TWI714911B - 夾持基板至夾持系統之方法、基板固持器及基板支撐器 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種基板支撐器，其包含： 一基板固持器，其包含： 一主體，其具有一第一主體表面及一第二主體表面，該第一主體表面及該第二主體表面在該主體之相對側上；及 複數個第一瘤節，其自該第一主體表面突出，每一第一瘤節具有經組態以支撐基板之一遠端表面；及 一支撐表面，其用於經由與自該支撐表面突出之複數個第二瘤節之遠端表面接觸來支撐該基板固持器； 其中該複數個第一瘤節之一第一子集的該等遠端表面與該第一主體表面相距一第一距離且該複數個第一瘤節之一第二子集的該等遠端表面與該第一主體表面相距一第二距離，該第一距離大於該第二距離。

Description

夾持基板至夾持系統之方法、基板固持器及基板支撐器
本發明係關於一種將夾持一基板一夾持系統之方法、一種用於一微影設備中且經組態以在一基板支撐器上支撐一基板之基板固持器，以及一種基板支撐器。
微影設備係經建構以將所要圖案施加至基板上之機器。微影設備可用於例如積體電路(IC)製造中。微影設備可例如將圖案化裝置(例如，光罩)之圖案(常常亦被稱作「設計佈局」或「設計」)投影至提供於基板(例如，晶圓)上之一層輻射敏感材料(抗蝕劑)上。
隨著半導體製造製程繼續進步，幾十年來，電路元件之尺寸已不斷地減小，而每裝置的諸如電晶體之功能元件之量已在穩固地增加，此遵循通常被稱作「莫耳定律(Moore's law)」之趨勢。為了跟上莫耳定律，半導體行業正追逐使得能夠產生愈來愈小特徵的技術。為了將圖案投影於基板上，微影設備可使用電磁輻射。此輻射之波長判定經圖案化於基板上之特徵之最小大小。當前在使用中之典型波長係365nm(i線)、248nm、193nm及13.5nm。相比於使用例如具有193nm之波長之輻射的微影設備，使用具有在4nm至20nm之範圍內之波長(例如，6.7nm或 13.5nm)之極紫外線(EUV)輻射的微影設備可用以在基板上形成較小特徵。
在微影設備中，基板固持於基板固持器上。需要基板儘可能平坦以最小化由於與完美平坦度之任何偏差而可能併入的成像誤差。一個困難之處係在基板最初被置放至基板固持器上時，基板可能並非平坦的。一旦處於基板固持器上，基板中便具有平面內應力且支撐基板之基板固持器的瘤節彈性變形。基板中之此等平面內剪應力導致基板中之平面內變形，該等變形自身導致疊對誤差。
本發明之目標係提供一種方法、一種基板固持器及一種併有一基板固持器之基板支撐器，其中採取措施以促進置放於該基板固持器上之一基板鬆弛。
在本發明之一實施例中，提供一種夾持一基板至一夾持系統之方法，該方法包含以下步驟：提供一基板固持器，其包含：一主體，其具有一第一主體表面及一第二主體表面，其中該第一主體表面及該第二主體表面在該主體之相對側上；及複數個第一瘤節，其自該第一主體表面突出，其中每一第一瘤節具有經組態以支撐該基板之一遠端表面；提供用於支撐該基板固持器之一支撐表面；提供複數個第二瘤節，該複數個第二瘤節用於經由與該複數個第二瘤節之遠端表面接觸來在該基板表面上支撐該基板固持器；產生一第一力以將該基板固持器吸引至該支撐表面；將該基板置放於該基板固持器上使得其接觸該複數個第一瘤節；產生一第二力以將該基板吸引至該基板固持器；及在一釋放步驟中控制該第一力及該第二力中之至少一者以使該等第二瘤節之間的該主體變形，以便在該複數個 第一瘤節之一第一子集的該等遠端表面與該基板之間產生一間隙，且使得在該複數個第一瘤節之一第二子集的遠端表面上支撐該基板。
在本發明之一實施例中，提供一種基板固持器，其用於一微影設備中且經組態以在一基板支撐器上支撐一基板，該基板固持器包含：一主體，其具有一第一主體表面及一第二主體表面，其中該第一主體表面及該第二主體表面在該主體之相對側上；複數個第一瘤節，其自該第一主體表面突出，其中每一第一瘤節具有經組態以支撐該基板之一遠端表面；及複數個第二瘤節，其自該第二主體表面突出，其中每一第二瘤節具有用於在該基板支撐器上支撐該基板固持器之一遠端表面，其中該複數個第一瘤節之一第一子集的該等遠端表面與該第一主體表面相距一第一距離且該複數個第一瘤節之一第二子集的該等遠端表面與該第一主體表面相距一第二距離，該第一距離大於該第二距離。
在本發明之一實施例中，提供一種基板支撐器，其包含：一基板固持器，其包含：一主體，其具有一第一主體表面及一第二主體表面，其中該第一主體表面及該第二主體表面在該主體之相對側上；及複數個第一瘤節，其自該第一主體表面突出，其中每一第一瘤節具有經組態以支撐基板之一遠端表面；及一支撐表面，其用於經由與自該支撐表面突出之複數個第二瘤節之遠端表面接觸來支撐該基板固持器；其中該複數個第一瘤節之一第一子集的該等遠端表面與該第一主體表面相距一第一距離且該複數個第一瘤節之一第二子集的該等遠端表面與該第一主體表面相距一第二距離，該第一距離大於該第二距離。
在本發明之一實施例中，提供一種基板固持器，其用於一微影設備中且經組態以在一基板支撐器上支撐一基板，該基板固持器包 含：一主體，其具有一第一主體表面及一第二主體表面，其中該第一主體表面及該第二主體表面在該主體之相對側上；複數個第一瘤節，其自該第一主體表面突出，其中每一第一瘤節具有經組態以支撐該基板之一遠端表面；複數個電極，電壓可施加至該複數個電極以便將該基板固持器緊固至該基板支撐器；其中該複數個電極經組態使得取決於所施加之該電壓，可獨立於該基板固持器之該主體的在該複數個第一瘤節之一第二子集下方的部分與該基板支撐器之間的一力而控制該基板固持器之該主體的在該複數個第一瘤節之一第一子集下方的部分與該基板支撐器之間的一力。
11:浸潤空間
12:流體處置結構
12a:內部部分
12b:外部部分
20:供應開口
21:回收開口
23:下方供應開口
24:溢流開口/溢流回收件
25:回收開口
26:氣刀開口
28:氣體回收開口
30:塗層
32:牽制開口
33:彎液面
34:供應開口
35:腔室
36:通道
38:通道
39:內部周邊
40:板
42:中間回收件
100:最終元件
110:夾持系統控制器
200:基板固持器
210:主體
212:第一主體表面
214:第二主體表面
220:第一瘤節
220a:第一瘤節之第一子集
220b:第一瘤節之第二子集
222:間隙
225:間隙
226:間隙
230:軸線
235:中心軸線
237:距離
239:距離
240:第二瘤節
300:支撐表面
310:電極
500:基板電極
510:第一基板固持器電極
600:基板支撐器電極
610:第二基板固持器電極
620:第二基板固持器電極
630:第一基板固持器電極
1000:夾持系統
B:輻射光束
BD:光束遞送系統
C:目標部分
IF:位置量測系統
IL:照明系統
M1:光罩對準標記
M2:光罩對準標記
MA:圖案化裝置/光罩
MT:光罩支撐器
P1:基板對準標記
P2:基板對準標記
PM:第一定位器
PS:投影系統
PW:第二定位器
SO:輻射源
W:基板
WT:基板支撐器
現將參看隨附示意性圖式僅作為實例來描述本發明之實施例，在隨附示意性圖式中：
- 圖1描繪微影設備之示意性概述；
- 圖2a及圖2b以橫截面描繪流體處置結構之兩個不同版本，該流體處置結構在左側及右側說明具有不同特徵，該等特徵可圍繞整個圓周延伸；
- 圖3以橫截面說明實施例之基板固持器、基板及基板支撐器；
- 圖4說明在鬆弛狀態下之基板固持器及基板支撐器的替代實施例；
- 圖5至圖7說明將基板置放至由圖3或圖4之基板支撐器支撐之基板固持器上的步驟；
- 圖8以橫截面說明圖3之基板固持器、基板及基板支撐器的替代實施例；
- 圖9及圖10以橫截面說明圖3之基板固持器、基板及基板支撐器的 替代實施例。
- 圖11示意性地說明不在本發明之範圍內的第一及第二瘤節之圖案。
在本文件中，術語「輻射」及「光束」用以涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線輻射(例如，具有365、248、193、157或126nm之波長)及極紫外線輻射(EUV，例如具有在約5至100nm之範圍內的波長)。
如本文中所使用之術語「倍縮光罩」、「光罩」或「圖案化裝置」可被廣泛地解譯為係指可用以向入射輻射光束賦予經圖案化橫截面之通用圖案化裝置，該經圖案化橫截面對應於待在基板之目標部分中產生之圖案。在此上下文中，亦可使用術語「光閥」。除經典光罩(透射或反射；二元、相移、混合式等)以外，其他此類圖案化裝置之實例包括可程式化鏡面陣列及可程式化LCD陣列。
圖1示意性地描繪微影設備。該微影設備包括：照明系統(亦被稱作照明器)IL，其經組態以調節輻射光束B(例如，UV輻射或DUV輻射)；光罩支撐器(例如，光罩台)MT，其經建構以支撐圖案化裝置(例如，光罩)MA且連接至第一定位器PM，該第一定位器經組態以根據某些參數準確地定位圖案化裝置MA；基板支撐器(例如，基板台)WT，其經建構以固持基板(例如，抗蝕劑塗佈晶圓)W且連接至第二定位器PW，該第二定位器經組態以根據某些參數準確地定位基板支撐器WT；及投影系統(例如，折射投影透鏡系統)PS，其經組態以將藉由圖案化裝置MA賦予輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C(例如，包含一或 多個晶粒)上。
在操作中，照明系統IL例如經由光束遞送系統BD自輻射源SO接收輻射光束B。照明系統IL可包括用於引導、塑形及/或控制輻射的各種類型之光學組件，諸如折射、反射、磁性、電磁、靜電及/或其他類型之光學組件，或其任何組合。照明器IL可用以調節輻射光束B，以在圖案化裝置MA之平面中的其橫截面中具有所要空間及角強度分佈。
本文中所使用之術語「投影系統」PS應被廣泛地解譯為涵蓋如適於所使用之曝光輻射及/或適於諸如浸潤液體之使用或真空之使用之其他因素的各種類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、合成、磁性、電磁及/或靜電光學系統，或其任何組合。可認為本文中對術語「投影透鏡」之任何使用均與更一般術語「投影系統」PS同義。
微影設備可屬於如下類型：其中基板之至少一部分可由具有相對較高折射率的例如水之浸潤液體覆蓋，以便填充投影系統PS與基板W之間的空間11，其亦被稱作浸潤微影。以引用之方式併入本文中的US6,952,253中給出關於浸潤技術之更多資訊。
微影設備亦可屬於具有兩個或多於兩個基板支撐器WT(又名「雙載物台」)之類型。在此「多載物台」機器中，可並行地使用基板支撐器WT，及/或可對位於基板支撐器WT中之一者上的基板W進行準備基板W之後續曝光的步驟，同時將另一基板支撐器WT上之另一基板W用於在另一基板W上曝光圖案。
除基板支撐器WT以外，微影設備亦可包含量測載物台。量測載物台經配置以固持感測器及/或清潔裝置。感測器可經配置以量測投影系統PS之性質或輻射光束B之性質。量測載物台可固持多個感測器。 清潔裝置可經配置以清潔微影設備之一部分，例如投影系統PS之一部分或提供浸潤液體之系統之一部分。量測載物台可在基板支撐器WT遠離投影系統PS時在投影系統PS之下移動。
在操作中，輻射光束B入射於固持在光罩支撐器MT上之例如光罩的圖案化裝置MA上，且藉由存在於圖案化裝置MA上之圖案(設計佈局)而圖案化。在已橫穿光罩MA的情況下，輻射光束B穿過投影系統PS，該投影系統將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。藉助於第二定位器PW及位置量測系統IF，可準確地移動基板支撐器WT，例如以便將不同的目標部分C定位在輻射光束B之路徑中的聚焦及對準位置處。類似地，第一定位器PM及可能的另一位置感測器(其未在圖1中明確地描繪)可用以相對於輻射光束B之路徑來準確地定位圖案化裝置MA。可使用光罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化裝置MA及基板W。儘管如所說明之基板對準標記P1、P2佔據專用目標部分，但該等標記可位於目標部分之間的空間中。當基板對準標記P1、P2位於目標部分C之間時，此等基板對準標記被稱為切割道對準標記。
為了闡明本發明，使用笛卡爾(Cartesian)座標系統。笛卡爾座標系統具有三個軸，亦即，x軸、y軸及z軸。三個軸中之每一者與其他兩個軸正交。圍繞x軸之旋轉被稱作Rx旋轉。圍繞y軸之旋轉被稱作Ry旋轉。圍繞z軸之旋轉被稱作Rz旋轉。x軸及y軸界定水平平面，而z軸在豎直方向上。笛卡爾座標系統不限制本發明，而僅用於說明。實情為，諸如圓柱座標系統之另一座標系統可用於闡明本發明。笛卡爾座標系統之定向可以不同，例如使得z軸具有沿著水平平面之分量。
已將浸潤技術引入至微影系統中以使得能夠改良較小特徵 之解析度。在浸潤微影設備中，在設備之投影系統PS(經由該投影系統朝向基板W投影經圖案化光束)與基板W之間的空間11中插入具有相對較高折射率之浸潤液體的液體層。浸潤液體至少覆蓋基板W之在投影系統PS之最終元件下方的部分。因此，經歷曝光的基板W之至少部分浸潤於浸潤液體中。浸潤液體之效應係使得能夠對較小特徵進行成像，此係因為曝光輻射在液體中相比於在氣體中將具有較短波長。(浸潤液體之效應亦可被視為增加系統之有效數值孔徑(NA)且亦增加聚焦深度。)
在商用浸潤微影中，浸潤液體為水。通常，水為高純度之蒸餾水，諸如通常用於半導體製造工場中之超純水(UPW)。在浸潤系統中，UPW常常被純化且其可在作為浸潤液體而供應至浸潤空間11之前經歷額外處理步驟。除可使用水作為浸潤液體以外，亦可使用具有高折射率之其他液體，例如：烴，諸如氟代烴；及/或水溶液。另外，已設想將除液體以外之其他流體用於浸潤微影中。
在本說明書中，將在描述中參考局域化浸潤，其中浸潤液體在使用中被限於最終元件100與面向最終元件100之表面之間的空間11。對向表面係基板W之表面，或與基板W之表面共面的支撐載物台(或基板支撐器WT)之表面。(請注意，此外或在替代例中，除非另外明確說明，否則在下文中對基板W之表面的參考亦指基板支撐器WT之表面；且反之亦然)。存在於投影系統PS與基板支撐器WT之間的流體處置結構12用以將浸潤液體限於浸潤空間11。由浸潤液體填充之空間11在平面上小於基板W之頂表面，且空間11相對於投影系統PS保持基本上靜止，同時基板W及基板支撐器WT在下方移動。
已設想其他浸潤系統，諸如非受限制浸潤系統(所謂的「全 濕潤(all wet)」浸潤系統)及浴浸潤系統(bath immersion system)。在非受限制浸潤系統中，浸潤液體覆蓋多於最終元件100下方之表面。在浸潤空間11外部之液體係作為薄液體膜而存在。液體可覆蓋基板W之整個表面，或甚至基板W及與基板W共面之基板支撐器WT。在浴型系統中，基板W完全浸潤於浸潤液體浴中。
流體處置結構12為如下結構：其將浸潤液體供應至浸潤空間11、自空間11移除浸潤液體，且藉此將浸潤液體限於浸潤空間11。其包括作為流體供應系統之部分的特徵。PCT專利申請公開案第WO 99/49504號中揭示之配置為早期的流體處置結構，其包含管道，該等管道供應浸潤液體或自空間11回收浸潤液體，且取決於投影系統PS之下的載物台之相對運動而操作。在更近設計中，流體處置結構沿投影系統PS之最終元件100與基板支撐器WT或基板W之間的空間11之邊界之至少一部分延伸，以便部分地界定空間11。
流體手動操作結構12可具有一系列不同功能。每一功能可源自使得流體處置結構12能夠達成彼功能的對應特徵。流體處置結構12可由數個不同術語提及，每一術語係指一功能，諸如障壁部件、密封部件、流體供應系統、流體移除系統、液體限制結構等。
作為障壁部件，流體處置結構12為對浸潤液體自空間11之流動的障壁。作為液體限制結構，該結構將浸潤液體限於空間11。作為密封部件，流體處置結構之密封特徵形成密封以將浸潤液體限於空間11。密封特徵可包括來自諸如氣刀之密封部件的表面中之開口的額外氣流。
在一實施例中，流體處置結構12可供應浸潤流體，且因此係流體供應系統。
在一實施例中，流體處置結構12可至少部分地限制浸潤流體，且藉此係流體限制系統。
在一實施例中，流體處置結構12可提供對浸潤流體之障壁，且藉此係障壁部件，諸如流體限制結構。
在一實施例中，流體處置結構12可產生或使用氣流，例如以幫助控制浸潤流體之流動及/或位置。
氣流可形成密封以限制浸潤流體，因此流體處置結構12可被稱作密封部件；此密封部件可為流體限制結構。
在一實施例中，浸潤液體係用作浸潤流體。在彼狀況下，流體處置結構12可為液體處置系統。在參考前述描述的情況下，在此段落中對關於流體所界定之特徵的參考可被理解為包括關於液體所界定之特徵。
微影設備具有投影系統PS。在基板W之曝光期間，投影系統PS將經圖案化輻射光束投影至基板W上。為了到達基板W，輻射光束B之路徑自投影系統PS穿過浸潤液體，該浸潤液體由位於投影系統PS與基板W之間的流體處置結構12限制。投影系統PS具有與浸潤液體接觸之透鏡元件，其為在光束之路徑中的最末元件。與浸潤液體接觸之此透鏡元件可被稱作「最末透鏡元件」或「最終元件」。最終元件100至少部分地由流體處置結構12環繞。流體處置結構12可將浸潤液體限於最終元件100下方及對向表面上方。
圖2a及圖2b展示可存在於流體處置結構12之變型中的不同特徵。除非有不同描述，否則該等設計可共用與圖2a及圖2b相同的特徵中之一些。可如所展示或根據需要而個別地或組合地選擇本文中所描述之特 徵。
圖2a展示圍繞最終元件100之底表面的流體處置結構12。最終元件100具有倒截頭圓錐形形狀。截頭圓錐形形狀具有平坦底表面及圓錐形表面。截頭圓錐形形狀自平坦表面突起且具有底部平坦表面。底部平坦表面為最終元件100之底表面的光活性部分，輻射光束B可穿過該光活性部分。最終元件100可具有塗層30。流體處置結構12環繞截頭圓錐形形狀之至少部分。流體處置結構12具有面向截頭圓錐形形狀之圓錐形表面的內部表面。內部表面及圓錐形表面具有互補形狀。流體處置結構12之頂表面大體上為平坦的。流體處置結構12可圍繞最終元件100之截頭圓錐形形狀配合。流體處置結構12之底表面大體上為平坦的，且在使用中，底表面可平行於基板支撐器WT及/或基板W之對向表面。底表面與對向表面之間的距離可在30微米至500微米之範圍內，理想地在80微米至200微米之範圍內。
相較於最終元件100，流體處置結構12更靠近基板W及基板支撐器WT之對向表面延伸。因此，在流體處置結構12之內部表面、截頭圓錐形部分之平坦表面及對向表面之間界定空間11。在使用期間，空間11填充有浸潤液體。浸潤液體填充最終元件100與流體處置結構12之間的互補表面之間的緩衝空間之至少部分，在一實施例中填充互補內部表面與圓錐形表面之間的空間之至少部分。
經由形成於流體處置結構12之表面中的開口將浸潤液體供應至空間11。可經由流體處置結構12之內部表面中的供應開口20供應浸潤液體。替代地或另外，自形成於流體處置結構12之下表面中的下方供應開口23供應浸潤液體。下方供應開口23可環繞輻射光束B之路徑，且其可 由呈陣列形式之一系列開口形成。供應浸潤液體以填充空間11，使得在投影系統PS下方通過空間11之流為層狀。在流體處置結構12下方自開口23供應浸潤液體另外防止氣泡進入空間11中。浸潤液體之此供應充當液體密封。
可自形成於內部表面中之回收開口21回收浸潤液體。經由回收開口21的浸潤液體之回收可藉由施加負壓來進行；經由回收開口21之回收係由於通過空間11之浸潤液體流的速度；或該回收可由於此兩者之結果。當以平面圖進行查看時，回收開口21可位於供應開口20之相對側上。另外或替代地，可經由位於流體處置結構12之頂表面上的溢流開口24回收浸潤液體。在一實施例中，供應開口20及回收開口21可調換其功能(亦即，使液體之流動方向反向)。此情形允許取決於流體處置結構12及基板W之相對運動來改變流動方向。
另外或替代地，浸潤液體可經由形成於流體處置結構12之底表面中的回收開口25自流體處置結構下方回收。回收開口25可用以將浸潤液體之彎液面33固持(或「牽制(pin)」)至流體處置結構12。彎液面33形成於流體處置結構12與對向表面之間，且其充當液體空間與氣態外部環境之間的邊界。回收開口25可為可以單相流回收浸潤液體之多孔板。底表面中之回收開口可為一系列牽制開口32，經由該等牽制開口回收浸潤液體。牽制開口32可以雙相流回收浸潤液體。
視情況，氣刀開口26相對於流體處置結構12之內部表面徑向地向外。可經由氣刀開口26以高速度供應氣體來輔助將浸潤液體限於空間11中。所供應之氣體可被加濕，且其可實質上含有二氧化碳。用於回收經由氣刀開口26所供應之氣體的氣體回收開口28自氣刀開口26徑向地向 外。流體處置結構12之底表面中可存在其他開口，例如對大氣或氣體源開放的開口。舉例而言，其他開口可存在於氣刀開口26與氣體回收開口28之間及/或牽制開口32與氣刀開口26之間。
圖2b中所展示之為圖2a所共有的特徵共用相同參考編號。流體處置結構12具有內部表面，該內部表面與截頭圓錐形形狀之圓錐形表面互補。流體處置結構12之下表面相比於截頭圓錐形形狀之底部平坦表面更靠近對向表面。
經由形成於流體處置結構12之內部表面中的供應開口34將浸潤液體供應至空間11。供應開口34係朝向內部表面之底部而定位，可能位於截頭圓錐形形狀之底表面下方。供應開口34圍繞內部表面而定位，圍繞輻射光束B之路徑間隔開。
經由流體處置結構12之下表面中的回收開口25自空間11回收浸潤液體。隨著對向表面在流體處置結構12下方移動，彎液面33可在與對向表面之移動相同的方向上在回收開口25之表面上遷移。回收開口25可由多孔部件形成。可以單相回收浸潤液體。在一實施例中，以雙相流回收浸潤液體。在流體處置結構12內之腔室35中接收雙相流，其中將雙相流分離成液體及氣體。經由單獨的通道36、38自腔室35回收液體及氣體。
流體處置結構12之下表面的內部周邊39延伸至遠離內部表面之空間11中以形成板40。內部周邊39形成可經設定大小以匹配輻射光束B之形狀及大小的小孔隙。板40可用以隔離其兩側之浸潤液體。所供應之浸潤液體朝向孔隙向內流動，穿過內部孔隙，且接著在板40下方朝向周圍的回收開口25徑向向外流動。
在一實施例中，流體處置結構12可分成兩部分，如圖2b之右側所展示：內部部分12a及外部部分12b。內部部分12a及外部部分12b可在平行於對向表面之平面中相對於彼此移動。內部部分12a可具有供應開口34且內部部分可具有溢流回收件24。外部部分12b可具有板40及回收開口25。內部部分12a可具有中間回收件42，其用於回收在內部部分12a與外部部分12b之間流動的浸潤液體。
下文將參考浸潤微影設備來描述本發明。在此設備中，執行對基板W之成像，其中設備之大多數部分由氣體氛圍環繞。如下文所描述，此設備中之基板支撐器WT可使用一或多個負壓，以便將力施加至基板W來將基板固持於適當位置中。然而，本發明適用於其他類型之微影設備。舉例而言，本發明適合用於基板W之成像在氣體氛圍中進行的任何設備。另外，本發明可適用於基板W之成像在真空中進行的EUV微影設備。在彼情況下，替代使用負壓產生對基板W之固持力，使用靜電力將基板W固持於適當位置中。將參看圖9、圖10及圖11來描述此情況。
基板支撐器WT包含經組態以支撐基板W之基板固持器200。圖3以橫截面說明根據實施例之基板固持器200及相關聯之基板W以及基板支撐器WT。圖3說明夾持基板W以準備好進行成像之情形。基板固持器200包含主體210，該主體具有第一主體表面212。在使用中，第一主體表面212面向基板W之下表面。
在第一主體表面212之中心區中，複數個第一瘤節220自第一主體表面212突出。每一第一瘤節220具有經組態以支撐基板W之遠端表面。第一瘤節220在平面中以第一規則圖案相對於彼此配置。第一規則圖案用以支撐基板W且將基板W朝向或遠離主體表面212之任何彎曲減少 至可接受的量。
相較於基板W之平面中區域，每一瘤節220之平面中區域相對較小。因此，第一瘤節220僅接觸基板W之下表面的小區域。此減小了污染物自基板固持器200轉移至基板W的機會。
主體210具有第二主體表面214。第二主體表面214在主體210的與第一主體表面212相對的側上。在使用中，第二主體表面214面向基板支撐器WT之支撐表面300。.
在第二主體表面214之中心區中，複數個第二瘤節240自第二主體表面214突出。每一第二瘤節240具有遠端表面，該遠端表面經組態以經由與基板支撐器WT之支撐表面300接觸來在支撐表面300上支撐基板固持器200。第二瘤節240在平面中以第二規則圖案相對於彼此配置。第二規則圖案用以支撐基板固持器200。
基板固持器200及基板支撐器WT一起構成夾持系統1000。夾持系統1000經調適以能夠在夾持系統控制器110之控制下自第一主體表面212與基板W之間以及自第二主體表面214與支撐表面300之間抽取氣體。夾持系統控制器110經組態以獨立於第二主體表面214與支撐表面300之間的氣體壓力而控制第一主體表面212與基板W之間的氣體壓力。
類似地，可產生基板固持器200上之壓力差。舉例而言，將基板固持器200之主體210與基板支撐器WT之支撐表面300之間的空間抽空至低於基板W上方之較高壓力的負壓。壓力差產生將基板固持器200固持至基板支撐器WT之第一力。
產生基板W上之壓力差。舉例而言，將基板固持器200之主體210與基板W之間的空間抽空至低於基板W上方之較高壓力的負壓。 該壓力差產生將基板W固持至基板固持器200之第二力。
下文將描述第一瘤節220及第二瘤節240之精確配置。然而，自圖3將顯而易見，在一實施例中，第二瘤節240之數目小於第一瘤節220之數目。將第一瘤節220分裂成兩個或多於兩個子集。為簡單起見，關於具有複數個第一瘤節220之第一子集220a及複數個第一瘤節220之第二子集220b來描述本發明。然而，本發明可擴展為具有複數個第一瘤節220之其他子集。
基板固持器200經配置成使得複數個第一瘤節220之第一子集220a可相對於複數個第一瘤節220之第二子集220b在z方向上朝向及遠離基板W移動。將描述達成此的兩種常用方式。第一方式係說明於圖3及圖4中之方式，其使用負壓在基板固持器200與基板支撐器WT之間及基板固持器200與基板W之間產生力。第二方式係參看圖8、圖9及圖10來說明，其中使用電極在基板固持器200與基板支撐器WT之間及基板固持器200與基板W之間產生靜電力。使用負壓及靜電力中之一者或兩者的混合系統亦係可能的。
在圖3之實施例中，複數個第一瘤節220之第二子集220b各自具有軸線230，該軸線與複數個第二瘤節240中之一者的軸線235相距一距離237，該距離小於複數個第一瘤節220之第一子集220a中的瘤節之軸線與複數個第二瘤節240中之一者的最近軸線235之間的距離239。換言之，複數個第一瘤節220之第二子集220b中的每一瘤節具有對應第二瘤節240。在諸如圖3中所說明之實施例中，每一第二瘤節240之中心軸線235與第一瘤節220中之對應者的中心軸線230同軸(吾人未見此情況係因為240在圖3中看起來向右移動少許且該等軸線不再對準)。複數個第一瘤節 220之第二子集220b與第二瘤節240的對準意謂經由第二子集220b中之瘤節及第二瘤節240兩者將力自基板固持器200上之基板W向下傳送至基板支撐器WT。換言之，在對應於複數個第一瘤節220之第二子集220b中的瘤節中之每一者之位置的位置處的基板固持器200之剛度大於在對應於複數個第一瘤節220之第一子集220a中的瘤節中之每一者之位置的位置處的基板固持器200之剛度。軸線235與230可共面。達成此剛度差之其他方式係可能的，例如藉由使主體210之厚度變化及/或使第二瘤節240之尺寸變化(較小第二瘤節240提供較低剛度)。
在一實施例中，第二子集220b中之瘤節之數目實質上等於複數個第二瘤節240之數目。
圖4之實施例與圖3之實施例相同，惟如下文所描述之內容除外。在圖4之實施例中，第二瘤節240係基板支撐器WT之部分且自支撐表面300突出。圖4實施例之基板固持器200及基板支撐器WT以與圖3之實施例之方式相同的方式工作。圖3之實施例亦可具有自支撐表面300突出而非自第二主體表面214突出之第二瘤節240。
如圖4中所說明，基板固持器200在鬆弛狀態下，其中無力施加至基板固持器。圖3之實施例的基板固持器200在鬆弛狀態下係類似的。在此組態中，第一子集220a中之瘤節之遠端自第一主體表面212突出的距離小於第二子集220b中之瘤節自第一主體表面212突出的對應距離。距離差由圖4中所說明之間隙222說明。此距離差之原因係上文所提及的性質：在對應於第一子集220a中之瘤節之位置處的基板固持器200之剛度低於在對應於第二子集220b中之瘤節之位置處的剛度。因此，若在整個區域上施加相同力以將基板W吸引至基板固持器200，則主體210將在對 應於瘤節220a之第一子集的位置處朝向基板W彎曲。若第一子集220a及第二子集220b中之瘤節與第一主體表面212相距相同的距離，則此施加將導致第一子集220a中之瘤節突出於第二子集220b中之瘤節。為了確保在基板W夾持於所有第一瘤節220之遠端表面在相同平面中的準備好進行成像之位置中，第一子集220a中之瘤節之遠端表面自第一主體表面212突出的距離比第二子集220b中之瘤節之遠端表面自第一主體表面212突出的距離少由間隙222所說明的量。結果，在夾持狀態下，基板W可保持平坦且與所有第一瘤節220接觸，如圖3中所說明。在圖7中所說明且如下文所描述之情形中，示意性地說明在對應於第一子集220a中之瘤節之位置處的主體210之彎曲，而在圖3中，未說明此彎曲。
若相比主體210與基板W之間而在主體210與基板支撐器WT之間施加較低壓力，則在第二瘤節240之間可發生主體210朝向基板支撐器WT變形。結果，第一子集220a中之瘤節將朝向基板支撐器WT及遠離基板W略微地向下移動。相比若如圖3中所說明在主體210上方及下方的壓力相等或若第一瘤節220中之每一者具有對應第二瘤節240則將出現的狀況，此情形允許在此條件下藉由較少的第一瘤節220，即藉由第二子集220b中之瘤節來支撐基板W。在與夾持基板之方法有關的本發明中使用此原理，如下文參看圖5至圖7所論述。首先以諸如圖3中所說明之方式將基板W裝載至基板支撐器200上。基板W最初可彎曲(向上(傘形))或向下(碗形))。在此組態中，因為第一瘤節220之遠端表面與基板W之間的高摩擦力，在xy平面中存在第一瘤節220之彈性變形。此彈性變形導致基板W之平面內變形。藉由繼續固持基板W但釋放複數個第一瘤節220之兩個子集220a、220b中的一個子集，所釋放子集220a、220b中之瘤節的任何彈性 變形可鬆弛。瘤節之所釋放子集中的瘤節可接著與基板W重新接合。在圖3至圖7中所說明之特定組態中，接著有可能釋放瘤節之另一子集220a、220b而不與基板W接觸，使得該等瘤節亦可鬆弛。可根據需要將此程序重複多次，每一反覆導致基板W中之較低平面內應力。最後，基板W可藉由使所有第一瘤節220之遠端表面與基板W接合來完全夾持以準備好進行成像，如圖7中所說明。
圖3及圖5至圖7展示在將基板W裝載於固持器200上期間可如何使用夾持系統1000及相比若主體210在第二瘤節240之間不彎曲則將出現的狀況，如何使基板W能夠更充分地鬆弛。相同原理可應用於圖4之夾持系統。
在主體210與支撐表面300之間產生負壓以產生第一力，從而將基板固持器200吸引至支撐表面300。藉由在基板W與基板固持器200之間產生負壓來產生第二力以將基板W吸引至基板固持器200。接著將基板W裝載至基板固持器200上，如圖3中所說明。
控制第一及第二力之量值以導致釋放步驟在第一子集220a中之瘤節的遠端表面與基板W之間產生間隙225，在該釋放步驟中，主體210在第一子集220a中之瘤節(中心第一瘤節220a，如圖5中所說明)下方的區域中朝向支撐表面300移動。在第一子集220a中之瘤節下方不存在第二瘤節240意謂當將基板固持器200吸引至基板支撐器WT之力增加時，相對較薄之主體210在第二子集220b中之瘤節與第二瘤節240的匹配集合之間將變形。主體210遠離基板W朝向基板支撐器WT向下變形。結果，定位於主體210之朝向基板支撐器WT變形的剛度較低之部分上方的第一子集220a中之瘤節的遠端表面移動脫離與基板W之下表面接觸。此意謂有可能 在並非所有第一瘤節220與基板W之下表面接觸的條件下在基板固持器200上支撐基板W。
作為第一子集220a中之瘤節脫離與基板W接觸的結果，第一子集220a中之瘤節中的平面內應力鬆弛。類似地，由第一子集220a中之瘤節與基板W之間的接觸引起的基板W中之任何平面內應力在基板W中鬆弛。藉此，基板W之平面內變形減少，從而導致較佳的疊對效能。
在基板W已釋放之後，如圖5中所說明，不具有對應第二瘤節240的第一子集220a中之瘤節仍遠離基板W之下表面。亦即，在第一子集220a中之瘤節的遠端表面與基板W之下表面之間存在間隙225。
在此階段，控制器110藉由增加第一主體表面212與基板W之間的負壓(亦即，減小絕對壓力)來開始重新接合。此有效地增加第二力以將基板W吸引至基板固持器200，此係因為基板W下方之壓力低於基板W上方之壓力。替代地或另外，可減小第二主體表面214與支撐表面300之間的負壓(亦即，增加絕對壓力)，藉此減小第一力。第一及第二力兩者可變化。因此，該情形移至所有第一瘤節220接觸基板W之下表面的情形。
在分離步驟中，增加第一主體表面212與基板W之間的負壓及/或減小第二主體表面214與支撐表面300之間的負壓。亦即，在分離步驟中，減小第一力及/或增加第二力。此導致在第二子集220b中之瘤節的遠端表面與基板W之間產生間隙226。此係由於在對應於第一子集220a中之瘤節的部位處，主體210彎曲遠離支撐表面300，該彎曲係第一及/或第二力改變之結果。亦即，基板W接著僅由第一子集220a中之瘤節支撐，如圖6中所說明。在此位置中，第二子集220b中之瘤節的任何平面內彈性 變形可鬆弛，且在第二子集220b中之瘤節之位置處的基板W中之任何相關聯之平面內應力亦鬆弛。
最終階段，即另一重新接合步驟說明於圖7中。此處，執行控制第一及/或第二力使得第一子集220a及第二子集220b中之瘤節接觸基板W且保持其平坦以準備好進行成像的步驟。舉例而言，主體210與支撐表面300之間的壓力相同於主體210與基板W之間的壓力。在另一重新接合步驟期間，增加第一力及/或減小第二力。結果，因為在第一子集220a中之瘤節之位置處的主體210之較低剛度，主體210在第二瘤節240之間朝向基板W變形。由於高度差，亦即，在基板固持器200之鬆弛狀態下第一子集220a及第二子集220b中之瘤節之間的間隙222，彎曲導致第一子集220a及第二子集220b兩者中之瘤節的遠端表面在大體上相同的平面中終止，使得基板W可在與所有第一瘤節220接觸的同時保持平坦。以此方式，基板W中之平面內應力鬆弛。因此，在圖7中所說明之位置中，可在第一瘤節220中之每一者的位置處支撐基板W之整個下表面且可對基板W進行成像。
可根據需要將圖5中所說明之釋放步驟、在圖5與圖6之間發生的重新接合步驟、如圖6中所說明之分離步驟及如圖7中所說明之另一重新接合步驟執行多次，每一反覆導致基板W中之平面內應力的進一步減小。
儘管上文參考增加及減小負壓來描述，但可用其他方式產生第一及/或第二力，例如以靜電方式產生，例如使用庫侖(Coulomb)夾持或使用約翰遜-拉貝克(Johnson-Rahbek)夾持，例如藉由將電壓施加至一或多個電極。在另一實施例中，可藉由施加負壓及用靜電方式之組合來產 生或至少控制第一及/或第二力。
為了使夾持系統1000能夠獨立地在第二主體表面214與支撐表面300之間及第一主體表面212與基板W之間的空間中產生壓力，需要防止氣體自基板固持器200之第一側穿過主體210到達基板固持器200之第二側。因此，若穿過主體210提供任何穿孔，則必須能夠阻斷此等穿孔舉例而言，可在基板支撐器WT中提供可驅動之銷(未描繪於諸圖中)。可致動該等銷使得其比第一瘤節220更多地突出遠離基板支撐器WT。在裝載及卸載基板W期間，延伸該等銷且藉由該等銷支撐基板W。藉此，接著縮回該等銷以將基板W置放至具有對應第二瘤節240之第一瘤節220的遠端表面上。必須提供密封件以確保能夠在主體210之兩側產生不同的真空壓力。
提供通路以產生負壓。在基板支撐器WT中提供在支撐表面300中具有開口之通路以在基板固持器200與基板支撐器WT之間產生負壓。為了在基板固持器200與基板W之間產生負壓，在主體210內提供在第一主體表面212中具有開口之一或多個通路。彼等通路之相對末端藉由例如軟管連接至負壓源。
先前技術基板固持器要求所有第一瘤節之遠端表面大體上處於相同平面中。先前，僅在第一瘤節220中之每一者具有對應第二瘤節240的情況下才可達成規格內平坦度。此係因為第一瘤節220之遠端表面經拋光以便達成所要平坦度。在拋光期間移除之材料的量取決於拋光石與第一瘤節220之間的力。在第一瘤節220不具有對應第二瘤節240的狀況下，拋光石將按壓第一瘤節220並使主體210略微地彎曲，且因此相比在第一突起220在正下方由對應第二瘤節240支撐的狀況下，自第一瘤節移 除之材料更少。然而，由於引入新的平坦化技術，諸如離子束碾磨/拋光、微影蝕刻等，在第一瘤節220下方之主體210的剛度之變化不再引入此缺陷，此係因為在離子束碾磨中移除之材料量與在經研磨之瘤節下方的主體210之剛度無關。此等新的平坦化技術之引入已使得引入諸如圖4中所說明之基板固持器200，其中可將第一瘤節之不同子集中的瘤節製造成具有不同高度。
在一實施例中，間隙222係3nm或大於3nm，較佳為10nm或大於10nm，且更佳為30nm或大於30nm，理想地為50nm或大於50nm，或甚至100nm或大於100nm。在成像期間，在使用時根據主體210之剛度以及第一及第二力之量值來選擇間隙222。舉例而言，該間隙等於第一子集220a及第二子集220b中之瘤節之間的主體210之剛度差乘以在對基板進行成像期間藉由第一力及第二力施加至主體210之總體力。
上文描述係基於使用負壓產生基板W、基板固持器200及基板支撐器WT之間的力來解釋。然而，並非必需係如此狀況，且可用包括藉由使用靜電力之任何其他方式來產生力。現將參看圖8來描述此情況。
在圖8中，提供用於在基板W、基板固持器200及基板支撐器WT之間產生第一及第二力的電極500、510、600、610。力之量值取決於施加至電極之電壓。
在圖8之實施例中，一或多個基板電極500沈積於基板W之底面上。亦提供嵌入於基板固持器200之主體210內的一或多個第一基板固持器電極510。藉由提供基板電極500與第一基板固持器電極510之間的電位差，可產生將基板W朝向基板固持器200吸引之力。類似地，在基板 支撐器WT中提供一或多個基板支撐器電極600。在基板固持器200之主體210中提供一或多個第二基板固持器電極610。基板支撐器電極600與第二基板固持器電極610之間的電位差產生基板固持器200與基板支撐器WT之間的力。除產生力之方式以外，圖8之夾持系統1000與上文參看圖3至圖7所描述之系統相同。
在一實施例中，僅一或多個第一基板固持器電極提供於基板固持器200中，該一或多個電極處於相同電位且用於產生基板W與基板固持器200之間的力及基板固持器200與基板支撐器WT之間的力兩者。
圖9及圖10展示另一實施例。在圖9及圖10之實施例中，可如圖9及圖10中所說明以靜電方式或如例如圖3中所說明使用負壓或藉由不同手段或藉由彼等兩種手段之組合來產生基板固持器200與基板W之間的第二力。
在圖9及圖10之實施例中，在對應於第一子集220a中之瘤節之位置處及在對應於第二子集220b中之瘤節之位置處的主體210之剛度相同，但並非必需係如此狀況。然而，提供基板固持器電極620、630之至少兩個集合，使得可獨立於在複數個第一瘤節220之第二子集220b下方的基板固持器200之主體210之部分處的第一力來控制在第一子集220a下方的基板固持器200之主體210之部分處的第一力。在圖9及圖10之實施例中，此藉由確保以下情形來配置：第一瘤節220及第二瘤節240之相對位置交替使得每一第一瘤節220在平面中定位於對應第二瘤節240之間的間隙中。因此，第一瘤節220中之每一者處於主體210之相當大的變形係有可能的(亦即，主體210並非剛性)位置處。藉由在第一子集220a中之瘤節下方的位置處提供第一基板固持器電極630及在第二子集220b中之瘤節下 方的位置處提供第二基板固持器電極620，相較於第二子集220b中之瘤節之遠端表面相對於支撐表面300的高度，有可能獨立地控制第一子集220a中之瘤節之遠端表面相對於支撐表面300的高度。
舉例而言，如圖9中所說明，在對應於第二子集220b中之瘤節的第二基板固持器電極620與基板支撐器WT之電極310之間產生靜電力。由於此吸引力，第二子集220b中之瘤節縮回以遠離基板W，從而使基板W由第一子集220a中之瘤節支撐。在此位置中，第二子集220b中之瘤節中的任何平面內應力可鬆弛。
相反，在圖10中，在第一基板固持器電極630與作為基板支撐器WT之部分的電極310之間產生的靜電力有效地使第一子集220a中之瘤節縮回以遠離基板W。基板W接著由第二子集220b中之瘤節支撐。第一子集220a中之瘤節中的任何平面內應力可鬆弛。此程序可重複任何數目次。接著為了夾持基板W以用於成像，允許所有第一瘤節220之遠端表面接觸基板W之下表面。在此實施例中，所有第一瘤節220之遠端表面大體上共面，甚至在基板固持器200上不存在力時亦如此。
圖11說明根據本發明之第一瘤節220及第二瘤節240的配置之實施例。在示意圖中，實心點代表不具有對應第二瘤節240(例如，類似於圖5至圖8之中心瘤節)的第一瘤節220(第一子集220a)，而不具有陰影之圓圈代表在下方具有對應第二瘤節240(亦即，類似於圖5至圖7中所展示之實施例的右側及左側)的第一瘤節220(第二子集220b)。
在圖11實施例中，每四個第一瘤節220中僅一個具有對應第二瘤節240。每第一瘤節220之支撐區域(亦即，第二瘤節240之支撐區域)係類似的。第一及第二圖案(四個)之旋轉對稱性對於第一 圖案及第二圖案係相同的。此理想地導致圍繞第二瘤節240中之每一者的主體210之大體對稱變形。
儘管可在本文中特定地參考在IC製造中的微影設備之使用，但應理解，本文中所描述之微影設備可具有其他應用。可能的其他應用包括製造整合式光學系統、用於磁域記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭等。
在內容背景允許之情況下，可以硬體、韌體、軟體或其任何組合實施本發明之實施例。本發明之實施例亦可實施為儲存於機器可讀媒體上之指令，該等指令可由一或多個處理器讀取及執行。機器可讀媒體可包括用於以可由機器(例如，計算裝置)讀取的形式儲存或傳輸資訊的任何機構。舉例而言，機器可讀媒體可包括唯讀記憶體(ROM)；隨機存取記憶體(RAM)；磁性儲存媒體；光學儲存媒體；快閃記憶體裝置；電、光學、聲學或其他形式之傳播信號(例如，載波、紅外線信號、數位信號等)；及其他者。另外，韌體、軟體、常式、指令可在本文中描述為執行某些動作。然而，應瞭解，此類描述僅僅係出於方便起見，且此等動作事實上起因於計算裝置、處理器、控制器或執行韌體、軟體、常式、指令等且在執行此操作時可使致動器或其他裝置與實體世界互動之其他裝置。
儘管可在本文中特定地參考在微影設備之內容背景中的本發明之實施例，但本發明之實施例可用於其他設備中。本發明之實施例可形成光罩檢查設備、度量衡設備或量測或處理諸如晶圓(或其他基板)或光罩(或其他圖案化裝置)之物件的任何設備之部分。此等設備可一般被稱作微影工具。此微影工具可使用真空條件或環境(非真空)條件。
儘管上文可特定地參考在光學微影之內容背景中對本發明 之實施例之使用，但應瞭解，本發明在內容背景允許之情況下不限於光學微影且可用於例如壓印微影之其他應用中。
雖然上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。以上描述意欲為說明性，而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍之範圍的情況下對如所描述之本發明進行修改。
110‧‧‧夾持系統控制器
200‧‧‧基板固持器
210‧‧‧主體
212‧‧‧第一主體表面
214‧‧‧第二主體表面
220a‧‧‧第一瘤節之第一子集
220b‧‧‧第一瘤節之第二子集
222‧‧‧間隙
240‧‧‧第二瘤節
300‧‧‧支撐表面
1000‧‧‧夾持系統
WT‧‧‧基板支撐器

Claims (12)

  1. 一種用於一微影設備中且經組態以在一基板支撐器上支撐一基板之基板固持器，該基板固持器包含：一主體，其具有一第一主體表面及一第二主體表面，其中該第一主體表面及該第二主體表面在該主體之相對側上；複數個第一瘤節(burl)，其自該第一主體表面突出，其中每一第一瘤節具有經組態以支撐該基板之一遠端表面；及複數個第二瘤節，其自該第二主體表面突出，其中每一第二瘤節具有用於在該基板支撐器上支撐該基板固持器之一遠端表面，其中該複數個第一瘤節之一第一子集的該等遠端表面與該第一主體表面相距一第一距離且該複數個第一瘤節之一第二子集的該等遠端表面與該第一主體表面相距一第二距離，該複數個第一瘤節之該第二子集與該複數個第一瘤節之該第一子集分離(spaced apart)，該第一距離大於該第二距離。
  2. 如請求項1之基板固持器，其中該主體經組態以在使用中阻斷自該第一主體表面穿過該主體至該第二主體表面之氣體通路，且反之亦然。
  3. 如請求項1之基板固持器，其中該複數個第一瘤節之該第二子集各自具有一軸線，該軸線相比該複數個第一瘤節之該第一子集的一軸線更接近於該複數個第二瘤節中之一者的一軸線。
  4. 一種基板支撐器，其包含：一基板固持器，其包含：一主體，其具有一第一主體表面及一第二主體表面，其中該第一主體表面及該第二主體表面在該主體之相對側上；及複數個第一瘤節(burl)，其自該第一主體表面突出，其中每一第一瘤節具有經組態以支撐基板之一遠端表面；及一支撐表面，其用於經由與自該支撐表面突出之複數個第二瘤節之遠端表面接觸來支撐該基板固持器，其中該複數個第一瘤節之一第一子集的該等遠端表面與該第一主體表面相距一第一距離且該複數個第一瘤節之一第二子集的該等遠端表面與該第一主體表面相距一第二距離，該複數個第一瘤節之該第二子集與該複數個第一瘤節之該第一子集分離(spaced apart)，該第一距離大於該第二距離。
  5. 如請求項4之基板支撐器，其中該主體經組態以在使用中阻斷自該第一主體表面穿過該主體至該第二主體表面之氣體通路，且反之亦然。
  6. 如請求項4之基板支撐器，其中該複數個第一瘤節之該第二子集各自具有一軸線，該軸線相比該複數個第一瘤節之該第一子集的一軸線更接近於該複數個第二瘤節中之一者的一軸線。
  7. 如請求項1、2或3之基板固持器或如請求項4、5或6之基板支撐器，其中相比該等第二瘤節，存在較大數目個該等第一瘤節，及/或其中該複 數個第一瘤節之該第二子集的數目實質上等於該複數個第二瘤節之數目。
  8. 如請求項1、2或3之基板固持器或如請求項4、5或6之基板支撐器，其中在對應於該複數個第一瘤節之該第二子集中之每一者的位置之一位置處的該基板固持器之一剛度大於在對應於該複數個第一瘤節之該第一子集中之每一者的位置之一位置處的該基板固持器之一剛度。
  9. 如請求項1、2或3之基板固持器或如請求項4、5或6之基板支撐器，其中該第一距離比該第二距離多3nm或大於3nm，較佳地其中該第一距離比該第二距離多10nm或大於10nm，更佳地其中該第一距離比該第二距離多30nm或大於30nm。
  10. 一種用於一微影設備中且經組態以在一基板支撐器上支撐一基板之基板固持器，該基板固持器包含：一主體，其具有一第一主體表面及一第二主體表面，其中該第一主體表面及該第二主體表面在該主體之相對側上；複數個第一瘤節(burl)，其自該第一主體表面突出，其中每一第一瘤節具有經組態以支撐該基板之一遠端表面；複數個電極，電壓可施加至該複數個電極以便將該基板固持器緊固至該基板支撐器；其中該複數個電極經組態使得取決於所施加之該電壓，可獨立於該基板固持器之該主體的在該複數個第一瘤節之一第二子集下方的部分與該基板支撐器之間的一力而控制該基板固持器之該主體的在該複數個第一瘤節之一第一子集下方的部分與該基板支撐器之間的一力。
  11. 一種微影設備，其包含如請求項1至3及7至10中任一項之一基板固持器或如請求項4至9中任一項之基板支撐器。
  12. 一種夾持一基板至一夾持系統之方法，該方法包含以下步驟：提供一基板固持器，其包含；一主體，其具有一第一主體表面及一第二主體表面，其中該第一主體表面及該第二主體表面在該主體之相對側上；及複數個第一瘤節(burl)，其自該第一主體表面突出，其中每一第一瘤節具有經組態以支撐該基板之一遠端表面；提供用於支撐該基板固持器之一支撐表面；提供複數個第二瘤節，該複數個第二瘤節用於經由與該複數個第二瘤節之遠端表面接觸來在該支撐表面上支撐該基板固持器：產生一第一力以將該基板固持器吸引至該支撐表面；將該基板置放於該基板固持器上使得其接觸該複數個第一瘤節；產生一第二力以將該基板吸引至該基板固持器；及在一釋放步驟中控制該第一力及該第二力中之至少一者以使該等第二瘤節之間的該主體變形，以便在該複數個第一瘤節之一第一子集的該等遠端表面與該基板之間產生一間隙，且使得在該複數個第一瘤節之一第二子集的遠端表面上支撐該基板。
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