KR20200034600A - 반도체 제조 장치, 밀어올림 지그 및 반도체 장치의 제조 방법 - Google Patents

반도체 제조 장치, 밀어올림 지그 및 반도체 장치의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

밀어올림 지그를 간단한 구성으로 행하는 것이 가능한 반도체 제조 장치를 제공하는 것에 있다.
반도체 제조 장치는, 다이를 다이싱 테이프 아래로부터 밀어올리는 밀어올림 유닛을 구비한다. 상기 밀어올림 유닛은, 중앙에 위치하는 메인 블록과 상기 메인 블록의 외측에 위치하는 복수의 블록을 갖고, 상하 이동하는 블록부와, 밀어올림 샤프트의 상하 이동에 기초하여 상기 블록부를 상하 이동시키는 보텀 베이스와, 상기 보텀 베이스의 상하 이동을 상기 복수의 블록의 가장 외측의 블록의 상하 이동으로 변환하는 기구를 구비한다. 상기 밀어올림 샤프트를 상방으로 밀어올림으로써, 상기 보텀 베이스, 상기 중앙 블록 및 상기 복수의 블록이 밀어올려지고, 상기 밀어올림 샤프트를 더 밀어올림으로써, 상기 보텀 베이스가 밀어올려져 상기 기구에 의해 상기 가장 외측의 블록이 끌어내려지도록 구성된다.

Description

반도체 제조 장치, 밀어올림 지그 및 반도체 장치의 제조 방법{SEMICONDUCTOR MANUFACTURING APPARATUS, PUSH-UP JIG AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE}
본 개시는 반도체 제조 장치에 관한 것이며, 예를 들어 밀어올림 유닛을 구비하는 반도체 제조 장치에 적용 가능하다.
다이라 불리는 반도체 칩을, 예를 들어 배선 기판이나 리드 프레임 등(이하, 총칭하여 기판이라 함)의 표면에 탑재하는 다이 본더에 있어서는, 콜릿 등의 흡착 노즐을 사용하여 다이를 기판 상으로 반송하고, 압박력을 부여함과 함께, 접합재를 가열함으로써 본딩을 행한다는 동작(작업)이 반복하여 행해진다.
다이 본더 등의 반도체 제조 장치에 의한 다이 본딩 공정 중에는, 반도체 웨이퍼(이하, 웨이퍼라 함)로부터 분할된 다이를 박리하는 박리 공정이 있다. 박리 공정에서는, 다이싱 테이프 이면으로부터 밀어올림 핀이나 블록에 의해 다이를 밀어올려, 다이 공급부에 보유 지지된 다이싱 테이프로부터, 1개씩 박리하고, 콜릿 등의 흡착 노즐을 사용하여 기판 상으로 반송한다.
다이싱 테이프로부터 다이를 픽업하는 방법으로서는, 예를 들어, 원판형의 이젝터 캡의 흡착면에 다이싱 시트를 흡착시키고, 반도체 다이를 콜릿에 흡착시킨 상태에서, 콜릿 및, 주변, 중간, 중앙의 각 밀어올림 블록을 이젝터 캡의 표면보다 높은 소정의 높이까지 상승시킨 후, 콜릿의 높이를 그 상태 그대로의 높이로 하고, 주위의 밀어올림 블록, 중간의 밀어올림 블록의 순으로 밀어올림 블록을 이젝터 캡의 표면보다도 아래의 위치까지 강하시켜 반도체 다이로부터 다이싱 시트를 박리하는 방법이 제안되어 있다(특허문헌 1의 배경기술).
일본 특허 공개 제2015-179813호 공보
본 개시의 과제는 배경기술에 기재된 픽업 방법을 행하는 밀어올림 지그를 간단한 구성으로 행하는 것이 가능한 반도체 제조 장치를 제공하는 것에 있다.
그 밖의 과제와 신규 특징은, 본 명세서의 기술 및 첨부 도면으로부터 명백하게 될 것이다.
본 개시 중 대표적인 것의 개요를 간단히 설명하면 하기와 같다.
즉, 반도체 제조 장치는, 다이를 갖는 다이싱 테이프를 보유 지지하는 웨이퍼 보유 지지대와, 상기 다이를 상기 다이싱 테이프 아래로부터 밀어올리는 밀어올림 유닛을 구비한다. 상기 밀어올림 유닛은, 통형의 돔과, 중앙에 위치하는 기둥형의 메인 블록과 상기 메인 블록의 외측에 위치하는 환형의 복수의 블록을 갖고, 상하 이동하는 블록부와, 밀어올림 샤프트의 상하 이동에 기초하여 상기 블록부를 상하 이동시키는 보텀 베이스와, 상기 보텀 베이스의 상하 이동을 상기 복수의 블록의 가장 외측의 블록의 상하 이동으로 변환하는 기구를 구비한다. 상기 밀어올림 샤프트를 상방으로 밀어올림으로써, 상기 보텀 베이스, 상기 중앙 블록 및 상기 복수의 블록이 밀어올려지고, 상기 밀어올림 샤프트를 더 밀어올림으로써, 상기 보텀 베이스가 밀어올려지고 상기 기구에 의해 상기 가장 외측의 블록이 끌어내려지도록 구성된다.
상기 반도체 제조 장치에 의하면, 밀어올림 지그의 구성이 간단해진다.
도 1은 실시 형태에 관한 다이 본더의 개략을 도시하는 상면도.
도 2는 도 1에 있어서 화살표 A 방향으로부터 보았을 때 픽업 헤드 및 본딩 헤드의 동작을 설명하는 도면.
도 3은 도 1의 다이 공급부의 외관 사시도를 도시하는 도면.
도 4는 도 1의 다이 공급부의 주요부를 도시하는 개략 단면도.
도 5는 도 4의 밀어올림 지그를 설명하는 상면도.
도 6은 도 5의 밀어올림 지그의 A-A 단면도.
도 7은 도 6의 밀어올림 지그의 동작을 설명하는 도면.
도 8은 도 6의 밀어올림 지그의 동작을 설명하는 도면.
도 9는 도 6의 밀어올림 지그의 동작을 설명하는 도면.
도 10은 도 1의 다이 본더를 사용한 반도체 장치의 제조 방법을 설명하는 흐름도.
도 11은 제1 변형예의 밀어올림 지그를 설명하는 단면도.
도 12는 제2 변형예의 밀어올림 지그를 설명하는 단면도.
이하, 실시 형태에 대하여, 도면을 사용하여 설명한다. 단, 이하의 설명에 있어서, 동일 구성 요소에는 동일 부호를 붙이고 반복 설명을 생략하는 경우가 있다. 또한, 도면은 설명을 보다 명확하게 하기 위해, 실제의 양태에 비해, 각 부의 폭, 두께, 형상 등에 대하여 모식적으로 도시되는 경우가 있지만, 어디까지나 일례이며, 본 발명의 해석을 한정하는 것은 아니다.
도 1은 실시 형태에 관한 다이 본더의 개략을 도시하는 상면도이다. 도 2는 도 1에 있어서 화살표 A 방향으로부터 보았을 때, 픽업 헤드 및 본딩 헤드의 동작을 설명하는 도면이다.
다이 본더(10)는, 크게 구별하여, 하나 또는 복수의 최종 1패키지가 되는 제품 에어리어(이하, 패키지 에어리어 P라 함)를 프린트한 기판 S에 실장하는 다이 D를 공급하는 다이 공급부(1)와, 픽업부(2), 중간 스테이지부(3)와, 본딩부(4)와, 반송부(5), 기판 공급부(6)와, 기판 반출부(7)와, 각 부의 동작을 감시하고 제어하는 제어부(8)를 갖는다. Y축 방향이 다이 본더(10)의 전후 방향이며, X축 방향이 좌우 방향이다. 다이 공급부(1)가 다이 본더(10)의 전방측에 배치되고, 본딩부(4)가 후방측에 배치된다.
먼저, 다이 공급부(1)는 기판 S의 패키지 에어리어 P에 실장하는 다이 D를 공급한다. 다이 공급부(1)는, 웨이퍼(11)를 보유 지지하는 웨이퍼 보유 지지대(12)와, 웨이퍼(11)로부터 다이 D를 밀어올리는 점선으로 나타내는 밀어올림 유닛(13)을 갖는다. 다이 공급부(1)는 도시하지 않은 구동 수단에 의해 XY축 방향으로 이동하여, 픽업하는 다이 D를 밀어올림 유닛(13)의 위치로 이동시킨다.
픽업부(2)는, 다이 D를 픽업하는 픽업 헤드(21)와, 픽업 헤드(21)를 Y축 방향으로 이동시키는 픽업 헤드의 Y 구동부(23)와, 콜릿(22)을 승강, 회전 및 X축 방향 이동시키는 도시하지 않은 각 구동부를 갖는다. 픽업 헤드(21)는, 밀어올려진 다이 D를 선단에 흡착 보유 지지하는 콜릿(22)(도 2도 참조)을 갖고, 다이 공급부(1)로부터 다이 D를 픽업하여, 중간 스테이지(31)에 적재한다. 픽업 헤드(21)는, 콜릿(22)을 승강, 회전 및 X축 방향 이동시키는 도시하지 않은 각 구동부를 갖는다.
중간 스테이지부(3)는, 다이 D를 일시적으로 적재하는 중간 스테이지(31)와, 중간 스테이지(31) 상의 다이 D를 인식하기 위한 스테이지 인식 카메라(32)를 갖는다.
본딩부(4)는, 중간 스테이지(31)로부터 다이 D를 픽업하여, 반송되어 오는 기판 S의 패키지 에어리어 P 상에 본딩하거나, 또는 이미 기판 S의 패키지 에어리어 P 상에 본딩된 다이 상에 적층하는 형태로 본딩한다. 본딩부(4)는, 픽업 헤드(21)와 마찬가지로 다이 D를 선단에 흡착 보유 지지하는 콜릿(42)(도 2도 참조)을 구비하는 본딩 헤드(41)와, 본딩 헤드(41)를 Y축 방향으로 이동시키는 Y 구동부(43)와, 기판 S의 패키지 에어리어 P의 위치 인식 마크(도시하지 않음)를 촬상하여, 본딩 위치를 인식하는 기판 인식 카메라(44)를 갖는다.
이와 같은 구성에 의해, 본딩 헤드(41)는, 스테이지 인식 카메라(32)의 촬상 데이터에 기초하여 픽업 위치·자세를 보정하고, 중간 스테이지(31)로부터 다이 D를 픽업하고, 기판 인식 카메라(44)의 촬상 데이터에 기초하여 기판에 다이 D를 본딩한다.
반송부(5)는, 기판 S를 파지하여 반송하는 기판 반송 갈고리(51)와, 기판 S가 이동하는 반송 레인(52)을 갖는다. 기판 S는, 반송 레인(52)에 마련된 기판 반송 갈고리(51)의 도시하지 않은 너트를 반송 레인(52)을 따라서 마련된 도시하지 않은 볼 나사로 구동함으로써 이동한다.
이와 같은 구성에 의해, 기판 S는, 기판 공급부(6)로부터 반송 레인(52)을 따라서 본딩 위치까지 이동하고, 본딩 후, 기판 반출부(7)까지 이동하여, 기판 반출부(7)에 기판 S를 건네준다.
제어부(8)는, 다이 본더(10)의 각 부의 동작을 감시하고 제어하는 프로그램(소프트웨어)을 저장하는 메모리와, 메모리에 저장된 프로그램을 실행하는 중앙 처리 장치(CPU)를 구비한다.
