TW202105468A - 用於微影裝置的基板固持器 - Google Patents

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Abstract

本發明係關於一種基板固持器，其包含：一主體，其由一導電材料形成，複數個瘤節自該主體突出；一絕緣層，其安置於此等瘤節之一群組之至少遠端上；及耐磨損之一硬質層，其安置於該絕緣層上。本發明進一步係關於一種基板固持器，其包含：一主體，其由一絕緣材料形成，複數個瘤節自該主體突出；耐磨損之一硬質層，其安置於此等瘤節之一群組之遠端上且經定位至該等遠端。本發明進一步係關於一種包含此等基板固持器中之任一者之微影裝置。

Description

用於微影裝置的基板固持器
本發明係關於一種微影裝置，特定言之一種用於微影裝置的基板固持器。
微影裝置為經建構以將所要圖案施加至基板上之機器。微影裝置可用於例如積體電路(IC)之製造中。微影裝置可例如將圖案化器件(例如光罩)之圖案(亦常常被稱作「設計佈局」或「設計」)投影至提供於基板(例如晶圓)上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上。
當將圖案自圖案化器件轉印時，基板被夾持至微影裝置中之基板固持器上。基板固持器通常具有用以支撐基板之複數個瘤節。與基板之總面積相比較，接觸基板的瘤節之總面積較小。因此，污染物粒子隨機地位於基板之表面上或基板固持器被截留於瘤節與基板之間的機會小。又，在製造基板固持器時，相比於可將較大表面準確地製成扁平，可將瘤節之頂部更準確地製成共平面。
基板固持器可由導電材料製成，或替代地由電絕緣材料製成。需要可使用習知製造方法易於加工成一定形狀的材料。然而，當自基板固持器裝載及卸載基板時，基板固持器之材料可快速磨損。
因此需要用耐磨損之硬質層塗佈基板固持器之瘤節。硬質層可由類金剛石碳(DLC)或相似材料構成。硬質層可定位於每一瘤節之遠端上，使得每一瘤節上之硬質層部分在材料上彼此分離。硬質層可為導電的。
然而，已發現，儘管存在此硬質層，基板固持器仍經歷非均勻的降級。此非均勻降級將導致基板固持器之支撐平面並非大體上扁平的。由不均勻支撐平面固持之基板在微影製程期間更可能經歷聚焦或疊對誤差。
舉例而言，需要提供一種對降級更穩固的基板固持器。
根據本發明之一態樣，提供一種用於一微影裝置中且經組態以支撐一基板之基板固持器，該基板固持器包含：一主體，其由一導電材料形成且具有一主體表面；複數個瘤節，其自該主體表面突出且各自具有大體上遵循一支撐平面之一遠端表面且經組態以用於支撐該基板；一絕緣層，其安置於該等瘤節之一群組之至少遠端上；及 一硬質層，其安置於該絕緣層上且經定位至該瘤節群組之該等遠端，其中該硬質層耐磨損。
根據本發明之一態樣，提供一種用於一微影裝置中且經組態以支撐一基板之基板固持器，該基板固持器包含：一主體，其由一絕緣材料形成且具有一主體表面；複數個瘤節，其自該主體表面突出且各自具有大體上遵循一支撐平面之一遠端表面且經組態以用於支撐該基板；一硬質層，其安置於該瘤節群組之遠端上且經定位至該瘤節群組之該等遠端，其中該硬質層耐磨損，其中：該瘤節群組之任何兩個瘤節之間的電阻至少為100 MΩ，該電阻在定位於該任何兩個瘤節上之該硬質層處可量測。
根據本發明之一態樣，提供一種微影器件製造方法，其包含使用一基板固持器，該基板固持器經組態以支撐一基板，該基板固持器包含：一主體，其由一絕緣材料形成且具有一主體表面；複數個瘤節，其自該主體表面突出且各自具有大體上遵循一支撐平面之一遠端表面且經組態以用於支撐該基板；一硬質層，其安置於該瘤節群組之遠端上且經定位至該瘤節群組之該等遠端，其中該硬質層耐磨損，其中：該瘤節群組之任何兩個瘤節之間的電阻至少為100 MΩ，該電阻在定位於該任何兩個瘤節上之該硬質層處可量測。
