CN113348543A - 用于光刻设备中的衬底保持器和器件制造方法 - Google Patents

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Abstract

一种衬底保持器，包括：主体，所述主体具有主体表面；多个突节，所述多个突节从所述主体表面突出且被配置用于支撑所述衬底；以及边缘密封件，所述边缘密封件从所述主体表面突出；其中：所述边缘密封件与所述多个突节间隔开，以便限定介于它们之间的间隙，所述间隙具有大于或等于所述多个突节的节距的约75％的宽度；所述多个突节包括第一组突节和围绕所述第一组突节的第二组突节；并且其中，所述第二组突节在与所述支撑平面垂直的方向上的每单位面积的刚度大于或等于所述第一组突节在与所述支撑平面垂直的方向上的每单位面积的刚度的约150％。

Description

用于光刻设备中的衬底保持器和器件制造方法
相关申请的交叉引用
本申请要求2019年1月23日提交的欧洲申请号19153181.3的优先权，该申请的全部内容通过引用而被合并入本文中。
技术领域
本发明涉及用于光刻设备中的衬底保持器并且涉及器件制造方法。
背景技术
光刻设备是一种被构造成将所期望的图案施加到衬底上的机器。光刻设备例如可以被用于集成电路(IC)的制造中。光刻设备可以例如将图案形成装置(例如，掩模)的图案(也经常被称为“设计布局”或“设计”)投影到被设置在衬底(例如，晶片)上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。
随着半导体制造过程持续进步，数十年来，在电路元件的尺寸已经持续地减小的同时每器件的功能元件(诸如晶体管)的量已经在稳定地增加，这遵循着通常称为“莫尔定律”的趋势。为了跟上莫尔定律，半导体行业正在寻求能够产生越来越小的特征的技术。为了将图案投影到衬底上，光刻设备可以使用电磁辐射。这种辐射的波长确定在所述衬底上图案化的特征的最小大小。当前使用的典型的波长是365nm(i线)、248nm、193nm和13.5nm。
在光刻设备中，待曝光的衬底(可以被称为生产衬底)被保持在衬底保持器(有时称为晶片台)上。所述衬底保持器可以是能够相对于投影系统移动的。所述衬底保持器通常包括由刚性材料制成的、且具有与待支撑的生产衬底类似的平面内尺寸的实心主体。实心主体的面向衬底的表面设置有多个突起(称为突节)。突节的远端表面符合平整平面并且支撑所述衬底。所述突节提供了若干优点：所述衬底保持器上或所述衬底上的污染物颗粒很可能落在突节之间，且因此不会导致衬底的变形；与使所述实心主体的表面平整相比，加工所述突节使它们的端部与平面相符更容易；并且可以调整突节的性质，例如用以控制所述衬底的夹持。
在制造器件的过程器件，尤其是当形成具有显著高度的结构(例如所谓的3D-NAND)时，生产衬底可能会变形。通常衬底可能变成“碗状”，即从上方看是凹的，或“伞状”，即从上方观察是凸的。出于本公开的目的，在其上形成器件结构的表面被称为顶表面。在这种情境中，“高度”是在与所述衬底的名义表面垂直的方向上测量的，该方向可可以被称为Z方向。碗状和伞状衬底当例如通过部分地排空介于所述衬底与所述衬底保持器之间的空间而被夹持到所述衬底保持器时在一定程度上变平。然而，如果变形量(通常通过所述衬底的表面上的最低点与所述衬底的表面上的最高点之间的高度差来测量)过大，则会出现各种问题。特别地，可能难以充分地夹持所述衬底，在所述衬底的装载和卸载期间可能存在突节的过度磨损并且所述衬底的表面中的残余高度变化可能太大以致无法在所述衬底的所有部分上(尤其是靠近于边缘处)实现正确的图案化。
