TWI463251B - 具環境資訊感測之光罩結構 - Google Patents

具環境資訊感測之光罩結構 Download PDF

Info

Publication number
TWI463251B
TWI463251B TW102137583A TW102137583A TWI463251B TW I463251 B TWI463251 B TW I463251B TW 102137583 A TW102137583 A TW 102137583A TW 102137583 A TW102137583 A TW 102137583A TW I463251 B TWI463251 B TW I463251B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
environmental information
information sensing
reticle
battery
reticle structure
Prior art date
Application number
TW102137583A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201516557A (zh
Inventor
hui ying Lin
Original Assignee
hui ying Lin
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by hui ying Lin filed Critical hui ying Lin
Priority to TW102137583A priority Critical patent/TWI463251B/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI463251B publication Critical patent/TWI463251B/zh
Publication of TW201516557A publication Critical patent/TW201516557A/zh

Links

Landscapes

  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Description

具環境資訊感測之光罩結構
本發明係有關於一種具環境資訊感測之光罩結構,尤其是指一種具備感測周遭環境相關資訊功能之深次奈米級光罩結構,可有效於深次奈米光罩製作或運送過程,以及後續使用該光罩於半導體或液晶顯示器等黃光微影製造過程中,確實檢測環境資訊之時序變化,並解析該變化對光罩線寬與結構的物理性影響,以選擇有效的解決方案,確保後續製程製備之電子元件的優良特性者。
按,在半導體或液晶顯示器的製程中,黃光微影製程(Lithography Process)是電子元件可以持續縮小的關鍵技術;在半導體製程中,黃光微影製程即是指使用曝光光源經由光罩(Mask)對晶圓上的光阻(Photoresist,簡稱PR)照射,使光阻產生化學變化,再經顯影技術將光罩上的電路圖案轉移到晶圓上的技術,而為了製造出更微小的電子元件,以提高積體電路中的元件密度,就必須讓元件的線寬越縮越小,因此用以曝光的光源波長也會跟著改變,目前的黃光微影技術已經從以G-line(波長436奈米)與I-line(波長365奈米)所製備的0﹒5微米~0﹒35微米的半導體線寬,進展到以KrF(波長248奈米)與ArF(波長193奈米)等雷射光源所製備的0﹒25微米~65奈米的半導體線寬,更甚者,目前半導體業界的主流即是以波長193奈米之深紫外光(Deep Ultraviolet,簡稱DUV)光源搭配浸潤式微影技術(Immersion Lithography)已成功將半導體線寬推進至22奈米的細密等級,然而,這些曝光光源的改變也相對提高了整個半導體製程的難度。
