DE102021206512A1

DE102021206512A1 - Verfahren zum Ausbilden einer Noppenstruktur, Haltevorrichtung zur elektrostatischen Halterung eines Bauteils, sowie EUV-Lithographiesystem

Info

Publication number: DE102021206512A1
Application number: DE102021206512.0A
Authority: DE
Inventors: Michael Rudolph Volkmann; Vitaliy Shklover
Original assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Current assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Priority date: 2021-06-24
Filing date: 2021-06-24
Publication date: 2022-12-29
Also published as: WO2022268565A1

Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Ausbilden einer Noppenstruktur (31) an einer Oberfläche (30) eines Grundkörpers (27) einer Haltevorrichtung zur elektrostatischen Halterung eines Bauteils (26), umfassend: Ausbilden der Noppenstruktur (31) durch Abtragen von Material von der Oberfläche (30). Das Abtragen von Material von der Oberfläche (30) erfolgt durch einen Trockenätzprozess. Die Erfindung betrifft auch eine Haltevorrichtung zur elektrostatischen Halterung eines Bauteils (26), umfassend: einen Grundkörper (27) mit einer Oberfläche (30), der eine Noppenstruktur (31) aufweist, die gemäß dem Verfahren weiter oben beschriebenen Verfahren ausgebildet ist, sowie ein EUV-Lithographiesystem, das mindestens eine solche Haltevorrichtung umfasst.

Description

Hintergrund der Erfindung
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Ausbilden einer Noppenstruktur an einer Oberfläche eines Grundkörpers einer Haltevorrichtung zur elektrostatischen Halterung eines Bauteils, umfassend: Ausbilden der Noppenstruktur durch Abtragen von Material von der Oberfläche. Die Erfindung betrifft auch eine Haltevorrichtung zur elektrostatischen Halterung eines Bauteils, die einen Grundkörper mit einer Oberfläche umfasst, die eine Noppenstruktur aufweist, die gemäß dem oben beschriebenen Verfahren ausgebildet ist, sowie ein EUV-Lithographiesystem, das mindestens eine solche Haltevorrichtung umfasst.
Haltevorrichtungen zur elektrostatischen Halterung von Bauteilen werden auch als elektrostatische Haltevorrichtungen oder Klemmvorrichtungen, elektrostatische Clamps oder elektrostatische Chucks bezeichnet. Derartige Haltevorrichtungen können zur Halterung von unterschiedlichen Bauteilen/Werkstücken bzw. Objekten verwendet werden. Eine wichtige Anwendung derartiger Haltevorrichtungen stellt die Halterung von Bauteilen im Vakuum dar. Für derartige Anwendungen ist eine hohe Positioniergenauigkeit und insbesondere eine hohe Ebenheit des an der Haltevorrichtung gehalterten Bauteils erforderlich.
Für eine partikelfreie Halterung werden an der Oberfläche, die dem elektrostatisch zu halternden Bauteil zugewandt ist, häufig Strukturen in Form von Noppen gebildet. Das zu halternde Bauteil wird in diesem Fall lediglich an den Stirnseiten der Noppen abgestützt, wodurch sich die Kontaktfläche zwischen dem zu halternden Bauteil und der Haltevorrichtung verringert. Aufgrund der Noppen besteht eine große Wahrscheinlichkeit, dass ein beliebiger Partikel, der sich zwischen der Oberfläche des zu halternden Bauteils und der Oberfläche der Haltevorrichtung befindet, in die Zwischenräume zwischen den Noppen fällt und daher nicht zu einer Deformation des gehaltenen Bauteils führt. Die Zwischenräume können auch zum Durchleiten eines Spülgases verwendet werden.
In dem Artikel „Electrostatic chuck for EUV masks“ von G. Kalkowski et al., Microelectronic Engineering 83 (2006) 714-717, ist ein elektrostatischer Chuck für EUV-Masken beschrieben, der ein hexagonales Muster von Noppen (Pins) mit einer Höhe im Mikrometer-Bereich aufweist, um einen direkten mechanischen Kontakt zwischen der Maske und dem Chuck auf wenige Prozent zu begrenzen. Dort ist beschrieben, dass nach der Strukturierung einer planen Oberfläche zur Bildung der Noppen eine Reduzierung der Ebenheit des Chucks beobachtet wurde.
In der US 7,198,276 B2 ist ein elektrostatischer Chuck beschrieben, der Höhenverstellungsmechanismen aufweist, die mit Noppen (Pins) verbunden sind, an denen ein Objekt gehalten wird. Ein Messinstrument, z.B. ein Interferometer, dient dazu, die Flachheit des Objekts, das von den Pins gehalten wird, zu messen und ein Computer dient dazu, die Flachheit des Objekts in Abhängigkeit von Feedback des Messinstruments anzupassen, um dessen Form an einen vorgegebenen Standard anzugleichen.
In der US 2004/0131775 A1 sind ein Verfahren und eine Vorrichtung beschrieben, bei denen eine dünne Schicht aus einem konformen (weichen) Material auf die Oberfläche einer Haltevorrichtung aufgebracht wird, die ggf. Pins bzw. Noppen aufweisen kann. In das Material der dünnen Schicht werden unerwünschte (härtere) Partikel eingebettet, sobald mit der Vorrichtung ein Haltedruck erzeugt wird.
In der EP2555234B1 ist ein Verfahren zum Herstellen einer elektrostatischen Klemme beschrieben, umfassend: Anordnen einer Elektrode, die einen ersten und einen zweiten Abschnitt beinhaltet, zwischen einer ersten und einer zweiten dielektrischen oder semidielektrischen Schicht, wobei das Anordnen der Elektrode das Anordnen einer ersten Elektrodenmaterialschicht und einer zweiten Elektrodenmaterialschicht beinhaltet. Das Anordnen der Elektrode kann das Bereitstellen eines Maskiermaterials mit einer Öffnung auf oder über der Elektrode und das Entfernen von Elektrodenmaterial mit Hilfe der Öffnung zum Bilden des ersten und des zweiten Abschnitts beinhalten. Das Entfernen von Elektrodenmaterial kann mit Hilfe eines chemischen Ätzprozesses erfolgen.
In der US 8,476,167 B2 ist ein Verfahren zum Herstellen eines elektrostatischen Clamps beschrieben, das folgende Schritte umfasst: Bereitstellen einer ersten Materialschicht, Ätzen einer Aussparung in die erste Materialschicht und Anordnen einer Elektrode in der Aussparung der ersten Materialschicht. Das Ätzen der Aussparung erfolgt auf herkömmliche Weise unter Verwendung einer Maske.
Die EP2810127B1 beschreibt einen Optikalter zur Verwendung in einem lithographischen Gerät, umfassend: Einen Hauptkörper, der eine Oberfläche aufweist, sowie eine Vielzahl von Noppen, die auf der Oberfläche bereitgestellt sind und Endflächen zum Stützen eines Objekts aufweisen. Es wird vorgeschlagen, die Noppen an der Oberfläche durch Lasersintern zu erzeugen.
In der US10310391 B2 wird ein Verfahren zum Herstellen einer Vorrichtung beschrieben, welches das Bilden eine Mehrzahl von Fluidkanälen zwischen einer ersten Schicht und einer zweiten Schicht sowie das Bonden einer dritten Schicht und der zweiten Schicht bei einer Temperatur von mehr als ca. 350°C umfasst. Bei dem Verfahren kann an einer Oberseite der dritten Schicht eine Mehrzahl von Noppen gebildet werden, die ausgebildet sind, um ein Objekt zum Klemmen aufzunehmen. Die Noppen können durch Abscheidung, Strukturierung oder Ätzen einer Polymerschicht gebildet werden.
In dem Konferenzbeitrag „Error analysis of overlay compensation methodologies and proposed functional tolerances for EUV photomask flatness“, K. Ballman et al., Photomask Japan 2016, ist angegeben, dass EUV-Photomasken eine Flachheit in der Größenordnung von weniger als 10 nm P-V aufweisen sollen, um die Spezifikation der 2013 ITRS (International Technology Roadmap for Semiconductors) zu erfüllen.
Aufgabe der Erfindung
Aufgabe der Erfindung ist es, ein Verfahren bereitzustellen, das die hochpräzise Ausbildung einer Noppenstruktur an einer Oberfläche einer Haltevorrichtung ermöglicht, sowie eine Haltevorrichtung und ein EUV-Lithographiesystem bereitzustellen, die eine solche Noppenstruktur aufweisen.
Gegenstand der Erfindung
Diese Aufgabe wird gemäß einem ersten Aspekt gelöst durch ein Verfahren der eingangs genannten Art, bei dem das Abtragen von Material von der Oberfläche durch einen Trockenätzprozess erfolgt.
Entscheidenden Einfluss auf die Performance einer elektrostatischen Haltevorrichtung hat die finale Ebenheit des zu halternden Bauteils, genauer gesagt der Oberfläche des zu halternden Bauteils, welches der Noppenstruktur abgewandt ist, da z.B. im Falle der Halterung eines optischen Elements dort die Nutzstrahlung auftrifft. Die Ebenheit des zu halternden Bauteils wird sowohl durch die Geometrie des in der Regel dielektrischen Material des Grundkörpers, an dem die Noppenstruktur gebildet wird, als auch durch die geometrische Form der Noppen beeinflusst, die sich direkt unter dem zu halternden Bauteil befinden.
Bei herkömmlichen Verfahren zur Ausbildung der Noppenstrukturen erfolgt der Materialabtrag an der Oberfläche durch nasschemisches Ätzen, z.B. unter Verwendung von Flusssäure auf einem in der Regel dielektrischen Material, z.B. auf Glas. Bei einem Materialabtrag durch einen nasschemischen Ätzprozess besteht das Problem, dass die Geometrie der einzelnen Noppen nicht stabil ist und es ggf. zum so genannten Unterätzen kommen kann. Die Geometrie der beim nasschemischen Ätzen hergestellten Noppen, z.B. deren Breite bzw. Durchmesser, variiert daher von Noppe zu Noppe. Bei der elektrostatischen Halterung des Bauteils wirken die Noppen wie einzelne Federelemente, so dass eine unterschiedliche Geometrie der Noppen zu unterschiedlichen Federkonstanten führt. Ziel der elektrostatischen Halterung ist es jedoch typischerweise, dass die elektrostatische Haltekraft, die auf das elektrostatisch gehaltene Bauteil aufgebracht wird, über die Oberfläche, die mit der Noppenstruktur in Anlage gebracht wird, möglichst an jedem Ort gleich groß ist. Unterschiedliche Federkonstanten beeinflussen die Ebenheit des von der Haltevorrichtung gehaltenen Objekts daher auf ungünstige Weise.
Zudem hat das dielektrische Material, an dem der Ätzprozess üblicherweise durchgeführt wird, nach der Strukturierung eine schwankende Dicke, so dass unterschiedlich hohe Noppen gebildet werden und die Ebenheit nicht in Spezifikation gebracht werden kann. Die Unebenheit der Noppen überträgt sich auf das zu halternde Bauteil und kann für den Fall, dass es sich bei dem zu halternden Bauteil um ein optisches Element für ein EUV-Lithographiesystem handelt, die Auflösung und den Overlay limitieren.
Ein weiteres Problem beim Materialabtrag durch nasschemisches Ätzen besteht darin, dass auch die Oberfläche in den Zwischenräumen zwischen den Noppen der Noppenstruktur nicht vollständig plan ist, sondern eine ortsabhängig veränderliche Oberflächenform aufweist. Dies ist bei der elektrostatischen Halterung eines Bauteils ebenfalls ungünstig, da die Haltekraft auf das gehaltene Bauteil u.a. auch davon abhängig ist, wie groß der Abstand zwischen der Oberfläche eines jeweiligen Zwischenraums und dem gehaltenen Bauteil ist. Auch Unebenheiten an der Oberfläche des Grundkörpers an Zwischenräumen zwischen den Noppen können daher zu einer Verringerung der Ebenheit des gehaltenen Bauteils führen.
Durch den (in der Regel gerichteten) Trockenätzprozess kann gegenüber einem klassischen Ätzverfahren, das weniger präzise und ungerichtet ist, eine höhere Präzision erreicht werden. Für die Herstellung der Noppenstruktur wird ein Materialabtrag bis in eine Tiefe von mehreren Mikrometern, z.B. in der Größenordnung von ca. 5 µm oder 10 µm, benötigt, um Noppen mit einer ausreichenden Höhe zu erzeugen.
Bei einer Variante wird bei dem Trockenätzprozess mindestens ein Strahlbearbeitungsverfahren unter Verwendung eines Bearbeitungsstrahls durchgeführt, das ausgewählt ist aus der Gruppe umfassend: Ionenstrahlbearbeitung, bevorzugt reaktive Ionenstrahlbearbeitung, insbesondere reaktives lonentiefätzen, Plasmastrahlbearbeitung, insbesondere reaktives Plasmaätzen, elektronenstrahlinduzierte Bearbeitung und Laserbearbeitung.
Um einen gerichteten Materialabtrag zu erzeugen, ist es günstig, wenn es sich bei dem Trockenätzprozess um ein Strahlbearbeitungsverfahren handelt, d.h. typischerweise um einen physikalischen oder um einen physikalischchemischem Trockenätzprozess. Grundsätzlich ist aber auch die Durchführung von anderen nicht auf nasschemischen Reaktionen beruhenden chemischen Trockenätzprozessen möglich, beispielsweise die Durchführung eines Atomlagenätzprozesses („Atomic layer etching“, ALE), bei dem die Ätzwirkung in der Regel isotrop ist sofern dieses nicht plasmaunterstützt durchgeführt wird.
Bei einem Trockenätzprozess in Form eines Strahlbearbeitungsverfahrens erfolgt der Materialabtrag unter Verwendung eines Bearbeitungsstrahls, der beschleunigte Teilchen aufweist, oder in Form eines elektromagnetischen (Laser-)Strahls, ggf. unterstützt durch plasmaaktivierte Gase. Bei der Ionenstrahlbearbeitung („Ion beam figuring“, IBF, oder Ionenstrahlätzen) wird ein Ionenstrahl auf die zu bearbeitende Oberfläche ausgerichtet, um durch einen Impulsübertrag einen lokalen Materialabtrag zu erzeugen. Bei der reaktiven Ionenstrahlbearbeitung („Reactive Ion Etching“, RIE) werden für den Materialabtrag reaktive Ionen verwendet. Beim reaktiven lonentiefätzen („Deep Reactive Ion Etching“, DRIE) werden alternierende Ätz- und Passivierungszyklen eingesetzt, um die Anisotropie zu erhöhen und hohe Aspektverhältnisse zu erzeugen. Bei der Plasmastrahlbearbeitung wird ein Plasmastrahl erzeugt und auf die Oberfläche des abzutragenden Materials ausgerichtet. Das Plasma des Plasmastrahls weist in der Regel Ätzgas auf, bei dem es sich beispielsweise um Fluor oder um Chlor handeln kann.
Bei einer weiteren Ausführungsform liegt ein Durchmesser des auf die Oberfläche des Grundkörpers gerichteten Bearbeitungsstrahls zwischen 100 µm und 10 mm. Grundsätzlich sollte die Größe der Werkzeugfunktion (entsprechend dem Durchmesser des Bearbeitungsstrahls) bei der Strahlbearbeitung größer, in der Regel deutlich größer als die abzutragende Strukturbreite gewählt werden, um eine möglichst präzise Strukturierung der Oberfläche zu ermöglichen. Die Größe der Werkzeugfunktion sollte aber nicht zur Bildung von Oberflächenfehlern hoher räumlicher Frequenz führen und daher nicht zu groß gewählt werden. Liegt der Durchmesser des Bearbeitungsstrahls in dem oben angegebenen Wertebereich, stellt dies in der Regel einen guten Kompromiss zwischen der Präzision der Strukturierung und der Bildung von Oberflächenfehlern dar.
Bei dem materialabtragenden Strahlbearbeitungsverfahren kann der Bereich der Oberfläche, der nicht abgetragen werden soll, mit einer strukturierten Schutzschicht (Ätzmaske) bedeckt werden. Die strukturierte Schutzschicht kann beispielsweise mit Hilfe eines lithographischen Verfahrens auf die Oberfläche aufgebracht und nach dem Abtragen des Materials wieder von der (strukturierten) Oberfläche entfernt werden. In diesem Fall sollte die Größe der Werkzeugfunktion zumindest so groß, in der Regel deutlich größer gewählt werden als die Breite der Zwischenräume, die bei der Strukturierung zwischen den Noppen gebildet werden, da die Intensität des Bearbeitungsstrahls in der Regel nur im Zentrum des Strahldurmessers näherungsweise konstant ist und zum Rand des Strahldurchmessers abnimmt: Das Strahlprofil des Bearbeitungsstrahls ist typischerweise nicht geeignet geformt (z.B. als Top-Hat-Profil) geformt, um einen uniformen Materialabtrag zu ermöglichen.
Alternativ kann der Bereich, in dem der Abtrag von Material an der Oberfläche erfolgt, seitlich begrenzt werden, z.B. indem der Bearbeitungsstrahl durch eine elongierte Blende oder dergleichen geführt wird. In diesem Fall erzeugt der Bearbeitungsstrahl den lokalen Materialabtrag mit Hilfe einer Verweilzeitsteuerung, ohne dass eine strukturierte Schicht bzw. Maske auf die Oberfläche aufgebracht werden muss. Der Materialabtrag erfolgt nur außerhalb des Bereichs der Oberfläche, der nicht abgetragen werden soll, d.h. zwischen den Noppen der Noppenstruktur.
Bei einer weiteren Variante ist in das Material des Grundkörpers ein Ätzstopp eingebracht, der von der zu strukturierenden Oberfläche in einem Abstand von mindestens 5 µm, bevorzugt von mindestens 10 µm angeordnet ist. Insbesondere für den Fall, dass die Strukturierung nicht unter Verwendung einer strukturierten Ätz- bzw. Lithographie-Maske erfolgt, ist es günstig, wenn in das abzutragende Material ein Ätzstopp eingebracht ist. Bei dem Ätzstopp handelt es sich typischerweise um eine Schicht aus einem Material, das bei dem Trockenätzprozess weniger stark abgetragen wird als das (typischerweise dielektrisch ) Material, an dessen Oberfläche die Noppenstruktur gebildet wird. Der Abstand zwischen der Oberfläche und dem Ätzstopp legt die Höhe der Noppen der Noppenstruktur über der Grundfläche fest, die typischerweise der Oberfläche des Ätzstopps entspricht. Um eine hohe Selektivität zu erzeugen, sollte das Verhältnis zwischen der Ätzrate des zu strukturierenden Materials und der Ätzrate des Material des Ätzstopps mindestens bei 10 : 1 liegen. Auf diese Weise kann am Übergang zwischen der Flanke einer jeweiligen Noppe und dem Grund einer Vertiefung, die sich an die Noppe anschließt, eine scharfkantiger Übergang (eine Ecke) gebildet werden.
