KR101970884B1 - 반도체 제조 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

밀어올림 유닛에 의해 다이를 밀어올리고 있을 때, 다이가 변형되어 콜릿의 흡착면 아래까지 휘어 리크가 발생하는 경우가 있다. 반도체 제조 장치는 다이를 흡착하는 콜릿부를 구비하고, 상기 콜릿부는, 제2 흡인 구멍을 갖는 관상부와, 제1 흡인 구멍을 갖는 흡착부를 보유 지지하는 보유 지지부 및 상기 관상부의 외측에 위치하는 외주부와, 상기 보유 지지부 및 상기 관상부와 외주부 사이에서 구성되는 제3 흡인 구멍과, 상기 다이의 주변부가 하측 방향으로 휨으로써 상기 제3 흡인 구멍에 리크가 발생하고 그 내압이 높아짐으로써 상기 외주부를 압하하여 상기 다이의 주변부에 맞닿고, 상기 리크의 발생이 없어져 그 내압이 낮아짐으로써 상기 외주부를 인상하여 상기 다이의 주변부를 인상하는 수단을 구비한다.

Description

반도체 제조 장치 및 반도체 장치의 제조 방법{APPARATUS FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE}
본 개시는 반도체 제조 장치에 관한 것이며, 예를 들어 콜릿을 구비하는 다이 본더에 적용 가능하다.
일반적으로, 다이라 불리는 반도체 칩을, 예를 들어 배선 기판이나 리드 프레임 등(이하, 총칭하여 기판이라 함)의 표면에 탑재하는 다이 본더에 있어서는, 일반적으로, 콜릿 등의 흡착 노즐을 사용하여 다이를 기판 상에 반송하고, 압박력을 부여함과 함께, 접합재를 가열함으로써 본딩을 행한다는 동작(작업)이 반복하여 행해진다.
다이 본더 등의 반도체 제조 장치에 의한 다이 본딩 공정 중에는, 반도체 웨이퍼(이하, 웨이퍼라 함)로부터 분할된 다이를 박리하는 박리 공정이 있다. 박리 공정에서는, 다이싱 테이프 이면으로부터 밀어올림 유닛에 의해 다이를 밀어올려, 다이 공급부에 보유 지지된 다이싱 테이프로부터, 1개씩 박리하고, 콜릿 등의 흡착 노즐을 사용하여 기판 상에 반송한다.
일본 특허 공개 제2015-76410호 공보
밀어올림 유닛으로 다이를 밀어올리고 있을 때, 다이가 변형되어 콜릿의 흡착면의 아래까지 휘어, 리크가 발생하는 경우가 있다.
본 개시의 과제는 다이가 변형되어도 리크 발생에 의해 진공 흡착력을 상실하지 않는 반도체 제조 장치를 제공하는 것에 있다.
그 밖의 과제와 신규 특징은, 본 명세서의 기술 및 첨부 도면으로부터 명백하게 될 것이다.
본 개시 중 대표적인 것의 개요를 간단히 설명하면 하기와 같다.
즉, 반도체 제조 장치는, 픽업하는 다이 단면의 형상에 의해, 외주부가 자동적으로 상하하는(오르내리는) 콜릿을 구비한다.
상기 반도체 제조 장치에 의하면, 리크를 저감하는 것이 가능하다.
도 1은 실시예에 따른 다이 본더를 위로부터 본 개념도.
도 2는 도 1에 있어서 화살표 A 방향으로부터 보았을 때에 픽업 헤드 및 본딩 헤드의 동작을 설명하는 도면.
도 3은 도 1의 다이 공급부의 외관 사시도를 도시하는 도면.
도 4는 도 1의 다이 공급부의 주요부를 도시하는 개략 단면도.
도 5는 도 4의 밀어올림 유닛의 상면도.
도 6은 비교예에 따른 콜릿부와 밀어올림 유닛의 단면도.
도 7은 비교예에 따른 콜릿부의 하면도.
도 8은 실시예에 따른 콜릿부를 설명하는 도면.
도 9a는 실시예에 따른 콜릿부와 밀어올림 유닛의 단면도.
도 9b는 실시예에 따른 콜릿부와 밀어올림 유닛의 단면도.
도 9c는 실시예에 따른 콜릿부와 밀어올림 유닛의 단면도.
도 9d는 실시예에 따른 콜릿부와 밀어올림 유닛의 단면도.
도 9e는 실시예에 따른 콜릿부와 밀어올림 유닛의 단면도.
도 10은 실시예에 따른 다이 본더의 픽업 동작을 설명하기 위한 플로우차트.
도 11은 실시예에 따른 반도체 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 플로우차트.
도 12는 변형예 1에 따른 콜릿부를 설명하는 도면.
도 13a는 변형예 1에 따른 콜릿부와 밀어올림 유닛의 단면도.
도 13b는 변형예 1에 따른 콜릿부와 밀어올림 유닛의 단면도.
도 13c는 변형예 1에 따른 콜릿부와 밀어올림 유닛의 단면도.
도 13d는 변형예 1에 따른 콜릿부와 밀어올림 유닛의 단면도.
도 13e는 변형예 1에 따른 콜릿부와 밀어올림 유닛의 단면도.
도 14는 변형예 2에 따른 콜릿부를 설명하는 도면.
도 15a는 변형예 2에 따른 콜릿부와 밀어올림 유닛의 단면도.
도 15b는 변형예 2에 따른 콜릿부와 밀어올림 유닛의 단면도
도 15c는 변형예 2에 따른 콜릿부와 밀어올림 유닛의 단면도.
도 15d는 변형예 2에 따른 콜릿부와 밀어올림 유닛의 단면도.
도 15e는 변형예 2에 따른 콜릿부와 밀어올림 유닛의 단면도.
도 16은 변형예 3에 따른 콜릿부를 설명하는 도면.
도 17a는 변형예 3에 따른 콜릿부와 밀어올림 유닛의 단면도.
도 17b는 변형예 3에 따른 콜릿부와 밀어올림 유닛의 단면도.
도 17c는 변형예 3에 따른 콜릿부와 밀어올림 유닛의 단면도.
도 17d는 변형예 3에 따른 콜릿부와 밀어올림 유닛의 단면도.
도 17e는 변형예 3에 따른 콜릿부와 밀어올림 유닛의 단면도.
도 18은 변형예 4에 따른 콜릿부를 설명하는 도면.
도 19는 실시예에 따른 다이 본더의 픽업 동작의 변형예를 설명하기 위한 플로우차트.
도 20a는 실시예에 따른 콜릿부와 밀어올림 유닛의 단면도.
도 20b는 실시예에 따른 콜릿부와 밀어올림 유닛의 단면도.
이하, 실시예 및 변형예에 대하여, 도면을 사용하여 설명한다. 단, 이하의 설명에 있어서, 동일 구성 요소에는 동일 부호를 붙이고 반복 설명을 생략하는 경우가 있다. 또한, 도면은 설명을 보다 명확하게 하기 위해, 실제의 형태에 비해, 각 부의 폭, 두께, 형상 등에 대하여 모식적으로 도시되는 경우가 있지만, 어디까지나 일례이며, 본 발명의 해석을 한정하는 것은 아니다.
