TWI639210B - 半導體製造裝置及半導體裝置的製造方法 - Google Patents

半導體製造裝置及半導體裝置的製造方法 Download PDF

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Abstract

本發明的課題是在於提供一種可配合品種來容易地變更頂起單元的半導體製造裝置。
其解決手段為：半導體製造裝置具備：頂起單元，其係從切割膠帶之下頂起晶粒；及夾頭，其係吸附前述晶粒。
前述頂起單元具備：複數的銷，其係用以頂起前述切割膠帶；及品種轉換單元，其係選擇性地抵接於前述複數的銷之中對應於前述晶粒的大小之銷。

Description

半導體製造裝置及半導體裝置的製造方法
本揭示是有關半導體製造裝置，例如可適用於具備頂起單元的黏晶機(die bonder)。
一般在將被稱為晶粒的半導體晶片例如搭載於配線基板或導線架等(以下總稱叫做基板)的表面之黏晶機中，一般是利用夾頭(collet)等的吸附噴嘴來將晶粒搬送至基板上，賦予按壓力，且加熱接合材，藉此進行接合的動作(作業)重複進行。
在黏晶機等的半導體製造裝置之晶粒接合工程中，有將從半導體晶圓(以下稱為晶圓)分割的晶粒剝離的剝離工程。在剝離工程中，從切割膠帶背面藉由頂起單元來頂起晶粒，而從被保持於晶粒供給部的切割膠帶來1個1個地剝離，且使用夾頭等的吸附噴嘴來搬送至基板上。
例如，若根據日本特開2006-203023號公報(專利文獻1)，則「拾取單元15是以複數根的針16、永久磁石17、保持永久磁石17的磁石夾具18、及緻密地形成有複數的貫通孔19的針夾具20所構成。」
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2012-4393號公報
在晶粒的剝離工程中，將針等推抵於切割膠帶的背面，1個1個地剝離晶粒，但在專利文獻1的晶粒接合裝置中，當晶粒的大小為大時，需要使用鑷子等來將針插入至針夾具而增加針的根數，當晶粒的大小為小時，需要使用鑷子等來從針夾具拔出針而減少針的根數。因此，在晶粒的品種轉換時的設定是需要時間及經驗。
本揭示的課題是在於提供一種可配合品種來容易地變更頂起單元的半導體製造裝置。
其他的課題及新穎的特徵是可由本說明書的記述及附圖來明確得知。
若簡單說明本揭示之中代表性的概要，則如下記般。
亦即，半導體製造裝置具備：頂起單元，其係從切割膠帶之下頂起晶粒；及夾頭，其係吸附前述晶粒。
前述頂起單元具備：複數的銷，其係用以頂起前述切割膠帶；及品種轉換單元，其係選擇性地抵接於前述複數的銷之中對應於前述晶粒的大小之銷。
若根據上述半導體製造裝置，則可配合品種來容易地變更頂起單元。
1‧‧‧晶粒供給部
11‧‧‧晶圓
13‧‧‧頂起單元
131‧‧‧銷
136‧‧‧品種轉換單元
136a‧‧‧基部
136b‧‧‧凸部
16‧‧‧切割膠帶
2‧‧‧拾取部
21‧‧‧拾取頭
3‧‧‧中間平台部
31‧‧‧中間平台
4‧‧‧接合部
41‧‧‧接合頭
8‧‧‧控制裝置
10‧‧‧黏晶機
D‧‧‧晶粒
P‧‧‧基板
圖1是由上來看實施例的黏晶機的概念圖。
圖2是說明在圖1中由箭號A方向來看時拾取頭及接合頭的動作的圖。
圖3是表示圖1的晶粒供給部的外觀立體圖的圖。
圖4是表示圖1的晶粒供給部的主要部的概略剖面圖。
圖5是圖4的頂起單元的分解立體圖。
圖6是表示圖5的銷的柱塞機構的正面圖。
圖7是用以說明實施例的黏晶機的拾取動作的流程圖。
圖8是表示晶粒的拾取工程的剖面圖。
圖9是表示晶粒的拾取工程的剖面圖。
圖10是表示晶粒的拾取工程的剖面圖。
圖11是用以說明實施例的半導體裝置的製造方法的流程圖。
圖12是用以說明變形例1的頂起單元的剖面圖。
圖13是用以說明變形例1的頂起單元的剖面圖。
圖14是用以說明變形例2的頂起單元的剖面圖。
圖15是用以說明變形例2的頂起單元的剖面圖。
圖16是用以說明變形例2的頂起單元的剖面圖。
