JP7408455B2 - ダイボンディング装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents

ダイボンディング装置および半導体装置の製造方法 Download PDF

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Description

本開示はダイボンディング装置に関し、例えばウェハ剥離力を測定する機能を備えるダイボンダに適用可能である。
一般に、ダイと呼ばれる半導体チップを、例えば、配線基板やリードフレームなど（以下、総称して基板という。）の表面に搭載するダイボンダにおいては、一般的に、コレット等の吸着ノズルを用いてダイを基板上に搬送し、押付力を付与すると共に、接合材を加熱することによりボンディングを行うという動作（作業）が繰り返して行われる。
ダイボンダ等のダイボンディング装置によるダイボンディング工程の中には、半導体ウェハ（以下、ウェハという。）から分割されたダイを剥離する剥離工程がある。剥離工程では、ダイシングテープ裏面から突上げユニットによってダイを突き上げて、ダイ供給部に保持されたダイシングテープから、１個ずつ剥離し、コレット等の吸着ノズルを使って基板上に搬送する。
ウェハリング内のウェハの中心部と周辺部とのピックアップ時の張力を補正するため、ブロック本体と上下機構との間に設けられたロードセルを用いて突上げ時の荷重（ダイシングテープからの反力）を測定して、突上げ時の荷重が一定となるように、突上げ量を可変にすることが提案されている（特許文献１）。
特開２０１２－１９９４５６号公報
しかし、特許文献１に示されるように、突上げユニット内にロードセルを設けると機構が大型化する。
本開示の課題は突上げユニット内の機構をより小型化できるダイボンディング装置を提供することにある。
本開示のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば下記の通りである。
すなわち、ダイボンディング装置は、ダイシングテープと接触する複数のブロックを有し、ダイを前記ダイシングテープの下から突き上げる突上げユニットと、ダイを吸着するコレットと、突上げユニットを制御するよう構成される制御部と、を備える。突上げユニットは、複数の前記ブロックに対応して独立に動作する複数の駆動軸と、複数の駆動軸に対応する複数のモータと、を備え、制御部は前記モータ毎に突上げ時の荷重トルクを測定することにより前記ダイの剥離力を測定するよう構成される。
上記ダイボンディング装置によれば、突上げユニット内の機構をより小型化可能である。
図１は実施形態の半導体製造装置の構成を示す概略図である。 ダイシングテープから離れた状態の突上げユニットの要部断面図である。 ＲＭＳの突上げシーケンスの一例を示す図である。 図３のシーケンスの第一のタイムチャートレシピの一例を説明する図である。 突上げユニットのモータと作動コントローラを示すブロック図である。 剥離力および剥離状態のオフライン機械学習の概念を説明する図である。 機械学習による剥離状態を求める概念を説明する図である。 剥離状態を説明する図である。 機械学習モデルにより求めた剥離状態から突上げ条件を算出する方法を説明する図である。 実施例におけるダイボンダを上から見た概念図である。 図１０において矢印Ａ方向から見たときにピックアップヘッドおよびボンディングヘッドの動作を説明する図である。 図１０のダイ供給部の外観斜視図を示す図である。 図１０のダイ供給部の主要部を示す概略断面図である。 図１１の突上げユニットの外観斜視図である。 図１４の第１ユニットの一部の上面図である。 図１４の第２ユニットの一部の上面図である。 図１４の第３ユニットの一部の上面図である。 図１４の突上げユニットの縦断面図である。 図１４の突上げユニットの縦断面図である。 図１１の突上げユニットとピックアップヘッドのうちコレット部との構成を示した図である。 図１１の突上げユニットのモータとモータ制御装置を示すブロック図である。 図１０のダイボンダのピックアップ動作を説明するためのフローチャートである。 図１０のダイボンダを用いた半導体装置の製造方法を説明するためのフローチャートである。
以下、実施形態および実施例について、図面を用いて説明する。ただし、以下の説明において、同一構成要素には同一符号を付し繰り返しの説明を省略することがある。なお、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本開示の解釈を限定するものではない。
＜実施形態＞
まず、実施形態における半導体製造装置について図１を用いて説明する。図１は実施形態における半導体製造装置の構成を示す概略図である。
実施形態における半導体製造装置１００は、メインコントローラ８１ａと作動コントローラ８１ｂとモニタ８３ａとタッチパネル８３ｂとブザー８３ｇとを有する制御部を備える。半導体製造装置１００は、さらに、作動コントローラ８１ｂに制御されるＸＹテーブル８６ａとＺ駆動部８６ｂと突上げユニットＴＵとを備える。半導体製造装置１００は、さらに、Ｚ駆動部８６ｂにより上下動するヘッド（ボンディングヘッドまたはピックアップヘッド）ＢＨとヘッドＢＨの先端に設けられるコレットＣＬＴとを備える。半導体製造装置１００は、さらに、突上げユニットＴＵの位置を検出するセンサ８７ａと圧力および流量を検出するセンサ８７ｂとコレットＣＬＴのガス流量を検知するセンサ８７ｃを備える。突上げユニットＴＵはダイシングテープを真空吸着する機能とダイシングテープにエアーを吹き上げる機能とを備える。
次に、複数段の突上げブロックを有する突上げユニットＴＵについて図２を用いて説明する。図２はダイシングテープから離れた状態の突上げユニットの要部断面図である。
突上げユニットＴＵはブロックＢＬＫ１～ＢＬＫ４を有するブロック部ＢＬＫと、ダイシングテープＤＴを吸着する複数の吸引孔（不図示）を有するドームプレートＤＰと、を有する。四つのブロックＢＬＫ１～ＢＬＫ４はニードルＮＤＬ４～ＮＤＬ１により独立に上下運動が可能である。ニードルＮＤＬ４～ＮＤＬ１は後述するモータＭ１～Ｍ４により駆動される。同心四角状のブロックＢＬＫ１～ＢＬＫ４の平面形状はダイＤの形状に合うように構成される。