光罩在黃光微影製程中扮演相當重要的角色,光罩即是一種在石英玻璃上覆蓋以可例如為金屬鉻膜(Chrome,Cr)之組成材料的電路圖案,而光罩的電路圖案所能清楚解析在晶圓上的線寬,就代表相關製程的最佳能力;在早期的半導體製程中所使用的傳統式光罩為二元強度光罩(Binary Intensity Mask,簡稱BIM),係將光罩內容物分為透光與不透光兩部分,再利用兩者的特性差異對光阻進行曝光,以將光罩上之電路圖案複製於晶圓之基板或是半導體薄膜上,然而,當線寬逐漸縮小時,線寬與線寬之間會產生繞射現象,使成像模糊而影響半導體元件的電子特性;為了解決此缺點,相移光罩(Phase-shift Mask,簡稱PSM)於是被提出,其概念就是在傳統光罩的電路圖案上,選擇性地在透光區加上透明但能使光束相位反轉180度的反向層,即可在使用原本曝光機台搭配原本的製程條件下,有效改善其成像解析度與增加聚焦深度,因而製作出更小線寬的電子元件;然而,隨著莫爾定律(Moore‘s Law)的描述,積體電路上所能容納的電晶體數目,每18個月會增加一倍,性能也會提升一倍,於是半導體製程為了遵循這個定律,在光罩上的線寬將會越來越小,然而,外界環境的因素對於線寬的影響也會越來越劇烈,例如光罩上的金屬鉻膜因周遭環境溫度而熱漲冷縮之現象,以及光罩組成材料因周遭環境濕度所產生之變質、脆化與變形等,都是環境因素對光罩的實質影響;因此,在使用光罩的黃光微影製程中,為了有效感測光罩所處周遭環境之溫度、溼度,以及其他等因素,確保環境資訊對光罩線寬與結構的物理性影響,再經由有效的解決方案消除該物理性的差異,確實避免後續的製程因不正確的光罩線寬或形變等物理性差異而影響電子元件的電性與特性,以更能有效達到客製電子元件之優勢,仍是現今光罩製程等開發之業者或研究人員需持續努力克服與解決之重要課題。
今,發明人即是鑑於上述之深次奈米級之光罩結構因存在無法有效感測因周遭環境之相關因素所造成的物理性缺失,進而影響後續相關製程製備的電子元件之電子特性等諸多缺失,於是乃一本孜孜不倦之精神,並藉由其豐富之專業知識及多年之實務經驗所輔佐,而加以改善,並據此研創出本發明。
本發明主要目的係為提供一種具環境資訊感測之光罩結構,尤其是指一種具備感測周遭環境相關資訊功能之深次奈米級光罩結構,可有效於深次奈米光罩製作或運送過程,以及後續使用該光罩於半導體或液晶顯示器等黃光微影製造過程中,確實檢測環境資訊之時序變化,並解析該變化對光罩線寬與結構的物理性影響,以選擇有效的解決方案,確保後續製程製備之電子元件的優良特性。
為了達到上述實施目的,本發明人提出一種具環境資訊感測之光罩結構,其包括有一透明基板、一光吸收層、一抗反射層、複數個環境資訊感測區域,以及一傳輸模組;透明基板係包含有一光罩主體區域,以及一光罩框架,其中光罩主體區域係提供置放電路圖案以轉移至一晶圓上,光罩框架係包覆光罩主體區域,以提供電路圖案轉移至晶圓後之晶片切割;光吸收層係以濺鍍(Sputter)方式沉積於透明基板上;抗反射層係形成於光吸收層上之氧化物薄膜,於抗反射層形成後,以一電子束微影用光阻之微影技術於抗反射層與光吸收層上形成一轉印之電路圖案而獲得一光罩結構;複數個環境資訊感測區域,且每一環境資訊感測區域係嵌設有複數個感測器,以感測並記錄周遭環境之相關資訊;傳輸模組係包括一傳輸器,以及一電池,其中傳輸模組係電性連接環境資訊感測區域,感測器所紀錄的周遭環境資訊係透過傳輸器傳出,電池係提供傳輸模組與環境資訊感測區域所需之電量。