圖17是用以說明變形例2的頂起單元的剖面圖。
圖18是用以說明變形例3的頂起單元的剖面圖。
圖19是用以說明變形例3的頂起單元的剖面圖。
圖20是用以說明變形例4的頂起單元的剖面圖。
圖21是用以說明變形例4的頂起單元的剖面圖。
以下，利用圖面來說明有關實施例及變形例。但，在以下的說明中，對於同一構成要素附上同一符號，省略重複的說明。另外，圖面為了使說明更明確，而相較於實際的形態，有關各部的寬度、厚度、形狀等，有時模式性地表示，但無論如何乃為一例，並非是限定本發明的解釋者。
[實施例]
圖1是表示實施例的黏晶機的概略的上面圖。圖2是說明在圖1中由箭號A方向來看時，拾取頭及 接合頭的動作的圖。
黏晶機10是大致可劃分為具有：晶粒供給部1、拾取部2、中間平台部3、接合部4、搬送部5、基板供給部6、基板搬出部7、及監視控制各部的動作的控制裝置8。
首先，晶粒供給部1是供給安裝於基板P的晶粒D。晶粒供給部1是具有：保持晶圓11的晶圓保持台12、及從晶圓11頂起晶粒D之以點線表示的頂起單元13。晶粒供給部1是藉由未圖示的驅動手段來移動於XY方向，使拾取的晶粒D移動至頂起單元13的位置。
拾取部2是具有：拾取晶粒D的拾取頭21、及使拾取頭21移動於Y方向的拾取頭的Y驅動部23、以及使夾頭22昇降、旋轉及X方向移動的各驅動部(未圖示)。拾取頭21是具有將被頂起的晶粒D吸附保持於前端的夾頭22(圖2也參照)，從晶粒供給部1拾取晶粒D，載置於中間平台31。
中間平台部3是具有：暫時性地載置晶粒D的中間平台31、及用以辨識中間平台31上的晶粒D的平台辨識攝影機32。
接合部4是從中間平台31拾取晶粒D，接合於被搬送來的基板P上，或以層疊於已經被接合於基板P上的晶粒上的形式接合。
接合部4是具有：接合頭41，其係具備與拾取頭21同樣地將晶粒D吸 附保持於前端的夾頭42(圖2也參照)；Y驅動部43，其係使接合頭41移動於Y方向；及基板辨識攝影機44，其係攝取基板P的位置辨識標記(未圖示)，辨識接合位置。
藉由如此的構成，接合頭41是根據平台辨識攝影機32的攝影資料來修正拾取位置．姿勢，從中間平台31拾取晶粒D，根據基板辨識攝影機44的攝影資料來將晶粒D接合於基板P。
搬送部5是具備：載置一片或複數片的基板P(在圖1是4片)之基板搬送托盤51、及移動基板搬送托盤51的托盤軌(pallet rail)52，具有並行而設之同一構造的第1、第2搬送部。基板搬送托盤51是藉由以沿著托盤軌52而設的滾珠螺桿(未圖示)來驅動被設在基板搬送托盤51的螺帽(未圖示)而移動。
藉由如此的構成，基板搬送托盤51是以基板供給部6來載置基板P，沿著托盤軌52來移動至接合位置，接合後，移動至基板搬出部7，而將基板P交給基板搬出部7。第1、第2搬送部是彼此獨立驅動，在被載置於一方的基板搬送托盤51的基板P接合晶粒D中，另一方的基板搬送托盤51是搬出基板P，回到基板供給部6，進行載置新的基板P等的準備。
控制裝置8具備：記憶體，其係儲存監視控制黏晶機10的各部的動作之程式(軟體)；及 中央處理裝置(CPU)，其係實行被儲存於記憶體的程式。
其次，利用圖3及圖4來說明有關晶粒供給部1的構成。圖3是表示晶粒供給部的外觀立體圖的圖。圖4是表示晶粒供給部的主要部的概略剖面圖。
晶粒供給部1是具備：移動於水平方向(XY方向)的晶圓保持台12、及移動於上下方向的頂起單元13。
晶圓保持台12具有：擴張環15，其係保持晶圓環14；及支撐環17，其係被保持於晶圓環14，將黏著複數的晶粒D的切割膠帶16定位於水平。
頂起單元13是被配置於支撐環17的內側。
晶粒供給部1是在晶粒D的頂起時，使保持晶圓環14的擴張環15下降。其結果，被保持於晶圓環14的切割膠帶16會被拉伸，晶粒D的間隔會擴大，藉由頂起單元13從晶粒D下方頂起晶粒D，使晶粒D的拾取性提升。另外，隨著薄型化，將晶粒黏著於基板的黏著劑是從液狀成為薄膜狀，在晶圓11與切割膠帶16之間貼附有被稱為晶粒黏結薄膜(DAF)18的薄膜狀的黏著材料。就具有晶粒黏結薄膜18的晶圓11而言，切割是對於晶圓11與晶粒黏結薄膜18進行。因此，在剝離工程中，從切割膠帶16剝離晶圓11與晶粒黏結薄膜18。
