WO2018174138A1 - ピックアップ装置およびピックアップ方法 - Google Patents

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WO2018174138A1
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一昭 長野
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株式会社新川
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    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices

Definitions

  • the present invention relates to a pickup apparatus and method for picking up a semiconductor die from a sheet.
  • the semiconductor die is manufactured by cutting a wafer having a size of 8 inches or 12 inches into a predetermined size.
  • a viscoelastic film called DAF for forming a resin layer between the substrate and the semiconductor die during die bonding is attached to the back surface of the manufactured wafer.
  • a dicing sheet is attached to the back surface of the DAF so that the semiconductor dies cut when the wafer is cut are cut off, and the wafer is cut together with the DAF from the front side by a dicing saw or a laser beam.
  • the dicing sheet affixed to the back surface is slightly cut but is not cut and holds each semiconductor die and DAF.
  • Each cut semiconductor die is picked up from the dicing sheet one by one together with the DAF and sent to the next process such as die bonding.
  • This pickup device As a pickup device for picking up a semiconductor die together with DAF from a dicing sheet, the peripheral part of the semiconductor die is initially peeled off from the dicing sheet, and then the central part of the semiconductor die is peeled off from the dicing sheet and the semiconductor die is picked up by the collet.
  • This pickup device operates as follows. First, with the dicing sheet adsorbed on the surface of the cylindrical adsorption stage and the semiconductor die adsorbed on the collet, the initial separation column and the eject pin arranged at the center of the adsorption stage are above the surface of the adsorption stage. And push up the semiconductor die.
  • the inside of the suction stage is evacuated to cause initial peeling around the semiconductor die (see FIGS. 4a and 4b of Patent Document 1).
  • the support for initial peeling is lowered to the surface of the suction stage, and the central portion of the semiconductor die is peeled from the dicing sheet (see FIGS. 6a and 6b of Patent Document 1). ).
  • the semiconductor die is picked up by the collet.
  • an object of the present invention is to pick up a thin semiconductor die attached to the surface of a sheet via a viscoelastic film together with the viscoelastic film from the surface of the sheet.
  • the pickup device of the present invention is a pickup device that picks up a semiconductor die attached to the surface of a sheet through a viscoelastic film from the surface of the sheet together with the viscoelastic film, and includes an adsorption surface that adsorbs the back surface of the sheet.
  • a stage an opening provided in the suction surface of the stage, a push-up member that protrudes from the suction surface and pushes up the back surface of the sheet, and the opening pressure of the opening is close to a first pressure close to vacuum and an atmospheric pressure
  • an opening pressure switching mechanism that switches between the second pressure and when picking up the semiconductor die together with the viscoelastic film, the suction pressure on the suction surface is set to a third pressure close to vacuum, and the back surface of the sheet is sucked by the push-up member.
  • the opening pressure is oscillated between the first pressure and the second pressure at a predetermined frequency corresponding to the viscoelastic characteristics of the viscoelastic film.
  • the frequency of the opening pressure between the first pressure and the second pressure may be changed based on the relaxation time of the viscoelastic film.
  • the frequency of the opening pressure between the first pressure and the second pressure may be increased as the relaxation time of the viscoelastic film is longer.
  • the frequency of the opening pressure between the first pressure and the second pressure may be 10 Hz to 50 Hz.
  • the push-up member is a push-up pin set composed of a plurality of push-up pins that push up a plurality of spaced apart positions on the back surface of the sheet, and between the push-up pins and the outer peripheral side sheet of the push-up pin set.
  • a push-up block composed of a plurality of push-up columns that push up the back surface, and the tip of the push-up pin set and the tip of the push-up block are between a first position higher than the suction surface and a second position lower than the first position, respectively.
  • the suction pressure is the third pressure
  • the tip of the push-up pin set and the tip of the push-up block are the first position
  • the opening pressure is the viscoelastic property of the viscoelastic film.
  • the push-up member is a push-up pin set composed of a plurality of push-up pins that push up a plurality of spaced apart positions on the back surface of the sheet, and between the push-up pins and the outer peripheral side sheet of the push-up pin set.
  • a push-up block composed of a plurality of push-up columns that push up the back surface, and the tip of the push-up pin set and the tip of the push-up block are between a third position higher than the suction surface and a fourth position lower than the third position, respectively.
  • the suction pressure is set as the third pressure, the tip of the push-up pin set, the tip of the push-up block, the fifth position between the third position and the fourth position, and the opening
  • the adsorption pressure is changed to the third pressure. Holding the force, in a state where the tip of the push-up block and held in the fifth position, the pin assembly of the tip push-up as a third position, may be the opening pressure is oscillated between the first pressure and the second pressure.
  • the push-up member is a push-up pin set composed of a plurality of push-up pins that push up a plurality of spaced apart positions on the back surface of the sheet, and between the push-up pins and the outer peripheral side sheet of the push-up pin set.
  • a push-up block composed of a plurality of push-up columns that push up the back surface, and the tip of the push-up pin set and the tip of the push-up block are between a third position higher than the suction surface and a fourth position lower than the third position, respectively.
  • the suction pressure is set as the third pressure, the tip of the push-up pin set, the tip of the push-up block, the fifth position between the third position and the fourth position, and the opening
  • the adsorption pressure is changed to the third pressure. While maintaining the force, the pin assembly of the tip push-up a third position, the tip of the push-up block as the fourth position may be an opening pressure is oscillated between the first pressure and the second pressure.
  • the fourth position may be the same as the suction surface or a position lower than the suction surface.
  • the pickup method of the present invention is a pickup method for picking up a semiconductor die attached to the surface of a sheet through a viscoelastic film together with the viscoelastic film from the surface of the sheet, and includes a suction surface for adsorbing the back surface of the sheet A stage, an opening provided in the suction surface of the stage, a push-up member that protrudes from the suction surface and pushes up the back surface of the sheet, and the opening pressure of the opening is close to a first pressure close to vacuum and an atmospheric pressure
  • An opening pressure switching mechanism that switches between the second pressure and a second pressure is prepared, in a state where the suction pressure of the suction surface is set to a third pressure close to vacuum, and the back surface of the sheet is pushed up from the suction surface with a push-up member,
  • the opening die is vibrated between the first pressure and the second pressure at a predetermined frequency corresponding to the viscoelastic characteristics of the viscoelastic film, thereby causing the semiconductor die to move
  • the frequency of the opening pressure between the first pressure and the second pressure may be changed based on the relaxation time of the viscoelastic film.
  • the frequency of the opening pressure between the first pressure and the second pressure may be increased as the relaxation time of the viscoelastic film is longer.
  • the frequency of the opening pressure between the first pressure and the second pressure may be 10 Hz to 50 Hz.
  • the present invention can pick up a thin semiconductor die attached to the surface of a sheet via a viscoelastic film together with the viscoelastic film from the surface of the sheet.
  • FIG. 1 It is a systematic diagram which shows the structure of the pick-up apparatus of embodiment. It is a perspective view which shows the stage of the pick-up apparatus shown in FIG. It is explanatory drawing which shows a deformation
  • FIG. 10 is a graph showing the vibration of the opening pressure during the operation shown in FIGS. It is explanatory drawing which shows other operation
  • the pickup device 100 of the embodiment picks up the semiconductor die 15 attached to the surface 12 a of the resin sheet 12 via the viscoelastic film 11 from the surface 12 a of the sheet 12 together with the viscoelastic film 11.
  • the pickup device 100 of the present embodiment includes a wafer holder 10 that holds a sheet 12, a stage 20 that sucks the sheet 12, and a push-up member 30 provided in an opening 23 of the stage 20.
  • a drive mechanism 50 provided inside the casing 21 of the stage 20 for driving the push-up member 30 up and down, a collet 18 for picking up the semiconductor die 15, a vacuum pump 61, and a control unit for controlling drive of the pickup device 100. 70.
  • the wafer holder 10 has an annular expand ring 16 and a ring presser 17 for fixing a metal ring 13 attached to the periphery of the sheet 12 on the flange of the expand ring 16.
  • the sheet 12 is stretched along the curved surface at the top of the expanding ring by a level difference between the upper surface of the expanding ring 16 and the flange surface, and a tensile force from the center of the sheet 12 toward the periphery acts. Since the sheet 12 is extended by this tensile force, a gap 14 is formed between the semiconductor dies 15 attached on the sheet 12 and the viscoelastic film 11. Further, the wafer holder 10 can be moved in the horizontal direction and the vertical direction by a moving mechanism (not shown).
  • the stage 20 has a cylindrical shape, and an adsorption surface 22 that adsorbs the back surface 12b of the sheet 12 is formed on the upper surface.
  • a square opening 23 that communicates with the inside of the casing 21 is provided at the center of the suction surface 22, and a push-up member 30 that protrudes from the suction surface 22 and pushes up the back surface 12 b of the sheet 12 is disposed in the opening 23.
  • the push-up member 30 includes a push-up pin set 32 and a push-up block 34.
