TW202213622A - 用於微影設備中的基板固持器及器件製造方法 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種基板固持器，其包含： 一主體，其具有一主體表面； 複數個瘤節，其自該主體表面突出且經組態以用於支撐該基板；及 一邊緣密封件，其自該主體表面突出；其中： 該邊緣密封件與該複數個瘤節間隔開，以便在其間界定一間隙，該間隙之一寬度大於或等於該複數個瘤節之一間距的約75%； 該複數個瘤節包含一第一組瘤節及包圍該第一組瘤節之一第二組瘤節；且 其中每單位面積的該第二組瘤節在垂直於支撐平面的方向上之勁度大於或等於每單位面積的該第一組瘤節在垂直於該支撐平面的該方向上之勁度的約150%。

Description

用於微影設備中的基板固持器及器件製造方法

本發明係關於用於微影設備中之基板固持器且係關於器件製造方法。

微影設備為經建構以將所要圖案施加至基板上之機器。微影設備可用於例如積體電路(IC)之製造中。微影設備可例如將圖案化器件(例如光罩)之圖案(常常亦稱為「設計佈局」或「設計」)投影至設置於基板(例如晶圓)上之一層輻射敏感材料(抗蝕劑)上。

隨著半導體製造製程之不斷進步，幾十年來，電路元件之尺寸已不斷地縮減，而每一器件之諸如電晶體的功能元件之量已穩定地增大，此遵循通常稱為「莫耳定律(Moore's law)」之趨勢。為了跟得上莫耳定律，半導體行業正追逐能夠產生愈來愈小特徵的技術。為了將圖案投影於基板上，微影設備可使用電磁輻射。此輻射之波長判定經圖案化於基板上之特徵的最小大小。當前在使用中之典型波長為365 nm (i線)、248 nm、193 nm及13.5 nm。

在微影設備中，將待曝光之基板(其可稱為生產基板)固持於基板固持器(有時稱為晶圓台)上。基板固持器可相對於投影系統移動。基板固持器通常包含由剛性材料製成且具有與待支撐之生產基板類似之平面尺寸的實心體。實心體之面向基板的表面具備複數個突起(稱為瘤節)。瘤節之遠端表面與扁平平面共形且支撐基板。瘤節提供若干優點：基板固持器上或基板上之污染物顆粒可能掉落於瘤節之間且因此不會引起基板之變形；相比於使實心體之表面扁平，更易於對瘤節進行機械加工因此其末端與平面共形；且可調整瘤節之性質例如以控制基板之夾持。

在製造器件之製程中，尤其當形成具有顯著高度的結構(例如所謂的3D-NAND)時，生產基板可能變形。基板通常可能變成「碗形」，亦即自上面看為凹形，或變成「傘形」，亦即自上面看為凸形。出於本發明之目的，將在其上形成器件結構之表面稱為頂部表面。在此內容背景中，在垂直於基板之標稱表面的方向上量測「高度」，該方向可稱為Z方向。碗形及傘形基板在例如藉由部分地抽空基板與基板固持器之間的空間來夾持至基板固持器上時在一定程度上變扁平。然而，若通常藉由基板之表面上之最低點與基板之表面上之最高點之間的高度差來量測的變形量太大，則可能出現各種問題。詳言之，可能難以充分夾持基板，在裝載及卸載基板期間可能存在瘤節之過度磨損，且基板之表面之剩餘高度變化可能太大而無法在基板之所有部分上、尤其靠近邊緣的部分上進行正確的圖案化。

本發明之一目標為提供一種基板固持器，其能夠在具有高度變形之基板上有效地形成圖案。

在本發明之一實施例中，提供一種用於一微影設備中且經組態以支撐一基板之基板固持器，該基板固持器包含： 一主體，其具有一主體表面； 複數個瘤節，其自該主體表面突出且各自具有一遠端表面，該遠端表面與一支撐平面實質上共形且經組態以用於支撐該基板；及 一邊緣密封件，其自該主體表面突出且圍繞該複數個瘤節延伸，以便在由該基板固持器固持一基板時限制氣流；其中： 該邊緣密封件與該複數個瘤節間隔開，以便在該等邊緣密封件與該複數個瘤節之間界定一間隙，該間隙之一間隙寬度大於或等於該複數個瘤節之一間距的約75%； 該複數個瘤節包含一第一組瘤節及一第二組瘤節，該第二組瘤節包圍該第一組瘤節；且 其中每單位面積的該第二組瘤節在垂直於該支撐平面的方向上之勁度大於或等於每單位面積的該第一組瘤節在垂直於該支撐平面的該方向上之勁度的約150%。

