CN107818941B - 半导体制造装置及半导体器件的制造方法 - Google Patents

半导体制造装置及半导体器件的制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN107818941B
CN107818941B CN201710711863.3A CN201710711863A CN107818941B CN 107818941 B CN107818941 B CN 107818941B CN 201710711863 A CN201710711863 A CN 201710711863A CN 107818941 B CN107818941 B CN 107818941B
Authority
CN
China
Prior art keywords
bare chip
unit
push
pulley
pin
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201710711863.3A
Other languages
English (en)
Other versions
CN107818941A (zh
Inventor
冈本直树
山上孝
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fasford Technology Co Ltd
Original Assignee
Fasford Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fasford Technology Co Ltd filed Critical Fasford Technology Co Ltd
Publication of CN107818941A publication Critical patent/CN107818941A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN107818941B publication Critical patent/CN107818941B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67121—Apparatus for making assemblies not otherwise provided for, e.g. package constructions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67712—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations the substrate being handled substantially vertically
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/799—Apparatus for disconnecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/98—Methods for disconnecting semiconductor or solid-state bodies

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Die Bonding (AREA)
  • Dicing (AREA)

Abstract

本发明提供一种半导体制造装置及半导体器件的制造方法，半导体制造装置能够按照品种容易地变更上推单元。半导体制造装置具备从切割带的下方上推裸芯片的上推单元、和吸附所述裸芯片的筒夹。所述上推单元具备用于上推所述切割带的多个销、和选择性地抵接于所述多个销中的与所述裸芯片的尺寸对应的销的品种切换单元。

