TWI649810B - 半導體製造裝置及半導體裝置的製造方法 - Google Patents

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Abstract

提供一種可配合品種而容易變更頂出單元的半導體製造裝置。
半導體製造裝置係具備：頂出單元，係將晶粒從切割帶之下予以頂出；和吸具，係將晶粒予以吸附。頂出單元係具備：第1單元，係具有與切割帶接觸的四角狀之複數區塊；和第2單元，係具有對複數區塊之每一者獨立地傳達上下運動的同心圓狀之複數區塊。第1單元係被裝著於第2單元之上。

Description

半導體製造裝置及半導體裝置的製造方法
本揭露係有關於半導體製造裝置，可適用於例如具備頂出單元的黏晶機。
一般而言，將被稱為晶粒的半導體晶片搭載於例如配線基板或引線框等(以下總稱為基板)之表面的黏晶機中，一般而言，會使用吸具等之吸附嘴而將晶粒搬運到基板上，一面賦予按壓力，同時藉由將接合材進行加熱以進行結著的動作(作業)，會被反複進行。
在黏晶機等之半導體製造裝置所致之晶粒結著工程之中，係有將從半導體晶圓(以下簡稱晶圓)所分割出來的晶粒予以剝離的剝離工程。在剝離工程中，係從切割帶背面藉由頂出單元而將晶粒予以頂出，從被保持在晶粒供給部的切割帶，1個1個地予以剝離，使用吸具等之吸附嘴而搬運至基板上。
例如，根據日本特開2012-4393號公報(專利文獻1)，從被黏貼在切割帶的複數晶粒之中將剝離對象的晶粒予以頂出而從切割帶予以剝離之際，將晶粒的周邊部 之中的所定部中的切割帶予以頂出以形成剝離起點，其後，將所定部以外部分的切割帶予以頂出而將晶粒從切割帶剝離下來。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2012-4393號公報
從晶圓拾取晶粒時，必須要配合品種(例如晶粒尺寸)而設置夾具。可是，品種更換時的調整係很繁複且需要時間。拾取動作像是專利文獻1那樣為多段頂出等的情況下，是事前就做好在配合動作規格的結構裡，因此無法事後變更頂出單元。
本揭露之課題在於，提供一種，可配合品種而容易變更頂出單元的半導體製造裝置。
其他的課題與新穎的特徵，應可根據本說明書的描述及添附圖式而明瞭。
若要簡單說明本揭露之中具有代表性者，則如以下所示。
亦即，半導體製造裝置係具備：頂出單元，係將晶粒 從切割帶之下予以頂出；和吸具，係將前記晶粒予以吸附。前記頂出單元係具備：第1單元，係具有與前記切割帶接觸的四角狀之複數區塊；和第2單元，係具有對前記複數區塊之每一者獨立地傳達上下運動的同心圓狀之複數區塊。前記第1單元係被裝著於前記第2單元之上。
若依據上記半導體製造裝置，可配合品種而容易變更頂出單元。
1‧‧‧晶粒供給部
11‧‧‧晶圓
13‧‧‧頂出單元
13a‧‧‧第1單元
13a1‧‧‧區塊部
13a2‧‧‧吸附部
13a3‧‧‧吸引部
13a4‧‧‧吸引部
A1~A6‧‧‧同心四角狀之區塊
13b‧‧‧第2單元
B1~B6‧‧‧同心圓狀之區塊
13c‧‧‧第3單元
13c0‧‧‧中央部
13c1~13c6‧‧‧周邊部
C1~C6‧‧‧輸出部
16‧‧‧切割帶
2‧‧‧拾取部
21‧‧‧拾取頭
3‧‧‧中間平台部
31‧‧‧中間平台
4‧‧‧結著部
41‧‧‧結著頭
7‧‧‧控制部