在本發明的一個實施例中,其中透明基板係選自鹼石灰之鈉鈣玻璃、耐熱玻璃、石英玻璃,以及麥拉膜等所構成群組中的一種材料而形成。
在本發明的一個實施例中,其中光吸收層係選自鹵化銀感光劑、金屬鉻、氧化鐵,以及金屬鋁等所構成群組中的一種材料而形成。
在本發明的一個實施例中,其中抗反射層係選自二氧化矽,以及氧化鉻等之氧化物所構成群組中的一種材料而形成。
在本發明的一個實施例中,其中感測器係選自溫度感測器、濕度感測器,以及壓力感測器所構成群組中的一種感測器或兩者以上之組合而形成。
在本發明的一個實施例中,其中傳輸器係可為無線傳輸裝置或有線傳輸裝置等其中之一種。
在本發明的一個實施例中,其中電池係可為一鈕扣型電池種類之氧化汞電池、錳電池、水銀電池,以及鋰電池等其中之一種。
藉此,本發明係藉由可感測周遭環境之相關感測器,依據所處之周遭環境的相關資訊,例如溫度、濕度或壓力等變化而以傳輸器傳輸至外部儀器顯示成一連續時間之環境資訊變化圖,使用者可依據周遭環境的相關資訊,處以不同的有效解決方案,以避免深次奈米光罩之線寬或結構因環境資訊之差異而造成物理性形變,進而確保以正確的光罩線寬製備正確而卓越的電子元件之性能;再者,本發明係藉由將極小厚度與體積之感測器、傳輸器,以及電池等元件整合至光罩的框架上,有效在不到1公分的玻璃基板厚度上,即時並全時地感測周遭環境之相關資訊,並可在光罩檢測時,正確無誤地將相關資訊傳輸至外部機台分析。
(1)‧‧‧透明基板
(11)‧‧‧光罩主體區域
(12)‧‧‧光罩框架
(2)‧‧‧光吸收層
(3)‧‧‧抗反射層
(4)‧‧‧環境資訊感測區域
(41)‧‧‧感測器
(411)‧‧‧溫度感測器
(412)‧‧‧溼度顯示器
(5)‧‧‧傳輸模組
(51)‧‧‧傳輸器
(52)‧‧‧電池
(6)‧‧‧光阻
(61)‧‧‧電路圖案
第一圖:本發明具環境資訊感測之光罩結構其一較佳實施例之光罩結構剖面示意圖
第二圖:本發明具環境資訊感測之光罩結構其一較佳實施例之環境資訊感測區域分佈示意圖
第三圖:本發明具環境資訊感測之光罩結構其一較佳實施例之光罩製作流程示意圖
本發明之目的及其結構設計功能上的優點,將依據以下圖面所示之較佳實施例予以說明並清楚呈現,俾使審查委員能對本發明有更深入且具體之瞭解。
首先,請參閱第一圖所示,為本發明具環境資訊感測之光罩結構其一較佳實施例之光罩結構剖面示意圖,係包括有:
一透明基板(1),係包含有一光罩主體區域(11),以及一光罩框架(12),其中光罩主體區域(11)係提供置放電路圖案以轉移至一晶圓上,光罩框架(12)係包覆光罩主體區域(11),以提供該電路圖案轉移至晶圓後之晶片切割;
一光吸收層(2),係以濺鍍方式沉積於透明基板(1)上;
一抗反射層(3),係形成於光吸收層(2)上之氧化物薄膜,於抗反射層(3)形成後,以一電子束微影用光阻之微影技術於抗反射層(3)與光吸收層(2)上形成一轉印之電路圖案而獲得一光罩結構;
複數個環境資訊感測區域(4),且每一環境資訊感測區域(4)係嵌設有複數個感測器(41),以感測並記錄周遭環境之相關資訊;值得注意的是,將複數個環境資訊感測區域(4)嵌設於透明基板(1)之光罩框架(12)內僅是本發明之較佳實施例其中之一,然並不限定於此,複數個環境資訊感測區域(4)亦可嵌設於光吸收層(2)或抗反射層(3)等結構內或設置於該光罩結構之外部,只要達到可用以感測周遭環境相關資訊而產生之功效與技術上之優點與其一較佳實施例相同,皆應視為本發明之等效變化或修飾;請參閱第二圖所示,為本發明具環境資訊感測之光罩結構其一較佳實施例之環境資訊感測區域分佈示意圖,其中為了有效檢測周遭環境資訊對光罩的影響,本發明之較佳實施例係設置5個環境資訊感測區域(4)於透明基板(1)之光罩框架(12)內,係分別為光罩結構的四個角落右上、右下、左上、左下,以及中間等區域,其位置係如同習知用以量測光罩上電路圖案線寬之臨界尺度棒(Critical