Description

半导体制造装置及半导体器件的制造方法
技术领域
本公开涉及半导体制造装置，能够适用于例如具备上推单元的芯片贴装机。
背景技术
通常，在将被称作裸芯片的半导体芯片搭载于例如布线基板或引线框架等(以下统称为基板)的表面的芯片贴装机中，通常重复进行如下的动作(作业)：使用筒夹等吸附嘴将裸芯片搬运到基板上，赋予按压力，并且对接合材料加热，由此进行贴装。
在芯片贴装机等半导体制造装置进行的芯片贴装工序中，有将从半导体晶片(以下称作晶片)分割出的裸芯片剥离的剥离工序。在剥离工序中，利用上推单元从切割带背面上推裸芯片，从保持于裸芯片供给部的切割带逐一剥离，并使用筒夹等吸附嘴搬运到基板上。
例如，根据日本特开2006－203023号公报(专利文献1)，“拾取单元15由多根针16、永久磁铁17、保持永久磁铁17的磁铁支架18、致密地形成有多个贯穿孔19的针支架20构成”
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2012－4393号公报
在裸芯片的剥离工序中，向切割带的背面推压针等而将裸芯片逐一剥离，但在专利文献1的芯片贴装装置中，在裸芯片的尺寸大的情况下，使用镊子等将针插入针支架，增加针的根数，在裸芯片的尺寸小的情况下，需要使用镊子等从针支架拔出针来减少针的根数。因此，在对裸芯片进行品种切换时的设置需要时间和经验。
发明内容
本公开的课题在于，提供一种能够按照品种容易地变更上推单元的半导体制造装置。
其它课题和新的特征根据本说明书的记述及附图而变得明朗。
简单说明本公开中具有代表性的概要如下。
即，半导体制造装置具备将裸芯片从切割带的下方上推的上推单元、和吸附所述裸芯片的筒夹。所述上推单元具备用于上推所述切割带的多个销、和选择性地抵接于所述多个销中的与所述裸芯片的尺寸对应的销的品种切换单元。
发明效果
根据上述半导体制造装置，能够按照品种容易地变更上推单元。
附图说明
图1是从上观察实施例的芯片贴装机的概念图。
图2是说明从图1中箭头A方向观察时拾取头及贴装头的动作的图。
图3是表示图1的裸芯片供给部的外观立体图。
图4是表示图1的裸芯片供给部的主要部分的概略剖视图。
图5是图4的上推单元的分解立体图。
图6是表示图5的销的柱塞机构的主视图。
图7是用于说明实施例的芯片贴装机的拾取动作的流程图。
图8是表示裸芯片的拾取工序的剖视图。
图9是表示裸芯片的拾取工序的剖视图。
图10是表示裸芯片的拾取工序的剖视图。
图11是用于说明实施例的半导体器件的制造方法的流程图。
图12是用于说明变形例1的上推单元的剖视图。
图13是用于说明变形例1的上推单元的剖视图。
图14是用于说明变形例2的上推单元的剖视图。
图15是用于说明变形例2的上推单元的剖视图。
图16是用于说明变形例2的上推单元的剖视图。
图17是用于说明变形例2的上推单元的剖视图。
图18是用于说明变形例3的上推单元的剖视图。
图19是用于说明变形例3的上推单元的剖视图。
图20是用于说明变形例4的上推单元的剖视图。
图21是用于说明变形例4的上推单元的剖视图。
附图标记说明
1：裸芯片供给部
11：晶片
13：上推单元
131：销
136：品种切换单元
136a：基部
136b：凸部
16：切割带
2：拾取部
21：拾取头
3：中间载台部
31：中间载台
4：贴装部
41：贴装头
8：控制装置
10：芯片贴装机
D：裸芯片
P：基板
具体实施方式
以下，使用附图说明实施例及变形例。但是，在以下的说明中，对于同一构成要素标注同一附图标记，有时省略重复的说明。此外，附图中，为了使说明更明确，与实际的方式相比，有时示意性示出各部分的宽度、厚度、形状等，但只不过是一例，而非限定本发明的解释。
实施例
图1是表示实施例的芯片贴装机的概略的俯视图。图2是从图1中箭头A方向观察时，说明拾取头及贴装头的动作的图。
芯片贴装机10大体具有裸芯片供给部1、拾取部2、中间载台部3、贴装部4、搬运部5、基板供给部6、基板搬出部7、监视并控制各部的动作的控制装置8。
首先，裸芯片供给部1供给向基板P上安装的裸芯片D。裸芯片供给部1具有保持晶片11的晶片保持台12、和从晶片11上推裸芯片D的用虚线表示的上推单元13。裸芯片供给部1通过未图示的驱动单元沿XY方向移动，使拾取的裸芯片D向上推单元13的位置移动。
拾取部2具有拾取裸芯片D的拾取头21、使拾取头21沿Y方向移动的拾取头的Y驱动部23、使筒夹22升降、旋转及沿X方向移动的未图示的各驱动部。拾取头21具有将上推后的裸芯片D吸附保持于前端的筒夹22(也参照图2)，从裸芯片供给部1拾取裸芯片D，将其载置于中间载台31。
中间载台部3具有临时载置裸芯片D的中间载台31、和用于识别中间载台31上的裸芯片D的载台识别摄像头32。
贴装部4从中间载台31拾取裸芯片D，将其贴装于搬运来的基板P上，或者以叠层于已贴装于基板P上的裸芯片之上的形式贴装。贴装部4具有与拾取头21同样地具备前端吸附保持裸芯片D的筒夹42(也参照图2)的贴装头41、使贴装头41沿Y方向移动的Y驱动部43、拍摄基板P的位置识别标记(未图示)并识别贴装位置的基板识别摄像头44。
通过这样的结构，贴装头41基于载台识别摄像头32的拍摄数据修正拾取位置/姿势，从中间载台31拾取裸芯片D，并基于基板识别摄像头44的拍摄数据在基板P上贴装裸芯片D。
搬运部5具有并行设置的同一构造的第一、第二搬运部，各搬运部具备载置一张或多张基板P(图1中为4张)的基板搬运托盘51、和供基板搬运托盘51移动的托盘轨道52。基板搬运托盘51通过由沿着托盘轨道52设置的未图示的滚珠丝杠驱动设置于基板搬运托盘51的未图示的螺母来进行移动。