[실시예]
도 1은 실시예에 따른 다이 본더의 개략을 도시하는 상면도이다. 도 2는 도 1에 있어서 화살표 A 방향으로부터 보았을 때에, 픽업 헤드 및 본딩 헤드의 동작을 설명하는 도면이다.
다이 본더(10)는, 크게 나누어, 다이 공급부(1)와, 픽업부(2), 중간 스테이지부(3)와, 본딩부(4)와, 반송부(5), 기판 공급부(6)와, 기판 반출부(7)와, 각 부의 동작을 감시하고 제어하는 제어부(8)를 갖는다.
먼저, 다이 공급부(1)는 기판 P에 실장하는 다이 D를 공급한다. 다이 공급부(1)는 웨이퍼(11)를 보유 지지하는 웨이퍼 보유 지지대(12)와, 웨이퍼(11)로부터 다이 D를 밀어올리는 점선으로 나타내는 밀어올림 유닛(13)을 갖는다. 다이 공급부(1)는 도시하지 않은 구동 수단에 의해 XY 방향으로 이동하여, 픽업하는 다이 D를 밀어올림 유닛(13)의 위치로 이동시킨다.
픽업부(2)는 다이 D를 픽업하는 픽업 헤드(21)와, 픽업 헤드(21)를 Y 방향으로 이동시키는 픽업 헤드의 Y 구동부(23)와, 콜릿부(22)를 승강, 회전 및 X 방향으로 이동시키는 도시하지 않은 각 구동부를 갖는다. 픽업 헤드(21)는, 밀어올려진 다이 D를 선단에 흡착 보유 지지하는 콜릿부(22)(도 2도 참조)를 갖고, 다이 공급부(1)로부터 다이 D를 픽업하여, 중간 스테이지(31)에 재치한다. 픽업 헤드(21)는 콜릿부(22)를 승강, 회전 및 X 방향으로 이동시키는 도시하지 않은 각 구동부를 갖는다.
중간 스테이지부(3)는 다이 D를 일시적으로 재치하는 중간 스테이지(31)와, 중간 스테이지(31) 상의 다이 D를 인식하는 위한 스테이지 인식 카메라(32)를 갖는다.
본딩부(4)는 중간 스테이지(31)로부터 다이 D를 픽업하여, 반송되어 오는 기판 P 상에 본딩하거나, 또는 이미 기판 P 상에 본딩된 다이 상에 적층하는 형태로 본딩한다. 본딩부(4)는 픽업 헤드(21)와 마찬가지로 다이 D를 선단에 흡착 보유 지지하는 콜릿부(42)(도 2도 참조)를 구비하는 본딩 헤드(41)와, 본딩 헤드(41)를 Y 방향으로 이동시키는 Y 구동부(43)와, 기판 P의 위치 인식 마크(도시하지 않음)를 촬상하여, 본딩 위치를 인식하는 기판 인식 카메라(44)를 갖는다.
이와 같은 구성에 의해, 본딩 헤드(41)는 스테이지 인식 카메라(32)의 촬상 데이터에 기초하여 픽업 위치ㆍ자세를 보정하고, 중간 스테이지(31)로부터 다이 D를 픽업하고, 기판 인식 카메라(44)의 촬상 데이터에 기초하여 기판 P에 다이 D를 본딩한다.
반송부(5)는 1매 또는 복수매의 기판 P(도 1에서는 4매)를 재치한 기판 반송 팰릿(51)과, 기판 반송 팰릿(51)이 이동하는 팰릿 레일(52)을 구비하고, 병행하여 설치된 동일 구조의 제1, 제2 반송부를 갖는다. 기판 반송 팰릿(51)은 기판 반송 팰릿(51)에 설치된 도시하지 않은 너트를 팰릿 레일(52)을 따라서 설치된 도시하지 않은 볼 나사로 구동함으로써 이동한다.
이와 같은 구성에 의해, 기판 반송 팰릿(51)은 기판 공급부(6)에서 기판 P를 재치하고, 팰릿 레일(52)을 따라서 본딩 위치까지 이동하고, 본딩 후, 기판 반출부(7)까지 이동하여, 기판 반출부(7)에 기판 P를 건네준다. 제1, 제2 반송부는 서로 독립하여 구동되며, 한쪽의 기판 반송 팰릿(51)에 재치된 기판 P에 다이 D를 본딩하는 중에, 다른 쪽의 기판 반송 팰릿(51)은 기판 P를 반출하고, 기판 공급부(6)로 되돌아가서, 새로운 기판 P를 재치하는 등의 준비를 행한다.
제어부(8)는 다이 본더(10)의 각 부의 동작을 감시하고 제어하는 프로그램(소프트웨어)을 저장하는 메모리와, 메모리에 저장된 프로그램을 실행하는 중앙 처리 장치(CPU)를 구비한다.
다음에, 다이 공급부(1)의 구성에 대하여 도 3 및 도 4를 사용하여 설명한다. 도 3은 다이 공급부의 외관 사시도를 도시하는 도면이다. 도 4는 다이 공급부의 주요부를 도시하는 개략 단면도이다.
다이 공급부(1)는 수평 방향(XY 방향)으로 이동하는 웨이퍼 보유 지지대(12)와, 상하 방향으로 이동하는 밀어올림 유닛(13)을 구비한다. 웨이퍼 보유 지지대(12)는 웨이퍼 링(14)을 보유 지지하는 익스팬드 링(15)과, 웨이퍼 링(14)에 보유 지지되며 복수의 다이 D가 접착된 다이싱 테이프(16)를 수평으로 위치 결정하는 지지 링(17)을 갖는다. 밀어올림 유닛(13)은 지지 링(17)의 내측에 배치된다.
다이 공급부(1)는 다이 D의 밀어올림 시에, 웨이퍼 링(14)을 보유 지지하고 있는 익스팬드 링(15)을 하강시킨다. 그 결과, 웨이퍼 링(14)에 보유 지지되어 있는 다이싱 테이프(16)가 잡아 당겨져 다이 D의 간격이 확대되고, 밀어올림 유닛(13)에 의해 다이 D 하방으로부터 다이 D를 밀어올려, 다이 D의 픽업성을 향상시키고 있다. 또한, 박형화에 수반하여 다이를 기판에 접착하는 접착제는, 액상으로부터 필름상으로 되고, 웨이퍼(11)와 다이싱 테이프(16) 사이에 다이 어태치 필름(DAF)(18)이라 불리는 필름상의 접착 재료를 접합하고 있다. 다이 어태치 필름(18)을 갖는 웨이퍼(11)에서는, 다이싱은, 웨이퍼(11)와 다이 어태치 필름(18)에 대하여 행해진다. 따라서, 박리 공정에서는, 웨이퍼(11)와 다이 어태치 필름(18)을 다이싱 테이프(16)로부터 박리한다. 또한, 이후에는, 다이 어태치 필름(18)의 존재를 무시하고, 박리 공정을 설명한다.