本發明之一實施例亦提供器件製造方法，其包含： 藉由減小主體表面與基板之間的壓力來將該基板固持於如上文所描述之基板固持器上；及 將一圖案施加至該基板。

在本文件中，術語「輻射」及「光束」用以涵蓋所有類型之電磁輻射，包括(例如具有436、405、365、248、193、157、126或13.5 nm之波長的)紫外輻射。

本文中所使用之術語「倍縮光罩」、「光罩」或「圖案化器件」可廣泛地解譯為指可用以向經圖案化橫截面賦予入射輻射光束之通用圖案化器件，該經圖案化橫截面對應於待在基板之目標部分中產生之圖案。在此內容背景中亦可使用術語「光閥」。除經典光罩(透射或反射、二元、相移、混合式等)以外，其他此類圖案化器件之實例包括可程式化鏡面陣列及可程式化LCD陣列。

圖1示意性地描繪微影設備LA。微影設備包括：照明系統(亦稱為照明器) IL，其經組態以調節輻射光束B (例如EUV輻射或DUV輻射)；光罩支撐件(例如光罩台) MT，其經建構以支撐圖案化器件(例如光罩) MA且連接至經組態以根據某些參數準確地定位圖案化器件MA之第一定位器PM；基板支撐件(例如基板固持器) WT，其經建構以固持基板(例如經抗蝕劑塗佈的晶圓) W且連接至經組態以根據某些參數準確地定位基板支撐件WT之第二定位器PW；及投影系統(例如折射性投影透鏡系統) PS，其經組態以將由圖案化器件MA賦予輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C (例如包含一或多個晶粒)上。

在操作中，照明系統IL例如經由光束遞送系統BD自輻射源SO接收輻射光束B。照明系統IL可包括用於引導、塑形及/或控制輻射之各種類型之光學組件，諸如折射、反射、磁性、電磁、靜電及/或其他類型之光學組件，或其任何組合。照明器IL可用來調節輻射光束B，以在圖案化器件MA之平面處在其橫截面中具有所要空間及角強度分佈。

本文所使用之術語「投影系統」PS應廣泛地解釋為涵蓋適於所使用之曝光輻射及/或適於諸如浸潤液體之使用或真空之使用之其他因素的各種類型之投影系統，包括折射、反射、折反射、合成、磁性、電磁及/或靜電光學系統，或其任何組合。可認為本文中對術語「投影透鏡」之任何使用均與更一般術語「投影系統」PS同義。

微影設備可屬於以下類型：其中基板W之至少一部分可由具有相對高折射率之浸潤液體(例如水)覆蓋以便填充投影系統PS與基板W之間的浸潤空間，此亦稱為浸潤微影。以引用方式併入本文中之US 6,952,253中給出關於浸潤技術之更多資訊。

微影設備可屬於具有兩個或更多個基板支撐件WT (亦稱為「雙載物台」)之類型。在此類「多載物台」機器中，可並行地使用基板支撐件WT，及/或可在位於基板支撐件WT中之一者上的基板W上實行準備基板W之後續曝光中的步驟，同時將其他基板支撐件WT上之另一基板W用於曝光其他基板W上之圖案。

除了基板支撐件WT之外，微影設備可包含量測載物台(未在圖1中描繪)。量測載物台經配置以固持感測器及/或清潔器件。感測器可經配置以量測投影系統PS之性質或輻射光束B之性質。量測載物台可固持多個感測器。清潔器件可經配置以清潔微影設備之部分，例如投影系統PS之一部分或提供浸潤液體之系統之一部分。量測載物台可在基板支撐件WT遠離投影系統PS時在投影系統PS之下移動。

在操作中，輻射光束B入射於固持於光罩支撐件MT上之例如光罩的圖案化器件MA上，且由存在於圖案化器件MA上之圖案(設計佈局)來圖案化。在已橫穿光罩MA的情況下，輻射光束B穿過投影系統PS，該投影系統PS將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。藉助於第二定位器PW及位置量測系統PMS，可準確地移動基板支撐件WT，例如以便在聚焦且對準之位置處在輻射光束B之路徑中定位不同目標部分C。類似地，第一定位器PM及(可能)另一位置感測器(其未在圖1中明確地描繪)可用以相對於輻射光束B之路徑來準確地定位圖案化器件MA。可使用光罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化器件MA與基板W。儘管如所說明之基板對準標記P1、P2佔據專用目標部分，但該等基板對準標記P1、P2可位於目標部分之間的空間中。在基板對準標記P1、P2位於目標部分C之間時，該等基板對準標記P1、P2稱為切割道對準標記。