发明内容
本发明的目的是提供一种衬底保持器，其能够在具有高变形程度的衬底上进行有效的图案形成。
在本发明的一个实施例中，提供了一种用于光刻设备中并且被配置用以支撑衬底的衬底保持器，所述衬底保持器包括：
主体，所述主体具有主体表面；
多个突节，所述多个突节从所述主体表面突出，每个突起具有大致适形于支撑平面并且被配置用于支撑所述衬底的远端表面；以及
边缘密封件，所述边缘密封件从所述主体表面突出并且围绕所述多个突节延伸，以便当衬底由所述衬底保持器保持时限制气流；其中：
所述边缘密封件与所述多个突节间隔开，以便限定介于所述边缘密封件与所述多个突节之间的间隙，所述间隙具有大于或等于所述多个突节的节距的约75％的间隙宽度；
所述多个突节包括第一组突节和第二组突节，所述第二组突节围绕所述第一组突节；并且
其中，所述第二组突节在与所述支撑平面垂直的方向上的每单位面积的刚度大于或等于所述第一组突节在与所述支撑平面垂直的方向上的每单位面积的刚度的约150％。
本发明的一实施例还提供了一种器件制造方法，包括：
通过降低如上所描述的衬底保持器的主体表面与衬底之间的压力，将所述衬底保持在所述衬底保持器上；和
将图案施加到所述衬底上。
附图说明
现在将仅通过举例、参考所附的示意图来描述本发明的实施例，附图中相应的附图标记指示了相应的部件，并且附图中：
图1示意性地描绘了光刻设备；
图2描绘了夹持碗状衬底的常规衬底保持器的一部分；
图3描绘了夹持伞状衬底的常规衬底保持器的一部分；
图4描绘了根据本发明实施例的夹持碗状衬底的衬底保持器的一部分；
图5描绘了根据本发明实施例的夹持伞状衬底的衬底保持器的一部分；
图6以平面图描绘了图4和图5的衬底保持器；并且
图7是示出在常规衬底保持器和根据本发明实施例的衬底保持器上以各种翘曲量来夹持衬底的效果的有限元分析的结果的曲线图。
具体实施方式
在本文档中，术语“辐射”和“束”用于涵盖所有类型的电磁辐射，包括紫外辐射(例如，具有436nm、405nm、365nm、248nm、193nm、157nm、126nm或13.5nm的波长)。
本文中使用的术语“掩模版”、“掩模”或“图案形成装置”可以被广义地解释为指可以用于向入射辐射束赋予图案化横截面的通用图案形成装置，所述图案化横截面对应于待在衬底的目标部分中创建的图案。术语“光阀”也可以用于此情境。除了经典的掩模(透射式或反射式掩模、二元掩模、相移掩模、混合掩模等)之外，其它此类图案形成装置的示例包括可编程反射镜阵列和可编程LCD阵列。
图1示意性地描绘了光刻设备LA。所述光刻设备包括：照射系统(也被称作照射器)IL，所述照射系统被配置成调节辐射束B(例如，EUV辐射或DUV辐射)；掩模支撑件(例如，掩模台)MT，所述掩模支撑件被构造成支撑图案形成装置(例如，掩模)MA，且连接至被配置成根据某些参数来准确地定位图案形成装置MA的第一定位器PM；衬底支撑件(例如，衬底保持器)WT，所述衬底支撑件被构造成保持衬底(例如，涂覆有抗蚀剂的晶片)W，且连接至被配置成根据某些参数而准确地定位衬底支撑件WT的第二定位器PW；以及投影系统(例如，折射型投影透镜系统)PS，所述投影系统被配置成将由图案形成装置MA赋予至辐射束B的图案投影至衬底W的目标部分C(例如，包括一个或更多个管芯的目标部分)上。
在操作中，照射系统IL例如经由束传输系统BD从辐射源SO接收辐射束B。照射系统IL可以包括用于引导、成形和/或控制辐射的各种类型的光学部件，诸如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型和/或其它类型的光学元件，或其任何组合。照射器IL可用以调节辐射束B，以在图案形成装置MA的平面处在其横截面中具有期望的空间和角强度分布。