다음에, 밀어올림 유닛에 대하여 도 5를 사용하여 설명한다. 도 5는 도 4의 밀어올림 유닛의 상면도이다.
밀어올림 유닛(13)은 크게 나누어, 밀어올림 블록부(131)와, 밀어올림 블록부(131)를 둘러싸는 주변부(132)를 갖는다. 밀어올림 블록부(131)는 제1 블록(131a)과, 제1 블록(131a)의 내측에 위치하는 제2 블록(131b)을 갖고 있다. 주변부(132)는 복수의 흡인 구멍(132a)을 갖는다.
다음에, 본원 발명자들이 검토한 기술(이하, 비교예라 함)에 대하여 도 6, 도 7을 사용하여 설명한다. 도 6은 비교예에 따른 콜릿부와 밀어올림 유닛을 도시하는 종단면도이다. 도 7은 도 6의 콜릿부의 하면도이다.
도 6에 도시한 바와 같이 콜릿부(22R)는, 고무 칩(25R)과, 고무 칩(25R)을 보유 지지하는 고무 칩 홀더(24R)를 갖는다. 고무 칩(25R)에는 진공 흡인 구멍(251R)이 형성된다. 고무 칩 홀더(24R)의 중앙에 진공 흡인 구멍(26R)이 있고, 고무 칩 홀더(24R)의 고무 칩(25R)의 상면측에 진공 흡인 홈(27R)이 있다. 도 7에 도시한 바와 같이, 고무 칩(23R)은 평면에서 보아 다이 D와 마찬가지의 직사각 형상이며, 다이 D와 동일 정도의 크기를 하고 있다. 또한, 밀어올림 유닛(13)은 실시예의 밀어올림 유닛(13)과 동일한 것이다.
비교예에 따른 픽업 동작은 다이싱 테이프(16) 상의 목적으로 하는 다이 D(박리 대상 다이)가 밀어올림 유닛(13)과 콜릿부(22R)에 위치 결정되는 부분부터 개시된다. 위치 결정이 완료되면 밀어올림 유닛(13)의 흡인 구멍(132a)이나 간극(131c, 131d)을 통해 진공화함으로써, 다이싱 테이프(16)가 밀어올림 유닛(13)의 상면에 흡착된다. 그 상태에서 콜릿부(22R)가 다이 D의 디바이스면을 향하여 진공화되면서 강하하여, 착지한다. 여기서, 밀어올림 유닛(13)의 주요부인 밀어올림 블록부(131)가 상승하면, 다이 D는 콜릿부(22R)와 밀어올림 블록(131) 사이에 끼워진 채로 상승하지만, 다이싱 테이프(16)의 주변부는 밀어올림 블록부(131)의 주변부(132)에 진공 흡착된 상태 그대로이므로, 다이 D의 주변에서 장력이 발생하고, 그 결과, 다이 D 주변에서 다이싱 테이프(16)가 박리되게 된다. 그러나, 한편 이때, 다이 D 주변은 하측으로 응력을 받아, 만곡하게 된다. 그렇게 되면 콜릿 하면과의 사이에 간극이 생겨, 공기가 콜릿부(22R)의 진공 흡인계에 유입되게(리크가 발생하게) 된다. 한 번 리크되어 다이 D가 떨어지면 흡착면보다도 아래까지 휜 다이 D를 다시 보유 지지할 수 없다.
다음에, 실시예에 따른 콜릿부에 대하여 도 8을 사용하여 설명한다. 도 8의 (A)는 실시예에 따른 콜릿부의 종단면도이다. 도 8의 (B)는 도 8의 (A)의 콜릿부의 하면도이다.
콜릿부(22)는 흡착부(25)와, 흡착부(25)를 보유 지지하는 중앙부(24)와, 중앙부(24)의 외측에 위치하는 외주부(28)와, 외주부(28) 상에 위치하는 벨로우즈(주름 상자)부(29)를 갖는다.
흡착부(25)는 예를 들어 고무 칩을 포함하고, 비교예와 마찬가지의 도시하지 않은 진공 흡인 구멍(제1 흡인 구멍)이 형성된다. 흡착부(25)는 다이 D와 마찬가지의 직사각 형상이며, 다이 D보다도 작다.
중앙부(24)는 흡착부(25)를 보유 지지하는 보유 지지부(241)와 보유 지지부(241)로부터 상방으로 신장되는 관상부(242)와, 관상부(242)로부터 수평 방향으로 신장되는 부착부(243)를 갖는다. 관상부(242)의 중앙에 진공 흡인 구멍(제2 흡인 구멍)(26)이 있고, 보유 지지부(241)의 흡착부(25)의 상면측에 진공 흡인 홈(27)이 있다.
외주부(28)는 수직부(281)와 수평부(282)를 포함하고, 상자 형상이다. 외주부(28)는 중앙부(24)와의 사이에 공간(283)을 갖는다. 수직부(281)의 내측과 중앙부(24)의 보유 지지부(241)의 외측이 대향하는 부분은 좁게 되어 있어, 흡인 구멍(제3 흡인 구멍)(285)을 구성하고 있다. 외주부(28)는 관상부(242)를 따라서 상하 이동이 가능하다. 외주부(28)의 수직부(281)의 하면에 다이 D와 접촉하는 접촉부(221)가 설치된다. 접촉부(221)는 위로부터의 힘에 의해 변형되어, 다이 D의 변형에 추종하여 밀착 가능하다.
벨로우즈부(벨로우즈 기구)(29)는 관상부(242)를 둘러싸도록 배치되며, 벨로우즈(291)의 상단은 부착부(243)에 접속되고, 하단은 외주부(28)의 수평부(282)에 접속되고, 관상부(242)와 벨로우즈(291) 사이에 공간(292)을 갖는다. 공간(292)은 공간(283)과 외주부(28)의 수평부(282)에 형성되는 연통 구멍(284)에 의해 연결되어 있다. 공간(292)은 도시하지 않은 구멍을 통해 진공 흡인 구멍(26)에 접속되어 있다. 벨로우즈부(29)의 상하 이동에 의해 외주부(28)가 상하 이동하도록 구성되어 있다.
콜릿부(22)의 저면의 외주는 다이 D와 마찬가지의 직사각 형상이며, 다이 D와 동일 정도의 크기이다. 콜릿부(22)의 저면의 외주는 다이 D보다도 약간 크게 하거나, 약간 작게 하거나 해도 된다. 단, 외주부(28)(접촉부(221))의 내측은 다이 D의 외주의 위치보다도 내측에 배치할 필요가 있다.
다음에, 실시예에 따른 콜릿부에 의한 픽업 동작에 대하여 도 5, 도 9a∼도 9e, 도 10을 사용하여 설명한다. 도 9a∼도 9e는 실시예에 따른 콜릿부와 밀어올림 유닛의 단면도이다. 도 10은 픽업 동작의 처리 플로우를 나타내는 플로우차트이다.
스텝 S1 : 제어부(8)는 픽업하는 다이 D가 밀어올림 유닛(13)의 바로 위에 위치하도록 웨이퍼 보유 지지대(12)를 이동하여, 박리 대상 다이를 밀어올림 유닛(13)과 콜릿부(22)에 위치 결정한다. 다이싱 테이프(16)의 이면에 밀어올림 유닛(13)의 상면이 접촉하도록 밀어올림 유닛(13)을 이동한다. 이때, 도 9a에 도시한 바와 같이, 제어부(8)는 밀어올림 블록부(131)의 각 블록(131a, 131b)이 주변부(132)의 표면과 동일 평면을 형성하도록 하고, 주변부(132)의 흡인 구멍(132a)과 블록간의 간극(131c, 131d)을 통해 진공화함으로써 다이싱 테이프(16)를 밀어올림 유닛(13)의 상면에 흡착한다.
스텝 S2 : 도 9a에 도시한 바와 같이, 제어부(8)는 콜릿부(22)를 진공화하면서 하강시켜, 박리 대상의 다이 D 상에 착지시키고, 흡인 구멍을 갖는 흡착부(25) 및 흡인 구멍(285)(도 8 참조)에 의해 다이 D를 흡착한다.
스텝 S3 : 제어부(8)는 밀어올림 유닛(13)의 주요부인 밀어올림 블록부(131)의 제1 블록(131a) 및 제2 블록(131b)을 상승시킨다. 이에 의해, 다이 D는 콜릿부(22)와 밀어올림 블록부(131) 사이에 끼워진 채로 상승하지만, 다이싱 테이프(16)의 주변부는 밀어올림 블록부(131)의 주변부(132)에 진공 흡착된 상태 그대로이므로, 다이 D의 주변에서 장력이 발생하고, 그 결과, 다이 D 주변에서 다이싱 테이프(16)가 박리되게 된다. 그러나, 한편 이때, 도 9b에 도시한 바와 같이, 다이 D 주변은 하측으로 응력을 받아, 만곡하게 된다. 그렇게 되면 콜릿 하면과의 사이에 간극이 생겨, 공기가 콜릿부(22)의 진공 흡인계에 유입되게(리크가 발생하게) 된다.
그러나, 도 9c에 도시한 바와 같이, 콜릿부(22)의 공간(283, 292)은 진공 해제되고, 벨로우즈(291)의 복원력에 의해 벨로우즈(291)가 하측 방향으로 넓어져, 외주부(28)는 내려가게 된다. 이에 의해, 리크가 억제된다.
스텝 S4 : 제어부(8)는 콜릿부(22)를 상승시킨다. 이에 의해, 도 9d에 도시한 바와 같이, 다이 D는 다이싱 테이프(16)로부터 박리된다. 도 9e에 도시한 바와 같이, 콜릿부(22)의 내부의 공간(283, 292)은 진공으로 되고, 벨로우즈(291)가 상측 방향으로 좁아져, 외주부(28)가 인상되고, 다이 D의 주변도 인상되어, 다이 D는 평탄하게 된다. 리크에 의해 다이 D가 떨어져 흡착면보다도 아래까지 휘어도 다이 D를 다시 평탄하게 보유 지지할 수 있다. 이에 의해, 평탄한 다이 D를 반송할 수 있다.
스텝 S5 : 제어부(8)는 밀어올림 블록부(131)의 각 블록(131a, 131b)이 주변부(132)의 표면과 동일 평면을 형성하도록 하고, 주변부(132)의 흡인 구멍(132a)과, 블록간의 간극(131c, 131d)에 의한 다이싱 테이프(16)의 흡착을 정지한다. 제어부(8)는 다이싱 테이프(16)의 이면으로부터 밀어올림 블록부(131)의 상면이 떨어지도록 밀어올림 유닛(13)을 이동한다.
제어부(8)는 스텝 S1∼S5를 반복하여, 웨이퍼(11)의 양품의 다이를 픽업한다.
다음에, 실시예에 따른 다이 본더를 사용한 반도체 장치의 제조 방법에 대하여 도 11을 사용하여 설명한다. 도 11은 반도체 장치의 제조 방법을 나타내는 플로우차트이다.
스텝 S11 : 웨이퍼(11)로부터 분할된 다이 D가 접착된 다이싱 테이프(16)를 보유 지지한 웨이퍼 링(14)을 웨이퍼 카세트(도시하지 않음)에 저장하여, 다이 본더(10)에 반입한다. 제어부(8)는 웨이퍼 링(14)이 충전된 웨이퍼 카세트로부터 웨이퍼 링(14)을 다이 공급부(1)에 공급한다. 또한, 기판 P를 준비하고, 다이 본더(10)에 반입한다. 제어부(8)는 기판 공급부(6)에서 기판 P를 기판 반송 팰릿(51)에 재치한다.
스텝 S12 : 제어부(8)는 스텝 S1∼S5에 의해 분할한 다이를 웨이퍼로부터 픽업한다.
스텝 S13 : 제어부(8)는 픽업한 다이를 기판 P 상에 탑재 또는 이미 본딩한 다이 상에 적층한다. 제어부(8)는 웨이퍼(11)로부터 픽업한 다이 D를 중간 스테이지(31)에 재치하고, 본딩 헤드(41)에 의해 중간 스테이지(31)로부터 다시 다이 D를 픽업하여, 반송되어 온 기판 P에 본딩한다.
스텝 S14 : 제어부(8)는 기판 반출부(7)에서 기판 반송 팰릿(51)으로부터 다이 D가 본딩된 기판 P를 취출한다. 다이 본더(10)로부터 기판 P를 반출한다.
<변형예 1>
다음에, 변형예 1에 따른 콜릿부에 대하여 도 12를 사용하여 설명한다. 도 12의 (A)는 변형예 1에 따른 콜릿부의 종단면도이다. 도 12의 (B)는 도 12의 (A)의 콜릿부의 하면도이다.
콜릿부(22A)는 콜릿부(22)에 해트부(222)를 추가한 것이다. 해트부(222)는 콜릿부(22)의 접촉부(221)에 얇은 판 형상으로 접착되어 있고, 보유 지지부(241)의 외측과 외주부(28)의 하면에 접속되고, 본 예에서는 8개소에 해트부(222)가 형성되어 있다. 해트부(222)를 설치함으로써, 다이 D의 변형에 추종하는 개소가 증가하므로 다이 D와의 흡착성이 향상된다. 또한, 외주부(28)의 하면에 해트부(222)가 없는 부분은 실시예와 마찬가지로 접촉부(221)를 갖는다. 해트부(222) 대신에 흡인 구멍을 갖는 시트 형상 구조를 보유 지지부(241)의 하면과 외주부(28)의 하면 사이에 설치해도 된다. 또한, 해트부는 후술하는 변형예 2, 3의 콜릿부에 있어서 추가해도 된다.
다음에, 변형예 1에 따른 콜릿부에 의한 픽업 동작에 대하여 도 13a∼도 13e를 사용하여 설명한다. 도 13a∼도 13e는 변형예 1에 따른 콜릿부와 밀어올림 유닛의 단면도이다. 도 13a∼도 13e는 각각 도 9a∼도 9e에 대응하는 도면이다.