通过这样的结构，基板搬运托盘51在基板供给部6载置基板P并沿着托盘轨道52将其移动至贴装位置进行贴装后，移动至基板搬出部7，将基板P交接到基板搬出部7。第一、第二搬运部被相互独立地驱动，在载置于一基板搬运托盘51上的基板P贴装裸芯片D时，另一基板搬运托盘51搬出基板P，使其返回基板供给部6，进行载置新的基板P等的准备。
控制装置8具备保存监视并控制芯片贴装机10的各部分动作的程序(软件)的存储器、和执行保存于存储器的程序的中央处理装置(CPU)。
接着，使用图3及图4说明裸芯片供给部1的结构。图3是表示裸芯片供给部的外观立体图的图。图4是表示裸芯片供给部的主要部分的概略剖视图。
裸芯片供给部1具备沿水平方向(XY方向)移动的晶片保持台12、和沿上下方向移动的上推单元13。晶片保持台12具有保持晶片环14的扩展环15、将保持于晶片环14且粘接有多个裸芯片D的切割带16水平定位的支承环17。上推单元13配置于支承环17的内侧。
裸芯片供给部1在上推裸芯片D时，使保持晶片环14的扩展环15下降。其结果为，拉伸被保持于晶片环14的切割带16，裸芯片D的间隔加宽，利用上推单元13从裸芯片D下方上推裸芯片D，提高裸芯片D的拾取性。此外，伴随薄型化而将裸芯片粘接于基板的粘接剂从液状成为膜状，在晶片11和切割带16之间贴附有被称作粘片膜(DAF)18的膜状的粘接材料。在具有粘片膜18的晶片11中，切割对晶片11和粘片膜18进行。因此，在剥离工序中，将晶片11和粘片膜18从切割带16剥离。
图5是图4的上推单元的分解立体图。图6是表示图5的销的柱塞机构的主视图。
上推单元13具有圆柱状的外形，在上推单元13的上表面的圆顶板132的周边部设置有多个吸引口133。吸引口133兼作用于使销(针)131的前端从上推单元13的上表面突出的孔。上推单元13的内部通过未图示的吸引机构减压，在使上推单元13上升，使其上表面与切割带16的背面接触时，切割带16的背面与上推单元13的上表面紧贴。
上推单元13由用于上推切割带16的背面的多根销131、销保持架135、品种切换单元136、支架137构成。销保持架135以将销131的一部分插入圆顶板132的吸引口133的状态固定。销131、品种切换单元136及支架137通过未图示的驱动机构在上推单元13的内部上下移动。多根销131以相互的尺寸(长度及直径)相等的方式进行加工。
销131具备细长的圆柱状的主部131a、和具有比主部131a的直径大的直径的头部131b。在头部131b固定有弹簧138的一端，弹簧138的另一端固定于插入有主部131a的套筒139。套筒139固定于销保持架135。这样，销131具备柱塞机构。套筒139的内径比销131的主部131a的直径稍大，长度比销131的主部131a的长度短。
品种切换单元136具备圆盘板状的基部136a和相当于裸芯片尺寸(X×Y)的矩形状的凸部136b。凸部136b和基部136a的高低差为即使品种切换单元136上升，基部136a也不会与销131抵接的距离，比销131的上下方向的移动距离大。通过变更凸部136b的大小，能够改变用于上推切割带16的背面的销131的根数。若设为降低了支架137的状态，则品种切换单元136成为远离销131的状态，能够进行品种切换单元136的更换。
插入销保持架135的销131的根数按照假定的最大的裸芯片尺寸来决定。即，以多根销131的最外周部的位置与假定的最大尺寸的裸芯片的最外周部大致重合的方式调整销131的根数。即，无论是作为剥离对象的裸芯片D的尺寸大的情况、还是裸芯片D的尺寸小的情况，销131的根数均为一定。以品种切换单元136的凸部136b上的多根销131的最外周部的位置与裸芯片D的最外周部大致重合的方式调整凸部136b的大小。
此外，上推单元13也可以具备用于准确地掌握、设置品种切换单元136的位置的位置检测传感器或摄像头影像实现的位置识别功能。
上推单元13具有仅更换品种切换单元136即能够对尺寸不同的多种裸芯片D进行拾取的特征。由此，由于无需根据裸芯片D的尺寸准备多种上推单元，所以能够实现裸芯片供给部的成本降低。进而，由于不需要插拔销131，所以在尺寸不同的多种裸芯片D混在的制造生产线上，也能够迅速地进行拾取作业。
接着，使用图7～图10说明实施例的上推单元的拾取动作。图7是表示拾取动作的处理流程的流程图。图8～10是表示裸芯片的拾取工序的剖视图。
步骤S1：控制装置8通过使裸芯片供给部1的扩展环15下降，将粘接于切割带16的周边部的晶片环14向下方按压。由此，切割带16承受从其中心部朝向周边部的很强的张力而沿水平方向非松弛地被拉伸，因此，粘片膜18也同时被拉伸。粘片膜18因为在晶片11的切割工序中将裸芯片D与裸芯片D之间的区域切割一半，所以被拉伸的粘片膜18在该区域被切断，以裸芯片为单位相互分离。接着，为了减小施加于切割带16的水平方向的张力，使扩展环15以低速稍微上升。
步骤S2：如图8所示，控制装置8使上推单元13向成为剥离对象的裸芯片D的正下方移动，同时，使筒夹22向该裸芯片D的上方移动。在筒夹22上设置有多个能够将内部减压的吸附口24，能够选择性地仅吸附、保持成为剥离对象的一个裸芯片D。如图2所示，筒夹22安装于拾取头21的下端部。
步骤S3：如图9所示，控制装置8使上推单元13上升，使其上表面与切割带16的背面接触，将上推单元13的内部减压。由此，成为剥离对象的裸芯片D的下方的切割带16紧贴于上推单元13的上表面。另外，与此同时，使筒夹22下降，使其底面与裸芯片D的上表面接触，将吸附口24的内部减压。由此，成为剥离对象的裸芯片D密合于筒夹22的底面。