在本文件中，術語「輻射」及「光束」用以涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線輻射(例如，具有為365 nm、248 nm、193 nm、157 nm或126 nm之波長)及極紫外線(EUV)輻射(例如具有約13 nm之波長)。
本文中所使用之術語「倍縮光罩」、「光罩」或「圖案化器件」可被廣泛地解譯為係指可用以向入射輻射光束賦予經圖案化橫截面之通用圖案化器件，該經圖案化橫截面對應於待在基板之目標部分中產生之圖案。在此內容背景中，亦可使用術語「光閥」。除經典光罩(透射或反射；二元、相移、混合式等)以外，其他此類圖案化器件之實例包括可程式化鏡面陣列及可程式化LCD陣列。
圖1示意性地描繪一實施例之微影裝置LA。該微影裝置LA包含： - 視情況，照明系統(照明器) IL，其經組態以調節輻射光束B (例如UV輻射或DUV輻射)； - 圖案化器件支撐結構(例如光罩台) T，其通常包含倍縮光罩夾具，該倍縮光罩夾具經建構以支撐圖案化器件(例如光罩) MA且連接至經組態以根據某些參數來準確地定位該圖案化器件MA之第一定位器PM； - 支撐台，例如用以支撐一或多個感測器之感測器台或基板台或晶圓台WT，其經建構以固持基板(例如抗蝕劑塗佈之生產基板) W，連接至經組態以根據某些參數來準確定位例如基板W之台之表面的第二定位器PW；及 - 投影系統(例如，折射投影透鏡系統) PS，其經組態以將由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C (例如，包含晶粒之部分、一個晶粒或多個晶粒)上。
在操作中，照明器IL例如經由光束遞送系統BD自輻射源SO接收輻射光束。照明系統IL可包括用於導向、塑形及/或控制輻射的各種類型之光學組件，諸如，折射、反射、磁性、電磁、靜電及/或其他類型之光學組件，或其任何組合。照明器IL可用以調節輻射光束B，以在圖案化器件MA之平面處在其橫截面中具有所要空間及角強度分佈。
本文所使用之術語「投影系統」PS應被廣泛地解譯為涵蓋適於所使用之曝光輻射及/或適於諸如浸潤液體之使用或真空之使用之其他因素的各種類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、合成、磁性、電磁及/或靜電光學系統，或其任何組合。可認為本文中對術語「投影透鏡」之任何使用皆與更一般之術語「投影系統」同義。
微影裝置LA可屬於具有兩個或多於兩個支撐台之類型，例如，兩個或多於兩個支撐台，或一或多個支撐台及一或多個清潔台、感測器台或量測台之組合。舉例而言，微影裝置LA為包含位於投影系統之曝光側處之兩個或多於兩個台的多載物台裝置，每一台包含及/或固持一或多個物件。在一實例中，該等台中之一或多者可固持輻射敏感基板。在一實例中，該等台中之一或多者可固持用以量測來自投影系統之輻射之感測器。在一實例中，多載物台裝置包含經組態以固持輻射敏感基板之第一台(亦即支撐台)及未經組態以固持輻射敏感基板的第二台(下文中通常且非限制性地被稱作量測台、感測器台及/或清潔台)。第二台可包含及/或可固持除輻射敏感基板之外的一或多個物件。此一或多個物件可包括選自以下各者之一或多個物件：用以量測來自投影系統之輻射之感測器、一或多個對準標記，及/或清潔器件(用以清潔(例如)液體限制結構)。
在操作中，輻射光束B入射於存在於圖案化器件(例如光罩) MA上之圖案(設計佈局)上，該圖案化器件被固持於支撐結構(例如光罩台) T上；且由該圖案化器件MA圖案化。在已橫穿圖案化器件MA之情況下，輻射光束B傳遞通過投影系統PS，投影系統PS將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位器PW及位置感測器PMS (例如干涉器件、線性編碼器、2D編碼器或電容式感測器)，可準確移動基板台WT，例如以便使不同目標部分C在聚焦且對準位置處定位於輻射光束B之路徑中。相似地，第一定位器PM及另一位置感測器(其未在圖1中明確地描繪)可用以相對於輻射光束B之路徑來準確地定位圖案化器件MA。可使用圖案化器件對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化器件MA及基板W。儘管所說明之基板對準標記P1、P2佔據專用目標部分C，但其可位於目標部分C之間的空間中(此等標記被稱為切割道對準標記)。