도 13a에 도시한 바와 같이, 제어부(8)는 밀어올림 블록부(131)의 각 블록(131a, 131b)이 주변부(132)의 표면과 동일 평면을 형성하도록 하고, 주변부(132)의 흡인 구멍(132a)과 블록간의 간극(131c, 131d)을 통해 진공화함으로써 다이싱 테이프(16)를 밀어올림 유닛(13)의 상면에 흡착한다(스텝 S1).
또한, 도 13a에 도시한 바와 같이, 제어부(8)는 콜릿부(22A)를 진공화하면서 하강시켜, 박리 대상의 다이 D 상에 착지시키고, 흡인 구멍을 갖는 흡착부(25) 및 흡인 구멍(283)에 의해 다이 D를 흡착한다(스텝 S2).
도 13b에 도시한 바와 같이, 제어부(8)는 밀어올림 유닛(13)의 주요부인 밀어올림 블록부(131)의 제1 블록(131a) 및 제2 블록(131b)을 상승시키면, 다이 D 주변은 하측으로 응력을 받아, 만곡하게 되어, 콜릿 하면과의 사이에 간극이 생기고, 공기가 콜릿부(22A)의 진공 흡인계에 유입되게(리크가 발생하게) 된다. 그러나, 도 13c에 도시한 바와 같이, 콜릿부(22A)의 공간(283, 292)은 진공 해제되고, 벨로우즈(291)의 복원력에 의해 벨로우즈(291)가 하측 방향으로 넓어져, 외주부(28)는 내려가게 된다(스텝 S3). 이에 의해, 리크가 억제된다. 또한, 외주부(28)가 내려가면, 해트부(222)는 비스듬하게 된다.
도 13d에 도시한 바와 같이, 제어부(8)는 콜릿을 상승시키면, 다이 D는 다이싱 테이프(16)로부터 박리된다(스텝 S4). 도 13e에 도시한 바와 같이, 콜릿부(22A)의 내부의 공간(283, 292)은 진공으로 되고, 벨로우즈(291)가 상측 방향으로 좁아져, 외주부(28)가 인상되고, 다이 D의 주변도 인상되어, 다이 D는 평탄하게 된다. 또한, 외주부(28)가 올라가면, 해트부(222)도 수평하게 된다. 리크에 의해 다이 D가 떨어져 흡착면보다도 아래까지 휘어도 다이 D를 다시 평탄하게 보유 지지할 수 있다. 이에 의해, 평탄한 다이 D를 반송할 수 있다.
<변형예 2>
다음에, 변형예 2에 따른 콜릿부에 대하여 도 14를 사용하여 설명한다. 도 14의 (A)는 실시예에 따른 콜릿부의 종단면도이다. 도 14의 (B)는 도 14의 (A)의 콜릿부의 하면도이다.
콜릿부(22B)는, 콜릿부(22)의 벨로우즈부(29) 대신에 다이어프램부(29B)를 설치하는 것이다. 다이어프램부(다이어프램 기구)(29B)는 관상부(242)를 둘러싸도록 배치되고, 다이어프램(291B)의 내측단은 부착부(243B)의 하면에 접속되고, 외측단은 외주부(28B)의 상부에 설치되는 통부(286B)의 상부에 접속된다. 통부(286B)는 평면에서 보아 원환 형상이다. 중앙부(24B)와 외주부(28B) 사이의 공간(283)과, 관상부(242)와 다이어프램부(29B) 사이의 공간(292B)은, 외주부(28B)의 수평부(282)에 형성된 연통 구멍(284)에 의해 연결되어 있다. 공간(292B)은 도시하지 않은 구멍을 통해 진공 흡인 구멍(26)에 접속되어 있다. 통상 시, 부착부(243B)의 하면은 통부(286B)의 상부보다도 낮은 위치에 있다. 다이어프램부(29B)의 상하 이동에 의해 외주부(28B)가 상하 이동하도록 구성되어 있다.
다음에, 변형예 2에 따른 콜릿부에 의한 픽업 동작에 대하여 도 9a∼도 9e, 도 15a∼도 15e를 사용하여 설명한다. 도 15a∼도 15e는 변형예 2에 따른 콜릿부와 밀어올림 유닛의 단면도이다. 도 15a∼도 15e는 각각 도 9a∼도 9e에 대응하는 도면이다.
도 15a에 도시한 바와 같이, 제어부(8)는 밀어올림 블록부(131)의 각 블록(131a, 131b)이 주변부(132)의 표면과 동일 평면을 형성하도록 하고, 주변부(132)의 흡인 구멍(132a)과 블록간의 간극(131c, 131d)을 통해 진공화함으로써 다이싱 테이프(16)를 밀어올림 유닛(13)의 상면에 흡착한다(스텝 S1).
또한, 도 15a에 도시한 바와 같이, 제어부(8)는 콜릿부(22B)를 진공화하면서 하강시켜, 박리 대상의 다이 D 상에 착지시키고, 흡인 구멍을 갖는 흡착부(25) 및 흡인 구멍(283)에 의해 다이 D를 흡착한다(스텝 S2).
도 15b에 도시한 바와 같이, 제어부(8)는 밀어올림 유닛(13)의 주요부인 밀어올림 블록부(131)의 제1 블록(131a) 및 제2 블록(131b)을 상승시키면, 다이 D 주변은 하측으로 응력을 받아, 만곡하게 되어, 콜릿 하면과의 사이에 간극이 생겨, 공기가 콜릿부(22B)의 진공 흡인계에 유입되게(리크가 발생하게) 된다. 그러나, 도 15c에 도시한 바와 같이, 콜릿부(22B)의 공간(283, 292B)은 진공 해제되고, 다이어프램(291B)의 복원력에 의해 상면이 수평하게 되어, 외주부(28B)는 내려가게 된다(스텝 S3). 이에 의해, 리크가 억제된다.
도 15d에 도시한 바와 같이, 제어부(8)는 콜릿을 상승시키면, 다이 D는 다이싱 테이프(16)로부터 박리된다(스텝 S4). 도 15e에 도시한 바와 같이, 콜릿부(22B)의 내부의 공간(283, 292B)은 진공으로 되고, 다이어프램(291B)의 상면 주변부가 상측 방향으로 이동하여, 외주부(28B)가 인상되고, 다이 D의 주변도 인상되어, 다이 D는 평탄하게 된다. 리크에 의해 다이 D가 떨어져 흡착면보다도 아래까지 휘어도 다이 D를 다시 평탄하게 보유 지지할 수 있다. 이에 의해, 평탄한 다이 D를 반송할 수 있다.
<변형예 3>
다음에, 변형예 3에 따른 콜릿부에 대하여 도 16을 사용하여 설명한다. 도 16의 (A)는 실시예에 따른 콜릿부의 종단면도이다. 도 16의 (B)는 도 16의 (A)의 콜릿부의 하면도이다.