Bei einer weiteren Variante umfasst das Verfahren: Vermessen der Oberfläche des Grundkörpers vor dem Ausbilden der Noppenstruktur, insbesondere im Hinblick auf Ebenheit, sowie Bearbeiten der Oberfläche des Grundkörpers durch ein Glättungsverfahren, insbesondere durch ein Strahlbearbeitungsverfahren, in Abhängigkeit vom Ergebnis der Vermessung. Es ist günstig, wenn die Oberfläche, an der die Strukturierung durchgeführt wird, um die Noppenstruktur zu erzeugen, möglichst exakt einer vorgegebenen Form entspricht. Die Oberfläche, an der die Noppenstruktur gebildet wird, ist in der Regel plan und wird im Hinblick auf ihre Ebenheit vermessen. Es ist aber nicht zwingend erforderlich, dass die Oberfläche, an der die Noppenstruktur gebildet wird, und auch die Oberfläche des Bauteils, das von der Haltevorrichtung gehalten wird, plan sind, es kann sich vielmehr grundsätzlich um beliebig gekrümmte Oberflächen handeln.
Nach der präzisen Vermessung erfolgt eine Feinkorrektur, um die gewünschte Oberflächenform, insbesondere eine möglichst hohe Ebenheit, der Oberfläche zu erzeugen. Zu diesem Zweck wird ein Glättungsverfahren eingesetzt, bei dem es sich beispielsweise um computergesteuertes Polieren handeln kann, aber auch um eines der weiter oben beschriebenen Strahlbearbeitungsverfahren, z.B. um eine Ionenstrahlbearbeitung. Die Feinkorrektur erfolgt in Abhängigkeit von den ortsaufgelöst erfassten Messdaten, die beim Vermessen der Oberfläche erhalten wurden und die mit einem Soll-Zustand der zu bearbeitenden Oberfläche verglichen werden. Bei dem Soll-Zustand handelt es sich in der Regel um eine vollständig plane Oberflächenform.
Bei einer weiteren Variante umfasst das Verfahren: Vermessen einer Oberfläche eines an der Noppenstruktur der Haltevorrichtung elektrostatisch gehaltenen Bauteils, insbesondere im Hinblick auf Ebenheit, sowie Bearbeiten der Noppenstruktur durch ein Glättungsverfahren, insbesondere durch ein Strahlbearbeitungsverfahren, in Abhängigkeit vom Ergebnis der Vermessung.
Bei dieser Variante erfolgt das Vermessen an einer der Noppenstruktur abgewandten Oberfläche eines elektrostatisch gehaltenen Bauteils. Wie weiter oben beschrieben wurde, ist typischerweise die Oberflächenform der Oberfläche an derjenigen Seite des Bauteils, die der Noppenstruktur abgewandt ist, für die Performance wesentlich: Beispielsweise trifft dort die Nutzstrahlung auf, wenn es sich bei dem elektrostatisch gehaltenen Bauteil um ein optisches Element handelt.
Es ist daher günstig, die Feinkorrektur der Noppenstruktur in Abhängigkeit vom Ergebnis der Vermessung der Oberfläche eines Bauteils vorzunehmen, das auch im späteren Betrieb von der Haltevorrichtung gehalten wird. Die Vermessung erfolgt bevorzugt möglichst bei denselben Betriebsbedingungen, bei denen die Haltevorrichtung beim späteren Einsatz in einem optischen System betrieben wird. Bevorzugt erfolgt die Vermessung im Vakuum. Bei dem Bauteil, das bei der Vermessung von der Haltevorrichtung gehalten wird, handelt es sich typischerweise um ein genormtes Bauteil vom demselben Typ, der von der Haltevorrichtung beim Einsatz im Feld gehalten werden soll, oder ggf. um das beim Einsatz im Feld zu haltende Bauteil selbst.
Um die Feinkorrektur der Noppenstruktur vornehmen zu können, ist es günstig, aber nicht zwingend erforderlich, die Dicke des Bauteils zu kennen. Das Bauteil kann insbesondere eine konstante Dicke aufweisen. Bei der vermessenen Oberfläche des Bauteils kann es sich insbesondere um eine (nominell) plane Oberfläche handeln. Für die Glättung der Noppenstruktur bietet sich ein Strahlbearbeitungsverfahren an, z.B. Ionenstrahlbearbeiten, oder ein anderes der weiter oben beschriebenen Strahlbearbeitungsverfahren.
Der Abtrag des Materials von der Oberfläche bzw. das Bearbeiten der Noppenstruktur bei der Glättung kann insbesondere durch einen ortsaufgelösten und verweilzeitgesteuerten Trockenätzprozess in kaskadierender Form wiederholt werden, so dass bei der Ausbildung der Noppenstruktur eine Formgenauigkeit in Größenordnung der Messgenauigkeit bei der Vermessung der Oberfläche konvergierend erreicht werden kann.
Bei einer vorteilhaften Weiterbildung umfasst das Bearbeiten der Noppenstruktur ein Bearbeiten von Zwischenräumen zwischen den Noppen der Noppenstruktur. Wie weiter oben beschrieben wurde, hängt die elektrostatische Kraft, die auf das elektrostatisch gehaltene Bauteil aufgebracht wird, von der Dicke des dielektrischen Materials und von der Höhe der Zwischenräume ab, die sich zwischen einer jeweiligen Elektrode und dem zu haltenden Bauteil befinden, da beide eine unterschiedliche Dielektrizitätskonstante aufweisen. Es ist daher günstig, wenn auch die Oberfläche, genauer gesagt die Grundfläche, der Zwischenräume zwischen den Noppen einer vorgegebenen Soll-Oberflächenform folgt, bei der es sich typischerweise um eine plane Oberflächenform handelt. Bei der hier beschriebenen Bearbeitung erfolgt daher in der Regel auch eine Feinstkorrektur der Dicke des dielektrischen Materials des Grundkörpers in den Zwischenräumen zwischen den Noppen.
Bei einer weiteren Variante werden die Schritte des Vermessens und des Bearbeitens mehrmals durchgeführt, wobei bevorzugt bei mindestens zwei Schritten des Bearbeitens mindestens zwei unterschiedliche Glättungsverfahren durchgeführt werden. In der Regel ist es günstig, wenn nach einem Bearbeitungsschritt ein weiterer Vermessungsschritt durchgeführt wird, um zu prüfen, ob der Bearbeitungsschritt den gewünschten Erfolg hatte. Stellt sich hierbei heraus, dass dies nicht der Fall ist, kann sich ein weiterer Bearbeitungsschritt anschließen, d.h. die Vermessungs- und Bearbeitungsschritte können mehrmals (kaskadiert) durchgeführt werden.
Es kann günstig sein, wenn bei den Bearbeitungsschritten unterschiedliche Glättungsverfahren bzw. Strahlbearbeitungsverfahren zum Einsatz kommen. Beispielsweise können zwei oder mehr Strahlbearbeitungsverfahren eingesetzt werden, die eine unterschiedlichen Einfluss auf die Ortsfrequenz der bei der Bearbeitung hervorgerufenen Fehler (große, kleine mittlere Ortswellenlängen) haben. Bei der Glättung der Oberfläche vor der Herstellung der Noppenstruktur kann eine vergleichsweise grobe Werkzeugfunktion verwendet werden und die Anzahl der Wiederholungen von Vermessungs- und Bearbeitungsschritten ist vergleichsweise gering. Bei der glättenden Bearbeitung der Noppenstruktur kann die Anzahl der Wiederholungen größer sein, beispielsweise können die Vermessungs- und Bearbeitungsschritte 5-10 Mal wiederholt werden, bis ein vorgegebenes Abbruchkriterium erreicht ist.
Bei einer weiteren Variante wird das Vermessen als interferometrische Vermessung durchgeführt. Für die interferometrische Vermessung ist es günstig bzw. erforderlich, dass die zu vermessende für die Messstrahlung reflektierend ist. Es ist möglich, dass die Oberfläche des Materials, an welcher die Noppenstruktur gebildet werden soll, nicht ohne weiteres interferometrisch vermessen werden kann, weil dieses keine ausreichende Reflektivität für die Messstrahlung aufweist. In diesem Fall kann die interferometrische Messung erfolgen, indem ein Bauteil an der Haltevorrichtung elektrostatisch gehalten wird, wie dies weiter oben in Zusammenhang mit der Bearbeitung der Noppenstruktur beschrieben ist. Handelt es sich bei diesem Bauteil um eine Maske (Retikel) oder um einen Spiegel, so weisen diese in der Regel eine ausreichende Reflektivität für die Messstrahlung auf. Für den Fall, dass eine Maske an der Haltevorrichtung gehalten werden soll, ist es günstig, die Vermessung an einem nicht strukturierten Masken-Rohling vorzunehmen, da dieser bezüglich der Ebenheit und Mechanik üblicherweise die gleichen Eigenschaften aufweist wie eine fertig strukturierte Maske. Für den Fall, dass das Material des Grundkörpers im Bereich der Oberfläche die Messstrahlung nicht reflektiert, kann ggf. eine reflektierende Beschichtung auf die Oberfläche aufgebracht werden, die nach der Vermessung wieder entfernt wird.
