JP7217605B2 - 半導体製造装置、突上げ治具および半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体製造装置、突上げ治具および半導体装置の製造方法 Download PDF

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Description

本開示は半導体製造装置に関し、例えば突上げユニットを備える半導体製造装置に適用可能である。
ダイと呼ばれる半導体チップを、例えば、配線基板やリードフレームなど（以下、総称して基板という。）の表面に搭載するダイボンダにおいては、コレット等の吸着ノズルを用いてダイを基板上に搬送し、押付力を付与すると共に、接合材を加熱することによりボンディングを行うという動作（作業）が繰り返して行われる。
ダイボンダ等の半導体製造装置によるダイボンディング工程の中には、半導体ウェハ（以下、ウェハという。）から分割されたダイを剥離する剥離工程がある。剥離工程では、ダイシングテープ裏面から突上げピンやブロックによってダイを突き上げて、ダイ供給部に保持されたダイシングテープから、１個ずつ剥離し、コレット等の吸着ノズルを使って基板上に搬送する。
ダイシングテープからダイをピックアップする方法としては、例えば、円板状のエジェクターキャップの吸着面にダイシングシートを吸着させ、半導体ダイをコレットに吸着させた状態で、コレット及び、周辺、中間、中央の各突き上げブロックをエジェクターキャップの表面より高い所定の高さまで上昇させた後、コレットの高さをそのままの高さとし、周囲の突き上げブロック、中間の突き上げブロック、の順に突き上げブロックをエジェクターキャップの表面よりも下の位置まで降下させて半導体ダイからダイシングシートを剥離する方法が提案されている（特許文献１の背景技術）。
特開２０１５－１７９８１３号公報
本開示の課題は背景技術に記載のピックアップ方法を行う突上げ治具を簡単な構成で行うことが可能な半導体製造装置を提供することにある。
その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
本開示のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば下記の通りである。
すなわち、半導体製造装置は、ダイを有するダイシングテープを保持するウェハ保持台と、前記ダイを前記ダイシングテープの下から突き上げる突上げユニットと、を備える。前記突上げユニットは、筒状のドームと、中央に位置する柱状のメインブロックと前記メインブロックの外側に位置する環状の複数のブロックとを有し、上下動するブロック部と、突上げシャフトの上下動に基づいて前記ブロック部を上下動させるボトムベースと、前記ボトムベースの上下動を前記複数のブロックの最も外側のブロックの上下動に変換する機構と、を備える。前記突上げシャフトを上方に押し上げることによって、前記ボトムベース、前記中央ブロックおよび前記複数のブロックが押し上げられ、前記突上げシャフトをさらに押し上げることによって、前記ボトムベースが押し上げられて前記機構により前記最も外側のブロックが引き下げられるよう構成される。
上記半導体製造装置によれば、突上げ治具の構成が簡単になる。
実施形態に係るダイボンダの概略を示す上面図 図１において矢印Ａ方向から見たときにピックアップヘッドおよびボンディングヘッドの動作を説明する図 図１のダイ供給部の外観斜視図を示す図 図１のダイ供給部の主要部を示す概略断面図 図４の突上げ治具を説明する上面図 図５の突上げ治具のＡ－Ａ断面図 図６の突上げ治具の動作を説明する図 図６の突上げ治具の動作を説明する図 図６の突上げ治具の動作を説明する図 図１のダイボンダを用いた半導体装置の製造方法を説明するフローチャート 第一変形例の突上げ治具を説明する断面図 第二変形例の突上げ治具を説明する断面図
以下、実施形態について、図面を用いて説明する。ただし、以下の説明において、同一構成要素には同一符号を付し繰り返しの説明を省略することがある。なお、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。
図１は実施形態に係るダイボンダの概略を示す上面図である。図２は図１において矢印Ａ方向から見たときに、ピックアップヘッド及びボンディングヘッドの動作を説明する図である。
ダイボンダ１０は、大別して、一つ又は複数の最終１パッケージとなる製品エリア（以下、パッケージエリアＰという。）をプリントした基板Ｓに実装するダイＤを供給するダイ供給部１と、ピックアップ部２、中間ステージ部３と、ボンディング部４と、搬送部５、基板供給部６と、基板搬出部７と、各部の動作を監視し制御する制御部８と、を有する。Ｙ軸方向がダイボンダ１０の前後方向であり、Ｘ軸方向が左右方向である。ダイ供給部１がダイボンダ１０の手前側に配置され、ボンディング部４が奥側に配置される。
まず、ダイ供給部１は基板ＳのパッケージエリアＰに実装するダイＤを供給する。ダイ供給部１は、ウェハ１１を保持するウェハ保持台１２と、ウェハ１１からダイＤを突き上げる点線で示す突上げユニット１３と、を有する。ダイ供給部１は図示しない駆動手段によってＸＹ軸方向に移動し、ピックアップするダイＤを突上げユニット１３の位置に移動させる。
ピックアップ部２は、ダイＤをピックアップするピックアップヘッド２１と、ピックアップヘッド２１をＹ軸方向に移動させるピックアップヘッドのＹ駆動部２３と、コレット２２を昇降、回転及びＸ軸方向移動させる図示しない各駆動部と、を有する。ピックアップヘッド２１は、突き上げられたダイＤを先端に吸着保持するコレット２２（図２も参照）を有し、ダイ供給部１からダイＤをピックアップし、中間ステージ３１に載置する。ピックアップヘッド２１は、コレット２２を昇降、回転及びＸ軸方向移動させる図示しない各駆動部を有する。
中間ステージ部３は、ダイＤを一時的に載置する中間ステージ３１と、中間ステージ３１上のダイＤを認識する為のステージ認識カメラ３２を有する。
ボンディング部４は、中間ステージ３１からダイＤをピックアップし、搬送されてくる基板ＳのパッケージエリアＰ上にボンディングし、又は既に基板ＳのパッケージエリアＰの上にボンディングされたダイの上に積層する形でボンディングする。ボンディング部４は、ピックアップヘッド２１と同様にダイＤを先端に吸着保持するコレット４２（図２も参照）を備えるボンディングヘッド４１と、ボンディングヘッド４１をＹ軸方向に移動させるＹ駆動部４３と、基板ＳのパッケージエリアＰの位置認識マーク（図示せず）を撮像し、ボンディング位置を認識する基板認識カメラ４４とを有する。
このような構成によって、ボンディングヘッド４１は、ステージ認識カメラ３２の撮像データに基づいてピックアップ位置・姿勢を補正し、中間ステージ３１からダイＤをピックアップし、基板認識カメラ４４の撮像データに基づいて基板にダイＤをボンディングする。
搬送部５は、基板Ｓを掴み搬送する基板搬送爪５１と、基板Ｓが移動する搬送レーン５２と、を有する。基板Ｓは、搬送レーン５２に設けられた基板搬送爪５１の図示しないナットを搬送レーン５２に沿って設けられた図示しないボールネジで駆動することによって移動する。
このような構成によって、基板Ｓは、基板供給部６から搬送レーン５２に沿ってボンディング位置まで移動し、ボンディング後、基板搬出部７まで移動して、基板搬出部７に基板Ｓを渡す。
制御部８は、ダイボンダ１０の各部の動作を監視し制御するプログラム（ソフトウェア）を格納するメモリと、メモリに格納されたプログラムを実行する中央処理装置（ＣＰＵ）と、を備える。
次に、ダイ供給部１の構成について図３および図４を用いて説明する。図３は図１のダイ供給部の外観斜視図を示す図である。図４は図１のダイ供給部の主要部を示す概略断面図である。
ダイ供給部１は、水平方向（ＸＹ軸方向）に移動するウェハ保持台１２と、上下方向に移動する突上げユニット１３と、を備える。ウェハ保持台１２は、ウェハリング１４を保持するエキスパンドリング１５と、ウェハリング１４に保持され複数のダイＤが接着されたダイシングテープ１６を水平に位置決めする支持リング１７と、を有する。突上げユニット１３は支持リング１７の内側に配置される。
ダイ供給部１は、ダイＤの突き上げ時に、ウェハリング１４を保持しているエキスパンドリング１５を下降させる。その結果、ウェハリング１４に保持されているダイシングテープ１６が引き伸ばされダイＤの間隔が広がり、突上げユニット１３によりダイＤ下方よりダイＤを突き上げ、ダイＤのピックアップ性を向上させている。なお、ダイを基板に接着する接着剤は、液状からフィルム状となり、ウェハ１１とダイシングテープ１６との間にダイアタッチフィルム（ＤＡＦ）１８と呼ばれるフィルム状の接着材料を貼り付けている。ダイアタッチフィルム１８を有するウェハ１１では、ダイシングは、ウェハ１１とダイアタッチフィルム１８に対して行なわれる。従って、剥離工程では、ウェハ１１とダイアタッチフィルム１８をダイシングテープ１６から剥離する。なお、以降では、ダイアタッチフィルム１８の存在を無視して、剥離工程を説明する。
次に、突上げ治具の構成について図５および図６を用いて説明する。図５は図４の突上げ治具の上面図である。図６は図５の突上げ治具のＡ－Ａ断面図である。
突上げユニット１３は、大別して、突上げ治具１０１と図示しない駆動機構とを有し、図５に示すように、突上げ治具１０１は、メインブロック１０２と、ブロック１０２ａ～１０２ｃと、メインブロック１０２およびブロック１０２ａ～１０２ｃを駆動する駆動部と、それらを保持する円筒状のドーム１０４と、ドーム１０４に蓋をするドームプレート１０４ａと、を有する。
ドームプレート１０４ａはメインブロック１０２およびブロック１０２ａ～１０２ｃの上下動を可能にする開口を有し、その周辺部には、複数の吸引口（不図示）および複数の溝（不図示）が設けられている。吸引口および溝のそれぞれの内部は、突上げ治具１０１を上昇させてその上面をダイシングテープ１６の裏面に接触させた際、図示しない吸引機構によって減圧され、ダイシングテープ１６の裏面がドームプレート１０４ａの上面に密着するようになっている。
突上げ治具１０１の中心部には、ダイシングテープ１６を上方に突き上げる四個のブロック１０２，１０２ａ～１０２ｃが組み込まれている。四個のブロック１０２，１０２ａ～１０２ｃは、最も外側の環状のブロック１０２ａの内側に環状のブロック１０２ｂが配置され、さらにその内側に環状のブロック１０２ｃが配置され、さらにその内側に柱状のメインブロック１０２が配置されている。
ドームプレート１０４ａの周辺部と外側のブロック１０２ａとの間、および四個のブロック１０２，１０２ａ～１０２ｃの間には、隙間Ｇが設けられている。これらの隙間Ｇの内部は、図示しない吸引機構によって減圧されるようになっており、突上げ治具１０１の上面にダイシングテープ１６の裏面が接触すると、ダイシングテープ１６が下方に吸引され、ブロック１０２，１０２ａ～１０２ｃの上面に密着する。
四個のブロック１０２，１０２ａ～１０２ｃの下面に接してそれぞれメインブロックベース１０５、円環等の環状のブロックベース１０３ａ～１０３ｃが設けられ、メインブロックベース１０５の下方にボトムベース１０６が設けられる。メインブロックベース１０５は、ドーム１０４の中央部を鉛直方向に延在する円柱等の柱状の主軸部１０５ａと、主軸部１０５ａの下端において水平方向に延在する円盤状のベース部１０５ｂと、ベース部１０５ｂの上端から上方に延在する一対の円柱状の副軸部１０５ｃ，１０５ｄと、を有する。一対の副軸部１０５ｃ，１０５ｄのそれぞれの上部には一対のピニオンギア１０５ｅ，１０５ｆが設けられ、主軸部１０５ａの側面には突起１０５ｇ，１０５ｈ，１０５ｉが設けられている。
ボトムベース１０６は、水平方向に延在する円盤状の底部１０６ａと、底部１０６ａの上端から上方に延在する一対の柱状の駆動部１０６ｂ，１０６ｃと、を有する。駆動部１０６ｂ，１０６ｃはピニオンギア１０５ｅ，１０５ｆの歯と噛み合う溝を有する。
メインブロック１０２およびブロック１０２ａ～１０２ｃはそれぞれメインブロックベース１０３およびブロックベース１０３ａ～１０３ｃの上端にねじ止め等され、ドームプレート１０４ａはドーム１０４の上端にねじ止めされている。これにより、メインブロック１０２、ブロック１０２ａ～１０２ｃおよびドームプレート１０４ａは品種によって交換が可能である。ダイの品種によってダイの平面形状の大きさが異なる場合でも、突上げ治具１０１を品種ごとに用意する必要がない。品種によって交換しない場合は、メインブロック１０２、ブロック１０２ａ～１０２ｃおよびドームプレート１０４ａはそれぞれメインブロックベース１０５、ブロックベース１０３ａ～１０３ｃおよびドーム１０４と一体的に形成してもよい。
メインブロックベース１０５、ブロックベース１０３ａ～１０３ｃは、下記の駆動部の部品に連結され、図示しないモータおよびカム等で構成される駆動機構によって上下動する突上げシャフト１１０に連動して上下動するようになっている。
（ａ）ブロックベース１０３ａとブロックベース１０３ｂとの間に介在する第五の圧縮コイルばね１０８ｅ
（ｂ）ブロックベース１０３ｂとブロックベース１０３ｃとの間に介在する第四の圧縮コイルばね１０８ｄ
（ｃ）ブロックベース１０３ａとメインブロックベース１０５との間に介在する第三の圧縮コイルばね１０８ｃ
（ｄ）ドーム１０４の内壁に設けられた突起１０４ｂとメインブロックベース１０５との間に介在する第二の圧縮コイルばね１０８ｂ
（ｅ）ボトムベース１０６とメインブロックベース１０５との間に介在し、第二の圧縮コイルばね１０８ｄよりもばね定数の大きい第一の圧縮コイルばね１０８ａ
（ｆ）ブロックベース１０３ａとボトムベース１０６との間に介在するピニオンギア１０５ｅ，１０５ｆ
（ｇ）突上げシャフトに当接するボトムベース１０６
なお、メインブロックベース１０５に設けられた突起１０５ｇ～１０５ｉはブロック１０２ａ～１０２ｃの上面がブロック１０２の上面よりも高くならないようするストッパであり、ブロック１０２ｂ，１０２ｃの上面が下がりすぎないようにするストッパでもある。これにより、初期状態において、四個のブロック１０２，１０２ａ～１０２ｃのそれぞれの上面の高さは、お互いに等しくなる。
ブロック１０２ａの平面視の形状は、剥離の対象となるダイＤと同じく長方形であり、そのサイズは、ダイＤのサイズよりも僅かに小さい。ブロック１０２ａのサイズがダイＤのサイズに比べて小さ過ぎる場合は、ダイシングテープ１６の裏面をブロック１０２ａ～１０２ｄで突き上げてもダイＤの外周部がダイシングテープ１６から剥離し難くなる。これは、ダイＤが９０μｍ以下等ダイシングテープ１６の厚さよりも薄く、ダイＤの剛性が極めて低いためであり、湾曲した状態となって、ダイＤが割れてしまう恐れがある。他方、ブロック１０２ａのサイズがダイＤのサイズと同等またはそれ以上である場合には、剥離の対象となるダイＤに隣接している他のダイＤも同時に持ち上がってしまう恐れがある。そこで、本実施形態では、ダイＤの外周部からブロック１０２ａの外周部までの好ましい距離は、例えば０．５ｍｍ～０．７５ｍｍとするものである。
ブロック１０２ａの内側に配置された平面視で枠状のブロック１０２ｂのサイズは、ブロック１０２ａのサイズよりも１ｍｍ～３ｍｍ程度小さい。また、ブロック１０２ｂの内側に配置されたブロック１０２ｃのサイズは、ブロック１０２ｂよりもさらに１ｍｍ～３ｍｍ程度小さい。また、ブロック１０２ｃの内側に配置されたブロック１０２ｄのサイズは、ブロック１０２ｃよりもさらに１ｍｍ～３ｍｍ程度小さい。なお、メインブロック１０２の幅はブロック１０２ａ～１０２ｃのいずれの幅（外側の辺と内側の辺との間の長さ）よりも大きい。本実施の形態では、加工の容易さなどを考慮して、ブロック１０２，１０２ａ～１０２ｃの形状を長方形にしたが、これに限定されるものではなく、例えば楕円形にしてもよい。
上記した四個のブロック１０２，１０２ａ～１０２ｃのそれぞれの上面の高さは、初期状態（ブロック１０２，１０２ａ～１０２ｃの非動作時）においては互いに等しく、また突上げ治具１０１の上面周辺部（ドームプレート１０４ａ）の高さよりも僅かに低くなっている。
次に、上記のようなブロック１０２，１０２ａ～１０２ｃを備えた突上げ治具１０１を使って、ダイＤをダイシングテープ１６から剥離する方法を説明する。図７は図６の突上げ治具の動作を説明する図であり、図７（Ａ）は初期状態を示す断面図であり、図７（Ｂ）はすべてのブロックが突き上げられた状態を示す断面図である。図８は図６の突上げ治具の動作を説明する図であり、図８（Ａ）は最も外側のブロックを引き下げた状態を示す断面図であり、図８（Ｂ）は外側から２番目のブロックを引き下げた状態を示す断面図である。図９は図６の突上げ治具の動作を説明する図であり、外側から３番目のブロックを引き下げた状態を示す断面図である。
まず、図３および図４に示したウェハ保持台１２に位置決めされているダイシングテープ１６に紫外線を照射する。これにより、ダイシングテープ１６に塗布された粘着剤が硬化してその粘着性が低下するので、ダイシングテープ１６とダイアタッチフィルム１８との界面が剥離し易くなる。
次に、ウェハ保持台１２のエキスパンドリング１５を下降させることによって、ダイシングテープ１６の周辺部に接着されたウェハリング１４を下方に押し下げる。このようにすると、ダイシングテープ１６が、その中心部から周辺部に向かう強い張力を受けて水平方向に弛みなく引き伸ばされる。
次に、図４に示すように、剥離の対象となる一個のダイＤ（同図の中央部に位置するダイＤ）の真下に突上げ治具１０１の中心部（ブロック１０２，１０２ａ～１０２ｃ）が位置するようにウェハ保持台１２を移動させると共に、このダイＤの上方にコレット２２を移動させる。ピックアップヘッド２１に支持されたコレット２２の底面には、内部が減圧される吸着口（不図示）が設けられており、剥離の対象となる一個のダイＤのみを選択的に吸着、保持できるようになっている。
ここで、メインブロック１０２とメインブロックベース１０５とを併せて中央ブロック１０７、ブロック１０２ａとブロックベース１０３ａとを併せて第一ブロック１０７ａ、ブロック１０２ｂとブロックベース１０３ｂとを併せて第二ブロック１０７ｂ、ブロック１０２ｃとブロックベース１０３ｃとを併せて第三ブロック１０７ｃという。
次に、図７（Ａ）に示すように、中央ブロック１０７、第一ブロック１０７ａ、第二ブロック１０７ｂおよび第三ブロック１０７ｃの上面を同じ高さにし、ドームプレート１０４ａの上面よりも僅かに下げた状態（初期状態）にして、突上げ治具１０１を上昇させてその上面をダイシングテープ１６の裏面に接触させると共に、前述したドームプレート１０４ａの吸引口、溝および隙間Ｇの内部を減圧する。これにより、剥離の対象となるダイＤの下方のダイシングテープ１６がブロック１０２，１０２ａ～１０２ｃの上面に密着する。また、このダイＤに隣接する他のダイＤの下方のダイシングテープ１６がドームプレート１０４ａに密着する。一方、突上げ治具１０１の上昇とほぼ同時にコレット２２を下降させ、その底面を剥離の対象となるダイＤの上面に接触させることによって、ダイＤを吸着すると共に下方に軽く押さえ付ける。
次に、図７（Ｂ）に示すように、四個の中央ブロック１０７、第一ブロック１０７ａ、第二ブロック１０７ｂおよび第三ブロック１０７ｃを同時に上方に突き上げてダイシングテープ１６の裏面に荷重を加え、ダイＤをダイシングテープ１６と共に押し上げる。
四個の中央ブロック１０７、第一ブロック１０７ａ、第二ブロック１０７ｂおよび第三ブロック１０７ｃを同時に上方に突き上げるには、図７（Ｂ）に示す突上げシャフト１１０を上方に押し上げることによって、突上げシャフト１１０に連結されたボトムベース１０６を押し上げる。これにより、ボトムベース１０６と中央ブロック１０７との間に介在する第一の圧縮コイルばね１０８ａのばね力によって中央ブロック１０７が押し上げられる。また、これに並行して、中央ブロック１０７と第一ブロック１０７ａとの間に介在する第三の圧縮コイルばね１０８ｃのばね力によって第一ブロック１０７ａが押し上げられる。また、これに並行して、第一ブロック１０７ａと第二ブロック１０７ｂとの間に介在する第四の圧縮コイルばね１０８ｄのばね力によって第二ブロック１０７ｂが押し上げられる。また、これに並行して、第二ブロック１０７ｂと第三ブロック１０７ｃとの間に介在する第五の圧縮コイルばね１０８ｅのばね力によって第三ブロック１０７ｃが押し上げられる。これらにより、四個の中央ブロック１０７、第一ブロック１０７ａ、第二ブロック１０７ｂおよび第三ブロック１０７ｃが同時に押し上げられる。そして、中央ブロック１０７の一部がドーム１０４の内壁に設けられた突起１０４ｃと接触することによって、中央ブロック１０７、第一ブロック１０７ａ、第二ブロック１０７ｂおよび第三ブロック１０７ｃの上昇が停止する。
中央ブロック１０７、第一ブロック１０７ａ、第二ブロック１０７ｂおよび第三ブロック１０７ｃの突上げ量は、ダイＤのサイズに応じて増減することが望ましい。すなわち、ダイＤのサイズが大きい場合は、ダイアタッチフィルム１８との接触面積が大きく、従って粘着力も大きいので、突上げ量を増やす必要がある。他方、ダイＤのサイズが小さい場合は、ダイアタッチフィルム１８との接触面積が小さく、従って粘着力も小さいので、突上げ量を少なくしても容易に剥離する。なお、ダイシングテープ１６に塗布されている感圧粘着剤は、製造元や品種によって粘着力に差があるので、ダイＤのサイズが同じ場合であっても、感圧粘着剤の粘着力に応じて中央ブロック１０７、第一ブロック１０７ａ、第二ブロック１０７ｂおよび第三ブロック１０７ｃの突き上げ量を変える必要がある。
次に、図８（Ａ）に示すように、最も外側に配置された第一ブロック１０７ａを下方に引き下げると、ダイアタッチフィルム１８とダイシングテープ１６との剥離が始まる。このとき、剥離の対象となるダイＤに隣接する他のダイＤの下方のダイシングテープ１６を下方に吸引し、ドームプレート１０４ａに密着させておくことにより、他のダイＤの剥離を防ぐことができる。
第一ブロック１０７ａを下方に引き下げるには、図８（Ａ）に示す突上げシャフト１１０をさらに押し上げることによって、突上げシャフト１１０に連結されたボトムベース１０６が押し上げられる。このとき、中央ブロック１０７は突起１０４ｃと当接しているので、中央ブロック１０７は押し上げられず、ボトムベース１０６の駆動部１０６ｂによってピニオンギア１０５ｅが時計回りに回転し、駆動部１０６ｃによってピニオンギア１０５ｆが反時計回りに回転する。第一ブロック１０７ａはピニオンギア１０５ｅ，１０５ｆの歯車に噛み合う溝を有し、ピニオンギア１０５ｅ，１０５ｆの回転により引き下げられる。このとき、第一ブロック１０７ａの上面はドームプレート１０４ａの上面よりも高く位置する。
第一ブロック１０７ａを下方に引き下げる際には、ダイＤの剥離を促進させるために、中央ブロック１０７、第一ブロック１０７ａ、第二ブロック１０７ｂおよび第三ブロック１０７ｃの隙間Ｇの内部を減圧することによって、ダイＤの下方のダイシングテープ１６を下方に吸引しておく。また、ドームレート１０４ａの溝の内部を減圧し、ドームレート１０４ａに接するダイシングテープ１６をドームレート１０４ａの上面に密着させておく。
次に、図８（Ｂ）に示すように、最も外側から二番目に配置された第二ブロック１０７ｂを下方に引き下げると、ダイアタッチフィルム１８とダイシングテープ１６との剥離がダイＤの中心方向へ進行する。
第二ブロック１０７ｂを下方に引き下げるには、図８（Ｂ）に示す突上げシャフト１１０をさらに押し上げることによって、突上げシャフト１１０に連結されたボトムベース１０６が押し上げられる。このとき、ボトムベース１０６の駆動部１０６ｂによってピニオンギア１０５ｅが時計回りに回転し、駆動部１０６ｃによってピニオンギア１０５ｆが反時計回りに回転する。第一ブロック１０７ａはピニオンギア１０５ｅ，１０５ｆの回転によりさらに引き下げられる。これにより、隙間１０９ｂがなくなり、第一ブロック１０７ａが第二ブロック１０７ｂに当接し、第二ブロック１０７ｂが引き下げられる。第一ブロック１０７ａは第二ブロック１０７ｂに対して間隙１０９ｂだけ下降する。このとき、第一ブロック１０７ａの上面はドームプレート１０４ａの上面よりも低く位置するが、第二ブロック１０７ｂの上面はドームプレート１０４ａの上面よりも高く位置する。
次に、図９に示すように、最も外側から三番目に配置された第三ブロック１０７ｃを下方に引き下げると、ダイアタッチフィルム１８とダイシングテープ１６との剥離がさらにダイＤの中心方向へ進行する。
第三ブロック１０７ｃを下方に引き下げるには、図９に示す突上げシャフト１１０をさらに押し上げることによって、突上げシャフト１１０に連結されたボトムベース１０６が押し上げられる。このとき、ボトムベース１０６の駆動部１０６ｂによってピニオンギア１０５ｅが時計回りに回転し、駆動部１０６ｃによってピニオンギア１０５ｆが反時計回りに回転する。第一ブロック１０７ａはピニオンギア１０５ｅ，１０５ｆの回転によりさらに引き下げられると共に、第二ブロック１０７ｂがさらに引き下げられる。これにより、隙間１０９ｃがなくなり、第二ブロック１０７ｂが第三ブロック１０７ｃに当接し、第三ブロック１０７ｃが引き下げられる。第二ブロック１０７ｂは第三ブロック１０７ｃに対して間隙１０９ｃだけ下降する。
そして、第三の圧縮コイルばね１０８ｃが収縮しきった時点で第一ブロック１０７ａ、第二ブロック１０７ｂおよび第三ブロック１０７ｃの下降が停止する。このとき、第一ブロック１０７ａ、第二ブロック１０７ｂおよび第三ブロック１０７ｃの上面はドームプレート１０４ａの上面よりも低く位置する。
そして、中央ブロック１０７を下方に引き下げると共に、コレット２２を上方に引き上げることにより、ダイアタッチフィルム１８がダイシングテープ１６から完全に剥離する。
なお、中央ブロック１０７の上面は、中央ブロック１０７を下方に引き下げた際、コレット２２の吸引力によってダイアタッチフィルム１８がダイシングテープ１６から剥離される程度に面積を小さくしておく必要がある。中央ブロック１０７の上面の面積が大きいと、ダイアタッチフィルム１８とダイシングテープ１６との接触面積も大きくなり、両者の粘着力が大きくなるので、コレット２２がダイＤを吸引する力ではダイアタッチフィルム１８をダイシングテープ１６から剥離できない。一方、中央ブロック１０７の上面の面積を小さくした場合は、ダイＤの狭い領域（中央部分）に強い荷重が集中的に加わるので、極端な場合にはダイＤが割れる恐れがある。
ダイが薄くなると、ダイシングテープの粘着力に比べてダイの剛性が極めて低くなる。そのため、例えば、２０μｍ以下の薄ダイをピックアップするにはダイに掛かるストレスを軽減させること（低ストレス化）が必要である。突上げブロックが複数のブロックで構成され、複数のブロックの全てのブロックを突き上げた後、各ブロックが順次引き下げられる方式では、外周ブロックの引下げに移行する際のダイ曲げストレスはダイシングテープの粘着力が生じる面積、すなわち、ブロック幅によるオーバーハング（ＯＨ）の大きさに依存する。外側のブロック幅は狭く、ブロック数を多くすることにより、ダイ保持部分のブロック面積が徐々に減少して、ダイをダイシングテープから剥離することができる。これにより、ダイへのストレスを低減することができる。
また、コレット２２がダイＤを下方に押さえ付けている状態で中央ブロック１０７を下方に引き下げると、コレット２２が下方に移動するために、ダイＤが中央ブロック１０７に当たって割れる恐れがある。従って、中央ブロック１０７を下方に引き下げる際は、その直前にコレット２２を引き上げるか、少なくともコレット２２が下方に移動しないように、固定しておくことが望ましい。
中央ブロック１０７を下方に引き下げるには、図９に示す突上げシャフト１１０を引き下げることによって、第一の圧縮コイルばね１０８ａのばね力によってボトムベース１０６が下降する。このとき、第一の圧縮コイルばね１０８ａのばね力が第二の圧縮コイルばね１０８ｂのばね力よりも強いので中央ブロック１０７の位置は維持される。
このとき、ボトムベース１０６の駆動部１０６ｃによってピニオンギア１０５ｅが反時計回りに回転し、駆動部１０６ｄによってピニオンギア１０５ｆが時計回りに回転する。第一ブロック１０７ａはピニオンギア１０５ｅ，１０５ｆの回転および第三の圧縮コイルばね１０８ｃのばね力により押し上げられる。
第一の圧縮コイルばね１０８ａによるボトムベース１０６の下降が止まると、第二の圧縮コイルばね１０８ｂのばね力によって中央ブロック１０７が下降する。これに並行して、第四の圧縮コイルばね１０８ｄのばね力により第二ブロック１０７ｂが押し上げられる。また、第五の圧縮コイルばね１０８ｅのばね力により第三ブロック１０７ｃが押し上げられる。
そして、中央ブロック１０７、第一ブロック１０７ａ、第二ブロック１０７ｂおよび第三ブロック１０７ｃは初期状態の位置に戻る。
次に、実施形態に係るダイボンダを用いた半導体装置の製造方法について図１０を用いて説明する。図１０は図１のダイボンダを用いた半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。
ステップＳ１１：ウェハ１１から分割されたダイＤが貼付されたダイシングテープ１６を保持したウェハリング１４をウェハカセット（不図示）に格納し、ダイボンダ１０に搬入する。制御部８はウェハリング１４が充填されたウェハカセットからウェハリング１４をダイ供給部１に供給する。また、基板Ｓを準備し、ダイボンダ１０に搬入する。制御部８は基板供給部６で基板Ｓを基板搬送爪５１に取り付ける。
ステップＳ１２：制御部８は上述したようにダイＤを剥離し、剥離したダイＤをウェハ１１からピックアップする。このようにして、ダイアタッチフィルム１８と共にダイシングテープ１６から剥離されたダイＤは、コレット２２に吸着、保持されて次工程（ステップＳ１３）に搬送される。そして、ダイＤを次工程に搬送したコレット２２がダイ供給部１に戻ってくると、上記した手順に従って、次のダイＤがダイシングテープ１６から剥離され、以後同様の手順に従ってダイシングテープ１６から１個ずつダイＤが剥離される。
ステップＳ１３：制御部８はピックアップしたダイを基板Ｓ上に搭載又は既にボンディングしたダイの上に積層する。制御部８はウェハ１１からピックアップしたダイＤを中間ステージ３１に載置し、ボンディングヘッド４１で中間ステージ３１から再度ダイＤをピックアップし、搬送されてきた基板Ｓにボンディングする。
ステップＳ１４：制御部８は基板搬出部７で基板搬送爪５１からダイＤがボンディングされた基板Ｓを取り出す。ダイボンダ１０から基板Ｓを搬出する。
上述したように、ダイＤは、ダイアタッチフィルム１８を介して基板Ｓ上に実装され、ダイボンダから搬出される。その後、ワイヤボンディング工程でＡｕワイヤを介して基板Ｓの電極と電気的に接続される。続いて、ダイＤが実装された基板Ｓがダイボンダに搬入されて基板Ｓ上に実装されたダイＤの上にダイアタッチフィルム１８を介して第２のダイＤが積層され、ダイボンダから搬出された後、ワイヤボンディング工程でＡｕワイヤを介して基板Ｓの電極と電気的に接続される。第２のダイＤは、前述した方法でダイシングテープ１６から剥離された後、ペレット付け工程に搬送されてダイＤの上に積層される。上記工程が所定回数繰り返された後、基板Ｓをモールド工程に搬送し、複数個のダイＤとＡｕワイヤとをモールド樹脂（図示せず）で封止することによって、積層パッケージが完成する。
上述したように、基板上に複数個のダイを三次元的に実装する積層パッケージを組み立てに際しては、パッケージ厚の増加を防ぐために、ダイの厚さを２０μｍ以下まで薄くすることが要求される。一方、ダイシングテープの厚さは１００μｍ程度であるから、ダイシングテープの厚みは、ダイの厚みの４～５倍にもなっている。
このような薄いダイをダイシングテープから剥離させようとすると、ダイシングテープの変形に追従したダイの変形がより顕著に発生しやすくなるが、本実施形態のダイボンダではダイシングテープからダイをピックアップする際のダイの損傷を低減することができる。
＜変形例＞
以下、実施形態の代表的な変形例について、幾つか例示する。以下の変形例の説明において、上述の実施形態にて説明されているものと同様の構成および機能を有する部分に対しては、上述の実施形態と同様の符号が用いられ得るものとする。そして、かかる部分の説明については、技術的に矛盾しない範囲内において、上述の実施形態における説明が適宜援用され得るものとする。また、上述の実施形態の一部、および、複数の変形例の全部または一部が、技術的に矛盾しない範囲内において、適宜、複合的に適用され得る。
（第一変形例）
実施形態では、最外周のブロックベース１０３ａを下方に引き下げるのに、ピニオンギア１０５ｅ，１０５ｆの回転を用いているが、ロッド状またはバー状の梃子を用いてもよい。
図１１は第一変形例の突上げ治具の断面図である。第一変形例の突上げ治具１０１Ａのメインブロックベース１０５の一対の副軸部１０５ｃ，１０５ｄのそれぞれの上部には梃子１０５ｊ，１０５ｋが設けられている。突上げシャフト１１０をさらに押し上げることによって、突上げシャフト１１０に連結されたボトムベース１０６が押し上げられる。このとき、メインブロックベース１０５は突起１０４ｃと当接しているので、メインブロックベース１０５は押し上げられず、ボトムベース１０６の駆動部１０６ｂ，１０６ｃが押し上げられ、これに接続された梃子１０５ｊ、１０５ｋの片側が押し上げられ、このため、副軸部１０５ｃ，１０５ｄに接続された梃子１０５ｊ、１０５ｋの支点を介して、もう一端に接続された最外周のブロックベースの１０３aに接続された駆動部が引き下げられる。以下、実施形態と同様に他のブロックも動作する。
（第二変形例）
実施形態では、最外周のブロックベース１０３ａを下方に引き下げるのに、ピニオンギア１０５ｅ，１０５ｆの回転を用いているが、ボールネジとナットロットを用いてもよい。
図１２は第二変形例の突上げ治具の断面図である。ボトムベース１０６の底部１０６ａの下方にナット１０６ｄを設け、駆動部１０６ｂ，１０６ｃの上方にナット１０６ｅを設ける。突き上げシャフト１１０はボールネジで形成されている。最外周のブロック１０３ａを下方に引き下げるのに、突き上げシャフト１１０の上昇に伴い先端のナット１０６ｄに接続されたボトムベース１０６の駆動部１０６ｂ，１０６ｃを回転させ、最外周のブロックベース１０３aに接続された駆動部に設けられたネジ部１０３ａａを、ボトムベース１０６の駆動部１０６ｂ，１０６ｃに設けたナット１０６ｅを回転させることで、引き下げるようにしてもよい。以下、実施形態と同様に他のブロックも動作する。
以上、本発明者によってなされた発明を実施形態および変形例に基づき具体的に説明したが、本発明は、上記実施形態および変形例に限定されるものではなく、種々変更可能であることはいうまでもない。
例えば、実施形態では、突上げブロック部はメインブロック、第一から第三のブロックの四つのブロックで構成されている例を説明したが、これに限定されるものではなく、複数のブロックであればよい。例えば、二つのブロックの場合はメインブロックと第一のブロックとで構成され、三つのブロックの場合はメインブロックと第一のブロックと第二のブロックとで構成され、五つ以上のブロックの場合は第三のブロックとメインブロックとの間にブロックが追加されて構成される。
また、実施形態では、最外周のブロックベース１０３ａを下方に引き下げるのに、ピニオンギア１０５ｅ，１０５ｆの回転を用いているが、ボトムベース１０６の駆動部１０６ｂに接続された油圧シリンダー等により、上昇を下降の動力に変えて最外周のブロックベースの１０３aに接続された駆動部を下降させてもよい。
また、実施例では、ダイアタッチフィルムを用いる例を説明したが、基板に接着剤を塗布するプリフォーム部を設けてダイアタッチフィルムを用いなくてもよい。
また、実施例では、ダイ供給部からダイをピックアップヘッドでピックアップして中間ステージに載置し、中間ステージに載置されたダイをボンディングヘッドで基板にボンディングするダイボンダについて説明したが、これに限定されるものではなく、ダイ供給部からダイをピックアップする半導体製造装置に適用可能である。
例えば、中間ステージとピックアップヘッドがなく、ダイ供給部のダイをボンディングヘッドで基板にボンディングするダイボンダにも適用可能である。
また、中間ステージがなく、ダイ供給部からダイをピックアップしダイピックアップヘッドを上に回転してダイをボンディングヘッドに受け渡しボンディングヘッドで基板にボンディングするフリップチップボンダに適用可能である。
また、中間ステージとボンディングヘッドがなく、ダイ供給部からピックアップヘッドでピックアップしたダイをトレイ等に載置するダイソータに適用可能である。
１：ダイ供給部
１１：ウェハ
１３：突上げユニット
１０１：突上げ治具
１０２：ブロック
１０２ａ：ブロック
１０２ｂ：ブロック
１０２ｃ：ブロック
１０３ａ：ブロックベース
１０３ｂ：ブロックベース
１０３ｃ：ブロックベース
１０７：中央ブロック
１０７ａ：第一ブロック
１０７ｂ：第二ブロック
１０７ｃ：第三ブロック
１６：ダイシングテープ
２：ピックアップ部
２１：ピックアップヘッド
３：中間ステージ部
３１：中間ステージ
４：ボンディング部
４１：ボンディングヘッド
８：制御部
１０：ダイボンダ
Ｄ：ダイ
Ｓ：基板

Claims (23)

  1. ダイを有するダイシングテープを保持するウェハ保持台と、
    前記ダイを前記ダイシングテープの下から突き上げる突上げユニットと、
    を備え、
    前記突上げユニットは、
    筒状のドームと、
    中央に位置する柱状の中央ブロックと前記中央ブロックの外側に位置する環状の複数のブロックとを有し、上下動するブロック部と、
    突上げシャフトの上下動に基づいて前記ブロック部を上下動させるボトムベースと、
    前記ボトムベースの上下動を前記複数のブロックの最も外側のブロックの上下動に変換する機構と、
    を備え、
    前記突上げシャフトを上方に押し上げることによって、前記ボトムベース、前記中央ブロックおよび前記複数のブロックが押し上げられ、
    前記突上げシャフトをさらに押し上げることによって、前記ボトムベースが押し上げられて前記機構により前記最も外側のブロックが引き下げられるよう構成される半導体製造装置。
  2. 請求項１の半導体製造装置において、
    前記機構はギアである半導体製造装置。
  3. 請求項１の半導体製造装置において、
    前記機構はバー状の梃子である半導体製造装置。
  4. 請求項１の半導体製造装置において、
    前記複数のブロックはそれぞれの外側のブロックが内側のブロックの上に当接する部分があり、それぞれの外側のブロックが引き下げられることにより引き下げられる半導体製造装置。
  5. 請求項４の半導体製造装置において、
    前記機構は前記中央ブロックに取り付けられ、前記ボトムベースと前記最も外側のブロックとの間に配置される半導体製造装置。
  6. 請求項１の半導体製造装置において、
    前記ドームはその内壁に第一の突起を有し、
    前記突上げユニットは、さらに、
    前記ボトムベースと前記中央ブロックとの間に介在する第一の圧縮コイルばねと、
    前記中央ブロックと前記第一の突起との間に介在する第二の圧縮コイルばねと、
    前記中央ブロックと前記最も外側のブロックとの間に介在する第三の圧縮コイルばねと、
    前記最も外側のブロックと前記最も外側のブロックの隣の内側のブロックとの間に介在する第四の圧縮コイルばねと、
    を備える半導体製造装置。
  7. 請求項１の半導体製造装置において、
    前記ドームはその内壁に第二の突起を有し、
    前記中央ブロックが前記第二の突起と当接することによって、前記中央ブロックおよび複数のブロックの上昇が停止する半導体製造装置。
  8. 請求項１乃至３の何れか１項の半導体製造装置において、
    前記ダイはさらに前記ダイと前記ダイシングテープとの間にダイアタッチフィルムを備える半導体製造装置。
  9. 請求項１乃至３の何れか１項の半導体製造装置において、さらに、
    前記ダイを吸着するコレットが装着されるピックアップヘッドを備える半導体製造装置。
  10. 請求項９の半導体製造装置において、さらに、
    前記ピックアップヘッドでピックアップされるダイを載置する中間ステージと、
    前記中間ステージに載置されるダイを基板または既にボンディングされているダイの上にボンディングするボンディングヘッドと、
    を備える半導体製造装置。
  11. 請求項１乃至３の何れか１項の半導体製造装置において、さらに、
    前記ダイを吸着するコレットが装着されるボンディングヘッドを備える半導体製造装置。
  12. ダイをダイシングテープの下から突き上げる突上げユニットに用いられる突上げ治具であって、
    内壁に第一の突起を有する円管状のドームと、
    開口を有し、前記ドームの上面に設けられたドームプレートと、
    第一ブロックと前記第一ブロックの内側に位置する中央ブロックとを有し、前記開口内を上下動するブロック部と、
    突上げシャフトの上下動に基づいて前記ブロック部を上下動させるボトムベースと、
    前記ボトムベースと前記中央ブロックとの間に介在する第一の圧縮コイルばねと、
    前記中央ブロックと前記第一の突起との間に介在する第二の圧縮コイルばねと、
    前記中央ブロックと前記第一ブロックとの間に介在する第三の圧縮コイルばねと、
    前記ボトムベースの上方向の移動を前記第一ブロックの下方向の移動に変換する機構と、
    を備え、
    前記突上げシャフトを上方に押し上げることによって、前記ボトムベースが押し上げられ、前記第一の圧縮コイルばねのばね力によって前記中央ブロックを押し上げられると共に、前記第三の圧縮コイルばねのばね力によって前記第一ブロックが押し上げられ、
    前記突上げシャフトをさらに押し上げることによって、前記ボトムベースが押し上げられて前記機構は前記第一ブロックが引き下げられるよう構成される突上げ治具。
  13. 請求項１２の突上げ治具において、
    前記機構はギアである突上げ治具。
  14. 請求項１２の突上げ治具において、
    前記機構はバー状の梃子である突上げ治具。
  15. 請求項１２乃至１４の何れか１項の突上げ治具において、
    前記ブロック部は、さらに、前記第一ブロックと前記中央ブロックとの間に第二ブロックを備え、
    さらに、前記第一ブロックと前記第二ブロックとの間に介在する第四の圧縮コイルばねを備え、
    前記第一ブロックが押し上げられることによって、前記第四の圧縮コイルばねのばね力によって前記第二ブロックが押し上げられ、
    前記第一ブロックが引き下げられることによって前記第一ブロックが前記第二ブロックに当接して前記第二ブロックが引き下げられる突上げ治具。
  16. 請求項１５の突上げ治具において、
    前記ブロック部は、さらに、前記第二ブロックと前記中央ブロックとの間に第三ブロックを備え、
    さらに、前記第二ブロックと前記第三ブロックとの間に介在する第五の圧縮コイルばねを備え、
    前記第二ブロックが押し上げられることによって、前記第五の圧縮コイルばねのばね力によって前記第三ブロックが押し上げられ、
    前記第二ブロックが引き下げられることによって前記第二ブロックが前記第三ブロックに当接して前記第三ブロックが引き下げられる突上げ治具。
  17. 請求項１２乃至１４の何れか１項の突上げ治具において、
    前記円管状のドームはその内壁に第二の突起を有し、
    前記中央ブロックが前記第二の突起と当接することによって、前記中央ブロックおよび前記第一ブロックの上昇が停止する突上げ治具。
  18. 請求項１７の突上げ治具において、
    前記機構は前記中央ブロックに取り付けられ、前記ボトムベースと前記第一ブロックとの間に配置される突上げ治具。
  19. 請求項１６の突上げ治具において、
    前記中央ブロックは、前記ダイシングテープに当接するメインブロック部と、前記メインブロック部に連結され、前記第一の圧縮コイルばねと当接するメインベースブロック部と、を有し、
    前記第一ブロックは、前記ダイシングテープに当接する第一ブロック部と、前記第一ブロックに連結され、前記第三の圧縮コイルばねと当接する第一ベースブロック部と、を有し、
    前記第二ブロックは、前記ダイシングテープに当接する第二ブロック部と、前記第二ブロックに連結され、前記第四の圧縮コイルばねと当接する第二ベースブロック部と、を有し、
    前記第三ブロックは、前記ダイシングテープに当接する第三ブロック部と、前記第三ブロックに連結され、前記第五の圧縮コイルばねと当接する第三ベースブロック部と、を有する突上げ治具。
  20. 請求項１９の突上げ治具において、
    前記ドームプレートは前記ドームにねじ止めされ、前記メインブロック部は前記メインベースブロック部にねじ止めされ、前記第一ブロック部は前記第一ベースブロック部にねじ止めされ、前記第二ブロック部は前記第二ベースブロック部にねじ止めされ、前記第三ブロック部は前記第三ベースブロック部にねじ止めされ、
    前記ドームプレート、前記第一ブロック部、前記第二ブロック部および前記第三ブロック部はダイ品種に応じて交換することが可能である突上げ治具。
  21. （ａ）請求項１乃至７の何れか１項の半導体製造装置を準備する工程と、
    （ｂ）ダイを有するダイシングテープを保持するウェハリングを準備する工程と、
    （ｃ）基板を準備する工程と、
    （ｄ）前記突き上げユニットで前記ダイを突き上げてコレットで前記ダイをピックアップする工程と、
    を有し、
    前記（ｄ）工程は、
    （ｄ１）前記中央ブロックと前記複数のブロックを前記ダイシングテープに突き上げる工程と、
    （ｄ２）前記複数のブロックの最も外側のブロックから最も内側のブロックの順で引き下げる工程と、
    を有する半導体装置の製造方法。
  22. 請求項２１の半導体装置の製造方法において、さらに、
    （ｅ）前記ダイを基板または既にボンディングされているダイの上にボンディングする工程を備える半導体装置の製造方法。
  23. 請求項２２の半導体装置の製造方法において、
    前記（ｄ）工程はさらに前記ピックアップしたダイを中間ステージに載置する工程を有し、
    前記（ｅ）工程はさらに前記中間ステージから前記ダイをピックアップする工程を有する半導体装置の製造方法。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102617784B1 (ko) * 2020-07-09 2023-12-26 세메스 주식회사 다이 이젝터 및 이를 포함하는 다이 본딩 장치
JP2022071993A (ja) * 2020-10-29 2022-05-17 アスリートＦａ株式会社 電子部品接合装置
JP7144097B1 (ja) 2021-11-19 2022-09-29 日本ファインテック株式会社 チップ剥離装置及びテーピングマシン

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012004393A (ja) 2010-06-17 2012-01-05 Hitachi High-Tech Instruments Co Ltd ダイボンダ並びにピックアップ方法及びピックアップ装置
JP2013171996A (ja) 2012-02-21 2013-09-02 Shibaura Mechatronics Corp 半導体チップのピックアップ装置及びピックアップ方法
JP2014027246A (ja) 2012-07-25 2014-02-06 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd チップエジェクター及びこれを利用したチップ着脱方法
US20170133259A1 (en) 2014-06-18 2017-05-11 Manufacturing Integration Technology Ltd System and Method for Peeling a Semiconductor Chip From a Tape Using a Multistage Ejector
JP2018182278A (ja) 2017-04-07 2018-11-15 芝浦メカトロニクス株式会社 半導体チップのピックアップ装置及び実装装置

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006005030A (ja) * 2004-06-16 2006-01-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体チップのピックアップ方法および装置
JP4616748B2 (ja) * 2005-10-11 2011-01-19 株式会社新川 ダイピックアップ装置
JP2007115934A (ja) * 2005-10-21 2007-05-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子部品突き上げ装置及び電子部品の供給方法
JP4864816B2 (ja) * 2007-06-19 2012-02-01 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体集積回路装置の製造方法
TWI463580B (zh) * 2007-06-19 2014-12-01 Renesas Electronics Corp Manufacturing method of semiconductor integrated circuit device
KR20090085262A (ko) * 2008-02-04 2009-08-07 에스티에스반도체통신 주식회사 역피라미드 방식의 반도체 칩 접착 장비 및 그 작동방법
JP4816654B2 (ja) * 2008-02-06 2011-11-16 パナソニック株式会社 チップ剥離装置およびチップ剥離方法ならびにチップピックアップ装置
JP5284144B2 (ja) * 2009-03-11 2013-09-11 芝浦メカトロニクス株式会社 半導体チップのピックアップ装置及びピックアップ方法
CH706280B1 (de) * 2012-03-30 2016-03-15 Esec Ag Verfahren zum Ablösen eines Halbleiterchips von einer Folie.
JP5717910B1 (ja) 2014-02-26 2015-05-13 株式会社新川 半導体ダイのピックアップ装置及びピックアップ方法
CN105140156B (zh) * 2015-08-26 2017-10-27 华中科技大学 一种面向柔性芯片的多顶针剥离装置及剥离方法
JP6797569B2 (ja) * 2016-06-13 2020-12-09 ファスフォードテクノロジ株式会社 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
JP6643197B2 (ja) * 2016-07-13 2020-02-12 ファスフォードテクノロジ株式会社 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
JP6637397B2 (ja) * 2016-09-12 2020-01-29 ファスフォードテクノロジ株式会社 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
JP6621771B2 (ja) * 2017-01-25 2019-12-18 ファスフォードテクノロジ株式会社 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
JP6685245B2 (ja) * 2017-02-08 2020-04-22 ファスフォードテクノロジ株式会社 半導体製造装置および半導体装置の製造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012004393A (ja) 2010-06-17 2012-01-05 Hitachi High-Tech Instruments Co Ltd ダイボンダ並びにピックアップ方法及びピックアップ装置
JP2013171996A (ja) 2012-02-21 2013-09-02 Shibaura Mechatronics Corp 半導体チップのピックアップ装置及びピックアップ方法
JP2014027246A (ja) 2012-07-25 2014-02-06 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd チップエジェクター及びこれを利用したチップ着脱方法
US20170133259A1 (en) 2014-06-18 2017-05-11 Manufacturing Integration Technology Ltd System and Method for Peeling a Semiconductor Chip From a Tape Using a Multistage Ejector
JP2018182278A (ja) 2017-04-07 2018-11-15 芝浦メカトロニクス株式会社 半導体チップのピックアップ装置及び実装装置

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