JP6637397B2 - 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
本開示の課題は突き上げユニットを品種に合わせて容易に変更することが可能な半導体製造装置を提供することにある。
その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
すなわち、半導体製造装置は、ダイをダイシングテープの下から突き上げる突き上げユニットと、前記ダイを吸着するコレットと、を備える。前記突き上げユニットは、前記ダイシングテープを突き上げるための複数のピンと、前記複数のピンのうち前記ダイのサイズに対応するピンに選択的に当接する品種切替ユニットと、を備える。
このような構成によって、ボンディングヘッド41は、ステージ認識カメラ32の撮像データに基づいてピックアップ位置・姿勢を補正し、中間ステージ31からダイDをピックアップし、基板認識カメラ44の撮像データに基づいて基板PにダイDをボンディングする。
このような構成によって、基板搬送パレット51は、基板供給部6で基板Pを載置し、パレットレール52に沿ってボンディング位置まで移動し、ボンディング後、基板搬出部7まで移動して、基板搬出部7に基板Pを渡す。第1、第2搬送部は、互いに独立して駆動され、一方の基板搬送パレット51に載置された基板PにダイDをボンディング中に、他方の基板搬送パレット51は、基板Pを搬出し、基板供給部6に戻り、新たな基板Pを載置するなどの準備を行なう。
変形例1に係る突き上げユニットについて図12、13を用いて説明する。図12、13は変形例1に係る突き上げユニットを説明するための断面図である。
変形例2に係る突き上げユニットについて図14〜17を用いて説明する。図14〜17は変形例2に係る突き上げユニットを説明するための断面図である。
変形例3に係る突き上げユニットについて図18、19を用いて説明する。図18、19は変形例3に係る突き上げユニットを説明するための断面図である。
変形例4に係る突き上げユニットについて図20、21を用いて説明する。図20、21は変形例4に係る突き上げユニットを説明するための断面図である。
例えば、中間ステージとピックアップヘッドがなく、ダイ供給部のダイをボンディングヘッドで基板にボンディングするダイボンダにも適用可能である。
また、中間ステージがなく、ダイ供給部からダイをピックアップしダイピックアップヘッドを上に回転してダイをボンディングヘッドに受け渡しボンディングヘッドで基板にボンディングするフリップチップボンダに適用可能である。
また、中間ステージとボンディングヘッドがなく、ダイ供給部からピックアップヘッドでピックアップしたダイをトレイ等に載置するダイソータに適用可能である。
11:ウェハ
13:突き上げユニット
131:ピン
136:品種切替ユニット
136a:ベース部
136b:凸部
16:ダイシングテープ
2:ピックアップ部
21:ピックアップヘッド
3:中間ステージ部
31:中間ステージ
4:ボンディング部
41:ボンディングヘッド
8:制御装置
10:ダイボンダ
D:ダイ
P:基板
Claims (14)
- ダイをダイシングテープの下から突き上げる突き上げユニットと、
前記ダイを吸着するコレットと、
を備え、
前記突き上げユニットは、
前記ダイシングテープを突き上げるための複数のピンと、
前記複数のピンのうち前記ダイのサイズに対応するピンに選択的に当接する品種切替ユニットと、
を備え、
前記品種切替ユニットは前記ピンが当接する凸部と前記ピンが当接しないベース部とを備え、
前記ベース部は円盤状のプレートである半導体製造装置。 - 請求項1の半導体製造装置において、
前記ピンが当接する凸部は前記ダイのサイズに対応する大きさであって矩形状である半導体製造装置。 - 請求項1の半導体製造装置において、
前記ベース部は傾斜可能である半導体製造装置。 - ダイをダイシングテープの下から突き上げる突き上げユニットと、
前記ダイを吸着するコレットと、
を備え、
前記突き上げユニットは、
前記ダイシングテープを突き上げるための複数のピンと、
前記複数のピンのうち前記ダイのサイズに対応するピンに選択的に当接する品種切替ユニットと、
を備え、
前記品種切替ユニットは前記ピンが当接する凸部と前記ピンが当接しないベース部とを備え、
前記品種切替ユニットは第一プーリーと第二プーリーを備え、前記ベース部はベルト状であり、前記ベース部は前記第一プーリーおよび第二プーリーで回転可能である半導体製造装置。 - 請求項4の半導体製造装置において、
前記品種切替ユニットはさらに第三プーリーを備え、
前記第一プーリーおよび第二プーリー間の距離を変更可能であり、
前記第三プーリーは移動可能であり前記ベース部の張力を調整可能である半導体製造装置。 - 請求項5の半導体製造装置において、
前記凸部は複数のダイサイズに対応して複数設けられる半導体製造装置。 - ダイをダイシングテープの下から突き上げる突き上げユニットと、
前記ダイを吸着するコレットと、
を備え、
前記突き上げユニットは、
前記ダイシングテープを突き上げるための複数のピンと、
前記複数のピンのうち前記ダイのサイズに対応するピンに選択的に当接する品種切替ユニットと、
を備え、
前記品種切替ユニットはベルト状のベース部と第一プーリーと第二プーリーと第三プーリーとを備え、前記ベース部は回転可能であり、前記第一プーリーと第二プーリーとの間隔が変更可能であり、第三プーリーは前記ベース部の張力を調整可能である半導体製造装置。 - 請求項1から7の何れか一つの半導体製造装置において、
前記ダイはさらに前記ダイと前記ダイシングテープとの間にダイアタッチフィルムを備える半導体製造装置。 - 請求項1から7のいずれか1項の半導体製造装置において、さらに、
前記コレットが装着されるピックアップヘッドを備える半導体製造装置。 - 請求項9の半導体製造装置において、さらに、
前記ピックアップヘッドでピックアップされるダイを載置する中間ステージと、
前記中間ステージに載置されるダイを基板または既にボンディングされているダイの上にボンディングするボンディングヘッドと、
を備える半導体製造装置。 - (a)請求項1乃至10のいずれか1項の半導体製造装置を準備する工程と、
(b)ダイを有するダイシングテープを保持するウェハリングを準備する工程と、
(c)基板を準備する工程と、
(d)前記突き上げユニットで前記ダイを突き上げて前記コレットで前記ダイをピックアップする工程と、
を備える半導体装置の製造方法。 - 請求項11の半導体装置の製造方法において、さらに、
(e)前記ダイを基板または既にボンディングされているダイの上にボンディングする工程を備える半導体装置の製造方法。 - 請求項12の半導体装置の製造方法において、
前記(d)工程はさらに前記ピックアップしたダイを中間ステージに載置する工程を有
し、
前記(e)工程はさらに前記中間ステージから前記ダイをピックアップする工程を有する半導体装置の製造方法。 - 請求項11の半導体装置の製造方法において、
前記(d)工程は、前記品種切替ユニットを移動させることにより、前記複数のピンのうち前記ダイのサイズに対応するピンを上昇または下降して、前記ダイをピックアップする半導体装置の製造方法。
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