  • the push-up pin set 32 includes a plurality of needle-like push-up pins 31 that push up a plurality of spaced apart positions on the back surface 12 b of the sheet 12.
  • the push-up block 34 includes a plurality of quadrangular columnar push-up columns 33 that push up the back surface 12b of the sheet 12 between the push-up pins 31 and on the outer peripheral side of the push-up pin set 32.
  • a suction groove 26 is provided twice so as to surround the opening 23.
  • Each suction groove 26 is provided with a suction hole 27.
  • a drive mechanism 50 that drives the push-up pin set 32 and the push-up block 34 that constitute the push-up member 30 up and down.
  • the drive mechanism 50 is provided with a motor 51, a cam 52 that converts the rotational movement of the motor 51 into vertical movement, a cam follower 53 that contacts the cam 52, and a rod 54 that moves in the vertical direction as the motor 51 rotates. And a conversion mechanism 55 that converts the vertical movement of the rod 54 into the vertical pin assembly 32 and the vertical movement of the upward block 34.
  • the collet 18 has a holding surface 18a for sucking and holding the semiconductor die 15 at the tip.
  • a suction hole 19 is provided in the holding surface 18a. The collet 18 is moved in the horizontal direction and the vertical direction by the collet driving unit 80.
  • the inside of the casing 21 communicates with the vacuum pump 61 through a pipe 63. Since the opening 23 of the stage 20 communicates with the suction surface 22 and the inside of the casing 21, the vacuum pump 61 is connected to the opening 23 through the pipe 63 and the casing 21. Further, the suction hole 27 communicates with the vacuum pump 61 through the pipe 64. The suction hole 19 of the collet 18 communicates with the vacuum pump 61 through a pipe 65. In addition, three-way valves 67, 68, 69 are arranged in the respective pipes 63, 64, 65. A pressure sensor 62 that detects the suction pressure of the vacuum pump 61 is attached to the suction pipe 66 of the vacuum pump 61.
  • the three-way valves 67, 68, 69 can switch the communication direction between the vacuum pump side and the atmosphere release side.
  • the three-way valves 67, 68, 69 When the three-way valves 67, 68, 69 are switched to the vacuum pump side, the three-way valves 67, 68, 69 communicate with the vacuum pump 61.
  • the suction hole 19 of the collet 18 is evacuated.
  • air release side air is introduced into the casing 21, the suction groove 26, and the suction hole 19 of the collet 18 in communication with the air release end to break the vacuum.
  • the three-way valve 67 is connected to the casing 21 via the pipe 63 and switches the pressure P of the opening 23 of the casing 21 between vacuum and atmospheric pressure, and corresponds to the opening pressure switching mechanism described in the claims.
  • a compressed air source higher than the atmospheric pressure is connected to the open side of the three-way valve 67 so that the pressure P of the opening 23 of the casing 21 is switched between a vacuum and a pressure slightly higher than the atmospheric pressure. Also good.
  • the control unit 70 includes a CPU 71 that performs arithmetic processing, a memory 72 that stores control programs and data, and a device / sensor interface 73.
  • the CPU 71, the memory 72, and the device / sensor interface 73 are connected via a data bus 74.
  • Computer The motor 51 of the drive mechanism 50 that drives the push-up member 30, the vacuum pump 61, the collet drive unit 80, the three-way valves 67, 68, 69, and the moving mechanism of the wafer holder 10 (not shown) are connected to the device / sensor interface 73 and controlled. Driven by the command of the unit 70.
  • the pressure sensor 62 is connected to the device / sensor interface 73, and the detection signal is processed by the control unit 70.
  • FIG. 3 since the semiconductor die 15 is attached to the sheet 12 via the viscoelastic film 11, the semiconductor die 15, the viscoelastic film 11 and the sheet 12 are laminated as shown in FIG. It is a body.
  • reference numerals 15 a, 11 a, and 12 a indicate the surfaces of the semiconductor die 15, viscoelastic film 11, and sheet 12, and reference numerals 15 b, 11 b, and 12 b indicate the back surfaces of the semiconductor die 15, viscoelastic film 11, and sheet 12. Indicates.
  • the thickness of the semiconductor die 15 is thinner than the thickness of the sheet 12, and the bending rigidity of the semiconductor die 15 is smaller than that of the sheet 12.
  • the sheet 12 is curved and deformed downward as shown in FIG.
  • the semiconductor die 15 and the viscoelastic film 11 having a bending rigidity smaller than that of the sheet 12 follow the sheet 12 and are curved and deformed downward.
  • the laminated body of the semiconductor die 15, the viscoelastic film 11 and the sheet 12 that are deformed as described above can be handled as a physical model as shown in FIG. 4.
  • the semiconductor die 15 that is an individual elastic body is represented by a combination of a mass 41 and a spring 42 that exhibits bending rigidity.
  • the individual sheet 12 that is an elastic body can be represented by a combination of a mass 46 and a spring 47 that exhibits bending rigidity.
  • the viscoelastic film 11, which is a viscoelastic body can be expressed as a mass 43, a spring 44 that exhibits bending rigidity, and a dashpot 45 that exhibits viscosity.
  • seat 12 has the mass 41, the spring 42, the mass 43, the spring 44, the dashpot 45, the mass 46, and the spring 47 in series, as shown in FIG. Can be handled as a physical model connected to
  • a peeling force Fp in the direction of peeling between the front surface 12 a of the sheet 12 and the back surface 11 b of the viscoelastic film 11 is generated.
  • the peeling force Fp between the sheet 12 and the viscoelastic film 11 varies depending on the frequency f of the vibration of the pressure P, which is an external force, and the relaxation time ⁇ of the viscoelastic film 11.
  • the time ⁇ t shown in FIG. 5 becomes shorter as the relaxation time ⁇ of the viscoelastic film 11 becomes longer, that is, the properties of the viscoelastic film 11 become closer to the elastic properties, and the relaxation time ⁇ of the viscoelastic film 11 becomes shorter.
  • a large peeling force Fp can be obtained at time t1, which is delayed by time ⁇ t from time t0 at which the pressure P is lowest.
  • the relaxation time ⁇ of the viscoelastic film 11 indicates the viscoelastic characteristics of the viscoelastic film 11 and is a physical property value measured by a general viscoelasticity measuring device (rheometer).
  • a large peeling force Fp is obtained by setting the frequency f of the vibration of the pressure P to 10 Hz to 50 Hz. I know you can. More preferably, by setting the frequency f of the vibration of the pressure P to 10 Hz to 40 Hz, a larger peeling force Fp can be obtained.
  • the frequency f of the vibration of the pressure P is 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19, 20, 21, 22, 23, 24, 25, 26, 27. 28, 29, 30, 31, 32, 33, 34, 35, 36, 37, 38, 39, 40, 41, 42, 43, 44, 45, 46, 47, 48, 49, 50 Hz, these Any two of these frequencies may be within the range.
  • ⁇ Application to pickup device> As described above, when vibration of the pressure P is applied to the laminated body of the semiconductor die 15, the viscoelastic film 11 and the sheet 12 at the predetermined frequency f corresponding to the relaxation time ⁇ of the viscoelastic film 11, the viscoelastic film 11 A large peeling force Fp can be generated between the sheet 12 and the sheet 12.
  • the pickup device 100 of the present embodiment applies this principle.
  • the pressure P of the opening 23 is set to a first pressure P1 close to a vacuum at a predetermined frequency f.
  • oscillating the pressure P between the first pressure P1 close to vacuum and the second pressure P2 close to atmospheric pressure means that the pressure P of the opening 23 is the first pressure P1 and the second pressure P2 of the pressure P.
  • the second pressure close to atmospheric pressure is sufficient. It means that the fluctuation of the pressure P that returns to P2 is given once or more.
  • the controller 70 adjusts the horizontal and vertical positions of the wafer holder 10 by a moving mechanism (not shown), and the back surface 12 b of the sheet 12 on which the semiconductor die 15 and the viscoelastic film 11 are attached. Is in contact with the suction surface 22 of the stage 20 so that the horizontal position of the semiconductor die 15 and the viscoelastic film 11 is directly above the opening 23. Then, the controller 70 lowers the pressure of the suction groove 26 of the stage 20 by the vacuum pump 61 with the three-way valve 68 as the vacuum pump side, and sucks and fixes the back surface 12 b of the sheet 12 to the suction surface 22. In this state, the tips 31 a and 33 a of the push-up pin 31 and the push-up column 33 are in the second position on the same plane as the suction surface 22.
  • the control unit 70 sets the three-way valve 67 to the vacuum pump side at time t1 shown in FIG. 10 and reduces the pressure P of the opening 23 of the stage 20 from the second pressure P2 close to the atmospheric pressure by the vacuum pump 61. Further, the control unit 70, as shown in FIG. 8, substantially simultaneously with the start of the decrease in the pressure of the opening 23, each of the push-up pin set 32, the push-up pins 31 of the push-up block 34, and the push-up columns 33, The tips 31a and 33a are raised to a first position higher than the suction surface 22 by a height H1. Further, the control unit 70 reduces the pressure of the suction hole 19 of the collet 18 with the three-way valve 69 as the vacuum pump side. As shown in FIG.
