KR100217889B1 - 반도체 웨이퍼를 테이프로 보호하면서 다이싱하는 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조방법 - Google Patents

반도체 웨이퍼를 테이프로 보호하면서 다이싱하는 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조방법 Download PDF

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아끼구사 나오유끼
후지쓰 가부시키가이샤
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Abstract

반도체장치의 제조방법은 테이프의 접착면이 웨이퍼의 상단면에 대향하도록 웨이퍼상에 접착테이프를 배치하고, 유연성 압압부재가 접착테이프쪽으로 아랫쪽방향으로 팽창되도록 중력에 의해 변형을 일으키는 상태에서 테이프상에 유연성 압압부재를 배치하고, 접착테이프가 유연성 압압부재에 따라서 변형되고 접착테이프가 웨이퍼쪽으로 아랫쪽방향으로 팽창되도록 접착테이프와 계합된 상태로 접착테이프에 대하여 유연성 압압부재를 이동시키고, 웨이퍼의 상단면에 변형된 접착테이프를 접촉시키는 단계를 포함한다.

Description

반도체 웨이퍼를 테이프로 보호하면서 다이싱하는 공정을 포함하는 반도체장치의 제조방법
제1도는 반도체장치의 제조에 사용되는 종래의 테이프부착장치의 구성도.
제2도는 종래의 테이프부착장치의 다른 구성도.
제3도는 종래의 테이프부착장치의 또다른 구성도.
제4도는 본 발명의 제1실시예에 의한 테이프부착장치의 구성도.
제5도는 제4도의 테이프부착장치의 전체구성도.
제6(a)도-제6(d)도는 제4도의 장치에서의 테이프부착공정을 도시한 도.
제7도는 제6(a)도-제6(d)도의 부착공정에서의 테이프를 도시한 도.
제8도는 본 발명의 제2실시예를 도시한 도.
제9도는 본 발명의 제3실시예를 도시한 도.
제10도는 테이프부착된 웨이퍼에 적용된 다이싱공정을 도시한 도.
본 발명은 일반적으로 반도체장치의 제조에 관한 것으로서, 특히 반도체웨이퍼를 테이프로 보호하면서 개개의 반도체칩으로 다이싱(dicing)하는 관한 것이다.
반도체장치의 제조방법에 있어서는, 다수의 반도체장치를 공통의 반도체웨이퍼상에 형성한다. 다음에, 이와같이 반도체장치와 함께 형성된 웨이퍼는 이를 톱으로 개개의 칩으로 분할하는 다이싱공정을 받게된다.
이 다이싱공정에서는, 반도체장치가 형성되는 측면과 반대인, 반도체웨이퍼의 후면측에 테이프 또는 다른 적합한 접착매체를 제공하여, 이러한 상태에서 다이싱을 행하므로, 다이싱의 결과로서 형성된 칩이 산재되지 않는다. 이것에 의하여, 반도체웨이퍼만이 다이싱되고, 테이프자체는 그대로 있게 된다. 이러한 테이프를 사용함으로써, 반도체칩은 다이싱공정후에도 테이프부에의 부착을 유지하고, 칩을 1개씩 픽업(pick-up)하는 자동조립장치의 사용이 실제로 용이해진다.
그러나, 전형적으로 두께 320㎛의 대표적인 반도체웨이퍼는 반도체장치가 형성되는 정면측이 돌출되고 반대의 후면측이 오목해지도록 감싸지는 경향이 있다.
그래서, 웨이퍼의 후면측에의 테이프의 부착이 단지 오목해진 후면의 중앙부분에 보이드(void)를 남기는 경향이 있고, 웨이퍼의 이러한 중앙부분에 상응하는 반도체칩은 테이프에의 불충분한 부착으로 인하여 다이싱공정후에 흩어지거나 산재되는 경향이 있다.
칩의 이러한 산재는 물론 이렇게 산재되는 칩에 대한 가능한 손상을 방지하기 위하여, 테이프부착용의 종래의 장치는 제1도에 도시한 바와 같이 기판의 테이프부착면상에 롤러를 적용하고 있다.
제1도와 관련하여, 테이프부착장치의 스테이지 2상에 보지된 반도체웨이퍼 1은 그 상부주면상의 접착테이프 4에 의해 덮어져 있고, 이 테이프 4는 프레임 3상에 형성되어 있다. 기판의 상부주면상에는 반도체장치가 형성되어 있지 않다. 더욱이, 상부주면상에는 반도체장치가 형성되어 있지 않다. 더욱이, 롤러 5는 윗쪽방향에서 테이프 4에 압압되면서 수평방향으로 이동되어 테이프 4와 기판 1의 상부주면사이에 어떠한 보이드도 내려앉게 된다. 테이프 4의 부착은 진공분위기내에서 행해진다. 그래서, 제1도의 장치는 진공실내에 놓여져 있다.
그러나, 제1도의 장치는 테이프 4에 대하여 롤러 5를 압압하여 테이프 4위로 이동시키는 장치를 설치할 필요가 있다는 결점이 있다. 이것에 의하여, 제1도의 장치를 수납하기 위해 대규모의 진공실을 설치할 필요가 있고, 이와 같이 대규모의 진공실의 사용에 의해 상당한 배기시간이 필요로 하게 된다. 더욱이, 동시에 한점을 압압하는 이러한 롤러 5를 사용하면 과잉의 하중으로 인하여 웨이퍼 1이 손상될 수 있다. 또한, 이러한 롤러 5를 사용하면 롤러 5에 의해 테이프 4에 인가되는 압력의 결과로서 기판 1의 상부주면상의 접착테이프 4가 변형되는 경향이 있다. 테이프 4가 변형되면, 다이싱후에 얻어진 반도체칩은 정상위치에서 변위될 수도 있고, 칩을 픽업하는 자동조립장치의 사용이 어렵게 된다.
제2도는 다이싱전의 반도체웨이퍼상에 테이프를 부착하는 종래의 다른 구성을 도시한 것으로서, 이전에 설명한 구성부분에 해당하는 구성부분이 생략되어 있다.
진공실을 형성하기 위하여 하부챔버 7내에 설치된 웨이퍼 스테이지 8과 하부챔버 7상에 설치된 상부챔버 6을 도시한 제2도와 관련하여, 하부챔버 7은 상부챔버 6내의 압력이 P1이 되도록 도관 9을 통하여 상부챔버 6에 공기를 도입하면서 압력 P2로 배기된다. 그래서 압력 P1은 압력 P2보다 높다(P1P2).
상부챔버 6의 이러한 가압의 결과, 테이프 4는 제2도에 도시한 바와 같이 반도체웨이퍼 1에 대향하는 측면상에 돌출면을 형성하도록 하부챔버 7의 방향으로 불룩해진다. 이 상태에서 웨이퍼 스테이지 8과 웨이퍼 1을 윗쪽방향으로 상승시킴으로써, 테이프 4는 먼저 웨이퍼 1의 오목면의 중앙과 접촉한다. 스테이지 8을 윗쪽으로 더 이동시키면, 접촉영역은 웨이퍼 1과 테이프 4사이에 보이드를 형성함이 없이 웨이퍼 1의 중앙에서 가장자리로 점차증가한다.
제2도의 구성에서는, 테이프 4에 실제 작용하는 압력을 일정하게 최적으로 보지하도록 압력 P1과 P2를 제어하는 것이 필요하다. 그러나, 상부챔버 6내의 압력 P1과 하부챔버 7내의 압력 P2의 이러한 조정은 어렵다. 예를들어 압력 P1이 매우 낮은 경우에는, 웨이퍼 1에 대하여 테이프 4를 부착하기 위하여 충분한 압압력이 얻어지지 않는다.
한편, 압력 P2가 매우 높은 경우에는, 테이프 4의 팽창은 물론 테이프 4에 작용하는 인장력이 과잉으로 되고, 테이프 4는 가소성변형을 받게 된다. 이것에 의하여, 테이프상의 반도체칩은 다이싱공정후에 정상위치에서 변위되고, 자동조립장치의 사용이 어렵게 된다.
제3도는 일본특개평 4-65109에 개시된 바와 같이, 반도체웨이퍼의 오목면에 테이프를 부착하는 종래의 다른 장치를 도시한 것으로서, 이전에 설명한 구성부분에 대하여는 동일한 참조번호를 표기하였고, 그 설명은 생략한다.
제3도와 관련하여, 상부챔버 6내에서 상ㆍ하방향으로 이동가능한 가동부재 9가 설치되어 있는데, 이 가동부재 9상에는 웨이퍼 12의 오목한 상부주면에 상응하여 아랫쪽방향으로 돌출하거나 팽창한 형상을 갖는 변형가능한 탄성부재 10을 구비한다.
가동부재 9를 하강시킴으로써, 탄성부재 10의 팽창면은 테이프 4와 계합하여 테이프를 아랫쪽방향으로 팽창시키게 한다. 그래서, 테이프 4가 아랫쪽방향으로 팽창되는 상태에서 스테이지 8을 아랫쪽 방향으로 하강시킴으로써, 먼저 테이프 4가 웨이퍼 1의 오목한 면의 중앙과 계합하고, 접촉면적은 스테이지 8을 더 상승시킨 상태에서 웨이퍼 1의 가장 자리쪽으로 점차 증가한다.
그러나, 테이프 4를 소망의 변형으로 일으키기 위한 탄성부재 10의 기계적인 변형에 의존하는 제3도의 장치도 테이프 4의 압압력의 제어, 특히 웨이퍼 1의 오목면상으로의 압압력의 분포가 어려운 문제점이 있다. 웨이퍼 1의 매우 작은 두께에 비치어, 웨이퍼 1상에 작용하는 테이프 4의 압압력이 가동부재 8의 각각의 압압력과 또한 변형가능한 부재의 탄성에 의해 제어되어, 웨이퍼 1이 그 위에 테이프 4를 부착하는 공정시에 손상되는 실질적인 위험이 있다.
그러므로, 본 발명의 일반적인 목적은 상술한 문제점을 성공적으로 해결하기 위하여, 다이싱공정중에 웨이퍼상에 테이프를 부착하는 단계를 포함하는 신규하고 유용한 반도체장치의 제조방법을 제공하는 데 있다.
본 발명의 다른 특정의 목적은 압압력을 제어하고 웨이퍼에 대한 손상을 일으키는 위험이 없이 오목면에 테이프를 부착하는 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명의 또다른 목적은 압압력을 제어하고 웨이퍼에 대한 손상을 일으킴이 없이 웨이퍼상에 테이프를 부착하는 장치를 제공하는 데 있다.
본 발명의 또다른 목적은 웨이퍼상에 접착테이프를 배치하고, 이 접착테이프쪽으로 아랫쪽방향으로 팽창되도록 중력에 의해 변형을 일으키는 유연성 압압부재를 상기 테이프상에 배치하고, 상기 접착테이프가 상기 유연성 압압부재에 따라서 변형되도록 상기 접착테이프에 대하여 상기 유연성 압압부재를 하강시키되, 상기 접착테이프가 이에 의해 상기 웨이퍼쪽으로 아랫쪽방향으로 팽창되게 하며, 상기 웨이퍼가 상기 아랫쪽방향으로 팽창하는 접착테이프의 저면과 계합하도록 상기 테이프에 대하여 상기 웨이퍼를 상승시키되, 그 상부주면의 현상에 따라서 상기 개재된 접착테이프를 통하여 상기 유연성 압압부재를 변형하도록 더 상승시키는 단계로 구성되는 반도체장치의 제조방법을 제공하는 데 있다.
본 발명의 또다른 목적은 웨이퍼를 보지하는 스테이지; 스테이지상의 웨이퍼 전면에 접착테이프를 보지하는 테이프보지부, 상기 스테이지는 테이프보지부상의 상기 접착테이프에 대하여 상ㆍ하방향으로 이동가능하고; 상기 테이프보지부상의 상기 접착테이프에 대하여 상ㆍ하방향으로 이동가능케 상기 테이프보지부상에 설치된 압압부재로 구성되되; 이 압압부재는 중력에 의해 상기 테이프보지부상의 상기 테이프쪽으로 아랫쪽 방향으로 팽창되는 유연성 본체, 상기 스테이지, 상기 테이프보지부, 및 상기 압압부재를 에워싸는 진공 봉입부, 및 상기 상하방향으로 상기 스테이지를 이동시키게 하고, 상기 압압부재를 상기 상하방향으로 더 이동시키게 하는 구동기구로 구성되는 웨이퍼상의 접착테이프의 부착장치를 제공하는 데 있다.
본 발명에 의하면, 접착테이프는 변형가능한 압압부재의 중력에 의해서만 반도체웨이퍼에 압압된다. 외부힘은 인가되지 않는다. 그래서, 접착테이프에 인가된 압압력은 물론 테이프상에의 압압력의 분포는 정확하고 재현성 있게 제어된다. 테이프에는 과잉의 힘이 인가되지 않으며, 웨이퍼의 다이싱 후에 테이프상에 칩의 부정합의 문제를 일으킬 수도 있는 테이프의 가소성변형의 문제점이 성공적으로 해결된다. 더욱이, 테이프가 유연성 압압부재의 중력에 의해서만 압압되므로, 웨이퍼에 인가된 과잉의 압압력의 결과로서 얇은 웨이퍼의 손상의 문제점이 효과적으로 해결된다. 예를들면, 압압부재 및 또는 스테이지를 상하로 이동시키는 구동기구의 제어가 불충분한 경우에도 웨이퍼의 손상을 성공적으로 방지할 수가 있다.
본 발명의 다른 목적 및 그밖의 특징은 첨부한 도면에 의거한 이하의 상세한 설명으로 부터 명확시 된다.
제4도는 제1실시예에 의한 테이프부착장치의 구성을 단면도로 도시한 것이다.
제4도와 관련하여, 테이프부착장치는 진공실 14를 함께 형성하는 상부챔버 12와 하부챔버 13을 포함하되, 상부챔버 12와 하부챔버 14는 밀봉링(seal ring)15에서 서로 계합하여 있다. 더욱이, 하부챔버 13의 저부에는 진공실 14를 배기하기 위한 배기구 13b가 형성되어 있다.
하부챔버 13내에는 웨이퍼 16을 탑재하는 웨이퍼 스테이지 17이 구비되어 있고, 이 웨이퍼 스테이지 17은 하부챔버 13상에 형성된 관통공 13c를 통하여 상하로 이동가능한 로드(rod) 18에 의해 지지되어 있다. 이것에 의하여, 스테이지 17 자체는 하부챔버 13의 상단 가장자리를 넘어서지 않는 레벨에서 상하로 이동된다. 웨이퍼 16은 반도체장치가 형성되는 정면측 16a와 이러한 반도체장치가 형성되지 않는 후면측 16b를 포함하고, 웨이퍼 16은 정면측 16a가 스테이지 17에 대향하도록 스테이지 17상에 탑재되어 있다. 그 결과, 정면측 16a는 종래기술의 설명과 관련하여 이미 설명한 바와 같이, 웨이퍼 16의 후면측 16b는 웨이퍼상에 반도체장치의 제조시에 웨이퍼 16의 감김으로 인하여 오목면을 형성하는 경향이 있다.
더욱이, 하부챔버 13은 차례로 링형상의 프레임 스테이지 20을 지지하는 지지대 19를 지지하되, 이 프레임 스테이지 20은 접착테이프 21의 링형상의 프레임 22를 지지한다. 지지대 19는 웨이퍼 스테이지 17외부에 배치되어 스테이지 17의 레벨위의 레벨에서 접착테이프 21을 지지한다. 접착테이프 21은 접착층을 구비하는 접착측 21a와 이러한 접착층을 형성하지 않는 후면측 21b를 가지며, 링형상의 프레임 22는 접착측 21a가 스테이지 17상의 웨이퍼 16에 대향하도록 프레임 스테이지 20상에 탑재된다.
후술하는 바와 같이, 웨이퍼 16과 접착테이프 21은 도시하지 않은 수동기계 또는 로보트에 의해 상부챔버 12를 윗쪽으로 들어올려 하부챔버 13에서 제거한 상태에서 탑재된다. 이와같이 웨이퍼 16과 테이프 21을 탑재한 후에, 상부챔버 12를 하부챔버 13과 계합되게 하고, 이렇게 형성된 진공실 14를, 진공펌프를 구동함으로써 배기구 13b를 통하여 배기시킨다.
한편, 상부챔버 12는 웨이퍼 16에 대해 테이프 21을 압압하는 압압기구 23을 지지한다. 이 압압기구 23은 전형적으로 200g의 중량을 갖는 실리콘의 원형막 또는 유연성 시트(sheet) 24와 시트 24의 원형 가장자리부를 보지하는 링형상의 클램프기구 25를 포함하되, 압압기구 23은 상부챔버 12의 상단벽 12a에 형성된 관통공 12b를 통하여 상하이동가능한 가동로드 26을 더 포함한다. 로드 26은 상기한 클램프기구 25에 연결되어 있고, 시트 24는 로드 26이 상하방향으로 이동함에 따라 상하로 이동된다.
본 발명의 시트 24는 유연성의 탄성재료로 형성되고 시트 24가 클램프기구 25에 의해 보지되는 상태에서 시트 24 자체의 중력에 의해 중력으로 아랫쪽방향으로 돌출 또는 팽창하는 늘어진 형상을 이룬다. 그래서, 클램프기구 25는 웨이퍼 16과 테이프 21을 하부챔버 13내에 탑재하는 상태에서 시트 24를 테이프 21위로 들어올리는 상승위치까지 끌어 당겨진다. 제4도는 상부챔버 12가 하부챔버 13과 계합되어 밀봉된 진공실 14를 형성한 직후의 상태를 도시한 것이다.
상부챔버 12를 제4도에 도시한 바와 같이 계합하여 배기한 후에, 로드 26을 외부 상/하기구에 의해 하강시킨다. 아랫쪽으로 팽창한 시트 24의 저면은 먼저 원형테이프 21의 중앙부분과 접촉하여, 테이프 21을 아랫쪽방향으로 압압시킨다. 그 결과, 테이프 21은 시트 24의 형상에 상응하는 아랫쪽으로의 팽창형상으로 변형된다. 더욱이, 스테이지 17을 윗쪽방향으로 상승시킴으로써, 테이프 21의 접착측 21a는 웨이퍼 16의 후면측 16b의 중앙부분과 계합한다. 스테이지 17이 더 상승하면, 테이프 21과 웨이퍼 16과의 접촉면적은 제7도에 도시한 바와 같이 웨이퍼 16의 주변부분쪽으로 상기한 중앙부분에서 증가하고, 테이프 21은 테이프 21과 웨이퍼 16사이에 보이드를 형성함이 없이 웨이퍼 16의 후면 16b에 부착된다. 스테이지 17의 상승처리시에, 시트 24는 웨이퍼 16의 후면 16b의 형상에 따라서 탄성변형을 일으킨다. 시트24가 이전에 설명한 바와 같이 300g의 중량을 갖는 경우에는, 테이프 21은 후면 16b에 대해 약 0.6g/㎠의 압압력으로 압압된다. 이와같이 웨이퍼 16의 후면 16b상에 테이프 21을 완전히 부착한 후에는, 로드 26을 상승시키고 로드 18을 하강시킨다. 이것에 의하여, 시트 24는 테이프 21에서 탈착되어, 웨이퍼 16의 후면 16b가 테이프 21에 의해 보호되는 상태에서 스테이지 17상에 웨이퍼 16이 남아있게 된다.
웨이퍼 16에서의 시트 24의 탈착을 용이하게 하기 위하여, 시트 24는 그 하부주면상에 미세한 돌출부와 요부를 가질 수도 있다.
더욱이, 제4도의 구성은 로드 26을 하강시킬 때에 클램프기구 25의 정확한 위치를 검출하기 위한 센서 27을 포함한다. 보다 구체적으로는, 센서 27은 클램프기구 25가 소정의 위치로 하강하는 지를 검출하는 데 사용된다. 센서 27에 의한 위치검출후에, 로드 26의 하강을 소정의 거리를 위해 지속시킨다. 이것에 의해, 시트 24에 의해 테이프 21에 부가된 압압력을 정확히 제어하므로, 테이프 21이 웨이퍼 16의 후면 16b 전체에 걸쳐 균일하게 부착될 수가 있다.
제5도는 제4도의 테이프부착장치의 전체구성을 도시한 것으로서, 이전에 설명한 구성부분에 대하여는 동일한 참조번호를 표기하였고, 그 설명은 생략한다.
제5도와 관련하여, 하부챔버 13은 차례대로 하부 기대(基臺)상에 이동가능케 보지되는 안내기둥 31상에 지지된다. 하부기대 32는 하부챔버 13을 상하방향으로 이동시키는 수압실린더 33을 지지한다. 더욱이, 하부챔버 13은 스테이지 17을 상하로 이동시키는 다른 수압실린더 30을 지지한다. 이것에 의해, 관통공 13c에서 하부챔버 13과 계합하는 로드 18은 스테이지 17의 상/하이동을 안내하는 안내로드로서 작용한다.
마찬가지로, 상부챔버 12는 차례대로 상부기대 34와 이동가능케 계합되는 안내기둥 35에 연결되어 있다. 상부기대 34는 상부챔버 12를 상하방향으로 이동하는 수압실린더 36을 지지한다. 이것에 의해, 상부챔버 12의 상/하이동이 상부기대 34를 계합하는 안내기둥 35에 의해 안내된다.
상부챔버 12는 수압실린더 29를 지지하되, 이 수압실린더 29는 연결부대 28을 통하여 로드 26을 상하로 이동시킨다. 이것에 의해, 시트 24는 수압실린더 29의 구동에 응하여 상하로 이동된다. 제5도에서는 도면의 간편상, 배기구 13b의 도시가 생략되어 있다.
제6(a)도는 상부챔버 12를 상승시키고 하부챔버 13을 개방한 상태를 도시한 것이다. 이 상태에서, 웨이퍼 16을 도시하지 않은 수동기구에 의해 웨이퍼 스테이지 17상에 탑재되고, 링형상의 프레임 22상에 탑재된 테이프 21은 제6(b)도에 도시한 바와 같이 수동기구에 의해서도 프레임 스테이지 20상에 배치된다.
다음에, 제6(c)도의 상태에서, 상부챔버 12를 하부챔버 13과 계합하여 챔버 14를 배기한다. 더욱이, 아랫쪽으로 팽창한 시트 24가 테이프 21에서 상응하는 변형을 일으키고 아랫쪽으로 팽창한 테이프 21의 저면이 반도체장치가 형성되지 않는 웨이퍼 16의 후면 16b와 접촉할 때 까지 제5도의 수압실린더 29를 구동하여 로드 26을 하강시킨다.
아랫쪽으로 팽창한 테이프 21의 저면이 웨이퍼 16과 접촉하는 제6(c)도의 상태에서는, 시트 24의 중량에 상응하는 힘만이 웨이퍼 16에 인가된다. 테이프 21 자체의 중량은 무시할 정도이다. 그래서, 웨이퍼 16에 인가된 힘에 의해 웨이퍼 16을 손상시킬 위험이 절대적으로 없다. 더욱이, 시트 24는 유연하고 웨이퍼 16의 후면 16b의 형상에 따라 변형한다. 그래서, 로드 26의 위치결정의 제어가 불량한 경우에도, 웨이퍼 16에 손상이 가해지지 않는다.
다음에, 제6(d)도의 단계에서는, 수압실린더 30을 구동함으로써 스테이지 17을 윗쪽방향으로 들어올린다. 이것에 의해, 테이프 21과 웨이퍼 16의 접촉면적은 웨이퍼 16의 높이가 증가함에 따라 증가한다.
제6(d)도의 단계에서는, 테이프 21의 접촉면적이 제7도에 화살표로 표시한 바와 같이 웨이퍼 16의 중앙부분에서 주변부분까지 방사상방향으로 퍼진다. 그래서, 웨이퍼 16의 후면 16b가 오목해지는 경우에도 테이프 21과 웨이퍼 16사이의 보이드의 형성은 확실히 방지된다. 이것에 의해, 웨이퍼 16과 테이프 21사이에 밀접한 접촉이 보장된다. 또한, 제6(d)도의 단계에서도, 테이프 21의 변형이 시트 24의 중량에 의해서만 야기되므로, 웨이퍼 16에 손상이 생기지 않는다.
더욱이, 시트 24에 대하여 웨이퍼 16의 상대적인 높이를 조정함으로써 웨이퍼 16상의 테이프 21의 접촉면적을 제어할 수가 있다. 이 특징은 여러가지 크기의 웨이퍼상에, 또는 웨이퍼 16의 일부분에만 테이프 21을 부착할 때에 특히 유효하다.
제7도는 테이프 21과 웨이퍼 16과의 접촉면적을 도시한 것으로서, 초기의 접촉면적은 제6(c)도의 단계에서 행한 시트 24의 하강의 결과로서 최내곽의 점선 원에서 그 다음의 점선 원까지 증가한다. 접촉면적은 제6(d)도의 단계에서 스테이지 17을 연속선으로 표시한 원까지 들어올림에 따라 더 증가한다.
제8도는 본 발명의 제2실시예에 의한 테이프부착장치를 도시한 것으로서, 이전에 설명한 구성부분에 대하여는 동일한 참조번호를 표기하였고, 그 설명은 생략한다.
실시예에서, 제2의 유연성 시트 24'는 테이프 21에 인가된 압압력을 조정하기 위하여 시트 24에 더해진다. 이것에 의해, 웨이퍼 16쪽으로의 테이프 21의 아랫쪽 팽창은 프레임 22상에의 테이프 21의 인장력에 따라 조정된다. 추가의 시트 24'의 수는 1개에 한정되지 않고 필요에 따라 2개이상의 추가시트가 사용될 수가 있다.
제9도는 본 발명의 제3실시예에 의한 테이프부착장치를 도시한 것으로서, 이전에 설명한 구성부분에 대하여는 동일한 참조번호를 표기하였고, 그 설명은 생략한다.
제9도의 실시예에서, 접착테이프 21의 소망이 아랫쪽팽창을 일으키기 위해 시트 24의 상단측에 웨이트(weight) 24''를 제공한다. 이 웨이트 24''는 금속, 세라믹 또는 고무등의 유연성재료를 포함하는 어떠한 재료로도 형성될 수가 있다.
더욱이, 시트 24의 중량은 제1실시예와 관련하여 이전에 설명한 바와 같이 300g에 한정되지 않고 다른 중량의 시트 24도 사용될 수 있다.
제10도는 상기한 실시예들중 어느 하나에 따라 후면 16b상에 테이프 21이 부착된 웨이퍼 16에 적용한 다이싱공정을 도시한 것이다. 제10도 자체의 공정은 공지되어 있다.
제10도와 관련하여, 이와같이 테이프부착된 웨이퍼 16은 반도체장치가 형성되는 정면측 16a가 윗쪽방향으로 대향하도록 도시되지 않은 스테이지상에 보지된다.
더욱이, 회전식 다이싱 톱 40은 스크라이브 라인(scribe line) 16c를 따라 상기한 정면측 16a에 가해진다. 이것에 의해, 웨이퍼 16은 다수개의 칩 41로 분할되어서 다이싱후에 칩 41은 배열상태를 유지한다.
본 발명에 의하면, 웨이퍼 16과 테이프 21사이의 보이드의 형성이 웨이퍼 16의 정면측 16a상에 형성된 반도체장치를 손상함이 없이 성공적으로 확실하게 해결된다.
그래서, 반도체장치의 제조수율이 상당히 향상된다. 더욱이, 개개의 칩 41은 제1-3도에 설명한 종래의 공정의 경우에서 처럼 과잉의 압압력에 의해 야기된 테이프 21의 변형이 확실히 제거되므로, 다이싱후에 적당하게 정렬된다. 이것에 의해, 자동취급기에 의해 칩의 픽업이 상당히 용이해진다.
본 발명은 제1도와 관련하여 설명한 종래기술에 반하여 롤러기구를 사용하지 않으므로, 진공실 41의 체적이 작고 진공실의 배기에 필요한 시간이 최소이다. 이것에 의해, 반도체장치의 제조처리능력이 향상된다.
상기한 어느 실시예에서도, 탄성시트가 중력에 의해 아랫쪽방향으로 팽창하는 한, 유연성 시트 24대신에 탄성시트를 사용할 수가 있다. 이러한 탄성 시트는 아랫쪽방향으로의 유연성막의 팽창 또는 중력변형을 일으키는 적당한 인장력으로 링형상의 프레임 22상에 탑재된 유연성막을 포함한다.
더욱이, 본 발명은 이상 설명한 실시예들에 한정되지 않고 발명의 범위에서 벗어남이 없이 각종의 변화와 변경을 행할 수도 있다.

Claims (15)

  1. 테이프의 접착면이 웨이퍼의 상단면에 대향하도록 웨이퍼상에 접착테이프를 배치하고, 상기 접착테이프쪽으로 아랫쪽방향으로 팽창되도록 중력에 의해 변형을 일으키는 유연성 압압부재를 상기 테이프상에 배치하고, 상기 접착테이프가 상기 유연성 압압부재에 따라서 변형되어 상기 웨이퍼쪽으로 아랫쪽방향으로 팽창되도록 상기 접착테이프와 계합된 상태로 상기 접착테이프에 대하여 상기 유연성 압압부재를 이동시키고, 상기 웨이퍼의 상단면에 상기 변형된 접착테이프를 접촉시키는 단계로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 웨이퍼의 상단면에 상기 변형된 접착테이프를 접촉시키는 단계는 상기 변형된 테이프의 저부가 상기 상단면의 중앙부분에서의 상기 웨이퍼의 상단면과 접촉하고 접촉면적이 상기 중앙부분에서 상기 웨이퍼의 가장자리부쪽으로 방사상으로 증가하도록 행해지는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 웨이퍼의 상단면에 상기 변형된 접착테이프를 접촉시키는 단계는 상기 웨이퍼가 그 상단면의 중앙부분에서 아랫쪽으로 팽창하는 접착테이프의 저면과 계합하도록 상기 테이프에 대하여 상기 웨이퍼를 들어올리는 단계를 포함하고, 이 들어 올리는 단계는 상기 탄성압압부재가 개재된 접착테이프를 통하여 상기 웨이퍼의 상단면의 형상에 따라 변형되도록 더 지속되는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 유연성 압압부재가 유연성막인 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 유연성막이 상기 접착테이프의 변형을 일으키는 웨이트(qeight)를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 유연성 압압부재가 다수의 유연성막을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 유연성 압압부재가 유연성막과 그위에 설치된 웨이트로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  8. 제1항에 있어서, 상기 유연성 압압부재가 탄성을 갖는 막을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  9. 제1항에 있어서, 상기 웨이퍼가 상기 상단면과 반대측면에서 상기 테이프에 의해 덮어져 있는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  10. 웨이퍼를 보지하는 스테이지; 상기 스테이지상의 웨이퍼상에 접착테이프를 보지하는 테이프보지부, 상기 스테이지는 테이프보지부상의 접착테이프에 대하여 상ㆍ하방향으로 이동가능하고; 상기 테이프보지부상의 상기 접착테이프에 대하여 상ㆍ하방향으로 이동가능케 상기 테이프보지부상에 설치된 압압부재로 구성되되; 상기 압압부재는 중력에 의해 상기 테이프보지부상의 상기 테이프쪽으로 아랫쪽 방향으로 팽창되는 유연성본체, 상기 스테이지, 상기 테이프보지부, 및 상기 압압부재를 에워싸는 진공봉입부, 및 상기 스테이지를 상기 상하방향으로 이동시키게 하고, 상기 압압부재를 상기 상하방향으로 더 이동시키게 하는 구동기구로 구성되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼상에의 접착테이프의 부착장치.
  11. 제10항에 있어서, 상기 압압부재가 유연성시트로 구성되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼상에의 접착테이프의 부착장치.
  12. 제11항에 있어서, 상기 유연성시트가 상기 테이프보지부에 의해 보지된 상기 테이프를 변형시키는 데 충분한 웨이트를 갖는 것을 특징으로 하는 웨이퍼상에의 접착테이프의 부착장치.
  13. 제10항에 있어서, 상기 압압부재가 서로 적층된 다수의 유연성시트로 구성되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼상에의 접착테이프의 부착장치.
  14. 제10항에 있어서, 상기 압압부재가 유연성시트와 그위에 설치된 웨이트로 구성되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼상에의 접착테이프의 부착장치.
  15. 제10항에 있어서, 상기 압압부재가 탄성을 갖는 막으로 구성되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼상에의 접착테이프의 부착장치.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7571538B2 (en) 2001-10-19 2009-08-11 Fujitsu Microelectronics Limited Vacuum fixing jig for semiconductor device

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19990017672A (ko) * 1997-08-25 1999-03-15 윤종용 반도체 칩 패키지 제조 방법
KR20030033084A (ko) * 2000-09-27 2003-04-26 스트라스바흐, 인코포레이티드 배면연마 테이프를 남겨두고 웨이퍼를 배면연마하는 방법
JP2004281534A (ja) * 2003-03-13 2004-10-07 Tokyo Seimitsu Co Ltd Dafテープ貼付装置およびdafテープ貼付方法
JP4836557B2 (ja) * 2005-11-25 2011-12-14 株式会社東京精密 ダイシングテープ貼付装置およびダイシングテープ貼付方法
JP4953764B2 (ja) * 2005-11-29 2012-06-13 株式会社東京精密 剥離テープ貼付方法および剥離テープ貼付装置
US20120087774A1 (en) * 2006-01-27 2012-04-12 Camtek Ltd Diced Wafer Adaptor and a Method for Transferring a Diced Wafer
JP4895671B2 (ja) * 2006-05-08 2012-03-14 株式会社ディスコ 加工装置
JP4841355B2 (ja) * 2006-08-08 2011-12-21 日東電工株式会社 半導体ウエハの保持方法
JP4917526B2 (ja) * 2007-12-21 2012-04-18 リンテック株式会社 シート貼付装置
KR101337491B1 (ko) * 2012-03-07 2013-12-05 주식회사 선익시스템 기판 정렬장치 및 정렬방법
JP6254795B2 (ja) * 2013-09-06 2017-12-27 リンテック株式会社 シート貼付装置及び貼付方法
TWI554408B (zh) * 2014-03-21 2016-10-21 鴻積科機股份有限公司 可去除氣泡之膠膜貼黏裝置
JP6641209B2 (ja) * 2016-03-22 2020-02-05 株式会社ディスコ 保護部材形成装置
KR102448726B1 (ko) 2017-08-14 2022-09-28 삼성전자주식회사 라미네이팅 장치 및 그를 이용하는 반도체 패키지 제조 방법
US11430677B2 (en) * 2018-10-30 2022-08-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Wafer taping apparatus and method
US11731413B2 (en) 2019-09-30 2023-08-22 Mirle Automation Corporation Attaching device and intermediate mechanism thereof, and attaching method
CN112571367B (zh) * 2019-09-30 2022-07-01 盟立自动化股份有限公司 贴合设备及其中介机构、及贴合方法
JP7305277B2 (ja) * 2019-10-29 2023-07-10 株式会社ディスコ 拡張装置

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3562058A (en) * 1967-05-16 1971-02-09 Texas Instruments Inc Method for breaking and separating substrate material

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7571538B2 (en) 2001-10-19 2009-08-11 Fujitsu Microelectronics Limited Vacuum fixing jig for semiconductor device

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Publication number Publication date
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