KR101293059B1 - 기판과 몰드 사이에 위치되는 기체를 축출하기 위한 방법 - Google Patents

기판과 몰드 사이에 위치되는 기체를 축출하기 위한 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 서로의 사이에 액체를 위치시킨 기판과 몰드 사이에 위치되는 기체를 축출하기 위한 방법 및 시스템에 관한 것이다.
Figure 112008041319875-pct00001
기판, 템플릿, 몰드 어셈블리, 척, 챔버, 채널, 압력 제어 시스템

Description

기판과 몰드 사이에 위치되는 기체를 축출하기 위한 방법{METHOD FOR EXPELLING GAS POSITIONED BETWEEN A SUBSTRATE AND A MOLD}
본 발명의 분야는 구조물의 나노 제조법에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은 기판과 몰드 사이에 위치되는 기체를 축출하는 방법 및 시스템에 관한 것이다.
나노 제조법(nano-fabrication)은 예를 들면, 4 나노미터 크기 이하 정도의 피처를 가지는 매우 작은 구조물의 제조를 의미한다. 나노 제조법이 상당히 큰 영향을 미쳐온 한 분야는 집적 회로의 프로세싱이다. 반도체 프로세스 산업은 기판상에 형성되는 단위 면적당의 회로들을 증가시키는 동시에 더 높은 생산 수율을 얻기 위한 노력이 계속되고 있기 때문에, 나노 제조법은 점점 중요해지고 있다. 나노 제조법은 형성되는 구조물의 최소 피처 치수의 감소를 증진시키면서 더 나은 프로세스 제어를 제공한다. 나노 제조법이 채용되어 온 다른 개발 분야로는 바이오테크놀로지, 광학 기술, 기계 시스템 등이 포함된다.
전형적인 나노 제조법 기술은 일반적으로 임프린트 리소그래피로 불린다. 전형적인 임프린트 리소그래피 프로세스는, 모두가 본 발명의 양수인에게 양도된, "최소 치수 가변성을 갖는 피처를 복제하도록 기판 상에 피처를 정렬하기 위한 방 법 및 몰드(Method and a mold to arrange features on a substrate to replicate features having minimal dimensional variability)"라는 명칭의 미국특허출원 10/264,960호로 제출된 미국특허공개 2004/0065976호; "표준 도량의 제조를 용이하게 하도록 기판 상에 층을 형성하는 방법(Method of forming a layer on a substrate to facilitate fabrication of metrology standards)"의 명칭의 미국특허출원 10/264,926호로 제출된 미국특허공개 2004/0065252호; 및 "임프린트 리소그래피 프로세스를 위한 기능성 패터닝 재료(Functional patterning material for imprint lithography processes)"라는 명칭의 미국특허 제6,936,194호를 포함하는 많은 문헌에 상세하게 설명되어있다.
전술한 미국특허공개 문헌 및 미국 특허에 개시된 기본적인 임프린트 리소그래피 기술은 중합가능한 층에 릴리프 패턴을 형성하는 단계 및 릴리프 패턴에 상응하는 패턴을 아래에 놓인 기판으로 전사하는 단계를 포함하고 있다. 기판은 기판의 패터닝을 용이하게 하는 소정의 위치를 얻도록 이동 스테이지 상에 위치될 수 있다. 이 때문에, 템플릿이 기판으로부터 이격되어 사용되고, 이때 템플릿과 기판 사이에는 성형성 액체가 개재된다. 그 액체는 응고되어 응고층을 형성하는데, 응고 층은 액체와 접촉하는 템플릿의 표면의 형상과 일치하는 형상이 그 안에 기록된 패턴을 갖는다. 그 다음 템플릿과 기판이 이격되도록 템플릿이 응고 층으로부터 분리된다. 그 후 기판과 응고 층은 응고 층의 패턴과 일치하는 릴리프 이미지를 기판으로 전사하는 프로세스를 거치게 된다.
그 때문에, 템플릿과 기판 사이에 그리고 성형성 액체 내부에 기체가 존재할 수 있고, 이 기체는 특히, 응고 층의 패턴 왜곡, 응고 층에 형성된 피처의 낮은 복제성, 및 응고 층의 잔류 층(residual layer)의 불균일한 두께를 초래할 수 있으며, 이렇게 초래되는 모든 현상들은 바람직하지 못하다. 그러므로, 기판과 몰드 사이에 위치되는 기체를 축출하는 방법 및 시스템을 제공할 필요가 있다.
도 1은 템플릿 척에 커플링되어있는 템플릿으로서, 기판으로부터 이격된 템플릿을 가지는 리소그래피 시스템의 개략 측면도;
도 2는 도 1에 도시된 기판 영역 상에 위치된 임프린트 재료의 액적의 배열구성을 도시한 평면도;
도 3은 패터닝된 층이 위에 위치되어있는 도 1의 기판의 개략 측면도;
도 4는 도 1에 도시된 템플릿과 템플릿 척의 측면도;
도 5는 도 4에 도시된 템플릿 척을 아래에서 위로 본 도면;
도 6은 제1 실시예의, 도 1에 도시된 기판 영역의 패터닝 방법을 도시한 흐름도;
도 7은 몰드와 템플릿의 형상이 변경된 상태로, 도 1에 도시된 템플릿에 커플링된 몰드의 측면도;
도 8은 도 2에 도시된 임프린트 재료의 액적의 일부분과 접촉하는, 도 7에 도시된 몰드의 측면도;
도 9~11은 도 8에 도시된 변경된 형상의 템플릿을 사용하는, 도 2에 도시된 액적의 압축을 도시하는 평면도;
도 12는 다른 실시예의, 도 8에 도시된 변경된 형상의 템플릿을 사용하는, 도 2에 도시된 액적의 압축을 도시하는 평면도;
도 13은 제 2 실시예의, 도 1에 도시된 기판 영역의 패터닝 방법을 도시한 흐름도;
도 14는 도 1에 도시된 기판으로부터 이격된, 도 1에 도시된 템플릿에 커플링된 몰드의 측면도;
도 15는 다른 실시예의, 도 1에 도시된 템플릿과 템플릿 척의 측면도;
도 16은 도 15에 도시된 템플릿 척을 아래에서 본 도면;
도 17은 도 15에 도시된 템플릿 척의 영역의 분해도;
도 18은 몰드와 템플릿의 형상이 변경된 상태로, 도 1에 도시된 템플릿에 커플링된 몰드의 측면도;
도 19는 실질적으로 비평면인 표면을 가지는 패터닝된 층이 위에 위치되어있는, 도 1에 도시된 기판의 측면도;
도 20은 실질적으로 평면인 표면을 가지는 패터닝된 층이 위에 위치되어있는, 도 1에 도시된 기판의 측면도;
도 21은 템플릿이 패터닝된 층에 실질적으로 일치하는 상태로, 도 1에 도시된 기판상에 위치된 패터닝된 층과 접촉하는 도 1에 도시된 템플릿의 측면도; 및
도 22는 패터닝된 층이 실질적으로 평면인 표면을 가지는 상태로, 도 1에 도시된 기판상에 위치된 패터닝된 층과 접촉하는 도 1에 도시된 템플릿의 측면도.