Dimension Bar,簡稱CD Bar)之分佈一樣;然而必須注意的是,上述的環境資訊感測區域(4)之5個檢測數量是為說明方便起見之較佳實施例,而非以本例所舉為限,且熟此技藝者當知道本發明之環境資訊感測區域(4)於一光罩上可容納之檢測數量可以因製程條件、特性或製程世代(Process Generation)的不同而有不同的檢測數量,並不會影響本發明的實際實施;以及
一傳輸模組(5),係包括一傳輸器(51),以及一電池(52),其中傳輸模組(5)係電性連接環境資訊感測區域(4),感測器(41)所紀錄的周遭環境資訊係透過傳輸器(51)傳出,電池(52)係提供傳輸模組(5)與環境資訊感測區域(4)所需之電量;值得注意的是,將傳輸模組(5)嵌設於透明基板(1)之光罩框架(12)內僅是本發明之較佳實施例其中之一,然並不限定於此,傳輸模組(5)亦可嵌設於光吸收層(2)或抗反射層(3)等結構內或設置於該光罩結構之外部,只要達到可用以電性連接環境資訊感測區域(4)而產生之功效與技術上之優點與其一較佳實施例相同,皆應視為本發明之等效變化或修飾。
此外,透明基板(1)係選自鹼石灰(Soda Lime)之鈉鈣玻璃、耐熱玻璃(Borosilicate)、石英玻璃(Quartz Glass),以及麥拉膜(Mylar Film)等所構成群組中的一種材料而形成,其中鹼石灰之鈉鈣玻璃是玻璃產業中用量最大的玻璃種類,包括平板玻璃、汽車玻璃、燈泡玻璃,以及容器玻璃等,成分主要由Na 2 O-CaO-SiO 2 所組成;耐熱玻璃係指如實驗室中的試管、燒杯等,是一種直接以火加熱也不致破裂的玻璃,此種玻璃係於主要成分80%的矽砂中,加入12%的硼砂所組成,由於硼砂膨脹係數小而產生耐熱的特性;石英玻璃係將石英熔化或高溫分解四氯化矽而製成,其膨脹係數較低、軟化溫度較高,一般可用於半導體基板、望遠鏡的鏡頭、白光燈管、太陽電池蓋,以及理化器材等;麥拉膜是一種多用性塑膠材料,主要係用來製造薄膜的商品名稱,是一種由二甲苯製成的一種聚酯(Polyester),也可以用來解決厚度不足的問題,亦可修正平面度的不足以達止洩效果;其中在本發明之較佳實施例中,係選用常見於一般光罩結構上之石英玻璃做為透明基板(1)之材質。
此外,該光吸收層(2)係選自鹵化銀感光劑(Siliver Emulsion)、金屬鉻(Chrome)、氧化鐵(Iron Oxide),以及金屬鋁(luminum)等所構成群組中的一種材料而形成,其中在本發明之較佳實施例中,係選用常見於一般光罩結構上的金屬鉻膜做為光吸收層(2),其厚度係介於100奈米~120奈米之間,光罩之所以具有將電路圖案轉移之功能,關鍵就在於光罩上的金屬鉻膜,當金屬鉻膜於後續光罩形成製程被打開後,曝光之光源可以穿透透明基板(1)之石英玻璃而照射在塗佈於晶圓之光阻上,該光阻再經由顯影步驟,達到將電路圖案轉移的目的,反之,有金屬鉻膜覆蓋的地方,光線即不能穿透。
再者,抗反射層(3)係選自二氧化矽(SiO 2 ),以及氧化鉻(Cr 2 O 3 )等之氧化物所構成群組中的一種材料而形成,其中於本發明之較佳實施例中,係選用常見於一般光罩結構上的氧化鉻做為抗反射層(3)之材料,由於光入射於不同介質之界面會產生反射光,而反射光是曝光系統中無法控制的負面變因,由於反射光會對於光阻造成駐波(Standing Wave)與凹陷(Notching)等效應,特別在現今深次奈米的極小線寬與深紫外光的曝光光源應用中更為嚴重,所謂駐波效應即是入射光與反射光在光阻層互相干擾,形成週期性光強度之強弱變化,使光阻形成駐波形狀分布,導致側壁輪廓不均;凹陷效應則是反射界面不平坦或是不同材質間的不同反射率所造成之現象;因此,以高反射率的材質做為抗反射層(3)可有效減低半導體為影製程中的駐波與凹陷效應,防止光反射發生。