Die für die interferometrische Vermessung verwendete Messstrahlung kann beispielsweise Wellenlängen im UV-Wellenlängenbereich aufweisen, z.B. bei mehr als ca. 100 nm. Es ist aber auch möglich, für die interferometrische Vermessung EUV-Strahlung, d.h. Strahlung bei Wellenlängen zwischen ca. 0,1 nm und ca. 30 nm, zu verwenden. In jedem Fall ist es günstig, wenn die interferometrische Vermessung im Vakuum durchgeführt wird, um die Genauigkeit zu erhöhen.
Ein weiterer Aspekt der Erfindung betrifft eine Haltevorrichtung zur elektrostatischen Halterung eines Bauteils, umfassend: einen Grundkörper mit einer Oberfläche, der eine Noppenstruktur aufweist, die gemäß dem weiter oben beschriebenen Verfahren ausgebildet wurde bzw. ausgebildet ist. Die Noppenstruktur, die mit Hilfe des Trockenätzverfahrens ausgebildet wurde, unterscheidet sich durch die regelmäßige Geometrie der Noppen sowie durch die steilen Flanken der Noppen von einer Noppenstruktur, die mit Hilfe eines herkömmlichen nasschemischen Ätzprozesses hergestellt wurde.
Bei einer Ausführungsform ist die Haltevorrichtung ausgebildet, ein Bauteil zu halten, welches ausgewählt ist aus der Gruppe umfassend: optische Elemente, insbesondere diffraktive optische Elemente, z.B. Spiegel in einem Beleuchtungssystem oder in einem Projektionssystem eines EUV-Lithographiesystems oder in einem Interferometer, optische Gitter, Mikrolinsen- oder Mikrospiegel-Arrays, z.B. für DLPs („digital light processors“), Masken, Wafer, mikrostrukturierte Objekte, insbesondere computergenerierte Hologramme, Substrate zur Herstellung von integrierten photonischen Schaltungen, mikroelektromechanische Systeme, Sensoren, Aktuatoren (z.B. piezoelektrisch, ferroelektrisch, etc.), Proben für die Mikroskopie, etc.
Die Haltevorrichtung kann grundsätzlich zur elektrostatischen Halterung einer Vielzahl von Bauteilen bzw. Werkstücken dienen, die in der Regel im Vakuum gehalten werden sollen. Die Haltevorrichtung ist insbesondere nicht auf die elektrostatische Halterung von planen Bauteilen wie Spiegeln, Masken, Wafern, etc. beschränkt.
Bei einer weiteren Ausführungsform ist der Grundkörper zumindest im Bereich der Oberfläche aus einem dielektrischen Material gebildet, bevorzugt aus einem Glas, einer Keramik oder einer Glaskeramik. Die Verwendung eines dielektrischen Materials im Bereich der Oberfläche ist typischerweise erforderlich, um das elektrostatische Halten des Bauteils zu ermöglichen. Bei dem dielektrischen Material kann es sich beispielsweise um ein Glas, eine Keramik oder eine Glaskeramik handeln. Insbesondere kann es sich um ein Material handeln, das einen niedrigen thermischen Ausdehnungskoeffizienten aufweist, d.h. um ein so genanntes „Low thermal expansion material“, um eine thermische Drift beim elektrostatischen Halten des Bauteils zu vermeiden. Beispielsweise kann es sich bei dem dielektrischen Material um titandotiertes Quarzglas (ULEO) handeln, um Borosilikatglas, z.B. Borofloat® 33 der Fa. Schott, um alkalifreies Flachglas, z.B. um AF 32® der Fa. Schott, oder um eine Glaskeramik wie ZERODURO. Bei der Keramik kann es sich z.B. um Aluminiumnitrid, Aluminiumoxid, Siliziumnitrid, Siliziumcarbid oder Magnesium-Aluminium-Silikat (Cordierit) handeln.
Bei einer Weiterbildung ist in das dielektrische Material mindestens eine Elektrode eingebettet. Für die elektrostatische Halterung wird eine elektrische (Hoch-)Spannung an die mindestens eine Elektrode der Haltevorrichtung angelegt. Die elektrostatische Anziehungskraft drückt in diesem Fall das Bauteil gegen die Haltevorrichtung, genauer gesagt gegen die Stirnseiten der Noppen der Noppenstruktur, um dieses festzuhalten. Die Haltevorrichtung kann auch zwei oder ggf. mehr als zwei Elektroden mit entgegengesetzter Polarität aufweisen, die nebeneinander angeordnet sind, um das Bauteil zu halten. Der Grundkörper der Haltevorrichtung weist typischerweise mehrere Schichten bzw. Teilkörper aus unterschiedlichen Materialien auf, die beispielsweise durch Bonden miteinander verbunden sein können. Beispielsweise kann sich an das dielektrische Material, in das die Elektrode(n) eingebettet sind, eine Schicht bzw. ein Teilkörper aus einem isolierenden Material oder aus einem Halbleiter anschließen. An diese Schicht bzw. an diesen Teilkörper kann sich eine weitere Schicht bzw. ein weiterer Teilkörper aus einer Keramik, beispielsweise aus einer Siliziumcarbid-Keramik oder aus einer Si-Nitrid-Keramik anschließen. Es versteht sich aber, das der Grundkörper der elektrostatischen Haltevorrichtung auch andere als die oben genannten Materialien aufweisen kann.
Die Haltevorrichtung kann an ihrer Unterseite fest mit einem Träger, beispielsweise in Form einer Träger- bzw. Grundplatte, verbunden sein. Die Haltevorrichtung kann aber auch an einer der Oberfläche, die zur Halterung des Bauteils dient, abgewandten Oberfläche (der Unterseite der Haltevorrichtung) eine oder mehrere Elektroden aufweisen, um eine elektrostatische Kraft auf einen z.B. metallisch beschichteten Träger zu erzeugen. Auf diese Weise kann die Haltevorrichtung planparallel auf dem Träger aufliegen und die parallel zur Unterseite ausgerichtete Oberseite der Haltevorrichtung ermöglicht es, das zu haltende, in diesem Fall ebenfalls planparallele Bauteil parallel zur Oberfläche des Trägers auszurichten. Auch die Oberfläche, die dem Träger zugewandt ist, kann eine Noppenstruktur aufweisen, um die Wahrscheinlichkeit zu verringern, dass zwischen der dem Träger zugewandten Oberfläche des Grundkörpers und dem Träger Partikel gefangen werden, die zu Unebenheiten führen, die sich von unten nach oben durch den Grundkörper zu dem zu haltenden Bauteil durchdrücken. Auch die Noppenstruktur an der Oberfläche, die an der Unterseite des Grundkörpers gebildet ist, kann auf die oben beschriebene Weise ausgebildet bzw. hergestellt werden. Die Noppenstruktur, die dem zu haltenden Bauteil zugewandt ist, ist jedoch für die Ebenheit des zu haltenden Bauteils relevanter, da diese sich unmittelbar unter dem zu haltenden Bauteil befindet und das Bauteil an den Stirnseiten der Noppen anliegt.
Bei einer weiteren Ausführungsform weisen die Noppen der Noppenstruktur eine Höhe von mindestens 5 µm, bevorzugt von mindestens 10 µm auf. Die Höhe der Noppenstruktur sollte in der Regel zumindest der mittleren Größe der Partikel entsprechen, die in die Zwischenräume zwischen den Noppen gelangen. Eine Mindesthöhe der Noppen der Noppenstruktur in der oben genannten Größenordnung ist auch günstig, wenn die Zwischenräume zwischen den Noppen mit einem Spülgas gespült werden sollen.
Ein weiterer Aspekt der Erfindung betrifft ein EUV-Lithographiesystem, umfassend: mindestens eine Haltevorrichtung, wie sie weiter oben beschrieben ist. Bei dem EUV-Lithographiesystem kann es sich um eine EUV-Lithographieanlage zur Belichtung eines Wafers oder um eine andere optische Anordnung handeln, die EUV-Strahlung verwendet, beispielsweise um ein EUV-Inspektionssystem, z.B. zur Inspektion von in der EUV-Lithographie verwendeten Masken, Wafern oder dergleichen. Bei dem an der Haltevorrichtung gehaltenen Bauteil kann es sich beispielsweise um ein optisches Element handeln, z.B. um einen Spiegel eines Beleuchtungssystems oder eines Projektionssystems einer EUV-Lithographieanlage, aber auch um eine Maske oder um einen Wafer.
Weitere Merkmale und Vorteile der Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung von Ausführungsbeispielen der Erfindung, anhand der Figuren der Zeichnung, die erfindungswesentliche Einzelheiten zeigen, und aus den Ansprüchen. Die einzelnen Merkmale können je einzeln für sich oder zu mehreren in beliebiger Kombination bei einer Variante der Erfindung verwirklicht sein.