도 1을 참조하면, 기판(12) 상에 릴리프 패턴을 형성하는 시스템(10)은 스테이지(14)와 템플릿(16)을 포함하고 있는데, 이 스테이지 위에 기판(12)이 지지되어있다. 템플릿(16)은 템플릿으로부터 기판(12)을 향하여 뻗어있어 그 위에 패터닝된 면(20)이 구비된 메사(18)를 가질 수 있다. 또한, 메사(18)는 몰드(18)로 불릴 수 있다. 다른 실시예에서는, 템플릿(16)에는 실질적으로 몰드(18)가 없을 수 있다. 또한, 기판(12)은 진공 척과 전자기 척과 같은 임의의 척인 기판 척(미도시)에 커플링될 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.
템플릿(16) 및/또는 몰드(18)는 용융실리카, 석영, 실리콘, 유기 폴리머, 실록산 폴리머, 붕규산 유리, 플루오로카본 폴리머, 금속 및 경화된 사파이어와 같은 재료들로 형성될 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다. 하지만, 다른 실시예에서는, 패터닝된 면(20)은 실질적으로 매끄럽거나 평면이거나 또는 매끄러운 평면일 수 있다. 패터닝된 면(20)은 기판(12) 상에 형성될 패턴의 토대를 구성하는 원 패턴을 형성할 수 있다.
템플릿(16)은 진공 척과 전자기 척과 같은 임의의 척이 될 수 있는 템플릿 척(28)에 커플링될 수 있으나, 진공 척과 전자기 척에 한정되지 않는다. 또한, 템플릿 척(28)은 템플릿(16)과 그에 의한 몰드(18)의 이동을 용이하게 하는 임프린트 헤드(26)에 커플링될 수 있다. 유체 디스펜스 시스템(30)은 폴리머 재료(32)를 기판(12) 위에 퇴적시키기 위해, 기판(12)과 선택적으로 유체연통하게 놓이도록 커플링되어있다. 유체 디스펜스 시스템(30)은 그 내부에 있는 다수의 디스펜싱 유닛으로 구성될 수 있다. 폴리머 재료(32)는 예를 들면, 드롭 디스펜스, 스핀 코팅, 딥 코팅, 화학 증착(CVD), 물리 증착(PVD), 박막 증착, 후막 증착 등인 주지의 기술을 사용하여 퇴적될 수 있다. 도 2에 도시된 바와 같이, 폴리머 재료(32)는 다수의 이격된 액적(34)으로서 기판(12) 상에 퇴적되어, 매트릭스 배열(36)을 구성할 수 있다. 예를 들면, 각각의 액적(34)은 대략 1~10 피코리터의 단위 체적을 가질 수 있다. 매트릭스 배열(36)의 액적(34)들은 5행(c1~c5) 5열(r1~r5)로 배열될 수 있다. 하지만, 액적(34)은 기판(12) 상에서 임의의 2차원 배열구성으로 배열될 수도 있다.
폴리머 재료(32)를 위한 전형적인 조성은 실리콘을 포함하지않고, 다음과 같이 구성된다;
조성 1
이소보르닐 아크릴레이트
n-헥실 아크릴레이트
에틸렌 글리콜 디아크릴레이트
2-하이드록시-2-메틸-1-페닐-프로판-1-온
이 때문에, 조성 1은 여기에 참조되는 "실리콘 함유 재료를 포함하는 에칭 마스크를 위한 조성물(Composition for an etching mask comprising a silicon-containing material)"의 명칭의 미국 특허 7,122,079호에서 설명된 것일 수 있다.
도 1을 참조하여, 몰드(18)와 폴리머 재료(32)와의 이형 특성을 향상시키고, 폴리머 재료(32)가 몰드(18)에 들러붙지않는 것을 보장하기 위해, 첨가물이 조성 1 에 포함될 수 있다. 이 때문에, 폴리머 재료(32)는 첨가물로서 계면활성제를 포함할 수 있다. 본 발명의 목적을 위해 계면활성제는 한 꼬리가 소수성(hydrophobic)인 분자로 정의된다. 계면활성제는 불소를 포함하는 것일 수 있는데, 예를 들면 불소 사슬을 포함하거나, 또는 계면활성제 분자 구조에서 불소를 포함하지않을 수 있다. 전형적인 계면활성제는 DUPONTTM사의 상표명 ZONYL? FSO-100하의 것을 이용할 수 있는데, 이것의 일반 구조식은 R1R2이고, 여기에서 R1 = F(CF2CF2)Y 일 때, Y는 1 내지 7의 범위에 있고, R2 = CH2CH2O(CH2CH2O)XH 일 때, X는 0 내지 15의 범위 내에 있다. 이는 폴리머 재료(24)에 다음의 조성을 제공하고 있다:
조성 2
이소보르닐 아크릴레이트
n-헥실 아크릴레이트
에틸렌 글리콜 디아크릴레이트
2-하이드록시-2-메틸-1-페닐-프로판-1-온
RfCH2CH2O(CH2CH2O)XH
또 다른 실시예에서, 폴리머 재료(32)를 형성하는 데에 이용되는 전형적인 조성들은 다음과 같다:
조성 3
히드록시 관능성 폴리실록산
헥사메톡시메틸멜라민
톨루엔술폰산
메틸 아밀 케톤
조성 4
히드록시 관능성 폴리실록산
헥사메톡시메틸멜라민
r-글리시드옥시프로필트리메톡시실란
톨루엔술폰산
메틸 아밀 케톤
이 때문에, 조성 2~4도 "실리콘 함유 재료를 포함하는 에칭 마스크를 위한 조성물(Composition for an etching mask comprising a silicon-containing material)"의 명칭의 미국 특허 7,122,079호에서 설명된 것일 수 있다.
도 1을 참조하면, 시스템(10)은 경로(42)를 따라 에너지(40)를 안내하도록 커플링된 에너지(40)의 소스(38)를 더 포함하고 있다. 임프린트 헤드(26)와 스테이지(14)는 각각 몰드(18)와 기판(12)과 포개어져 경로(42)에 배치되도록 구성되어있다. 임프린트 헤드(26)나 스테이지(14), 또는 둘 다에 의해, 폴리머 재료(32)로 채워지는 몰드(18)와 기판(12) 사이의 소정의 체적이 한정되도록 몰드(18)와 기판(12) 사이의 거리를 변경한다.