此外,嵌設於環境資訊感測區域(4)之感測器(41)係選自溫度感測器、濕度感測器,以及壓力感測器所構成群組中的一種感測器或兩者以上之組合而形成,在本發明的較佳實施例中,環境資訊感測區域(4)係嵌設有一溫度感測器(411)與一濕度感測器(412),其中溫度感測器(411)係用以感測並記錄周遭環境之溫度變化,而濕度感測器(412)則用以感測並記錄周遭環境之濕度變化,於光罩檢測時,溫度感測器(411)與濕度感測器(412)所記錄的周遭環境資訊變化可經由傳輸模組(5)傳輸至外部機台,以將該等資訊隨時間的變化趨勢製成一曲線圖表供使用者判別,以溫度檢測為例,當周遭環境處於高於室溫之狀態時,可能導致光罩上之金屬鉻膜受熱膨脹,例如若製備半導體元件閘極(Gate)之線寬因熱膨脹而變大,將會導致後續製備之電子元件的電流減小,而嚴重影響其電子特性,若周遭環境處於低於室溫之狀態時,可能導致光罩上之金屬鉻膜收縮而使閘極之線寬變窄,在後續的半導體製程中有可能因為製程間的差異而導致導線斷裂的危險,使後續製備之電子元件失效;若以濕度檢測為例,當周遭環境處於高濕度之狀態,可能導致光罩結構受潮而產生缺陷,該缺陷可能會落在線寬上,嚴重影響後續製備之電子元件之電子特性,若周遭環境處於低濕度之狀態,則可能導致光罩結構過於乾燥而脆化,使該光罩在後續半導體的高低溫變換製程中容易產生裂縫之危險;然而必須注意的是,上述環境資訊感測區域(4)所嵌設的溫度感測器(411)與濕度感測器(412)是為說明方便起見之較佳實施例,而非以本例所舉為限,且熟此技藝者當知道本發明之環境資訊感測區域(4)內含之感測器(41)種類與數量可以因使用者或製程上需求的不同而有不同的種類與數量,並不會影響本發明的實際實施,只要達到感測周遭環境之相關資訊而產生之功效與技術上之優點與其一較佳實施例相同,皆應視為本發明之等效變化或修飾。
再者,內建於傳輸模組(5)之傳輸器(51)係可為無線傳輸裝置或有線傳輸裝置等其中之一種,其中無線傳輸裝置係可為藍芽、WiFi、紅外線,以及微波等電磁波之無線傳輸;有線傳輸裝置可包括通用序列介面(Universal Serial Bus,簡稱USB)、光纖纜線(Optical Fiber)、雙絞線(Twist Pair),以及同軸電纜(Coaxial Cable)等其中之一種有線傳輸;在本發明的較佳實施例中,傳輸器(31)係使用無線傳輸之WiFi傳輸系統或有線傳輸之USB傳輸系統將感測器(51)感測之周遭環境資訊傳遞至外部機台以進行周遭環境資訊的分析;然而必須注意的是,上述傳輸器(51)之種類是為說明方便起見之較佳實施例,而非以本例所舉為限,且熟此技藝者當知道本發明之傳輸器(51)種類可以因使用者或製程上需求的不同而有不同的種類,並不會影響本發明的實際實施。
再者,本發明所使用的電池(52)係為一鈕扣型電池中的氧化汞電池、錳電池、水銀電池,以及鋰電池等其中之一種,由於光罩之厚度係不到1公分,因此需要選用厚度較薄的電池(52)嵌設於玻璃基板(1)內,以有效提供傳輸模組(5)與環境資訊感測區域(4)所需之電力,其中鈕扣型電池係可產生較大之電流,其汞含量約為0 ﹒025%,適合於放電量需求大及長時間使用之裝置,在本發明的較佳實施例中,係使用鈕扣型電池之水銀電池,以提供本發明所需之電力。