10‧‧‧黏晶機
D‧‧‧晶粒
P‧‧‧基板
[圖1]實施例所述之黏晶機從上觀看的概念圖
[圖2]於圖1中從箭頭A方向觀看時，拾取頭及結著頭的動作的說明圖
[圖3]圖1的晶粒供給部的外觀斜視圖的圖示
[圖4]圖1的晶粒供給部的主要部的概略剖面圖
[圖5]實施例所述之頂出單元的外觀斜視圖
[圖6A]圖5的第1單元之一部分的上面圖
[圖6B]圖5的第2單元之一部分的上面圖
[圖6C]圖5的第3單元之一部分的上面圖
[圖7]圖5的頂出單元的縱剖面圖
[圖8]圖5的頂出單元的縱剖面圖
[圖9]實施例所述之頂出單元與拾取頭之中的吸具部 之構成的圖示
[圖10]實施例所述之黏晶機的拾取動作的說明用流程圖
[圖11]實施例所述之半導體裝置的製造方法的說明用流程圖
[圖12A]變形例所述之頂出單元的外觀斜視圖
[圖12B]變形例所述之頂出單元的外觀斜視圖
[圖13]圖12A的第1單元的縱剖面圖
[圖14A]圖12A的頂出單元之一部分的縱剖面圖
[圖14B]從圖14A的頂出單元的一部拆下第1單元之狀態的縱剖面圖
[圖15]變形例2所述之頂出單元的外觀斜視圖
[圖16]圖15的第3單元的縱剖面圖
[圖17]圖16的第3單元之一部分的上面圖
[圖18]圖15的第3單元的變形例之一部分的上面圖
以下，針對實施例及變形例，使用圖式來加以說明。但是，以下的說明中，同一構成元件係標示同一符號並且會省略重複說明。此外，圖式係為了使說明更為明確，因此和實際的態樣相比，各部的寬度、厚度、形狀等係會有模式性圖示的情況，但這僅只是一例而已，並非用來限定本發明的解釋。
[實施例]
圖1係實施例所述之黏晶機的概略的上面圖。圖2係於圖1中從箭頭A方向觀看時，拾取頭及結著頭的動作的說明圖。
黏晶機10，大體來說，係具有：晶粒供給部1、拾取部2、中間平台部3、結著部4、搬運部5、基板供給部6、基板搬出部7、監視各部之動作並加以控制的控制部8。
首先，晶粒供給部1係供給要實裝於基板P的晶粒D。晶粒供給部1係具有：保持晶圓11的晶圓保持台12、從晶圓11將晶粒D予以頂出的以虛線所示的頂出單元13。晶粒供給部1係藉由未圖示的驅動手段而在XY方向上做移動，使要拾取的晶粒D往頂出單元13的位置移動。
拾取部2係具有：用來拾取晶粒D的拾取頭21、使拾取頭21往Y方向移動的拾取頭的Y驅動部23、使吸具22升降、旋轉及往X方向移動的未圖示之各驅動部。拾取頭21係具有：將已被頂出之晶粒D予以吸附保持在尖端的吸具22(亦參照圖2)，從晶粒供給部1拾取晶粒D，載置於中間平台31。拾取頭21係具有，使吸具22升降、旋轉及往X方向移動的未圖示之各驅動部。
中間平台部3係具有：將晶粒D予以暫時載置的中間平台31、用來辨識中間平台31上之晶粒D所需的平台辨識攝影機32。
結著部4，係從中間平台31拾取晶粒D，結著至被搬運過來的基板P上，或是以層積於已經被結著在基板P之上的晶粒之上的形式，進行結著。結著部4係具有：具備與拾取頭21同樣地將晶粒D吸附保持在尖端之吸具42(亦參照圖2)的結著頭41、使結著頭41往Y方向移動的Y驅動部43、拍攝基板P的位置辨識記號(未圖示)，並辨識結著位置的基板辨識攝影機44。
藉由如此的構成，結著頭41，係基於平台辨識攝影機32的攝像資料來補正拾取位置、姿勢，從中間平台31拾取晶粒D，基於基板辨識攝影機44的攝像資料而將晶粒D結著於基板P。