在本說明書中，使用笛卡兒座標系。笛卡兒座標系具有三個軸，亦即，x軸、y軸及z軸。三個軸中之每一者與其他兩個軸正交。圍繞x軸之旋轉稱為Rx旋轉。圍繞y軸之旋轉稱為Ry旋轉。圍繞z軸之旋轉稱為Rz旋轉。x軸及y軸界定水平平面，而z軸在豎直方向上。笛卡兒座標系不限制本發明且僅用於闡明。實情為，可使用諸如圓柱座標系的另一座標系來闡明本發明。笛卡兒座標系之定向可以不同，例如使得z軸具有沿著水平平面之分量。

在微影設備中，有必要以高準確度將待曝光之基板的上部表面定位於藉由投影系統投影之圖案之空中影像之最佳焦點的平面中。為了達成此情形，將基板固持於基板固持器上。支撐基板之基板固持器之表面具備複數個瘤節，其遠端在標稱支撐平面中共面。瘤節儘管眾多，但其平行於支撐平面的橫截面面積較小，使得其遠端之總橫截面面積為基板之表面面積的百分之幾，例如小於5%。瘤節之形狀通常為圓錐形，但不必為圓錐形。基板固持器與基板之間的空間中之氣壓相對於基板上方之壓力減小，以產生將基板夾持至基板固持器之力。或者，基板固持器具備可使用靜電壓力來夾持導電基板之數個電極。

瘤節用於若干目的。舉例而言，若污染物顆粒存在於基板固持器或基板上，則其可能不位於瘤節之部位處且因此不會使基板變形。此外，相比於製造具有極低平坦性之大的區域，更易於製造瘤節使得其遠端與扁平平面準確地共形。此外，可例如藉由施加塗層或改變瘤節之尺寸來改變瘤節之性質。

圖2及圖3以橫截面描繪在分別夾持碗形及傘形基板W時習知基板固持器WH之邊緣處的情況。應注意，出於解釋之目的，在圖2及圖3中極大誇張了基板W之變形。在製造器件時，期望每基板製造儘可能多之器件，此意謂期望儘可能靠近基板W之邊緣成像。在許多情況下，期望在離基板W之邊緣幾毫米(例如3毫米或更小)處形成圖案。因此，基板固持器WH之效能可藉由考慮涵蓋待形成圖案之最向外位置之所關注區域AoI中之所夾持基板W之表面之形狀來判斷。詳言之，基板固持器WH之效能可基於相對於基板W之平均高度的最大高度差來判斷。

比較圖2及圖3，可看出，在夾持碗形基板時，基板W之邊緣可能無法接觸最外瘤節20。邊緣密封件85 (其亦可稱為真空邊緣密封件)在基板W下方之空間經抽空以提供壓力差動以夾持基板W時減少流入該空間中之氣體。即使未夾持(未加壓)基板中之變形量類似，碗形基板在夾持時所關注區域AoI之變形亦高於傘形基板。因此，期望設置基板固持器，其可提供夾持碗形基板之改良效能，但理想地對夾持傘形基板之效能具有很少損害或無損害。

為了解決先前技術之缺點中之至少一些，本發明之一實施例提供基板固持器WH，其中間隙設置於瘤節與邊緣密封件85之間。間隙不含瘤節及到達支撐平面之其他突起，且寬度為瘤節之間距的至少75%。瘤節劃分成兩個組，第一組及包圍第一組之第二組。因此，第二組為最靠近邊緣密封件85之彼等瘤節20b。第二組瘤節20b經組態以使得給定面積中之總豎直勁度(亦即，在垂直於支撐平面方向上之勁度)為第一組中之瘤節20a在相同大小之相當面積中之總勁度的至少150%。

實驗及模擬顯示如上經建構之基板固持器WH可提供夾持碗形基板時之更佳效能，而不對夾持傘形基板時之效能造成不可接受的損害。藉由例如藉由將真空邊緣密封件85定位成更靠近基板固持器WH之邊緣來增大最外瘤節20b與真空邊緣密封件85之間的間隙，將更大的力施加於基板W之外部分上，使得碗形基板更扁平。因此，由最外瘤節20b中之每一者抵抗之力增大，且因此最外瘤節20b之勁度增大以進行補償。因此，最外瘤節20b (第二組)未過度壓縮。