基板台WT包含基板固持器60。圖2描繪根據一實施例之用於微影裝置LA的基板固持器60。基板固持器60係用於支撐基板W。基板固持器60包含主體21。主體21具有主體表面22。提供自主體表面22突出之複數個瘤節20。每一瘤節20之遠端表面與基板W嚙合。瘤節20之遠端表面係共面的，亦即，瘤節20之遠端表面大體上遵照支撐平面SP且支撐基板W。主體21可由SiC、SiSiC、氧化矽、氮化矽、碳化矽、氧化鋁、陶瓷或其組合形成。瘤節20可由與主體21相同的材料形成，或可由不同材料形成。
瘤節20之高度可在10 µm至500 µm之範圍內，例如約150 µm。瘤節20之遠端表面之直徑可在100 µm至300 µm之範圍內，例如約200 µm。瘤節20之間距可在約0.5 mm至3 mm之範圍內，例如約1.5 mm。瘤節20之間距為兩個鄰近瘤節20之中心之間的距離。所有瘤節20之遠端表面之總面積可在基板固持器60之總面積的1%至3%之範圍內。瘤節20之形狀可為截頭圓錐形，其中瘤節側表面稍微傾斜。替代地，瘤節側表面可為豎直或甚至懸垂的。瘤節20之平面可為圓形。替代地，視需要瘤節20亦可以其他形狀而形成。
為了減少瘤節20之磨損及摩擦，可將硬質層安置於瘤節中之至少一些上，該硬質層定位至彼等瘤節之遠端。硬質層可包含定位至瘤節之遠端的複數個材料上分離之硬質層部分。硬質層可由以下各者構成：CrN、TiN、氧化鋁、金剛石、類金剛石碳、摻雜類金剛石碳、立方氮化硼、碳化矽或氮化鉻、含有Ti、W及Mo中之一或多者之合金或其組合。
複數個通孔89可形成於主體21中。通孔89允許e銷釘突出穿過基板固持器60以收納基板W。通孔89亦可允許抽空基板W與基板固持器60之間的空間。若亦未抽空基板W上方的空間，則抽空基板W與基板固持器WT之間的空間可提供夾持力。夾持力將基板W保持在適當位置。若亦抽空基板W上方的空間，正如在使用EUV輻射之微影裝置中的狀況一樣，則可將電極提供於基板固持器60上以形成靜電夾具。
可提供例如用以控制基板固持器60與基板W之間的氣流及/或熱導率之其他結構。基板固持器60可具備電子組件。電子組件可包含加熱器及感測器。加熱器及感測器可用以控制基板固持器60及基板W之溫度。
圖3以圖解330描繪基板沖洗製程，自圖解310中之該製程在基板W上產生表面電荷，且歸因於圖解320中之使用而在基板固持器60上出現典型氧化圖案。本發明人已發現，基板沖洗製程之特徵與基板W上之背面電荷之圖案對應，且亦已發現，該背面電荷對應於基板固持器60上之氧化圖案。在圖解310、320及330中，基板W之特徵以豎直方式對應。換言之，指示基板W上之部位之導引線332a橫越三個圖解310、320及330對應。
圖解330描繪此基板沖洗製程，具體言之，自旋沖洗製程(SRS)。在運用噴嘴332將例如超純水(UPW)之液體串流331施加至基板W的同時，使基板W以高速旋轉。在施加液體串流331的同時使基板W高速旋轉有助於橫越基板W之背面之液體的均勻分佈。噴嘴332不應被認為限制至噴嘴組件。噴嘴332之部位亦可指示所施加液體串流331之起始點，或基板W經歷來自液體串流331之最高液體壓力之部位。