圖5是圖4的頂起單元的分解立體圖。圖6 是表示圖5的銷的柱塞(plunger)機構的正面圖。
頂起單元13是具有圓柱狀的外形，在頂起單元13的上面的圓頂板132的周邊部是設有複數的吸引口133。吸引口133是兼任用以使銷(針)131的前端從頂起單元13的上面突出的孔。頂起單元13的內部是可藉由未圖示的吸引機構來減壓，使頂起單元13上昇而使其上面接觸於切割膠帶16的背面時，切割膠帶16的背面會緊貼於頂起單元13的上面。
頂起單元13是以用以頂起切割膠帶16的背面的複數根的銷131、銷夾具135、品種轉換單元136及夾具137所構成。銷夾具135是在銷131的一部分插入至圓頂板132的吸引口133的狀態下被固定。銷131、品種轉換單元136及夾具137是藉由未圖示的驅動機構來上下作動於頂起單元13的內部。複數根的銷131是被加工成彼此的尺寸(長度及徑)形成相等。
銷131是具備：細長的圓柱狀的主部131a、及具有比主部131a的徑更大的徑的頭部131b。彈簧138的一端會被固定於頭部131b，彈簧138的另一端是被固定於插入主部131a的套管139。套管139是被固定於銷夾具135。如此，銷131是具備柱塞機構。套管139的內徑是比銷131的主部131a的直徑更稍微大，長度是比銷131的主部131a的長度更短。
品種轉換單元136是具備圓盤板狀的基部136a及相當於晶粒大小(X×Y)的矩形狀的凸部136b。凸部 136b與基部136a的階差是即使品種轉換單元136上昇，基部136a也不會抵接於銷131的距離，比銷131的上下方向的移動距離更大。藉由改變凸部136b的大小，可改變用以頂起切割膠帶16的背面之銷131的根數。一旦形成降低夾具137的狀態，則品種轉換單元136是形成離開銷131的狀態，品種轉換單元136可更換。
插入至銷夾具135的銷131的根數是配合所想定的最大的晶粒的大小來決定。亦即，以複數根的銷131的最外周部的位置能夠與所想定的最大的大小的晶粒的最外周部大致重疊的方式調整銷131的根數。亦即，無論剝離對象的晶粒D的大小為大的情況，或晶粒D的大小為小的情況，銷131的根數為一定。以品種轉換單元136的凸部136b上的複數根的銷131的最外周部的位置能夠與晶粒D的最外周部大致重疊的方式調整凸部136b的大小。
另外，頂起單元13是亦可具備用以正確地掌握、設置品種轉換單元136的位置之位置檢測感測器或利用攝影機影像的位置辨識機能。
頂起單元13是具有只要更換品種轉換單元136便可進行大小不同的複數種類的晶粒D的拾取之特徵。藉此，不用按照晶粒D的大小來準備複數種類的頂起單元，因此可降低晶粒供給部的成本。而且，不須插拔銷131，因此即使在大小不同的複數種類的晶粒D混在的製造生產線中，也可迅速地進行拾取作業。
其次，利用圖7~10來說明有關實施例的頂起單元的拾取動作。圖7是表示拾取動作的處理流程的流程圖。圖8~10是表示晶粒的拾取工程的剖面圖。
步驟S1：控制裝置8是藉由使晶粒供給部1的擴張環15下降，將被黏著於切割膠帶16的周邊部之晶圓環14壓低至下方。如此一來，切割膠帶16會接受從其中心部往周邊部之強的張力，不鬆弛地拉伸於水平方向，因此晶粒黏結薄膜18也同時被拉伸。晶粒黏結薄膜18是在晶圓11的切割工程，晶粒D與晶粒D之間的領域會被半切，因此被拉伸的晶粒黏結薄膜18是在此領域被切斷，以晶粒單位彼此被分離。其次，為了縮小施加於切割膠帶16的水平方向的張力，而使擴張環15以低速些微上昇。
步驟S2：控制裝置8是如圖8所示般，使頂起單元13移動至成為剝離的對象之晶粒D的正下方，且使夾頭22移動至此晶粒D的上方。在夾頭22是設有複數個可將內部減壓的吸附口24，可選擇性地只吸附保持成為剝離的對象之1個的晶粒D。如圖2所示般，夾頭22是被安裝於拾取頭21的下端部。
步驟S3：控制裝置8是如圖9所示般，使頂起單元13上昇，而使其上面接觸於切割膠帶16的背面，且將頂起單元13的內部減壓。藉此，成為剝離的對象之晶粒D的下方的切割膠帶16會緊貼於頂起單元13的上面。並且，予以並行，使夾頭22下降而使其底面接觸於 晶粒D的上面，且將吸附口24的內部減壓。藉此，成為剝離的對象之晶粒D會緊貼於夾頭22的底面。
步驟S4：控制裝置8是如圖10所示般，使被內藏於頂起單元13的夾具137上昇，由頂起單元13的上面頂起銷131的前端，藉此推起切割膠帶16。並且，予以並行，將夾頭22拉起至上方，藉此晶粒D會從切割膠帶16剝離，藉由夾頭22來拉起至上方。
如此，從切割膠帶16剝離的晶粒D是在被吸附於夾頭22的狀態下，藉由拾取頭21來搬送至下個工程。
其次，利用圖11來說明有關使用實施例的黏晶機之半體裝置的製造方法。圖11是表示半導體裝置的製造方法的流程圖。
步驟S11：將保持貼附有從晶圓11分割的晶粒D的切割膠帶16之晶圓環14儲存於晶圓卡匣(未圖示)，搬入至黏晶機10。控制裝置8是從充填有晶圓環14的晶圓卡匣供給晶圓環14至晶粒供給部1。並且，準備基板P，搬入至黏晶機10。控制裝置8是以基板供給部6來將基板P載置於基板搬送托盤51。
步驟S12：控制裝置8是將依據步驟S1~S4而拾取的晶粒D載置於中間平台31。
步驟S13：控制裝置8是將從中間平台31拾取的晶粒搭載於基板P上或層疊於已經接合的晶粒上。
之後，重複步驟S12、S13，所定數的晶粒會 從切割膠帶16來1個1個剝離，安裝於基板P或晶粒上。
步驟S14：控制裝置8是在基板搬出部7從基板搬送托盤51取出接合有晶粒D的基板P。從黏晶機10搬出基板P。
在實施例中，持有柱塞機構，將銷緻密地安裝於圓頂板面，配合晶粒大小來安裝品種轉換單元，若由下以驅動系來使昇，則僅必要的場所，銷從圓頂板面突出，可拾取晶粒。並且，在驅動系降低的狀態中，品種轉換單元為了更換，只要以手動或自動來更換品種轉換單元，便可立即進行品種對應。
若以人手來進行銷的插拔，則就窄間距而言，作業性變差，但如實施例般只要事前緻密地插入便無問題。並且，藉由使用柱塞機構，可使品種轉換單元學習，因此品種更換的觸發化(one touch)成為可能。若銷是以不簡單地拔出的強度來扎入，則在插拔非常費時，當根數多時，其作業時間很多，但在實施例中藉由觸發化，不需要其時間。
可縮短品種轉換的時間。並且，可使銷的佈局錯誤或更換時的破損等的風險減少。品種轉換可自動化(半自動化)，可迴避人介入所產生的風險。期望朝自動化生產線的適用。可使銷間距更細取得緻密的佈局。
<變形例1>
利用圖12、13來說明有關變形例1的頂起單元。圖12、13是用以說明變形例1的頂起單元的剖面圖。
變形例1的頂起單元13A是除了具備可使品種轉換單元傾斜的構成以外，與實施例同樣。品種轉換單元136A是具備圓盤狀的基部136Aa及相當於晶粒大小的矩形狀的凸部136Ab。品種轉換單元136A是以軸136Ac為支點而可旋轉，藉此品種轉換單元136A是可傾斜。
變形例1的頂起單元13A之拾取動作是除了實施例的步驟S4以外，與實施例同樣。在變形例1的步驟S4中，控制裝置8是與圖10所示的品種轉換單元136同樣，使品種轉換單元136A水平上昇，由頂起單元13的上面頂起銷131的前端，藉此推起切割膠帶16。然後，如圖12所示般，使品種轉換單元136A傾斜來從單側一方降低銷131，吸引切割膠帶16。然後，如圖13所示般，使品種轉換單元136A下降，由頂起單元13A的上面降低銷131的前端。予以並行，將夾頭22拉起至上方，藉此晶粒D會從切割膠帶16剝離，藉由夾頭22來拉起至上方。在變形例1中，可比實施例更容易地將晶粒從切割膠帶剝下。
<變形例2>
利用圖14~17來說明有關變形例2的頂起單元。圖14~17是用以說明變形例2的頂起單元的剖面圖。
變形例2的頂起單元是除了品種轉換單元的 構成以外，與實施例同樣。品種轉換單元136B是具備：以薄板所形成的輪帶狀的基部136Ba、相當於晶粒大小的矩形狀的凸部136Bb、第一滑輪136Bd1及第二滑輪136Bd2。凸部136Bb是改變輪帶狀的薄板的厚度來形成。以第一滑輪136Bd1及第二滑輪136Bd2來使基部136Ba持有張力使旋轉的構造。品種轉換單元136B是可上昇及下降。並且，品種轉換單元的長度方向是能以第一滑輪136Bd1與第二滑輪136Bd2的間隔來調整。輪帶狀的基部136Ba是使用在輪帶的內側附有不使滑動的齒之同步齒型帶(timing belt)為理想。
變形例2的頂起單元13B之拾取動作是除了實施例的步驟S4以外，與實施例同樣。在變形例2的步驟S4中，控制裝置8是如圖14所示般，將品種轉換單元136B的凸部136Bb形成於下而使上昇。如圖15所示般，使輪帶狀的基部136Ba旋轉，將凸部(厚的部分)136Bb插入至銷131的下面，使銷131上昇，由頂起單元13B的上面頂起銷131的前端，藉此推起切割膠帶16。如圖16所示般，使輪帶狀的基部136Ba旋轉，從端部抽出凸部136Bb，藉此使銷131下降，由頂起單元13B的上面降低銷131的前端。予以並行，將夾頭22拉起至上方，藉此晶粒D會從切割膠帶16剝離，藉由夾頭22來拉起至上方。
在變形例2中，將改變品種轉換單元的厚度的部分(厚的部分)之凸部插入至銷之下，由單側一方升高 銷，且從銷之下拔出凸部，由單側一方降低銷，吸引切割膠帶。藉此，可比實施例更容易地剝下晶粒。
<變形例3>
利用圖18、19來說明有關變形例3的頂起單元。圖18、19是用以說明變形例3的頂起單元的剖面圖。
除了變形例3的頂起單元是除了品種轉換單元的構成以外，與實施例同樣。品種轉換單元136C是具備：以薄板所形成的輪帶狀的基部136Ca、間隔調整用的第一滑輪136Cd1、第二滑輪136Cd2及張力調整用的第三滑輪136Cd3。品種轉換單元136C是不具有變形例2般的凸部。以第一滑輪136Cd1、第二滑輪136Cd2及第三滑輪136Cd3來使基部136Ca持有張力使旋轉的構造。品種轉換單元136C是可上昇及下降。並且，品種轉換單元136C的晶粒大小的調整是以間隔調整用的第一滑輪136Cd1與第二滑輪136Cd2的間隔來調整，以張力調整用的第三滑輪136Cd3來調整基部136Ca的張力(保持於一定)而進行。而且，可藉由間隔調整用的第一滑輪136Cd1或第二滑輪136Cd2的移動來階段性地上下移動銷131。第三滑輪136Cd3是設為可上下移動的構造，設置成能以彈簧等來經常地給予一定的張力。並且，亦可配合第一滑輪136Cd1與第二滑輪136Cd2的間隔來自動調整第三滑輪136Cd3的位置。輪帶狀的基部136Ca是使用在輪帶的內側附有不使滑動的齒之同步齒型帶為理想。
變形例3的頂起單元13C之拾取動作是除了實施例的步驟S4以外，與實施例同樣。在變形例3的步驟S4中，控制裝置8是如圖18所示般，使品種轉換單元136C上昇，使銷131上昇，由頂起單元13B的上面頂起銷131的前端，藉此推起切割膠帶16。如圖19所示般，使左側的第一滑輪136Cd1移動至右側，使銷131從左端下降，而由頂起單元13B的上面降低銷131的前端。予以並行，將夾頭22拉起至上方，藉此晶粒D會從切割膠帶16剝離，藉由夾頭22拉起至上方。
在變形例3中，品種轉換單元是藉由調整滑輪的間隔，可對應於晶粒大小不同的晶粒，如實施例及變形例1搬，不須按照晶粒大小來準備複數個品種轉換單元。
在變形例3中，以滑輪的動作來控制拾取時的銷的上下動作。使品種轉換單元上昇，一度升高銷，然後使一方的間隔調整用滑輪移動至另一方的間隔調整用滑輪的方向，從單側一方降低銷，吸引切割膠帶。藉此，可使晶粒容易從切割膠帶剝下。
並且，可一邊擴大靠近一方的滑輪的間隔，一邊由單側來依序使銷上昇，或使兩方的滑輪動作，從外周部雙方降低銷，吸引切割薄板剝下，或從中央部依序頂起銷。並且，頂起開始點也可以滑輪的位置來控制。
在變形例3中，在頂起開始時間點，使張力調整用的第三滑輪136Cd3移動至上方，鬆弛基部136Ca 的張力，使品種轉換單元136C上昇，而使兩端的銷131上昇，然後使張力調整用的第三滑輪136Cd3移動至下方，提高基部136Ca的張力，可使內側的銷131慢慢地從外側上昇頂起。
<變形例4>
利用圖20、21來說明有關變形例4的頂起單元。圖20、21是用以說明變形例4的頂起單元的剖面圖。
除了變形例4的頂起單元是除了品種轉換單元的構成以外，與實施例同樣。品種轉換單元136D是具備：以薄板所形成的輪帶狀的基部136Da、相當於晶粒大小的矩形狀的第一凸部136Db1、第二凸部136Db2、第三凸部136Db3及第四凸部136Db4、間隔調整用的第一滑輪136Dd1及第二滑輪136Dd2、張力調整用的第三滑輪136Dd3。以第一滑輪136Cd1、第二滑輪136Cd2及第三滑輪136Cd3來使基部136Ca持有張力使旋轉的構造。第一凸部136Db1、第二凸部136Db2、第三凸部136Db3及第四凸部136Db4是改變輪帶狀的薄板的厚度而形成。例如，第一凸部136Db1的寬度為6mm，第二凸部136Db2的寬度為8mm，第三凸部136Db3的寬度為4mm，第四凸部136Db4的寬度為10mm。品種轉換單元136D是可上昇及下降。並且，品種轉換單元的長度方向是以間隔調整用的第一滑輪136Dd1與第二滑輪136Dd2的間隔來調整，以張力調整用的第三滑輪136Dd3來調整基部136Da的張 力(保持於一定)而進行。輪帶狀的基部136Da是使用在輪帶的內側附有不使滑動的齒之同步齒型帶為理想。
變形例4的頂起單元13D之拾取動作是除了實施例的步驟S4以外，與實施例同樣。在變形例4的步驟S4中，控制裝置8是如圖20所示般，使品種轉換單元136D上昇，使銷131上昇，由頂起單元13B的上面頂起銷131的前端，藉此推起切割膠帶16。予以並行，將夾頭22拉起至上方，藉此晶粒D會從切割膠帶16剝離，藉由夾頭22來拉起至上方。
在變形例4中，設置能以想定的晶粒的最大寬度來設置複數片的品種轉換單元之長度的輪帶狀的基部，將寬度不同的複數片的品種轉換單元設置於其基部上。藉此，可對應於晶粒大小不同的晶粒，不須如實施例及變形例1般按照晶粒大小來準備複數個品種轉換單元。並且，動工品種的變更是使基部旋轉，變更成該寬度的品種轉換單元，長度方向是調整滑輪的間隔來進行。藉此，所動工的晶粒的長度、寬度皆可自動地調整。
以上，根據實施例及變形例來具體地說明本發明者所研發的發明，但本發明並非限於上述實施例及變形例，當然可實施各種變更。
例如，在變形例4是設置輪帶狀的基部，將寬度不同的複數片的品種轉換單元設置於該基部上，但亦可將寬度不同的品種轉換薄板形成可彎曲的短的長度的履帶狀，連結形成寬度不同的各履帶。
並且，在實施例中，說明使用附著薄膜的例子，但亦可設置對基板塗佈黏著劑的預先形成部，而不使用晶粒黏結薄膜。
並且，在實施例中，說明有關從晶粒供給部以拾取頭來拾取晶粒而載置於中間平台，以接合頭來將被載置於中間平台的晶粒接合於基板之黏晶機，但並非限於此，亦可適用於從晶粒供給部拾取晶粒的半導體製造裝置。
例如，亦可適用於無中間平台及拾取頭，以接合頭來將晶粒供給部的晶粒接合於基板之黏晶機。
又，可適用於無中間平台，從晶粒供給部拾取晶粒，將晶粒拾取頭旋轉至上面而把晶粒交接至接合頭，以接合頭來接合於基板之覆晶焊接器。
又，可適用於無中間平台及接合頭，將從晶粒供給部以拾取頭來拾取的晶粒載置於托盤等之晶粒分類機。

Claims (14)

  1. 一種半導體製造裝置，其特徵係具備：頂起單元，其係從切割膠帶之下頂起晶粒；及夾頭，其係吸附前述晶粒，前述頂起單元係具備：複數的銷，其係用以頂起前述切割膠帶；及品種轉換單元，其係選擇性地抵接於前述複數的銷之中對應於前述晶粒的大小之銷，前述品種轉換單元係具備前述銷抵接的凸部及前述銷未抵接的基部。
  2. 如申請專利範圍第1項之半導體製造裝置，其中，前述基部為圓盤狀的板。
  3. 如申請專利範圍第2項之半導體製造裝置，其中，前述基部可傾斜。
  4. 如申請專利範圍第1項之半導體製造裝置，其中，前述品種轉換單元係具備第一滑輪及第二滑輪，前述基部為輪帶狀，前述基部係能以前述第一滑輪及第二滑輪來旋轉。
  5. 如申請專利範圍第4項之半導體製造裝置，其中，前述品種轉換單元更具備第三滑輪，可變更前述第一滑輪及第二滑輪間的距離，前述第三滑輪可移動，可調整前述基部的張力。
  6. 如申請專利範圍第5項之半導體製造裝置，其中，前述凸部係對應於複數的晶粒大小來設置複數個。
  7. 一種半導體製造裝置，其特徵係具備：頂起單元，其係從切割膠帶之下頂起晶粒；及夾頭，其係吸附前述晶粒，前述頂起單元係具備：複數的銷，其係用以頂起前述切割膠帶；及品種轉換單元，其係選擇性地抵接於前述複數的銷之中對應於前述晶粒的大小之銷，前述品種轉換單元係具備輪帶狀的基部、第一滑輪、第二滑輪及第三滑輪，前述基部可旋轉，前述第一滑輪與第二滑輪的間隔可變更，第三滑輪可調整前述基部的張力。
  8. 如申請專利範圍第1項之半導體製造裝置，其中，前述晶粒更在前述晶粒與前述切割膠帶之間具備晶粒黏結薄膜。
  9. 如申請專利範圍第1項之半導體製造裝置，其中，更具備安裝有前述夾頭的拾取頭。
  10. 如申請專利範圍第9項之半導體製造裝置，其中，更具備：中間平台，其係載置以前述拾取頭所拾取的晶粒；及接合頭，其係將被載置於前述中間平台的晶粒接合於基板或已經被接合的晶粒上。
  11. 一種半導體裝置的製造方法，其特徵係具備：(a)準備如申請專利範圍第1~10項中的任一項的半導體製造裝置之工程；(b)準備保持具有晶粒的切割膠帶的晶圓環之工程；(c)準備前述基板之工程；及(d)以前述頂起單元來頂起前述晶粒而以前述夾頭來拾取前述晶粒之工程。
  12. 如申請專利範圍第11項之半導體製造裝置的製造方法，其中，更具備：(e)將前述晶粒接合於基板或已經被接合的晶粒上之工程。
  13. 如申請專利範圍第12項之半導體製造裝置的製造方法，其中，前述(d)工程更具有：將前述拾取的晶粒載置於中間平台之工程，前述(e)工程更具有：從前述中間平台拾取前述晶粒之工程。
  14. 如申請專利範圍第11項之半導體製造裝置的製造方法，其中，前述(d)工程，係藉由使前述品種轉換單元移動，將前述複數的銷之中對應於前述晶粒的大小之銷上昇或下降，而拾取前述晶粒。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI747162B (zh) * 2019-03-25 2021-11-21 日商捷進科技有限公司 半導體製造裝置及半導體裝置之製造方法

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7102305B2 (ja) * 2018-09-19 2022-07-19 ファスフォードテクノロジ株式会社 ダイボンディング装置および半導体装置の製造方法
JP7217605B2 (ja) * 2018-09-21 2023-02-03 ファスフォードテクノロジ株式会社 半導体製造装置、突上げ治具および半導体装置の製造方法
US11232968B2 (en) * 2018-09-28 2022-01-25 Rohinni, LLC Variable pitch multi-needle head for transfer of semiconductor devices
KR20200039861A (ko) 2018-10-05 2020-04-17 삼성전자주식회사 반도체 패키지 소잉 장치
JP7154106B2 (ja) * 2018-10-29 2022-10-17 芝浦メカトロニクス株式会社 電子部品のピックアップ装置及び実装装置
JP7227464B2 (ja) * 2018-12-27 2023-02-22 ミツミ電機株式会社 光走査装置
CN109935545B (zh) * 2019-01-22 2022-03-18 厦门市三安集成电路有限公司 一种挑起不同尺寸晶片的顶针模组
KR102386339B1 (ko) * 2019-12-19 2022-04-13 세메스 주식회사 다이 이젝터 및 이를 포함하는 다이 이송 장치
TWI796750B (zh) * 2021-08-05 2023-03-21 梭特科技股份有限公司 中心接觸的無衝擊力固晶方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0671155B2 (ja) * 1985-05-20 1994-09-07 松下電器産業株式会社 電子部品の突上げ装置
JP2679266B2 (ja) * 1989-06-28 1997-11-19 松下電器産業株式会社 Ｉｃベアーチップの移載装置
KR100196287B1 (en) 1996-09-13 1999-06-15 Samsung Electronics Co Ltd Plunger up shaft of die bonding equipment
JP2003289084A (ja) * 2002-03-28 2003-10-10 Sanken Electric Co Ltd 半導体素子ピックアップ装置
CN100343963C (zh) * 2004-09-03 2007-10-17 财团法人工业技术研究院 多针顶出装置
JP2010129949A (ja) 2008-12-01 2010-06-10 Fuji Mach Mfg Co Ltd 部品供給装置
US8470130B2 (en) * 2009-10-20 2013-06-25 Asm Assembly Automation Ltd Universal die detachment apparatus
JP5141707B2 (ja) * 2010-03-24 2013-02-13 株式会社安川電機 被処理体の支持機構、支持方法およびそれを備えた搬送システム
JP5123357B2 (ja) 2010-06-17 2013-01-23 株式会社日立ハイテクインスツルメンツ ダイボンダ及びピックアップ装置
JP5686469B2 (ja) * 2011-01-28 2015-03-18 富士機械製造株式会社 ダイ供給装置
JP5805411B2 (ja) * 2011-03-23 2015-11-04 ファスフォードテクノロジ株式会社 ダイボンダのピックアップ方法およびダイボンダ
KR101304030B1 (ko) * 2011-12-08 2013-09-04 리드텍(주) 반도체 칩 픽업용 이젝션장치
KR101397750B1 (ko) 2012-07-25 2014-05-21 삼성전기주식회사 칩 이젝터 및 이를 이용한 칩 탈착 방법
JP6266275B2 (ja) * 2013-09-09 2018-01-24 ファスフォードテクノロジ株式会社 ダイボンダ及びボンディング方法
CN104347457B (zh) * 2014-09-17 2017-01-11 华中科技大学 一种适于顶针快速更换的芯片剥离装置
JP6324857B2 (ja) * 2014-09-18 2018-05-16 ファスフォードテクノロジ株式会社 ダイボンダ並びにボンディング方法及びピックアップ装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI747162B (zh) * 2019-03-25 2021-11-21 日商捷進科技有限公司 半導體製造裝置及半導體裝置之製造方法

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Publication number Publication date
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