Figurenliste
Ausführungsbeispiele sind in der schematischen Zeichnung dargestellt und werden in der nachfolgenden Beschreibung erläutert. Es zeigt

1 schematisch im Meridionalschnitt eine Projektionsbelichtungsanlage für die EUV-Projektionslithografie,
2 eine schematische Darstellung einer Haltevorrichtung zur elektrostatischen Halterung eines plattenförmigen Bauteils mit einem Grundkörper und mit einer Noppenstruktur,
3a,b schematische Darstellungen eines Details einer idealen Noppenstruktur, sowie einer Noppenstruktur, die durch nasschemisches Ätzen hergestellt wurde,
4a-c die Vermessung einer Oberfläche des Grundkörpers vor der Ausbildung der Noppenstruktur, eine mit Hilfe eine Trockenätzprozesses erzeugte Noppenstruktur sowie die Vermessung der Noppenstruktur unter Verwendung eines elektrostatisch an der Noppenstruktur gehaltenen Bauteils,
5a,b das Abtragen von Material von der Oberfläche des Grundkörpers zur Ausbildung der Noppenstruktur unter Verwendung einer Ätzmaske, sowie
6a,b das Abtragen von Material von der Oberfläche des Grundkörpers zur Ausbildung der Noppenstruktur unter Verwendung eines Ätzstopps.

In der folgenden Beschreibung der Zeichnungen werden für gleiche bzw. funktionsgleiche Bauteile identische Bezugszeichen verwendet.
Im Folgenden werden unter Bezugnahme auf 1 exemplarisch die wesentlichen Bestandteile einer optischen Anordnung für die EUV-Lithographie in Form einer Projektionsbelichtungsanlage 1 für die Mikrolithographie beschrieben. Die Beschreibung des grundsätzlichen Aufbaus der Projektionsbelichtungsanlage 1 sowie von deren Bestandteilen ist hierbei nicht einschränkend zu verstehen.
Eine Ausführung eines Beleuchtungssystem 2 der Projektionsbelichtungsanlage 1 hat neben einer Licht- bzw. Strahlungsquelle 3 eine Beleuchtungsoptik 4 zur Beleuchtung eines Objektfeldes 5 in einer Objektebene 6. Bei einer alternativen Ausführung kann die Lichtquelle 3 auch als ein zum sonstigen Beleuchtungssystem separates Modul bereitgestellt sein. In diesem Fall umfasst das Beleuchtungssystem die Lichtquelle 3 nicht.
Beleuchtet wird ein im Objektfeld 5 angeordnetes Retikel 7. Das Retikel 7 ist von einem Retikelhalter 8 gehalten. Der Retikelhalter 8 ist über einen Retikelverlagerungsantrieb 9 insbesondere in einer Scanrichtung verlagerbar.
Eine Ausführung eines Beleuchtungssystems 2 der Projektionsbelichtungsanlage 1 hat neben einer Licht- bzw. Strahlungsquelle 3 eine Beleuchtungsoptik 4 zur Beleuchtung eines Objektfeldes 5 in einer Objekt-ebene 6. Bei einer alternativen Ausführung kann die Lichtquelle 3 auch als ein zum sonstigen Beleuchtungssystem separates Modul bereitgestellt sein. In diesem Fall umfasst das Beleuchtungssystem die Lichtquelle 3 nicht.
In 1 ist zur Erläuterung ein kartesisches xyz-Koordinatensystem eingezeichnet. Die x-Richtung verläuft senkrecht zur Zeichenebene hinein. Die y-Richtung verläuft horizontal und die z-Richtung verläuft vertikal. Die Scanrichtung verläuft in der 1 längs der y-Richtung. Die z-Richtung verläuft senkrecht zur Objektebene 6.
Die Projektionsbelichtungsanlage 1 umfasst ein Projektionssystem 10. Das Projektionssystem 10 dient zur Abbildung des Objektfeldes 5 in ein Bildfeld 11 in einer Bildebene 12. Abgebildet wird eine Struktur auf dem Retikel 7 auf eine lichtempfindliche Schicht eines im Bereich des Bildfeldes 11 in der Bildebene 12 angeordneten Wafers 13. Der Wafer 13 wird von einem Waferhalter 14 gehalten. Der Waferhalter 14 ist über einen Waferverlagerungsantrieb 15 insbesondere längs der y-Richtung verlagerbar. Die Verlagerung einerseits des Retikels 7 über den Retikelverlagerungsantrieb 9 und andererseits des Wafers 13 über den Waferverlagerungsantrrieb 15 kann synchronisiert zueinander erfolgen.
Bei der Strahlungsquelle 3 handelt es sich um eine EUV-Strahlungsquelle. Die Strahlungsquelle 3 emittiert insbesondere EUV-Strahlung 16, welche im Folgenden auch als Nutzstrahlung, Beleuchtungsstrahlung oder Beleuchtungslicht bezeichnet wird. Die Nutzstrahlung hat insbesondere eine Wellenlänge im Bereich zwischen 5 nm und 30 nm. Bei der Strahlungsquelle 3 kann es sich um eine Plasmaquelle handeln, zum Beispiel um eine LPP-Quelle (Laser Produced Plasma, mithilfe eines Lasers erzeugtes Plasma) oder um eine DPP-Quelle (Gas Discharged Produced Plasma, mittels Gasentladung erzeugtes Plasma). Es kann sich auch um eine synchrotronbasierte Strahlungsquelle handeln. Bei der Strahlungsquelle 3 kann es sich um einen Freie-Elektronen-Laser (Free-Electron-Laser, FEL) handeln.
Die Beleuchtungsstrahlung 16, die von der Strahlungsquelle 3 ausgeht, wird von einem Kollektorspiegel 17 gebündelt. Bei dem Kollektorspiegel 17 kann es sich um einen Kollektorspiegel mit einer oder mit mehreren ellipsoidalen und/oder hyperboloiden Reflexionsflächen handeln. Die mindestens eine Reflexionsfläche des Kollektorspiegels 17 kann im streifenden Einfall (Grazing Incidence, GI), also mit Einfallswinkeln größer als 45°, oder im normalen Einfall (Normal Incidence, NI), also mit Einfallwinkeln kleiner als 45°, mit der Beleuchtungsstrahlung 16 beaufschlagt werden. Der Kollektorspiegel 17 kann einerseits zur Optimierung seiner Reflektivität für die Nutzstrahlung und andererseits zur Unterdrückung von Falschlicht strukturiert und/oder beschichtet sein.
Nach dem Kollektorspiegel 17 propagiert die Beleuchtungsstrahlung 16 durch einen Zwischenfokus in einer Zwischenfokusebene 18. Die Zwischenfokusebene 18 kann eine Trennung zwischen einem Strahlungsquellenmodul, aufweisend die Strahlungsquelle 3 und den Kollektorspiegel 17, und der Beleuchtungsoptik 4 darstellen.
Die Beleuchtungsoptik 4 umfasst einen Umlenkspiegel 19 und diesem im Strahlengang nachgeordnet einen ersten Facettenspiegel 20. Bei dem Umlenkspiegel 19 kann es sich um einen planen Umlenkspiegel oder alternativ um einen Spiegel mit einer über die reine Umlenkungswirkung hinaus bündelbeeinflussenden Wirkung handeln. Alternativ oder zusätzlich kann der Umlenkspiegel 19 als Spektralfilter ausgeführt sein, der eine Nutzlichtwellenlänge der Beleuchtungsstrahlung 16 von Falschlicht einer hiervon abweichenden Wellenlänge trennt. Der erste Facettenspiegel 20 umfasst eine Vielzahl von einzelnen ersten Facetten 21, welche im Folgenden auch als Feldfacetten bezeichnet werden. Von diesen Facetten 21 sind in der 1 nur beispielhaft einige dargestellt. Im Strahlengang der Beleuchtungsoptik 4 ist dem ersten Facettenspiegel 20 nachgeordnet ein zweiter Facettenspiegel 22. Der zweite Facettenspiegel 22 umfasst eine Mehrzahl von zweiten Facetten 23.
Die Beleuchtungsoptik 4 bildet somit ein doppelt facettiertes System. Dieses grundlegende Prinzip wird auch als Wabenkondensor (Fly's Eye Integrator) bezeichnet. Mit Hilfe des zweiten Facettenspiegels 22 werden die einzelnen ersten Facetten 21 in das Objektfeld 5 abgebildet. Der zweite Facettenspiegel 22 ist der letzte bündelformende oder auch tatsächlich der letzte Spiegel für die Beleuchtungsstrahlung 16 im Strahlengang vor dem Objektfeld 5.
Das Projektionssystem 10 umfasst eine Mehrzahl von Spiegeln Mi, welche gemäß ihrer Anordnung im Strahlengang der Projektionsbelichtungsanlage 1 durchnummeriert sind.
Bei dem in der 1 dargestellten Beispiel umfasst das Projektionssystem 10 sechs Spiegel M1 bis M6. Alternativen mit vier, acht, zehn, zwölf oder einer anderen Anzahl an Spiegeln Mi sind ebenso möglich. Der vorletzte Spiegel M5 und der letzte Spiegel M6 haben jeweils eine Durchtrittsöffnung für die Beleuchtungsstrahlung 16. Bei dem Projektionssystem 10 handelt es sich um eine doppelt obskurierte Optik. Die Projektionsoptik 10 hat eine bildseitige numerische Apertur, die größer ist als 0,4 oder 0,5 und die auch größer sein kann als 0,6 und die beispielsweise 0,7 oder 0,75 betragen kann.
Die Spiegel Mi können, genauso wie die Spiegel der Beleuchtungsoptik 4, eine hoch reflektierende Beschichtung für die Beleuchtungsstrahlung 16 aufweisen.
2 zeigt eine Haltevorrichtung 25 zur elektrostatischen Halterung eines Bauteils 26. Bei dem Bauteil 26 kann es sich beispielsweise um ein optisches Element handeln, z.B. um einen der Spiegel der Beleuchtungsoptik 4 oder um einen der Spiegel Mi der Projektionsoptik 10 der Projektionsbelichtungsanlage 1 von 1. Die Haltevorrichtung 25 kann auch den Retikelhalter 8 zur elektrostatischen Halterung des Retikels 7 oder den Waferhalter 14 zur elektrostatischen Halterung des Wafers 13 bilden. Bei dem Bauteil 26, das von der Haltevorrichtung 25 gehalten wird, kann es sich aber auch um eine andere Art von optischem Element handeln, beispielsweise um ein diffraktives optisches Element, um ein optisches Gitter, um ein Mikrolinsen- oder Mikrospiegelarray, z.B. für DLP-Anwendungen. Bei dem Bauteil 26 kann es sich zudem um ein mikrostrukturiertes Objekt, beispielsweise um ein computergeneriertes Hologramm, um ein Substrat zur Herstellung von integrierten photonischen Schaltungen, um ein mikroelektromechanisches System, um einen Sensor, einen Aktuator (z.B. piezoelektrisch, ferroelektrisch, etc.), eine Probe für die Mikroskopie, etc. handeln. In der Regel wird das Bauteil 26 von der Haltevorrichtung 25 in einer Vakuumumgebung gehalten, wie diese in der Projektionsbelichtungsanlage 1 von 1 vorliegt.
Die Haltevorrichtung 25 weist einen Grundkörper 27 auf, der im gezeigten Beispiel aus drei Teilkörpern (Teilvolumen) bzw. Schichten zusammengesetzt ist, wobei die Verbindung zwischen den Teilkörpern im gezeigten Beispiel durch Bonden hergestellt ist. Bei dem Material des ersten Teilkörpers 27a des Grundkörpers 27 handelt es sich um ein dielektrisches Material, genauer gesagt um Glas, z.B. um titandotiertes Quarzglas (ULEO), um Borosilikatglas, z.B. Borofloat® 33 der Fa. Schott, um alkalifreies Flachglas, z.B. um AF 32® der Fa. Schott, oder um eine Glaskeramik, beispielsweise um Zerodur®, handeln. An den ersten Teilkörper 27a schließt sich in Dickenrichtung des Grundkörpers 27 eine zweiter Teilkörper 27b an, der aus einem elektrisch isolierenden Material oder aus einem Halbleiter-Material gebildet ist Bei dem Material des zweiten Teilkörpers 27b kann es sich ebenfalls beispielsweise um Glas, z.B. um titandotiertes Quarzglas (ULEO), um Borosilikatglas, z.B. Borofloat® 33 der Fa. Schott, um alkalifreies Flachglas, z.B. um AF 32® der Fa. Schott, oder um eine Glaskeramik, beispielsweise um Zerodur®, handeln.. An den zweiten Teilkörper 27b schließt sich im gezeigten Beispiel ein dritter Teilkörper 27c an, der ebenfalls aus Glas oder aus einer Keramik, beispielsweise einer Siliziumcarbid-Keramik oder aus einer Siliziumnitrid-Keramik, gebildet sein kann. Der dritte Teilkörper 27c wird verwendet, wenn eine hohe Wärmeleitfähigkeit der Haltevorrichtung 25 benötigt wird. Für den Fall, dass keine hohe Wärmeleitfähigkeit der Haltevorrichtung 25 benötigt wird, kann auf den dritten Teilkörper 27c verzichtet werden.
Für den Fall, dass eine thermische Drift bei der Halterung des Bauteils 26 vermieden werden soll, ist es günstig, wenn die Materialien des Grundkörpers 27 bzw. der drei Teilkörper 27a-c einen möglichst niedrigen thermischen Ausdehnungskoeffizienten aufweisen. Als Materialien mit einem niedrigen thermischen Ausdehnungskoeffizienten können beispielsweise dotierte Gläser oder Glaskeramiken verwendet werden, insbesondere ULE® oder ZERODURO. Wie in 2 ebenfalls zu erkennen ist, ist der Grundkörper 27 der Haltevorrichtung 25 auf einer planen Grundplatte 28 angebracht. Der Grundkörper 27 kann beispielsweise an seiner dem zu haltenden Bauteil 26 abgewandten Unterseite durch eine elektrostatische Halterung an der in diesem Fall metallisch beschichteten Grundplatte lösbar gehalten werden.
Wie in 2 ebenfalls zu erkennen ist, sind in das dielektrische Material des ersten Teilkörpers 27a zwei Elektroden 29a, 29b eingebettet, die mit einer Hochspannung beaufschlagt werden, um eine elektrostatische Haltekraft auf das zu haltende, im gezeigten Beispiel plattenförmige Bauteil 26 aufzubringen. Die beiden Elektroden 29a,b sind im gezeigten Beispiel nebeneinander angeordnet und weisen eine entgegengesetzte Polarität auf. Es versteht sich aber, dass die Elektroden 29a,b auch eine andere Form aufweisen können; insbesondere können auch mehr oder weniger Elektroden 29a,b in den Grundkörper 27 eingebettet sein.
Der Grundkörper 27 weist eine dem gehaltenen Bauteil 26 zugewandte Oberfläche 30 mit einer Noppenstruktur 31 auf. Die Noppenstruktur 31 weist eine Vielzahl von Noppen 32 auf, die durch Zwischenräume 33 voneinander getrennt sind. Die Noppen 32 stehen gegenüber einer Grundfläche 34 der strukturierten Oberfläche 30 in Richtung auf das zu haltende Bauteil 26 über.
3a zeigt ein Detail der Noppenstruktur 31 von 1 mit den Geometriemerkmalen der Noppen 32, u.a. der Höhe H, mit der die Noppen 32 über die Grundfläche 34 der strukturierten Oberfläche 30 überstehen. Ebenfalls dargestellt ist die Distanz L zwischen der ersten Elektrode 29a und der Stirnseite 32a einer jeweiligen Noppe 32. Weitere Geometriemerkmale der Noppenstruktur 31 sind der Durchmesser D der (zylindrischen) Noppen 32 sowie die Breite B eines Zwischenraums 33 bzw. der Abstand zwischen benachbarten Noppen 32.
Die Noppen 32 dienen dazu, um die Kontaktfläche zu dem zu halternden Bauteil 26 zu verringern, d.h. das Bauteil 26 wird nur an den Stirnseiten 32a der Noppen 33 abgestützt, wodurch sich die Kontaktfläche zwischen dem zu halternden Bauteil 26 und der Haltevorrichtung 25 verringert, so dass weniger Partikel zwischen dem Bauteil 26 und der Haltevorrichtung 25 eingeklemmt werden als dies bei einer flächigen Anlage des Bauteils 26 der Fall wäre.
Die Höhe H der Noppen 32 liegt im gezeigten Beispiel bei ca. 10 µm, die Breite B eines jeweiligen Zwischenraums 33 und der Durchmesser D der Noppen 32 liegen typischerweise in der Größenordnung von Millimetern.
Um eine möglichst gleichmäßige Haltekraft auf das Bauteil 26 aufzubringen, sollten die Noppen 32 der Noppenstruktur 31 eine identische Geometrie bzw. identische Abmessungen aufweisen, denn eine unterschiedliche Steifigkeit der Noppen 32 führt dazu, dass die Haltekraft auf das Bauteil 26 ortsabhängig variiert, was eine unerwünschte Deformation des gehaltenen Bauteils 26 zur Folge hat. Auch Unebenheiten der Grundfläche 34 in den Zwischenräumen 33 zwischen den Noppen 32 führen zu einer ortsabhängig variierenden Haltekraft auf das Bauteil 26, da für die Haltekraft neben der Distanz L zur jeweiligen Elektrode 29a,b auch der Abstand der Grundfläche 34 der Oberfläche 30 zu den Stirnseiten 32a der Noppen 32 relevant ist. In der Regel ist eine globale Ungenauigkeit in Form eines globalen Keils an Stelle einer perfekten Parallelität in der Distanz L zwischen den Stirnseiten 32a der jeweiligen Noppen 32 und der jeweiligen Elektrode 29a,b zu erwarten. Die resultierende Haltekraft ist in Bereichen deutlich größer, in denen der Abstand zwischen dem zu haltenden Bauteil 26 und der jeweiligen Elektrode 29a,b minimal ist. Die daraus resultierende Unebenheit bei der Halterung des Bauteils 26 kann durch eine Feinkorrektur an der Grundfläche 34 der Oberfläche 30 zwischen den Noppen 32 beseitigt werden.
3b zeigt eine Noppenstruktur 31, die an der Oberfläche 30 durch ein nasschemisches Ätzverfahren erzeugt wurde. Wie in 3b zu erkennen ist, variiert die Geometrie der auf diese Weise erzeugten Noppen 32 erheblich. Auch die Grundfläche 34 der strukturierten Oberfläche 30 weicht von der eigentlich gewünschten planen Geometrie deutlich ab.
Die Präzision bei der Ausbildung der Noppenstruktur 31 kann deutlich erhöht werden, wenn die Noppenstruktur 31 durch ein Trockenätzverfahren hergestellt wird, wie es nachfolgend in Zusammenhang mit 4a-c beschrieben ist.