在此基板沖洗製程期間，可在基板W之背面上產生不受控制的表面電荷。圖解310描繪在沖洗之後沿著基板W之背面之直徑的局部電荷。水平軸指示沿著基板直徑之位移，且豎直軸指示沿著基板直徑在該點處之局部電荷。豎直軸上之位準311指示中性電荷位準。此線上方之局部電荷將導致材料減少，而此線下方之局部電荷將導致材料氧化。導引線332a指示沿著基板W之直徑的基板背面電荷中之波谷312對應於在沖洗製程期間噴嘴332之部位。換言之，在沖洗步驟期間在噴嘴332之部位處出現在沖洗之後的基板背面電荷中之波谷312。
雖然圖3展示歸因於基板沖洗而在基板背面上產生的不受控制之表面電荷，但歸因於其他機制，可在基板之任何表面上產生不受控制的表面電荷，諸如：歸因於其他基板清潔方法(例如：洗滌器清潔製程)之充電；歸因於其他製程步驟之充電，該等製程步驟諸如乾式蝕刻、預清潔、離子植入、曝光或圖案誘發充電效應(均勻及非均勻電漿中之電子遮蔽)；或歸因於諸如高電漿密度等之其他機制之充電。本發明不限於歸因於基板沖洗而在基板上產生的不受控制之表面電荷，且僅作為實例來進行對基板沖洗特定的描述。應瞭解，本發明適用於由任何機制產生的不受控制之表面電荷。
圖解320展示在大量使用之後在基板固持器上出現的氧化圖案。圖解320中之較暗區322指示基板固持器上之經歷較多氧化的區域。此等區332可指示基板固持器上之經歷最多氧化的區域。可看到，基板固持器60上之區332對應於基板W之表面電荷中之波谷312。換言之，基板固持器60經歷較多氧化之區332對應於置放於基板固持器60上之基板W在背面上具有較高位準之局部負表面電荷的部位。基板W背面上之該等高位準之負表面電荷的部位對應於噴嘴332之部位。因此，噴嘴332之部位與區322對應。
本發明人已發現，基板W上之表面電荷可經轉移至基板固持器60。基板之表面通常由諸如SiO2 或SiN之電絕緣材料構成，此電荷可經維持於基板之表面上直至基板被裝載至基板固持器上。因此，當例如在微影製程期間將具有表面電荷之基板裝載至基板固持器上時，此電荷可轉移至基板固持器。
本發明人已發現，基板固持器上之此電荷將增加在基板固持器上發生之電化學氧化之速率。微影裝置中之基板及基板固持器之局部環境可具有高濕度，從而加劇了此製程。可在基板固持器之瘤節20上、在定位於瘤節20上之硬質層上、在基板固持器之主體表面22上或基板固持器上之此等部位之任何組合來發生此氧化製程。
瘤節20或基板固持器之其他部分的氧化導致基板固持器較快的降級。歸因於如圖3中所展示的基板W之表面上之電荷分佈，此降級橫越基板固持器60係非均勻的。此非均勻降級將導致基板固持器之支撐平面SP並非大體上扁平的。由不均勻支撐平面SP固持之基板W在微影製程期間更可能經歷聚焦誤差。因此，需要較頻繁地替換以此方式降級之基板固持器。
為了改良基板固持器對降級之穩固性，提議減輕歸因於殘餘基板電荷而在基板固持器上發生的氧化製程。本發明提供經組態成使得任何兩個瘤節在其之間具有至少最小電阻的基板固持器。視情況，本發明之基板固持器經組態成使得瘤節群組之任何兩個瘤節之間的電容小於其之間的最大電容。選擇瘤節之間的至少最小電阻減輕了氧化製程，如將在下文中解釋。
當將具有表面電荷之基板W裝載至基板固持器60上時，基板W之不規則表面電荷輪廓可直接通過導電或經由電容而轉移至基板固持器60上。不論此電荷如何被轉移至基板固持器60，基板固持器上之電荷不平衡性都會導致電流流動以校正不平衡性。此電位差導致電化學氧化增強。因此，若可以停止或大體上減小此電位差，則亦可減小基板固持器60之氧化速率。
本發明人已鑑別出，即使在基板W之表面電荷已轉移至基板固持器60之後，藉由在基板固持器60上之瘤節群組之間引入最小電阻，亦可限制基板固持器60之氧化。首先將源自基板W之不均勻表面電荷轉移至與基板W接觸的基板固持器60之部分-即瘤節之遠端。因此，每一瘤節經歷對應於其接觸之基板W之部分之局部電荷的電荷。在給出基板W之不均勻表面電荷輪廓的情況下，瘤節將相應地各自經歷不同電荷。因此，若在該等瘤節之間存在電路徑，則電流將在其之間流動。然而，若瘤節中之每一者之間的電阻增大，則此等瘤節之間的任何電流流動減少。因此，亦減少了基板固持器60之電化學氧化。
一實施例之基板固持器可包含：一主體，其由導電材料形成且具有主體表面；複數個瘤節，其自該主體表面突出且各自具有大體上遵循支撐平面之遠端表面且經組態以用於支撐基板；一絕緣層，其安置於瘤節群組之至少遠端上；及一硬質層，其安置於該絕緣層上且經定位至瘤節群組之遠端，其中該硬質層耐磨損。
絕緣層可經組態成使得其在瘤節之群組之間提供電阻。瘤節群組之任何兩個瘤節之間的電阻可至少為100 MΩ，理想地至少500 MΩ、理想地至少1 GΩ，該電阻在定位於該任何兩個瘤節上之硬質層處可量測。
絕緣層可由選自由以下各者組成的群組之至少一種材料製成：SiC、SiSiC、氧化矽、氮化矽、碳化矽或氧化鋁或其組合。絕緣層之厚度可至少為2 nm。
硬質層可由選自由以下各者組成的群組之至少一種材料製成：CrN、TiN、氧化鋁、金剛石、類金剛石碳、摻雜類金剛石碳、立方氮化硼、碳化矽或氮化鉻、含有Ti、W及Mo中之一或多者之合金或其組合。
絕緣層可經組態成使得其在瘤節之群組之間提供電容。瘤節群組之任何兩個瘤節之間的電容可小於10 nF、理想地小於1 nF、理想地小於100 pF，該電容在定位於該任何兩個瘤節上之硬質層處可量測。
可選擇瘤節群組之任何兩個瘤節之間的最小電阻及最大電容之組合，以產生特定的電阻器-電容器(RC)時間常數。RC時間常數之電阻及/或電容可在定位於該任何兩個瘤節上之硬質層處可量測。RC時間常數之電阻及/或電容可在定位於瘤節之遠端上之硬質層與基板台WT之主體之間可量測。該電容可在基板固持器之主體與由基板固持器固持之基板之間可量測。該電容可在瘤節20與基板W之間可量測。可將RC時間常數選擇為至少10秒、理想地至少100秒、理想地至少1000秒。
可選擇關於基板固持器及/或基板之其他部分的其他電阻及/或電容。可選擇關於基板固持器及/或基板之其他部分的電阻及電容之組合，以產生特定RC時間常數。
瘤節群組可包含所有複數個瘤節。同樣，在本發明中對「瘤節」之組態之任何參考可被理解為僅指瘤節之群組，或所有瘤節。若基板W之表面電荷之輪廓可預測，則瘤節之群組可僅包含經歷高位準之局部表面電荷的瘤節。然而，即使表面電荷之輪廓可預測，無論如何亦可較佳的是，瘤節之群組包含所有瘤節。
一實施例之基板固持器可替代地包含：一主體，其由絕緣材料形成且具有主體表面；複數個瘤節，其自該主體表面突出且各自具有大體上遵循支撐平面之遠端表面且經組態以用於支撐基板；一硬質層，其安置於瘤節群組之遠端上且經定位至該瘤節群組之該等遠端，其中該硬質層耐磨損，其中：該瘤節群組之任何兩個瘤節之間的電阻至少為100 MΩ，理想地至少500 MΩ，理想地至少1 GΩ，該電阻在定位於該任何兩個瘤節上之該硬質層處可量測。
取決於主體、瘤節及硬質層之組態，及供形成其之材料，可能沒有必要具有絕緣層。
瘤節群組可包含所有複數個瘤節。若基板W之表面電荷之輪廓可預測，則瘤節之群組可僅包含經歷高位準之局部表面電荷的瘤節。然而，即使表面電荷之輪廓可預測，無論如何亦可較佳的是，瘤節之群組包含所有瘤節。
圖4及圖5展示根據本發明之實施例的基板固持器60之橫截面圖。圖4及圖5中所描繪之基板固持器60為用於支撐物件之支撐結構，特定言之，用於支撐基板W之基板固持器60。
圖4展示根據本發明之一實施例的基板固持器60之第一組態。基板固持器60包含：具有主體表面22之主體21、自該主體表面22突出之複數個瘤節20、絕緣層401及界定複數個硬質層部分402'之硬質層402。
在圖4之實施例中，基板固持器60之主體21可由導電材料製成。
在圖4之實施例中，絕緣層401安置於瘤節群組之至少遠端上。絕緣層亦可安置於瘤節之側面上，及/或瘤節20之間的主體表面22上。絕緣層可具有均勻厚度。絕緣層可由選自由以下各者組成的群組之至少一種材料製成：SiC、SiSiC、氧化矽、氮化矽、碳化矽或氧化鋁或其組合。黏接層可安置於絕緣層401與主體表面22之間。
在圖4之實施例中，硬質層402安置於絕緣層401上，經定位至瘤節群組之遠端。硬質層402可相應地包含複數個材料上分離之硬質層部分402'。硬質層部分402'中之每一者之直徑可能小於底層瘤節20之遠端之直徑、大體上等於底層瘤節之遠端之直徑或大於底層瘤節之遠端之直徑。硬質層部分402'中之每一者可包含懸於瘤節之遠端並覆蓋瘤節側面之某部分的唇緣。
兩個鄰近硬質層部分402'之中心之間的距離可等於瘤節之間距，且例如為約0.5 mm至3 mm，例如約1.5 mm。
硬質層部分402'之形狀可在幾何上相似於瘤節20之遠端表面之形狀，且例如在平面中為圓形。視需要，硬質層部分402'亦可以其他形狀形成。
硬質層402之厚度t1 (在垂直於主體表面22之方向上)較佳為0.1 µm至10 µm。
硬質層可以圖案形式安置於瘤節中之至少一些上，例如硬質層可安置於每隔兩個或三個瘤節上。
硬質層可由選自由以下各者組成的群組之至少一種材料製成：CrN、TiN、氧化鋁、金剛石、類金剛石碳、摻雜類金剛石碳、立方氮化硼、碳化矽或氮化鉻、含有Ti、W及Mo中之一或多者之合金或其組合。視情況，黏接層可安置於絕緣層401與硬質層402之間。
參看圖4之實施例，絕緣層401可經組態成使得任何兩個所關注瘤節之間的最小電阻r1 至少為給定值，例如100 MΩ。任何兩個瘤節之間的電阻r1 可在安置於該等瘤節上之硬質層部分402'處可量測。可藉由選擇絕緣層401之適當厚度來組態電阻r1 。絕緣層401之厚度可至少為2 nm及/或不多於10 nm。可藉由選擇絕緣層401之某其他幾何屬性，諸如絕緣層安置於瘤節20、瘤節之側面及/或主體表面22上所遍及之總表面積，變化不同部位處之絕緣層之厚度或變化絕緣層之表面屬性來組態電阻r1 。電阻r1可經組態成使得瘤節之間的電荷流動減少，且因此位於彼瘤節處之基板固持器60之氧化的速率及/或嚴重性亦減小。
絕緣層401亦可經組態成使得任何兩個所關注瘤節之間的電容c1 小於給定值，例如10 nF。兩個瘤節之間的電容c1 可在安置於該等瘤節上之硬質層部分402'處可量測。可藉由變化該瘤節之遠端處的絕緣層401之厚度來選擇電容c1 。可藉由使用用於絕緣層401之特定材料來選擇電容c1 。瘤節群組可經組態成在其之間具有相同的最大電容c1 ，及/或經組態成在瘤節之硬質層部分中之每一者與主體21之間具有相同的最大電容c1 。瘤節群組可經組態為在其之間具有不同的最大電容。
可為基板固持器60選擇電容c1 及電阻r1 之組合以便為橫越基板固持器之電荷轉移速率選擇特定時間常數。
存在固有時間常數，該固有時間常數係由基板固持器的第一瘤節與第二瘤節之間的電阻r1 及第一瘤節與第二瘤節之間的電容c1 之並聯組合產生。電阻r1 及電容c1 可在安置於瘤節上之硬質層部分402'處可量測。可選擇電阻r1 及電容c1 以產生特定RC時間常數。RC值將相應地判定當基板W被置放成與瘤節接觸時，歸因於基板W上之不受控制的表面電荷，此等瘤節遠端處之電位改變之速率。因此，可選擇RC值以便最小化基板固持器之氧化。
圖5展示根據本發明之一實施例的基板固持器60之第二組態。基板固持器60包含：具有主體表面22之主體21、自該主體表面22突出之複數個瘤節20、絕緣層401及界定複數個硬質層部分402'之硬質層402。
在圖5之實施例中，基板固持器60之主體21可由電絕緣材料製成。
在圖5之實施例中，絕緣層401安置於主體表面22上。在此實施例中，絕緣層可不安置於複數個瘤節20上，包括不安置於該等瘤節之側面上。絕緣層可具有均勻厚度。絕緣層可由選自由以下各者組成的群組之至少一種材料製成：SiC、SiSiC、氧化矽、氮化矽、碳化矽或氧化鋁或其組合。黏接層可安置於絕緣層401與主體表面22之間。
在圖5之實施例中，硬質層402在主體表面22上安置於瘤節20上。硬質層402經定位至瘤節群組之遠端。硬質層402可相應地包含複數個材料上分離之硬質層部分402'。硬質層部分402'中之每一者之直徑可能小於底層瘤節20之遠端之直徑、大體上等於底層瘤節之遠端之直徑或大於底層瘤節之遠端之直徑。硬質層部分402'中之每一者可包含懸於瘤節之遠端並覆蓋瘤節側面之某部分或瘤節之所有側面的唇緣。
兩個鄰近硬質層部分402'之中心之間的距離可等於瘤節之間距，且例如為約0.5 mm至3 mm，例如約1.5 mm。
硬質層部分402'之形狀可在幾何上相似於瘤節20之遠端表面之形狀，且例如在平面中為圓形。視需要，硬質層部分402'亦可以其他形狀形成。
硬質層402之厚度t1 (在垂直於主體表面22之方向上)較佳為0.1 µm至10 µm。
硬質層可以圖案形式安置於瘤節中之至少一些上，例如硬質層可安置於每隔兩個或三個瘤節上。
硬質層可由選自由以下各者組成的群組之至少一種材料製成：CrN、TiN、氧化鋁、金剛石、類金剛石碳、摻雜類金剛石碳、立方氮化硼、碳化矽或氮化鉻、含有Ti、W及Mo中之一或多者之合金或其組合。視情況，黏接層可安置於主體21之瘤節20與硬質層402之間。
參看圖5之實施例，絕緣層可因此經組態成使得任何兩個所關注瘤節之間的最小電阻r1 至少為給定值，例如100 MΩ。任何兩個瘤節之間的電阻r1 可在安置於該等瘤節上之硬質層部分402'處可量測。可藉由選擇絕緣層之適當厚度來組態電阻r1 。可藉由選擇絕緣層之某其他幾何屬性，諸如絕緣層安置於主體表面22上所遍及之總表面積，變化不同部位處之絕緣層之厚度或變化絕緣層之表面屬性來組態電阻r1 。可藉由選擇形成主體21或瘤節20之材料來組態電阻r1 。亦可藉由選擇主體21、主體表面22及/或瘤節20之某其他幾何屬性，諸如瘤節之尺寸、間距或形狀來組態電阻r1 。電阻r1 可經組態成使得瘤節之間的電荷流動減少，且因此位於彼瘤節處之基板固持器60之氧化的速率及/或嚴重性亦減小。
在圖5之實施例中，可需要在瘤節群組之任何兩個瘤節之間具有最大電容。然而，若主體21由絕緣材料構成，則可能沒有必要組態絕緣層以便在任何兩個瘤節之間提供最大電容。歸因於主體21，在不存在絕緣層的情況下，此最大電容可能存在於該等瘤節之間。
儘管在本文中可特定地參考微影裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文中所描述之微影裝置可具有其他應用，諸如製造整合式光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭等等。熟習此項技術者將瞭解，在此等替代應用之內容背景中，可認為本文中對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更一般之術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在(例如)塗佈顯影系統(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文中所提及之基板。適用時，可將本文中之揭示內容應用於此類及其他基板處理工具。另外，可將基板處理多於一次，例如，以便產生多層IC，使得本文中所使用之術語基板亦可指已經含有一個或多個經處理層之基板。
雖然上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述方式不同之其他方式來實踐本發明。
以上描述意欲為說明性，而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者而言將顯而易見，可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對所描述之本發明進行修改。
20:瘤節 21:主體 22:主體表面 60:基板固持器 89:通孔 310:圖解 311:位準 312:波谷 320:圖解 322:區 330:圖解 331:液體串流 332:噴嘴 332a:導引線 401:絕緣層 402:硬質層 402':硬質層部分 B:輻射光束 BD:光束遞送系統 C:目標部分 IL:照明系統/照明器 M1:圖案化器件對準標記 M2:圖案化器件對準標記 MA:圖案化器件 MT:圖案化器件支撐結構 P1:基板對準標記 P2:基板對準標記 PM:第一定位器 PS:投影系統 PW:第二定位器 SO:輻射源 SRS:自旋沖洗製程 W:基板
現在將參看隨附示意性圖式而僅作為實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中，對應元件符號指示對應部件，且在該等圖式中：
圖1示意性地描繪微影裝置；
圖2描繪基板固持器之俯視圖；
圖3描繪作為基板沖洗產物的基板表面電荷；
圖4及圖5示意性地描繪基板固持器之實施例。
20:瘤節
21:主體
22:主體表面
60:基板固持器
401:絕緣層
402:硬質層
402':硬質層部分

Claims (13)

  1. 一種用於一微影裝置中且經組態以支撐一基板之基板固持器，該基板固持器包含： 一主體，其由一導電材料形成且具有一主體表面； 複數個瘤節，其自該主體表面突出且各自具有大體上遵循一支撐平面之一遠端表面且經組態以用於支撐該基板； 一絕緣層，其安置於該等瘤節之一群組之至少遠端上；及 一硬質層，其安置於該絕緣層上且經定位至該瘤節群組之該等遠端，其中該硬質層耐磨損。
  2. 如請求項1之基板固持器，其中該瘤節群組之任何兩個瘤節之間的電阻至少為100 MΩ，該電阻在定位於該任何兩個瘤節上之該硬質層處可量測。
  3. 如請求項1之基板固持器，其中該絕緣層係由選自由以下各者組成的群組之至少一種材料製成：SiC、SiSiC、氧化矽、氮化矽、碳化矽或氧化鋁或其組合。
  4. 2或3之基板固持器，其中該硬質層係由選自由以下各者組成的群組之至少一種材料製成：CrN、TiN、氧化鋁、金剛石、類金剛石碳、摻雜類金剛石碳、立方氮化硼、碳化矽或氮化鉻、含有Ti、W及Mo中之一或多者之合金或其組合。
  5. 2或3之基板固持器，其中該絕緣層之厚度至少為2 nm。
  6. 2或3之基板固持器，其中該瘤節群組之任何兩個瘤節之間的電容小於10 nF，該電容在定位於該任何兩個瘤節上之該硬質層之間可量測。
  7. 2或3之基板固持器，其中該基板固持器之該主體與定位於該瘤節群組之任一瘤節上之一硬質層之間的電容小於10 nF。
  8. 2或3之基板固持器，其中該瘤節群組之任何兩個瘤節之間的一最小電阻及一最大電容經選擇使得該最小電阻及該最大電容具有至少為10秒的一RC時間常數，該電阻及該電容兩者在定位於該任何兩個瘤節上之該硬質層處可量測。
  9. 2或3之基板固持器，其中該等瘤節之該群組包含所有該複數個瘤節。
  10. 一種用於一微影裝置中且經組態以支撐一基板之基板固持器，該基板固持器包含： 一主體，其由一絕緣材料形成且具有一主體表面； 複數個瘤節，其自該主體表面突出且各自具有大體上遵循一支撐平面之一遠端表面且經組態以用於支撐該基板； 一硬質層，其安置於該瘤節群組之遠端上且經定位至該瘤節群組之該等遠端，其中該硬質層耐磨損， 其中： 該瘤節群組之任何兩個瘤節之間的電阻至少為100 MΩ，該電阻在定位於該任何兩個瘤節上之該硬質層處可量測。
  11. 如請求項10之基板固持器，其中該等瘤節之該群組包含所有該複數個瘤節。
  12. 一種微影器件，其包含如請求項1、2、3、10或11之基板固持器。
  13. 一種微影裝置製造方法，其包含使用如請求項1、2、3、10或11中任一項之基板固持器。
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