  • the sheet 12 around the opening 23 is adsorbed and fixed to the adsorbing surface 22, so that the sheet 12 is inclined in the downward direction by raising the tip 31 a and 33 a of the push-up pin 31 and the push-up column 33. Pulled on. Further, the sheet 12 is pulled downward by the pressure P of the opening 23.
  • the semiconductor die 15 is adsorbed to the holding surface 18 a of the collet 18 by the vacuum of the suction hole 19.
  • the semiconductor die 15 is held on the holding surface 18a of the collet 18.
  • the semiconductor die 15 and the viscoelastic film 11 are bent downward following the sheet 12 as shown in FIG. For this reason, the viscoelastic film 11 and the sheet 12 are not separated.
  • the holding surface 18a of the collet 18 is an elastic body such as rubber
  • the semiconductor die 15 since the semiconductor die 15 is thin, the outer peripheral portion of the semiconductor die 15 is curved and deformed into a convex shape with a slight pressing force as shown in FIG. It will cause peeling resistance.
  • the collet 18 causes the semiconductor die 15 to wait in the air with a slight gap. Even when the collet 18 is not in contact with the semiconductor die 15, there is no influence on the peeling process in this case, and when the peeling is completed, the semiconductor die 15 is sucked and adsorbed by the collet 18.
  • the control unit 70 switches the three-way valve 67 to the atmosphere open side and introduces air into the casing 21. Thereby, the pressure P of the opening 23 rapidly increases from the first pressure P1 at time t2 toward the second pressure P2 near atmospheric pressure, and returns to the second pressure P2 near atmospheric pressure at time t3.
  • the maximum peeling force Fp is generated between the viscoelastic film 11 and the sheet 12 after ⁇ t1 hours after the pressure P of the opening 23 reaches the second pressure P2 close to vacuum. . Due to the peeling force Fp, initial peeling occurs between the periphery of the viscoelastic film 11 and the sheet 12 between time t2 and time t3, that is, as shown in FIG.
  • control unit 70 starts again reducing the pressure P of the opening 23 of the stage 20 from the second pressure P2 close to the atmospheric pressure by the vacuum pump 61 with the three-way valve 67 set to the vacuum pump side again. Further, almost simultaneously with the start of the decrease in the pressure P of the opening 23, the control unit 70 pushes up while keeping the position of each tip 31a of the push-up pin 31 at the first position by the drive mechanism 50, as shown in FIG. Each tip 33a of the column 33 is lowered to a second position that is the same height as the suction surface 22, that is, a height H1 lower than the first position. As a result, the portion of the sheet 12 that has been pushed up by the push-up column 33 is pulled downward by a pressure lower than the atmospheric pressure in the opening 23 and is bent downward.
  • the semiconductor die 15 and the viscoelastic film 11 also follow the sheet 12 and bend downward. In this state, the viscoelastic film 11 and the sheet 12 in the portion of the sheet 12 pushed up by the push-up pillar 33 are not separated.
  • the control unit 70 switches the three-way valve 67 to the atmosphere release side and introduces air into the casing 21. Thereby, the pressure P of the opening 23 rises from the first pressure P1 toward the second pressure P2 close to the atmospheric pressure, and returns to the second pressure P2 close to the atmospheric pressure.
  • the time ⁇ t2 from when the pressure P of the opening 23 is reduced from the second pressure P2 to the first pressure P1 until the pressure P2 is returned to the second pressure P2 is the same as that of FIG.
  • the air suction speed of the pump 61 and the vacuum opening speed of the opening 23 by the three-way valve 67 may be adjusted, or may be adjusted to be longer than this.
  • the time ⁇ t2 is longer than 50 (ms), for example, after reaching the first pressure P1 from the second pressure P2, after a while, the vacuum break is started, it is close to the atmospheric pressure. While the pressure P of the opening 23 is maintained at the second pressure P2 in the process of returning to the second pressure P2, the semiconductor die 15 in the portion between the push-up pins 31 is deformed from the downwardly curved deformation by the elastic force. Peeling occurs between the sheet 12 and the viscoelastic film 11 due to the force of returning to the flat state.
  • control unit 70 raises the collet 18 by the collet driving unit 80 and picks up the semiconductor die 15 and the viscoelastic film 11 from the sheet 12.
  • the pickup apparatus 100 of the embodiment picks up the thin semiconductor die 15 attached to the surface 12a of the sheet 12 via the viscoelastic film 11 from the surface 12a of the sheet 12 together with the viscoelastic film 11. Can do.
  • the control unit 70 sets the pressure P of the opening 23 close to the atmospheric pressure when the initial separation is generated between the peripheral portion of the viscoelastic film 11 and the sheet 12 as shown in FIG.
  • the pressure P is vibrated only once between the second pressure P2 and the first pressure P1 close to vacuum, that is, the pressure P of the first pressure P1 is reduced from the second pressure P2 and then returned to the second pressure P2.
  • the vibration of the pressure P is not limited to one cycle.
  • the pressure P is vibrated between the second pressure P2 and the first pressure P1 for two cycles. May be. In this case, since the point at which the peeling force Fp is maximized occurs twice, the sheet 12 and the viscoelastic film 11 can be more preferably peeled off.
  • the controller 70 moves the tip 31 a of the push-up pin 31 and the tip 33 a of the push-up pillar 33 to the fifth height H ⁇ b> 2 from the suction surface 22.
  • the pressure P of the opening 23 is vibrated for one cycle at a frequency of 20 Hz between the second pressure P2 and the first pressure P1.
  • the control unit 70 keeps the position of each tip 33a of the push-up column 33 at the fifth position, the tip 31a of the push-up pin 31 is higher than the fifth position, and is at a height H3 from the suction surface 22.
  • the pressure is raised to the third position, and the pressure P of the opening 23 is oscillated between the second pressure P2 and the first pressure P1.
  • the position of the suction surface 22 is the fourth position described in the claims.
  • the thin semiconductor die 15 attached to the surface 12a of the sheet 12 via the viscoelastic film 11 is also applied to the surface 12a of the sheet 12 from the surface 12a of the sheet 12 by the above operation. 11 can be picked up.
  • the control unit 70 determines the position of each tip 33 a of the push-up pillar 33 as the suction surface as shown in FIG. 13. And lowering the tip 31a of the push-up pin 31 higher than the fifth position to the third position at the height H3 from the suction surface 22 and lowering to the fourth position having the same height as 22
  • the pressure P of 23 is oscillated between the second pressure P2 and the first pressure P1.
  • the position of the suction surface 22 is the fourth position described in the claims.
  • the thin semiconductor die 15 attached to the surface 12a of the sheet 12 via the viscoelastic film 11 is also applied to the surface 12a of the sheet 12 from the surface 12a of the sheet 12 by the above operation. 11 can be picked up.