도 1 및 3을 참조하면, 일반적으로, 폴리머 재료(32)는 소정의 체적이 몰드(18)와 기판(12) 사이에서 한정되기 전에 기판(12) 위에 퇴적된다. 하지만, 소 정의 체적이 얻어진 후에 그 체적이 폴리머 재료(32)로 채워질 수도 있다. 소정의 체적이 폴리머 재료(32)로 채워진 후에, 소스(38)는 에너지(40), 예를 들면 광대역의 자외 방사선을 생성하고, 이 에너지에 의해 폴리머 재료(32)가 기판(12)의 표면(44)과 패터닝된 면(20)의 형상에 일치하도록 응고되거나 및/또는 가교결합(cross-link)되어, 패터닝된 층(46)이 기판(12) 상에 형성된다. 예를 들면, 에너지(40)는 대략 240~420㎚ 범위의 파장을 가질 수 있다. 패터닝된 층(46)은 잔류층(48) 및 돌출부(50)와 리세스부(52)로 도시된 다수의 피처를 포함할 수 있다. 이러한 프로세스의 제어는 스테이지(14), 임프린트 헤드(26), 유체 디스펜스 시스템(30), 및 소스(38)와 데이터 통신하는 프로세서(54)에 의해 조절되고, 이때 프로세서는 메모리(56) 내에 저장된 컴퓨터 판독가능한 프로그램에 따라 동작한다.
도 4 및 5를 참조하면, 템플릿 척(28)은 위에 몰드(18)가 부착되어있는 템플릿(16)을 진공 기술을 사용하여 보유하도록 되어있다. 도시된 바와 같이, 템플릿 척(28)은 실질적으로 원형인 형상을 가지고 있다. 하지만, 다른 실시예에서는, 템플릿 척(28)은 원하는 임의의 기하구조 형상을 가질 수 있다. 템플릿 척은 대향하는 제1 측부(58) 및 제2 측부(60)를 포함하고 있다. 한 측, 또는 에지, 표면(62)이 제1 측부(58)와 제2 측부(60) 사이에서 뻗어있다. 제1 측부(58)는 제1 리세스(64) 및 제1 리세스(64)로부터 이격된 제2 리세스(66)를 포함하고 있어, 이격된 제1 지지 영역(68) 및 제2 지지 영역(70)을 형성한다. 제1 지지 영역(68)은 제2 지지 영역(70)과 제1 및 제2 리세스를 둘러싼다. 제2 지지 영역(70)은 제2 리세스(66)를 둘러싼다. 다른 실시예에서는, 제1 지지 영역(68) 및 제2 지지 영역(70)이 컴플라 이언트 재료로 형성될 수 있다. 제2 리세스(66)와 포개어지는 템플릿 척(28)의 일부분(72)은 전술된 화학 방사선의 파장과 같은 소정의 파장을 가지는 방사선이 통과될 수 있다. 이 때문에, 이 부분(72)은 유리와 같은 투과성 재료의 얇은 층으로 형성될 수 있다. 하지만, 이 부분(72)으로 형성되는 재료는 도 1에 도시된 바와 같이, 소스(38)에 의해 생성되는 방사선의 파장에 따라 좌우될 수 있다. 이 부분(72)은 제2 측부(60)상의 가운데에 뻗어있어 제2 리세스(66)에 인접하여 종결하고, 몰드(18)가 이 부분(72)과 포개어지도록 적어도 몰드(18)의 범위만큼 큰 면적을 형성해야만 한다.
템플릿 척(28) 내에 하나의 관통로(74)가 형성되어있지만, 템플릿 척(28)은 다수의 관통로를 포함할 수 있다. 관통로(74)는 제1 리세스(64)를 측면(62)과 유체 연통하게 두지만, 다른 실시예에서는, 관통로(74)는 제1 리세스(64)를 템플릿 척(28)의 임의의 표면과 유체 연통하게 둘 수도 있음을 알아야한다. 또 다른 실시예에서는, 템플릿 척(28)은 제2 리세스(66)를 템플릿 척(28)의 임의의 표면과 유체 연통하게 두는 관통로(미도시)를 포함할 수 있다. 또한, 관통로(74)가 제1 리세스(64)를 펌프 시스템(76)과 같은 압력 제어 시스템과 유체 연통하게 두는 것을 용이하게 하는 것이 바람직하다.
도 1, 4 및 5를 참조하면, 펌프 시스템(76)은 제1 리세스(64)에 인접하여 압력을 제어하는 하나 이상의 펌프를 포함할 수 있다. 특히, 템플릿(16)이 템플릿 척(28)에 장착될 때, 템플릿(16)은 제1 지지 영역(68)과 제2 지지 영역(70)에 얹혀져, 제1 리세스(64)와 제2 리세스(66)를 덮는다. 제1 리세스(64)와 이와 겹쳐지는 템플릿(16)의 부분(78)은 제1 챔버(80)를 형성한다. 제2 리세스(66)와 이와 겹쳐지는 템플릿(16)의 부분(81)은 제2 챔버(82)를 형성한다. 펌프 시스템(76)은 제1 챔버(80) 내의 압력을 제어하도록 작동한다. 다른 실시예에서는, 펌프 시스템(76)은 제2 챔버(82) 내의 압력을 제어할 수 있다. 특히, 템플릿 척(28)에 대해 템플릿(16)의 위치를 유지시키고 템플릿(16)이 중력을 받아 템플릿 척(28)으로부터 분리되는 것을 막지못할지라도 약화시키도록 압력이 제1 챔버(80) 내에 형성된다. 펌프 시스템(76)은 프로세서(54)와 데이터 통신할 수 있고, 이때 프로세서는 펌프 시스템(76)을 제어하도록 메모리(56) 내에 저장된 컴퓨터 판독가능한 프로그램에 따라 동작한다.
도 1~3을 참조하면, 전술한 바와 같이, 몰드(18)와 기판(12) 사이의 거리는 폴리머 재료(32)로 채워지는 소정의 체적이 몰드와 기판 사이에서 한정되도록 변경 된다. 또한, 폴리머 재료(32)는 응고 후에, 기판(12)의 표면(44)과 패터닝된 면(20)의 형상에 일치하여, 패터닝된 층(46)을 기판(12) 상에 형성한다. 이 때문에, 매트릭스 배열(36)의 액적(34)들 사이에서 한정된 체적(84)에, 기체가 존재하고, 이 기체 및/또는 가스 포켓(gas pocket)이 기판(12)과 몰드(18) 사이에서 그리고 패터닝된 층(46) 내부에서 포착되는 것을 방지하지못할지라도 피하도록 매트릭스 배열(36)의 액적(34)들이 기판(12) 상에서 퍼진다. 기체 및/또는 가스 포켓은 공기, 질소, 이산화탄소, 및 헬륨과 같은 기체일 수 있지만, 이들에 한정되지는 않는다. 기판(12)과 몰드(18) 사이와 패터닝된 층(46) 내부의 기체 및/또는 가스 포켓은 특히, 패터닝된 층(46)에 형성된 피처의 패턴 왜곡, 패터닝된 층(46)에 형성 된 피처의 낮은 복제성, 및 패터닝된 층(46)에 걸쳐 잔류 층(48)의 불균일한 두께를 초래할 수 있고, 이렇게 초래되는 모든 현상들은 바람직하지 못하다. 이 때문에, 기판(12)과 몰드(18) 사이에서의 그리고 패터닝된 층(46) 내부에서의 기체 및/또는 가스 포켓의 포착을 방지하지못할지라도 최소화하는 시스템 및 방법이 아래에 설명된다.
도 1 및 6을 참조하면, 제1 실시예에서, 기판(12)과 몰드(18) 사이의 기체를 축출하는 방법이 도시되어있다. 보다 구체적으로는, 단계 90에서, 전술한 바와 같이 폴리머 재료(32)가 드롭 디스펜스, 스핀 코팅, 딥 코팅, 화학 증착(CVD), 물리 증착(PVD), 박막 증착, 후막 증착 등에 의해 기판(12) 상에 배치될 수 있다. 다른 실시예에서는, 폴리머 재료(32)가 몰드(18) 상에 배치될 수 있다.
도 4, 6 및 7을 참조하면, 단계 92에서, 템플릿(16)과 몰드(18)의 형상은 몰드(18)의 중앙 특정부분(sub-portion)에서 몰드(18)와 기판(12) 사이에 한정된 거리(d1)가 몰드(18)의 나머지 부분에서 몰드(18)와 기판(12) 사이에 한정된 거리보다 작도록 변경될 수 있다. 예를 들면, 거리(d1)는 몰드(18)의 에지에서 한정되는 거리(d2)보다 작다. 템플릿(16)과 몰드(18)의 형상은 제1 챔버(80) 내부의 압력을 제어함으로써 변경될 수 있다. 보다 구체적으로는, 전술한 바와 같이, 펌프 시스템(76)이 제1 챔버(80) 내의 압력을 제어하도록 작동한다. 이 때문에, 템플릿(16)의 부분(78)이 기판(12)으로부터 멀어지게 그리고 템플릿 척(28)을 향하여 굽혀질 수 있도록 펌프 시스템(76)이 관통로(74)를 통해 제1 챔버(80) 내부에 진공을 생성 할 수 있다. 템플릿(16)의 부분(78)을 기판(12)으로부터 멀어지게 굽힌 결과로서, 템플릿(16)의 부분(81)이 기판(12)을 향하여 그리고 템플릿 척(28)으로부터 멀어지게 굽혀진다. 예를 들면, 템플릿(16)의 부분(81)의 굽혀진 정도는 길이 100㎜에 걸쳐 대략 50㎛이다.
도 6, 8 및 9를 참조하면, 단계 94에서, 도 1에 관하여 전술한 바와 같이, 도 1에 도시된 임프린트 헤드(26)나 스테이지(14), 또는 둘 다는 몰드(18)의 특정부분이 액적(34)들의 특정부분과 접촉하도록 도 7에 도시된 거리(d1)를 변경시킬 수 있다. 도시된 바와 같이, 몰드(18)의 중앙의 특정부분이 액적(34)들의 특정부분과 접촉한 후에, 몰드(18)의 나머지 부분들이 액적(34)들의 나머지들과 접촉한다. 하지만, 다른 실시예에서는, 몰드(18)의 임의의 부분이 몰드(18)의 나머지 부분들보다 먼저 액적(34)들과 접촉할 수 있다. 이 때문에, 도시된 바와 같이, 몰드(18)는 도 2에 도시된 행 c3과 관련된 액적(34) 모두와 실질적으로 동시에 접촉한다. 이는 액적(34)이 퍼져서 폴리머 재료(32)의 연속 액막(contiguous liquid sheet)(85)을 생성하게 한다. 액막(85)의 에지(86a 및 86b)는 체적(84) 내의 기체를 에지(88a, 88b, 88c, 및 88d)로 밀어내도록 작용하는 액체-기체 경계면(87a 및 87b)을 각각 형성한다. 행 c1~c5의 액적(34) 사이의 체적(84)은 기체 통로를 형성하고, 이 기체 통로를 통해 기체가 에지(88a, 88b, 88c, 및 88d)로 밀려나갈 수 있다. 결과로서, 기체 통로에 관련하여 액체-기체 경계면(87a 및 87b)은 액막(85) 내의 기체의 포착을 방지하지못할지라도 감소시킨다.
도 4, 6, 8 및 10을 참조하면, 템플릿(16)과 몰드(18)의 형상은 도 1에 관하여 전술된 바와 같이, 몰드(18)와 기판(12) 사이에 한정된 소정의 체적이 폴리머 재료(32)로 채워질 수 있도록 변경될 수 있다. 보다 구체적으로는, 제1 챔버(80) 내의 압력과, 폴리머 재료(32)와 몰드(18)가 접촉한 결과로서 도 1에 도시된 임프린트 헤드(26) 및/또는 스테이지(14)에 의해 템플릿(16)과 몰드(18) 상에 가해지는 힘을 제어하는 조합에 의해 템플릿(16)과 몰드(18)의 형상이 변경될 수 있다. 보다 구체적으로, 전술한 바와 같이, 펌프 시스템(76)은 제1 챔버(80) 내의 압력을 제어하도록 작동한다. 이 때문에, 도 2에 도시된, 다음의 행 c2 및 c4의 액적(34)의 부분집합(subset)과 관련된 폴리머 재료(32)가 연속 액막(85) 내에 포함되게 퍼지도록 펌프 시스템(76)은 관통로(74)를 통해 제1 챔버(80) 내에 생성된 진공의 세기를 감소시킨다. 행 c1 및 c5과 관련된 폴리머 재료(32)가 도 11에 도시된 바와 같이, 연속 액막(85) 내에 포함되게 퍼지도록 몰드(18)가 이어서 행 c1 및 c5와 관련된 액적(34)과 접촉할 수 있게 템플릿(16)과 몰드(18)의 형상은 변경을 계속한다. 볼 수 있는 바와 같이, 경계면(87a 및 87b)은 각각 에지(88a 및 88c)를 향하여 이동되어서, 도 9에 도시된, 에지로 이동하는, 나머지 체적(84) 내의 기체를 위한 비방해 통로가 존재한다. 이는 도 9에 도시된 체적(84) 내의 기체가 몰드(18)와 기판(12) 사이로부터 에지(88a, 88b, 88c, 및 88d)를 마주 향하여 빠져나가는 것을 허용한다. 이 방식으로, 기판(12)과 몰드(18) 사이에서의 그리고 도 3에 도시된 패터닝된 층(46) 내부에서의 기체 및/또는 가스 포켓의 포착은 방지되지못할 지라도 최소화된다. 다른 실시예에서는, 템플릿(16)과 몰드(18)의 형상은 도 8에 관하여 전술된 바와 같이, 거리(d1)를 감소시키는 동시에 변경될 수 있다. 또한, 몰드(18)와 기판(12) 사이의 소정의 체적이 폴리머 재료(32)로 채워지는 속도를 균형있게 하는 것이 바람직할 수 있다. 보다 구체적으로, 경계면(87a 및 87b)이 에지(88a 및 88b)를 향하여 매우 빠르게 퍼지는 경우, 몰드(18)와 기판(12) 사이에 바람직하지못한 가스 포켓이 생성될 수 있다. 이 때문에, 예를 들면, 템플릿(16)과 몰드(18)의 형상은 몰드(18)와 기판(12) 사이의 소정의 체적이 폴리머 재료(32)로 수 초당 100㎜의 속도로 채우도록 변경될 수 있다.
도 6을 참조하면, 단계 98에서, 도 1에 관하여 전술된 바와 같이, 그 후 폴리머 재료(32)가 응고되거나 가교결합되거나 또는 둘 다 될 수 있어, 도 3에 도시된 패터닝된 층(46)을 형성한다. 다음으로, 단계 99에서, 몰드(18)가 도 3에 도시된 패터닝된 층(46)으로부터 분리될 수 있다.
도 4 및 12를 참조하면, 전술한 바와 같이, 템플릿(16)과 몰드(18)의 형상은 제1 방향을 따라 변경될 수 있다. 하지만, 다른 실시예에서는, 템플릿(16)과 몰드(18)의 형상은, 제2 방향이 제1 방향에 대해 직각으로 뻗어있는 상태에서, 동시에 제1 방향과 제2 방향으로 변경될 수 있다. 보다 구체적으로, 템플릿(16)과 몰드(18)는 도 9에 관하여 전술된 바와 같이, 몰드(18)의 중앙의 특정부분이 액적(34)의 특정부분과 접촉한 후에 몰드(18)의 나머지 부분이 액적(34)의 나머지들과 접촉하도록 변경될 수 있다. 이는 액적(34)이 퍼져서 폴리머 재료(32)의 연속 액막(85)을 생성하게 하여, 체적(84) 내의 기체를 반경방향 바깥쪽으로 밀어내도록 작용하는 연속 액체-기체 경계면(87)을 형성한다. 예를 들면, 액막(85)은 체적(84) 내 기체를 에지(88a, 88b, 88c, 및 88d)를 향해 반경방향 바깥쪽으로 밀어내도록 원형으로 또는 원형과 유사하게 팽창하는 액체-기체 경계면(87)을 가질 수 있다. 하지만, 다른 실시예에서는, 기판(12)과 몰드(18) 사이에서의 그리고 패터닝된 층(46)에서의 기체 및/또는 가스 포켓의 포착을 방지하지못할지라도 최소화하기 위해, 체적(84) 내 기체를 에지(88a, 88b, 88c, 및 88d)를 향해 반경방향 바깥쪽으로 밀어내는 것을 용이하게 하기에 바람직한 임의의 기하구조 형상을 가진 액막(85)을 생성하도록 템플릿(16)과 몰드(18)는 임의의 방향으로 변경될 수 있다.
도 13을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예가 도시되어있다. 보다 구체적으는, 단계 100에서, 도 6에 도시된 단계 90에 관하여 전술된 바와 유사하게, 폴리머 재료(32)는 기판(12) 또는 몰드(18) 상에 배치될 수 있다.
도 13 및 14를 참조하면, 단계 102에서, 몰드(18)와 기판(12)은 그 사이에서 거리(d3)가 한정되도록 배치된다. 도 1에 도시된 임프린트 헤드(26)나 스테이지(14), 또는 둘 다에 의해, 기판(12)과 몰드(18) 사이의 거리(d3)를 얻도록 몰드(18)와 기판(12)을 배치할 수 있다. 다른 실시예에서는, 제1 평면과 제2 평면이 실질적으로 평행한 상태로, 몰드(18)가 제1 평면에서 뻗어있을 수 있고 기판(12)이 제2 평면에서 뻗어있을 수 있다. 일례로, 거리(d3)는 5~50마이크로미터 범위 내의 크기를 가질 수 있다. 거리(d3)는 템플릿(16)과 몰드(18)의 형상을 변경시키자마자 몰드(18)의 특정부분이 액적(34)의 특정부분과 접촉하도록 한정되고, 이는 아래에 설명될 것이다.
도 8 및 13을 참조하면, 단계 104에서, 템플릿(16)과 몰드(18)의 형상은 몰드(18)의 중앙 특정부분이 액적(34)들의 특정부분과 접촉한 후에 몰드(18)의 나머지 부분들이 액적(34)들의 나머지들과 접촉하도록 변경될 수 있다. 하지만, 다른 실시예에서는, 몰드(18)의 임의의 부분이 몰드(18)의 나머지 부분들보다 먼저 액적(34)들과 접촉할 수도 있다. 이 때문에, 도 9에 관하여 전술된 바와 유사하게, 몰드(18)가 도 2에 도시된 행 c3과 관련된 액적(34) 모두와 실질적으로 동시에 접촉한다. 이는 액적(34)이 퍼져서 폴리머 재료(32)의 연속 액막(85)을 생성하게 한다. 액막(85)의 에지(86a 및 86b)는 체적(84) 내의 기체를 에지(88a, 88b, 88c, 및 88d)로 밀어내도록 작용하는 액체-기체 경계면(87a 및 87b)을 각각 형성한다. 행 c1~c5의 액적(34) 사이의 체적(84)은 기체가 에지(88a, 88b, 88c, 및 88d)로 밀려나갈 수 있는 기체 통로를 형성한다. 결과로서, 액체-기체 경계면(87a 및 87b)은 기체 통로에 관련하여 액막(85) 내에서의 기체의 포착을 방지하지못할지라도 감소시킨다.
또한, 행 c3과 관련된 액적(34)이 몰드(18)와 접촉한 후에, 템플릿(16)과 몰드(18)의 형상은 몰드(18)와 기판(12) 사이에 한정된 소정의 체적이 폴리머 재료(32)로 채워질 수 있도록 더 변경될 수 있다. 보다 구체적으로는, 도 10~12에 관련하여 전술된 바와 유사하게, 제1 챔버(80) 내의 압력과, 폴리머 재료(32)와 몰 드(18)가 접촉한 결과로서 임프린트 헤드(26) 및/또는 스테이지(14)에 의해 템플릿(16)과 몰드(18) 상에 가해지는 힘을 제어하는 조합에 의해 템플릿(16)과 몰드(18)의 형상이 변경될 수 있다. 보다 구체적으로는, 전술된 바와 같이, 펌프 시스템(76)이 제1 챔버(80) 내의 압력을 제어하도록 작동한다. 이 때문에, 펌프 시스템(76)은 도 2에 도시된 다음의 행 c2와 c4의 액적(34)의 부분집합과 관련된 폴리머 재료(32)가 도 10에 도시된 연속 액막(85) 내에 포함되게 퍼지도록, 관통로(74)를 통해 제1 챔버(80) 내부에 생성된 진공의 세기를 감소시킨다. 행 c1 및 c5과 관련된 폴리머 재료(32)가 도 11에 도시된 바와 같이, 액막(85) 내에 포함되게 퍼지도록 몰드(18)가 이어서 행 c1 및 c5와 관련된 액적(34)과 접촉할 수 있게 템플릿(16)과 몰드(18)의 형상은 변경을 계속한다. 볼 수 있는 바와 같이, 경계면(87a 및 87b)은 각각 에지(88a 및 88c)를 향하여 이동되어서, 도 9에 도시된, 에지로 이동하는, 나머지 체적(84) 내의 기체를 위한 비방해 통로가 존재한다. 이는 도 9에 도시된 체적(84) 내의 기체가 몰드(18)와 기판(12) 사이로부터 에지(88a, 88b, 88c, 및 88d)를 마주 향하여 빠져나가는 것을 허용한다. 이 방식으로, 기판(12)과 몰드(18) 사이에서의 그리고 도 3에 도시된 패터닝된 층(46) 내부에서의 기체 및/또는 가스 포켓의 포착이 방지되지못할지라도 최소화된다. 다른 실시예에서는, 템플릿(16)과 몰드(18)의 형상은 도 8에 관하여 전술된 바와 같이, 거리(d1)를 감소시키는 동시에 변경될 수 있다.
도 13을 참조하면, 단계 106에서, 도 1에 관하여 전술된 바와 같이, 그 후 폴리머 재료(32)가 응고되거나 가교결합되거나 또는 둘 다 될 수 있어, 도 3에 도시된 패터닝된 층(46)을 형성한다. 다음으로, 단계 108에서, 몰드(18)가 도 3에 도시된 패터닝된 층(46)으로부터 분리될 수 있다. 다른 실시예에서는, 기판(12)은, 기판(12)과 몰드(18) 사이에서의 그리고 패터닝된 층(46) 내부에서의 기체 및/또는 가스 포켓의 포착을 방지하지못할지라도 최소화하도록 기판(12)의 형상이 변경될 수 있게 전술된 프로세스들을 거칠 수 있다. 또한, 템플릿(16), 몰드(18), 및 기판(12)은 전술된 프로세스들을 동시에 거칠 수 있다.
도 15 및 16을 참조하면, 템플릿 척(28)의 제2 실시예가 도시되어있다. 보다 구체적으로는, 도 4에 관하여 전술된 템플릿 척(28)과 유사하게, 템플릿 척(128)은 대향하는 제1 측부(158) 및 제2 측부(160)를 포함하고 있다. 한 측, 또는 에지, 표면(162)이 제1 측부(158)와 제2 측부(160) 사이에서 뻗어있다. 도시된 바와 같이, 템플릿 척(128)은 실질적인 원형 형상을 가지고 있다. 하지만, 다른 실시예에서는, 템플릿 척(128)은 원하는 임의의 기하구조 형상을 가질 수 있다. 제1 측부(158)는 제1 리세스(164) 및 제1 리세스(164)로부터 이격된 제2 리세스(166)를 포함하고 있어, 이격된 제1 지지 영역(168) 및 제2 지지 영역(170)을 형성한다. 제1 지지 영역(168)은 제2 지지 영역(170)과 제1 리세스(164) 및 제2 리세스(166)를 둘러싼다. 제2 지지 영역(170)은 제2 리세스(166)를 둘러싼다. 다른 실시예에서는, 제1 지지 영역(168) 및 제2 지지 영역(170)은 컴플라이언트 재료로 형성될 수 있다. 제2 리세스(166)와 포개어지는 템플릿 척(128)의 일부분(172)은 전술된 화학 방사선의 파장과 같은 소정의 파장을 가지는 방사선이 통과할 수 있 다. 이 때문에, 이 부분(172)은 유리와 같은 투과성 재료의 얇은 층으로 형성될 수 있다. 하지만, 이 부분(172)으로 형성되는 재료는 도 1에 도시된, 소스(38)에 의해 생성되는 방사선의 파장에 따라 좌우될 수 있다. 이 부분(172)은 제2 측부(160) 상의 가운데에 뻗어있어 제2 리세스(166)에 인접하여 종결하고, 몰드(18)가 이 부분(172)과 포개어지도록 적어도 몰드(18)의 범위만큼 큰 면적을 형성해야만 한다.
도 15, 16, 및 17을 참조하면, 템플릿 척(128)은 제1 리세스(164)의 저면(188)으로부터 돌출하는 다수의 핀(186)을 더 포함하고 있다. 핀(186)은 진공에 의해 템플릿 척(128) 상에 보유되는 템플릿(16)에 기계적인 지지부를 제공한다. 핀(186)은 대체로 원형 단면을 가지는 강성의 기둥이다. 하지만, 다른 실시예에서는, 핀(186)은 원하는 임의의 기하구조 형상을 가질 수 있다.
도 15를 참조하면, 템플릿 척(128)에 두 관통로(174a 및 174b)가 형성되어있지만, 템플릿 척(128)은 다수의 관통로를 포함할 수 있다. 관통로(174a)는 제1 리세스(164)를 측면(162)과 유체 연통하게 두지만, 다른 실시예에서, 관통로(174a)가 제1 리세스(164)를 템플릿 척(128)의 임의의 면과 유체 연통하게 둘 수 있다는 것을 알아야한다. 관통로(174b)는 제2 리세스(166)를 제2 측부(160)와 유체 연통하게 두지만, 다른 실시예에서, 관통로(174b)가 제2 리세스(166)를 템플릿 척(128)의 임의의 면과 유체 연통하게 둘 수 있다는 것을 알아야한다. 또한, 관통로(174a 및 174b)가 각각 제1 리세스(164)와 제2 리세스(166)를 펌프 시스템(176)과 같은 압력 제어 시스템과 유체 연통하게 두는 것을 용이하게 하는 것이 바람직하다.
도 15 및 16을 참조하면, 펌프 시스템(176)은 제1 리세스(164) 및 제2 리세스(166)에 인접하여 압력을 제어하는 하나 이상의 펌프를 포함할 수 있다. 특히, 템플릿(16)이 템플릿 척(128)에 장착될 때, 템플릿(16)은 제1 지지 영역(168)과 제2 지지 영역(170)에 얹혀져, 제1 리세스(164)와 제2 리세스(166)를 덮는다. 제1 리세스(164)와 이와 겹쳐지는 템플릿(16)의 부분(178)은 제1 챔버(180)를 형성한다. 제2 리세스(166)와 이와 겹쳐지는 템플릿(16)의 부분(181)은 제2 챔버(182)를 형성한다. 펌프 시스템(176)은 제1 챔버(180) 내의 압력을 제어하도록 작동한다. 특히, 템플릿 척(128)에 대해 템플릿(16)의 위치를 유지시키고 템플릿(16)이 중력을 받아 템플릿 척(128)으로부터 분리되는 것을 방지하지못할지라도 약화시키도록 압력이 제1 챔버(80)와 제2 챔버(182) 내에 형성된다. 이 때문에, 템플릿 척(128)은, 제1 챔버(180)와 제2 챔버(182) 내에서 소정의 압력 및/또는 진공을 획득하는 것을 용이하게 하기 위해 제1 챔버(180)를 제2 챔버(182)로부터 격리시키도록 제2 지지 영역(170)에 인접하게 배치된 컴플라이언트 시일(190)을 더 포함하고 있다. 이 때문에, 펌프 시스템(176)은 도 17에 도시된 바와 같이, 템플릿(16)의 일부분(181)이 기판(12)을 향해 그리고 템플릿 척(128)으로부터 멀어지게 굽혀질 수 있도록 제2 챔버(182) 내부에 압력을 생성할 수 있다. 템플릿 척(128)은 기판(12)과 몰드(18) 사이에서의 그리고 도 3에 도시된 패터닝된 층(46) 내에서의 기체 및/또는 가스 포켓의 포착을 방지하지못할지라도 최소화하는 것에 관하여 전술된 임의의 방법으로 사용될 수 있다.
도 1 및 3을 참조하면, 또한, 기판(12)과 몰드(18) 사이에서의 그리고 패터 닝된 층(46) 내에서의 기체 및/또는 가스 포켓의 포착을 방지하지못할지라도 최소화하는 것에 더하여, 잔류 층(48)이 실질적으로 균일한 것이 또한 바람직할 수 있다. 보다 구체적으로는, 잔류 층(48)은 패터닝된 층(46)을 가로질러 형성되는 실질적으로 균일한 높이(h1)를 가지는 것이 바람직할 수 있다. 이 때문에, 실질적으로 균일한 높이(h1)를 가지는 잔류 층(48)을 얻기 위해, 몰드(18)와 기판(12) 사이에 한정된 소정의 체적이 폴리머 재료(32)의 모세관력에 의해 채워질 수 있고, 이는 "모세관 임프린트 기술(Capillary imprinting technique)"의 명칭의 미국특허출원 10/645,306호로 제출된 미국특허공개 2005/0061773호에 설명된 것으로 여기에 참조할 수 있다. 보다 구체적으로는, 잔류 층(48)의 높이(h1)가 수 나노미터 내지 수 마이크로미터의 범위 내에 있도록 각 액적(34)의 단위 체적이 제어될 때, 각각의 액적(34)은 수 초 내에 또는 그보다 빠르게 그 각각의 액적에 가까운 영역으로 퍼질 수 있어서, 잔류 층(48)의 높이(h1)가 패터닝된 층(46)에 걸쳐 실질적으로 균일할 수 있다.
템플릿(16)과 몰드(18)의 두께(t1)는 또한 실질적으로 균일한 잔류 층(48)의 두께(h1)를 얻는 것을 용이하게 할 수 있다. 보다 구체적으로는, 템플릿(16)과 몰드(18)의 두께(t1)는, 실질적으로 균일한 잔류 층(48)의 높이(h1)를 얻는 것을 용이하게 하기 위해 템플릿(16)과 몰드(18)의 휨 강성이 전술된 폴리머 재료(32)의 모세관력과 균형잡힐 수 있도록 크기가 정해질 수 있다. 보다 구체적으로, 템플 릿(16)과 몰드(18)의 휨 강성은 템플릿과 몰드의 3차 함수이다. 이 때문에, 두께(t1)가 너무 두꺼우면, 잔류 층(48)의 두께(h1)가 실질적으로 균일하지않을 것이지만, 템플릿(16)과 몰드(18)의 두께(t1)가 너무 얇으면, 도 2에 도시된 액적(34)들 사이의 국부적 결손이 잔류 층(48) 두께(h1)에서의 불안정한 다수의 국부적 불균일을 야기할 수 있다. 그러므로, 템플릿(16)과 몰드(18)의 두께(t1)는 템플릿(16) 및/또는 기판(12)에서 평면을 벗어난 수 마이크로미터의 편차가 있는 상태로 100㎛~2㎜의 범위 내에 있을 수 있다.
템플릿(16)과 몰드(18)의 두께(t1)는 템플릿(16)과 몰드(18)의 표면의 비평면으로 인한 잔류 층(48)의 높이(h1) 중의 편차가 방지되지못할지라도 최소화되도록 크기가 정해 수 있는 한편, 도 4에 도시된 제1 챔버(80) 및 제2 챔버(82) 내의 유압으로부터 초래되는 템플릿(16)과 몰드(18)의 변형에 기인하는 잔류 층(48)의 높이(h1) 중의 바람직하지못한 국부적 편차를 일으키는 것을 방지하지못할지라도 최소화하도록 크기가 정해 수 있다. 하지만, 두께(t1)의 크기는 또한 시스템(10)에 의한 템플릿(16)과 몰드(18)의 취급 및 패터닝된 층(46)으로부터 템플릿(16)과 몰드(18)의 분리를 용이하게 하여야한다. 다른 실시예에서는, 기판(12)의 두께(t2)는 템플릿(16)과 몰드(18)의 두께(t1)에 관하여 전술된 방식으로 그 크기가 정해질 수 있다.
도 1 및 19를 참조하면, 기판(12)은 돌출부(192 및 194)를 포함하는 것으로 도시되어있다. 두께(z1)는 돌출부(192)와 패터닝된 층(146)의 표면(196) 사이로 한정되고, 두께(z2)는 돌출부(194)와 표면(196) 사이로 한정된다. 도시된 바와 같이, 두께(z2)는 두께(z1)보다 크다. 이는 폴리머 재료(32)를 스핀-코팅함으로써 기판(12) 상에 배치하는 것으로부터 초래될 수 있어서, 패터닝된 층(146)은 기판(12)의 면 위상기하학을 따르는 경향이 있을 수 있어, 패터닝된 층(146) 중의 바람직하지못한 국부적인 막 두께 편차를 초래할 수 있다. 이 때문에, 전술된 방법은 패터닝된 층(146)이 도 20에 도시된 바와 같이 실질적으로 평면일 수 있도록 기판(12) 상의 폴리머 재료(32)의 평탄화에 사용될 수 있다. 보다 구체적으로, 전술된 바와 같은, 굽혀진 형상을 가지는 템플릿(16)과 몰드(18)를 사용하는 것은 패터닝된 층(146)이 실질적으로 평면인 형상을 갖게 하는 것을 용이하게 할 수 있다. 이 때문에, 도 20에 도시된 바와 같이, 두께(z2)가 실질적으로 두께(z1)와 동일한 것이 바람직하다. 예를 들면, 돌출부(192)는 그 폭이 200㎚보다 작을 수 있는 한편, 돌출부(194)의 폭은 대략 50㎛ 내지 100㎛일 수 있다.
도 21을 참조하면, 패터닝된 층(146)의 표면(196)의 평탄화를 용이하게 하기 위해, 템플릿(216)은 패터닝된 층(146) 및/또는 기판(12)과 접촉할 시, 템플릿(216)이 패터닝된 층과 기판에 일치하지않을 수 있도록 소정의 두께를 가지고서 사용될 수 있다. 이 때문에, 도시된 바와 같이, 템플릿(216)은 두께(x1)를 가지고 있다. 하지만, 템플릿(216)의 두께(x1)는 템플릿(216)이 긴 공간적인 웨이브가 있는 패터닝된 층(146)에 일치하는 것을 촉진한다. 이러한 균일한 층은 톤 피처(tone feature)를 반대로 하는 에칭 마스크를 형성하도록 사용될 수 있고, 이는 "포지티브형 이층 임프린트 리소그래피 방법(Positive tone bi-layer imprint lithography method)"의 명칭의 미국특허출원 10/396,615호로 제출된 미국공개특허 2004/0188381호에 설명된 것으로 여기에 참조될 수 있다. 이 때문에, 패터닝된 층(146) 또는 기판(12)에 일치하지않는 템플릿(216)은 도 22에 도시된 바와 같은, 두께(x2)를 가질 수 있다. 제1 위치에서 템플릿(216)의 표면(198)과 패터닝된 층(146)의 표면(196) 사이로 한정된 두께(a1)는 제1 위치와는 다른 제2 위치에서 표면(198)과 표면(196) 사이로 한정된 두께(a2)와 다르다. 결과로서, 패터닝된 층(146)의 표면(196)은 실질적으로 평면이다. 예를 들면, 템플릿(216)의 두께(x2)는 6.25㎜일 수 있다.
전술된 본 발명의 실시예는 예시적인 것이고, 본 발명의 기술범위를 벗어나지 않으면서, 위에서 기술된 실시형태에 여러 변경과 변형이 있을 수 있다. 그러므로, 본 발명의 범위는 상기의 설명으로 한정되지 않아야하고, 대신에 첨부된 청구항의 전체 범위에 관하여 정해져야 한다.

Claims (19)

  1. 서로의 사이에 액체를 위치시킨 기판과 몰드 어셈블리 사이에서 위치되는 기체를 축출하기 위한 방법에 있어서, 상기 방법은,
    상기 몰드 어셈블리 주변에 제1 영역 및 몰드의 중앙 특정부분(sub-portion)에 제2 영역을 가지고 있는 상기 몰드 어셈블리가 상기 기판에 근접하도록 상기 몰드 어셈블리와 상기 기판을 배치하는 단계;
    상기 몰드 어셈블리의 상기 제2 영역과 상기 기판 사이에 형성된 갭을 축소하기 위해 상기 제2 영역이 상기 기판을 향해 굽혀지도록, 상기 제1 영역을 상기 기판으로부터 멀어지게 굽힘으로써 상기 몰드 어셈블리의 형상을 변경하는 단계; 및
    상기 기체가 상기 기판과 상기 몰드 어셈블리의 사이로부터 축출되고 상기 액체가 상기 몰드 어셈블리와 기판 사이에 한정된 체적에 채워지도록, 상기 액체의 특정부분을 상기 몰드 어셈블리의 상기 제2 영역과 접촉시키는 단계를 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 기판과 몰드 어셈블리 사이에 위치되는 기체를 축출하기 위한 방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 몰드 어셈블리의 형상을 변경하는 단계는, 상기 몰드 어셈블리에 커플링된 척의 일부분과 상기 몰드 어셈블리의 상기 제1 영역 사이에 한정된 제1 챔버와, 상기 척의 일부분과 상기 몰드 어셈블리의 상기 제2 영역 사이에 한정된 제2 챔버 사이에 압력 차를 생성하는 단계를 더 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 기판과 몰드 어셈블리 사이에 위치되는 기체를 축출하기 위한 방법.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 몰드 어셈블리의 형상을 변경하는 단계는 상기 몰드 어셈블리에 커플링된 척의 일부분과 상기 몰드 어셈블리의 상기 제1 영역 사이에 한정된 챔버에 진공을 가하는 단계를 더 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 기판과 몰드 어셈블리 사이에 위치되는 기체를 축출하기 위한 방법.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 액체의 특정부분을 상기 몰드 어셈블리의 상기 제2 영역과 접촉시키는 단계는 상기 액체의 중앙 영역을 상기 몰드 어셈블리와 접촉시키는 단계를 더 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 기판과 몰드 어셈블리 사이에 위치되는 기체를 축출하기 위한 방법.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 몰드 어셈블리와 상기 액체로부터 형성된 층 간의 접촉 시간은 상기 층의 균일성을 최대화하도록 선택되는 것을 특징으로 하는 기판과 몰드 어셈블리 사이에 위치되는 기체를 축출하기 위한 방법.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 액체를 응고시키기 위해 상기 액체에 에너지를 가하는 단계를 더 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 기판과 몰드 어셈블리 사이에 위치되는 기체를 축출하기 위한 방법.
  7. 서로의 사이에 액체를 위치시킨 기판과 몰드 어셈블리 사이에서 위치되는 기체를 축출하기 위한 방법에 있어서, 상기 방법은,
    상기 몰드 어셈블리 주변에 제1 영역 및 몰드의 중앙 특정 부분에 제2 영역을 가지고 있는 상기 몰드 어셈블리가 상기 기판으로부터 일정 거리만큼 이격되도록 상기 몰드 어셈블리와 상기 기판을 배치하는 단계; 및
    상기 액체가 상기 몰드 어셈블리와 상기 기판 사이에 한정된 체적에 채워지도록 상기 기체를 상기 기판과 상기 몰드 어셈블리 사이로부터 축출시키기 위해 상기 제2 영역이 상기 기판을 향해 굽혀지고 상기 제2 영역이 상기 액체의 특정부분과 접촉하도록, 상기 제1 영역을 상기 기판으로부터 멀어지게 굽힘으로써 상기 몰드 어셈블리의 형상을 변경하는 단계를 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 기판과 몰드 어셈블리 사이에 위치되는 기체를 축출하기 위한 방법.
  8. 제 7 항에 있어서, 상기 몰드 어셈블리의 형상을 변경하는 단계는 상기 몰드 어셈블리에 커플링된 척의 일부분과 상기 몰드 어셈블리의 상기 제1 영역 사이에 한정된 제1 챔버와, 상기 척의 일부분과 상기 몰드 어셈블리의 상기 제2 영역 사이에 한정된 제2 챔버 사이에 압력 차를 생성하는 단계를 더 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 기판과 몰드 어셈블리 사이에 위치되는 기체를 축출하기 위한 방법.
  9. 제 7 항에 있어서, 상기 몰드 어셈블리의 형상을 변경하는 단계는 상기 몰드 어셈블리에 커플링된 척의 일부분과 상기 몰드 어셈블리의 제1 영역 사이에 한정된 챔버에 진공을 가하는 단계를 더 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 기판과 몰드 어셈블리 사이에 위치되는 기체를 축출하기 위한 방법.
  10. 제 7 항에 있어서, 상기 몰드 어셈블리의 형상을 변경하는 단계는 상기 액체의 중앙 영역을 상기 몰드 어셈블리와 접촉시키는 단계를 더 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 기판과 몰드 어셈블리 사이에 위치되는 기체를 축출하기 위한 방법.
  11. 제 7 항에 있어서, 상기 몰드 어셈블리와 상기 액체로부터 형성된 층 간의 접촉 시간은 상기 층의 균일성을 최대화하도록 선택되는 것을 특징으로 하는 기판과 몰드 어셈블리 사이에 위치되는 기체를 축출하기 위한 방법.
  12. 제 7 항에 있어서, 상기 액체를 응고시키기 위해 상기 액체에 에너지를 가하는 단계를 더 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 기판과 몰드 어셈블리 사이에 위치되는 기체를 축출하기 위한 방법.
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