搬運部5係具備：載置一片或複數片基板P(圖1中係為4片)的基板搬運盤51、讓基板搬運盤51移動的盤軌52，具有被並行設置的相同結構的第1、第2搬運部。基板搬運盤51，係藉由將基板搬運盤51中所被設置的未圖示之螺帽，以沿著盤軌52而被設置的未圖示之滾珠螺桿加以驅動而移動。
藉由如此構成，基板搬運盤51，係以基板供給部6將基板P予以載置，沿著盤軌52而移動至結著位置，結著後，移動至基板搬出部7，將基板P交給基板搬出部7。第1、第2搬運部，係彼此獨立地被驅動，在對一方的基板搬運盤51上所被載置之基板P正在結著晶粒D時，他方的基板搬運盤51，係將基板P予以搬出，回到基板供給部6，進行載置新的基板P等之準備。
控制部8係具備：將監視黏晶機10的各部之動作並加以控制的程式(軟體)予以儲存的記憶體、執行記憶體中所被儲存之程式的中央處理裝置(CPU)。
接著，關於晶粒供給部1的構成，使用圖3及圖4來說明。圖3係為晶粒供給部的外觀斜視圖的圖示。圖4係為晶粒供給部的主要部的概略剖面圖。
晶粒供給部1係具備：往水平方向(XY方向)移動的晶圓保持台12、和往上下方向移動的頂出單元13。晶圓保持台12係具有：將晶圓環14予以保持的擴張環15、將已被保持於晶圓環14的複數晶粒D所被接著的切割帶16予以水平定位的支持環17。頂出單元13係被配置在支持環17的內側。
晶粒供給部1，係在晶粒D的頂出時，使保持有晶圓環14的擴張環15下降。其結果為，被保持於晶圓環14的切割帶16係被拉伸而擴大晶粒D之間隔，藉由頂出單元13從晶粒D下方將晶粒D予以頂出，提升晶粒D的拾取性。此外，隨著薄型化而將晶粒接著於基板的接著劑，係從液狀變成薄膜狀，在晶圓11與切割帶16之間係黏貼有一種被稱為晶粒黏結膜(DAF)18的薄膜狀之接著材料。在具有晶粒黏結膜18的晶圓11中，切割係對晶圓11與晶粒黏結膜18進行之。因此，在剝離工程中，係將晶圓11與晶粒黏結膜18從切割帶16剝離下來。此外，以下係無視於晶粒黏結膜18的存在，來說明剝離工程。
接著，針對頂出單元13，使用圖5、6A~ 6D、7、8來說明。圖5係為實施例所述之頂出單元的外觀斜視圖。圖6A係為圖5的第1單元之一部分的上面圖。圖6B係為圖5的第2單元之一部分的上面圖。圖6C係為圖5的第3單元之一部分的上面圖。圖7係為圖5的頂出單元的縱剖面圖。圖8係為圖5的頂出單元的縱剖面圖。
頂出單元13係具備：第1單元13a、第1單元13a所被裝著之第2單元13b、第2單元13b所被裝著之第3單元13c。第2單元13b及第3單元13c係為無關於品種而為共通的部分，第1單元13a係為隨著每一品種而可更換的部分。
第1單元13a係具有：具有區塊A1~A6的區塊部13a1、具有複數吸附孔的汽包頭13a2、吸引孔13a3、汽包吸附的吸引孔13a4；將第2單元13b的同心圓狀之區塊B1~B6的上下運動，轉換成同心四角狀之6個區塊A1~A6的上下運動。6個區塊A1~A6係可獨立地上下運動。同心四角狀之區塊A1~A6的平面形狀係被構成為符合於晶粒D的形狀。晶粒尺寸較小的情況下，同心四角狀之區塊之數量係少於6個而被構成。此情況下，例如，第3單元的輸出部及第2單元的同心圓狀之區塊係不被使用。這是藉由，第3單元的複數輸出部及第2單元的同心圓狀之區塊係可彼此獨立地上下運動(或不做上下運動)，而成為可能。
第2單元13b，係具有圓管狀之區塊B1~ B6、外周部13b2；將第1單元13a的圓周上所被配置之輸出部C1~C6的上下運動，轉換成同心圓狀之6個區塊B1~B6的上下運動。6個區塊B1~B6係可獨立地上下運動。
第3單元13c係具備中央部13c0和6個周邊部13c1~13c6。中央部13c0係具有：在上面的圓周上被等間隔地配置而獨立地上下運動的6個輸出部C1~C6。周邊部13c1~13c6係可將各個輸出部C1~C6予以彼此獨立地驅動。周邊部13c1~13c6係分別具備馬達M1~M6，在中央部13c0係具備，將馬達的旋轉藉由凸輪或連桿而轉換成上下運動的柱塞機構P1~P6。柱塞機構P1~P6係對輸出部C1~C6給予上下運動。此外，馬達M2、M5及柱塞機構P2、P5係未圖示。
接著，關於頂出單元與吸具之關係，使用圖9來說明。圖9係為實施例所述之頂出單元與拾取頭之中的吸具部之構成的圖示。
如圖9所示，吸具部20係具有：吸具22、用來保持吸具22的吸具保持器24、分別被設置用來吸附晶粒D所需之吸引孔22v、23v。
第1單元13a係在上面周邊部具有汽包頭13a2。汽包頭13a2係具有複數吸附孔HL和空洞部CV，從吸引孔13a3進行吸引，將被吸具22所拾取的晶粒D的周邊的晶粒Dd，隔著切割帶16而加以吸引。在圖9中係在區塊部13a1的周圍只圖示出一列吸附孔HL，但為了穩 定保持非拾取對象之晶粒Dd而是被設置有複數列。透過同心四角狀之區塊A1~A6的各區塊之間的間隙A1v、A2v、A3v、A4v、A5v及第1單元13a的汽包內的空洞部而從汽包吸附的吸引孔13a4加以吸引，將被吸具22所拾取之晶粒D，隔著切割帶16而加以吸引。來自吸引孔13a3的吸引與來自吸引孔13a4的吸引係可獨立地進行。
本實施例的頂出單元13，係藉由改變第1單元的區塊之形狀、區塊之數量，就可適用於各種晶粒，例如區塊數為6個時，則可適用晶粒尺寸為20mm□以下的晶粒。藉由增加第3單元的輸出部之數量、第2單元的同心圓狀之區塊之數量及第1單元的同心四角狀之區塊之數量，也可適用晶粒尺寸大於20mm□的晶粒。
接著，關於上述構成所致之頂出單元13所致之拾取動作，使用圖10來說明。圖10係為拾取動作的處理流程的流程圖。
步驟S1：控制部8係以使得所要拾取之晶粒D會位於頂出單元13的正上方的方式而移動晶圓保持台12，以使得切割帶16的背面會接觸第3單元之上面的方式而移動頂出單元13。此時，如圖9所示，控制部8，係以使得區塊部13a1的各區塊A1~A6會與汽包頭13a2的表面形成同一平面的方式，藉由汽包頭13a2的吸附孔HL、與區塊間之間隙A1v、A2v、A3v、A4v、A5v，而將切割帶16予以吸附。
步驟2：控制部8係使吸具部20下降，定位 在要拾取的晶粒D之上，藉由吸引孔22v、24v而將晶粒D予以吸附。
步驟3：控制部8係將區塊部13a1的區塊從外側逐漸上升而進行剝離動作。亦即，控制部8係以馬達M6來驅動柱塞機構P6，只令最外側的區塊A6，上升達數十μm至數百μm，然後停止。其結果為，在區塊A6的周邊會形成切割帶16是隆起的頂出部分，在切割帶16與晶粒黏結膜18之間可以造成微小的空間，亦即剝離起點。藉由該空間而可大幅降低投錨效應，亦即大幅降低對晶粒D所施加的應力，而可確實地進行之後的剝離動作。接著，控制部8係以馬達M5來驅動柱塞機構P5，只令第2外側的區塊A5上升成比區塊A6還高而停止。接著，控制部8係以馬達M4來驅動柱塞機構P4，只令第3外側的區塊A4上升成比區塊A5還高而停止。接著，控制部8係以馬達M3來驅動柱塞機構P3，只令第4外側的區塊A3上升成比區塊A4還高而停止。接著，控制部8係以馬達M2來驅動柱塞機構P2，只令第5外側的區塊A2上升成比區塊A3還高而停止。最後，控制部8係以馬達M1來驅動柱塞機構P1，只令最內側的區塊A1上升成比區塊A2還高而停止。
步驟S4：控制部8係令吸具上升。步驟S3的最後的狀態中，切割帶16與晶粒D的接觸面積係變成可藉由吸具的上升而剝離的面積，可藉由吸具22的上升而將晶粒D予以剝離。
步驟S5：控制部8係以使得區塊部13a1的各區塊A1~A6會與汽包頭13a2的表面形成同一平面的方式，停止汽包頭13a2的吸附孔HL、與區塊間之間隙A1v、A2v、A3v、A4v、A5v所致之切割帶16的吸附。控制部8係以使得第1單元之上面會遠離從切割帶16的背面的方式，而移動頂出單元13。
控制部8係重複步驟S1~S5，將晶圓11的良品的晶粒予以拾取。
接著，關於使用了實施例所述之黏晶機的半導體裝置的製造方法，使用圖11來說明。圖11係為半導體裝置的製造方法的流程圖。
步驟S11：將保持有被黏貼有從晶圓11所被分割之晶粒D的切割帶16的晶圓環14，放入晶圓匣(未圖示)，搬入至黏晶機10。控制部8係從被充填有晶圓環14的晶圓匣，將晶圓環14供給至晶粒供給部1。又，準備基板P，並搬入至黏晶機10。控制部8係以基板供給部6將基板P載置於基板搬運盤51。
步驟S12：控制部8係將藉由步驟S1~S5而分割好的晶粒，從晶圓加以拾取。
步驟S13：控制部8係將已拾取之晶粒搭載於基板P上或層積於已經結著的晶粒之上。控制部8係將從晶圓11拾取之晶粒D載置於中間平台31，以結著頭41從中間平台31再度拾取晶粒D，結著於被搬運過來的基板P上。
步驟S14：控制部8係以基板搬出部7從基板搬運盤51取出已被結著有晶粒D的基板P。從黏晶機10搬出基板P。
<變形例1>
接著，關於頂出單元的變形例1，使用圖12A、12B、13、14A、14B來說明。圖12A係為變形例1所述之頂出單元的外觀斜視圖。圖12B係為變形例1所述之頂出單元的外觀斜視圖。圖13係為圖12A的第1單元的縱剖面圖。圖14A係為圖12A的頂出單元的第1單元及第2單元之一部分的縱剖面圖。圖14B係為將圖12A的第1單元予以拆下之狀態的縱剖面圖。
頂出單元13A係具備：第1單元13Aa、和第1單元13Aa所被裝著之第2單元13Ab。第2單元13Ab係為無關於品種而為共通的部分，第1單元13Aa係為隨著每一品種而可更換的部分。
第1單元13Aa，係區塊數是與實施例的第1單元13a不同，其他係和第1單元13a相同。第1單元13Aa係具備：具有區塊AA1~AA4的區塊部13Aa1、具有複數吸附孔的汽包頭13Aa2、吸引孔13a3、汽包吸附的吸引孔13a4、將第2單元13Ab的同心圓狀之區塊BA1~BA4的上下運動傳達至同心四角狀之4個區塊A1~A4的構件aA1~aA4。
第2單元13Ab係具備：外周部13Ab1、藉由 覆蓋外周部13Ab1而裝著第1單元13Aa的構件13Ab2、將構件13Ab2鎖定(固定)在外周部13Ab1的構件12Ab3、同軸的圓管狀(管狀)之區塊BA1~BA4、將區塊BA1~BA4分別予以驅動的驅動部CA1~CA4。藉由鬆開構件12Ab3的鎖定，構件13Ab2係可往上移動，可使第1單元13Aa對第2單元13Ab進行脫著。驅動部CA1~CA4係在上下方向，從上起依序配置有驅動部CA1、CA2、CA3、CA4。4個驅動部CA1~CA4係可分別獨立地上下驅動4個區塊BA1~BA4，其結果為，4個區塊AA1~AA4係可獨立地上下運動。為了將驅動部CA1~CA4在上下方向做配置，可使橫方向的大小比實施例還小。
頂出單元13A所致之拾取動作係和圖10所示的實施例的頂出單元13所致之動作相同。使用具備頂出單元13A之黏晶機的半導體裝置的製造方法係和圖11所示的實施例的半導體裝置的製造方法相同。
<變形例2>
接著，關於頂出單元的變形例2，使用圖15~17來說明。圖15係為變形例2所述之頂出單元的外觀斜視圖。圖16係為圖15的第3單元的縱剖面圖。圖17係為圖16的第3單元之一部分的上面圖。
頂出單元13B係具備：第1單元13Ba、第1單元13Ba所被裝著之第2單元13Bb、第2單元13Bb所被裝著之第3單元13Bc。第2單元13Bb及第3單元 13Bc係為無關於品種而為共通的部分，第1單元13Ba係為隨著每一品種而可更換的部分。
第1單元13Ba係與第1單元13a的區塊數不同但為相同的結構，最多具備12個區塊。第2單元13Bb係與第2單元13b的區塊數不同但為相同的結構，最多具備12個區塊。
第3單元13Bc係具備中央部13Bc0和12個周邊部13c1~13c6、13d1~13d6。中央部13Bc0係具有：在上面之外側的圓周上被等間隔地配置而獨立地上下運動的6個輸出部C1~C6、和在內側的圓周上被等間隔配置而獨立地上下運動的6個輸出部D1~D6。周邊部13c1~13c6係被配置在周邊部13d1~13d6之上。周邊部13c1~13c6、13d1~13d6係可將各個輸出部C1~C6、D1~D6予以彼此獨立地驅動。周邊部13c1~13c6、13d1~13d6係分別具備馬達M1~M6、Md1~Md6，在中央部13Bc0係具備，將馬達的旋轉藉由凸輪或連桿而轉換成上下運動的柱塞機構P1~P6、Pd1~Pd6。柱塞機構P1~P6、Pd1~Pd6係對輸出部C1~C6、D1~D6給予上下運動。此外，馬達M1、M2、M4、M5、Md1、Md2、Md4、Md5及柱塞機構P1、P2、P4、P5、Pd1、Pd2、Pd4、Pd5係未圖示。
藉由將第3單元縱向層積而增加輸出部，可使更多的區塊作動。配置在上段的第3單元係必須要有，除了讓輸出部，還要讓下段單元用的柱塞的軸做貫通的空 間。在變形例2中係將上段與下段的第3單元的馬達的旋轉轉換成上下運動的柱塞機構的凸輪或連桿位置，錯開成同心圓上的內周部與外周部而配置，但如圖18所示，亦可藉由將上下的第3單元的角度(180°/設置點數，例如若為6輸出的第3單元則為30°)予以錯開配置來確保讓柱塞輸出部的軸做貫通的空間。藉由如此2段層積，就可連同輸出部而對應12點左右。又，亦可將上段的單元的輸出部減少1~3個來確保空間。
在實施例中，在第3單元中將馬達的旋轉以凸輪或連桿做上下運動的動作點，在圓周上是存在有6點。在第2單元內從6點的圓周上的動作點，展開成6重的同心圓上的動作圓。在第1單元中是從同心圓上的動作圓連接至晶粒尺寸的角區塊的各零件。在變形例1中，在第2單元內是從被配置在上下方向的4點的動作點展開成4重的同心圓上的動作圓。在第1單元中是從同心圓上的動作圓連接至晶粒尺寸的角區塊的各零件。在變形例2中，第3單元的動作點最多可配置12點。藉由分解成最多12階段、6階段或4階段而頂出，對於複數種尺寸的晶粒，就可進行零件與製程的共用化。
又，在實施例及變形例中，藉由實現各段是彼此不會互相影響(不發生干擾)的頂出行程，頂出方向/拉入方向均可依靠編程而自由設定，可提供此種頂出機構。亦即，由於各段是各自獨立而不會彼此干擾，因此設計容易。又，頂出高度/上下時序等可自由地選定。
由於至頂出夾具上面的同心圓結構為止係可共通，因此晶粒尺寸所致之品種更換，係藉由更換品種切換零件(第1單元)就可完成。品種切換零件的設計係變得容易。品種切換零件的設計係可迅速為之，而可減少交期/價格。也朝零件的共用化邁進。又，可縮短品種切換所涉及的時間。
以上，雖然根據實施例及變形例而具體地說明本發明人所做的發明，但本發明係不限定於上記實施例及變形例，當然可以有各種變更。
例如，在實施例中柱塞機構的上下運動是使用馬達來進行，但亦可不用馬達而改為，將氣缸等之軸的前後動作使用平面凸輪來轉換成上下運動。
又，在需要較大的輸出或行程的情況下，馬達的旋轉的凸輪或連桿的尺寸會變大，無法收容在所定的空間的情況下，仍可藉由減少第3單元的每1段的輸出部來應對，而這減少的部分可藉由層積來彌補。
又，從第3單元的輸出部令第2單元的區塊上升的柱塞機構，係亦可設計成像是相機的快門的釋放般地，使金屬線狀的芯在彈性的導軌內前後移動的結構。此情況下，可使馬達或氣缸等之柱塞凸輪的驅動部的配置，設置在較為遠離的位置，可提升配置的自由度。
又，雖然說明了第1單元的複數區塊之數量係為12個、6個或4個的例子，但只要為3個以上即可。雖然說明了第2單元的複數區塊之數量係為12個、6 個或4個的例子，但只要與第1單元的複數區塊之數量相同即可。雖然說明了第3單元的複數驅動輸出部之數量為12個或6個的例子，但只要與第2單元的複數區塊之數量相同即可。
又，雖然說明了第1單元的複數區塊係為同心四角狀，但亦可將四角狀區塊平行排列而構成。
又，在實施例中雖然是將拾取對象晶粒與周邊晶粒以相同時序予以吸附/釋放，但拾取對象晶粒與周邊晶粒亦可以各自不同的時序來進行吸附/釋放。藉此，可進行更確實的剝離。
又，在實施例中雖然各段的區塊是依序頂出，但由於各段係可獨立而各自不同地動作，因此頂出/拉向兩方向的動作亦可混合。
又，在實施例中雖然說明在第1單元中使用區塊而將晶粒予以頂出的例子，但亦可取代區塊改為使用插銷(針)。
又，在實施例中雖然說明了使用晶粒黏結膜的例子，但亦可在基板設置用來塗布接著劑的預型部而不使用晶粒黏結膜。
又，在實施例中雖然說明了，從晶粒供給部將晶粒以拾取頭加以拾取而載置於中間平台，將中間平台上所被載置之晶粒以結著頭結著於基板的黏晶機，但並非限定於此，亦可適用於從晶粒供給部拾取晶粒的半導體製造裝置。
例如，亦可適用於，沒有中間平台和拾取頭，而將晶粒供給部的晶粒以結著頭結著於基板的黏晶機。
又，亦可適用於，沒有中間平台，從晶粒供給部拾取晶粒並將晶粒拾取頭往上旋轉而將晶粒交給結著頭並以結著頭結著於基板的翻轉式黏晶機。
又，亦可適用於，沒有中間平台和結著頭，將從晶粒供給部以拾取頭拾取的晶粒載置於托盤等的晶粒排列機。

Claims (17)

  1. 一種半導體製造裝置，係具備：頂出單元，係將晶粒從切割帶之下予以頂出；和吸具，係將前記晶粒予以吸附；前記頂出單元係具備：第1單元，係具有與前記切割帶接觸的四角狀之複數區塊；和第2單元，係具有對前記複數區塊之每一者獨立地傳達上下運動的同心圓狀之複數區塊；前記第1單元係被裝著於前記第2單元之上；前記第1單元係將前記同心圓狀之複數區塊的上下運動，轉換成前記四角狀之複數區塊的上下運動。
  2. 如請求項1的半導體製造裝置，其中，前記第1單元係還具備：第1吸附部，係在前記複數區塊之外側，吸附前記晶粒之外側的周邊晶粒；和第2吸附部，係由吸附前記晶粒的前記複數區塊之間之間隙所構成。
  3. 如請求項2的半導體製造裝置，其中，前記第1吸附部與前記第2吸附部係可獨立地設定吸附時序。
  4. 如請求項3的半導體製造裝置，其中，前記第1單元的複數區塊之數量係為3以上。
  5. 如請求項1的半導體製造裝置，其中，前記四角狀之複數區塊係被構成為同心狀。
  6. 如請求項1的半導體製造裝置，其中，前記第1單元，係取代前記四角狀之複數區塊而改為具備被配置成四角狀的複數針。
  7. 如請求項1的半導體製造裝置，其中，還具備：第3單元，係具有被配置在圓周上的複數驅動輸出部，其係對前記第2單元的複數區塊之每一者獨立地賦予上下運動。
  8. 如請求項7的半導體製造裝置，其中，前記第2單元係將被配置在前記圓周上的複數輸出部的上下運動，轉換成前記同心圓狀之複數區塊的上下運動。
  9. 如請求項7的半導體製造裝置，其中，前記第3單元係還在側部具備複數驅動部，前記複數驅動部係分別對前記複數輸出部賦予上下運動。
  10. 如請求項7的半導體製造裝置，其中，前記第2單元的複數區塊之數量、前記第3單元的複數驅動輸出部之數量，係皆為3以上。
  11. 如請求項7的半導體製造裝置，其中，將前記第3單元予以層積，且還具有複數驅動部地構成。
  12. 如請求項1的半導體製造裝置，其中，前記晶粒係還在前記晶粒與前記切割帶之間，具備晶粒黏結膜。
  13. 如請求項1的半導體製造裝置，其中，還具備：拾取頭，係用來裝著前記吸具。
  14. 如請求項13的半導體製造裝置，其中，還具備：中間平台，係用來載置被前記拾取頭所拾取之晶粒；和結著頭，係將被載置於前記中間平台的晶粒，結著於基板或已經被結著的晶粒之上。
  15. 一種半導體裝置的製造方法，係具備：(a)準備如請求項1至14之任1項的半導體製造裝置的工程；和(b)準備用來保持具有晶粒之切割帶的晶圓環的工程；和(c)準備前記基板的工程；和(d)以前記頂出單元將前記晶粒予以頂出然後以前記吸具拾取前記晶粒的工程。
  16. 如請求項15的半導體裝置的製造方法，其中，還具備：(e)將前記晶粒結著於基板或已經被結著的晶粒之上的工程。
  17. 如請求項16的半導體裝置的製造方法，其中，前記(d)工程係還具有：將前記已拾取之晶粒載置於中間平台的工程；前記(e)工程係還具有：從前記中間平台拾取前記晶粒的工程。
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