根據上述之具環境資訊感測之光罩結構於實際實施時,請參閱第三圖所示,為本發明具環境資訊感測之光罩結構其一較佳實施例之光罩製作流程示意圖,在本發明之較佳實施例中,係選擇以石英玻璃做為該光罩結構之透明基板(1)時,首先,將溫度感測器(411)與濕度感測器(412)等感測器(41)嵌設於透明基板(1)的右上、右下、左上、左下,以及中間等五個位置之環境資訊感測區域(4)內,另外在位於光罩中間的環境資訊感測區域(4)旁再嵌設一包含有傳輸器(51)與電池(52)的傳輸模組(5),並以電線電性連接傳輸模組(5)與五個環境資訊感測區域(4);接續,將金屬鉻以濺鍍之方式濺鍍於透明基板(1)上以形成一光吸收層(2)之金屬鉻膜;之後,使用氧化鉻之氧化物材料成分沉積於光吸收層(2)上以形成一抗反射層(3);再者,將光阻(6)以旋轉塗佈法塗佈於抗反射層(5)上,接續利用一電子束將電路圖案刻寫在光阻(6)上,光阻(6)被電子束刻寫過的區域,其化學鍵結將會被破壞,使光阻(6)容易被有機化學溶液之顯影液溶解,只留下翻印電路圖案(61)的部分;再者,使用強酸之蝕刻液將沒有被光阻(6)保護的抗反射層(3)與光吸收層(2)溶解,反之,有光阻(6)保護之翻印電路圖案(61)下方的抗反射層(3)與光吸收層(2)即會被留下來,以複製同樣之電路圖案(61),最後,使用有機化學溶液之去光阻劑將抗反射層(3)上具有翻印電路圖案(61)之光阻(6)去除,以完成該具環境資訊感測之光罩結構的製造;該光罩結構進入半導體或液晶顯示器工廠之無塵室進行檢測時,外部機台可以無線或有線的傳輸方式經由內建於該光罩結構之傳輸器(51)連結嵌設於環境資訊感測區域(4)之感測器(41)讀取所儲存之環境資訊,以繪製成一隨時間變化之環境資訊變化圖表;在本發明的較佳實施例中,由於該光罩結構係具有溫度感測器(411)與濕度感測器(412),可使該光罩結構於製作與運送過程中,以及後續於半導體或液晶顯示器工廠進行電子元件之製造過程中,可有效經由該環境資訊變化圖表了解周遭環境資訊對該光罩結構的影響,可於光罩公司、半導體公司,或面板廠之光罩檢驗流程中,參考環境之相關資訊,使用相關之解決方案,避免深次奈米之光罩線寬因環境的差異而造成物理性之形變,進而確保以正確的光罩線寬製備正確而卓越的電子元件之性能。
由上述之實施說明可知,本發明之具環境資訊感測之光罩結構與現有技術相較之下,本發明具有以下優點:
1.本發明具環境資訊感測之光罩結構係藉由可感測周遭環境之相關感測器,依據所處之周遭環境的相關資訊,例如溫度、濕度或壓力等變化而以傳輸器傳輸至外部儀器顯示成一連續時間之環境資訊變化圖,使用者可依據周遭環境的相關資訊,處以不同的有效解決方案,以避免深次奈米光罩之線寬或結構因環境資訊之差異而造成物理性形變,進而確保以正確的光罩線寬製備正確而卓越的電子元件之性能。
2.本發明具環境資訊感測之光罩結構係藉由將極小厚度與體積之感測器、傳輸器,以及電池等元件整合至光罩的框架上,有效在不到1公分的玻璃基板厚度上,即時並全時地感測周遭環境之相關資訊,並可在光罩檢測時,正確無誤地將相關資訊傳輸至外部機台分析。
綜上所述,本發明之具環境資訊感測之光罩結構,的確能藉由上述所揭露之實施例,達到所預期之使用功效,且本發明亦未曾公開於申請前,誠已完全符合專利法之規定與要求。爰依法提出發明專利之申請,懇請惠予審查,並賜准專利,則實感德便。
惟,上述所揭之圖示及說明,僅為本發明之較佳實施例,非為限定本發明之保護範圍;大凡熟悉該項技藝之人士,其所依本發明之特徵範疇,所作之其它等效變化或修飾,皆應視為不脫離本發明之設計範疇。
(1)‧‧‧透明基板
(11)‧‧‧光罩主體區域
(12)‧‧‧光罩框架
(2)‧‧‧光吸收層
(3)‧‧‧抗反射層
(4)‧‧‧環境資訊感測區域
(41)‧‧‧感測器
(411)‧‧‧溫度感測器
(412)‧‧‧濕度感測器
(5)‧‧‧傳輸模組
(51)‧‧‧傳輸器
(52)‧‧‧電池