例えば、突上げユニットＴＵは、ブロックＢＬＫ１～ＢＬＫ４を同時に突上げ、その後さらに、ブロックＢＬＫ２～ＢＬＫ４を同時に突上げ、その後さらに、ブロックＢＬＫ３，ＢＬＫ４を同時に突上げ、その後さらに、ブロックＢＬＫ４を突上げてピラミッド状にしたり、ブロックＢＬＫ１～ＢＬＫ４を同時に突上げてからブロックＢＬＫ１、ブロックＢＬＫ２、ブロックＢＬＫ３の順に下げたりする。後者を本開示ではＲＭＳ（Reverse Multi Step）という。
ＲＭＳの動作について図３、４を用いて説明する。図３はＲＭＳの突上げシーケンスの一例を示す断面図であり、図３（ａ）は第一状態を示す図、図３（ｂ）は第二状態を示す図、図３（ｃ）は第三状態を示す図、図３（ｄ）は第四状態を示す図である。図４は図３のシーケンスの第一のタイムチャートレシピの一例を説明する図であり、図４（ａ）は図３のシーケンスのブロック動作タイミングの一例を示す図であり、図４（ｂ）は図４（ａ）のブロック動作タイミングに対応するタイムチャートレシピの一例を示す図である。
ピックアップ動作はダイシングテープＤＴ上の目的とするダイＤが突上げユニットＴＵとコレットＣＬＴに位置決めされるところから開始する。位置決めが完了すると突上げユニットＴＵの図示していない吸引孔および間隙を介して真空引きすることによって、ダイシングテープＤＴが突上げユニットＴＵの上面に吸着される。このとき、ブロックＢＬＫ１～ＢＬＫ４の上面はドームプレートＤＰの上面と同一の高さ（初期位置）にある。その状態で真空供給源から真空が供給され、コレットＣＬＴがダイＤのデバイス面に向けて真空引きしながら降下し、着地する。
その後、図３（ａ）に示すように、ブロックＢＬＫ１～ＢＬＫ４が同時に所定の高さ（ｈ１）まで一定の速度（ｓ１）で上昇して第一状態（State1）になる。ここで、図４（ａ）に示すように、ブロックＢＬＫ１～ＢＬＫ４がｈ１に到達する時間をｔ１とすると、ｔ１＝ｈ１／ｓ１である。その後、所定時間（ｔ２）待機する。ダイＤはコレットＣＬＴとブロックＢＬＫ１～ＢＬＫ４に挟まれたまま上昇するが、ダイシングテープＤＴの周辺部は突上げユニットＴＵの周辺であるドームプレートＤＰに真空吸着されたままなので、ダイＤの周辺で張力が生じ、その結果、ダイＤ周辺でダイシングテープＤＴの剥離が開始されることになる。
続いて、図３（ｂ）に示すように、ブロックＢＬＫ１がドームプレートＤＰの上面よりも下の所定の高さ（－ｈ２）に一定の速度（ｓ２）で下降して第二状態（State2）になる。ここで、図４（ａ）に示すように、ブロックＢＬＫ１が所定の高さ（－ｈ２）に到達する時間をｔ３とすると、ｔ３＝（ｈ１＋ｈ２）／ｓ２である。ブロックＢＬＫ１がドームプレートＤＰの上面よりも下がることにより、ダイシングテープＤＴの支えがなくなり、ダイシングテープＤＴの張力によりダイシングテープＤＴの剥離が進行する。
続いて、図３（ｃ）に示すように、ブロックＢＬＫ２がドームプレートＤＰの上面よりも下の所定の高さ（－ｈ２）に一定の速度（ｓ２）で下降して第三状態（State3）になる。ここで、図４（ａ）に示すように、ブロックＢＬＫ２が所定の高さ（－ｈ２）に到達する時間をｔ４とすると、ｔ４＝（ｈ１＋ｈ２）／ｓ２である。ブロックＢＬＫ２がドームプレートＤＰの上面よりも下がることにより、ダイシングテープＤＴの支えがなくなり、ダイシングテープＤＴの張力によりダイシングテープＤＴの剥離がさらに進行する。
続いて、図３（ｄ）に示すように、ブロックＢＬＫ３がドームプレートＤＰの上面よりも下の所定の高さ（－ｈ２）に一定の速度（ｓ２）で下降して第四状態（State4）になる。ここで、図４（ａ）に示すように、ブロックＢＬＫ３が所定の高さ（－ｈ２）に到達する時間をｔ５とすると、ｔ５＝（ｈ１＋ｈ２）／ｓ２である。ブロックＢＬＫ３がドームプレートＤＰの上面よりも下がることにより、ダイシングテープＤＴの支えがなくなり、ダイシングテープＤＴの張力によりダイシングテープＤＴの剥離がさらに進行する。
その後、コレットＣＬＴを上方に引き上げる。また、図４（ａ）に示すように、第四状態から所定時間（ｔ６）後ブロックＢＬＫ１～ＢＬＫ３が一定の速度（ｓ３）で上昇し、ブロックＢＬＫ４が一定の速度（ｓ４）で下降し初期位置に戻る。ここで、ブロックＢＬＫ１～ＢＬＫ３が初期位置に到達する時間をｔ８とすると、ｔ８＝ｈ２／ｓ３であり、ブロックＢＬＫ４が初期位置に到達する時間をｔ９とすると、ｔ９＝ｈ１／ｓ４である。これにより、ダイＤをダイシングテープＤＴから剥がす作業が完了する。
次に、ＲＭＳの動作の設定方法および制御について図４を用いて説明する。
図４（ｂ）に示すように、突上げユニットＴＵの各ブロックＢＬＫ１，ＢＬＫ２，ＢＬＫ３，ＢＬＫ４の動作を、ブロック毎およびステップ毎にステップの時間、ブロックの上昇または下降の速度、ブロックの高さ（位置）が設定されるタイムチャートレシピに基づいてメインコントローラ８１ａおよび作動コントローラ８１ｂは各ブロックＢＬＫ１，ＢＬＫ２，ＢＬＫ３，ＢＬＫ４をニードルＮＤＬ４、ＮＤＬ３，ＮＤＬ２，ＮＤＬ１を介してそれぞれ駆動するモータＭ１～Ｍ４を制御するよう構成される。
設定項目の異なる複数のタイムチャートレシピを用意しておき、ユーザは、ＧＵＩ（Graphical User Interface）によって複数のタイムチャートレシピから一つのタイムチャートレシピを選択し、選択したタイムチャートレシピの項目に設定値を入力する。または、ユーザは、予め設定値が入力されたタイムチャートレシピを外部機器からダイボンダ等の半導体製造装置にデータ通信するか、または、外部記憶装置（例えば、磁気テープ、フレキシブルディスクやハードディスク等の磁気ディスク、ＣＤやＤＶＤ等の光ディスク、ＭＯ等の光磁気ディスク、ＵＳＢメモリやメモリカード等の半導体メモリ）から半導体製造装置にインストールする。また、メインコントローラ８１ａはセンサ８７ａ，８７ｂ，８７ｃにより検知した状態または後述するトルク量から求めるウェハ剥離力に基づいてリアルタイムにタイムチャートレシピを書換えて作動コントローラ８１ｂに指示して突上げ動作の変更が可能である。