콜릿부(22C)는, 콜릿부(22)의 벨로우즈부(29) 대신에 피스톤부(29C)를 설치하는 것이다. 피스톤부(29C)는 관상부(242)를 둘러싸도록 배치되고, 덮개부(291C)와 스프링(293C)을 갖는다. 덮개부(291C)의 내측단은 부착부(243C)의 하면에 접속되고, 외측단은 통부(286C)의 상부에 접속된다. 스프링(293C)은 외주부(28C)의 수평부(282)의 사이에 설치된다. 중앙부(24C)와 외주부(28C) 사이의 공간(283)과, 관상부(242)와 피스톤부(29C) 사이의 공간(292C)은, 외주부(28C)의 수평부(282)에 형성된 연통 구멍(284)에 의해 연결되어 있다. 공간(292C)은 도시하지 않은 구멍을 통해 진공 흡인 구멍(26)에 접속되어 있다. 통부(286C)는 평면에서 보아 원환 형상이다. 스프링(293C)의 상하 이동에 의해 외주부(28C)가 상하 이동하도록 구성되어 있다.
다음에, 변형예 3에 따른 콜릿부에 의한 픽업 동작에 대하여 도 17a∼도 17e를 사용하여 설명한다. 도 17a∼도 17e는 변형예 3에 따른 콜릿부와 밀어올림 유닛의 단면도이다. 도 17a∼도 17e는 각각 도 9a∼도 9e에 대응하는 도면이다.
도 17a에 도시한 바와 같이, 제어부(8)는 밀어올림 블록부(131)의 각 블록(131a, 131b)이 주변부(132)의 표면과 동일 평면을 형성하도록 하고, 주변부(132)의 흡인 구멍(132a)과 블록간의 간극(131c, 131d)을 통해 진공화함으로써 다이싱 테이프(16)를 밀어올림 유닛(13)의 상면에 흡착한다(스텝 S1).
또한, 도 17a에 도시한 바와 같이, 제어부(8)는 콜릿부(22C)를 진공화하면서 하강시켜, 박리 대상의 다이 D 상에 착지시키고, 흡인 구멍을 갖는 흡착부(25) 및 흡인 구멍(283)에 의해 다이 D를 흡착한다(스텝 S2).
도 17b에 도시한 바와 같이, 제어부(8)는 밀어올림 유닛(13)의 주요부인 밀어올림 블록부(131)의 제1 블록(131a) 및 제2 블록(131b)을 상승시키면, 다이 D 주변은 하측으로 응력을 받아, 만곡하게 되어, 콜릿 하면과의 사이에 간극이 생겨, 공기가 콜릿부(22C)의 진공 흡인계에 유입되게(리크가 발생하게) 된다. 그러나, 도 17c에 도시한 바와 같이, 콜릿부(22C)의 공간(283, 292C)은 진공 해제되고, 스프링(293C)의 복원력으로 의해, 외주부(28C)는 내려가게 된다(스텝 S3). 이에 의해, 리크가 억제된다.
도 17d에 도시한 바와 같이, 제어부(8)는 콜릿을 상승시키면, 다이 D는 다이싱 테이프(16)로부터 박리된다(스텝 S4). 도 17e에 도시한 바와 같이, 콜릿부(22C)의 내부의 공간(283, 292C)은 진공으로 되고, 스프링(293C)의 하단이 상측 방향으로 이동하여, 외주부(28C)가 인상되고, 다이 D의 주변도 인상되어, 다이 D는 평탄하게 된다. 리크에 의해 다이 D가 떨어져 흡착면보다도 아래까지 휘어도 다이 D를 다시 평탄하게 보유 지지할 수 있다. 이에 의해, 평탄한 다이 D를 반송할 수 있다.
<변형예 4>
다음에, 변형예 4에 따른 콜릿부에 대하여 도 18을 사용하여 설명한다. 도 18은 변형예 4에 관한 콜릿부의 종단면도이다.
콜릿부(22D)는, 콜릿부(22B)의 다이어프램부(29B)의 다이어프램의 구성을 변경하는 것이다. 다이어프램부(29D)는 관상부(242)를 둘러싸도록 2개의 다이어프램(291B, 293B)을 평행하게 간격을 두고 2개소에 배치하여 구성해도 된다. 다이어프램(291B)의 내측단은 부착부(243B)의 하면에 접속되고, 외측단은 외주부(28D)의 상부에 접속된다. 다이어프램(293B)은, 변형예 2의 외주부(28B)의 수평부(282) 대신에 배치되고, 다이어프램(291B)과의 간격이 동일 간격으로 되도록, 내측단은 부착부(244B)의 하면에 접속되고, 외측단은 외주부(28D)에 접속된다. 이 구조에 의해, 2매의 다이어프램에 의해 외주부(28D)의 내측면과 보유 지지부(241)의 외측면은 항상 평행하게 유지되어, 접촉이 방지된다. 이에 의해, 접촉에 의한 이물의 혼입, 동작 불량을 방지할 수 있다.
<변형예 5>
다음에, 실시예에 따른 콜릿부에 의한 픽업 동작의 변형예에 대하여 도 9a∼도 9c, 도 19, 도 20a, 도 20b를 사용하여 설명한다.
스텝 S1 : 제어부(8)는 픽업하는 다이 D가 밀어올림 유닛(13)의 바로 위에 위치하도록 웨이퍼 보유 지지대(12)를 이동하여, 박리 대상 다이를 밀어올림 유닛(13)과 콜릿부(22)에 위치 결정한다. 다이싱 테이프(16)의 이면에 밀어올림 유닛(13)의 상면이 접촉하도록 밀어올림 유닛(13)을 이동한다. 이때, 도 9a에 도시한 바와 같이, 제어부(8)는 밀어올림 블록부(131)의 각 블록(131a, 131b)이 주변부(132)의 표면과 동일 평면을 형성하도록 하고, 주변부(132)의 흡인 구멍(132a)과 블록간의 간극(131c, 131d)을 통해 진공화함으로써 다이싱 테이프(16)를 밀어올림 유닛(13)의 상면에 흡착한다.
스텝 S2 : 도 9a에 도시한 바와 같이, 제어부(8)는 콜릿부(22)를 진공화하면서 하강시켜, 박리 대상의 다이 D 상에 착지시키고, 흡인 구멍을 갖는 흡착부(25) 및 흡인 구멍(283)에 의해 다이 D를 흡착한다.
스텝 S3 : 제어부(8)는 밀어올림 유닛(13)의 주요부인 밀어올림 블록부(131)의 제1 블록(131a) 및 제2 블록(131b)을 상승시킨다. 이에 의해, 다이 D는 콜릿부(22)와 밀어올림 블록부(131) 사이에 끼워진 채로 상승하지만, 다이싱 테이프(16)의 주변부는 밀어올림 블록부(131)의 주변부(132)에 진공 흡착된 상태 그대로이므로, 다이 D의 주변에서 장력이 발생하고, 그 결과, 다이 D 주변에서 다이싱 테이프(16)가 박리되게 된다. 그러나, 한편 이때, 도 9b에 도시한 바와 같이, 다이 D 주변은 하측으로 응력을 받아, 만곡하게 된다. 그렇게 되면 콜릿 하면과의 사이에 간극이 생겨, 공기가 콜릿부(22)의 진공 흡인계에 유입되게(리크가 발생하게) 된다.