Bei dem in 4a dargestellten Verfahrensschritt des Trockenätzverfahrens wird die zunächst plane Oberfläche 30 des Grundkörpers 27, genauer gesagt des ersten Teilkörpers 27a, vor dem Ausbilden der Noppenstruktur 32 interferometrisch vermessen. Zu diesem Zweck wird die Haltevorrichtung 25, genauer gesagt deren Grundkörper 27, in eine Vakuumumgebung eingebracht. Die interferometrische Vermessung erfolgt mit Hilfe von Messstrahlung 35, die in bekannter Weise auf die zu vermessende Oberfläche 30 eingestrahlt und an dieser reflektiert wird. Bei der Messstrahlung 35 kann es sich beispielsweise um UV-Strahlung handeln, es ist aber auch möglich, die interferometrische Vermessung mit Hilfe von EUV-Strahlung durchzuführen, um die Genauigkeit der Messung zu erhöhen.
Für den Fall, dass die Reflektivität der Oberfläche 30 für die Messstrahlung 35 nicht ausreichend ist, kann ggf. das zu haltende Bauteil 26 oder eine anderes Bauteil, welches bezüglich der Ebenheit und Mechanik die gleichen Eigenschaften aufweist wie das zu haltende Bauteil 26, an der Oberfläche 30 durch eine elektrostatische Haltekraft gehalten werden, wie dies in 4a gestrichelt angedeutet ist, sofern eine Oberfläche 26a des zu haltenden Bauteils 26 für die Messstrahlung eine höhere Reflektivität aufweist als die Oberfläche 30 des Grundkörpers 27.
Bei dem für die Vermessung verwendeten Bauteil, welches dieselben Eigenschaften aufweist wie das zu haltende Bauteil 26, kann es sich im Fall eines zu haltenden Bauteils 26 in Form einer Maske beispielsweise um einen Masken-Rohling handeln. Bei einem zu haltenden Bauteil 26 in Form eines Wafers kann es sich bei dem zur Vermessung verwendeten Bauteil beispielsweise um einen besonders planparallelen Referenzwafer handeln. Alternativ kann vor der interferometrischen Vermessung eine reflektierende Beschichtung auf die Oberfläche 30 des Grundkörpers 27 aufgebracht werden, die nach der interferometrischen Vermessung wieder entfernt wird.
Anhand der bei der interferometrischen Vermessung erhaltenen ortsabhängigen Messdaten über die Ebenheit der Oberfläche 30, genauer gesagt über Abweichungen von eine exakt planen Oberfläche 30, wird in einem nachfolgenden Schritt ein ortsaufgelöstes glättendes Bearbeiten der Oberfläche 30 durchgeführt. Beim Bearbeiten wird mindestens ein Glättungsverfahren angewendet, bei dem es sich beispielsweise um das so genannte computergesteuerte Polieren handeln kann. Alternativ oder zusätzlich kann auch ein Strahlbearbeitungsverfahren durchgeführt werden, bei dem die Oberfläche 30 lokal mit einem Bearbeitungsstrahl bearbeitet wird, um eine Glättung durchzuführen und eine möglichst plane Oberfläche 30 für die nachfolgende Strukturierung zu erzeugen.
Nach dem Vermessen und Glätten erfolgt die Strukturierung der Oberfläche 30 zur Ausbildung der Noppenstruktur 31. Um die Noppenstruktur 31 auszubilden, wird Material von der Oberfläche 30 abgetragen, um die Zwischenräume 33 zwischen den Noppen 32 bzw. die Grundfläche 34 zu bilden, über welche die Noppen 32 überstehen. Der Materialabtrag erfolgt mit einem Trockenätzverfahren, das eine erheblich präzisere Strukturierung ermöglicht als dies bei einem nasschemischen Ätzprozess der Fall ist, der weiter oben beschrieben wurde.
4b zeigt eine durch einen Trockenätzprozess hergestellte Noppenstruktur 31, die deutlich regelmäßigere Noppen 32 aufweist als die in 3b dargestellte Noppenstruktur 31. Auch die Grundfläche 34 der strukturierten Oberfläche 30 ist bei der in 4b gezeigten Noppenstruktur 31 deutlich glatter bzw. ebener als dies bei der in 3b dargestellten Noppenstruktur 31 der Fall ist. Auf verschiedene Arten der Durchführung des Trockenätzprozesses wird weiter unten näher eingegangen.
Die in 4b gezeigte Noppenstruktur 31 stellt zwar gegenüber der in 3b gezeigten Noppenstruktur 31 bereits eine wesentliche Verbesserung dar, stimmt aber noch nicht mit der in 3a gezeigten idealen Noppenstruktur 31 überein. Um aus der Noppenstruktur 31 von 4b die Noppenstruktur 31 von 3a zu erzeugen bzw. um diese möglichst genau anzunähern, wird in einem nachfolgenden Verfahrensschritt das zu haltende Bauteil 26 an der Haltevorrichtung 25 elektrostatisch gehalten und die der Noppenstruktur 31 abgewandte Oberfläche 26a des Bauteils 26 wird interferometrisch vermessen, wie dies in 4c dargestellt ist. Hierbei wird eine Hochspannung an die Elektroden 29a,b angelegt, um das Bauteil 26 elektrostatisch zu halten. Die Hochspannung, die bei der Vermessung angelegt wird, weist denselben Betrag auf, der auch im Betrieb der Haltevorrichtung 25 verwendet wird, um das Bauteil 26 zu halten. Idealerweise wird die Oberfläche 26a unter denselben Bedingungen vermessen, die auch im Betrieb der Haltevorrichtung 25 bei der elektrostatischen Halterung des Bauteils 26 herrschen.
Wie in Zusammenhang mit 4a beschrieben wurde, erfolgt anhand der bei der interferometrischen Messung erhaltenen ortsabhängigen Messdaten über die Ebenheit der Oberfläche 26a des Bauteils 26, genauer gesagt über Abweichungen von eine exakt planen Oberfläche 26a, ein ortsaufgelöstes Bearbeiten der Noppenstruktur 31 bzw. der strukturierten Oberfläche 30. In diesem Fall erfolgt eine Glättung der Noppenstruktur 31 typischerweise durch ein Strahlbearbeitungsverfahren, bei dem ein Bearbeitungsstrahl die Noppenstruktur 31 lokal bearbeitet, um eine gezielte, ortsabhängige Glättung vorzunehmen. Bei der Strahlbearbeitung wird die Noppenstruktur 31 nicht nur an den Stirnseiten 32a der Noppen 32, sondern auch in den Zwischenräumen 33 zwischen den Noppen 32 (z.B. an der Grundfläche 34) mit einem Bearbeitungsstrahl bearbeitet, u.a. um eine möglichst ebene Grundfläche 34 zu erzeugen. Für die Bearbeitung der Noppenstruktur 31 anhand der bei der Vermessung der Oberfläche 26a erhaltenen Messdaten kann auf ein Modell oder auf experimentell bestimmte Daten zurückgegriffen werden, die einen Zusammenhang zwischen der Geometrie der Oberfläche 26a des elektrostatisch gehaltenen Bauteils 26 und der erforderlichen lokalen Bearbeitung der Noppenstruktur 31 herstellen, die zu einer möglichst ebenen Oberfläche 26a des gehaltenen Bauteils 26 führt.
Um eine möglichst ideale Noppenstruktur 31 auszubilden, ist es günstig, in der Regel sogar erforderlich, wenn die in Zusammenhang mit 4a bzw. in Zusammenhang mit 4c beschriebenen Verfahrensschritte des Vermessens und des Bearbeitens mehrmals wiederholt werden, bis eine gewünschte Spezifikation bzw. ein Abbruchkriterium erreicht ist. Für den Fall, das mehrere Paare von Vermessungs- und Bearbeitungsschritten hintereinander durchgeführt werden, ist es zudem typischerweise vorteilhaft, die Bearbeitung mit Hilfe von mindestens zwei unterschiedlichen Glättungsverfahren durchzuführen. Die Glättungsverfahren können sich insbesondere in ihrem Einfluss auf die Ortsfrequenz der bei der Bearbeitung hervorgerufenen Fehler (große, mittlere, kleine Ortswellenlängen) voneinander unterscheiden.
Nachfolgend werden anhand von 5a,b und von 6a,b zwei Möglichkeiten für die Bildung der Noppenstruktur 31 mit einem Trockenätzverfahren beschrieben, wie sie in 4b gezeigt ist. In beiden Fällen erfolgt das Trockenätzen, indem ein Bearbeitungsstrahl 36, der in 5a,b und in 6a,b durch eine Mehrzahl von parallelen Pfeilen dargestellt ist, auf die zu strukturierende Oberfläche 30 eingestrahlt wird.
Bei dem Strahlbearbeitungsverfahren zum Abtrag von Material von der Oberfläche 30 kann es sich beispielsweise um eine Ionenstrahlbearbeitung, insbesondere um eine reaktive Ionenstrahlbearbeitung, speziell um reaktives Ionentiefätzen, um eine Plasmastrahlbearbeitung, insbesondere um reaktives Plasmaätzen, um eine elektronenstrahlinduzierte Bearbeitung oder um eine Laserbearbeitung handeln.
Bei dem in 5a,b gezeigten Beispiel handelt es sich bei dem Bearbeitungsstrahl 36 um einen Ionenstrahl, der einen vergleichsweise großen Strahldurchmesser d von ca. 10 mm aufweist. Der Bearbeitungsstrahl 36 wird senkrecht auf die zu strukturierende Oberfläche 30 ausgerichtet, auf die bei dem in 5a,b gezeigten Beispiel in an sich bekannter Weise eine photolithographisch strukturierte Maske (Fotolack 38) aufgebracht ist. Eine Haftvermittlerschicht 37 dient zur Verbesserung der Haftung des Fotolacks 38 auf der Oberfläche 30 des Grundkörpers 27 der Haltevorrichtung 25. Wie in 5b zu erkennen ist, wird nur in Bereichen, die nicht von dem Fotolack 38 bedeckt sind, Material von der Oberfläche 30 abgetragen.