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Abstract

シート（１２）を吸着する吸着面（２２）を含むステージ（２０）と、シート（１２）を押し上げる押し上げ部材（３０）と、開口（２３）の開口圧力を真空に近い第１圧力と大気圧に近い第２圧力との間で切換える三方弁（６７）と、を備え、半導体ダイ（１５）を粘弾性フィルム（１１）と共にピックアップする際に、吸着面（２２）の吸着圧力を真空に近い第３圧力として押し上げ部材（３０）でシート（１２）を押し上げた状態で、開口圧力を粘弾性フィルム（１１）の粘弾性特性に応じた所定の周波数で振動させる。これにより、シートの表面に粘弾性フィルムを介して貼り付けられた薄い半導体ダイをシートの表面から粘弾性フィルムと共にピックアップする。

Description

ピックアップ装置およびピックアップ方法
　本発明は、半導体ダイをシートからピックアップするピックアップ装置およびその方法に関する。
　半導体ダイは、８インチや１２インチの大きさのウェーハを所定の大きさに切断して製造される。製造されたウェーハの裏面には、ダイボンディングの際に基板と半導体ダイとの間に樹脂層を形成するＤＡＦと呼ばれる粘弾性フィルムが取り付けられる。また、ウェーハを切断する際に切断した半導体ダイがバラバラにならないように、ＤＡＦの裏面にダイシングシートを貼り付け、表面側からダイシングソーやレーザ光線などによってＤＡＦと共にウェーハを切断する。この際、裏面に貼り付けられたダイシングシートは若干切り込まれるが切断されないで各半導体ダイとＤＡＦとを保持した状態となっている。そして、切断された各半導体ダイはＤＡＦと共に一つずつダイシングシートからピックアップされてダイボンディング等の次の工程に送られる。
　ダイシングシートからＤＡＦと共に半導体ダイをピックアップするピックアップ装置としては、半導体ダイの周辺部をダイシングシートから初期剥離させた後、半導体ダイの中央部をダイシングシートから剥離させて、コレットで半導体ダイをピックアップするものが提案されている（例えば、特許文献１参照）。このピックアップ装置は次のように動作する。まず、円筒状の吸着ステージの表面にダイシングシートを吸着させ、半導体ダイをコレットに吸着させた状態で、吸着ステージの中央部に配置された初期剥離用支柱とイジェクトピンを吸着ステージの表面より上に突出させて半導体ダイを押し上げる。また、同時に、吸着ステージの内部を真空にして半導体ダイの周辺に初期剥離を発生させる（特許文献１の図４ａ、図４ｂ参照）。次に、吸着ステージの内部を真空にした状態で、初期剥離用支柱を吸着ステージの表面まで降下させて、半導体ダイの中央部をダイシングシートから剥離させる（特許文献１の図６ａ、図６ｂ参照）。そして、コレットで半導体ダイをピックアップする。
米国特許第７，６６５，２０４号明細書
　ところで、近年、半導体ダイは、非常に薄くなってきており、例えば、２０μｍ程度のものもある。一方、ダイシングシートの厚さは１００μｍ程度であるから、ダイシングシートの厚みは、半導体ダイの厚みの４～５倍にもなっている。特許文献１に記載された従来技術のピックアップ装置では、吸着ステージの内部を真空にした際にイジェクトピンの間の半導体ダイとＤＡＦとがダイシングシートの下方向への変形に追従して下方向にたわんでしまい、ＤＡＦとダイシングシートとの間に剥離が発生せず、薄い半導体ダイをピックアップすることが困難であった。
　そこで、本発明は、シートの表面に粘弾性フィルムを介して貼り付けられた薄い半導体ダイをシートの表面から粘弾性フィルムと共にピックアップすることを目的とする。
　本発明のピックアップ装置は、シートの表面に粘弾性フィルムを介して貼り付けられた半導体ダイをシートの表面から粘弾性フィルムと共にピックアップするピックアップ装置であって、シートの裏面を吸着する吸着面を含むステージと、ステージの吸着面に設けられた開口の中に配置され、先端が吸着面より突出してシートの裏面を押し上げる押し上げ部材と、開口の開口圧力を真空に近い第１圧力と大気圧に近い第２圧力との間で切換える開口圧力切換機構と、を備え、半導体ダイを粘弾性フィルムと共にピックアップする際に、吸着面の吸着圧力を真空に近い第３圧力として押し上げ部材でシートの裏面を吸着面から押し上げた状態で、開口圧力を粘弾性フィルムの粘弾性特性に応じた所定の周波数で第１圧力と第２圧力との間で振動させること、を特徴とする。
　本発明のピックアップ装置において、粘弾性フィルムの緩和時間に基づいて第１圧力と第２圧力との間の開口圧力の振動数を変化させてもよい。
　本発明のピックアップ装置において、粘弾性フィルムの緩和時間が長いほど第１圧力と第２圧力との間の開口圧力の振動数を高くしてもよい。
　本発明のピックアップ装置において、第１圧力と第２圧力との間の開口圧力の振動数は、１０Ｈｚから５０Ｈｚとしてもよい。
　本発明のピックアップ装置において、押し上げ部材は、シートの裏面の離間した複数の位置を押し上げる複数の突き上げピンで構成される突き上げピン組と、各突き上げピンの間および突き上げピン組の外周側のシートの裏面を押し上げる複数の突き上げ柱で構成される突き上げブロックとを含み、突き上げピン組の先端と突き上げブロックの先端とは、それぞれ吸着面より高い第１位置と第１位置より低い第２位置との間で移動し、半導体ダイを粘弾性フィルムと共にピックアップする際に、吸着圧力を第３圧力として突き上げピン組の先端と突き上げブロックの先端とを第１位置とし、開口圧力を粘弾性フィルムの粘弾性特性に応じた所定の周波数で第１圧力と第２圧力との間で振動させた後、吸着圧力を第３圧力に保持し、突き上げピン組の先端を第１位置に保持した状態で、突き上げブロックの先端を第２位置として、開口圧力を第１圧力と第２圧力との間で振動させてもよい。
　本発明のピックアップ装置において、押し上げ部材は、シートの裏面の離間した複数の位置を押し上げる複数の突き上げピンで構成される突き上げピン組と、各突き上げピンの間および突き上げピン組の外周側のシートの裏面を押し上げる複数の突き上げ柱で構成される突き上げブロックとを含み、突き上げピン組の先端と突き上げブロックの先端とは、それぞれ吸着面より高い第３位置と第３位置より低い第４位置との間で移動し、半導体ダイを粘弾性フィルムと共にピックアップする際に、吸着圧力を第３圧力として突き上げピン組の先端と突き上げブロックの先端と第３位置と第４位置の間の第５位置とし、開口圧力を粘弾性フィルムの粘弾性特性に応じた所定の周波数で第１圧力と第２圧力との間で振動させた後、吸着圧力を第３圧力に保持し、突き上げブロックの先端を第５位置に保持した状態で、突き上げピン組の先端を第３位置として、開口圧力を第１圧力と第２圧力との間で振動させてもよい。
　本発明のピックアップ装置において、押し上げ部材は、シートの裏面の離間した複数の位置を押し上げる複数の突き上げピンで構成される突き上げピン組と、各突き上げピンの間および突き上げピン組の外周側のシートの裏面を押し上げる複数の突き上げ柱で構成される突き上げブロックとを含み、突き上げピン組の先端と突き上げブロックの先端とは、それぞれ吸着面より高い第３位置と第３位置より低い第４位置との間で移動し、半導体ダイを粘弾性フィルムと共にピックアップする際に、吸着圧力を第３圧力として突き上げピン組の先端と突き上げブロックの先端と第３位置と第４位置の間の第５位置とし、開口圧力を粘弾性フィルムの粘弾性特性に応じた所定の周波数で第１圧力と第２圧力との間で振動させた後、吸着圧力を第３圧力に保持した状態で、突き上げピン組の先端を第３位置とし、突き上げブロックの先端を第４位置として、開口圧力を第１圧力と第２圧力との間で振動させてもよい。
　本発明のピックアップ装置において、第４位置は、吸着面と同一、または、吸着面よりも低い位置としてもよい。
　本発明のピックアップ方法は、シートの表面に粘弾性フィルムを介して貼り付けられた半導体ダイをシートの表面から粘弾性フィルムと共にピックアップするピックアップ方法であって、シートの裏面を吸着する吸着面を含むステージと、ステージの吸着面に設けられた開口の中に配置され、先端が吸着面より突出してシートの裏面を押し上げる押し上げ部材と、開口の開口圧力を真空に近い第１圧力と大気圧に近い第２圧力との間で切換える開口圧力切換機構と、を備えるピックアップ装置を準備し、吸着面の吸着圧力を真空に近い第３圧力として押し上げ部材でシートの裏面を吸着面から押し上げた状態で、開口圧力を粘弾性フィルムの粘弾性特性に応じた所定の周波数で第１圧力と第２圧力との間で振動させて半導体ダイを粘弾性フィルムと共にピックアップすることを特徴とする。
　本発明のピックアップ方法において、粘弾性フィルムの緩和時間に基づいて第１圧力と第２圧力との間の開口圧力の振動数を変化させてもよい。
　本発明のピックアップ方法において、粘弾性フィルムの緩和時間が長いほど第１圧力と第２圧力との間の開口圧力の振動数を高くしてもよい。
　本発明のピックアップ方法において、第１圧力と第２圧力との間の開口圧力の振動数は、１０Ｈｚから５０Ｈｚとしてもよい。
　本発明は、シートの表面に粘弾性フィルムを介して貼り付けられた薄い半導体ダイをシートの表面から粘弾性フィルムと共にピックアップすることができる。
実施形態のピックアップ装置の構成を示す系統図である。 図１に示すピックアップ装置のステージを示す斜視図である。 半導体ダイと粘弾性フィルムとシートとの変形を示す説明図である。 半導体ダイと粘弾性フィルムとシートの積層体の物理モデルである。 図４に示す物理モデルのシート下側の面に振動圧力を印加した際のシートと粘弾性フィルムとの間の剥離力の変化を示す図である。 粘弾性フィルムの緩和時間と圧力振動の最適周波数との関係を示すグラフである。 図１に示すピックアップ装置の動作を示す説明図である（初期状態）。 図１に示すピックアップ装置の動作を示す説明図である（周辺剥離状態）。 図１に示すピックアップ装置の動作を示す説明図である（略全面剥離状態）。 図７から図９に示す動作の際の開口圧力の振動を示すグラフである。 図１に示すピックアップ装置の他の動作を示す説明図である（周辺剥離状態）。 図１に示すピックアップ装置の他の動作を示す説明図である（略全面剥離状態）。 図１に示すピックアップ装置の他の動作を示す説明図である（略全面剥離状態）。
　＜ピックアップ装置の構成＞
　以下、図面を参照しながら実施形態のピックアップ装置１００について説明する。本実施形態のピックアップ装置１００は、樹脂製のシート１２の表面１２ａに粘弾性フィルム１１を介して貼り付けられた半導体ダイ１５をシート１２の表面１２ａから粘弾性フィルム１１と共にピックアップするものである。
　図１に示すように、本実施形態のピックアップ装置１００は、シート１２を保持するウェーハホルダ１０と、シート１２を吸着するステージ２０と、ステージ２０の開口２３の中に設けられた押し上げ部材３０と、ステージ２０のケーシング２１の内部に設けられて押し上げ部材３０を上下に駆動する駆動機構５０と、半導体ダイ１５をピックアップするコレット１８と、真空ポンプ６１と、ピックアップ装置１００の駆動制御を行う制御部７０とを備えている。
　ウェーハホルダ１０は、円環状のエキスパンドリング１６と、エキスパンドリング１６のフランジ上にシート１２の周辺に取り付けられた金属製のリング１３を固定するリング押さえ１７とを有している。シート１２は、エキスパンドリング１６にセットされると、エキスパンドリング１６の上面とフランジ面との段差分だけエキスパンドリング上部の曲面に沿って引き伸ばされ、シート１２の中心から周囲に向かう引っ張り力が働く。この引張り力によってシート１２が延びるので、シート１２の上に貼り付けられた各半導体ダイ１５の間と粘弾性フィルム１１の間には隙間１４ができている。また、ウェーハホルダ１０は、図示しない移動機構によって水平方向と上下方向に移動することができる。
　図２に示すように、ステージ２０は、円筒形で、上面にはシート１２の裏面１２ｂを吸着する吸着面２２が形成されている。吸着面２２の中央には、ケーシング２１の内部と連通する四角い開口２３が設けられ、開口２３には吸着面２２より突出してシート１２の裏面１２ｂを押し上げる押し上げ部材３０が配置されている。押し上げ部材３０は、突き上げピン組３２と突き上げブロック３４とで構成されている。突き上げピン組３２は、シート１２の裏面１２ｂの離間した複数の位置を押し上げる針状の複数の突き上げピン３１で構成されている。突き上げブロック３４は、各突き上げピン３１の間および突き上げピン組３２の外周側のシート１２の裏面１２ｂを押し上げる複数の四角柱状の突き上げ柱３３で構成されている。開口２３の周囲には、吸着溝２６が開口２３を取り巻くように二重に設けられている。各吸着溝２６には、吸着孔２７が設けられている。
　図１に示すように、ステージ２０のケーシング２１の内部には、押し上げ部材３０を構成する突き上げピン組３２と突き上げブロック３４を上下に駆動する駆動機構５０が収納されている。駆動機構５０は、モータ５１と、モータ５１の回転移動を上下移動に変換するカム５２と、カム５２に接するカムフォロワ５３と、カムフォロワ５３が取り付けられ、モータ５１の回転によって上下方向に移動するロッド５４と、ロッド５４の上下移動を突き上げピン組３２、突き上げブロック３４の上下移動に変換する変換機構５５とを備えている。
　コレット１８は、先端に半導体ダイ１５を吸着保持する保持面１８ａを有している。保持面１８ａには吸引孔１９が設けられている。コレット１８は、コレット駆動部８０によって水平方向と上下方向とに移動する。
　ケーシング２１の内部は配管６３を通して真空ポンプ６１に連通している。ステージ２０の開口２３は、吸着面２２とケーシング２１の内部と連通しているので、真空ポンプ６１は、配管６３、ケーシング２１を通して開口２３と接続されている。また、吸着孔２７も配管６４を通して真空ポンプ６１に連通している。コレット１８の吸引孔１９は、配管６５を通して真空ポンプ６１に連通している。また、各配管６３、６４、６５には、三方弁６７、６８、６９が配置されている。真空ポンプ６１の吸込管６６には、真空ポンプ６１の吸引圧力を検出する圧力センサ６２が取り付けられている。三方弁６７、６８、６９は、連通方向を真空ポンプ側と大気開放側とに切り替えることができるもので、真空ポンプ側に切り替えた場合には真空ポンプ６１と連通してケーシング２１、吸着溝２６、コレット１８の吸引孔１９を真空にする。逆に大気開放側とした場合には、大気開放端と連通してケーシング２１、吸着溝２６、コレット１８の吸引孔１９に空気を導入して真空を破壊する。三方弁６７は、配管６３を介してケーシング２１に接続されてケーシング２１の開口２３の圧力Ｐを真空と大気圧との間で切換えるもので、請求項に記載の開口圧力切換機構に対応する。なお、三方弁６７の大気開放側には、大気圧よりも高い圧縮空気源を接続してケーシング２１の開口２３の圧力Ｐを真空と大気圧よりも少し高い圧力との間で切換えるようにしてもよい。
　制御部７０は、演算処理を行うＣＰＵ７１と、制御プログラムやデータを格納するメモリ７２と、機器・センサインターフェース７３とを含み、ＣＰＵ７１とメモリ７２と機器・センサインターフェース７３とがデータバス７４で接続されているコンピュータである。押し上げ部材３０を駆動する駆動機構５０のモータ５１、真空ポンプ６１、コレット駆動部８０、三方弁６７、６８、６９、図示しないウェーハホルダ１０の移動機構は、機器・センサインターフェース７３に接続され、制御部７０の指令によって駆動される。また、圧力センサ６２は、機器・センサインターフェース７３に接続され、検出信号は、制御部７０で処理される。
　＜半導体ダイと粘弾性フィルムとシートの積層体の振動応答＞
　図３に示すように、半導体ダイ１５は、粘弾性フィルム１１を介してシート１２に貼り付けられているので、半導体ダイ１５と粘弾性フィルム１１とシート１２とは、図３に示すような積層体となっている。なお、図３において符号１５ａ、１１ａ、１２ａは半導体ダイ１５、粘弾性フィルム１１、シート１２の各表面を示し、符号１５ｂ、１１ｂ、１２ｂは半導体ダイ１５、粘弾性フィルム１１、シート１２の各裏面を示す。半導体ダイ１５の厚さは、シート１２の厚さより薄く、半導体ダイ１５の曲げ剛性は、シート１２よりも小さい。ここで、図１、図２に示すステージ２０の開口２３の圧力Ｐを真空にすると、シート１２は図３に示すように下に凸に湾曲変形する。シート１２よりも曲げ剛性の小さい半導体ダイ１５と粘弾性フィルム１１とは、シート１２に追従して下に凸に湾曲変形する。
　このような変形をする半導体ダイ１５と粘弾性フィルム１１とシート１２との積層体は、図４に示すような物理モデルとして取り扱うことができる。図４に示すように、個体で弾性体である半導体ダイ１５は、質量４１と曲げ剛性を示すばね４２の組み合わせで表される。同様に、個体で弾性体であるシート１２も図４に示すように、質量４６と曲げ剛性を示すばね４７との組み合わせで表すことができる。一方、粘弾性体である粘弾性フィルム１１は、質量４３と曲げ剛性を示すばね４４と粘性を示すダッシュポット４５を直列に接続したものとして表すことができる。そして、半導体ダイ１５と粘弾性フィルム１１とシート１２との積層体は、図４に示すように、質量４１とばね４２、質量４３とばね４４とダッシュポット４５、質量４６とばね４７とを直列に接続した物理モデルとして取り扱うことができる。
　図４に示すシート１２の下端に加わる圧力Ｐを振動させると、物理モデルには、圧力Ｐ×受圧面積Ａの振動外力が加わる。図４に示す物理モデルの下端に図５に実線で示すように振動する圧力Ｐを外力として入力すると、固体の半導体ダイ１５やシート１２は圧力Ｐの時間変化に対応して遅れなく変化するのに対し、粘弾性フィルム１１の変位は圧力Ｐの時間変化に対して遅れて変化する。このため、シート１２と粘弾性フィルム１１との間に変位差が発生する。この変位差により、図５の一点鎖線に示すように、シート１２の表面１２ａと粘弾性フィルム１１の裏面１１ｂとの間を剥離させる方向の剥離力Ｆｐが発生する。シート１２と粘弾性フィルム１１との間の剥離力Ｆｐは、外力である圧力Ｐの振動の周波数ｆと粘弾性フィルム１１の緩和時間τによって変化する。
　そこで、粘弾性フィルム１１の緩和時間τに応じて適切な圧力Ｐの振動の周波数ｆを選択すると、図５に示すように、圧力Ｐが最も低くなる時刻ｔ０から時間Δｔだけ遅れた時刻ｔ１に剥離力Ｆｐが最大となるようにすることができる。
　図５に示す時間Δｔは、粘弾性フィルム１１の緩和時間τが長くなる、つまり、粘弾性フィルム１１の特性が弾性特性に近くなるほど短くなり、粘弾性フィルム１１の緩和時間τが短くなる、つまり、粘弾性フィルム１１の特性が粘性特性に近くなるほど長くなる。したがって、粘弾性フィルム１１の緩和時間τが長い場合には圧力Ｐの振動の周波数ｆを高く設定し、粘弾性フィルム１１の緩和時間τが短い場合には、圧力Ｐの振動の周波数ｆを低く設定することにより、圧力Ｐが最も低くなる時刻ｔ０から時間Δｔだけ遅れた時刻ｔ１に大きな剥離力Ｆｐを得ることができる。
　ここで、粘弾性フィルム１１の緩和時間τは、粘弾性フィルム１１の粘弾性特性を示すものであり、一般的な粘弾性測定装置（レオメータ）で測定した物性値である。発明者の研究によると、粘弾性フィルム１１の緩和時間τが１０から２０（ｍｓ）の場合には、圧力Ｐの振動の周波数ｆを１０Ｈｚ～５０Ｈｚとすることにより、大きな剥離力Ｆｐを得ることができることが分かっている。より好適には、圧力Ｐの振動の周波数ｆを１０Ｈｚ～４０Ｈｚとすることにより、より大きな剥離力Ｆｐを得ることができる。さらに好適には、圧力Ｐの振動の周波数ｆを１０Ｈｚ～３０Ｈｚとすることにより、さらに大きな剥離力Ｆｐを得ることができる。よりさらに好適には、圧力Ｐの振動の周波数ｆを２０Ｈｚとすることにより、より大きな剥離力Ｆｐを得ることができる。なお、圧力Ｐの振動の周波数ｆを２０Ｈｚとすることは一例であり、これに限らない。他の態様のとして圧力Ｐの振動の周波数ｆは、各１０、１１、１２、１３、１４、１５、１６、１７、１８、１９、２０、２１、２２、２３、２４、２５、２６、２７、２８、２９、３０、３１、３２、３３、３４、３５、３６、３７、３８、３９、４０、４１、４２、４３、４４、４５、４６、４７、４８、４９、５０Ｈｚであり、これらの周波数のいずれか２つの範囲内であってもよい。
　＜ピックアップ装置への応用＞
　以上説明したように、半導体ダイ１５と粘弾性フィルム１１とシート１２との積層体に粘弾性フィルム１１の緩和時間τに応じた所定の周波数ｆで圧力Ｐの振動を加えると、粘弾性フィルム１１とシート１２との間に大きな剥離力Ｆｐを発生させることができる。本実施形態のピックアップ装置１００は、この原理を応用したもので、半導体ダイ１５を粘弾性フィルム１１と共にピックアップする際に、開口２３の圧力Ｐを所定の周波数ｆで真空に近い第１圧力Ｐ１と大気圧に近い第２圧力Ｐ２との間で振動させることにより、粘弾性フィルム１１とシート１２との間に大きな剥離力Ｆｐを発生させて半導体ダイ１５と粘弾性フィルム１１とをシート１２からピックアップするものである。なお、第２圧力Ｐ２は、大気圧に近い圧力であれば、大気圧と同一の圧力の他、大気圧よりも少し高い圧力および大気圧より少し低い圧力を含むものである。
　ここで、開口２３の圧力Ｐを真空に近い第１圧力Ｐ１と大気圧に近い第２圧力Ｐ２との間で圧力Ｐを振動させることとは、圧力Ｐの第１圧力Ｐ１と第２圧力Ｐ２との間の振動が一周期以上あればよく、例えば、開口２３の圧力Ｐを大気圧に近い第２圧力Ｐ２から真空に近い第１圧力Ｐ１まで低下させた後、大気圧の近い第２圧力Ｐ２に戻すような圧力Ｐの変動を１回以上与えることをいう。
　＜ピックアップ装置の動作＞
　以下、図７から図１０を参照しながら、ピックアップ装置１００の動作について説明する。以下の説明では、圧力振動の周波数ｆは、２０Ｈｚとして説明する。
　図７に示すように、制御部７０は、図示しない移動機構によってウェーハホルダ１０の水平方向と上下方向の位置を調整し、半導体ダイ１５と粘弾性フィルム１１が貼り付けられたシート１２の裏面１２ｂがステージ２０の吸着面２２に接し、半導体ダイ１５と粘弾性フィルム１１の水平方向の位置が開口２３の直上となるようにする。そして、制御部７０は、三方弁６８を真空ポンプ側として真空ポンプ６１によってステージ２０の吸着溝２６の圧力を低下させ、シート１２の裏面１２ｂを吸着面２２に吸着固定する。この状態では、突き上げピン３１、突き上げ柱３３の各先端３１ａ、３３ａは吸着面２２と同一面の第２位置となっている。
　次に、制御部７０は、図１０に示す時刻ｔ１に三方弁６７を真空ポンプ側にして真空ポンプ６１によってステージ２０の開口２３の圧力Ｐを大気圧に近い第２圧力Ｐ２から低下させる。また、制御部７０は、開口２３の圧力の低下の開始と略同時に、図８に示すように、駆動機構５０によって突き上げピン組３２、突き上げブロック３４の各突き上げピン３１、各突き上げ柱３３の各先端３１ａ、３３ａを吸着面２２より高さＨ１だけ高い第１位置まで上昇させる。更に、制御部７０は、三方弁６９を真空ポンプ側としてコレット１８の吸引孔１９の圧力を低下させる。図８に示すように、開口２３の周辺のシート１２は、吸着面２２に吸着固定されているので、突き上げピン３１、突き上げ柱３３の各先端３１ａ、３３ａの上昇により、シート１２は斜め下方向に引っ張られる。また、シート１２は開口２３の圧力Ｐによって下方向に引っ張られる。
　この際、半導体ダイ１５は、吸引孔１９の真空によりコレット１８の保持面１８ａに吸着されている。しかし、開口２３の圧力Ｐを大気圧の近い第２圧力Ｐ２から真空に近い第１圧力Ｐ１まで低下させている図１０の時刻ｔ１からｔ２の間は、半導体ダイ１５はコレット１８の保持面１８ａから離れ、半導体ダイ１５と粘弾性フィルム１１とは図３に示すようにシート１２に追従して下側に湾曲している。このため、粘弾性フィルム１１とシート１２とは剥離していない。ただし、コレット１８の保持面１８ａがゴムなどの弾性体の場合、半導体ダイ１５が薄い為、わずかな押しつけ力で、半導体ダイ１５の外周部を図３に示したごとく、凸状に湾曲変形させてしまい、剥離抗力を発現させる。この場合、コレット１８は半導体ダイ１５にわずかな間隙で空中待機させる。コレット１８が半導体ダイ１５に非接触な状態でも、本件の剥離プロセスには何ら影響は無く剥離が終了すると、半導体ダイ１５はコレット１８に吸引吸着される。
　図１０に示す時刻ｔ２に開口２３の圧力Ｐが真空に近い第１圧力Ｐ１に到達したら、制御部７０は、三方弁６７を大気開放側に切り替えて空気をケーシング２１の内部に導入する。これにより、開口２３の圧力Ｐは、時刻ｔ２の第１圧力Ｐ１から大気圧に近い第２圧力Ｐ２に向かって急速に上昇し時刻ｔ３に大気圧の近い第２圧力Ｐ２に戻る。
　ピックアップ装置１００では、図１０に示すように、開口２３の圧力Ｐの低下を開始する時刻ｔ１から開口２３の圧力Ｐが真空に近い第１圧力Ｐ１に到達し、再度第２圧力Ｐ２に戻る時刻ｔ３までの時間Δｔ２（＝ｔ３－ｔ１）が所定の周期である２０Ｈｚの一周期である５０（ｍｓ）＝（１／２０Ｈｚ×１０００）となるように、真空ポンプ６１の空気吸引速度と三方弁６７による開口２３の真空開放速度とを調整している。
　このため、図１０に示すように、開口２３の圧力Ｐが真空に近い第２圧力Ｐ２に到達してからΔｔ１時間後に粘弾性フィルム１１とシート１２との間に最大の剥離力Ｆｐが発生する。この剥離力Ｆｐにより、時刻ｔ２から時刻ｔ３の間、つまり、図８に示すように、真空破壊時間の間に粘弾性フィルム１１の周辺部とシート１２との間に初期剥離が発生する。
　次に、制御部７０は、再び三方弁６７を真空ポンプ側にして真空ポンプ６１によってステージ２０の開口２３の圧力Ｐを大気圧に近い第２圧力Ｐ２から低下させ始める。また、制御部７０は、開口２３の圧力Ｐの低下の開始と略同時に、図９に示すように、駆動機構５０によって突き上げピン３１の各先端３１ａの位置を第１位置に保ったまま、突き上げ柱３３の各先端３３ａを吸着面２２と同一高さ、つまり、第１位置よりも高さＨ１だけ低い第２位置まで降下させる。これにより、突き上げ柱３３によって押し上げられていたシート１２の部分が開口２３の大気圧よりも低い圧力によって下方向に引っ張られて下方向に湾曲する。
　この際、半導体ダイ１５、粘弾性フィルム１１もシート１２に追従して下方向に湾曲する。この状態では、また、突き上げ柱３３によって押し上げられていたシート１２の部分の粘弾性フィルム１１とシート１２とは剥離していない。
　次に、制御部７０は、開口２３の圧力Ｐが真空に近い第１圧力Ｐ１に到達したら、三方弁６７を大気開放側に切り替えて空気をケーシング２１の内部に導入する。これにより、開口２３の圧力Ｐは、第１圧力Ｐ１から大気圧に近い第２圧力Ｐ２に向かって上昇し大気圧の近い第２圧力Ｐ２に戻る。
　図９の状態において、開口２３の圧力Ｐを第２圧力Ｐ２から第１圧力Ｐ１まで低下させた後、第２圧力Ｐ２まで戻すまでの時間Δｔ２は、先に、図８の状態で開口２３の圧力Ｐを第２圧力Ｐ２と第１圧力Ｐ１との間で、周波数２０Ｈｚで振動させたのと同様、２０ｚの一周期である５０（ｍｓ）＝（１／２０Ｈｚ×１０００）となるように真空ポンプ６１の空気吸引速度と三方弁６７による開口２３の真空開放速度とを調整してもよいし、これよりも長い時間となるように調整してもよい。
　時間Δｔ２を５０（ｍｓ）に調整した場合には、図８を参照して説明したと同様、開口２３の圧力Ｐが第１圧力Ｐ１から第２圧力Ｐ２に戻る間にシート１２と粘弾性フィルム１１との間に最大の剥離力Ｆｐが発生し、この最大の剥離力Ｆｐによって突き上げ柱３３によって押し上げられていたシート１２の部分でシート１２と粘弾性フィルム１１との間の剥離が発生する。
　一方、時間Δｔ２を５０（ｍｓ）より長くした場合、例えば、第２圧力Ｐ２から第１圧力Ｐ１に到達した後、少し時間をおいてから、真空破壊を開始した場合には、大気圧に近い第２圧力Ｐ２に戻る過程で開口２３の圧力Ｐが第２圧力Ｐ２に保持されている間に、突き上げピン３１の間の部分の半導体ダイ１５が弾性力により下に凸の湾曲変形から元の平面状態に戻ろうとする力によりシート１２と粘弾性フィルム１１との間に剥離が発生する。これは、突き上げピン３１の間の領域では、半導体ダイ１５は、突き上げピン３１の先端３１ａによって両持ち梁のように支持されることから、図８に示した周辺部よりも剛性が大きくなるので、半導体ダイ１５の剛性によってシート１２と粘弾性フィルム１１との剥離が促進されるためである。
　そして、開口２３の圧力Ｐが大気圧に近い第２圧力Ｐ２に戻ると、中央部のシート１２と粘弾性フィルム１１との間に剥離が発生している。この後、制御部７０は、コレット駆動部８０によってコレット１８を上昇させて、半導体ダイ１５と粘弾性フィルム１１とをシート１２からピックアップする。
　以上説明したように、実施形態のピックアップ装置１００は、シート１２の表面１２ａに粘弾性フィルム１１を介して貼り付けられた薄い半導体ダイ１５をシート１２の表面１２ａから粘弾性フィルム１１と共にピックアップすることができる。
　以上の説明では、制御部７０は、図８に示すような粘弾性フィルム１１の周辺部分とシート１２との間に初期剥離を発生させる場合には、開口２３の圧力Ｐを大気圧に近い第２圧力Ｐ２と真空に近い第１圧力Ｐ１との間で一回だけ圧力Ｐを振動させる、つまり、第２圧力Ｐ２から第１圧力Ｐ１の圧力Ｐを低下させた後、第２圧力Ｐ２に戻すこととして説明したが、圧力Ｐの振動は一周期に限らず、例えば、図１０の破線に示すように、二周期だけ圧力Ｐを第２圧力Ｐ２と第１圧力Ｐ１と間で振動させるようにしてもよい。この場合、剥離力Ｆｐが最大となる時点が二回発生するので、より好適にシート１２と粘弾性フィルム１１との剥離を行うことができる。
　次に、図１１、図１２を参照しながら、ピックアップ装置１００の他の動作について説明する。先に、図７から図１０を参照して説明したのと同様の動作については、説明を省力する。
　本動作は、図７に示す初期状態の後、図１１に示すように、制御部７０が突き上げピン３１の各先端３１ａと突き上げ柱３３の各先端３３ａを吸着面２２から高さＨ２の第５位置まで上昇させた後、開口２３の圧力Ｐを第２圧力Ｐ２と第１圧力Ｐ１との間で、周波数２０Ｈｚで一周期だけ振動させる。その後、制御部７０は、突き上げ柱３３の各先端３３ａの位置を第５位置に保ったまま、突き上げピン３１の先端３１ａを第５位置よりも高く、吸着面２２から高さＨ３の位置にある第３位置まで上昇させ、開口２３の圧力Ｐを第２圧力Ｐ２と第１圧力Ｐ１との間で振動させるものである。この場合、吸着面２２の位置が請求項に記載の第４位置となる。
　ピックアップ装置１００は、上記の動作によっても、先に説明したのと同様、シート１２の表面１２ａに粘弾性フィルム１１を介して貼り付けられた薄い半導体ダイ１５をシート１２の表面１２ａから粘弾性フィルム１１と共にピックアップすることができる。
　次に図１３を参照しながら、ピックアップ装置１００の他の動作について説明する。この動作は、図７に示す初期状態から、図１１に示すような初期剥離状態に移行した後、図１３に示すように、制御部７０は、突き上げ柱３３の各先端３３ａの位置を吸着面２２の高さと同様の高さの第４位置に降下させるとともに、突き上げピン３１の先端３１ａを第５位置よりも高く、吸着面２２から高さＨ３の位置にある第３位置まで上昇させ、開口２３の圧力Ｐを第２圧力Ｐ２と第１圧力Ｐ１との間で振動させるものである。この場合、吸着面２２の位置が請求項に記載の第４位置となる。
　ピックアップ装置１００は、上記の動作によっても、先に説明したのと同様、シート１２の表面１２ａに粘弾性フィルム１１を介して貼り付けられた薄い半導体ダイ１５をシート１２の表面１２ａから粘弾性フィルム１１と共にピックアップすることができる。
　１０　ウェーハホルダ、１１　粘弾性フィルム、１１ａ、１２ａ、１５ａ　表面、１１ｂ、１２ｂ、１５ｂ　裏面、１２　シート、１３　リング、１４　隙間、１５　半導体ダイ、１６　エキスパンドリング、１８　コレット、１８ａ　保持面、１９　吸引孔、２０　ステージ、２１　ケーシング、２２　吸着面、２３　開口、２６　吸着溝、２７　吸着孔、３０　押し上げ部材、３１　突き上げピン、３１ａ、３３ａ　先端、３２　突き上げピン組、３３　突き上げ柱、３４　突き上げブロック、４１、４３、４６　質量、４２、４４、４７　ばね、４５　ダッシュポット、５０　駆動機構、５１　モータ、５２　カム、５３　カムフォロワ、５４　ロッド、５５　変換機構、６１　真空ポンプ、６２　圧力センサ、６３、６４、６５　配管、６６　吸込管、６７、６８、６９　三方弁、７０　制御部、７１　ＣＰＵ、７２　メモリ、７３　機器・センサインターフェース、７４　データバス、８０　コレット駆動部、１００　ピックアップ装置。

Claims (14)

  1. 　シートの表面に粘弾性フィルムを介して貼り付けられた半導体ダイを前記シートの前記表面から前記粘弾性フィルムと共にピックアップするピックアップ装置であって、
    　前記シートの裏面を吸着する吸着面を含むステージと、
    　前記ステージの前記吸着面に設けられた開口の中に配置され、先端が前記吸着面より突出して前記シートの裏面を押し上げる押し上げ部材と、
    　前記開口の開口圧力を真空に近い第１圧力と大気圧に近い第２圧力との間で切換える開口圧力切換機構と、を備え、
    　前記半導体ダイを前記粘弾性フィルムと共にピックアップする際に、前記吸着面の吸着圧力を真空に近い第３圧力として前記押し上げ部材で前記シートの裏面を前記吸着面から押し上げた状態で、前記開口圧力を前記粘弾性フィルムの粘弾性特性に応じた所定の周波数で前記第１圧力と前記第２圧力との間で振動させること、
    　を特徴とするピックアップ装置。
  2. 　請求項１に記載のピックアップ装置であって、
    　前記粘弾性フィルムの緩和時間に基づいて前記第１圧力と前記第２圧力との間の前記開口圧力の振動数を変化させること、
    　を特徴とするピックアップ装置。
  3. 　請求項２に記載のピックアップ装置であって、
    　前記粘弾性フィルムの前記緩和時間が長いほど前記第１圧力と前記第２圧力との間の前記開口圧力の振動数を高くすること、
    　を特徴とするピックアップ装置。
  4. 　請求項２に記載のピックアップ装置であって、
    　前記第１圧力と前記第２圧力との間の前記開口圧力の振動数は、１０Ｈｚから５０Ｈｚであること、
    　を特徴とするピックアップ装置。
  5. 　請求項３に記載のピックアップ装置であって、
    　前記第１圧力と前記第２圧力との間の前記開口圧力の振動数は、１０Ｈｚから５０Ｈｚであること、
    　を特徴とするピックアップ装置。
  6. 　請求項２から５のいずれか１項に記載のピックアップ装置であって、
    　前記押し上げ部材は、
    　前記シートの裏面の離間した複数の位置を押し上げる複数の突き上げピンで構成される突き上げピン組と、前記各突き上げピンの間および前記突き上げピン組の外周側の前記シートの裏面を押し上げる複数の突き上げ柱で構成される突き上げブロックとを含み、前記突き上げピン組の先端と前記突き上げブロックの先端とは、それぞれ前記吸着面より高い第１位置と前記第１位置より低い第２位置との間で移動し、
    　前記半導体ダイを前記粘弾性フィルムと共にピックアップする際に、
    　前記吸着圧力を前記第３圧力として前記突き上げピン組の先端と前記突き上げブロックの先端とを前記第１位置とし、前記開口圧力を前記粘弾性フィルムの粘弾性特性に応じた所定の周波数で前記第１圧力と前記第２圧力との間で振動させた後、
    　前記吸着圧力を前記第３圧力に保持し、前記突き上げピン組の先端を前記第１位置に保持した状態で、前記突き上げブロックの先端を前記第２位置として、前記開口圧力を前記第１圧力と前記第２圧力との間で振動させること、
    　を特徴とするピックアップ装置。
  7. 　請求項２から５のいずれか１項に記載のピックアップ装置であって、
    　前記押し上げ部材は、
    　前記シートの裏面の離間した複数の位置を押し上げる複数の突き上げピンで構成される突き上げピン組と、前記各突き上げピンの間および前記突き上げピン組の外周側の前記シートの裏面を押し上げる複数の突き上げ柱で構成される突き上げブロックとを含み、前記突き上げピン組の先端と前記突き上げブロックの先端とは、それぞれ前記吸着面より高い第３位置と前記第３位置より低い第４位置との間で移動し、
    　前記半導体ダイを前記粘弾性フィルムと共にピックアップする際に、
    　前記吸着圧力を前記第３圧力として前記突き上げピン組の先端と前記突き上げブロックの先端と前記第３位置と前記第４位置の間の第５位置とし、前記開口圧力を前記粘弾性フィルムの粘弾性特性に応じた所定の周波数で前記第１圧力と前記第２圧力との間で振動させた後、
    　前記吸着圧力を前記第３圧力に保持し、前記突き上げブロックの先端を前記第５位置に保持した状態で、前記突き上げピン組の先端を前記第３位置として、前記開口圧力を前記第１圧力と前記第２圧力との間で振動させること、
    　を特徴とするピックアップ装置。
  8. 　請求項２から５のいずれか１項に記載のピックアップ装置であって、
    　前記押し上げ部材は、
    　前記シートの裏面の離間した複数の位置を押し上げる複数の突き上げピンで構成される突き上げピン組と、前記各突き上げピンの間および前記突き上げピン組の外周側の前記シートの裏面を押し上げる複数の突き上げ柱で構成される突き上げブロックとを含み、前記突き上げピン組の先端と前記突き上げブロックの先端とは、それぞれ前記吸着面より高い第３位置と前記第３位置より低い第４位置との間で移動し、
    　前記半導体ダイを前記粘弾性フィルムと共にピックアップする際に、
    　前記吸着圧力を前記第３圧力として前記突き上げピン組の先端と前記突き上げブロックの先端と前記第３位置と前記第４位置の間の第５位置とし、前記開口圧力を前記粘弾性フィルムの粘弾性特性に応じた所定の周波数で前記第１圧力と前記第２圧力との間で振動させた後、
    　前記吸着圧力を前記第３圧力に保持した状態で、前記突き上げピン組の先端を前記第３位置とし、前記突き上げブロックの先端を前記第４位置として、前記開口圧力を前記第１圧力と前記第２圧力との間で振動させること、
    　を特徴とするピックアップ装置。
  9. 　請求項７に記載のピックアップ装置であって、
    　前記第４位置は、前記吸着面と同一、または、前記吸着面よりも低い位置であること、
    　を特徴とするピックアップ装置。
  10. 　請求項８に記載のピックアップ装置であって、
    　前記第４位置は、前記吸着面と同一、または、前記吸着面よりも低い位置であること、
    　を特徴とするピックアップ装置。
  11. 　シートの表面に粘弾性フィルムを介して貼り付けられた半導体ダイを前記シートの前記表面から前記粘弾性フィルムと共にピックアップするピックアップ方法であって、
    　前記シートの裏面を吸着する吸着面を含むステージと、前記ステージの前記吸着面に設けられた開口の中に配置され、先端が前記吸着面より突出して前記シートの裏面を押し上げる押し上げ部材と、前記開口の開口圧力を真空に近い第１圧力と大気圧に近い第２圧力との間で切換える開口圧力切換機構と、を備えるピックアップ装置を準備し、
    　前記吸着面の吸着圧力を真空に近い第３圧力として前記押し上げ部材で前記シートの裏面を前記吸着面から押し上げた状態で、前記開口圧力を前記粘弾性フィルムの粘弾性特性に応じた所定の周波数で前記第１圧力と前記第２圧力との間で振動させて前記半導体ダイを前記粘弾性フィルムと共にピックアップするピックアップ方法。
  12. 　請求項１１に記載のピックアップ方法であって、
    　前記粘弾性フィルムの緩和時間に基づいて前記第１圧力と前記第２圧力との間の前記開口圧力の振動数を変化させること、
    　を特徴とするピックアップ方法。
  13. 　請求項１２に記載のピックアップ方法であって、
    　前記粘弾性フィルムの前記緩和時間が長いほど前記第１圧力と前記第２圧力との間の前記開口圧力の振動数を高くすること、
    　を特徴とするピックアップ方法。
  14. 　請求項１２または１３に記載のピックアップ方法であって、
    　前記第１圧力と前記第２圧力との間の前記開口圧力の振動数は、１０Ｈｚから５０Ｈｚであること、
    　を特徴とするピックアップ方法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020141114A (ja) * 2019-03-01 2020-09-03 ファスフォードテクノロジ株式会社 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
WO2022201278A1 (ja) * 2021-03-23 2022-09-29 株式会社新川 ウェーハシートの初期剥離発生方法及び半導体ダイのピックアップ装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4755634B2 (ja) * 2006-09-29 2011-08-24 東レエンジニアリング株式会社 ピックアップ装置及びピックアップ方法
JP2012059829A (ja) * 2010-09-07 2012-03-22 Elpida Memory Inc 半導体チップの剥離装置、ダイボンディング装置、半導体チップの剥離方法、半導体装置の製造方法
JP5583475B2 (ja) * 2010-05-19 2014-09-03 キヤノンマシナリー株式会社 ピックアップ装置
JP2017034117A (ja) * 2015-08-03 2017-02-09 日立化成株式会社 ダイシング・ダイボンディング一体型テープ

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI225279B (en) * 2002-03-11 2004-12-11 Hitachi Ltd Semiconductor device and its manufacturing method
JP2004304066A (ja) * 2003-03-31 2004-10-28 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法
TWI295825B (en) * 2006-03-03 2008-04-11 King Yuan Electronics Co Ltd Integrated module of ejector pin for chip detachment
US7665204B2 (en) 2006-10-16 2010-02-23 Asm Assembly Automation Ltd. Die detachment apparatus comprising pre-peeling structure
JP5717910B1 (ja) * 2014-02-26 2015-05-13 株式会社新川 半導体ダイのピックアップ装置及びピックアップ方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4755634B2 (ja) * 2006-09-29 2011-08-24 東レエンジニアリング株式会社 ピックアップ装置及びピックアップ方法
JP5583475B2 (ja) * 2010-05-19 2014-09-03 キヤノンマシナリー株式会社 ピックアップ装置
JP2012059829A (ja) * 2010-09-07 2012-03-22 Elpida Memory Inc 半導体チップの剥離装置、ダイボンディング装置、半導体チップの剥離方法、半導体装置の製造方法
JP2017034117A (ja) * 2015-08-03 2017-02-09 日立化成株式会社 ダイシング・ダイボンディング一体型テープ

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020141114A (ja) * 2019-03-01 2020-09-03 ファスフォードテクノロジ株式会社 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
CN111640702A (zh) * 2019-03-01 2020-09-08 捷进科技有限公司 半导体制造装置及半导体器件的制造方法
JP7237655B2 (ja) 2019-03-01 2023-03-13 ファスフォードテクノロジ株式会社 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
CN111640702B (zh) * 2019-03-01 2023-08-08 捷进科技有限公司 半导体制造装置及半导体器件的制造方法
WO2022201278A1 (ja) * 2021-03-23 2022-09-29 株式会社新川 ウェーハシートの初期剥離発生方法及び半導体ダイのピックアップ装置

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