그러나, 도 9c에 도시한 바와 같이, 콜릿부(22)의 공간(283, 292)은 진공 해제되고, 벨로우즈(291)의 복원력에 의해 벨로우즈(291)가 하측 방향으로 넓어져, 외주부(28)는 내려가게 된다.
스텝 S31 : 제어부(8)는 밀어올림 블록부(131)의 각 블록(131a, 131b)이 주변부(132)의 표면과 동일 평면을 형성하도록 하여, 콜릿을 하강시킨다. 이에 의해, 도 20a에 도시한 바와 같이, 콜릿부(22)의 내부 공간(283, 292)은 진공으로 되고, 벨로우즈(291)가 상측 방향으로 좁아져, 외주부(28)가 인상되고, 다이 D의 주변도 인상되어, 다이 D는 평탄하게 된다. 리크에 의해 다이 D가 떨어져 흡착면보다도 아래까지 휘어도 다이 D를 다시 평탄하게 보유 지지할 수 있다. 이에 의해, 평탄한 다이 D를 반송할 수 있다.
스텝 S4 : 제어부(8)는 콜릿부(22)를 상승시킨다. 이에 의해, 도 20b에 도시한 바와 같이, 다이 D는 다이싱 테이프(16)로부터 박리된다.
스텝 S51 : 제어부(8)는 주변부(132)의 흡인 구멍(132a)과, 블록간의 간극(131c, 131d)에 의한 다이싱 테이프(16)의 흡착을 정지한다. 제어부(8)는 다이싱 테이프(16)의 이면으로부터 밀어올림부(131)의 상면이 떨어지도록 밀어올림 유닛(13)을 이동한다.
제어부(8)는 스텝 S1∼S51을 반복하여, 웨이퍼(11)의 양품의 다이를 픽업한다.
변형예 5에 따른 픽업 동작은 실시예의 콜릿뿐만 아니라, 변형예 1∼4에 따른 콜릿부에도 적용할 수 있다. 또한, 비교예에 따른 콜릿부를 사용하여 변형예 5에 따른 픽업 동작과 마찬가지의 동작을 행함으로써 마찬가지의 효과를 발휘할 수 있다. 도 6에 도시한 바와 같은 상태로 되어 다이 D가 휘어도, 스텝 S31(도 20a)과 마찬가지로 하면, 다이 D가 수평하게 되므로(다이 D의 휨이 해소되므로), 콜릿부(22R)는 다이 D를 다시 보유 지지할 수 있다. 이에 의해, 스텝 S4에서 콜릿부(22R)를 상승시키면, 도 20b와 마찬가지로 다이 D를 다이싱 테이프(16)로부터 박리할 수 있다.
이상의 실시예 및 변형예에 의하면, 하기와 같은 작용 효과를 발휘한다.
(1) 실시예에 따른 콜릿은, 픽업하는 다이의 단면 형상의 변화에 추종함으로써, 콜릿의 외주부가 자동적으로 상하하여 다이 흡착 시의 리크를 방지하고, 확실하게 픽업을 행할 수 있다.
(2) 실시예에 따른 콜릿은, 그 외주부를 콜릿 내의 흡착압에 따라서 벨로우즈 기능에 의해 자동적으로(자연스럽게) 상하 이동할 수 있다.
(3) 실시예에 따른 콜릿은, 그 벨로우즈의 반력에 의해, 다이에 대한 콜릿 외주부의 반력(복원력) 및 픽업 개시 시의 외주부의 기준 위치를 컨트롤할 수 있다.
(4) 변형예 2, 4에 따른 콜릿은, 그 외주부를 콜릿 내의 흡착압에 따라서 다이어프램에 의해 자동적으로(자연스럽게) 상하 이동할 수 있다.
(5) 변형예 2, 4에 따른 콜릿은, 그 다이어프램의 배압을 컨트롤하여, 다이에 대한 콜릿 외주부의 반력(복원력) 및 위치를 컨트롤할 수 있다.
(6) 변형예 2, 4에 따른 콜릿은, 그 다이어프램의 배압을 컨트롤하여, 픽업 개시 시의 외주부의 위치를 돌출시킨 상태에서 다이 흡착을 개시할 수 있다.
(7) 변형예 1에 따른 콜릿은, 그 흡착부 외주에 해트 구조를 갖고, 픽업하는 다이의 단면 형상의 변화에 추종함으로써, 콜릿 외주부가 자동적으로 상하하여, 해트 구조의 외주를 압하하여, 리크를 방지할 수 있다.
(8) 변형예 1에 따른 콜릿은, 그 외주부와 흡착부 표면에 시트 형상 구조를 갖고, 픽업하는 다이의 단면 형상의 변화에 추종함으로써, 외주부를 압하하여, 리크를 방지할 수 있다.
(9) 변형예 3에 따른 콜릿은, 피스톤 형상을 갖고, 콜릿의 외주부를 콜릿 내의 흡착 압력에 따라서, 피스톤 내압에 의한 압축력에 의해, 자동적으로(자연스럽게) 상하 이동할 수 있다.
(10) 변형예 5에 따른 픽업 동작은, 콜릿부 및 밀어올림 블록부를 하강시킴으로써, 다이 D를 수평하게 할 수 있으므로, 콜릿부(22)의 내부의 진공을 보다 확실하게 할 수 있다.
이상, 본 발명자에 의해 이루어진 발명을 실시예 및 변형예에 기초하여 구체적으로 설명하였지만, 본 발명은 상기 실시예 및 변형예에 한정되는 것은 아니고, 다양하게 변경 가능한 것은 물론이다.
실시예에서는 블록을 사용하여 다이를 밀어올리는 예를 설명하였지만, 블록 대신에 핀(니들)을 사용해도 된다.
또한, 실시예에서는, 다이 어태치 필름을 사용하는 예를 설명하였지만, 기판에 접착제를 도포하는 프리폼부를 설치하여 다이 어태치 필름을 사용하지 않아도 된다.
또한, 실시예에서는, 다이 공급부로부터 다이를 픽업 헤드에 의해 픽업하여 중간 스테이지에 재치하고, 중간 스테이지에 재치된 다이를 본딩 헤드에 의해 기판에 본딩하는 다이 본더에 대하여 설명하였지만, 이것에 한정되는 것은 아니고, 다이 공급부로부터 다이를 픽업하는 반도체 제조 장치에 적용 가능하다.
예를 들어, 중간 스테이지와 픽업 헤드가 없고, 다이 공급부의 다이를 본딩 헤드에 의해 기판에 본딩하는 다이 본더에도 적용 가능하다.
또한, 중간 스테이지가 없고, 다이 공급부로부터 다이를 픽업하고 다이 픽업 헤드를 위로 회전하여 다이를 본딩 헤드에 전달하고 본딩 헤드에 의해 기판에 본딩하는 플립 칩 본더에 적용 가능하다.
또한, 중간 스테이지와 본딩 헤드가 없고, 다이 공급부로부터 픽업 헤드에 의해 픽업한 다이를 트레이 등에 재치하는 다이 소터에 적용 가능하다.