步骤S4：如图10所示，控制装置8使内置于上推单元13的支架137上升，将销131的前端从上推单元13的上表面上推，由此推起切割带16。另外，与此同时，将筒夹22向上方提升，由此，裸芯片D从切割带16剥离，并利用筒夹22向上方提升。
这样，从切割带16剥离的裸芯片D以吸附于筒夹22的状态被拾取头21搬运到下一工序。
接着，使用图11说明使用了实施例的芯片贴装机的半体装置的制造方法。图11是表示半导体器件的制造方法的流程图。
步骤S11：将保持着贴附有从晶片11分割的裸芯片D的切割带16的晶片环14保存于晶片盒(未图示)，并搬入芯片贴装机10。控制装置8从填充有晶片环14的晶片盒将晶片环14供给到裸芯片供给部1。另外，准备基板P，并将其搬入芯片贴装机10。控制装置8通过基板供给部6将基板P载置于基板搬运托盘51。
步骤S12：控制装置8将通过步骤S1～S4所拾取的裸芯片D载置于中间载台31。
步骤S13：控制装置8将从中间载台31拾取的裸芯片叠层于搭载或已贴装于基板P上的裸芯片上。
之后，重复步骤S12、S13，将规定数的裸芯片从切割带16逐一剥离，安装于基板P或裸芯片之上。
步骤S14：控制装置8通过基板搬出部7从基板搬运托盘51取出贴装有裸芯片D的基板P。从芯片贴装机10搬出基板P。
在实施例中，若将具有柱塞机构的销致密地安装于圆顶板面，按照裸芯片尺寸安装品种切换单元并利用驱动系统从下方上升，则能够仅在必要的场所从圆顶板面顶出销，拾取裸芯片。另外，只要在驱动系统下降的状态下为了能够进行更换而手动或自动地更换品种切换单元，品种切换单元能够立即对应于各品种。
当用人手进行销的插拔时，因窄间距而作业性变差，但只要仅如实施例那样事先致密地插入则就没有问题。另外，通过使用柱塞机构，能够适应品种切换单元，因此，能够实现品种更换的一键式操作(one touch)化。若销以无法轻易拔出的强度刺入，则插拔销非常耗费时间，在根数多的情况下，该作业时间极长，但在实施例中，通过一键式操作化而不需要该时间。
能够缩短品种切换的时间。另外，减少销的设计错误或更换时的破损等的风险。能够实现品种切换的自动化(半自动化)，能够避免介由人所致的风险。期望对自动化生产线的应用。能够使销间距更小而取得致密的设计。
＜变形例1＞
使用图12、13说明变形例1的上推单元。图12、13是用于说明变形例1的上推单元的剖视图。
变形例1的上推单元13A除具备能够倾斜品种切换单元的结构之外，与实施例相同。品种切换单元136A具备圆盘状的基部136Aa和与裸芯片尺寸相当的矩形状的凸部136Ab。品种切换单元136A以轴136Ac为支点可旋转，由此，品种切换单元136A能够倾斜。
变形例1的上推单元13A进行的拾取动作除实施例的步骤S4之外，与实施例相同。在变形例1的步骤S4中，控制装置8与图10所示的品种切换单元136相同，使品种切换单元136A水平上升，将销131的前端从上推单元13的上表面上推，由此，推起切割带16。之后，如图12所示，将品种切换单元136A倾斜，从单侧一方降下销131，吸引切割带16。之后，如图13所示，使品种切换单元136A下降，将销131的前端从上推单元13A的上表面降下。与此同时，通过将筒夹22向上方提升，裸芯片D从切割带16剥离，利用筒夹22向上方提升。变形例1中，与实施例相比，能够容易地将裸芯片从切割带剥下。
＜变形例2＞
使用图14～图17说明变形例2的上推单元。图14～17是用于说明变形例2的上推单元的剖视图。
变形例2的上推单元除品种切换单元的结构之外，与实施例相同。品种切换单元136B具备由片材形成的带状的基部136Ba、与裸芯片尺寸相当的矩形状的凸部136Bb、第一带轮136Bd1、和第二带轮136Bd2。凸部136Bb通过改变带状的片材的厚度而形成。是通过第一带轮136Bd1和第二带轮136Bd2使基部136Ba具有张力并进行旋转的构造。品种切换单元136B可上升及下降。另外，品种切换单元的长度方向可通过第一带轮136Bd1和第二带轮136Bd2的间隔进行调整。作为带状的基部136Ba，优选使用带的内侧带有不打滑的锯齿的同步带。
变形例2的上推单元13B进行拾取动作除实施例的步骤S4之外，与实施例相同。在变形例2的步骤S4中，如图14所示，控制装置8使品种切换单元136B的凸部136Bb位于下方并使其上升。如图15所示，使带状的基部136Ba旋转，将凸部(厚的部分)136Bb插入销131之下，使销131上升，将销131的前端从上推单元13B的上表面上推，由此，推起切割带16。如图16所示，使带状的基部136Ba旋转，将凸部136Bb从端部拉出，由此使销131下降，使销131的前端从上推单元13B的上表面降下。与此同时，通过将筒夹22向上方提升，使裸芯片D从切割带16剥离，并利用筒夹22向上方提升。
变形例2中，将改变了品种切换单元的厚度的部分(厚的部分)即凸部插入销的下方，从单侧一方提升销，另外，将凸部从销的下方撤出，从单侧一方降下销，吸引切割带。由此，与实施例相比，能够更容易地剥下裸芯片。
＜变形例3＞
使用图18、19说明变形例3的上推单元。图18、19是用于说明变形例3的上推单元的剖视图。
变形例3的上推单元除品种切换单元的结构之外，与实施例相同。品种切换单元136C具备由片材形成的带状的基部136Ca、间隔调整用的第一带轮136Cd1、第二带轮136Cd2、张力调整用的第三带轮136Cd3。品种切换单元136C不具有变形例2的凸部。是通过第一带轮136Cd1、第二带轮136Cd2及第三带轮136Cd3使基部136Ca具有张力并进行旋转的构造。品种切换单元136C可上升及下降。另外，品种切换单元136C对裸芯片尺寸的调整通过间隔调整用的第一带轮136Cd1和第二带轮136Cd2的间隔进行调整，利用张力调整用的第三带轮136Cd3调整基部136Ca的张力(保持为一定)而进行。另外，通过间隔调整用的第一带轮136Cd1或第二带轮136Cd2的移动，能够使销131阶段性地上下移动。第三带轮136Cd3为可上下移动的构造，被设置为通过弹簧等总是赋予一定的张力。另外，也可以按照第一带轮136Cd1和第二带轮136Cd2的间隔，自动调整第三带轮136Cd3的位置。作为带状的基部136Ca，优选使用带的内侧带有不打滑的锯齿的同步带。
变形例3的上推单元13C进行的拾取动作除实施例的步骤S4之外，与实施例相同。在变形例3的步骤S4中，如图18所示，控制装置8使品种切换单元136C上升，使销131上升，将销131的前端从上推单元13B的上表面上推，由此，推起切割带16。如图19所示，使左侧的第一带轮136Cd1向右侧移动，使销131从左端下降，使销131的前端从上推单元13B的上表面降下。与此同时，通过将筒夹22向上方提升，裸芯片D从切割带16剥离，并利用筒夹22向上方提升。
变形例3中，品种切换单元通过调整带轮的间隔，能够对应裸芯片尺寸不同的裸芯片，不需要如实施例及变形例1那样根据裸芯片尺寸准备多个品种切换单元。
变形例3中，通过带轮的动作控制拾取时的销的上下动作。使品种切换单元上升并依次提升销，之后，使一个间隔调整用带轮向另一个间隔调整用带轮的方向移动，从单侧一方降下销，吸引切割带。由此，能够容易地从切割带剥下裸芯片。
另外，能够一边加宽靠向一方的带轮的间隔一边从单侧依次使销上升，或者使两带轮动作并从外周部双方降下销来吸引剥离切割片，或者从中央部依次上推销。另外，上推开始时间点也能够在带轮的位置进行控制。
变形例3中，在上推开始时间点使张力调整用的第三带轮136Cd3向上移动，释放基部136Ca的张力，使品种切换单元136C上升，使两端的销131上升，之后，使张力调整用的第三带轮136Cd3向下移动，提升基部136Ca的张力，能够使内侧的销131逐渐从外侧上升而进行上推。
＜变形例4＞
使用图20、21说明变形例4的上推单元。图20、21是用于说明变形例4的上推单元的剖视图。
变形例4的上推单元除品种切换单元的结构之外，与实施例相同。品种切换单元136D具备由片材形成的带状的基部136Da、与裸芯片尺寸相当的矩形状的第一凸部136Db1、第二凸部136Db2、第三凸部136Db3及第四凸部136Db4、间隔调整用的第一带轮136Dd1及第二带轮136Dd2、张力调整用的第三带轮136Dd3。该变形例4是通过第一带轮136Dd1、第二带轮136Dd2及第二带轮136Dd3使基部136Ca具有张力并进行旋转的构造。第一凸部136Db1、第二凸部136Db2、第三凸部136Db3及第四凸部136Db4通过改变带状的片材的厚度而形成。例如，第一凸部136Db1的宽度为6mm，第二凸部136Db2的宽度为8mm，第三凸部136Db3的宽度为4mm，第四凸部136Db4的宽度为10mm。品种切换单元136D能够上升及下降。另外，品种切换单元的长度方向通过间隔调整用的第一带轮136Dd1和第二带轮136Dd2的间隔进行调整，通过张力调整用的第三带轮136Dd3调整基部136Da的张力(保持为一定)而进行。作为带状的基部136Da，优选使用带的内侧带有不打滑的锯齿的同步带。
变形例4的上推单元13D进行的拾取动作除实施例的步骤S4之外，与实施例相同。在变形例4的步骤S4中，如图20所示，控制装置8通过使品种切换单元136D上升并使销131上升，将销131的前端从上推单元13B的上表面上推，由此推起切割带16。与此同时，通过将筒夹22向上方提升，裸芯片D从切割带16剥离，并利用筒夹22向上方提升。
变形例4中，设置能够以假定的裸芯片的最大宽度设置多个品种切换单元的长度的带状的基部，将宽度不同的多个品种切换单元设置于该基部之上。由此，能够与裸芯片尺寸不同的裸芯片进行对应，不需要如实施例及变形例1那样按照裸芯片尺寸准备多个品种切换单元。另外，处理品种的变更是通过使基部旋转并变更为该宽度的品种切换单元且在长度方向上通过调整带轮的间隔来进行的。由此，处理的裸芯片的长度、宽度均能够自动地调整。
以上，基于实施例及变形例具体说明由本发明者实施的发明，但本发明不限于上述实施例及变形例，能够进行各种变更。
例如，变形例4中，设置带状的基部，将宽度不同的多个品种切换单元设置于该基部之上，但也可以将宽度不同的品种切换片形成为能够弯曲的长度段的履带状，将宽度不同的各履带连结而形成。
另外，实施例中，说明了使用粘着膜的例子，但也可以设置在基板上涂敷粘接剂的预成型部，而不使用粘片膜。
另外，实施例中，对由拾取头从裸芯片供给部拾取裸芯片并将其载置于中间载台上，且将载置于中间载台的裸芯片用贴装头与基板接合的芯片贴装机进行了说明，但不限于此，也能够适用于从裸芯片供给部拾取裸芯片的半导体制造装置。
例如，也能够适用于没有中间载台和拾取头而用贴装头将裸芯片供给部的裸芯片与基板接合的芯片贴装机。
另外，能够适用于没有中间载台而从裸芯片供给部拾取裸芯片并使裸芯片拾取头朝上进行旋转，将裸芯片交接给贴装头并用贴装头与基板接合的倒装片焊接机。
另外，能够适用于没有中间载台和贴装头而将用拾取头从裸芯片供给部拾取的裸芯片载置于托盘等的芯片分选机。

Claims (15)

1.一种半导体制造装置，其特征在于，具备：
上推单元，其从切割带的下方上推裸芯片；
筒夹，其吸附所述裸芯片，
所述上推单元具备：
多个销，其用于上推所述切割带；以及
品种切换单元，其选择性地抵接于所述多个销中的与所述裸芯片的尺寸对应的销，
所述品种切换单元具备供所述销抵接的凸部和所述销不抵接的基部，
所述基部能够倾斜。
2.根据权利要求1所述的半导体制造装置，其特征在于，
所述上推单元还具备能够更换所述品种切换单元的保持架。
3.一种半导体制造装置，其特征在于，具备：
上推单元，其从切割带的下方上推裸芯片；
筒夹，其吸附所述裸芯片，
所述上推单元具备：
多个销，其用于上推所述切割带；以及
品种切换单元，其选择性地抵接于所述多个销中的与所述裸芯片的尺寸对应的销，
所述品种切换单元具备供所述销抵接的凸部和所述销不抵接的基部，
所述基部为圆盘状的板。
4.根据权利要求3所述的半导体制造装置，其特征在于，
所述上推单元为圆柱状。
5.一种半导体制造装置，其特征在于，具备：
上推单元，其从切割带的下方上推裸芯片；
筒夹，其吸附所述裸芯片，
所述上推单元具备：
多个销，其用于上推所述切割带；以及
品种切换单元，其选择性地抵接于所述多个销中的与所述裸芯片的尺寸对应的销，
所述品种切换单元具备供所述销抵接的凸部和所述销不抵接的基部，
所述品种切换单元具备第一带轮和第二带轮，所述基部为带状，所述基部能够利用所述第一带轮及所述第二带轮旋转。
6.根据权利要求5所述的半导体制造装置，其特征在于，
所述品种切换单元还具备第三带轮，
所述品种切换单元能够变更所述第一带轮及第二带轮间的距离，
所述第三带轮能够移动，能够调整所述基部的张力。
7.根据权利要求6所述的半导体制造装置，其特征在于，
所述凸部与多个裸芯片尺寸对应地设置有多个。
8.一种半导体制造装置，其特征在于，具备：
上推单元，其从切割带的下方上推裸芯片；
筒夹，其吸附所述裸芯片，
所述上推单元具备：
多个销，其用于上推所述切割带；以及
品种切换单元，其选择性地抵接于所述多个销中的与所述裸芯片的尺寸对应的销，
所述品种切换单元具备供所述销抵接的凸部和所述销不抵接的基部，
所述品种切换单元具备带状的基部、第一带轮、第二带轮、和第三带轮，所述基部能够旋转，所述第一带轮与第二带轮的间隔能够变更，第三带轮能够调整所述基部的张力。
9.根据权利要求1、3、5、8中任一项所述的半导体制造装置，其特征在于，
所述裸芯片还在所述裸芯片与所述切割带之间具备粘片膜。
10.根据权利要求1、3、5、8中任一项所述的半导体制造装置，其特征在于，
还具备安装有所述筒夹的拾取头。
11.根据权利要求10所述的半导体制造装置，其特征在于，还具备：
中间载台，其载置由所述拾取头拾取的裸芯片；
贴装头，其将载置于所述中间载台的裸芯片贴装于基板或已贴装的裸芯片之上。
12.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，具备：
(a)准备权利要求1～8中任一项所述的半导体制造装置的工序；
(b)准备保持具有裸芯片的切割带的晶片环的工序；
(c)准备基板的工序；
(d)由所述上推单元上推所述裸芯片并由所述筒夹拾取所述裸芯片的工序。
13.根据权利要求12所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，还具备：
(e)将所述裸芯片贴装于基板或已贴装的裸芯片之上的工序。
14.根据权利要求13所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，
所述(d)工序还具有将拾取的所述裸芯片载置于中间载台的工序，
所述(e)工序还具有从所述中间载台拾取所述裸芯片的工序。
15.根据权利要求12所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，
所述(d)工序中，通过使所述品种切换单元移动，使所述多个销中的与所述裸芯片的尺寸对应的销上升或下降，拾取所述裸芯片。
CN201710711863.3A 2016-09-12 2017-08-18 半导体制造装置及半导体器件的制造方法 Active CN107818941B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016177850A JP6637397B2 (ja) 2016-09-12 2016-09-12 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
JP2016-177850 2016-09-12

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107818941A CN107818941A (zh) 2018-03-20
CN107818941B true CN107818941B (zh) 2021-08-27

Family

ID=61600903

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710711863.3A Active CN107818941B (zh) 2016-09-12 2017-08-18 半导体制造装置及半导体器件的制造方法

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP6637397B2 (zh)
KR (1) KR101970401B1 (zh)
CN (1) CN107818941B (zh)
TW (1) TWI639210B (zh)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7102305B2 (ja) * 2018-09-19 2022-07-19 ファスフォードテクノロジ株式会社 ダイボンディング装置および半導体装置の製造方法
JP7217605B2 (ja) * 2018-09-21 2023-02-03 ファスフォードテクノロジ株式会社 半導体製造装置、突上げ治具および半導体装置の製造方法
US11232968B2 (en) * 2018-09-28 2022-01-25 Rohinni, LLC Variable pitch multi-needle head for transfer of semiconductor devices
KR20200039861A (ko) 2018-10-05 2020-04-17 삼성전자주식회사 반도체 패키지 소잉 장치
JP7154106B2 (ja) * 2018-10-29 2022-10-17 芝浦メカトロニクス株式会社 電子部品のピックアップ装置及び実装装置
KR102656718B1 (ko) * 2018-11-05 2024-04-12 세메스 주식회사 다이 이젝팅 장치
JP7227464B2 (ja) * 2018-12-27 2023-02-22 ミツミ電機株式会社 光走査装置
CN109935545B (zh) * 2019-01-22 2022-03-18 厦门市三安集成电路有限公司 一种挑起不同尺寸晶片的顶针模组
JP7274902B2 (ja) * 2019-03-25 2023-05-17 ファスフォードテクノロジ株式会社 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
KR102386339B1 (ko) * 2019-12-19 2022-04-13 세메스 주식회사 다이 이젝터 및 이를 포함하는 다이 이송 장치
TWI796750B (zh) * 2021-08-05 2023-03-21 梭特科技股份有限公司 中心接觸的無衝擊力固晶方法
TWI832358B (zh) * 2022-08-02 2024-02-11 梭特科技股份有限公司 晶粒剝離方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003289084A (ja) * 2002-03-28 2003-10-10 Sanken Electric Co Ltd 半導体素子ピックアップ装置
CN1744294A (zh) * 2004-09-03 2006-03-08 财团法人工业技术研究院 多针顶出装置
CN104347457A (zh) * 2014-09-17 2015-02-11 华中科技大学 一种适于顶针快速更换的芯片剥离装置

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0671155B2 (ja) * 1985-05-20 1994-09-07 松下電器産業株式会社 電子部品の突上げ装置
JP2679266B2 (ja) * 1989-06-28 1997-11-19 松下電器産業株式会社 Ｉｃベアーチップの移載装置
KR100196287B1 (en) 1996-09-13 1999-06-15 Samsung Electronics Co Ltd Plunger up shaft of die bonding equipment
JP2010129949A (ja) 2008-12-01 2010-06-10 Fuji Mach Mfg Co Ltd 部品供給装置
US8470130B2 (en) * 2009-10-20 2013-06-25 Asm Assembly Automation Ltd Universal die detachment apparatus
JP5141707B2 (ja) * 2010-03-24 2013-02-13 株式会社安川電機 被処理体の支持機構、支持方法およびそれを備えた搬送システム
JP5123357B2 (ja) 2010-06-17 2013-01-23 株式会社日立ハイテクインスツルメンツ ダイボンダ及びピックアップ装置
JP5686469B2 (ja) * 2011-01-28 2015-03-18 富士機械製造株式会社 ダイ供給装置
JP5805411B2 (ja) * 2011-03-23 2015-11-04 ファスフォードテクノロジ株式会社 ダイボンダのピックアップ方法およびダイボンダ
KR101304030B1 (ko) * 2011-12-08 2013-09-04 리드텍(주) 반도체 칩 픽업용 이젝션장치
KR101397750B1 (ko) 2012-07-25 2014-05-21 삼성전기주식회사 칩 이젝터 및 이를 이용한 칩 탈착 방법
JP6266275B2 (ja) * 2013-09-09 2018-01-24 ファスフォードテクノロジ株式会社 ダイボンダ及びボンディング方法
JP6324857B2 (ja) * 2014-09-18 2018-05-16 ファスフォードテクノロジ株式会社 ダイボンダ並びにボンディング方法及びピックアップ装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003289084A (ja) * 2002-03-28 2003-10-10 Sanken Electric Co Ltd 半導体素子ピックアップ装置
CN1744294A (zh) * 2004-09-03 2006-03-08 财团法人工业技术研究院 多针顶出装置
CN104347457A (zh) * 2014-09-17 2015-02-11 华中科技大学 一种适于顶针快速更换的芯片剥离装置

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Study on peeling behavior in pick-up process of IC chip with adhesive tapes;Saiki, N.; Inaba, K.; Kishimoto, K.; 等;《Journal of Solid Mechanics and Materials Engineering》;20100731;第4卷(第7期);全文 *
集成电路粘片机视觉检测技术研究;郭强生等;《电子工业专用设备》;20050715(第07期);全文 *

Also Published As

Publication number Publication date
JP6637397B2 (ja) 2020-01-29
KR101970401B1 (ko) 2019-04-18
TW201812992A (zh) 2018-04-01
KR20180029852A (ko) 2018-03-21
TWI639210B (zh) 2018-10-21
JP2018046060A (ja) 2018-03-22
CN107818941A (zh) 2018-03-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107818941B (zh) 半导体制造装置及半导体器件的制造方法
JP4021614B2 (ja) 半導体素子のピックアップ用治具、半導体素子のピックアップ装置、半導体素子のピックアップ方法、半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置
JP6086763B2 (ja) コレットクリーニング方法及びそれを用いたダイボンダ
CN108346585B (zh) 半导体制造装置及半导体器件的制造方法
JP4390503B2 (ja) 部品実装装置及び部品実装方法
CN107622955B (zh) 半导体制造装置及半导体器件的制造方法
CN108400096B (zh) 半导体制造装置及半导体器件的制造方法
JP3861710B2 (ja) 電子部品供給装置および電子部品実装装置
CN110943008A (zh) 半导体制造装置、顶推夹具及半导体器件的制造方法
JP3870803B2 (ja) チップ部品供給装置
JP3610941B2 (ja) 電子部品実装装置
JP2000022395A (ja) 電子部品の実装方法および実装装置
JP2004241685A (ja) ペレット搬送装置、ペレットボンディング方法およびペレットボンディング装置
JP7137306B2 (ja) 電子部品装着装置
JP4875263B2 (ja) ダイボンディング方法
JP3712695B2 (ja) 半導体組立装置における製品供給装置
JP7035273B2 (ja) 電子部品剥離装置及び電子部品の剥離方法
JP7340774B2 (ja) 部品圧着装置および部品圧着方法
CN112530834B (zh) 芯片贴装装置、剥离单元、筒夹及半导体器件的制造方法
JP7398651B2 (ja) 部品圧着装置および部品圧着方法
JP2006339436A (ja) 半導体チップの実装装置及び実装方法
JP2006147705A (ja) 半導体装置の移送装置および半導体装置の移送方法
JP2009158613A (ja) 電子部品剥離装置
CN114792647A (zh) 芯片贴装装置以及半导体器件的制造方法
JP2005033065A (ja) 電子部品ピックアップ装置、電子部品ピックアップ方法及び電子部品ピックアッププログラム

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant