JPH01218020A - 薄板状物体の平面矯正装置 - Google Patents
薄板状物体の平面矯正装置Info
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- JPH01218020A JPH01218020A JP63045104A JP4510488A JPH01218020A JP H01218020 A JPH01218020 A JP H01218020A JP 63045104 A JP63045104 A JP 63045104A JP 4510488 A JP4510488 A JP 4510488A JP H01218020 A JPH01218020 A JP H01218020A
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- Japan
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- holding
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Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Details Of Measuring And Other Instruments (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[利用分野]
本発明は、半導体ウェハ又は液晶デイスプレィ用ガラス
基板と言った薄板状の基板の平面矯正と平面保持を行う
ための平面矯正保持装置に関するものである。
基板と言った薄板状の基板の平面矯正と平面保持を行う
ための平面矯正保持装置に関するものである。
[従来技術]
従来、半導体製造装置では、ウェハの平面矯正と保持は
、第5図のように平面度の良い平面11に真空吸着によ
って吸引し、平面矯正と保持を行なうか、第6図のよう
にチャック内に高さ方向に6勤可能なピン16を複数個
立てて、これを制御してウェハの平面矯正をする方法が
提案されている。
、第5図のように平面度の良い平面11に真空吸着によ
って吸引し、平面矯正と保持を行なうか、第6図のよう
にチャック内に高さ方向に6勤可能なピン16を複数個
立てて、これを制御してウェハの平面矯正をする方法が
提案されている。
しかしながら、第5図に示した従来例では、平面矯正能
としては最大IKgf/crr?の圧力をクエへ面に加
えることができるが、この程度の圧力では、歪んだウェ
ハの平面矯正がしきれず、部分的に平面度が悪くなると
いう欠点があり、又、第6図に示した従来例では、前述
の平面矯正能に加えて平面度の黒い部分にビンによる外
力を与えて矯正効果を高めようとしたものであるが、こ
の方法では、前記ビンを制御するために、前記基板の平
面度を測定する為の平面度検出機構を付加する必要があ
り、又、複数のピンを制御するシステムなどが必要で、
装置が複雑になり実用的であるとは言えなかりな0本発
明は、前述の諸問題を解決して、Pl、な装置構成で且
つ精度の高い基板平面矯正保持装置を提供することを目
的とする。
としては最大IKgf/crr?の圧力をクエへ面に加
えることができるが、この程度の圧力では、歪んだウェ
ハの平面矯正がしきれず、部分的に平面度が悪くなると
いう欠点があり、又、第6図に示した従来例では、前述
の平面矯正能に加えて平面度の黒い部分にビンによる外
力を与えて矯正効果を高めようとしたものであるが、こ
の方法では、前記ビンを制御するために、前記基板の平
面度を測定する為の平面度検出機構を付加する必要があ
り、又、複数のピンを制御するシステムなどが必要で、
装置が複雑になり実用的であるとは言えなかりな0本発
明は、前述の諸問題を解決して、Pl、な装置構成で且
つ精度の高い基板平面矯正保持装置を提供することを目
的とする。
本発明によれば、基板を吸着保持する保持機4みと、前
記基板の周辺部を前記保持機構周辺で前記基板の半径方
向に引張る引張り機構とから基板平面矯正保持装置を構
成してやることにより上記目的を達成している。
記基板の周辺部を前記保持機構周辺で前記基板の半径方
向に引張る引張り機構とから基板平面矯正保持装置を構
成してやることにより上記目的を達成している。
[実施例]
第1図〜第3図は、本発明の特徴を最もよく表わす図面
で、第1図は本発明の装置を上面からみた図面、第2図
は第1図のAA’断面、第3図はBに断面の一部である
。
で、第1図は本発明の装置を上面からみた図面、第2図
は第1図のAA’断面、第3図はBに断面の一部である
。
同図において、1はクエへを平面吸着し保持するための
チャック(つまりは保持手段)、2はチャックの溝を真
空吸引する為の貫通孔、3はウェハチャック及びクエへ
を真空吸引する為のチャンバーを有する基板、4はクエ
へを平面内で放射状に引張りあるいは圧縮を加える為の
セグメントチャック、5はセグメントチャックを放射状
方向に6勤させる為のエアシリンダ、6はセグメントチ
ャックの溝を真空吸引する管路、7は管路を吸着する真
空源(不図示)及びコントローラ(不図示)に接続する
為のニップル、8はセグメントチャックを放射状に可動
させる為のガイド溝、9はセグメントチャックを浮上あ
るいは吸着固定する為の溝、10は9の溝に空気を送る
あるいは、吸着の為の真空源(不図示)、コントローラ
(不図示)に接続する為のニップルである。
チャック(つまりは保持手段)、2はチャックの溝を真
空吸引する為の貫通孔、3はウェハチャック及びクエへ
を真空吸引する為のチャンバーを有する基板、4はクエ
へを平面内で放射状に引張りあるいは圧縮を加える為の
セグメントチャック、5はセグメントチャックを放射状
方向に6勤させる為のエアシリンダ、6はセグメントチ
ャックの溝を真空吸引する管路、7は管路を吸着する真
空源(不図示)及びコントローラ(不図示)に接続する
為のニップル、8はセグメントチャックを放射状に可動
させる為のガイド溝、9はセグメントチャックを浮上あ
るいは吸着固定する為の溝、10は9の溝に空気を送る
あるいは、吸着の為の真空源(不図示)、コントローラ
(不図示)に接続する為のニップルである。
11は平面矯正するウェハを示している。12はウェハ
チャックに真空圧あるいは圧力を加える為のチャンバー
、13はそのニップルである。
チャックに真空圧あるいは圧力を加える為のチャンバー
、13はそのニップルである。
上記構成において、平面矯正を必要とするウェハ11を
本発明の装置上に載せ、各セグメントチャックの吸着溝
に通じるニップル7を真空源に接続し、ウェハ周辺の裏
面を真空吸着する。この時点でニップル13は大気圧も
しくは大気圧よりわずかに高い圧力源に接続する。ニッ
プル13を圧力源に接続した場合、ウェハ11裏面とチ
ャック4の接触部は、薄い空気層により非接触になり、
エアベアリングを構成することになる。これは、次に述
べる放射方向に引張り力を与えて平面矯正する場合の矯
正効果を高める為と、接触部に落下したゴミ等を吹きと
ばす効果もある。
本発明の装置上に載せ、各セグメントチャックの吸着溝
に通じるニップル7を真空源に接続し、ウェハ周辺の裏
面を真空吸着する。この時点でニップル13は大気圧も
しくは大気圧よりわずかに高い圧力源に接続する。ニッ
プル13を圧力源に接続した場合、ウェハ11裏面とチ
ャック4の接触部は、薄い空気層により非接触になり、
エアベアリングを構成することになる。これは、次に述
べる放射方向に引張り力を与えて平面矯正する場合の矯
正効果を高める為と、接触部に落下したゴミ等を吹きと
ばす効果もある。
次に、ニップル10を圧力源に接続し、セグメントチャ
ツク4低部と基板3の間でエアベアリングを構成し、セ
グメントチャックを動かしゃすくする。この時、セグメ
ントチャック4の表面はエアベアリングに空気層を生じ
るためウェハチャック1の表面よりわずかに高くなり、
ウェハ11の裏面がウェハチャック4の表面接触部と離
れる方向に作用し、平面矯正効果を高めることができる
。
ツク4低部と基板3の間でエアベアリングを構成し、セ
グメントチャックを動かしゃすくする。この時、セグメ
ントチャック4の表面はエアベアリングに空気層を生じ
るためウェハチャック1の表面よりわずかに高くなり、
ウェハ11の裏面がウェハチャック4の表面接触部と離
れる方向に作用し、平面矯正効果を高めることができる
。
その後、エアシリンダ5に圧力を加え、基板3に掘った
溝8に沿って、セグメントチャック4を放射状に6勤さ
せクエへの許容平面度内に持ってくる。エアシリンダに
与える圧力はセグメントチャック4の吸着力とウニへ裏
面とセグメントチャック4の接触部の摩擦係数の積より
小さいカでひっ引張られるように設定する。
溝8に沿って、セグメントチャック4を放射状に6勤さ
せクエへの許容平面度内に持ってくる。エアシリンダに
与える圧力はセグメントチャック4の吸着力とウニへ裏
面とセグメントチャック4の接触部の摩擦係数の積より
小さいカでひっ引張られるように設定する。
との時点で、ニップル1oを真空源に接続し、セグメン
トチャック4を基板3に吸着固定すると同時に、ニップ
ル13も真空源に接続し、クエハ11をチャック1に真
空吸着させる。
トチャック4を基板3に吸着固定すると同時に、ニップ
ル13も真空源に接続し、クエハ11をチャック1に真
空吸着させる。
以上が本発明の実施例の一例を示したものであるが、他
の方法としては、第4図に示すように、ウェハ11の周
辺部をクランパー14でつかみ、このクランパー14を
カム等のメカニカルな手段で放射状に引張る方法も考え
られる。
の方法としては、第4図に示すように、ウェハ11の周
辺部をクランパー14でつかみ、このクランパー14を
カム等のメカニカルな手段で放射状に引張る方法も考え
られる。
また、ウェハに相当するガラス基板が矩形の場合には、
引張り力を加える方向を矩形板の各辺に直交する4方向
に引張ることで、前記同様の平面矯正効果を得ることが
できる。
引張り力を加える方向を矩形板の各辺に直交する4方向
に引張ることで、前記同様の平面矯正効果を得ることが
できる。
[効 果]
以上説明したように、薄板状物体の平面矯正を、平面に
直交する真空圧のみで行なうことは、最大1気圧程度の
力で行なわれなければならず、限界があり、加えて薄板
状物体の裏面とチャック表面の接触部の摩擦によりて矯
正効果が減じられている0本発明は、薄板状物体の平面
に沿って、等しい周方向力を加え、面内歪を平均化して
真空吸着する方法で、いわゆる3次元応力状態を利用し
て平面矯正する装置である。これによって、平面矯正効
果を高めることができた。加えて、実施例1ではウェハ
裏面とウェハチャック接触部に付いたゴミ等を取り除く
こともできる利点がある。
直交する真空圧のみで行なうことは、最大1気圧程度の
力で行なわれなければならず、限界があり、加えて薄板
状物体の裏面とチャック表面の接触部の摩擦によりて矯
正効果が減じられている0本発明は、薄板状物体の平面
に沿って、等しい周方向力を加え、面内歪を平均化して
真空吸着する方法で、いわゆる3次元応力状態を利用し
て平面矯正する装置である。これによって、平面矯正効
果を高めることができた。加えて、実施例1ではウェハ
裏面とウェハチャック接触部に付いたゴミ等を取り除く
こともできる利点がある。
第1図は本発明の実施例の平面矯正装置の平面図、
第2図は第1図の八に断面図でセグメントチャック、ウ
ェハチャックの配管部、 第3図は第1図のBに断面図の一部で、セグメントチャ
ックの駆動部及びガイド、 第4図は本発明の別の実施例、 第5図は従来のウェハチャックの断面図、第6図は従来
の平面矯正手段の断面図である。 1、ウェハチャック 10.ニップル2、貫通孔
11.ウェハ3、基板
12.チャンバ4、セグメントチャック 13.ニップ
ル5、エアーシリンダ 14.クランパー6、管路
15.カム 7、ニップル 16.可動ビン8、ガイド溝
17.ビン駆動部9、溝 鞄4 回 晃5 図 鳥 6 口
ェハチャックの配管部、 第3図は第1図のBに断面図の一部で、セグメントチャ
ックの駆動部及びガイド、 第4図は本発明の別の実施例、 第5図は従来のウェハチャックの断面図、第6図は従来
の平面矯正手段の断面図である。 1、ウェハチャック 10.ニップル2、貫通孔
11.ウェハ3、基板
12.チャンバ4、セグメントチャック 13.ニップ
ル5、エアーシリンダ 14.クランパー6、管路
15.カム 7、ニップル 16.可動ビン8、ガイド溝
17.ビン駆動部9、溝 鞄4 回 晃5 図 鳥 6 口
Claims (5)
- (1)薄板状物体を該物体の平面に沿って複数方向に引
張る複数の引張り手段、 該引張り手段による前記物体引張り後、前記物体を引張
られた状態で保持する手段、 とを有したことを特徴とする薄板状物体の平面矯正装置
。 - (2)前記引張り手段は、前記物体の周辺部を保持する
吸着手段と、前記複数方向に移動するための駆動手段を
有することを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の平
面矯正装置。 - (3)前記複数方向は、前記薄板状物体の中心もしくは
中心附近から放射状に引いた線上であることを特徴とす
る特許請求の範囲第1項記載の平面矯正装置。 - (4)薄板状物体の外周寸法より小さい第1の保持手段
、 該第1の保持手段の保持面と略同一平面で薄板状物体の
周辺部を保持し、前記第1の保持手段の外周部に複数個
配置され、移動可能な第2の保持手段、 前記第2の保持手段を前記第1の保持手段の保持面の半
径方向に移動される手段、 とを有したことを特徴とする薄板状物体の平面矯正装置
。 - (5)前記薄板状物体は半導体ウェハ、又は液晶用ガラ
ス基板であることを特徴とする特許請求の範囲第4項記
載の平面矯正装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63045104A JPH01218020A (ja) | 1988-02-26 | 1988-02-26 | 薄板状物体の平面矯正装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63045104A JPH01218020A (ja) | 1988-02-26 | 1988-02-26 | 薄板状物体の平面矯正装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01218020A true JPH01218020A (ja) | 1989-08-31 |
Family
ID=12709978
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63045104A Pending JPH01218020A (ja) | 1988-02-26 | 1988-02-26 | 薄板状物体の平面矯正装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01218020A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0940723A2 (en) * | 1998-03-05 | 1999-09-08 | Nec Corporation | Sample table for pattern exposure machine |
JP2001223186A (ja) * | 2000-02-09 | 2001-08-17 | Lintec Corp | 転写テープマウント装置および転写テープマウント方法 |
JP2018520378A (ja) * | 2015-06-22 | 2018-07-26 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 基板サポート、基板の上面の非平坦性を補償する方法、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
-
1988
- 1988-02-26 JP JP63045104A patent/JPH01218020A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0940723A2 (en) * | 1998-03-05 | 1999-09-08 | Nec Corporation | Sample table for pattern exposure machine |
EP0940723A3 (en) * | 1998-03-05 | 2001-10-24 | Nec Corporation | Sample table for pattern exposure machine |
JP2001223186A (ja) * | 2000-02-09 | 2001-08-17 | Lintec Corp | 転写テープマウント装置および転写テープマウント方法 |
JP2018520378A (ja) * | 2015-06-22 | 2018-07-26 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 基板サポート、基板の上面の非平坦性を補償する方法、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
US10310393B2 (en) | 2015-06-22 | 2019-06-04 | Asml Netherlands B.V. | Substrate support, method of compensating unflatness of an upper surface of a substrate, lithographic apparatus and device manufacturing method |
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