1 : 다이 공급부
11 : 웨이퍼
13 : 밀어올림 유닛
16 : 다이싱 테이프
2 : 픽업부
21 : 픽업 헤드
22 : 콜릿부
23 : 흡착부
24 : 중앙부
26 : 진공 흡인 구멍
27 : 진공 흡인 홈
28 : 외주부
29 : 벨로우즈부
3 : 중간 스테이지부
31 : 중간 스테이지
4 : 본딩부
41 : 본딩 헤드
7 : 제어부
10 : 다이 본더
D : 다이
P : 기판

Claims (14)

  1. 반도체 제조 장치는 다이를 흡착하는 콜릿부를 구비하고,
    상기 콜릿부는,
    제1 흡인 구멍을 갖고, 상기 다이의 중앙 부근을 흡착하는 흡착부와,
    상기 흡착부를 보유 지지하는 보유 지지부와,
    상기 보유 지지부에 접속되며, 제1 흡인 구멍과 연결되어 있는 제2 흡인 구멍을 갖는 관상부와,
    상기 보유 지지부 및 상기 관상부의 외측에 위치하는 외주부와,
    상기 보유 지지부 및 상기 관상부와 외주부 사이에서 구성되는 제3 흡인 구멍과,
    상기 다이의 주변부가 하측 방향으로 휨으로써 상기 제3 흡인 구멍에 리크가 발생하고 그 내압이 높아짐으로써 상기 외주부를 압하하여 상기 다이의 주변부에 맞닿고, 상기 리크의 발생이 없어져 그 내압이 낮아짐으로써 상기 외주부를 인상하여 상기 다이의 주변부를 인상하는 수단
    을 구비하는 반도체 제조 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 수단은 상기 외주부의 상방, 또한 상기 관상부의 외측에 설치되는 벨로우즈 기구이고, 내압이 높아지면 벨로우즈 기구의 복원력에 의해 상기 외주부를 압하하고, 내압이 낮아지면 그 흡인력에 의해 상기 외주부를 인상하는 반도체 제조 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 벨로우즈 기구는, 상기 관상부로부터 수평으로 신장되는 부착부와, 상기 외주부의 수평부와, 상기 부착부와 상기 외주부의 수평부 사이에 접속되는 벨로우즈를 포함하고,
    상기 외주부의 수평부에 형성되는 구멍과 통하게 하여 상기 벨로우즈 기구와 상기 제3 흡인 구멍은 연통되는 반도체 제조 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 수단은 상기 외주부의 상방, 또한 상기 관상부의 외측에 설치되는 다이어프램 기구이고, 내압이 높아지면 다이어프램 기구의 복원력에 의해 상기 외주부를 압하하고, 내압이 낮아지면 그 흡인력에 의해 상기 외주부를 인상하는 반도체 제조 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 다이어프램 기구는, 상기 관상부로부터 수평으로 신장되는 부착부와, 상기 외주부의 상부의 수평부와, 상기 외주부의 상부의 수직부와, 상기 부착부와 상기 외주부의 상부의 수평부와 상기 외주부의 상부의 수직부 사이에 접속되는 다이어프램을 포함하고,
    상기 외주부의 상부에 형성되는 구멍과 통하여 상기 다이어프램 기구와 상기 제2 흡인 구멍은 연통되는 반도체 제조 장치.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 다이어프램 기구는, 상기 관상부로부터 수평으로 신장되는 제1 부착부와, 상기 제1 부착부보다 하방의 상기 관상부로부터 수평으로 신장되는 제2 부착부와, 상기 외주부의 상부의 수평부와, 상기 제1 부착부와 상기 외주부의 상부 사이에 접속되는 제1 다이어프램과, 상기 제2 부착부와 상기 외주부의 상기 상부보다 하방의 상기 외주부 사이에 접속되는 제2 다이어프램을 포함하는 반도체 제조 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 수단은 상기 외주부의 상방, 또한 상기 관상부의 외측에 설치되는 피스톤 기구이고, 내압이 높아지면 피스톤 기구의 복원력에 의해 상기 외주부를 압하하고, 내압이 낮아지면 그 흡인력에 의해 상기 외주부를 인상하는 반도체 제조 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 피스톤 기구는, 상기 관상부로부터 수평으로 신장되는 부착부와, 상기 외주부의 상부의 수평부와, 상기 외주부의 상부의 수직부와, 상기 부착부의 하면 및 상기 관상부에 일단이 접속되며 타단이 상기 외주부의 상부의 수직부에 접속되는 덮개부와, 상기 덮개부와 상기 외주부의 상부의 수평부 사이에 접속되는 스프링을 포함하고,
    상기 외주부의 상부에 형성되는 구멍과 통하여 상기 피스톤 기구와 상기 제2 흡인 구멍은 연통되는 반도체 제조 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 다이를 다이싱 테이프의 아래로부터 흡착하여 밀어올리는 밀어올림 유닛과,
    상기 콜릿부가 장착되는 픽업 헤드를 더 구비하는 반도체 제조 장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 픽업 헤드에 의해 픽업되는 다이를 재치하는 중간 스테이지와,
    상기 중간 스테이지에 재치되는 다이를 기판 또는 이미 본딩되어 있는 다이 상에 본딩하는 본딩 헤드를 구비하는 반도체 제조 장치.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 다이는 상기 다이와 상기 다이싱 테이프 사이에 다이 어태치 필름을 더 구비하는 반도체 제조 장치.
  12. 반도체 장치의 제조 방법으로서,
    (a) 다이를 갖는 다이싱 테이프를 보유 지지하는 웨이퍼 링을 준비하는 공정과,
    (b) 기판을 준비하는 공정과,
    (c) 밀어올림 유닛에 의해 상기 다이를 밀어올리고 콜릿에 의해 상기 다이를 픽업하는 공정
    을 구비하고,
    상기 (c) 공정은,
    (c1) 상기 다이싱 테이프를 흡착하는 공정과,
    (c2) 상기 (c1) 공정 후, 상기 콜릿을 하강하여 상기 다이를 흡착하는 공정과,
    (c3) 상기 (c2) 공정 후, 상기 밀어올림 유닛의 블록과 상기 콜릿을 상승시키는 공정과,
    (c4) 상기 (c3) 공정 후, 상기 밀어올림 유닛의 블록과 상기 콜릿을 하강시키는 공정과,
    (c5) 상기 (c4) 공정 후, 상기 콜릿을 상승시키는 공정
    을 구비하는 반도체 장치의 제조 방법
  13. 제12항에 있어서,
    (d) 상기 다이를 기판 또는 이미 본딩되어 있는 다이 상에 본딩하는 공정을 더 구비하는 반도체 장치의 제조 방법.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 (c) 공정은 상기 픽업한 다이를 중간 스테이지에 재치하는 공정을 더 갖고,
    상기 (d) 공정은 상기 중간 스테이지로부터 상기 다이를 픽업하는 공정을 더 갖는 반도체 장치의 제조 방법.
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