本文中所使用的术语“投影系统”PS应被广义地解释为涵盖各种类型的投影系统，包括折射型、反射型、折射反射型、变形型、磁性型、电磁型和/或静电型光学系统，或其任何组合，如适用于所使用的曝光辐射，和/或其它因素，诸如浸没液体的使用或真空的使用。可以认为本文中对术语“投影透镜”的任何使用均与更上位的术语“投影系统”PS同义。
光刻设备可以属于如下类型：衬底的至少一部分可以由具有相对高折射率的浸没液体(例如水)覆盖，以便填充介于投影系统PS与衬底W之间的浸没空间，这也被称作浸没光刻术。以引用方式并入本公开中的US6,952,253中给出关于浸没技术的更多信息。
光刻设备可以是具有两个或更多个衬底支撑件WT(又名“双平台”)的类型。在这种“多平台”机器中，可以并行地使用衬底支撑件WT，和/或可以对位于衬底支撑件WT中的一个衬底支撑件上的衬底W进行准备衬底W的后续曝光的步骤，同时将另一衬底支撑件WT上的另一衬底W用于在另一衬底W上曝光图案。
除了衬底支撑件WT以外，光刻设备可以包括测量平台(图1中未示出)。测量平台被布置成保持传感器和/或清洁装置。传感器可以布置成测量投影系统PS的性质或辐射束B的性质。测量平台可以保持多个传感器。清洁装置可以被布置成清洁光刻设备的一部分，例如投影系统PS的一部分或提供浸没液体的系统的一部分。测量平台可以在衬底支撑件WT远离投影系统PS时在投影系统PS下方移动。
在操作中，辐射束B入射到保持在掩模支撑件MT上的图案形成装置(例如掩模MA)上，且由图案形成装置MA上存在的图案(设计布局)图案化。在已横穿掩模MA的情况下，辐射束B穿过投影系统PS，投影系统PS将所述束聚焦至衬底W的目标部分C上。借助于第二定位器PW和位置测量系统PMS，可以准确地移动衬底支撑件WT，例如以便在聚焦且对准的位置处在辐射束B的路径中定位不同目标部分C。类似地，第一定位器PM和可能的另一位置传感器(其未在图1中明确地描绘)可以用以相对于辐射束B的路径来准确地定位图案形成装置MA。可以使用掩模对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来对准图案形成装置MA和衬底W。尽管如所图示的衬底对准标记P1、P2占据专用目标部分，但所述衬底对准标记P1、P2可以位于目标部分之间的空间中。当衬底对准标记P1、P2位于目标部分C之间时，衬底对准标记P1、P2被称为划线对准标记。
在本说明书中，使用笛卡尔坐标系。笛卡尔坐标系具有三个轴，即，x轴、y轴和z轴。所述三个轴中的每个轴与其它两个轴正交。围绕x轴的旋转被称作Rx旋转。围绕y轴的旋转被称作Ry旋转。围绕z轴的旋转被称作Rz旋转。x轴和y轴限定水平平面，而z轴沿竖直方向。笛卡尔坐标系不限制本发明，而仅用于说明。替代地，另一座标系(诸如圆柱坐标系)可以用于阐明本发明。笛卡尔坐标系的定向可以不同，例如，使得z轴具有沿水平平面的分量。
在光刻设备中，有必要以高准确度将待曝光的衬底的上表面定位在由所述投影系统投影的所述图案的空中图像的最佳焦距的平面中。为了实现这情形，所述衬底被保持在衬底保持器上。支撑所述衬底的所述衬底保持器的表面设置有多个突节，所述多个突节的远端在名义支撑平面中共面。尽管有许多突节，但突节的平行于支撑平面的横截面积很小，因此它们的远端的总横截面积仅为所述衬底的表面积的百分之几，例如小于5％。所述突节的形状通常是圆锥形的，但不一定是圆锥形的。所述衬底保持器与所述衬底之间的空间中的气体压力相对于所述衬底上方的压力被降低，以产生将所述衬底夹持到所述衬底保持器的力。替代地，所述衬底保持器设置有多个电极，所述电极可以使用静电压力来夹持导电衬底。
