JP6797569B2 - 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
本開示の課題は突き上げユニットを品種に合わせて容易に変更することが可能な半導体製造装置を提供することにある。
その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
すなわち、半導体製造装置は、ダイをダイシングテープの下から突き上げる突き上げユニットと、前記ダイを吸着するコレットと、を備える。前記突き上げユニットは、前記ダイシングテープと接触する四角状の複数のブロックを有する第1ユニットと、前記複数のブロックのそれぞれに独立して上下動を伝える同心円状の複数のブロックを有する第2ユニットと、を備える。前記第1ユニットは前記第2ユニットの上に装着される。
このような構成によって、ボンディングヘッド41は、ステージ認識カメラ32の撮像データに基づいてピックアップ位置・姿勢を補正し、中間ステージ31からダイDをピックアップし、基板認識カメラ44の撮像データに基づいて基板PにダイDをボンディングする。
このような構成によって、基板搬送パレット51は、基板供給部6で基板Pを載置し、パレットレール52に沿ってボンディング位置まで移動し、ボンディング後、基板搬出部7まで移動して、基板搬出部7に基板Pを渡す。第1、第2搬送部は、互いに独立して駆動され、一方の基板搬送パレット51に載置された基板PにダイDをボンディング中に、他方の基板搬送パレット51は、基板Pを搬出し、基板供給部6に戻り、新たな基板Pを載置するなどの準備を行なう。
次に、突き上げユニットの変形例1について図12A、12B、13、14A、14Bを用いて説明する。図12Aは変形例1に係る突き上げユニットの外観斜視図である。図12Bは変形例1に係る突き上げユニットの外観斜視図である。図13は図12Aの第1ユニットの縦断面図である。図14Aは図12Aの突き上げユニットの第1ユニットおよび第2ユニットの一部の縦断面図である。図14Bは図12Aの第1ユニットを取り外した状態の縦断面図である。
次に、突き上げユニットの変形例2について図15〜17を用いて説明する。図15は変形例2に係る突き上げユニットの外観斜視図である。図16は図15の第3ユニットの縦断面図である。図17は図16の第3ユニットの一部の上面図である。
例えば、中間ステージとピックアップヘッドがなく、ダイ供給部のダイをボンディングヘッドで基板にボンディングするダイボンダにも適用可能である。
また、中間ステージがなく、ダイ供給部からダイをピックアップしダイピックアップヘッドを上に回転してダイをボンディングヘッドに受け渡しボンディングヘッドで基板にボンディングするフリップチップボンダに適用可能である。
また、中間ステージとボンディングヘッドがなく、ダイ供給部からピックアップヘッドでピックアップしたダイをトレイ等に載置するダイソータに適用可能である。
11:ウェハ
13:突き上げユニット
13a:第1ユニット
13a1:ブロック部
13a2:吸着部
13a3:吸引部
13a4:吸引部
A1〜A6:同心四角状のブロック
13b:第2ユニット
B1〜B6:同心円状のブロック
13c:第3ユニット
13c0:中央部
13c1〜13c6:周辺部
C1〜C6:出力部
16:ダイシングテープ
2:ピックアップ部
21:ピックアップヘッド
3:中間ステージ部
31:中間ステージ
4:ボンディング部
41:ボンディングヘッド
7:制御部
10:ダイボンダ
D:ダイ
P:基板
Claims (18)
- 半導体製造装置は、
ダイをダイシングテープの下から突き上げる突き上げユニットと、
前記ダイを吸着するコレットと、
を備え、
前記突き上げユニットは、
前記ダイシングテープと接触する四角状の複数の第1ブロックと、前記ダイシングテープを吸引するドームヘッドと、を有する第1ユニットと、
前記複数の第1ブロックのそれぞれに独立して上下動を伝える同心円状の複数の第2ブロックと、外周部と、を有する第2ユニットと、
前記複数の第2ブロックのそれぞれに独立して上下動を与える円周上に配置された複数の駆動出力部を有する中央部と、前記中央部の側部に配置され、前記複数の駆動出力部のそれぞれに独立して上下動を与える複数の駆動部をそれぞれ有する複数の周辺部と、を備える第3ユニットと、
を備え、
前記第1ユニットは前記第2ユニットの上に装着するよう構成され、前記第2ユニットは前記第3ユニットの前記中央部の上に装着するよう構成される。 - 請求項1の半導体製造装置において、
前記第1ユニットは前記複数の第2ブロックの上下動を前記複数の第1ブロックの上下動に変換するように構成される。 - 請求項1の半導体製造装置において、
前記第1ユニットは、さらに、
前記複数の第1ブロックの外側に位置する前記ドームヘッドに設けられ、前記ダイシングテープを介して前記ダイの外側の周辺ダイを吸着する第1吸着部と、
前記ダイを吸着する前記複数の第1ブロックの間の隙間で構成される第2吸着部と、
を備える。 - 請求項3の半導体製造装置において、
前記第1吸着部と前記第2吸着部とは独立して吸着タイミングを設定可能である。 - 請求項4の半導体製造装置において、
前記複数の第1ブロックの数は3以上である。 - 請求項1の半導体製造装置において、
前記複数の第1ブロックは同心状に構成される。 - 請求項1の半導体製造装置において、
前記第1ユニットは、前記複数の第1ブロックに代えて四角状に配置される複数の針を備える。 - 請求項1の半導体製造装置において、さらに、
前記ダイシングテープを保持するウェハ保持台を備える。 - 請求項1の半導体製造装置において、
前記第2ユニットは前記円周上に配置された複数の駆動出力部の上下動を前記複数の第2ブロックの上下動に変換するように構成される。 - 請求項1の半導体製造装置において、
前記複数の第2ブロックの数および前記複数の駆動出力部の数は同数であり、前記複数の第1ブロックの数は前記複数の第2ブロックの数よりも少なく構成される。 - 請求項1の半導体製造装置において、
前記複数の第2ブロックの数、前記第3ユニットの複数の駆動出力部の数は、それぞれ3以上である。 - 請求項1の半導体製造装置において、
さらに、前記複数の第2ブロックのそれぞれに独立して上下動を与える複数の駆動出力部を有する第4ユニットを備え、
前記第3ユニットと前記第4ユニットとは積層されている。 - 請求項1の半導体製造装置において、
前記ダイはさらに前記ダイと前記ダイシングテープとの間にダイアタッチフィルムを備える。 - 請求項1の半導体製造装置において、さらに、
前記コレットが装着されるピックアップヘッドを備える。 - 請求項14の半導体製造装置において、さらに、
前記ピックアップヘッドでピックアップされるダイを載置する中間ステージと、
前記中間ステージに載置されるダイを基板または既にボンディングされているダイの上にボンディングするボンディングヘッドと、
を備える。 - 半導体装置の製造方法は、
(a)請求項1乃至15のいずれか1項の半導体製造装置を準備する工程と、
(b)ダイを有するダイシングテープを保持するウェハリングを準備する工程と、
(c)基板を準備する工程と、
(d)前記突き上げユニットで前記ダイを突き上げて前記コレットで前記ダイをピックアップする工程と、
を備える。 - 請求項16の半導体装置の製造方法において、さらに、
(e)前記ダイを基板または既にボンディングされているダイの上にボンディングする工程を備える。 - 請求項17の半導体装置の製造方法において、
前記(d)工程はさらに前記ピックアップしたダイを中間ステージに載置する工程を有し、
前記(e)工程はさらに前記中間ステージから前記ダイをピックアップする工程を有する。
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