Claims (8)

  1. 一種具環境資訊感測之光罩結構,係至少包括有:
      一透明基板,係包含有一光罩主體區域,以及一光罩框架,其中該光罩主體區域係提供置放電路圖案以轉移至一晶圓上,該光罩框架係包覆該光罩主體區域,以提供該電路圖案轉移至晶圓後之晶片切割;
      一光吸收層,係以濺鍍方式沉積於該透明基板上;
      一抗反射層,係形成於該光吸收層上之氧化物薄膜,於該抗反射層形成後,以一電子束微影用光阻之微影技術於該抗反射層與該光吸收層上形成一轉印之電路圖案而獲得一光罩結構;
      複數個環境資訊感測區域,且每一環境資訊感測區域係嵌設有複數個感測器,以感測並記錄周遭環境之相關資訊;以及
      一傳輸模組,係包括一傳輸器,以及一電池,其中該傳輸模組係電性連接該等環境資訊感測區域,該等感測器所紀錄的周遭環境資訊係透過該傳輸器傳出,該電池係提供該傳輸模組與該等環境資訊感測區域所需之電量。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之具環境資訊感測之光罩結構,其中該透明基板係選自鹼石灰 之鈉鈣玻璃、耐熱玻璃、石英玻璃,以及麥拉膜所構成之群組。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之具環境資訊感測之光罩結構,其中該光吸收層係選自鹵化銀感光劑、金屬鉻、氧化鐵,以及金屬鋁所構成之群組。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之具環境資訊感測之光罩結構,其中該抗反射層係選自二氧化矽,以及氧化鉻之氧化物所構成之群組。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之具環境資訊感測之光罩結構,其中該感測器係選自溫度感測器、濕度感測器,以及壓力感測器所構成之群組其中之一或兩者以上之組合。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之具環境資訊感測之光罩結構,其中該傳輸器係為一無線傳輸裝置。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之具環境資訊感測之光罩結構,其中該傳輸器係為一有線傳輸裝置。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之具環境資訊感測之光罩結構,其中該電池係為一鈕扣型電池之氧化汞電池、錳電池、水銀電池,以及鋰電池其中之一。
TW102137583A 2013-10-17 2013-10-17 具環境資訊感測之光罩結構 TWI463251B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW102137583A TWI463251B (zh) 2013-10-17 2013-10-17 具環境資訊感測之光罩結構