次に、ウェハの剥離力の測定について図５を用いて説明する。図５は突上げユニットのモータと作動コントローラを示すブロック図である。
突上げユニットＴＵのモータＭ１～Ｍ４には、例えばＡＣサーボモータまたはαステップのパルスモータ（通常時はオープンループ制御を行い、過負荷時はクローズドループ制御を行うハイブリッド制御のステッピングモータ）を使用する。モータＭ１～Ｍ４は、それぞれ回転角速度を検出するエンコーダ（回転検出器）Ｍａおよびモータ電流を得る電流センサＭｂを備える。
まず、図２に示すように、作動コントローラ８１ｂは、突上げユニットＴＵをダイシングテープＤＴから離した状態（無負荷状態）で、突上げ動作時のシーケンスに従って突上げユニットＴＵのブロックＢＬＫ１～ＢＬＫ４をモータＭ１～Ｍ４により作動させる。
そして、無負荷状態において、モータＭ１～Ｍ４に設けられたエンコーダＭａにより検出されるモータＭ１～Ｍ４の回転角度毎に、電流センサＭｂにより検出される電流（モータＭ１～Ｍ４が受ける負荷に基づくモータ電流）から、作動コントローラ８１ｂにより無負荷トルク値を測定する。
次に、作動コントローラ８１ｂは、突上げユニットＴＵを上方向に移動させてダイシングテープＤＴに当接して図３に示すような状態（有負荷状態）にする。作動コントローラ８１ｂは、突上げ動作時のシーケンスに従ってモータＭ１～Ｍ４により突上げユニットＴＵのブロックＢＬＫ１～ＢＬＫ４を作動させる。
そして、有負荷状態において、モータＭ１～Ｍ４に設けられたエンコーダＭａにより検出されるモータＭ１～Ｍ４の回転角度毎に、電流センサＭｂにより検出される電流（モータＭ１～Ｍ４が受ける負荷に基づくモータ電流）から、作動コントローラ８１ｂにより有負荷トルク値を測定する。
次に、作動コントローラ８１ｂは、突上げ動作時のシーケンスにおけるモータＭ１～Ｍ４の角度毎の有負荷トルク値と無負荷トルク値において、有負荷トルク値から無負荷トルク値を差し引くことにより、突上げ動作シーケンスにおけるトルク値を算出する。
このように、突上げ動作シーケンスにおけるトルク値を算出する際に、実測値である無負荷トルク値を用いることにより、有負荷トルク値および無負荷トルク値に含まれている突上げユニットＴＵに含まれるブロックＢＬＫ１～ＢＬＫ４を押し下げるバネ等の突上げ治工具反力、モータＭ１～Ｍ４の巻線構造からの影響および突上げユニットＴＵ内の機構摩擦力による誤差等を取り除くことができる。これにより、突上げ動作シーケンスにおけるトルク値を正確に算出することができる。このトルク値はウェハ（ダイシングテープＤＴ）に掛る荷重であり、ウェハ剥離時の剥離荷重（剥離力）を測定することができる。
次に、測定した剥離力等のデータを蓄積して突上げ条件を機械学習で求めて自動設定を行う例を図６から図７を用いて説明する。図６は剥離力および剥離状態のオフライン機械学習の概念を説明する図である。図６（ａ）は突上げユニットのブロックとダイシングテープに貼付されたダイを模式的に示す図であり、図６（ｂ）はダイの裏面の撮像を模式的に示す図であり、図６（ｃ）は剥離荷重の時間推移を示す図であり、図６（ｄ）はダイシングテープを介してダイの裏面を撮像した画像であり、図６（ｅ）は剥離荷重および剥離状態のデータの蓄積を模式的に示す図である。図６（ｂ）において、ダイＤ内の白色部分はダイシングテープＤＴから剥離した剥離部ＰＬであり、ハッチング部分はダイシングテープＤＴから剥離していない非剥離部ＮＰＬである。図７は機械学習による剥離状態を求める概念を説明する図である。
オフラインにて、図６（ａ）に示す突上げユニットのブロック部ＢＬＫによりダイシングテープＤＴに貼付されたダイＤを突き上げる。その際、図３（ａ）から（ｄ）に示す第一状態から第四状態のそれぞれにおいて、図６（ａ）に示すようなトルク値によるダイＤの剥離力と、図６（ｂ）に示すような撮像装置によりダイシングテープ１６の下方からダイＤを撮像して、図６（ｄ）に示すようなダイＤの剥離状態を測定する。図６（ｅ）に示すように、測定されたダイＤの剥離力およびダイＤの剥離状態を、測定時の突上げ条件（突上げ高さ、突上げ速度、ピックアップタイマー等）、ダイサイズ、ダイ厚等のパラメータと共に、データセットとしてデータベースＤＢに蓄積する。これらの動作条件と対応するダイの剥離力とダイの剥離状態を機械学習により、モデル化して機械学習モデルを生成する。
次に、図７に示すように、機械学習モデルに、ダイの剥離力と、突上げ条件（突上げ高さ、突上げ速度、ピックアップタイマー等）、ダイサイズ、ダイ厚等の動作条件パラメータを与えることでダイの剥離状態を求められるようにする。
最適パラメータ計算方法について図８および図９を用いて説明する。図８は剥離状態を説明する図であり、図８（ａ）は十分に剥離ができていない剥離状態を示す図であり、図８（ｂ）は十分に剥離ができている剥離状態を示す図である。図８において、ブロック内の白色部分はダイがダイシングテープから剥離した部分であり、ハッチング部分はダイがダイシングテープから剥離していない部分である。図９は機械学習モデルにより求めた剥離状態から突上げ条件を算出する方法を説明する図である。
ダイの剥離力から求めたダイ剥離状態にて剥離部ＰＬが突上げブロック外形程度まで広がっていれば、十分に剥離できていると判断する。ここで、図８における突上げブロック外形とは、ブロックＢＬＫ２の外側の端をいう。図８（ａ）では、ダイの剥離はブロックＢＬＫ２の外側の端までほとんど達しておらず十分に剥離されていないが、図８（ｂ）では、ダイの剥離はブロックＢＬＫ２の外側の端まですべて達して十分に剥離されている。図８（ｂ）に示すような剥離状態であれば、次段ブロックの突き上げ動作に移ってもダイへのストレスは最小限になると考えられる。
各ブロックにおいて各ステップでの剥離量が十分に剥離できている（上述したブロック外形程度まで剥離）可能な突上げ条件（突上げ高さ、突上げ速度、ピックアップタイマー等）の組み合わせでよりピックアップにかかる総時間が最短になる組み合わせを求めて、ダイの剥離力からその品種に対して最適な突上げ条件を求める。例えば、図９に示すように、突上げの高さ、突上げの速度の組み合わせにおける剥離結果を求める。図９（ａ）に示すＳＴＥＰ１においては、高さが「３００」、速度が「１」の組み合わせをピックアップ条件とする。図９（ｂ）に示すＳＴＥＰ２においては、高さが「３００」、速度が「３」の組み合わせを突上げ条件とする。図９（ｃ）に示すＳＴＥＰ３においては、高さが「２００」、速度が「３」の組み合わせを突上げ条件とする。図９（ｄ）に示すＳＴＥＰ４においては、高さが「１００」、速度が「５」の組み合わせを突上げ条件とする。ここで、図９に示す剥離結果「×」は十分に剥離されていないことを示し、「〇」は十分に剥離されていることを示している。
例えば、図９に示すような突上げ条件のパラメータの下限から上限内で考えられる組み合わせでの剥離状態を全て求めて、一番ピックアップ時間が短くなる組み合わせを、総当たりで検討する方式や遺伝的アルゴリズム等の進化的アルゴリズムで算出する。これにより、作業者の経験による試行錯誤により突上げ条件といったパラメータを自動で算出することが可能であり、レシピへの設定の自動化も可能である。
実施形態によれば、以下に示す一つまたは複数の効果が得られる。
（ａ）制御部はモータ毎に指定した動作に必要な電流値から突上げ時の荷重トルクを算出する。すなわち、使用するモータ自体でトルクを測定しブロックに加わる荷重を測定するので、ロードセル等のセンサが不要になり、突上げユニット内の機構を簡略化することができる。
（ｂ）モータＭ１～Ｍ４ごとにトルクを測定できるので、ブロックＢＬＫ１～ＢＬＫ４ごとに加わる荷重を独立に測定することが可能となる。
（ｃ）ブロックごとに荷重が測定できるので、それぞれのブロック突上げ時の剥離力を測定することが可能となる。
（ｄ）剥離力測定をダイの剥離毎に実施し、予め測定して記憶しているダイの剥離と比較することにより、ピックアップ動作の異常を検出することが可能となる。これにより、制御部は、突上げユニットのドームまたはコレットの交換をオペレータに通知したり、突上げユニットのドームまたはコレットの自動交換等の自己保全機能を有する場合は自己保全を行ったりすることが可能となる。
（ｅ）剥離力測定をダイの剥離毎に実施し、測定された剥離力に基づいてタイムチャートレシピを設定することにより、モータ制御にフィードバックして常に同じ剥離動作を行うことが可能となる。
（ｆ）剥離力測定をピックアップするウェハ毎に実施することにより、前工程の異常（ダイシング不良、テープの劣化等）を検出することが可能となる。
（ｇ）剥離力を測定し、データを蓄積して突上げ条件を機械学習で求めてタイムチャートレシピに自動設定を行うことにより、突上げ条件の自動ティーチングを行うことが可能となる。
図１０は実施例におけるダイボンダの概略を示す上面図である。図１１は図１０において矢印Ａ方向から見たときに、ピックアップヘッド及びボンディングヘッドの動作を説明する図である。
ダイボンダ１０は、大別して、基板Ｓに実装するダイＤを供給するダイ供給部１と、ピックアップ部２、中間ステージ部３と、ボンディング部４と、搬送部５、基板供給部６と、基板搬出部７と、各部の動作を監視し制御する制御部８と、を有する。Ｙ軸方向がダイボンダ１０の前後方向であり、Ｘ軸方向が左右方向である。ダイ供給部１がダイボンダ１０の手前側に配置され、ボンディング部４が奥側に配置される。ここで、基板Ｓには一つ又は複数の最終１パッケージとなる製品エリア（以下、パッケージエリアＰという。）がプリントされている。
まず、ダイ供給部１は基板ＳのパッケージエリアＰに実装するダイＤを供給する。ダイ供給部１は、ウェハ１１を保持するウェハ保持台１２と、ウェハ１１からダイＤを突き上げる点線で示す突上げユニット１３と、を有する。ダイ供給部１は図示しない駆動手段によってＸＹ軸方向に移動し、ピックアップするダイＤを突上げユニット１３の位置に移動させる。
ピックアップ部２は、ダイＤをピックアップするピックアップヘッド２１と、ピックアップヘッド２１をＹ軸方向に移動させるピックアップヘッドのＹ駆動部２３と、コレット２２を昇降、回転及びＸ軸方向移動させる図示しない各駆動部と、を有する。ピックアップヘッド２１は、突き上げられたダイＤを先端に吸着保持するコレット２２（図１１も参照）を有し、ダイ供給部１からダイＤをピックアップし、中間ステージ３１に載置する。ピックアップヘッド２１は、コレット２２を昇降、回転及びＸ軸方向移動させる図示しない各駆動部を有する。
中間ステージ部３は、ダイＤを一時的に載置する中間ステージ３１と、中間ステージ３１上のダイＤを認識する為のステージ認識カメラ３２を有する。
ボンディング部４は、中間ステージ３１からダイＤをピックアップし、搬送されてくる基板ＳのパッケージエリアＰ上にボンディングし、又は既に基板ＳのパッケージエリアＰの上にボンディングされたダイの上に積層する形でボンディングする。ボンディング部４は、ピックアップヘッド２１と同様にダイＤを先端に吸着保持するコレット４２（図１１も参照）を備えるボンディングヘッド４１と、ボンディングヘッド４１をＹ軸方向に移動させるＹ駆動部４３と、基板ＳのパッケージエリアＰの位置認識マーク（図示せず）を撮像し、ボンディング位置を認識する基板認識カメラ４４とを有する。
このような構成によって、ボンディングヘッド４１は、ステージ認識カメラ３２の撮像データに基づいてピックアップ位置・姿勢を補正し、中間ステージ３１からダイＤをピックアップし、基板認識カメラ４４の撮像データに基づいて基板にダイＤをボンディングする。
搬送部５は、基板Ｓを掴み搬送する基板搬送爪５１と、基板Ｓが移動する搬送レーン５２と、を有する。基板Ｓは、搬送レーン５２に設けられた基板搬送爪５１の図示しないナットを搬送レーン５２に沿って設けられた図示しないボールネジで駆動することによって移動する。このような構成によって、基板Ｓは、基板供給部６から搬送レーン５２に沿ってボンディング位置まで移動し、ボンディング後、基板搬出部７まで移動して、基板搬出部７に基板Ｓを渡す。
次に、ダイ供給部１の構成について図１２および図１３を用いて説明する。図１２は図１０のダイ供給部の外観斜視図を示す図である。図１３は図１０のダイ供給部の主要部を示す概略断面図である。
ダイ供給部１は、水平方向（ＸＹ軸方向）に移動するウェハ保持台１２と、上下方向に移動する突上げユニット１３と、を備える。ウェハ保持台１２は、ウェハリング１４を保持するエキスパンドリング１５と、ウェハリング１４に保持され複数のダイＤが接着されたダイシングテープ１６を水平に位置決めする支持リング１７と、を有する。突上げユニット１３は支持リング１７の内側に配置される。
ダイ供給部１は、ダイＤの突き上げ時に、ウェハリング１４を保持しているエキスパンドリング１５を下降させる。その結果、ウェハリング１４に保持されているダイシングテープ１６が引き伸ばされダイＤの間隔が広がり、突上げユニット１３によりダイＤ下方よりダイＤを突き上げ、ダイＤのピックアップ性を向上させている。なお、ダイを基板に接着する接着剤は、液状からフィルム状となり、ウェハ１１とダイシングテープ１６との間にダイアタッチフィルム（ＤＡＦ）１８と呼ばれるフィルム状の接着材料を貼り付けている。ダイアタッチフィルム１８を有するウェハ１１では、ダイシングは、ウェハ１１とダイアタッチフィルム１８に対して行なわれる。従って、剥離工程では、ウェハ１１とダイアタッチフィルム１８をダイシングテープ１６から剥離する。なお、以降では、ダイアタッチフィルム１８の存在を無視して、剥離工程を説明する。
次に、突上げユニット１３について図１４～図１９を用いて説明する。図１４は実施例に係る突上げユニットの外観斜視図である。図１５は図１４の第１ユニットの一部の上面図である。図１６は図１４の第２ユニットの一部の上面図である。図１７は図１４の第３ユニットの一部の上面図である。図１７は図１４の突上げユニットの縦断面図である。図１９は図１４の突上げユニットの縦断面図である。
突上げユニット１３は、第１ユニット１３ａと、第１ユニット１３ａが装着される第２ユニット１３ｂと、第２ユニット１３ｂが装着される第３ユニット１３ｃと、を備える。第２ユニット１３ｂおよび第３ユニット１３ｃは品種に関係なく共通な部分で、第１ユニット１３ａは品種ごとに取替可能な部分である。
第１ユニット１３ａはブロックＡ１～Ａ４を有するブロック部１３ａ１と、複数の吸着孔を有するドームプレート１３ａ２と、吸引孔１３ａ３と、ドーム吸着の吸引孔１３ａ４と、を有し、第２ユニット１３ｂの同心円状のブロックＢ１～Ｂ４の上下運動を同心四角状の４つのブロックＡ１～Ａ４の上下運動に変換する。ここで、ブロックＡ１～Ａ４は実施形態のブロックＢＬＫ１～ＢＬＫ４に対応する。４つのブロックＡ１～Ａ４は独立に上下運動が可能である。同心四角状のブロックＡ１～Ａ４の平面形状はダイＤの形状に合うように構成される。ダイサイズが大きい場合は、同心四角状のブロックの数は４つよりも多く構成される。これは、第３ユニットの複数の出力部および第２ユニットの同心円状のブロックが互いに独立に上下動する（上下動しない）ことにより可能となっている。４つのブロックＡ１～Ａ４の突上げ速度、突上げ量をプログラマブルに設定可能である。
第２ユニット１３ｂは、円管状のブロックＢ１～Ｂ６と、外周部１３ｂ２と、を有し、第１ユニット１３ａの円周上に配置される出力部Ｃ１～Ｃ６の上下運動を同心円状の６つのブロックＢ１～Ｂ６の上下運動に変換する。６つのブロックＢ１～Ｂ６は独立に上下運動が可能である。ここで、第１ユニット１３ａは４つのブロックＡ１～Ａ４しか有さないので、ブロックＢ５，Ｂ６は使用されない。
第３ユニット１３ｃは中央部１３ｃ０と６つの周辺部１３ｃ１～１３ｃ６とを備える。中央部１３ｃ０は上面の円周上に等間隔に配置され独立して上下する６つの出力部Ｃ１～Ｃ６を有する。周辺部１３ｃ１～１３ｃ６はそれぞれ出力部Ｃ１～Ｃ６を互いに独立に駆動可能である。周辺部１３ｃ１～１３ｃ６はそれぞれモータＭ１～Ｍ６を備え、中央部１３ｃ０にはモータの回転をカムまたはリンクによって上下動に変換するプランジャ機構Ｐ１～Ｐ６を備える。プランジャ機構Ｐ１～Ｐ６は出力部Ｃ１～Ｃ６に上下動を与える。なお、モータＭ２、Ｍ５およびプランジャ機構Ｐ２、Ｐ５は図示されていない。ここで、第１ユニット１３ａは４つのブロックＡ１～Ａ４しか有さないので、周辺部１３ｃ５，１３ｃ６は使用されない。よって、モータＭ５，Ｍ６、プランジャ機構Ｐ５，Ｐ６、出力部Ｃ５，Ｃ６は使用されない。プランジャ機構Ｐ１～Ｐ４は実施形態のニードルＮＤＬ４～ＮＤＬ１に対応する。
次に、突上げユニットとコレットとの関係について図２０を用いて説明する。図２０は実施例に係る突上げユニットとピックアップヘッドのうちコレット部との構成を示した図である。
図２０に示すようにコレット部２０は、コレット２２と、コレット２２を保持するコレットホルダー２５と、それぞれに設けられダイＤを吸着するための吸引孔２２ｖ、２５ｖとを有する。コレット２２のダイを吸着する吸着面はダイＤと略同じ大きさである。
第１ユニット１３ａは上面周辺部にドームプレート１３ａ２を有する。ドームプレート１３ａ２は複数の吸着孔ＨＬと空洞部ＣＶとを有し、吸引孔１３ａ３から吸引して、コレット２２でピックアップされるダイＤの周辺のダイＤｄをダイシングテープ１６を介して吸引する。図１６ではブロック部１３ａ１の周囲に吸着孔ＨＬを一列のみ示しているが、ピックアップ対象でないダイＤｄを安定し保持するために複数列設けている。同心四角状のブロックＡ１～Ａ４の各ブロックの間の隙間Ａ１ｖ、Ａ２ｖ、Ａ３ｖおよび第１ユニット１３ａのドーム内の空洞部を介してドーム吸着の吸引孔１３ａ４から吸引して、コレット２２でピックアップされるダイＤをダイシングテープ１６を介して吸引する。吸引孔１３ａ３からの吸引と吸引孔１３ａ４からの吸引は独立に行うことができる。
本実施例の突上げユニット１３は、第１ユニットのブロックの形状、ブロックの数を変更することにより、種々のダイに適用可能であり、例えばブロック数が６つの場合は、ダイサイズが２０ｍｍ角以下のダイに適用可能である。第３ユニットの出力部の数、第２ユニットの同心円状のブロックの数および第１ユニットの同心四角状のブロックの数を増やすことにより、ダイサイズが２０ｍｍ角より大きいダイにも適用可能である。
次に、制御部８について図２１を用いて説明する。図２１は図１０のダイボンダの制御系の概略構成を示すブロック図である。制御系８０は制御部８と駆動部８６と信号部８７と光学系８８とを備える。制御部８は、大別して、主としてＣＰＵ（Central Processor Unit）で構成される制御・演算装置８１と、記憶装置８２と、入出力装置８３と、バスライン８４と、電源部８５とを有する。制御・演算装置８１および記憶装置８２は実施形態のメインコントローラ８１ａに対応し、モータ制御装置８３ｅは実施形態の作動コントローラ８１ｂに対応する。記憶装置８２は、処理プログラムなどを記憶しているＲＡＭで構成されている主記憶装置８２ａと、制御に必要な制御データや画像データ等を記憶しているＨＤＤやＳＳＤ等で構成されている補助記憶装置８２ｂとを有する。入出力装置８３は、装置状態や情報等を表示するモニタ８３ａと、オペレータの指示を入力するタッチパネル８３ｂと、モニタを操作するマウス８３ｃと、光学系８８からの画像データを取り込む画像取込装置８３ｄと、を有する。また、入出力装置８３は、ダイ供給部１のＸＹテーブル（図示せず）やボンディングヘッドテーブルのＺＹ駆動軸等の駆動部８６を制御するモータ制御装置８３ｅと、種々のセンサ信号や照明装置などのスイッチ等の信号部８７から信号を取り込み又は制御するＩ／Ｏ信号制御装置８３ｆとを有する。光学系８８には、ウェハ認識カメラ２４、ステージ認識カメラ３２、基板認識カメラ４４が含まれる。制御・演算装置８１はバスライン８４を介して必要なデータを取込み、演算し、ピックアップヘッド２１等の制御や、モニタ８３ａ等に情報を送る。
制御部８は画像取込装置８３ｄを介してウェハ認識カメラ２４、ステージ認識カメラ３２および基板認識カメラ４４で撮像した画像データを記憶装置８２に保存する。保存した画像データに基づいてプログラムしたソフトウェアにより、制御・演算装置８１を用いてダイＤおよび基板ＳのパッケージエリアＰの位置決め、並びにダイＤおよび基板Ｓの表面検査を行う。制御・演算装置８１が算出したダイＤおよび基板ＳのパッケージエリアＰの位置に基づいてソフトウェアによりモータ制御装置８３ｅを介して駆動部８６を動かす。このプロセスによりウェハ上のダイの位置決めを行い、ピックアップ部２およびボンディング部４の駆動部で動作させダイＤを基板ＳのパッケージエリアＰ上にボンディングする。使用するウェハ認識カメラ２４、ステージ認識カメラ３２および基板認識カメラ４４はグレースケール、カラー等であり、光強度を数値化する。
次に、上述した構成による突上げユニット１３によるピックアップ動作について図２２を用いて説明する。図２２はピックアップ動作の処理フローを示すフローチャートである。
まず、制御部８は、予め上述した無負荷トルク値および有負荷トルク値を測定して、測定した無負荷トルク値および補正されたトルク値（または測定された有負荷トルク値）を制御部８内のメモリ等の記憶装置に格納しておく。
（ステップＰＳ１：ダイシングテープ吸着）
制御部８はピックアップするダイＤが突上げユニット１３の真上に位置するようにウェハ保持台１２を移動し、ダイシングテープ１６の裏面に第３ユニットの上面が接触するように突上げユニット１３を移動する。このとき、図１１に示すように、制御部８は、ブロック部１３ａ１の各ブロックＡ１～Ａ４がドームプレート１３ａ２の表面と同一平面を形成するようにし、ドームプレート１３ａ２の吸着孔ＨＬと、ブロック間の隙間Ａ１ｖ、Ａ２ｖ、Ａ３ｖとによってダイシングテープ１６を吸着する。
（ステップＰＳ２：コレット下降／ダイ吸着）
制御部８は、コレット部２０を下降させ、ピックアップするダイＤの上に位置決めし、吸引孔２２ｖ、２５ｖによってダイＤを吸着する。
（ステップＰＳ３：ブロック／コレット上昇）
制御部８は、ブロック部１３ａ１のブロックを外側から順次上昇させて剥離動作を行う。例えば、制御部８はモータＭ４でプランジャ機構Ｐ４を駆動し、最も外側のブロックＡ４のみを数十μｍから数百μｍ上昇させた後下降させて停止させる。上昇および下降速度は一定ではない。この結果、ブロックＡ４の周辺においてダイシングテープ１６が盛り上がった突上げ部分が形成され、ダイシングテープ１６とダイアタッチフィルム１８の間に微小な空間、即ち剥離起点ができる。この空間によりアンカー効果、即ちダイＤにかかるストレスが大幅に低減し、以後の剥離動作を確実に行うことができる。次に、制御部８はモータＭ３でプランジャ機構Ｐ３を駆動し、２番目に外側のブロックＡ３のみをブロックＡ４よりも高く上昇させ停止させる。次に、制御部８はモータＭ２でプランジャ機構Ｐ２を駆動し、３番目に外側のブロックＡ２のみをブロックＡ３よりも高く上昇させ停止させる。最後に、制御部８はモータＭ１でプランジャ機構Ｐ１を駆動し、最も内側のブロックＡ１のみをブロックＡ２よりも高く上昇させ停止させる。この剥離動作の際に、制御部８は、ブロックごとに有負荷トルク値を測定すると共に、測定した有負荷トルク値と予め記録された無負荷トルク値とからトルク値（ウェハの剥離力）を測定する。また、制御部８は、測定されたトルク値（ウェハの剥離力）と予め記録されたトルク値（ウェハの剥離力）と比較して異常があるかどうかを判定する。トルク値の測定および異常判断は、ウェハごとに最初にピックアップするダイのみに対して行う。
（ステップＰＳ４：コレット上昇）
制御部８はコレットを上昇させる。ステップＰＳ３の最後の状態では、ダイシングテープ１６とダイＤとの接触面積はコレットの上昇により剥離できる面積となり、コレット２２の上昇によりダイＤを剥離することができる。
（ステップＰＳ５：ブロック下降／吸着解除）
制御部８はブロック部１３ａ１の各ブロックＡ１～Ａ４がドームプレート１３ａ２の表面と同一平面を形成するようにし、ドームプレート１３ａ２の吸着孔ＨＬと、ブロック間の隙間Ａ１ｖ、Ａ２ｖ、Ａ３ｖとによるダイシングテープ１６の吸着を停止する。制御部８はダイシングテープ１６の裏面から第１ユニットの上面が離れるように突上げユニット１３を移動する。
制御部８はステップＰＳ１～ＰＳ５を繰り返して、ウェハ１１の良品のダイをピックアップする。
次に、実施例に係るダイボンダを用いた半導体装置の製造方法について図２３を用いて説明する。図２３は図１０のダイボンダを用いた半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。
（ステップＢＳ１１：ウェハ・基板搬入工程）
ウェハ１１から分割されたダイＤが貼付されたダイシングテープ１６を保持したウェハリング１４をウェハカセット（不図示）に格納し、ダイボンダ１０に搬入する。制御部８はウェハリング１４が充填されたウェハカセットからウェハリング１４をダイ供給部１に供給する。また、基板Ｓを準備し、ダイボンダ１０に搬入する。制御部８は基板供給部６で基板Ｓを基板搬送爪５１に取り付ける。
（ステップＢＳ１２：ピックアップ工程）
制御部８は上述したようにダイＤを剥離し、剥離したダイＤをウェハ１１からピックアップする。このようにして、ダイアタッチフィルム１８と共にダイシングテープ１６から剥離されたダイＤは、コレット２２に吸着、保持されて次工程（ステップＢＳ１３）に搬送される。そして、ダイＤを次工程に搬送したコレット２２がダイ供給部１に戻ってくると、上記した手順に従って、次のダイＤがダイシングテープ１６から剥離され、以後同様の手順に従ってダイシングテープ１６から１個ずつダイＤが剥離される。
（ステップＢＳ１３：ボンディング工程）
制御部８はピックアップしたダイを基板Ｓ上に搭載又は既にボンディングしたダイの上に積層する。制御部８はウェハ１１からピックアップしたダイＤを中間ステージ３１に載置し、ボンディングヘッド４１で中間ステージ３１から再度ダイＤをピックアップし、搬送されてきた基板Ｓにボンディングする。
（ステップＢＳ１４：基板搬出工程）
制御部８は基板搬出部７で基板搬送爪５１からダイＤがボンディングされた基板Ｓを取り出す。ダイボンダ１０から基板Ｓを搬出する。
上述したように、ダイＤは、ダイアタッチフィルム１８を介して基板Ｓ上に実装され、ダイボンダから搬出される。その後、ワイヤボンディング工程でＡｕワイヤを介して基板Ｓの電極と電気的に接続される。続いて、ダイＤが実装された基板Ｓがダイボンダに搬入されて基板Ｓ上に実装されたダイＤの上にダイアタッチフィルム１８を介して第２のダイＤが積層され、ダイボンダから搬出された後、ワイヤボンディング工程でＡｕワイヤを介して基板Ｓの電極と電気的に接続される。第２のダイＤは、前述した方法でダイシングテープ１６から剥離された後、ペレット付け工程に搬送されてダイＤの上に積層される。上記工程が所定回数繰り返された後、基板Ｓをモールド工程に搬送し、複数個のダイＤとＡｕワイヤとをモールド樹脂（図示せず）で封止することによって、積層パッケージが完成する。
以上、本発明者によってなされた発明を実施形態および実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、上記実施形態および実施例に限定されるものではなく、種々変更可能であることはいうまでもない。
例えば、実施例では多軸突上げを例に説明したが、１軸突上げであってもよい。
また、第１ユニットの複数のブロックは同心四角状のものについて説明したが、同心円形状や同心楕円形状のものであってもよいし、四角状ブロックを平行に並べて構成してもよい。
また、実施例ではブロックでダイを突き上げる例を説明したが、ピンでダイを突き上げてもよい。
また、実施例ではピックアップ対象ダイと周辺ダイを同じタイミングで吸着／解放したが、ピックアップ対象ダイと周辺ダイを別々のタイミングで吸着／解放を行ってもよい。これにより、より確実な剥離を行うことができる。
また、実施例では各段のブロックは順次突き上げたが、各段が独立し各々別々の動作が可能であるので突上げ／引き下げ両方向の動作を混在してもよい。
また、実施例ではトルク値の測定および異常判断は、ウェハごとに最初にピックアップするダイのみに対して行う例を説明したが、ピックアップする各ダイ毎に行うようにしてもよい。これにより、ウェハからダイを個片化するダイシング時の影響による異常等も確認することができる。
また、実施例では、ダイアタッチフィルムを用いる例を説明したが、基板に接着剤を塗布するプリフォーム部を設けてダイアタッチフィルムを用いなくてもよい。
また、実施例では、ダイ供給部からダイをピックアップヘッドでピックアップして中間ステージに載置し、中間ステージに載置されたダイをボンディングヘッドで基板にボンディングするダイボンダについて説明したが、これに限定されるものではなく、ダイ供給部からダイをピックアップする半導体製造装置に適用可能である。
例えば、中間ステージとピックアップヘッドがなく、ダイ供給部のダイをボンディングヘッドで基板にボンディングするダイボンダにも適用可能である。
また、中間ステージがなく、ダイ供給部からダイをピックアップしダイピックアップヘッドを上に回転してダイをボンディングヘッドに受け渡しボンディングヘッドで基板にボンディングするフリップチップボンダに適用可能である。
また、中間ステージとボンディングヘッドがなく、ダイ供給部からピックアップヘッドでピックアップしたダイをトレイ等に載置するダイソータに適用可能である。
８：制御部
１０：ダイボンダ（ダイボンディング装置）
１１：ウェハ
１３：突上げユニット
１６：ダイシングテープ
２２：コレット
Ｄ：ダイ
Ｍ１～Ｍ４：モータ

Claims (18)

  1. ダイシングテープと接触する複数のブロックを有し、ダイを前記ダイシングテープの下から突き上げる突上げユニットと、
    前記ダイを吸着するコレットと、
    前記突上げユニットを制御するよう構成される制御部と、
    を備え、
    前記突上げユニットは、前記複数の前記ブロックに対応して独立に動作する複数の駆動軸と、前記複数の駆動軸に対応する複数のモータと、を備え、
    前記制御部は前記モータ毎にトルク値を測定することにより前記ダイの剥離力を測定するよう構成されるダイボンディング装置。
  2. 請求項１のダイボンディング装置において、
    前記モータはＡＣサーボモータであり、
    前記突上げユニットのモータは、さらに、前記モータの回転角速度を検出するエンコーダと、前記モータの電流を得る電流センサと、を備え、
    前記制御部は、前記突上げユニットを前記ダイシングテープから離した無負荷状態で、突上げ動作時のシーケンスに従って前記複数のブロックを前記モータにより作動させると共に、前記エンコーダにより検出される前記モータの回転角度毎に、前記電流センサにより検出される電流に基づいて前記複数のブロックの作動における無負荷トルク値を算出するよう構成されるダイボンディング装置。
  3. 請求項２のダイボンディング装置において、
    前記制御部は、前記突上げユニットを前記ダイシングテープと接触した有負荷状態で、突上げ動作時のシーケンスに従って前記複数のブロックを前記モータにより作動させると共に、前記エンコーダにより検出される前記モータの回転角度毎に、前記電流センサにより検出される電流に基づいて前記複数のブロックの作動における有負荷トルク値を算出し、
    前記有負荷トルク値および前記無負荷トルク値に基づいて前記トルク値を測定するよう構成されるダイボンディング装置。
  4. 請求項１から３の何れか一つのダイボンディング装置において、
    前記制御部は前記測定したトルク値と予め記録されたトルク値と比較して異常があるかどうかを判定するよう構成されるダイボンディング装置。
  5. 請求項３のダイボンディング装置において、
    前記制御部は、前記有負荷トルク値から事前に測定した前記無負荷トルク値を差し引くことにより前記剥離力を測定するよう構成されるダイボンディング装置。
  6. 請求項１のダイボンディング装置において、
    さらに、前記ダイシングテープを介して前記ダイを撮像する撮像装置を備え、
    前記制御部は、
    オフラインにて、前記ブロックにより前記ダイを突き上げて測定したトルク値によるダイの剥離力と、オフラインにて、前記突上げられたダイの裏面を前記撮像装置により撮像して測定したダイの剥離状態と、を測定時の突上げ条件、ダイサイズおよびダイ厚を含むパラメータと共に、データセットとしてデータベースに蓄積し、
    前記剥離力、前記剥離状態および前記パラメータを機械学習により、モデル化して機械学習モデルを生成し、
    前記機械学習モデルに、ダイの剥離力と、突上げ条件、ダイサイズおよびダイ厚を含むパラメータと、を与えてダイの剥離状態を取得し、
    前記取得した剥離状態に基づいて突上げ条件を算出するよう構成されるダイボンディング装置。
  7. 請求項６のダイボンディング装置において、
    前記突上げ条件は、突上げ条件のパラメータ下限から上限内で考えられる全ての組み合わせにおける剥離状態を取得して、一番ピックアップ時間が短くなる組み合わせを、総当たりで検討する方法または進化的アルゴリズムにより算出するよう構成されるダイボンディング装置。
  8. 請求項７のダイボンディング装置において、
    突上げ条件は前記ブロックの突上げ高さおよび突上げ速度であるダイボンディング装置。
  9. 請求項１のダイボンディング装置において、
    前記制御部は前記測定したトルク値に基づいて前記ブロックの突上げ条件を変更するよう構成されるダイボンディング装置。
  10. 請求項９のダイボンディング装置において、
    前記突上げ条件は、前記ブロックの突上げ速度および突上げ高さであるダイボンディング装置。
  11. 請求項１のダイボンディング装置において、さらに、
    前記コレットが装着されるピックアップヘッドを備えるダイボンディング装置。
  12. 請求項１１のダイボンディング装置において、さらに、
    前記ピックアップヘッドでピックアップされるダイを載置する中間ステージと、
    前記中間ステージに載置されるダイを基板または既にボンディングされているダイの上にボンディングするボンディングヘッドと、
    を備えるダイボンディング装置。
  13. （ａ）ダイシングテープと接触する複数のブロックを有し、ダイを前記ダイシングテープの下から突き上げる突上げユニットと、前記ダイを吸着するコレットと、前記突上げユニットを制御するよう構成される制御部と、を備え、前記突上げユニットは、前記複数の前記ブロックに対応して独立に動作する複数の駆動軸と、前記複数の駆動軸に対応する複数のモータと、を備えるダイボンディング装置に、前記ダイシングテープを保持するウェハリングを搬入する工程と、
    （ｂ）前記突き上げユニットで前記ダイを突き上げて前記コレットで前記ダイをピックアップする工程と、
    を備え、
    前記（ｂ）工程は、前記モータ毎にトルクを測定することにより前記ダイの剥離力を測定する半導体装置の製造方法。
  14. 請求項１３の半導体装置の製造方法において、
    前記（ｂ）工程は、前記測定したトルク値と予め記録されたトルク値と比較して異常があるかどうかを判定する半導体装置の製造方法。
  15. 請求項１４の半導体装置の製造方法において、
    前記（ｂ）工程は、前記ブロックが前記ダイシングテープと接触した状態でのトルクの測定値から事前に測定した前記ブロックが前記ダイシングテープと接触していない状態でのトルクの測定値を差し引くことにより前記剥離力を測定する半導体装置の製造方法。
  16. 請求項１３の半導体装置の製造方法において、
    前記（ｂ）工程は、前記測定したトルク値に基づいて前記ブロックの突上げ条件を変更する半導体装置の製造方法。
  17. 請求項１３の半導体装置の製造方法において、さらに、
    （ｃ）前記ダイを基板または既にボンディングされているダイの上にボンディングする工程を備える半導体装置の製造方法。
  18. 請求項１６の半導体装置の製造方法において、
    前記（ｂ）工程はさらに前記ピックアップしたダイを中間ステージに載置する工程を有し、
    前記（ｃ）工程はさらに前記中間ステージから前記ダイをピックアップする工程を有する半導体装置の製造方法。
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