18) in das Lithografiesystem (10) ein Befestigen der Maske (18) in einer derartigen Konfiguration enthält, dass die erste 1D IC-Struktur in der ersten Richtung (Y) orientiert ist und die zweite 1D IC-Struktur in einer zweiten Richtung (X) orientiert ist, die sich von der ersten Richtung (Y) unterscheidet, wobei das Verfahren des Weiteren enthält: Rekonfigurieren der reflektierenden Spiegel, so dass die Phasenverteilung einen zweiten Gradienten entlang der zweiten Richtung (X) hat; und Durchführen eines zweiten Lithografiebelichtungsprozesses zur Abbildung der zweiten 1D IC-Struktur auf das Ziel (26) durch das rekonfigurierte Lithografiesystem (10).
Verfahren für einen EUVL-Prozess umfassend: Laden einer EUV-Maske (18) in ein Lithografiesystem (10), wobei die Maske (18) eine IC-Struktur enthält; Steuern mehrerer reflektierender Spiegel in einer Projektionsoptikbox (20) des Lithografiesystems (10), so dass eine Phasenverteilung von Licht moduliert wird, das von der EUV-Maske (18) gebeugt wird, wobei die modulierte Phasenverteilung gemäß der IC-Struktur bestimmt wird; und Durchführen eines Lithografiebelichtungsprozesses an einem zu strukturierenden Ziel (26) in dem Lithografiesystem (10) mit der EUV-Maske (18) und den konfigurierten mehreren reflektierenden Spiegeln.
Verfahren nach Anspruch 18, wobei das Laden der EUV-Maske (18) in das Lithografiesystem (10) ein Befestigen der EUV-Maske (18) in einer derartigen Konfiguration enthält, dass die 1D IC-Struktur in einer ersten Richtung (Y) orientiert ist; und das Steuern der mehreren reflektierenden Spiegel ein Konfigurieren der mehreren reflektierenden Spiegel enthält, wodurch die Phasenverteilung auf einer Projektionspupillenebene (24) des Lithografiesystems (10) generiert wird, wobei die Phasenverteilung einen Phasengradienten entlang der ersten Richtung (Y) hat.