这些突节用于若干目的。例如，如果污染物颗粒存在于所述衬底保持器或所述衬底上，则很可能的是，所述污染物颗粒并不位于突节的部位处且因此不会使得所述衬底变形。此外，与制造具有极低平整度的大的区域相比，更易于制造多个突节使它们的远端准确地适形于平整平面。此外，可以(例如通过涂覆涂层或改变突节的尺寸来)改变所述突节的性质。
图2和图3以横截面描绘了当分别夹持碗状和伞状衬底W时常规衬底保持器WH的边缘处的情形。应注意，出于解释的目的，在图2和图3中极大地夸大了所述衬底W的变形。当制造器件时，期望每个衬底上制造尽可能多的器件，这意味着期望图像尽可能靠近于衬底W的边缘。在许多情况下，期望在距所述衬底W的边缘几mm(例如3mm或更小)近的地方形成图案。因而，可以通过考虑位于涵盖待形成的图案的最向外位置的关注区域AoI中的所夹持的衬底W的表面的形状，来判定所述衬底保持器WH的性能。特别地，可以基于相对于所述衬底W的平均高度的最大高度差来判定所述衬底保持器WH的性能。
比较图2和图3，可以看出，当碗状衬底被夹持时，所述衬底W的边缘可能无法接触最外侧突节20。当所述衬底W下方的空间被抽成真空以提供压力差来夹持所述衬底W时，边缘密封件85(也被称为真空边缘密封件)减少进入所述空间的气体流量。即使未夹持的(无应力的)衬底中的变形量相似，碗状衬底在被夹持时关注区域AoI中的变形也高于伞状衬底。因而，期望提供一种衬底保持器，所述衬底保持器能够在夹持碗状衬底时提供改进的性能，但期望对夹持伞状衬底的性能损害很少或没有损害。
为了解决现有技术的至少一些缺点，本发明的实施例提供了一种衬底保持器WH，其中在突节与边缘密封件85之间设置有间隙。所述间隙没有突节和到达所述支撑平面的其它突出物，并且具有至少为所述突节的节距的75％的宽度。突节分为两组，第一组和环绕所述第一组的第二组。因此，所述第二组是最接近于边缘密封件85的突节20b。第二组突节20b被配置成使得在给定区域内的总竖直刚度(即与支撑平面垂直的方向上的刚度)是第一组突节20a在相同大小的相当区域中的总刚度的至少150％。
实验和模拟表明，如上文那样构造的衬底保持器WH在夹持碗状衬底时能提供较好的性能，而不会对在夹持伞状衬底时的性能造成不可接受的损害。通过增加最外侧突节20b与真空边缘密封件85之间的间隙，例如通过将真空边缘密封件85定位成较为靠近于所述衬底保持器WH的边缘，在所述衬底W的外部上施加较大的力，使得碗状衬底是较平整的。因此，由每个最外侧突节20b抵抗的力增加，并且因此最外侧突节20b的刚度增加以进行补偿。因而，最外侧突节20b(第二组)没有被过度地压缩。
当碗状衬底被夹持时，其非常边缘处没有受支撑，使得所述衬底W的外部部分形成离开最外侧突节20b的悬臂。当伞状衬底被夹持时，施加在最外侧突节20b上的力也增加，且这可能导致最外侧突节20b的较大压缩，但最外侧突节20b的增加的刚度抵消此影响。因此，具有伞状突节的所述衬底保持器WH的性能不会受到不利影响，或者至少任何不利影响都是可以接受的。
在实施例中，所述衬底保持器WH在平面中呈圆形，且所述突节被布置呈同心环。一些突节可能没有被布置呈同心环，例如在所述衬底保持器WH中的通孔89附近的突节。所述边缘密封件85也是环形的，并且与突节的环同心。第二组突节20b可以是最外侧环。所述间隙的宽度D是相对于所述第二组中的最内侧环与下一个环(即第一组的最外侧环)之间的径向距离P来确定的。
在突节没有被布置成呈同心环的实施例中，期望相对于第一组突节的平均(例如，平均值、众数或中间值)节距来确定间隙宽度。节距被定义为相邻突节的中心至中心距离。在大多数情况下，突节的节距横跨衬底保持器WH是均匀的。然而，有时可能存在变化，例如在所述衬底保持器WH的其它特征(诸如对于顶针(e-pin)的孔、或真空端口之类的特征)附近。在突节的节距存在变化的情况下，则平均值、众数或中间值很可能非常相似。
在突节没有被布置呈同心环的实施例中，所述第二组突节由那些在与所述边缘密封件相距小于平均节距的距离内的突节组成。
本领域技术人员将理解，突节的竖直刚度是施加到其远端的竖直压缩力的量值与产生的压缩量(高度的变化与原始高度成比例)的比率。突节的集合的面积刚度(每单位面积的刚度)由各个突节的刚度和突节的密度(每单位面积的突节数)来确定。在本发明的实施例中，与所述第一组相比，所述第二组中各个突节的刚度或突节的密度中任一者或两者可以改变。在第二组突节由单个最外侧环的突节组成的实施例中，所述第二组突节20b的密度由突节的周向间隔来确定。
可以通过各种方式来改变各个突节的刚度，例如通过改变它们的横截面积、通过改变它们的形状(例如，或多或少锥形的)或通过改变它们的成分。
间隙宽度D是所述节距的至少75％，且期望地为节距P的至少80％。间隙宽度D期望地是节距P的至少90％。在一实施例中，其约为节距P的100％。据信，较大的间隙能够保持具有较大翘曲量的衬底。期望地，所述间隙宽度D至多为节距P的125％。
在一实施例中，第二组突节20b的每单位面积的竖直刚度是第一组的至少150％，期望地是第一组的至少160％。在一实施例中，第二组突节20b的每单位面积的竖直刚度是第一组突节的至少180％。在一实施例中，第二组突节20b的每单位面积的竖直刚度不超过第一组突节的200％。
在图4和图5以截面示出了根据实施例的衬底保持器WH的一部分。在图4中衬底保持器WH被图示为夹持碗状衬底；在图5中所述衬底保持器WH被图示为夹持伞状衬底。如同图2和图3，图4和图5中极大地夸大了所述衬底W的变形。在图4和图5中，利用不同的阴影线来指示外突节20b，并且外突节20b被图示为比其它突节更大，仅仅是为了帮助从视觉上将其与其它突节区分；这不应视为指示所述外突节20b必须具有与其它突节不同的材料或大小。整个衬底保持器WH以平面图在图6中示出。在图6中，为了清晰起见，突节的大小被夸大，且数量被大大减少。
衬底保持器WH被安装在衬底保持器WT上。衬底保持器WH包括主体21，主体21具有主体上表面22和从所述主体上表面22突出的多个突节20。衬底W可以由突起20的远端表面支撑，其适形于大致平坦的支撑平面以在平坦状态下支撑所述衬底W。主体21和突节20可以由SiSiC形成，即一种在硅基质中具有碳化硅(SiC)颗粒的陶瓷材料。突节20可以与主体21呈一体，并且由增材或减材技术形成。替代地，突节20可以被沉积在主体21上，并且可以由与主体21不同的材料形成。可以使用与第一组中的突节20a不同的技术和/或不同的材料形成第二组中的突节20b。本领域已知用于制造所述衬底保持器WH的合适的材料和技术。
在所述主体21中形成多个通孔89。通孔89允许顶针(e-pin)突出穿过所述衬底保持器WH以接收所述衬底W，并且允许介于所述衬底W与所述衬底保持器WH之间的空间被抽成真空。也可以设置用于将介于所述衬底W与所述衬底保持器WH之间的空间抽成真空的分立的通孔。所述衬底W与所述衬底保持器WH之间的空间的抽真空可以通过产生与所述衬底W上方的空间的压差来提供夹持力以将所述衬底W保持在适当位置。在使用EUV辐射的光刻设备中，所述衬底W上方的空间处于低压，从而不能产生足够的压力差。因此，可以在所述衬底保持器WH上设置电极以形成静电夹具。可以设置例如用于控制所述衬底保持器WH与所述衬底W之间的气流和/或热导率的其它结构。所述衬底保持器WH还可以设置有用于控制所述衬底保持器WH和衬底W的温度的电子部件，例如加热器和传感器。
