JP7237655B2 - 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
本開示の課題は突上げユニットをダイへの低ストレス性または高速ピックアップ性の観点から最適なシーケンスで制御可能な半導体製造装置を提供することにある。
その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
すなわち、半導体製造装置は、ダイシングテープと接触する複数のブロックを有し、ダイを前記ダイシングテープの下から突き上げる突上げユニットと、前記ダイを吸着するコレットと、前記突上げユニットの特性を再現させる剥離モデルに対して、前記ダイの前記ダイシングテープからの剥離量と前記ダイ全体の曲げ応力の目標値に前記剥離モデルの出力を追従するようにフィードバック制御し、前記剥離モデルへの制御入力である突上げ量を前記突上げユニットの前記ブロックの突上げ量とするよう構成される制御部と、を備える。
(1)一定以上の突上げ量で剥離が開始する。
(2)剥離開始から剥離進行にしたがって、剥離進行が加速する(剥離進行に伴い、剥離進行が加速するのはダイが根元に近づくほど曲率が大きくなり、復元力wrとなるモーメントが大きくなるためである。)。
(3)剥離強度の高いダイシングテープでは突上げ量を多く、粘りのあるダイシングテープでは突上げ時間を多く取る(ダイシングテープの粘着材のパラメータを変えることで剥離が開始する突上げ量、剥離が進行する速度が変わる。)。
w:単位面積に加わる粘着材の貼付け力[N]
L:ブロックBLK1の幅[mm]
h:ブロックBLK2の突上げ量[mm]
b:ブロックBLK2の一辺の長さ[mm]
E:ダイのヤング率[N/mm2]
δx:ダイ端部からxの位置のたわみ量
とする。
破壊していない最端(非破壊部先端)の位置をxmin、非破壊部先端のたわみ量をδxminとして、E、h、L、w、xminを用いてδxminを計算し、δxmin、E、h、L、xminを用いて更新する荷重(w)を計算する(ステップS1)。
以上、破壊が起こらなくなるまで繰り返す。
突上げ量が300μm、突上げ速度が1mm/秒
とする。
L=0.5mm、b=10mm、E=185000N/mm2、ダイ厚=20μm、K1=20N/mm、K2=1.5N/mm、C2=0.01N/(mm/s)、許容粘着材伸び量=0.6mmの条件で、
C(s)=Kp+Ki/s+Kds
Kp=[1,0]、Ki=[0,0]、Kd=[0,0]
r(s)=[0.5,0](剥離量=0.5mm、ダイ曲げストレス=0)
として、作成。ただし、Gm(s)とG(s)との誤差は無いものとする。
図2(b)に示すように、第一例の非線形突上げシーケンスでは、突上げユニットのブロックの突上げ量は時間には必ずしも比例しないで増加し、突上げ量の最大値(hgmax)に達した後は、突上げ動作は停止しないで減少しながら、ダイがダイシングテープから剥離するのを待つシーケンスである。図において、上に凸となる変曲点を有する。第一例の非線形突上げシーケンスのtgmaxは図2(a)の線形突上げシーケンスのtgmaxよりは早い、すなわち、突上げ速度は速い。なお、図2(b)に示される時間軸の右端後に内側のブロックの突き上げが行われる。
このような構成によって、ボンディングヘッド41は、ステージ認識カメラ32の撮像データに基づいてピックアップ位置・姿勢を補正し、中間ステージ31からダイDをピックアップし、基板認識カメラ44の撮像データに基づいて基板にダイDをボンディングする。
このような構成によって、基板Sは、基板供給部6から搬送レーン52に沿ってボンディング位置まで移動し、ボンディング後、基板搬出部7まで移動して、基板搬出部7に基板Sを渡す。
例えば、中間ステージとピックアップヘッドがなく、ダイ供給部のダイをボンディングヘッドで基板にボンディングするダイボンダにも適用可能である。
また、中間ステージがなく、ダイ供給部からダイをピックアップしダイピックアップヘッドを上に回転してダイをボンディングヘッドに受け渡しボンディングヘッドで基板にボンディングするフリップチップボンダに適用可能である。
また、中間ステージとボンディングヘッドがなく、ダイ供給部からピックアップヘッドでピックアップしたダイをトレイ等に載置するダイソータに適用可能である。
13:突上げユニット
16:ダイシングテープ
22:コレット
8:制御部
10:ダイボンダ
D:ダイ
Claims (15)
- ダイシングテープと接触する複数のブロックを有し、ダイを前記ダイシングテープの下から突き上げる突上げユニットと、
前記ダイを吸着するコレットと、
前記突上げユニットの特性を再現させる剥離モデルに対して、前記ダイの前記ダイシングテープからの剥離量と前記ダイ全体の曲げ応力の目標値に前記剥離モデルの出力を追従するようにフィードバック制御し、前記剥離モデルへの制御入力である突上げ量を前記突上げユニットの前記ブロックの突上げ量とするよう構成される制御部と、
を備える半導体製造装置。 - 請求項1の半導体製造装置において、
前記剥離モデルは、前記ブロックの突上げ量、前記ブロックの幅および前記ダイのヤング率に基づいて計算されるダイシングテープの粘着材の貼付力と、前記粘着材の粘着材モデルと、に基づいて計算される前記粘着材の変形量を含む半導体製造装置。 - 請求項2の半導体製造装置において、
前記粘着材モデルはばね定数および減衰定数を含む半導体製造装置。 - 請求項3の半導体製造装置において、
前記剥離モデルは、
突上げ量が所定値以上で剥離を開始する特性と、
剥離開始から剥離進行に従って剥離進行が加速する特性と、
前記粘着材のパラメータを変えることで剥離が開始する突上げ量および剥離進行する速度が変わる特性と、
を有する半導体製造装置。 - 請求項1の半導体製造装置において、
前記制御部は、前記複数のブロックのうちの外側のブロックを上昇させて突上げ量の極大値に達した後、前記突上げ量を減少させ、前記外側のブロックの隣の内側のブロックを上昇させるよう構成される半導体製造装置。 - 請求項1の半導体製造装置において、
前記制御部は、前記複数のブロックのうちの外側のブロックを上昇させて突上げ量の極大値に達した後、前記突上げ量を減少させて突上げ量の極小値に達した後、前記突上げ量を増加させ、前記外側のブロックの隣の内側のブロックを上昇させるよう構成される半導体製造装置。 - 請求項1の半導体製造装置において、
前記突上げユニットは、前記複数の前記ブロックに対応して独立の複数の駆動軸を持ち、前記ブロックの突上げ速度および突上げ量をプログラマブルに設定可能に構成される半導体製造装置。 - 請求項1の半導体製造装置において、
前記ダイはさらに前記ダイと前記ダイシングテープとの間にダイアタッチフィルムを備える半導体製造装置。 - 請求項1の半導体製造装置において、さらに、
前記コレットが装着されるピックアップヘッドを備える半導体製造装置。 - 請求項9の半導体製造装置において、さらに、
前記ピックアップヘッドでピックアップされるダイを載置する中間ステージと、
前記中間ステージに載置されるダイを基板または既にボンディングされているダイの上にボンディングするボンディングヘッドと、
を備える半導体製造装置。 - (a)ダイシングテープと接触する複数のブロックを有し、ダイを前記ダイシングテープの下から突き上げる突上げユニットと、前記ダイを吸着するコレットと、を備える半導体製造装置に、前記ダイシングテープを保持するウェハリングを搬入する工程と、
(b)前記突上げユニットで前記ダイを突き上げて前記コレットで前記ダイをピックアップする工程と、
を備え、
前記(b)工程は、前記突上げユニットの特性を再現させる剥離モデルに対して、前記ダイの前記ダイシングテープからの剥離量と前記ダイ全体の曲げ応力の目標値に前記剥離モデルの出力を追従するようにフィードバック制御し、前記剥離モデルへの制御入力である突上げ量を前記突上げユニットの前記ブロックの突上げ量として前記ダイを突き上げる半導体装置の製造方法。
- 請求項11の半導体装置の製造方法において、
前記(b)工程は、前記複数のブロックのうちの外側のブロックを上昇させて突上げ量の極大値に達した後、前記突上げ量を減少させ、前記外側のブロックの隣の内側のブロックを上昇させる半導体装置の製造方法。 - 請求項11の半導体装置の製造方法において、
前記(b)工程は、前記複数のブロックのうちの外側のブロックを上昇させて突上げ量の極大値に達した後、前記突上げ量を減少させて突上げ量の極小値に達した後、前記突上げ量を増加させ、前記外側のブロックの隣の内側のブロックを上昇させる半導体装置の製造方法。 - 請求項11の半導体装置の製造方法において、さらに、
(c)前記ダイを基板または既にボンディングされているダイの上にボンディングする工程を備える半導体装置の製造方法。 - 請求項14の半導体装置の製造方法において、
前記(b)工程はさらに前記ピックアップしたダイを中間ステージに載置する工程を有し、
前記(c)工程はさらに前記中間ステージから前記ダイをピックアップする工程を有する半導体装置の製造方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019038082A JP7237655B2 (ja) | 2019-03-01 | 2019-03-01 | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
TW109101654A TWI743655B (zh) | 2019-03-01 | 2020-01-17 | 半導體製造裝置及半導體裝置的製造方法 |
CN202010118139.1A CN111640702B (zh) | 2019-03-01 | 2020-02-25 | 半导体制造装置及半导体器件的制造方法 |
KR1020200023361A KR102316869B1 (ko) | 2019-03-01 | 2020-02-26 | 반도체 제조 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019038082A JP7237655B2 (ja) | 2019-03-01 | 2019-03-01 | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020141114A JP2020141114A (ja) | 2020-09-03 |
JP2020141114A5 JP2020141114A5 (ja) | 2022-01-11 |
JP7237655B2 true JP7237655B2 (ja) | 2023-03-13 |
Family
ID=72280762
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019038082A Active JP7237655B2 (ja) | 2019-03-01 | 2019-03-01 | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7237655B2 (ja) |
KR (1) | KR102316869B1 (ja) |
CN (1) | CN111640702B (ja) |
TW (1) | TWI743655B (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112992699B (zh) * | 2021-02-01 | 2024-03-22 | 上海易卜半导体有限公司 | 半导体封装方法、半导体组件以及包含其的电子设备 |
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JP5583475B2 (ja) | 2010-05-19 | 2014-09-03 | キヤノンマシナリー株式会社 | ピックアップ装置 |
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WO2018061103A1 (ja) | 2016-09-28 | 2018-04-05 | 富士機械製造株式会社 | ウエハ供給装置および部品実装装置 |
WO2018174138A1 (ja) | 2017-03-24 | 2018-09-27 | 株式会社新川 | ピックアップ装置およびピックアップ方法 |
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KR100278137B1 (ko) | 1997-09-04 | 2001-01-15 | 가나이 쓰도무 | 반도체소자의 탑재방법 및 그 시스템, 반도체소자 분리장치 및ic카드의 제조방법 |
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-
2019
- 2019-03-01 JP JP2019038082A patent/JP7237655B2/ja active Active
-
2020
- 2020-01-17 TW TW109101654A patent/TWI743655B/zh active
- 2020-02-25 CN CN202010118139.1A patent/CN111640702B/zh active Active
- 2020-02-26 KR KR1020200023361A patent/KR102316869B1/ko active IP Right Grant
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN111640702A (zh) | 2020-09-08 |
KR20200105753A (ko) | 2020-09-09 |
JP2020141114A (ja) | 2020-09-03 |
KR102316869B1 (ko) | 2021-10-25 |
CN111640702B (zh) | 2023-08-08 |
TWI743655B (zh) | 2021-10-21 |
TW202103249A (zh) | 2021-01-16 |
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