在夾持碗形基板時，其極邊緣未經支撐，使得基板W之外部分形成離開最外瘤節20b之懸臂支架。在夾持傘形基板時，施加於最外瘤節20b上之力亦增大，且此可導致最外瘤節20b之更大壓縮，但最外瘤節20b之增大的勁度抵消此效應。因此，具有傘形瘤節之基板固持器WH之效能未受到不利影響，或至少任何不利效應均為可接受的。

在實施例中，基板固持器WH在平面上為圓形，且瘤節以同心環配置。一些瘤節可不以同心環配置，例如在基板固持器WH中之穿孔89附近。邊緣密封件85亦為環形，且與瘤節之環同心。第二組瘤節20b可為最外環。間隙之寬度D相對於第二組之最內環與下一環(亦即，第一組之最外環)之間的徑向距離P來判定。

在其中瘤節未以同心環配置之實施例中，間隙寬度理想地相對於第一組之瘤節之平均(例如平均值、眾數或中間值)間距來判定。間距定義為相鄰瘤節之中心至中心距離。在大多數情況下，在基板固持器WH上，瘤節之間距將為均一的。然而，有時可存在變化，例如在基板固持器WH之諸如e銷的孔或真空口的其他特徵附近。在瘤節之間距存在變化的情況下，平均值、眾數及中間值可能極類似。

在其中瘤節未以同心環配置之一實施例中，第二組瘤節由在距邊緣密封件小於平均間距之距離內的彼等瘤節組成。

熟習此項技術者將理解，瘤節之豎直勁度為施加至其遠端之豎直壓縮力之大小與產生之壓縮量(高度變化所占初始高度之比例)的比。瘤節之集合之面積勁度(每單位面積之勁度)藉由個別瘤節之勁度及瘤節之密度(每單位面積之瘤節數)來判定。在本發明之一實施例中，與第一組相比，在第二組中，個別瘤節之勁度或瘤節之密度中之任一者或兩者可改變。在其中第二組瘤節由瘤節之單一最外環組成之一實施例中，第二組瘤節20b之密度藉由瘤節之圓周間隔來判定。

可由不同手段改變個別瘤節之勁度，例如藉由改變其橫截面面積、藉由改變其形狀(例如更為錐形或更不錐形)或藉由改變其組成。

間隙寬度D為間距之至少75%，且理想地為間距P之至少80%。間隙寬度D理想地為間距P之至少90%。在一實施例中，其為間距P之約100%。咸信更寬間隙能夠固持具有更大翹曲量之基板。理想地，間隙寬度D不大於間距P之125%。

在一實施例中，每單位面積的第二組瘤節20b之豎直勁度為第一組之豎直勁度的至少150%，且理想地為第一組之豎直勁度的至少160%。在一實施例中，每單位面積的第二組瘤節20b之豎直勁度為第一組之豎直勁度的至少180%。在一實施例中，每單位面積的第二組瘤節20b之豎直勁度不大於第一組之豎直勁度的200%。

根據一實施例之基板固持器WH之一部分以橫截面展示於圖4及圖5中。在圖4中，基板固持器WH展示為夾持碗形基板；在圖5中，其展示為夾持傘形基板。如同圖2及圖3，在圖4及圖5中極大誇張了基板W之變形。在圖4及圖5中，外瘤節20b由不同陰影線指示，且展示為大於其他瘤節以僅幫助在視覺上將其與其他瘤節區分；此不應視為指示外瘤節20b必須具有與其他瘤節不同的材料或大小。整個基板固持器WH以平面展示於圖6中。在圖6中，為清楚起見，瘤節之大小經誇張，且數目大大減少。

基板固持器WH安裝於基板支撐件WT上。基板固持器WH包含具有主體上部表面22之主體21及自主體上部表面22突出之複數個瘤節20。基板W可由瘤節20之遠端表面支撐，該等遠端表面與實質上扁平之支撐平面共形以在扁平狀態下支撐基板W。主體21及瘤節20可由SiSiC形成，其為在矽基質中具有碳化矽(SiC)顆粒之陶瓷材料。瘤節20可與主體21一體，且藉由加性或減性技術形成。或者，瘤節20可沈積於主體21上，且可由不同於主體21之材料形成。第二組之瘤節20b可使用與第一組之瘤節20a不同的技術及/或不同的材料形成。用於製造基板固持器WH之合適材料及技術為此項技術中已知的。

複數個穿孔89形成於主體21中。穿孔89允許e銷穿過基板固持器WH突出以接收基板W且允許抽空基板W與基板固持器WH之間的空間。亦可設置用於抽空基板W與基板固持器WH之間的空間之獨立穿孔。基板W與基板固持器WH之間的空間之抽空可藉由產生與基板W上方之空間的壓力差來提供夾持力以將基板W固持在適當位置。在使用EUV輻射之微影設備中，基板W上方之空間處於低壓，使得無法產生足夠的壓力差動。因此，電極可設置於基板固持器WH上以形成靜電夾具。可設置例如用以控制基板固持器WH與基板W之間的氣流及/或熱導率之其他結構。基板固持器WH亦可具備用以控制基板固持器WH及基板W之溫度的電子組件，例如加熱器及感測器。

在基板固持器WH之周邊附近設置邊緣密封件85。邊緣密封件85為圍繞基板固持器WH之外部之突出脊。其高度略短於瘤節20之高度，使得其不接觸未變形之基板W，但減少進入基板W與基板固持器WH之間的空間之氣流，從而改良真空夾持。當施加真空夾持時，邊緣密封件85外部之氣體壓力將大於其內部之氣體壓力。若邊緣密封件85之直徑小於基板W之直徑，則基板W之自邊緣密封件85徑向朝外之彼等部分將不會受到夾持力，或與自邊緣密封件85向內之彼等部分相比受到減小的夾持力。

在一實施例中，瘤節20之高度在100 µm至500 µm之範圍內，例如約150 µm。瘤節20之遠端表面之直徑可在100 µm至500 µm之範圍內，例如約200 µm、210 µm、270 µm或350 µm。瘤節20之間距(亦即，兩個相鄰瘤節20之中心之間的距離)可在約0.5 mm至3 mm之範圍內，例如約1.5 mm、2 mm或2.5 mm。在一實施例中，所有瘤節20之遠端表面之總面積在基板W或基板固持器WH之總面積的1%至3%之範圍內。瘤節20可為截頭圓錐形形狀，具有略微傾斜之側壁。在一實施例中，側壁可為豎直或甚至懸伸的(若更便於製造)。在一實施例中，瘤節20在平面中為圓形。視需要，瘤節20亦可以其他形狀形成。

在一實施例中，可將一或多個塗層施加至瘤節20之所有或部分以控制其性質，諸如瘤節20與基板W之間的摩擦。舉例而言，一層類金剛石碳(DLC)可設置於瘤節20之遠端表面上以形成釋放結構。

圖7描繪藉由基板固持器WH之不同設計夾持不同翹曲量之基板W的FEM模擬之結果。橫向軸指示經卸載基板之翹曲量(峰谷) (以μm為單位)，而豎直軸指示在所關注區域AoI處基板W之平均高度的高度變化(以nm為單位)，在此情況下為在距300 mm基板之邊緣3 mm處。實心三角形(I)描繪來自一基板固持器之結果，該基板固持器的瘤節之最外環與邊緣密封件之間的間隙小於間距之75%且所有瘤節具有相同勁度及密度。空心菱形(II)描繪一基板固持器的結果，該基板固持器類似於實例I之基板固持器但亦具有根據本發明之一實施例配置之瘤節及邊緣密封件。

將看出，實例I之基板固持器對於傘形晶圓表現較佳，但對於碗形晶圓表現不佳。另一方面，本發明之實施例--固持器II在對碗形晶圓之效能上提供極顯著的改良，但對傘形基板之效能並無顯著劣化。將看出，本發明之一實施例能夠比未根據本發明之等效基板固持器固持更寬範圍之基板。

儘管在本文中可具體地參考微影設備在IC製造中之使用，但應理解，本文中所描述之微影設備可具有其他應用，諸如製造積體光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭等等。熟習此項技術者應瞭解，在此等替代應用之內容背景中，可認為本文中對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更一般術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在(例如)塗佈顯影系統(通常將一層抗蝕劑施加至基板且使經曝光抗蝕劑顯影之工具)、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文中所提及之基板。在適用情況下，可將本文中之發明應用於此等及其他基板處理工具。此外，可處理基板多於一次，例如，以便產生多層IC，使得本文中所使用之術語基板亦可指已經含有一或多個經處理層之基板。

儘管可在上文具體地參考本發明之實施例在光學微影之內容背景中的使用，但應瞭解，本發明可用於其他應用中。

雖然上文已描述本發明之具體實施例，但應瞭解，可以與所描述方式不同之其他方式來實踐本發明。

以上描述意欲為說明性，而非限制性的。由此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所陳述之申請專利範圍之範疇的情況下對如所描述之本發明進行修改。

20:瘤節 20a:瘤節 20b:瘤節 21:主體 22:主體上部表面 85:邊緣密封件 89:穿孔 AoI:所關注區域 B:輻射光束 BD:光束遞送系統 C:目標部分 D:寬度 I:實心三角形 II:空心菱形 IL:照明系統 LA:微影設備 M1:光罩對準標記 M2:光罩對準標記 MA:圖案化器件 MT:光罩支撐件 P:徑向距離 P1:基板對準標記 P2:基板對準標記 PM:第一定位器 PMS:位置量測系統 PS:投影系統 PW:第二定位器 SO:輻射源 W:基板 WH:基板固持器 WT:基板支撐件 X:x軸 Y:y軸 Z:z軸

現將參看隨附示意性圖式僅藉助於實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中，對應元件符號指示對應部件，且其中： 圖1示意性地描繪微影設備； 圖2描繪夾持碗形基板之習知基板固持器之部分； 圖3描繪夾持傘形基板之習知基板固持器之部分； 圖4描繪根據本發明之實施例之夾持碗形基板的基板固持器之部分； 圖5描繪根據本發明之實施例之夾持傘形基板的基板固持器之部分； 圖6以平面描繪圖4及圖5之基板固持器；且 圖7為展示在習知基板固持器及根據本發明之實施例的基板固持器上夾持具有各種翹曲量之基板的效果之有限元素分析之結果的圖表。

20a:瘤節

20b:瘤節

21:主體

22:主體上部表面

85:邊緣密封件

AoI:所關注區域

W:基板

WH:基板固持器

WT:基板支撐件

Claims (11)

1. 一種用於一微影設備中且經組態以支撐一基板之基板固持器，該基板固持器包含： 一主體，其具有一第一表面及與該第一表面相對之一第二表面； 複數個瘤節(burls)，其自該第一表面突出(project)且各自具有一遠端表面(distal end surface)，該遠端表面與一支撐平面實質上共形(conform)且經組態以用於支撐該基板； 複數個額外瘤節，其自該第二表面突出且各自具有一遠端表面，該遠端表面與一平面實質上共形以便於支撐在一基板支撐件上之該基板；及 一第一邊緣密封件(edge seal)，其自該第一表面突出且圍繞該複數個瘤節延伸，以便在由該基板固持器固持一基板時限制氣流； 其中該複數個瘤節包含一第一組瘤節及一第二組瘤節，該第二組瘤節包圍(surrounding)該第一組瘤節，該等瘤節之直徑係在210 µm至270 µm之範圍內。
2. 如請求項1之基板固持器，其中該第二組瘤節具有與該第一組瘤節不同之一尺寸。
3. 如請求項1之基板固持器，其中該第二組瘤節係使用與該第一組瘤節不同之一技術及/或不同之材料形成。
4. 如請求項1之基板固持器，其中該等瘤節與該主體一體(integral with)，且藉由加性(additive)或減性(subtractive)技術形成或沈積於該主體上，且該等瘤節由不同於該主體之一材料形成。
5. 如請求項1之基板固持器，其中該主體及該等瘤節係由SiSiC形成。
6. 如請求項1至5任一項之基板固持器，其中該第一邊緣密封件具有一高度，其略短於該等瘤節之高度。
7. 如請求項1至5任一項之基板固持器，其進一步包含一第二邊緣密封件，其自該第二表面突出且圍繞該複數個額外瘤節延伸。
8. 如請求項1至5任一項之基板固持器，其中該基板固持器具備一加熱器、及/或一感測器、及/或電極以形成一靜電夾具(electrostatic clamp)。
9. 如請求項1至5任一項之基板固持器，其中一或多個塗層係施加至該等瘤節之所有或部分。
10. 如請求項9之基板固持器，其中該塗層包含一層類金剛石碳(DLC)。
11. 一種用於將一圖案施加至一基板之微影設備，該設備包含如請求項1至10中任一項之基板固持器。

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