Um ein möglichst selektives Ätzen zu ermöglichen und auf diese Weise Noppen 32 mit möglichst steilen Flanken zu erzeugen, wird bei dem in 5a,b gezeigten Beispiel die Werkzeugfunktion, d.h. der Durchmesser d des Bearbeitungsstrahls 36, deutlich größer gewählt als die beim Trockenätzen zu erzeugenden Strukturen, d.h. deutlich größer als die Breite B eines jeweiligen Zwischenraums 33 zwischen benachbarten Noppen 32. Dies ist günstig, da das Strahlprofil des Bearbeitungsstrahls 36 typischerweise keinem Top-Hat-Strahlprofil entspricht, so dass dessen Intensität zum Rand des Strahlprofils hin abnimmt. Durch den vergleichsweise großen Durchmesser d des Bearbeitungsstrahls 36 kann daher die Präzision bei der Bearbeitung erhöht werden, wenn der Teilbereich der Oberfläche 30, an dem Material abgetragen werden soll, nicht am Rand sondern im Wesentlichen im Zentrum des Strahlprofils des Bearbeitungsstrahls 36 liegt, wie dies in 5a,b dargestellt ist. Der Durchmesser d des Bearbeitungsstrahls 36 sollte aber nicht zu groß gewählt werden, um die Bildung von Oberflächenfehlern hoher Frequenz zu vermeiden.
6a,b zeigt eine Strahlbearbeitung der Oberfläche 30 bei der ein selektiver Materialabtrag bewirkt wird, ohne dass zu diesem Zweck eine Ätzmaske verwendet wird. Bei dem in 6a,b beschriebenen Beispiel wird der Durchmesser d des Bearbeitungsstrahls 36 mit Hilfe einer Blende 39 seitlich begrenzt. In diesem Falle erzeugt die Werkzeugfunktion die Noppenstruktur 31, indem der Bearbeitungsstrahl 36 mit Hilfe einer Verweilzeitsteuerung über die Oberfläche 30 bewegt und selektiv Material von der Oberfläche 30 abgetragen wird. Bei dem in 6a,b beschriebenen Verfahren handelt es sich bei dem Bearbeitungsstrahl 36 um einen reaktiven Plasmastrahl und die Selektivität des Ätzprozesses wird durch einen Ätzstopp 40 erhöht, der in das Material des ersten Teilkörpers 27a eingebettet ist. Das Material des Ätzstopps 40 unterscheidet sich vom umgebenden dielektrischen Material durch eine deutlich geringere Ätzrate. Bei dem Material des Ätzstopps 40 handelt es sich um ein Metall, im gezeigten Beispiel um Chrom, es kann sich aber auch um ein anderes Metall, beispielsweise um Gold, Platin, Ruthenium, Palladium, Rhodium, Iridium, Rhenium, Osmium, Nickel, Kobalt, oder um ein anderes Material, beispielsweise um Aluminiumoxid oder um Tantaloxid handeln. Das Verhältnis der Ätzrate des zu strukturierenden Materials und des Materials des Ätzstopps 30 sollte bei mehr als 10 : 1 liegen, um eine hohe Selektivität des Ätzprozesses sicherzustellen. Der Ätzstopp 40 ist im gezeigten Beispiel im Abstand der Höhe H der bei der Strukturierung zu bildenden Noppen 32 von der Oberfläche 30 des Grundkörpers 27 angeordnet, d.h. im Abstand von ca. 10 µm. Die Oberseite des Ätzstopps 40 bildet hierbei die Grundfläche 34 der strukturierten Oberfläche 30.
Durch das weiter oben beschriebene Trockenätzverfahren, insbesondere mit der zusätzlichen Durchführung der in Zusammenhang mit 4a und 4c beschriebenen Vermessungs- und Glättungsschritte, kann eine Noppenstruktur 31 mit hoher Präzision erzeugt werden. Auf diese Weise kann bei der elektrostatischen Halterung das Bauteil 26, insbesondere die Oberfläche 26a des Bauteils 26, mit einer hohen Ebenheit gehalten werden. Es ist aber auch möglich, an Stelle eines Bauteils 26 mit einer planen bzw. planparallelen Geometrie an der Haltevorrichtung 25 ein Bauteil 26 zu halten, das von einer planen Geometrie abweicht.
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur

US 7198276 B2 [0005]
US 20040131775 A1 [0006]
EP 2555234 B1 [0007]
US 8476167 B2 [0008]
EP 2810127 B1 [0009]
US 10310391 B2 [0010]

Claims

Verfahren zum Ausbilden einer Noppenstruktur (31) an einer Oberfläche (30) eines Grundkörpers (27) einer Haltevorrichtung (25) zur elektrostatischen Halterung eines Bauteils (26), umfassend: Ausbilden der Noppenstruktur (31) durch Abtragen von Material von der Oberfläche (30), dadurch gekennzeichnet, dass das Abtragen von Material von der Oberfläche (30) durch einen Trockenätzprozess erfolgt.
Verfahren nach Anspruch 1, bei dem bei dem Trockenätzprozess mindestens ein Strahlbearbeitungsverfahren unter Verwendung eines Bearbeitungsstrahls (36) durchgeführt, das ausgewählt ist aus der Gruppe umfassend: Ionenstrahlbearbeitung, bevorzugt reaktive Ionenstrahlbearbeitung, insbesondere reaktives lonentiefätzen, Plasmastrahlbearbeitung, insbesondere reaktives Plasmaätzen, elektronenstrahlinduzierte Bearbeitung und Laserbearbeitung.
Verfahren nach Anspruch 2, bei dem ein Durchmesser (d) des auf die Oberfläche (30) des Grundkörpers (27) gerichteten Bearbeitungsstrahls (36) zwischen 100 µm und 10 mm liegt.
Verfahren nach Anspruch 2 oder 3, bei dem in das Material des Grundkörpers (27) ein Ätzstopp (40) eingebracht ist, der von der zu strukturierenden Oberfläche (30) in einem Abstand von mindestens 5 µm, bevorzugt von mindestens 10 µm angeordnet ist.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, weiter umfassend: Vermessen der Oberfläche (30) des Grundkörpers (27) vor dem Ausbilden der Noppenstruktur (31), insbesondere im Hinblick auf Ebenheit, sowie Bearbeiten der Oberfläche (30) des Grundkörpers (27) durch ein Glättungsverfahren, insbesondere durch ein Strahlbearbeitungsverfahren, in Abhängigkeit vom Ergebnis der Vermessung.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, weiter umfassend: Vermessen einer Oberfläche (26a) eines an der Noppenstruktur (31) der Haltevorrichtung (25) elektrostatisch gehaltenen Bauteils (26), insbesondere im Hinblick auf Ebenheit, sowie Bearbeiten der Noppenstruktur (31) durch ein Glättungsverfahren, insbesondere durch ein Strahlbearbeitungsverfahren, in Abhängigkeit vom Ergebnis der Vermessung.
Verfahren nach Anspruch 6, bei dem das Bearbeiten der Noppenstruktur (31) ein Bearbeiten von Zwischenräumen (34) zwischen den Noppen (32) der Noppenstruktur (31) umfasst.
Verfahren nach einem der Ansprüche 3 bis 5, bei dem die Schritte des Vermessens und des Bearbeitens mehrmals nacheinander durchgeführt werden, wobei bevorzugt bei mindestens zwei Schritten des Bearbeitens mindestens zwei unterschiedliche Glättungsverfahren durchgeführt werden.
Verfahren nach einem der Ansprüche 3 bis 6, bei dem das Vermessen interferometrisch durchgeführt wird.
Haltevorrichtung (25) zur elektrostatischen Halterung eines Bauteils (26), umfassend: einen Grundkörper (27) mit einer Oberfläche (30), der eine Noppenstruktur (31) aufweist, die gemäß dem Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche ausgebildet ist.
Haltevorrichtung nach Anspruch 10, die ausgebildet ist, ein Bauteil (26) zu halten, welches ausgewählt ist aus der Gruppe umfassend: optische Elemente (17, 19, 20, 22, 7, Mi), insbesondere diffraktive optische Elemente, optische Gitter, Mikrolinsen- oder Mikrospiegel-Arrays, Masken, Wafer, mikrostrukturierte Objekte, insbesondere computergenerierte Hologramme, Substrate zur Herstellung von integrierten photonischen Schaltungen, mikroelektromechanische Systeme, Sensoren, Aktuatoren, Proben für die Mikroskopie.
Haltevorrichtung nach Anspruch 10 oder 11, bei welcher der Grundkörper (27) zumindest im Bereich der Oberfläche (30) aus einem dielektrischen Material (27a) gebildet ist, bevorzugt aus einem Glas oder einer Glaskeramik.
Haltevorrichtung nach Anspruch 12, bei welcher in das dielektrische Material (27a) mindestens eine Elektrode (29a,b) eingebettet ist.
Haltevorrichtung nach einem der Ansprüche 11 bis 13, bei welcher die Noppen (32) der Noppenstruktur (31) eine Höhe (H) von mindestens 5 µm, bevorzugt von mindestens 10 µm aufweisen.
EUV-Lithographiesystem (1), umfassend: mindestens eine Haltevorrichtung (25) nach einem der Ansprüche 10 bis 14.