TWI626708B - 基板支撐件、補償基板之上表面之不平整度之方法、微影裝置及器件製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明係關於一種基板支撐件，其包含：一支撐本體，其形成經組態以支撐一基板之一支撐表面，其中該支撐表面包含經組態以支撐該基板之一基板區域之一支撐表面部件，至少一個致動器，其在與該支撐表面部件對準之一部位處配置於該支撐本體上且經組態以在實質上平行於該支撐表面之一主平面的一方向上收縮或延伸，其中，在致動後，旋即該至少一個致動器經組態及配置以使該支撐本體局域地彎曲，以便補償裝載於該支撐表面上之一基板之一區域之一上表面的一不平整度。

Description

基板支撐件、補償基板之上表面之不平整度之方法、微影裝置及器件製造方法
本發明係關於一種基板支撐件、一種補償裝載於基板支撐件上之基板之上表面之不平整度的方法、一種微影裝置及一種器件製造方法。
微影裝置為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)之機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。在此狀況下，圖案化器件(其替代地被稱作光罩或比例光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上之電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包括晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。通常經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上來進行圖案之轉印。一般而言，單一基板將含有經順次地圖案化之鄰近目標部分之網路。習知微影裝置包括：所謂步進器，其中藉由一次性將整個圖案曝光至目標部分上來輻照每一目標部分；及所謂掃描器，其中藉由在給定方向(「掃描」方向)上經由輻射光束而掃描圖案同時平行或反平行於此方向而同步地掃描基板來輻照每一目標部分。亦有可能藉 由將圖案壓印至基板上而將圖案自圖案化器件轉印至基板。
在已知微影裝置中，提供基板支撐件以在將圖案化器件之圖案轉印至基板上期間支撐基板。為了確保圖案自圖案化器件適當地轉印至基板之目標部分，重要的是使上表面與入射於上表面上之經圖案化光束適當對準。因此，基板之上表面之不平整度係不理想的。然而，實務上基板之上表面可不平整，其(例如)由晶圓形狀變形造成或由支撐基板之基板台之支撐表面的不平整度造成。
為了補償基板之上表面之不平整度之效應，基板相對於入射於基板上之經圖案化光束之相對位置經調適以最佳化目標部分相對於經圖案化光束之位置。對於每一目標部分，可判定一個最佳位置，在該最佳位置中判定一平面且使該平面與經圖案化光束對準。此所謂調平可補償目標部分內之基板之上表面之一階不平整度。
然而，在目標部分內，亦可發生裝載於基板支撐件上之基板之上表面的高階不平整度。可特別在基板之邊緣區域中發生此高階不平整度且此高階不平整度可由不同原因造成。
舉例而言，基板自身之邊緣區域可彎曲。又，裝載有基板之基板支撐件之支撐表面可不平整。
在基板支撐件之已知實施例中，基板支撐件包含形成用於支撐基板之支撐表面之瘤節。歸因於磨損及/或拋光，支撐表面之外部瘤節(亦即，支撐基板之邊緣區域之瘤節)傾向於高度低於該支撐表面之其他瘤節之高度。此高度差亦引起基板支撐件之支撐表面之不平整度，且因此，引起裝載於支撐表面上之基板之上表面的不平整度。
需要提供一種具有用於支撐一基板的一基板支撐表面之基板支撐件，其中補償裝載於該支撐表面上之該基板之上表面之一邊緣區域的不平整度。
此外，需要提供一種用以補償裝載於一基板支撐件上之基板之上表面之不平整度的方法。
根據本發明之一態樣，提供一種基板支撐件，其包含：一支撐本體，其形成經組態以支撐一基板之一支撐表面，其中該支撐表面包含經組態以支撐該基板之一基板區域之一支撐表面部件，至少一個致動器，其在與該支撐表面部件對準之一部位處配置於該支撐本體上且經組態以在實質上平行於該支撐表面之一主平面的一方向上收縮或延伸，其中，在致動後，旋即該至少一個致動器經組態及配置以使該支撐本體局域地彎曲，以便補償裝載於該支撐表面上之一基板之一區域之一上表面的一不平整度。
根據本發明之一態樣，提供一種補償裝載於一基板支撐件之一支撐本體之一支撐表面上的一基板之一基板區域之一上表面的一不平整度之方法，其中該基板支撐件包含至少一個致動器，該至少一個致動器安裝於該支撐本體上且經組態以在實質上平行於裝載於該基板支撐件上之該基板之一主表面的一方向上收縮或延伸，其中該方法包含：基於表示裝載於該基板支撐件上之該基板之該基板區域之該上表面的不平整度之資料而致動該至少一個致動器以延伸及/或收縮，以便在該支撐本體中局域地產生一曲線，其中該支撐本體之該曲線實質上補償該基板區域之該上表面之該不平整度。
根據本發明之一態樣，提供一種經組態以將一圖案自一圖案化器件轉印至一基板上之微影裝置，其包含：一基板支撐件，該基板支撐件包含：一支撐本體，其形成經組態以支撐一基板之一支撐表面，其中 該支撐表面包含經組態以支撐該基板之一基板區域之一支撐表面部件；至少一個致動器，其在與該支撐表面部件對準之一部位處配置於該支撐本體上且經組態以在實質上平行於該支撐表面之一主平面的一方向上收縮或延伸，其中，在致動後，旋即該至少一個致動器經組態及配置以使該支撐本體局域地彎曲，以便補償裝載於該支撐表面上之一基板之一區域之一上表面的一不平整度。
根據本發明之一態樣，提供一種器件製造方法，其包含將一圖案自一圖案化器件轉印至一基板上，其中該方法包含將該基板裝載於一基板支撐件之一支撐本體之一支撐表面上的步驟，其中該基板支撐件包含至少一個致動器，該至少一個致動器安裝於該支撐本體上且經組態以在實質上平行於裝載於該基板支撐件上之該基板之一主表面的一方向上收縮或延伸，其中該裝載步驟包含：基於表示裝載於該基板支撐件上之該基板之基板區域之上表面的不平整度之資料而致動該至少一個致動器以延伸及/或收縮，以便在該支撐本體中局域地產生一曲線，其中該支撐本體之該曲線實質上補償該基板區域之該上表面之該不平整度。
1‧‧‧基板支撐件
2‧‧‧支撐本體
3‧‧‧瘤節
3a‧‧‧外部瘤節
5‧‧‧底切部
6‧‧‧壓電致動器
7‧‧‧支撐本體邊緣部件
8‧‧‧中心部件
9‧‧‧厚度轉變區
20‧‧‧基板
21‧‧‧中心區域
22‧‧‧環形邊緣區域/基板邊緣區域
23‧‧‧圓形邊緣/外部邊緣
24‧‧‧上表面
25‧‧‧圓周凹槽
30‧‧‧控制器件
40‧‧‧感測器器件
AD‧‧‧調整器
B‧‧‧輻射光束
BD‧‧‧光束遞送系統
C‧‧‧目標部分
CO‧‧‧聚光器
IF‧‧‧位置感測器
IL‧‧‧照明系統/照明器
IN‧‧‧積光器
M1‧‧‧光罩對準標記
M2‧‧‧光罩對準標記
MA‧‧‧圖案化器件/光罩
MT‧‧‧光罩支撐結構/光罩台
P1‧‧‧基板對準標記
P2‧‧‧基板對準標記
PM‧‧‧第一定位器件
PS‧‧‧投影系統
PW‧‧‧第二定位器件/第二定位器
SO‧‧‧輻射源
W‧‧‧基板
WT‧‧‧基板台
現在將參看隨附示意性圖式而僅作為實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中，對應元件符號指示對應部件，且在該等圖式中：-圖1描繪根據本發明之一實施例之微影裝置；-圖2描繪根據本發明之基板支撐件之第一實施例的橫截面圖；及-圖3描繪圖2之基板支撐件之俯視圖；-圖4描繪在圖2補償之不平整度之前之基板支撐件的橫截面 圖；-圖5描繪在不平整度補償之後之圖2之基板支撐件的橫截面圖；及-圖6描繪根據本發明之基板支撐件之第二實施例的橫截面圖。
圖1示意性地描繪根據本發明之一項實施例之微影裝置。該裝置包括：照明系統(照明器)IL，其經組態以調節輻射光束B(例如，UV輻射或任何其他合適輻射)；光罩支撐結構(例如，光罩台)MT，其經建構以支撐圖案化器件(例如，光罩)MA，且連接至經組態以根據某些參數來準確地定位該圖案化器件之第一定位器件PM。該裝置亦包括基板台(例如，晶圓台)WT或「基板支撐件」，其經建構以固持基板(例如，抗蝕劑塗佈晶圓)W，且連接至經組態以根據某些參數來準確地定位該基板之第二定位器件PW。該裝置進一步包括投影系統(例如，折射投影透鏡系統)PS，其經組態以將由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C(例如，包括一或多個晶粒)上。
照明系統可包括用於導向、塑形或控制輻射的各種類型之光學組件，諸如折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。
光罩支撐結構支撐(亦即，承載)圖案化器件。光罩支撐結構以取決於圖案化器件之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如圖案化器件是否被固持於真空環境中)的方式來固持圖案化器件。光罩支撐結構可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術以固持圖案化器件。光罩支撐結構可為(例如)框架或台，其可根據需要而固定或可移動。光罩支撐結構可確保圖案化器件(例如)相對於投影系統處於所要位置。可認為本文中對術語「比例光罩」或「光罩」之任何使用皆與更一般術 語「圖案化器件」同義。
本文所使用之術語「圖案化器件」應被廣泛地解譯為係指可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案，以便在基板之目標部分中產生圖案的任何器件。應注意，舉例而言，若被賦予至輻射光束之圖案包括相移特徵或所謂輔助特徵，則該圖案可不確切地對應於基板之目標部分中之所要圖案。通常，被賦予至輻射光束之圖案將對應於目標部分中所產生之器件(諸如積體電路)中之特定功能層。
圖案化器件可為透射的或反射的。圖案化器件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列及可程式化LCD面板。光罩在微影中為吾人所熟知，且包括諸如二元、交替相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合式光罩類型。可程式化鏡面陣列之實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中之每一者可個別地傾斜以便使入射輻射光束在不同方向上反射。傾斜鏡面在由鏡面矩陣反射之輻射光束中賦予圖案。
本文中所使用之術語「投影系統」應被廣泛地解譯為涵蓋適於所使用之曝光輻射或適於諸如浸潤液體之使用或真空之使用之其他因素的任何類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統，或其任何組合。可認為本文中對術語「投影透鏡」之任何使用與更一般術語「投影系統」同義。
如此處所描繪，裝置屬於透射類型(例如，使用透射光罩)。替代地，裝置可屬於反射類型(例如，使用如上文所提及之類型之可程式化鏡面陣列，或使用反射光罩)。
微影裝置可屬於具有兩個(雙載物台)或兩個以上基板台或「基板支撐件」(及/或兩個或兩個以上光罩台或「光罩支撐件」)之類型。在此等「多載物台」機器中，可並行地使用額外台或支撐件，或可對一或多個台或支撐件進行預備步驟，同時將一或多個其他台或支撐件用於曝光。
微影裝置亦可屬於如下類型：其中基板之至少一部分可由具有相對高折射率之液體(例如，水)覆蓋，以便填充投影系統與基板之間的空間。亦可將浸潤液體施加於微影裝置中之其他空間，例如，光罩與投影系統之間的空間。浸潤技術可用以增加投影系統之數值孔徑。本文所使用之術語「浸潤」不意謂諸如基板之結構必須浸沒於液體中，而是僅意謂液體在曝光期間位於投影系統與基板之間。
參考圖1，照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。舉例而言，當源為準分子雷射時，源及微影裝置可為分離實體。在此等狀況下，不認為輻射源形成微影裝置之部件，且輻射光束係憑藉包括(例如)合適導向鏡面及/或光束擴展器之光束遞送系統BD而自輻射源SO傳遞至照明器IL。在其他狀況下，舉例而言，當輻射源為水銀燈時，輻射源可為微影裝置之整體部件。輻射源SO及照明器IL連同光束遞送系統BD(在需要時)可被稱為輻射系統。
照明器IL可包括經組態以調整輻射光束之角強度分佈之調整器AD。通常，可調整照明器之光瞳平面中之強度分佈的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。另外，照明器IL可包括各種其他組件，諸如積光器IN及聚光器CO。照明器可用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。
輻射光束B入射於被固持於光罩支撐結構(例如，光罩台MT)上之圖案化器件(例如，光罩MA)上，且係藉由該圖案化器件而圖案化。在已橫穿光罩MA的情況下，輻射光束B傳遞通過投影系統PS，投影系統PS將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位器件PW及位置感測器IF(例如，干涉量測器件、線性編碼器或電容性感測器)，可準確地移動基板台WT，例如，以便使不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中。相似地，第一定位器件PM及另一位置感測器(其未在圖1中被明確地描繪)可用以(例如)在自光罩庫之機械擷取之後 或在掃描期間相對於輻射光束B之路徑來準確地定位光罩MA。一般而言，可憑藉形成第一定位器件PM之部件之長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現光罩台MT之移動。相似地，可使用形成第二定位器PW之部件之長衝程模組及短衝程模組來實現基板台WT或「基板支撐件」之移動。在步進器(相對於掃描器)之狀況下，光罩台MT可僅連接至短衝程致動器，或可固定。可使用光罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準光罩MA及基板W。儘管所說明之基板對準標記佔據專用目標部分，但該等標記可位於目標部分之間的空間中(此等標記被稱為切割道對準標記)。相似地，在一個以上晶粒提供於光罩MA上之情形中，光罩對準標記可位於該等晶粒之間。
圖2示意性地展示微影裝置之基板支撐件1之橫截面。基板支撐件1包含一支撐本體2及多個瘤節3，該多個瘤節自支撐本體2延伸且在其頂部側處形成用於支撐基板20之支撐表面，如圖2中所展示。瘤節3之間的空間可(例如)用以產生真空空間以將基板20夾持於支撐表面上。
圖3示意性地展示圖2之基板支撐件之俯視圖。應注意，實務上基板支撐件1可包含形成如圖2及圖3中所展示之支撐表面之實質上更多瘤節3，且該等瘤節3之間的距離之大小可實質上小於圖2及圖3中所表示之大小。
基板20為實質上圓形板形元件，其包含中心區域21及沿著基板20之圓形邊緣23延伸之環形邊緣區域22。理想地，基板為完美平整元件，但實務上基板可包含不平整上表面及下表面。
瘤節3經配置而呈自支撐表面之中心點延伸之同心圓之形式。提供瘤節3之內部圓以支撐基板20之中心區域21，而提供瘤節3之兩個外部圓以支撐基板20之邊緣區域22。為了將圖案自圖案化器件適當地轉 印至基板20，基板20之上表面24應與入射於基板20上之經圖案化光束適當對準。當支撐表面及基板20完美平整時，上表面24將始終與入射於上表面24上之經圖案化光束適當對準。
然而實務上，通常發生上表面24之不平整度。舉例而言，基板可翹曲。針對基板之每一目標部分最佳化基板20之上表面24之位置為吾人所知，亦即，針對每一目標部分，判定上表面之最佳位置且使基板支撐件在六個自由度中移動以將目標位置固持於此最佳位置，以將所要圖案最佳轉印至基板20上。此所謂調平在目標部分內之不平整度可經模型化為一階不平整度，使得可藉由將目標部分固持於最佳位置來補償平整度的情況下特別有用。在目標部分之尺寸內，不平整度亦可具有高階。在此狀況下，可藉由調平而較不適當地補償不平整度。此高階不平整度通常發生在基板20之上表面24之邊緣區域22中。
此高階不平整度可由以下原因中之一或多者造成：基板之邊緣區域22變形或基板支撐件之支撐表面不平整。不平整支撐表面通常係由瘤節3之磨損或拋光造成，藉以外部圓之瘤節3低於其他瘤節。
在所有此等狀況下，邊緣區域22中之基板20之上表面24通常捲曲。此捲曲可相對陡，由於此情形，藉由在將圖案自圖案化器件轉印至基板20期間進行調平不能補償或僅部分地補償不平整度之補償。
為了進一步補償基板之邊緣區域22中之不平整度，使基板支撐件1具備在邊緣支撐表面之圓周上延伸之底切部5，亦即，經組態以支撐裝載於基板支撐件1上之基板20之邊緣區域22的支撐表面之部件。
在底切部5中，壓電致動器6經配置於基板支撐件1上。壓電致動器6中之每一者之第一末端係與瘤節3之最外部圓之瘤節對準，且壓電致動器6之對置之第二末端係與瘤節3之鄰近圓之瘤節對準。該等壓電致動器在實質上平行於支撐表面且與支撐表面一起平行於支撐於支撐表面上之基板20之主平面的平面中延伸。此外，壓電致動器6相對於 支撐表面之中心及裝載於支撐表面上之基板實質上徑向地延伸。
提供底切部5以增加支撐本體邊緣部件7之可撓性，使得壓電致動器6能夠在需要時使支撐本體邊緣部件7彎曲。同時，自支撐本體邊緣部件7至支撐本體之中心部件8之急劇厚度轉變區9確保支撐本體2之彎曲將實質上僅發生在支撐本體邊緣部件7中，而不部分地發生在支撐本體2之中心部件8內。
壓電致動器6之伸長將引起支撐本體2之支撐本體邊緣部件7之自由端將朝上彎曲。結果，外環之瘤節3將相對於其他瘤節3向上移動。此情形將造成基板邊緣區域22之上表面相對於基板20之其餘部分之上表面向上移動。因此，壓電致動器6之伸長可引起基板20之邊緣之捲曲的補償。
舉例而言，圖4展示圖2之基板支撐件1，其中外部瘤節3a之高度小於支撐表面之其餘部分之瘤節3的高度。結果，基板20之外部邊緣23捲曲，從而引起基板之上表面24不平整。實務上，不平整度之陡度可如此大使得藉由在圖案轉印於基板上期間進行基板支撐件之調平不能適當地補償不平整度。
外部瘤節3a之較低高度可藉由壓電致動器6之伸長來補償。如圖5中所展示，壓電致動器6之致動引起壓電致動器伸長。因此，基板支撐件之邊緣部件7向上彎曲，且外部瘤節3a向上移動至與基板支撐件1之其他瘤節3之高度實質上相同的位階。結果，基板20之邊緣區域22之上表面24的不平整度實質上得以縮減。
將明確的是，壓電致動器6之收縮或縮短將引起支撐本體邊緣部件7之自由端向下彎曲及瘤節3a之外環向下移動。可在需要向下移動基板20之外部邊緣以補償基板邊緣區域22之不平整度時使用此移動。
提供控制器件30以控制壓電致動器6之致動。控制器件30經組態以提供致動信號以致動壓電致動器6。在圖2及圖3中所展示之實施例 中，控制器件30提供同時用於所有壓電致動器6之單一致動信號。基板20之邊緣區域之不平整度針對基板20之整個圓周常常相同。結果，為了補償基板20之邊緣區域22之上表面24的不平整度，可將單一致動信號用於所有壓電致動器6以補償基板20之上表面之不平整度。
在控制器件30之替代實施例中，控制器件30可經組態以向每一壓電致動器提供一分離致動信號，使得每一壓電致動器之移動可個別地受控制。此情形提供補償裝載於基板支撐件1上之基板20之上表面的任何邊緣不平整度之更多靈活性，但亦需要用以個別地控制每一壓電致動器6之較複雜控制策略。在另一替代實施例中，壓電致動器6可以群組形式再分，且每一群組係由其由控制器件30提供的自有致動信號致動。
在此實施例中，對於基板之每一目標部分或至少對於基板20之邊緣區域22內之每一目標部分，可需要壓電致動器6之不同設定以補償基板20之上表面之不平整度。
為了適當補償基板20之上表面之不平整度，應提供表示或指示裝載於基板支撐件1上之基板20之上表面之不平整度的資料。
可(例如)藉由感測器器件40獲得此資料。此感測器器件40可在藉由壓電致動器6之補償之前量測上表面之不平整度，且將此資料提供至控制器件30。基於此經量測資料，控制器件30可計算適當補償基板20之上表面24之不平整度所需的致動信號。
取決於基板20之上表面之不平整度之原因，可使用不同控制策略以補償該不平整度。
當不平整度係由基板支撐件之支撐表面之不平整度造成(特別是由瘤節之拋光造成)時，可在微影裝置之設置校準期間判定不平整度。此後，可針對每一基板20使用相同補償設定。
因為不平整度亦可由支撐表面之磨損(特別是支撐表面之外部瘤 節3之磨損)造成，所以可規則地重複量測以判定瘤節3之磨損是否需要補償設定之調整。
由基板20自身之變形造成的上表面24之不平整度可藉由特定基板20之上表面之量測予以判定。可量測並儲存此資料直至實際上將基板裝載至基板支撐件1上為止。
較佳地，在基板之上表面之量測期間判定所需補償以供調平。在將圖案自圖案化器件轉印至基板之前，作出關於基板之上表面之位階映圖(level map)，以便判定在將圖案轉印至基板上期間所使用的所要調平位置。當在上表面之此量測期間判定邊緣區域22中之高階不平整度時，亦可使用此量測以判定在將圖案轉印至基板20之上表面上期間壓電致動器6之所要補償設定。
圖6描繪根據本發明之基板支撐件1之第二實施例。在此實施例中，圓周凹槽25提供於支撐本體2中。凹槽25與支撐表面實質上同軸，且結果，與安裝於支撐本體2之支撐表面上之基板20同軸。凹槽25增加支撐本體2之彎曲性，特別是瘤節3之兩個外環之間的彎曲性。致動器6與凹槽25橋接，亦即，致動器6之第一末端安裝於凹槽25之一側處，且致動器6之另一末端安裝於凹槽25之另一對置側處。
致動器6之收縮或延伸將導致在瘤節3之兩個外環之間的外部本體2中之彎曲。此情形引起支撐本體2之外部邊緣向上或向下彎曲。支撐本體2之此位移可用以補償基板20之上表面24之任何不平整度，特別是基板20之邊緣區域中之不平整度。
在上文中，已描述了使用壓電致動器以補償基板之上表面之不平整度。然而，亦可使用任何其他致動器，特別是在與支撐表面邊緣部件對準之部位處配置於基板支撐件上且經組態以在實質上平行於支撐表面之主平面的方向上收縮或延伸之線性致動器。(例如)可使用之線性致動器之類型為氣動線性致動器、靜電線性致動器、磁致伸縮線 性致動器或電致伸縮線性致動器。
在所展示實施例中，壓電致動器均勻地分佈於支撐表面之圓周上方且在支撐表面之徑向方向上經定向。在替代實施例中，亦可使用任何其他合適分佈及/或定向。舉例而言，壓電致動器之分佈及/或定向可具體地經調適至基板之典型變形形狀。此外，壓電致動器之數目亦可經調整至任何合適數目以實質上補償裝載於基板支撐件上之基板之上表面的不平整度。
壓電致動器之末端係與瘤節(瘤節之兩個外環)對準。在替代實施例中，壓電致動器之末端可不與瘤節對準。壓電致動器亦可較佳在徑向方向上遍及多個瘤節之範圍而延伸。
儘管在本文中可特定地參考微影裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文所描述之微影裝置可具有其他應用，諸如製造整合式光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭，等等。熟習此項技術者應瞭解，在此等替代應用之內容背景中，可認為本文中對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更一般之術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在(例如)塗佈顯影系統(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文中所提及之基板。適用時，可將本文中之揭示內容應用於此等及其他基板處理工具。另外，可將基板處理一次以上(例如)以便產生多層IC，以使得本文中所使用之術語「基板」亦可指已經含有多個經處理層之基板。
儘管上文可特定地參考在光學微影之內容背景中對本發明之實施例之使用，但將瞭解，本發明可用於其他應用(例如，壓印微影)中，且在內容背景允許之情況下不限於光學微影。在壓印微影中，圖案化器件中之構形(topography)界定產生於基板上之圖案。可將圖案化器件置之構形壓入被供應至基板之抗蝕劑層中，在基板上，抗蝕劑 係藉由施加電磁輻射、熱、壓力或其組合而固化。在抗蝕劑固化之後，將圖案化器件移出抗蝕劑，從而在其中留下圖案。
本文所使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如，具有為或為約365奈米、248奈米、193奈米、157奈米或126奈米之波長)及極紫外線(EUV)輻射(例如，具有在5奈米至20奈米之範圍內之波長)；以及粒子束(諸如離子束或電子束)。
術語「透鏡」在內容背景允許時可指各種類型之光學組件中之任一者或其組合，包括折射、反射、磁性、電磁及靜電光學組件。
雖然上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述方式不同之其他方式來實踐本發明。舉例而言，本發明可採取如下形式：電腦程式，其含有描述如上文所揭示之方法的機器可讀指令之一或多個序列；或資料儲存媒體(例如，半導體記憶體、磁碟或光碟)，其具有儲存於其中之此電腦程式。
以上描述意欲為說明性而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對所描述之本發明進行修改。

Claims (15)

  1. 一種基板支撐件，其包含：一支撐本體，其形成經組態以支撐一基板之一支撐表面，其中該支撐表面包含經組態以支撐該基板之一基板區域之一支撐表面部件(support surface part)，至少一個致動器，其在與該支撐表面部件對準之一部位處配置於該支撐本體上且經組態以在實質上平行於該支撐表面之一主平面(main plane)的一方向上收縮或延伸，其中，在致動後，旋即該至少一個致動器經組態及配置以使該支撐本體局域地彎曲，以補償裝載於該支撐表面上之一基板之一區域之一上表面的一不平整度(unflatness)。
  2. 如請求項1之基板支撐件，其中該至少一個致動器包含一壓電致動器。
  3. 如請求項1之基板支撐件，其中該支撐表面係由該支撐本體之多個瘤節(burls)形成，每一瘤節具有垂直於該支撐表面之一縱向軸線，其中一第一瘤節及一第二瘤節在實質上垂直於裝載於該支撐表面上之該基板之一邊緣的一方向上彼此隔開，且其中該至少一個致動器經配置以在平行於該第一瘤節之該縱向軸線與該第二瘤節之該縱向軸線之間的一線之一方向上收縮或延伸。
  4. 如請求項1之基板支撐件，其中該基板區域為該基板之一基板邊緣區域，且其中該支撐表面部件為經組態以支撐該基板之該基板邊緣區域之一支撐表面邊緣部件。
  5. 如請求項4之基板支撐件，其中該支撐表面之該支撐表面邊緣部件包含該支撐表面之一圓周區域，且其中該基板本體包含分佈於該圓周區域上(over)之多個壓電致動器。
  6. 如請求項5之基板支撐件，其中該基板支撐件包含一控制器件，其中該多個壓電致動器係藉由該控制器件之一單一控制信號致動，及/或其中該基板支撐件包含一控制器件，且其中該多個壓電致動器中之每一者係藉由該控制器件之一個別控制信號致動。
  7. 如請求項1之基板支撐件，其中該支撐本體包含與形成該支撐表面部件之一部件對準的一底切部(undercut)，其中該至少一個致動器配置於該底切部上。
  8. 如請求項1之基板支撐件，其中該支撐本體包含相對於該支撐本體之一中心部件具有一縮減之厚度的一邊緣部件，該邊緣部件形成該支撐表面邊緣部件，其中該至少一個致動器配置於該邊緣部件上。
  9. 如請求項1之基板支撐件，其中該基板支撐件包含一感測器器件，該感測器器件經組態以量測裝載於該支撐表面上之一基板之一區域之一上表面的該不平整度。
  10. 一種補償裝載於一基板支撐件之一支撐本體之一支撐表面上的一基板之一基板區域之一上表面的一不平整度之方法，其中該基板支撐件包含至少一個致動器，該至少一個致動器安裝於該支撐本體上且經組態以在實質上平行於裝載於該基板支撐件上之該基板之一主表面的一方向上收縮或延伸，其中該方法包含：基於表示裝載於該基板支撐件上之該基板之該基板區域之該上表面的不平整度之資料而致動該至少一個致動器以延伸及/或收縮，以在該支撐本體中局域地產生一曲線，其中該支撐本體之該曲線實質上補償該基板區域之該上表面之該不平整度。
  11. 如請求項10之方法，其中提供資料之該步驟包含：量測該基板支撐件之該支撐表面之該不平整度。
  12. 如請求項10之方法，其中提供資料之該步驟包含：量測該基板之至少該基板區域之該不平整度。
  13. 如請求項12之方法，其中在該基板裝載於該支撐表面上時進行量測該基板之至少該基板區域之該不平整度的該步驟。
  14. 一種經組態以將一圖案自一圖案化器件轉印至一基板上之微影裝置，其包含：一基板支撐件，該基板支撐件包含：一支撐本體，其形成經組態以支撐一基板之一支撐表面，其中該支撐表面包含經組態以支撐該基板之一基板區域之一支撐表面部件，至少一個致動器，其在與該支撐表面部件對準之一部位處配置於該支撐本體上且經組態以在實質上平行於該支撐表面之一主平面的一方向上收縮或延伸，其中，在致動後，旋即該至少一個致動器經組態及配置以使該支撐本體局域地彎曲，以補償裝載於該支撐表面上之一基板之一區域之一上表面的一不平整度。
  15. 一種器件製造方法，其包含將一圖案自一圖案化器件轉印至一基板上，其中該方法包含將該基板裝載於一基板支撐件之一支撐本體之一支撐表面上的步驟，其中該基板支撐件包含至少一個致動器，該至少一個致動器安裝於該支撐本體上且經組態以在實質上平行於裝載於該基板支撐件上之該基板之一主表面的一方向上收縮或延伸，其中該裝載步驟包含：基於表示裝載於該基板支撐件上之該基板之基板區域之上表面的不平整度之資料而致動該至少一個致動器以延伸及/或收縮，以在該支撐本體中局域地產生一曲線，其中該支撐本體之該曲線實質上補償該基板區域之該上表面之該不平整度。
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109841536A (zh) * 2017-11-29 2019-06-04 长鑫存储技术有限公司 边缘补偿系统、晶圆载台系统及晶圆安装方法
TWI646210B (zh) * 2018-02-07 2019-01-01 世界中心科技股份有限公司 化學氣相沉積機台之板狀構件的平坦度處理方法
CN109155235A (zh) * 2018-08-16 2019-01-04 长江存储科技有限责任公司 使用背面补偿结构的晶圆平整度控制
WO2020216555A1 (en) 2019-04-23 2020-10-29 Asml Netherlands B.V. Object table, a stage apparatus, a lithographic apparatus and a method of loading an object onto an object table or stage apparatus
KR20220030997A (ko) * 2019-07-08 2022-03-11 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 장치
US11195743B2 (en) * 2019-08-30 2021-12-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited Adjustable substrate support and adjustment method
WO2022073679A1 (en) * 2020-10-08 2022-04-14 Asml Netherlands B.V. Substrate holder, carrier system comprising a substrate holder and lithographic apparatus

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110222039A1 (en) * 2010-03-11 2011-09-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2014183253A (ja) * 2013-03-21 2014-09-29 Nikon Corp 基板保持装置、基板ホルダ、並びに露光方法及び装置

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01218020A (ja) * 1988-02-26 1989-08-31 Canon Inc 薄板状物体の平面矯正装置
US5094536A (en) 1990-11-05 1992-03-10 Litel Instruments Deformable wafer chuck
JP3251362B2 (ja) 1993-01-11 2002-01-28 三菱電機株式会社 露光装置及び露光方法
TWI277836B (en) * 2002-10-17 2007-04-01 Adv Lcd Tech Dev Ct Co Ltd Method and apparatus for forming pattern on thin-substrate or the like
JP2004335855A (ja) * 2003-05-09 2004-11-25 Rohm Co Ltd 露光装置及び露光方法
SG110196A1 (en) 2003-09-22 2005-04-28 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7019816B2 (en) * 2003-12-17 2006-03-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
JP2006186223A (ja) * 2004-12-28 2006-07-13 Tokyo Seimitsu Co Ltd チャック装置
JP2007123560A (ja) 2005-10-28 2007-05-17 Toshiba Corp ウェハチャック及び半導体製造方法
KR100819556B1 (ko) * 2006-02-20 2008-04-07 삼성전자주식회사 웨이퍼 스테이지, 이를 갖는 노광설비 및 이를 사용한 웨이퍼 평평도 보정 방법
JP2011060823A (ja) * 2009-09-07 2011-03-24 Nikon Corp 基板保持装置、露光装置、デバイス製造方法、及び基板保持装置の調整方法
NL2006536A (en) * 2010-05-13 2011-11-15 Asml Netherlands Bv A substrate table, a lithographic apparatus, a method of flattening an edge of a substrate and a device manufacturing method.
US20120026480A1 (en) 2010-07-26 2012-02-02 Asml Netherlands B.V. Image-Compensating Addressable Electrostatic Chuck System
KR101539153B1 (ko) 2010-12-14 2015-07-23 가부시키가이샤 니콘 노광 방법 및 노광 장치, 그리고 디바이스 제조 방법
NL2008833A (en) 2011-06-21 2012-12-28 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, method of deforming a substrate table and device manufacturing method.
NL2009874A (en) * 2011-12-23 2013-06-26 Asml Netherlands Bv Support, lithographic apparatus and device manufacturing method.
JP5868228B2 (ja) 2012-03-12 2016-02-24 住友重機械工業株式会社 基板保持装置及び基板保持方法
US9910368B2 (en) 2012-10-23 2018-03-06 Asml Netherlands B.V. Patterning device manipulating system and lithographic apparatuses
JP5425998B2 (ja) 2012-11-13 2014-02-26 東京エレクトロン株式会社 基板保持部材、基板搬送アーム及び基板搬送装置
JP2015088590A (ja) * 2013-10-30 2015-05-07 キヤノン株式会社 基板吸着装置および基板平面度補正方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110222039A1 (en) * 2010-03-11 2011-09-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2014183253A (ja) * 2013-03-21 2014-09-29 Nikon Corp 基板保持装置、基板ホルダ、並びに露光方法及び装置

Also Published As

Publication number Publication date
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NL2016691A (en) 2016-12-29
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