边缘密封件85被设置在所述衬底保持器WH的外周附近。边缘密封件85是围绕衬底保持器WH外侧的突出脊。它具有比突节20的高度略矮的高度，从而它不接触未变形的衬底W，而是减少进入介于所述衬底W与所述衬底保持器WH之间的空间中的气流，以便改进真空夹持。当应用真空夹持时，所述边缘密封件85外部的气体的压力将大于所述边缘密封件85内部的气体的压力。如果所述边缘密封件85的直径小于所述衬底W的直径，则所述衬底W的位于所述边缘密封件85径向向外的那些部分将不承受夹持力，或者与所述边缘密封件85向内的那些部分相比受到减小的夹持力。
在一实施例中，突节20具有在从100μm到500μm的范围内的高度，例如约150μm。突节20的远端表面的直径可以在100μm至500μm的范围内，例如约200μm、210μm、270μm或350μm。突节20的节距，即两个相邻突节20的中心之间的距离，可以在约0.5mm至3mm的范围内，例如约1.5mm、2mm或2.5mm。在一实施例中，所有突节20的远端表面的总面积在衬底W或所述衬底保持器WH的总面积的1％到3％的范围内。突节20可以呈截头圆锥形，且具有略微倾斜的侧壁。在一实施例中，如果侧壁较便于制造，则侧壁可以是竖直的或甚至是悬垂的。在一实施例中，突节20在平面中呈圆形。如果期望，也可以形成呈其它形状的突节20。
在一个实施例中，一个或更多个涂层可以被施加于的全部的或部分的突节20以控制其性质，诸如突节20与衬底W之间的摩擦力。例如，类金刚石碳(DLC)层可以被设置在突节20的远端表面上以形成释放结构。
图7描述了由衬底保持器WH的不同设计实现的不同翘曲量对衬底W的夹持的FEM模拟的结果。横轴指示未加载衬底的翘曲量(峰至谷)(以μm为单位)，而纵轴指示偏离关注区域AoI处的所述衬底W的平均高度的高度变化(以nm为单位)，在这种情况下是距300mm衬底的边缘3mm处。实心三角形(I)描绘了来自具有比所述节距的75％更小的介于最外侧环的突节与所述边缘密封件之间的节距、但所有突节具有相同刚度和密度的衬底保持器的结果。空心菱形(II)描绘了与实施例I的衬底保持器类似的、但也具有根据本发明实施例而布置的突节和边缘密封件的衬底保持器的结果。
将会看出，示例I的所述衬底保持器在伞状晶片的情况下表现良好但在碗状晶片的情况下表现较差。另一方面，本发明的实施例(保持器II)在碗状晶片的情况下的性能方面提供了非常显著的改进，但是在伞状衬底的情况下的性能方面没有显著的劣化。将看到，与不根据本发明的等效衬底保持器相比，本发明的实施例能够保持更宽范围的衬底。
虽然可以在本文具体提及对光刻设备在IC的制造中的使用，但是，应该理解，本文所述的光刻设备可以具有其它应用，诸如集成光学系统的制造、磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头等。本领域技术人员将了解，在这种替代应用的情境下，本文使用的任何术语“晶片”或“管芯”可以被认为分别与更上位的术语“衬底”或“目标部分”同义。本文所指的衬底可以在曝光之前或之后例如在涂覆显影系统(一种典型地将抗蚀剂层施加到衬底上并且对已曝光的抗蚀剂进行显影的工具)、量测工具和/或检查工具中进行处理。在可应用的情况下，可以将本文的公开内容应用于这种和其它衬底处理工具中。另外，所述衬底可以被处理一次以上，例如用于产生多层IC，使得本文使用的术语“衬底”也可以表示已经包含多个已处理层的衬底。
尽管上文可以具体参考本发明实施例在光学光刻的情境中的使用，但应理解，本发明可以用于其它应用中。
虽然上面已经描述了本发明的具体实施例，但是应当理解，本发明可以以不同于所描述的方式来实施。
上文的说明书旨在是说明性的而非限制性的。因此，本领域技术人员将明白，可以在不脱离下面阐述的权利要求的范围的情况下对所描述的发明进行修改。

Claims (12)

1.一种衬底保持器，所述衬底保持器用于光刻设备中并且被配置用以支撑衬底，所述衬底保持器包括：
主体，所述主体具有主体表面；
多个突节，所述多个突节从所述主体表面突出，每个突节具有大致适形于支撑平面并且被配置用于支撑所述衬底的远端表面；和
边缘密封件，所述边缘密封件从所述主体表面突出并且围绕所述多个突节延伸，以便当衬底由所述衬底保持器保持时限制气流；其中：
所述边缘密封件与所述多个突节间隔开，以便限定介于所述边缘密封件与所述多个突节之间的间隙，所述间隙具有大于或等于所述多个突节的节距的约75％的间隙宽度；
所述多个突节包括第一组突节和第二组突节，所述第二组突节围绕所述第一组突节；和
其中，所述第二组突节在与所述支撑平面垂直的方向上的每单位面积的刚度大于或等于所述第一组突节在与所述支撑平面垂直的方向上的每单位面积的刚度的约150％。
2.根据权利要求1所述的衬底保持器，其中所述间隙宽度大于或等于所述多个突节的节距的约80％，或大于或等于所述多个突节的节距的约90％，期望地为所述多个突节的节距的约100％。
3.根据权利要求1或2所述的衬底保持器，其中所述间隙宽度小于或等于所述多个突节的节距的约125％。
4.根据权利要求1、2或3所述的衬底保持器，其中，所述第二组突节在与所述支撑平面垂直的方向上的每单位面积的刚度大于或等于所述第一组突节在与所述支撑平面垂直的方向上的每单位面积的刚度的约160％，期望地大于所述第一组突节在与所述支撑平面垂直的方向上的每单位面积的刚度的约180％。
5.根据权利要求1、2、3或4所述的衬底保持器，其中，所述第二组突节在与所述支撑平面垂直的方向上的每单位面积的刚度小于或等于所述第一组突节在与所述支撑平面垂直的方向上的每单位面积的刚度的约200％。
6.根据前述权利要求中任一项所述的衬底保持器，其中，所述第二组突节中的每个突节在与所述支撑平面垂直的方向上的刚度大于所述第一组突节中的突节在与所述支撑平面垂直的方向上的平均刚度。
7.根据前述权利要求中任一项所述的衬底保持器，其中所述第二组突节的密度大于所述第一组突节的密度。
8.根据前述权利要求中任一项所述的衬底保持器，其中，所述第二组突节中的每个突节在与所述支撑平面平行的平面中具有比所述第一组突节的横截面更大的横截面积。
9.根据前述权利要求中任一项所述的衬底保持器，其中所述第一组突节中的至少一些突节和所述第二组突节被布置呈同心环，所述第二组突节形成所述同心环中的最外侧环。
10.根据权利要求9所述的衬底保持器，其中所述节距是所述第一组突节之中的最外侧环中的突节与所述第二组突节之间的间距。
11.一种用于将图案施加到衬底上的光刻设备，所述光刻设备包括根据前述权利要求中任一项所述的衬底保持器。
12.一种器件制造方法，包括：
通过降低根据权利要求1至10中任一项所述的衬底保持器的主体表面与衬底之间的压力，将所述衬底保持在所述衬底保持器上；和
将图案施加到所述衬底上。
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