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW102137583A TWI463251B (zh) 2013-10-17 2013-10-17 具環境資訊感測之光罩結構

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TWI463251B true TWI463251B (zh) 2014-12-01
TW201516557A TW201516557A (zh) 2015-05-01

Family

ID=52575734

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW102137583A TWI463251B (zh) 2013-10-17 2013-10-17 具環境資訊感測之光罩結構

Country Status (1)

Country Link
TW (1) TWI463251B (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9658526B2 (en) 2015-06-30 2017-05-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Mask pellicle indicator for haze prevention
KR20180124100A (ko) * 2016-03-18 2018-11-20 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법
US10012899B2 (en) 2016-09-01 2018-07-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Graphene pellicle for extreme ultraviolet lithography
US10162258B2 (en) 2016-12-15 2018-12-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Pellicle fabrication methods and structures thereof

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW503468B (en) * 2000-07-07 2002-09-21 Nikon Corp Exposure device, surface position adjustment device, mask and device manufacturing method
EP1808509A1 (en) * 2004-11-04 2007-07-18 Asahi Glass Company, Limited Ion beam sputtering equipment and method for forming multilayer film for reflective mask blank for euv lithography
US20110116068A1 (en) * 2008-08-21 2011-05-19 Euv Reticle Substrates With High Thermal Conductiv EUV Reticle Substrates With High Thermal Conductivity

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW503468B (en) * 2000-07-07 2002-09-21 Nikon Corp Exposure device, surface position adjustment device, mask and device manufacturing method
EP1808509A1 (en) * 2004-11-04 2007-07-18 Asahi Glass Company, Limited Ion beam sputtering equipment and method for forming multilayer film for reflective mask blank for euv lithography
US20110116068A1 (en) * 2008-08-21 2011-05-19 Euv Reticle Substrates With High Thermal Conductiv EUV Reticle Substrates With High Thermal Conductivity

Also Published As

Publication number Publication date
TW201516557A (zh) 2015-05-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI463251B (zh) 具環境資訊感測之光罩結構
JP3749083B2 (ja) 電子装置の製造方法
TWI598679B (zh) 半導體裝置之製造方法
JP6495496B2 (ja) マスクブランク、転写用マスク及び半導体デバイスの製造方法
JP2005513520A (ja) マルチトーンフォトマスクおよびその同一物の製造方法
JP7029423B2 (ja) マスクブランク、転写用マスクおよび半導体デバイスの製造方法
CN102236247A (zh) 光掩膜的制作方法
TW200305924A (en) Manufacturing method of mask and manufacturing method of semiconductor integrated circuit device
WO2019009211A1 (ja) 反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスク
TW317001B (zh)
JP2008310091A (ja) ハーフトーン型位相シフトマスク
Verduijn et al. Printability and actinic AIMS review of programmed mask blank defects
TW561311B (en) Manufacturing method of photomask
JP3250415B2 (ja) ハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法
TW201728990A (zh) 附抗蝕層之遮罩基底、附抗蝕層之遮罩基底之製造方法及轉印用遮罩之製造方法
CN101458444A (zh) 制作光掩模版及图形化的方法
JPH08194303A (ja) 位相シフトマスクおよびその製造方法
CN103018800A (zh) 表面等离子体增强对称结构及其制备方法
JP6469983B2 (ja) レジスト膜付きマスクブランクおよびその製造方法ならびに転写用マスクの製造方法
JPH06140300A (ja) 露光方法
TWI303456B (zh)
JP5218111B2 (ja) 反射型フォトマスクブランクス、反射型フォトマスク、反射型フォトマスクの検査装置及びその検査方法
KR102246874B1 (ko) 포토마스크, 포토마스크의 에러 보정 방법, 포토마스크를 이용하여 제조된 집적회로 소자 및 그 제조 방법
CN102369588B (zh) 反射型光掩模及反射型光掩模基板
TW318214B (en) The manufacturing method for multi-layers attenuated phase shift mask

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees