TWI398916B - 用以剝離電子組件的方法及設備 - Google Patents

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Description

用以剝離電子組件的方法及設備 背景 1.領域
在此說明之實施例係有關於一種用以剝離一電子組件的方法與設備。
 2.相關技術之說明
在一製造一如半導體積體電路裝置等半導體裝置的製程中，會進行一所謂切割製程(分段製程)以將透過一所謂晶圓製程形成在一單件半導體基板(晶圓)之多數半導體元件(半導體積體電路元件)分離成多數元件。
即，在製造一半導體裝置之製程中，透過一所謂晶圓製程形成多數半導體元件。各半導體元件具有一電子電路，且該電子電路係由一如電晶體之主動元件、一如電阻元件或電容元件之被動元件、及一連接這些在一如矽(Si)等半導體基板之其中一主表面上之功能元件之佈線層形成。
接著，在該半導體基板之另一表面(背面，即，其上未形成電子電路者)上進行研磨製程，以減少該半導體基板之厚度。
此外，在該半導體基板上進行一所謂切割製程，使得該半導體基板被分離(分段)成各個半導體元件。
各分段之半導體元件(半導體晶片)被直接運送或以放置在一如托盤等上之方式運送，且安裝在一如佈線基板或一引線框上，接著被連接至一電極或一導線並被密封，因此形成一半導體裝置。
在該製造過程中，該切割製程藉將一經加工半導體基板之另一主表面黏著至其表面具有黏著性之一帶上，固定該另一主表面，且在前述狀態下，透過一切割刀片法或一雷射切割法將該半導體基板分離成多數分開的半導體元件。
請注意在該切割製程中所使用之帶被稱為一切割帶；但是，亦可使用其中一切割帶不具有黏著性且一半導體基板透過一黏著帶被固定在該切割帶上之另一方法。
該分段之半導體元件藉一加壓夾具由該切割帶之背面被加壓(上推)，同時該半導體元件之上表面被一真空夾具(真空筒夾)真空吸引與固持，因此由該切割帶上被剝離。
例如，被該真空夾具固持之半導體元件如前述般被放置在一運送托盤上，且接著被運送至如一安裝至一電路基板之製程等下一製程。
在一現有技術中，一用以在該切割製程後由該切割帶拾取該等半導體元件之加工方法與加工設備使用例如第1圖所示之構形。
即，一黏著多數透過該切割製程被分段之半導體元件1的切割帶21被固定於一加工裝置100，且該半導體元件被一上推夾具3一個一個地由該切割帶21之背面向上推，而這可減少該半導體元件1黏著於該切割帶21之面積。
此外，在該上推操作方面，在其上表面處，該半導體元件1被一真空夾具(真空筒夾)4真空吸引與固持且被升高，藉此與該切割帶21剝離。
該上推夾具3具有一平坦部31及一圓柱形壁部32，該平坦部31具有一實質上對應於該半導體元件1之外側尺寸之尺寸，且該圓柱形壁部32環繞該平坦部。該平坦部31具有多數貫穿孔33。
接著，以對應於該等貫穿孔33之方式，多數針34被一針支持部35固持，且可垂直地移動(如箭號P所示)。在該圓柱形壁部32與該切割帶21接觸之狀態下，透過該等貫穿孔33進行真空吸引以藉此固定該切割帶21。
在此狀態下，該針支持部35升高，使該等針34穿過該等貫穿孔33且接著加壓該切割帶21或延伸穿過該切割帶21，以藉此加壓該半導體元件1之背面。
另一方面，以對應於該上推夾具3之方式，一真空夾具4配置在該目標半導體元件1上方且可垂直地移動(如箭號Q所示)。
該真空夾具4亦可被稱為一真空筒夾，且其一真空孔41連接至一真空吸引裝置(圖未示)。
在該加工裝置100中，一由該切割帶21剝離該半導體元件1之製程係如下地進行。
即，使被固持在該切割帶21上之目標半導體元件1直接定位在該上推夾具3上方，且使該真空夾具4直接位在該半導體元件1上方。
接著，將該上推夾具3放置在靠近該切割帶21處，且透過形成在該上推夾具3中之貫穿孔33真空吸引該切割帶21，以藉此將該切割帶21固定在該平坦部31上。
在這狀態下，將該針支持部35升高，使該等針34穿過該等貫穿孔33且接著加壓該切割帶21或延伸穿過該切割帶21，以藉此加壓該半導體元件1之背面。
如此，將該半導體元件1由該切割帶21之表面剝離。
在該剝離操作方面，將該真空夾具4降低且透過該真空孔41真空吸引該半導體元件1，接著使該真空夾具4上升，同時固持該半導體元件1。
然後，該真空夾具4將該半導體元件1運送至一運送托盤等。
日本公開專利公報第11-297793號揭露使用多數針之上推方式，且以一時間間隔上推位在該半導體元件之實質中央部份處之多數頂銷及位在該中央頂銷四週之多數頂銷，以藉此使該半導體元件易於由該切割帶剝離。此外，日本公開專利公報第6-85060號揭露另一裝置，其中其上表面上黏著有多數半導體元件之一黏著片被拉伸至一拉伸環上，該等多數半導體元件之各半導體元件被一具有一平坦加壓表面加壓塊由該黏著片之下表面加壓，且不會使該黏著片斷裂，以藉此由該黏著片上剝離各個半導體元件。此外，日本公開專利公報第2007-109936號揭露又一種裝置，其中使用一由一如橡膠等撓性彈性體形成球形之片加壓構件，由其上表面上黏著有該等半導體元件之一黏著片之背面加壓該半導體元件且不使該黏著片斷裂，以藉此由該黏著片剝離各個半導體元件。
在第1圖所示之加工裝置100中由該切割帶21剝離該半導體元件1之製程係利用該等多數針34加壓該目標半導體元件1之背面來進行。
如此，該半導體元件1將具有多數直接被該等針34加壓之部份及多數未被該針34加壓之部份。這將產生該半導體元件1由該切割帶21非均勻地剝離該半導體元件1的狀態且，因此，該半導體元件1與該切割帶21接觸之表面可能會被非均勻地剝離。
因此，一剝離形態是不穩定的且因此該半導體元件1可能不會被真空夾具4真空吸引與固持。
此外，依據前述裝置，該等多數針34之遠端位置(高度)必須相等。即，如果該等多數針34之遠端位置由於該等遠端部份之磨擦或彎曲而不相等，則難以對該目標半導體元件1與該切割帶21接觸之表面施加一均勻加壓力。
依此方式，如果該等多數針34之遠端位置不相等，在該半導體元件1可能會發生裂縫等。
又，要以目視檢查該等多數針34之遠端部份之狀況是極困難的。因此，在具有前述構形之加工裝置100中，難以穩定地進行將該半導體元件1由該切割帶21剝離之製程。
前述問題亦發生在類似地使用多數頂銷之日本公開專利公報第11-297793號中。
此外，在日本公開專利公報第11-297793號所述之技術中，因為該上推(加壓)操作係以一在實質位於該半導體元件之中央部份處之頂銷與實質位於環繞該中央部份處之頂銷之間的時間間隔來進行，所以可由該切割帶輕易地剝離該半導體元件；但是，仍存在由於該等頂銷之遠端部份形狀、該等遠端部份之非均一位置等對該半導體元件所造成之影響。
另一方面，在日本公開專利公報第6-85060號所述之技術中，由該切割帶剝離該半導體元件之製程係使用一在其上表面上配置有多數錐體之加壓塊或一其上表面形成一多邊形之加壓塊來進行；但是，即使在該上推操作後該切割帶與該半導體元件接觸之面積仍然很大，因此，難以剝離該半導體元件。
另外，在日本公開專利公報第2007-109936號所述之技術中，所使用的是一由一撓性彈性體形成一球形之片狀加壓構件，且進行由該黏著片剝離一晶片之製程，使得該片狀加壓構件彈性地變形，即該片狀加壓構件之上表面由一平坦表面變形成一球形表面。
此時，在前述加工方法中，當事先將該片狀加壓構件之上表面由一球形變成一平坦表面時，使一拾取噴嘴之一多孔真空板與一晶片接觸且通過一位於該晶片下方之片材對一片狀加壓構件施加一壓力。即，在開始加壓時，該晶片以一非常小之面積被該片狀加壓構件加壓。如此，特別是當一晶片具有一非常大面積與一小厚度時，在該晶片中可能會發生裂縫或剝落。
另一方面，回應一電子設備之小型化與高效能之要求，該半導體元件1亦需要更高之效能。這會增加晶片尺寸，而需要進一步減少該晶片之厚度，即，需要一薄晶片。
依此，當一變薄且同時增加尺寸(面積增加)並因此機械強度減少的半導體元件由該切割帶剝離時，必須更小心實施該剝離製程，以防止破裂。
 概要
因此，在此說明之實施例之一方面中，一目的是提供一種用以剝離電子組件的方法及設備，且詳而言之，提供一種由一黏著帶剝離如一半導體元件之電子組件的方法及一執行該方法之剝離設備。
一實施例之一方面提供一種剝離一電子組件的方法，該方法包括一當該電子組件黏著在一帶構件之一第一主表面上時，使一伸縮囊膜接觸一第二主表面，即，該帶構件之另一主表面的步驟；及一在使該伸縮囊膜與該第二主表面接觸後，藉供應一流體至該伸縮囊膜使該伸縮囊膜與該帶構件變形，以藉此由該帶構件剝離該電子組件的步驟。
本發明實施例之另一方面提供一種用於一黏著在一帶構件上之電子組件的剝離設備。該剝離設備包括：一伸縮囊膜，係配置於該帶構件之一側上，且與設有該電子組件之一側相對；一帶真空吸引部份，係環繞該伸縮囊膜配置且真空吸引該帶構件；及一流體供應裝置，係將一流體供應至該伸縮囊膜，使該伸縮囊膜變形，以藉此由該帶構件剝離該電子組件。
該等實施例之目的與優點將藉在申請專利範圍中特別指出之元件及組合實現與獲得。
在此應了解的是前述概括之說明與以下詳細之說明兩者均是示範性的與說明性的且不如申請專利範圍般地構成實施例之限制。
圖式簡單說明
第1圖是一顯示一現有剝離設備之示意構形之視圖；第2圖是一視圖，顯示一實施例之一用於一電子組件之剝離設備之示意構形；第3A圖與第3B圖是視圖，顯示在一由一切割帶剝離一半導體元件之製程中之剝離設備的狀態及一剝離目標半導體元件黏著於該切割帶之狀態；第4A圖與第4B圖是視圖，顯示在由該切割帶剝離該半導體元件之製程中之剝離設備的狀態及該剝離目標半導體元件黏著於該切割帶之狀態；第5A圖與第5B圖是視圖，顯示在由該切割帶剝離該半導體元件之製程中之剝離設備的狀態及該剝離目標半導體元件黏著於該切割帶之狀態；第6A圖與第6B圖是視圖，顯示在由該切割帶剝離該半導體元件之製程中之剝離設備的狀態及該剝離目標半導體元件黏著於該切割帶之狀態；第7A圖與第7B圖是視圖，顯示在由該切割帶剝離該半導體元件之製程中之剝離設備的狀態及該剝離目標半導體元件黏著於該切割帶之狀態；第8圖是顯示在由該切割帶剝離該半導體元件之製程中之剝離設備之狀態的視圖；第9圖是顯示在由該切割帶剝離該半導體元件之製程中之剝離設備之狀態的視圖；第10A圖至第10E圖是用以顯示該實施例之剝離一電子組件的一方法之圖表；第11圖是實施例之用於一電子組件之剝離設備之第一替代例的伸縮囊膜空氣室之平面圖；且第12圖是實施例之用於一電子組件之剝離設備之第二替代例的伸縮囊膜空氣室之平面圖。
 實施例之說明
以下將使用一半導體元件作為一目標電子組件及一切割帶作為一帶構件說明本發明之一實施例。
在此，將先說明一用於一電子組件之剝離設備的構形，且接著將說明一使用該剝離設備之剝離製程的方法。
1.用於電子組件之剝離設備
第2圖顯示依據本發明之一用於一電子組件之剝離設備200的構形。
即，用於一電子組件之剝離設備200包括一伸縮囊膜容納部份210、一環繞該伸縮囊膜容納部份210配置以環繞該伸縮囊膜容納部份210之帶真空吸引部份220、一配置在該伸縮囊膜容納部份210上方之真空單元230、及一控制這些機構之控制單元240。
在前述構形中，在伸縮囊膜容納部份210中，對應於一目標電子組件之平面形狀，一由如橡膠等彈性體形成之伸縮囊膜212配置在一基部211上，且該基部211之上表面於平面圖中呈矩形。
該基部211與伸縮囊膜212之平面形狀係設定成對應該目標電子組件之平面形狀，當該電子組件是一典型半導體元件，該等平面形狀係設定為矩形。
此外，各平面形狀實質上與該目標電子組件相同且係設定成一稍大於該目標電子組件之尺寸。又，該伸縮囊膜212之一空氣室(伸縮囊膜空氣室)213係透過一貫穿孔214及一管215而與一電動氣壓式調節器216連接。該貫穿孔214延伸穿過該基部211，且該管215與該貫穿孔214連通。
此外，配置成環繞該伸縮囊膜容納部份210之帶真空吸引部份220在其上面處具有多數貫穿孔221，以真空吸引一帶。該等貫穿孔221與一凹穴部份222，且透過一下貫穿孔223並再透過一管(圖未示)等連接至一真空吸引裝置(圖未示)。
請注意該帶真空吸引部份220可形成為一環繞該伸縮囊膜容納部份210之塊體或可構形成被分成多數分別連接至一真空吸引裝置之塊體。
此外，一真空單元230配置在該伸縮囊膜容納部份210上方，且包括一電子組件真空吸引部份232及一盒狀支持部份233。該電子組件真空吸引部份232具有多數貫穿孔231，該等貫穿孔231真空吸引一被真空吸引之目標電子組件。該支持部份233被一支持臂(圖未示)支持，且可垂直地移動與轉動。
該電子組件真空吸引部份232被嵌入該支持部份233中，且被多數彈簧234彈性地支持。
該支持部份233透過一孔235及一管236而與一真空吸引裝置237連接，且一壓差檢測器(真空狀態檢測器)238配置在該管236中。
此外，在該支持部份233內部，一作為一接觸力檢測器之應變計239配置在該支持部份233與該電子組件真空吸引部份232之間。
請注意該電子組件真空吸引部份232不限於具有多數貫穿孔231之形態，且它可構形成為一由一多孔材料製成之板狀構件。
另一方面，該電子組件真空吸引部份232與該被真空吸引目標電子組件相對之部份(接觸部份)之形狀與面積係對應於該等被真空吸引目標電子組件之一被真空吸引表面的形狀與面積。當該電子組件被真空吸引時，該等多數貫穿孔231全部被該電子組件封閉。
又，該電動氣壓式調節器216、該真空吸引裝置237、該壓差檢測器(真空狀態檢測器)238及該應變計239連接於該控制單元240，且被該控制單元240控制。
在如此構形成之剝離設備200中，在該剝離製程開始時，該伸縮囊膜212之上表面高度係設定成使得該伸縮囊膜212之上表面與環繞該伸縮囊膜212配置之帶真空吸引部份220之上表面具有實質相同之高度且形成一連續平面。
又，作為被加工目標之多數半導體元件101黏著於其之其中一主表面的片狀切割帶121被放置在一由該帶真空吸引部份220之上表面與該伸縮囊膜212之上表面所形成的平面上且呈一方位，使得該其中一主表面被放置成一上表面，即，一黏著於該半導體元件101之表面被放置成一上表面。
此外，該切割帶121係配置成使得其中一目標半導體元件位在該伸縮囊膜212上。
在此，由一其藉背面研磨移除之量(研磨量)為小，即，厚度相當大之半導體基板分成多段的多數半導體元件係被黏著在該切割帶121上，作為該等目標半導體元件101又，所使用的是其表面具有黏著性之切割帶121，且由該切割帶121剝離之半導體元件101透過一事先配置之黏著劑而被固定至一如佈線基板或一插入物之支持基板上。
真空吸引係在帶真空吸引部份220處及其上黏著有多數半導體元件101之切割帶121上進行，且該切割帶121係被放置在一由該伸縮囊膜212之上表面與環繞其配置之帶真空吸引部份220之上表面所形成的平面上。如此，該切割帶121被真空吸引且固持在該帶真空吸引部份220上，即，在一由圖中箭號A所示之方向上進行一真空吸引程序。
接著，由該電動氣壓式調節器216將加壓空氣導入(圖中之箭號B)位在該切割帶121下方之伸縮囊膜212的空氣室213，以藉此使該伸縮囊膜212膨脹。
此時，因為該伸縮囊膜212被該帶真空吸引部份220包圍，所以該伸縮囊膜212朝該切割帶121膨脹成一外凸形狀。
依據該伸縮囊膜212之膨脹，該切割帶121被上推且對應於該伸縮囊膜212之形狀彎曲。
該切割帶121被上推成一實質半球形，且其表面彎曲，因而施加一超過在與該切割帶121一起被上推之半導體元件101與該切割帶121間之黏著強度的力。如此，該半導體元件101在其外周緣部份處，特別是在靠近其四個角落處，開始由該切割帶121剝離。
此時，該真空單元230被直接配置在該半導體元件101上方之控制單元240控制，且將會下降。又，該電子組件真空吸引部份232位於與該切割帶121一起被上推之半導體元件101之上表面附近。
此時，該真空吸引裝置237亦被該控制單元240驅動，且開始進行真空吸引(圖中之箭號C)。
當該電子組件真空吸引部份232位於該半導體元件101附近且，接著，該電子組件真空吸引部份232接觸該半導體元件101時，該應變計239檢測該接觸，且該檢測結果被傳送至該控制單元240。
接著，當該電子組件真空吸引部份232再接近該半導體元件101且產生一適當接觸狀態時，即，該半導體元件101之上表面以一實質互相平行之關係接觸該電子組件真空吸引部份232時，所有形成在該電子組件真空吸引部份232中之電子組件真空吸引部份232被該半導體元件101覆蓋。即，該半導體元件101被真空吸引至該電子組件真空吸引部份232上。因此，一在該真空單元230之支持部份233中的壓力減少。
前述壓力變化被該壓差檢測器238檢測，這表示檢測到該半導體元件101被真空吸引至該電子組件真空吸引部份232。
依據前述檢測到的結果，在將該半導體元件101真空吸引且固持在該電子組件真空吸引部份232之貫穿孔231上的同時，該真空單元230上升。
當該真空單元230上升時，被真空吸引且固持在該電子組件真空吸引部份232上之半導體元件101由該切割帶121上剝離，因此與該切割帶121分離。
然後，該真空單元230依據來自該控制單元240之一控制信號被一支持臂移動，且將該半導體元件101傳送至一運送托盤(圖未示)等。
當該半導體元件101由該切割帶121剝離時，依據來自該控制單元240之一控制信號控制該電動氣壓式調節器216。如此，一在該伸縮囊膜212之空氣室213中之壓力減少，該伸縮囊膜212收縮，且該伸縮囊膜212之高度降低。
又，該伸縮囊膜212之上之上表面係設定為與該帶真空吸引部份220之上表面高度相等。
在這狀態下，該伸縮囊膜容納部份210、該帶真空吸引部份220及該真空單元230沿著由該切割帶121所形成之平面移動，或者該切割帶121在由該伸縮囊膜容納部份210及該帶真空吸引部份220所形成之平面上移動。如此，下一個目標半導體元件被放置在該伸縮囊膜212上。又，與前述程序一起，進行由該切割帶剝離該半導體元件之製程。
請注意當該半導體元件以一適當接觸狀態未被真空吸引至該電子組件真空吸引部份232發生，例如，部份之半導體元件接觸該電子組件真空吸引部份232且該半導體元件之整個上表面未與該電子組件真空吸引部份232接觸時，所檢測到的前述狀態是在該壓差檢測器238中未發生壓力變化。
在此情形下，吸引與剝離操作停止，且進行包括移除一目標半導體元件之措施。半導體元件不斷地變薄，因此，在該等半導體元件中可能會發生翹曲與剝落。如此，前述狀態之監測與檢測及措施是必要的。
請注意依該伸縮囊膜之膨脹之位移小，可使用一測壓器作為一接觸力檢測器。
2.剝離電子組件的方法
如前所述，以下將參照第3A圖至第10E圖詳細說明依據本發明之使用該剝離設備200之剝離一電子組件的方法。
第3A圖至第9圖顯示使用該剝離設備200由該切割帶121剝離該半導體元件101之製程。
第3A圖至第7B圖示意地顯示該切割帶121接觸配置在該半導體元件101之背面上之黏著劑131的區域中之變化。
即，在此顯示該分段之半導體元件101透過配置在該等半導體元件101背面上之片狀黏著劑131而被黏著及固持在該片狀切割帶121之表面上。
該等半導體元件101是透過一切割製程由一半導體基板分成多段之半導體元件，且該半導體基板之厚度透過一背研磨製程大幅減少且進一步被薄化。
依此方式，當被薄化之該等半導體元件101透過一黏著劑固定地黏著在一如一佈線基板或一插入物之支持基板上時，該等半導體元件101可能會因該黏著劑配置在該支持基板之形態而破裂。
即，在事先配置在該支持基板上之黏著劑形態不平坦的狀態下，當該薄半導體元件被加壓結合在該黏著劑上時，該黏著劑之不均勻會在該等半導體元件中造成裂縫等。如此，事先將該等薄半導體元件固定黏著至如一佈線基板或一插入物之支持基板上，必須將一黏著劑配置在該等半導體元件之背面上。
因此，在該背研磨製程後，於該切割製程時，首先，被稱為一模結合膜之片狀黏著劑131被黏著在該半導體基板之背面上。接著，利用該片狀黏著劑131，該半導體基板被黏著在該切割帶121上。
請注意在前述製程後，一在該背研磨製程中被黏著在該半導體元件之上表面上的背研磨帶(BG帶)被剝離及移除。
依此方式，該切割製程係在透過配置在該半導體基板背面上之片狀黏著劑131而黏著在該切割帶121上之半導體基板上進行。接著，當由該切割帶剝離時，在該片狀黏著劑配置在該等半導體元件背面上之狀態下，拾取該等分段之半導體元件。
因為該片狀黏著劑131配置在該等半導體元件101之背面，所以當該等半導體元件安裝在該支持基板上時，不必事先將一黏著劑配置在該支持基板上，因此，不會發生前述問題。
在此實施例中，該切割製程係在透過該片狀黏著劑131黏著在該切割帶121之其中一主表面上之半導體基板上進行，接著，在該片狀黏著劑配置在該等半導體元件背面上之狀態下，拾取由該切割帶上剝離之半導體元件。
此外，第10A圖至第10E圖顯示在該剝離製程中，該真空單元230之配置狀態、在該伸縮囊膜212之空氣室213中之壓力變化等隨時間之變化。
即，第10A圖顯示於該剝離製程開始前，在該真空單元230與該被真空吸引半導體元件之上表面(初始平面)間之距離隨時間之變化。另一方面，第10B圖顯示在該伸縮囊膜空氣室213中之壓力隨時間之變化。此外，第10C圖顯示隨著該伸縮囊膜212之膨脹與擴大，在該電子組件真空吸引部份232與該目標半導體元件上表面間之距離隨時間之變化。第10D圖顯示該目標半導體元件被真空吸引至該電子組件真空吸引部份232之狀態下隨時間之變化，又，第10E圖顯示通過該目標半導體元件施加於該真空單元230之電子組件真空吸引部份232的加壓力隨時間之變化。
2-1.定位
為了由該切割帶121剝離透過該片狀黏著劑131黏著在該切割帶121之其中一主表面上的目標半導體元件(以下，簡稱為半導體元件)101S，首先，將該半導體元件101S定位在該伸縮囊膜容納部份210上(第10A圖至第10E圖中時間t0)。此時，由該電動氣壓式調節器216，對在該伸縮囊膜容納部份210中之伸縮囊膜212的空氣室213施加一壓力(壓力P1)，使得該伸縮囊膜212之上表面具有一等於該帶真空吸引部份220之上表面的高度且與該帶真空吸引部份220之上表面一起形成一共同平面(請參見第10B圖)。請注意如果在一般大氣壓下獲得前述形態，則不必加壓。
接著，在該帶真空吸引部份220中，環繞該半導體元件101S之切割帶121透過設置在該帶真空吸引部份220上表面中之貫穿孔221被真空吸引(箭號A所示之方向)，以藉此固定該切割帶121。
另一方面，該真空單元230之電子組件真空吸引部份232之遠端部份與該半導體元件101S之上表面分離，且與該半導體元件101S相對。
前述狀態係顯示在第3A圖中。
在此階段，配置在各半導體元件101S之背面上的片狀黏著劑131在所有區域中接觸該切割帶121(請參見第3B圖)。
2-2.真空單元之下降
接著，使如此定位之真空單元230下降，使得該電子組件真空吸引部份232之遠端部份位在該半導體元件101S上方(在第10A圖至第10E圖中之時間t1)，距離包括該半導體元件101S上表面之平面(初始平面S)一預定距離D(D之範圍係0.1mm至0.3mm)。接著，使該真空單元230之支持部份233固定地位在距離包括該半導體元件101之上表面之平面(初始平面S)一預定距離處。即，使該支持部份233以一由該初始平面S至該支持部份233上表面之距離DS固定地定位。
前述狀態係顯示在第4A圖中。
然後，開始將該真空單元230內抽真空，且外側空氣流入經過該等貫穿孔231(圖中箭號C所示之方向)。在前述狀態下，配置在該半導體元件101S之背面上的片狀黏著劑131S黏著在該整個區域中之切割帶121上(請參見第4B圖)。
2-3.開始剝離製程
接著，藉致動該電動氣壓式調節器216，在壓力下開始將空氣導入該伸縮囊膜212之空氣室213中，以藉此增加在該伸縮囊膜空氣室213中之壓力(P1+α)。藉此，該伸縮囊膜空氣室213膨脹且擴大，使該伸縮囊膜212上升(在第10A圖至第10E圖中之時間t2)。隨著該伸縮囊膜212之上表面之上升，位在該上表面上之半導體元件101S移動(上升)一距離D，且該半導體元件101S之上表面接觸該真空單元230之電子組件真空吸引部份232之遠端部份(下端部份)(在第10A圖至第10E圖中之時間t3)。前述狀態顯示於第5A圖中。
如前所述，該電子組件真空吸引部份232已開始被抽真空，且因此該半導體元件101S被真空吸引至該電子組件真空吸引部份232之遠端部份。
即，藉真空吸引該半導體元件101S，該電子組件真空吸引部份232之遠端部份之孔，即，多數貫穿孔231，均被封閉(請參見第10C圖)。如此，進一步減少該真空單元230之內部壓力，且該電子組件真空吸引部份232對抗在該支持部份233內之該等彈簧234稍微移動(上升)。
因此，該電子組件真空吸引部份232接觸該應變計239，且它檢測出該半導體元件101S被真空吸引至該電子組件真空吸引部份232之遠端部份(下端部份)。
此外，該壓差檢測器238檢測該半導體元件101S是否正常地被真空吸引，即，是否該半導體元件101S被真空吸引，使得它封閉該電子組件真空吸引部份232之遠端部份之所有多數貫穿孔231。
請注意當該半導體元件101S接觸該電子組件真空吸引部份232之遠端部份，使得它相對該遠端部份之平面傾斜時，需要更多時間來完成真空吸引。
此時，隨著該伸縮囊膜空氣室213膨脹與擴大，該伸縮囊膜212之上表面上升並形成一實質圓弧側表面。
藉此，在該半導體元件101S之下表面上之片狀黏著劑131S開始在該半導體元件101之四個角落處由該切割帶121剝離(請參見第5B圖)。請注意依此方式，為了將該半導體元件101S真空吸引且固持在該真空單元230之電子組件真空吸引部份232之遠端部份(下端部份)處，事先設定一在該半導體元件101S之上表面與該電子組件真空吸引部份232之遠端部份之間的距離D、一配置在該半導體元件101S之背面上之片狀黏著劑131S可由該切割帶121被剝離所需之距離(D+β)、一導入該伸縮囊膜空氣室213之空氣壓力(P+α)、加壓速度等。
這些是依據強度、延伸係數、及依據該切割帶121之材料而不同的黏著力、該切割帶121之厚度、該片狀黏著劑131之材料等來決定。
例如，當該切割帶121輕易地延伸且具有一高黏著力時，在該伸縮囊膜空氣室213中之壓力係設定成更高或該電子組件真空吸引部份232之遠端部份與該半導體元件101之上表面間的距離D係設定成更長。
此外，當該切割帶121具有一低黏著力時，藉使該伸縮囊膜空氣室213之上表面稍微上升，開始剝離在該半導體元件101下方之片狀黏著劑131。如此，在該伸縮囊膜空氣室213中之壓力被設定為較低，或在該電子組件真空吸引部份232之下端部份之間的距離D係設定為較短。
2-4.剝離製程之進行
如前所述，隨著將空氣導入(加壓)至該伸縮囊膜空氣室213中，該伸縮囊膜212進一步膨脹與擴大，且該伸縮囊膜212之上表面繼續上升。
隨著該伸縮囊膜212之上表面的上升，該半導體元件101S被向上推，且正在真空吸引該半導體元件101S之電子組件真空吸引部份232對抗在該支持部份233內之該等彈簧234而進一步上升，接著，該半導體元件101S之表面到達一位置(D+β)。
因此，該半導體元件101S與配置在該半導體元件101S之背面上之片狀黏著劑131S進一步由該切割帶121剝離。
前述狀態顯示在第6A圖中。
此時，配置在該半導體元件101S之背面上之片狀黏著劑131S不僅在該半導體元件101S之四個角落處並且亦在位於該半導體元件101S之四側附近之部份皮由該切割帶121剝離。由該切割帶121剝離該片狀黏著劑131S係由該半導體元件101S之四個角落與其四側附近之部份朝該半導體元件101S之中央部份進行。
接著，在該伸縮囊膜空氣室213中之壓力隨著時間增加，使得該半導體元件101S進一步上升且該電子組件真空吸引部份232對抗在該支持部份233內之該等彈簧234進一步上升。
然後，該半導體元件101S之背面實質上到達一預定位置(D+β)(在第10A圖至第10E圖中之時間t4)。前述狀態顯示於第7A圖中。
因此，配置在該半導體元件101S之背面上的片狀黏著劑131S以一實質點狀方式，即，以一最小面積在該半導體元件101S之背面上的實質中央部份處，接觸該切割帶121(請參見第7B圖)。
2-5.由切割帶分離黏著劑
在此之後，該真空單元230上升，且被真空吸引且固持在該電子組件真空吸引部份232之遠端部份(下端部份)處之半導體元件101S的上表面上升至一位於該預定位置(D+β)上方。
另一方面，在該伸縮囊膜空氣室213中之空氣被排出以減少內部壓力，藉此減少該伸縮囊膜212之上表面的高度(第10A圖至第10E圖中之時間t5)。即，該真空單元230之支持部份233之位置在時間t1至時間t5之間是固定的。
透過這些操作，該半導體元件101S與配置在該半導體元件101S背面上之片狀黏著劑131S一起由該切割帶121上被剝離。
因此，該半導體元件101S被真空吸引且固持在該電子組件真空吸引部份232之遠端部份(下端部份)處。
請注意因為由該伸縮囊膜212通過被真空吸引至該電子組件真空吸引部份232之遠端部份的半導體元件101S所施加之力消失，該電子組件真空吸引部份232被在該支持部份233內之彈簧234向下推。
接著，正在真空吸引且固持該半導體元件101S之真空單元230被一驅動機構(圖未示)驅動以將該半導體元件101S運送至一片結合製程，其中該半導體元件101S被結合至一如一引線框或一印刷基板等基板上或一運送托盤上。
另一方面，在該半導體元件101S被固持處之切割帶121部份的高度減少，以形成一與被真空吸引至該帶真空吸引部份220之切割帶的部份實質連續之平面。
前述狀態顯示在第8圖中。
2-6.後續之半導體元件的剝離製程
在前述平面已形成之狀態下，停止藉該帶真空吸引部份220真空吸引該切割帶121，以解除該被真空吸引狀態。
然後，將該切割帶121朝一橫向方向移動，以藉此將一半導體元件101N，即，下一個被剝離目標，放在該伸縮囊膜空氣室213上。
前述狀態顯示於第9圖中。
接著，藉進行該真空單元230之定位與下降及如前述般之該伸縮囊膜212之加壓與膨脹，進行將該被剝離目標半導體元件101N由該切割帶121剝離。
在依據本發明之半導體元件的剝離製程中，在該伸縮囊膜空氣室213中之壓力及在該真空單元230之電子組件真空吸引部份232處之半導體元件的真空吸引狀態係藉該應變計239與該壓差檢測器238來監測。
例如，在該伸縮囊膜空氣室213中之壓力之每單位時間的上升速度係藉該應變計239來檢測。藉此，可檢測該半導體元件101接觸該電子組件真空吸引部份232之力量是否隨時間依需要地改變。
藉利用該應變計239檢測該半導體元件101接觸該電子組件真空吸引部份232之力量，可以了解該半導體元件101如何真空吸引至該電子組件真空吸引部份232且，因此，可以採取必要之措施。
例如，當該半導體元件101接觸該電子組件真空吸引部份232之力量值超過一預定值時，藉該控制單元240致動該電動氣壓式調節器216，以減少在該伸縮囊膜空氣室213中之壓力，或者致動一驅動機構(圖未示)，使該電子組件真空吸引部份232上升，以藉此使該半導體元件101與該電子組件真空吸引部份232分離，因此防止該半導體元件101斷裂。
此外，當在依據該壓差檢測器238所檢測到之結果，該真空單元230中之壓力未減少時，雖然一由該應變計239測得之該半導體元件101接觸該電子組件真空吸引部份232之力量大於或等於一預定值，可決定該半導體元件101未正常地被真空吸引至該電子組件真空吸引部份232之部份的貫穿孔23。
即，在此情形中，該半導體元件101可能會與該電子組件真空吸引部份232之部份的貫穿孔23接觸且其會傾斜或轉動，或可能會斷裂。
接著，當依據本發明之一連串剝離操作之循環落在一預定範圍內，即，該真空單元230位置隨時間之變化，亦即，在該真空單元230之電子組件真空吸引部份232之下端表面與位在該電子組件真空吸引部份232下方之半導體元件101之上表面(被真空吸引表面)上之平面(初始平面S)之間的距離隨時間之變化；藉該壓差檢測器238測得之該半導體元件101被真空吸引至該真空單元230之電子組件真空吸引部份232之下端表面的狀態；及藉該應變計239測得之該半導體元件101接觸該電子組件真空吸引部份232之力量隨時間之變化係類似於第10A圖至第10E圖中所示之變化時，可視為該半導體元件101由該切割帶121被正常地剝離。
另一方面，當依據本發明之一連串剝離操作之循環落在一預定範圍外時，可決定正發生不正常，且接著可採取種種措施，例如，停止該剝離設備200之操作來處理它。
例如，如果藉該應變計239測得之該半導體元件101接觸該電子組件真空吸引部份232之下端表面的時間(在第10A圖至第10E圖中之時間t3)與藉該壓差檢測器238測得之該半導體元件101被真空吸引至該電子組件真空吸引部份232之下表面的時間(在第10A圖至第10E圖中之時間t4)係早於一預定時間，則可決定該半導體元件101發生在該半導體元件101開始該剝離操作前便已剝離之不正常現象。接著，藉停止該剝離設備200之操作等，防止在該半導體元件101中發生斷裂。
此外，當藉該壓差檢測器238測得之該半導體元件101被真空吸引至該電子組件真空吸引部份232之下表面的時間(在第10A圖至第10E圖中之時間t4)係晚於該預定時間時，可決定該半導體元件101相較於該預定狀態牢固地黏著於該切割帶121且，因此，難以由該切割帶121剝離該半導體元件101。接著，藉停止該剝離設備200之操作等，防止在該半導體元件101中發生斷裂。
依此方式，依據本發明之用於該電子組件之剝離方法與剝離設備，尺寸實質上等於或稍大於該半導體元件101之伸縮囊膜212之整個上表面上升，使黏著在該切割帶121上之半導體元件101上升。如此，使該半導體元件101可由該切割帶121剝離之一力量由該伸縮囊膜212之整個上表面施加至該半導體元件101之整個背面(下表面)。
因此，相較於如在現有技術中使用多數針由該切割帶剝離該半導體元件101之模式，可以減少(分散)在剝離時升高之應力。
如此，可以減少該半導體元件101所受到的破壞，且可以穩定地進行剝離而不會在由該切割帶剝離該半導體元件101時導致形態之破壞。
此外，在本發明之用於電子組件之剝離方法及剝離設備中，依據在該真空單元230中之狀態檢測是否該半導體元件被正常地真空吸引至該電子組件真空吸引部份232之貫穿孔231的下端表面。
另一方面，該半導體元件101接觸該真空單元230之電子組件真空吸引部份232的力量係藉該應變計239檢測。
依據這些檢測到的結果，決定是否該剝離操作是在一不正常狀態，且可以採取，例如，藉停止該剝離設備之操作等措施。如此，可防止及抑制在該半導體元件101中發生斷裂。
請注意本發明之面相不限於前述實施例，但它們可以在以下申請專利範圍中所述之本發明範疇內被修改成各種形態。
即，在前述實施例之剝離設備200中，該伸縮囊膜容納部份210與配置成環繞該伸縮囊膜容納部份210之帶真空吸引部份220係分開地設置；但是，該伸縮囊膜容納部份與該帶真空吸引部份可以一體地形成。
因為在該伸縮囊膜容納部份210中之伸縮囊膜212之上表面具有一對應於該目標半導體元件之形狀與面積的形狀與面積，所以定位成環繞該伸縮囊膜容納部份210之帶真空吸引部份220亦必須具有一對應於該目標半導體元件之形狀與面積的形狀與面積。
由以上可知，藉在一共用基座中一體地形成該伸縮囊膜容納部份與該帶真空吸引部份而成為一單元構形，以符合該目標半導體元件之種類，可以提供一有效率之剝離製程及較高產率。
此外，在前述實施例中，用於一黏著在一切割膜上之一被剝離目標半導體元件的是一信號伸縮囊膜，且該半導體元件係透過該伸縮囊膜之膨脹與擴大而由該切割膜上剝離；但是，該伸縮囊膜可以具有以下構形。
例如，如第11圖所示，該伸縮囊膜具有一雙層結構作為在平面圖中所見之結構形態，且係由一第一伸縮囊膜512A及一第二伸縮囊膜512B。該第二伸縮囊膜512B與該第一伸縮囊膜512A分開，且配置成環繞該第一伸縮囊膜512A。
由這些伸縮囊膜所形成之平面形狀與面積實質上相等於該被剝離目標半導體元件之形狀與面積，且該面積可稍微大些。
又，該第一伸縮囊膜512A與該第二伸縮囊膜512B互相獨立地連接於該電動氣壓式調節器。
依此方式，當利用該雙層伸縮囊膜作為在平面圖中所見之結構形態來剝離該半導體元件時，該第二伸縮囊膜512B之空氣室先膨脹與擴大，以上推位於該半導體元件之周緣部份下方的切割帶至一預定高度，以由該切割帶上剝離配置在該半導體元件之周緣部份處的黏著劑。
然後，使該第一伸縮囊膜512A之空氣室膨脹與擴大，以上推該目標半導體元件之實質中央部份，藉此由該切割帶上剝離配置在該半導體元件之中央部份處的黏著劑。
依據該伸縮囊膜之前述結構形態，因為該目標半導體元件之周緣部份實質上均一地被該第二伸縮囊膜512B上推，所以可以分散對抗該加壓發生之應力且，因此，可以防止該半導體元件之斷裂。
此外，藉互相獨立地將該第一伸縮囊膜512A配置在該第二伸縮囊膜512B內，可以可靠地剝離配置在該半導體元件之中央部份處之黏著劑。
又，如第12圖所示，該伸縮囊膜可被分離成在平面圖中見之結構形態為四個，且係由配置在一格柵中之伸縮囊膜612A至612D形成。伸縮囊膜612A至612D之上表面具有相同形狀與面積，且由這些伸縮囊膜形成之平面形狀與面積實質上等於該被剝離目標半導體元件之背面的形狀與面積。由這些伸縮囊膜所形成之面積可稍微大些。
此外，該等伸縮囊膜612A至612D互相獨立地連接於該電動氣壓式調節器。
依據該伸縮囊膜之前述結構形態，因為該目標半導體元件之底面可被多數伸縮囊膜612實質均一地上推，所以可以將對抗該加壓發生之應力分散。如此，可防止該半導體元件之斷裂。
此外，當該半導體元件在一特定部份處之剝離未繼續進行時，藉以位在該部份下方之伸縮囊膜的膨脹與擴大來繼續進行，可以在該部份處實施剝離。
又，本發明之特性可應用於以下任一種模式，即：該切割帶不具有黏著性且一如一分段半導體元件之電子組件以一黏著劑黏著在該切割帶上的模式，或一電子組件黏著在具有一黏著表面之切割帶上的模式。
在此所述之所有例子與條件式語言係用以達成教學之目的，以協助讀者了解本發明及由本發明人所提出以增進該技藝之觀念，且應被視為不受限於這些特別說明之例子與條件，並且在此說明書中之這些例子的編排方式亦與顯示本發明之優越性與不良性無關。雖然本發明之實施例已詳細說明過了，在此應了解的是在不偏離本發明之精神與範疇的情形下，可對本發明進行各種改變、取代與變更。
1．．．半導體元件
3．．．上推夾具
4．．．真空夾具
21．．．切割帶
31．．．平坦部
32．．．圓柱形壁部
33．．．貫穿孔
34．．．針
35．．．針支持部
41．．．真空孔
100．．．加工裝置
101,101S,101N．．．半導體元件
121．．．切割帶
131,131S．．．黏著劑
200．．．剝離設備
210．．．伸縮囊膜容納部份
211．．．基部
212．．．伸縮囊膜
213．．．空氣室
214．．．貫穿孔
215．．．管
216．．．電動氣壓式調節器
220．．．帶真空吸引部份
221．．．貫穿孔
222．．．凹穴部份
223．．．下貫穿孔
230．．．真空單元
231．．．貫穿孔
232．．．電子組件真空吸引部份
233．．．支持部份
234．．．彈簧
235．．．孔
236．．．管
237．．．真空吸引裝置
238．．．壓差檢測器(真空狀態檢測器)
239．．．應變計
240．．．控制單元
512A．．．第一伸縮囊膜
512B．．．第二伸縮囊膜
612,612A-614D．．．伸縮囊膜
第1圖是一顯示一現有剝離設備之示意構形之視圖；
第2圖是一視圖，顯示一實施例之一用於一電子組件之剝離設備之示意構形；
第3A圖與第3B圖是視圖，顯示在一由一切割帶剝離一半導體元件之製程中之剝離設備的狀態及一剝離目標半導體元件黏著於該切割帶之狀態；
第4A圖與第4B圖是視圖，顯示在由該切割帶剝離該半導體元件之製程中之剝離設備的狀態及該剝離目標半導體元件黏著於該切割帶之狀態；
第5A圖與第5B圖是視圖，顯示在由該切割帶剝離該半導體元件之製程中之剝離設備的狀態及該剝離目標半導體元件黏著於該切割帶之狀態；
第6A圖與第6B圖是視圖，顯示在由該切割帶剝離該半導體元件之製程中之剝離設備的狀態及該剝離目標半導體元件黏著於該切割帶之狀態；
第7A圖與第7B圖是視圖，顯示在由該切割帶剝離該半導體元件之製程中之剝離設備的狀態及該剝離目標半導體元件黏著於該切割帶之狀態；
第8圖是顯示在由該切割帶剝離該半導體元件之製程中之剝離設備之狀態的視圖；
第9圖是顯示在由該切割帶剝離該半導體元件之製程中之剝離設備之狀態的視圖；
第10A圖至第10E圖是用以顯示該實施例之剝離一電子組件的一方法之圖表；
第11圖是實施例之用於一電子組件之剝離設備之第一替代例的伸縮囊膜空氣室之平面圖；且
第12圖是實施例之用於一電子組件之剝離設備之第二替代例的伸縮囊膜空氣室之平面圖。
101．．．半導體元件
121．．．切割帶
200．．．剝離設備
210．．．伸縮囊膜容納部份
211．．．基部
212．．．伸縮囊膜
213．．．空氣室
214．．．貫穿孔
215．．．管
216．．．電動氣壓式調節器
220．．．帶真空吸引部份
221．．．貫穿孔
222．．．凹穴部份
223．．．下貫穿孔
230．．．真空單元
231．．．貫穿孔
232．．．電子組件真空吸引部份
233．．．支持部份
234．．．彈簧
235．．．孔
236．．．管
237．．．真空吸引裝置
238．．．壓差檢測器(真空狀態檢測器)
239．．．應變計
240．．．控制單元

Claims (19)

  1. 一種剝離一電子組件的方法，包含：當該電子組件黏著在一帶構件之一第一主表面上時，使一伸縮囊膜接觸一第二主表面，其係該帶構件之一主表面，且該第一主表面係該帶構件之另一主表面；在使該伸縮囊膜與該第二主表面接觸後，藉供應一流體至該伸縮囊膜使該伸縮囊膜與該帶構件變形，以便在該電子組件被一真空裝置真空吸引與固持同時進行由該帶構件剝離該電子組件；及監測在該真空裝置與該電子組件間之一真空吸引狀態和該電子組件接觸該真空裝置之一接觸力。
  2. 如申請專利範圍第1項之剝離該電子組件的方法，其中在由該帶構件剝離該電子組件時，該電子組件係透過該伸縮囊膜與該帶構件之變形而上升。
  3. 如申請專利範圍第1項之剝離該電子組件的方法，更包含：將該真空裝置配置在該伸縮囊膜上方，使得一在該真空裝置與該電子組件間之距離變成一預定距離；加壓該伸縮囊膜之內部，使得在該伸縮囊膜內之一壓力變成一預定壓力；及在該電子組件接觸該真空裝置後，藉該真空裝置開始真空吸引該電子組件。
  4. 如申請專利範圍第3項之剝離該電子組件的方法，其中在該真空裝置之真空部份之一下表面與該電子組件之 一上表面之間的該預定距離及在該伸縮囊膜內之該預定壓力係依據該帶構件之一特性來決定。
  5. 如申請專利範圍第1項之剝離該電子組件的方法，其中監測在該真空裝置與該電子組件間之該真空吸引狀態包括：檢測由該真空裝置所產生之一真空壓力及該電子組件接觸該真空裝置之該接觸力；及依據所測得之真空壓力與所測得之接觸力來控制在該伸縮囊膜內之一壓力及該真空裝置之一位置。
  6. 如申請專利範圍第5項之剝離該電子組件的方法，其中檢測由該真空裝置所產生之該真空壓力係藉由一壓差檢測器來實施，而檢測該電子組件接觸該真空裝置之該接觸力係藉由一配置在該真空裝置之一下表面與該真空裝置之一支持部分之間的應變計來實施。
  7. 如申請專利範圍第5項之剝離該電子組件的方法，其中當該電子組件接觸該真空裝置之該接觸力超過一預定值且檢測到該真空裝置之內部不在一真空狀態時，決定為一不正常狀態正在發生。
  8. 如申請專利範圍第5項之剝離該電子組件的方法，其中當該電子組件接觸該真空裝置之一下表面的一時間及該電子組件被真空吸引至該真空裝置之該下表面的一時間早於一預定時間時，決定為一不正常狀態正在發生。
  9. 如申請專利範圍第5項之剝離該電子組件的方法，其中該電子組件被真空吸引至該真空裝置之一下表面的一 時間晚於一預定時間時，決定為一不正常狀態正在發生。
  10. 如申請專利範圍第1項之剝離該電子組件的方法，其中該伸縮囊膜包括多數伸縮囊膜組件，且其中該等伸縮囊膜組件之各者係依據該電子組件由該帶構件被剝離之一狀態而被致動。
  11. 一種用於一黏著在一帶構件上之電子組件的剝離設備，包含：一伸縮囊膜，係配置於該帶構件之一側上，且與設有該電子組件之一側相對；一帶真空吸引部份，係環繞該伸縮囊膜配置且真空吸引該帶構件；及一流體供應裝置，係將一流體供應至該伸縮囊膜，使該伸縮囊膜變形，以藉此由該帶構件剝離該電子組件。
  12. 如申請專利範圍第11項之用於該電子組件的剝離設備，更包含：真空吸引且固持由該帶構件剝離之該電子組件之一真空裝置。
  13. 如申請專利範圍第12項之用於該電子組件的剝離設備，更包含：一真空狀態檢測器，係檢測由該真空裝置所產生之一真空壓力；及一接觸力檢測器，係檢測該電子組件接觸該真空裝 置之一接觸力。
  14. 如申請專利範圍第13項之用於該電子組件的剝離設備，更包含：一控制單元，係依據由該真空狀態檢測器所測得之測得真空狀態及由該接觸力檢測器所測得之測得接觸力，控制該真空裝置之操作、控制一在該真空裝置內之壓力、或控制一在該伸縮囊膜之一伸縮囊膜空氣室中之壓力。
  15. 如申請專利範圍第13項之用於該電子組件的剝離設備，其中該真空裝置透過一抽真空管連接至一真空源，且其中該真空狀態檢測器設置在該抽真空管中。
  16. 如申請專利範圍第13項之用於該電子組件的剝離設備，其中該接觸力檢測器係為該真空裝置而設置。
  17. 如申請專利範圍第11項之用於該電子組件的剝離設備，其中該伸縮囊膜之一伸縮囊膜空氣室被分隔成多數部份。
  18. 如申請專利範圍第17項之用於該電子組件的剝離設備，其中該伸縮囊膜空氣室係由一中空外伸縮囊膜空氣室及一內伸縮囊膜空氣室形成，且其中該內伸縮囊膜空氣室設置在該外伸縮囊膜空氣室之一中空部份中，以與該中空部份實質地同軸。
  19. 如申請專利範圍第11項之用於該電子組件的剝離設備，其中該伸縮囊膜空氣室與該帶真空吸引部份係一體地形成。
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