다음에, 다이 공급부(1)의 구성에 대하여 도 3 및 도 4를 사용하여 설명한다. 도 3은 도 1의 다이 공급부의 외관 사시도를 도시하는 도면이다. 도 4는 도 1의 다이 공급부의 주요부를 도시하는 개략 단면도이다.
다이 공급부(1)는, 수평 방향(XY축 방향)으로 이동하는 웨이퍼 보유 지지대(12)와, 상하 방향으로 이동하는 밀어올림 유닛(13)을 구비한다. 웨이퍼 보유 지지대(12)는, 웨이퍼 링(14)을 보유 지지하는 익스팬드 링(15)과, 웨이퍼 링(14)에 보유 지지되며 복수의 다이 D가 접착된 다이싱 테이프(16)를 수평으로 위치 결정하는 지지 링(17)을 갖는다. 밀어올림 유닛(13)은 지지 링(17)의 내측에 배치된다.
다이 공급부(1)는, 다이 D의 밀어올림 시에, 웨이퍼 링(14)을 보유 지지하고 있는 익스팬드 링(15)을 하강시킨다. 그 결과, 웨이퍼 링(14)에 보유 지지되어 있는 다이싱 테이프(16)가 잡아늘여져 다이 D의 간격이 확대되고, 밀어올림 유닛(13)에 의해 다이 D 하방으로부터 다이 D를 밀어올려, 다이 D의 픽업성을 향상시키고 있다. 또한, 다이를 기판에 접착하는 접착제는, 액형으로부터 필름형으로 되고, 웨이퍼(11)와 다이싱 테이프(16) 사이에 다이 어태치 필름(DAF)(18)이라 불리는 필름형의 접착 재료를 접착하고 있다. 다이 어태치 필름(18)을 갖는 웨이퍼(11)에서는, 다이싱은, 웨이퍼(11)와 다이 어태치 필름(18)에 대하여 행해진다. 따라서, 박리 공정에서는, 웨이퍼(11)와 다이 어태치 필름(18)을 다이싱 테이프(16)로부터 박리한다. 또한, 이후에서는, 다이 어태치 필름(18)의 존재를 무시하고, 박리 공정을 설명한다.
다음에, 밀어올림 지그의 구성에 대하여 도 5 및 도 6을 사용하여 설명한다. 도 5는 도 4의 밀어올림 지그의 상면도이다. 도 6은 도 5의 밀어올림 지그의 A-A 단면도이다.
밀어올림 유닛(13)은 크게 구별하여, 밀어올림 지그(101)와 도시하지 않은 구동 기구를 갖고, 도 5에 도시한 바와 같이, 밀어올림 지그(101)는, 메인 블록(102)과, 블록(102a 내지 102c)과, 메인 블록(102) 및 블록(102a 내지 102c)을 구동하는 구동부와, 그것들을 보유 지지하는 원통형 돔(104)과, 돔(104)을 덮는 돔 플레이트(104a)를 갖는다.
돔 플레이트(104a)는 메인 블록(102) 및 블록(102a 내지 102c)의 상하 이동을 가능하게 하는 개구를 갖고, 그 주변부에는, 복수의 흡인구(도시하지 않음) 및 복수의 홈(도시하지 않음)이 마련되어 있다. 흡인구 및 홈의 각각의 내부는, 밀어올림 지그(101)를 상승시켜 그 상면을 다이싱 테이프(16)의 이면에 접촉시켰을 때, 도시하지 않은 흡인 기구에 의해 감압되어, 다이싱 테이프(16)의 이면이 돔 플레이트(104a)의 상면에 밀착되도록 되어 있다.
밀어올림 지그(101)의 중심부에는, 다이싱 테이프(16)를 상방으로 밀어올리는 4개의 블록(102, 102a 내지 102c)이 내장되어 있다. 4개의 블록(102, 102a 내지 102c)은, 가장 외측의 환형 블록(102a)의 내측에 환형의 블록(102b)이 배치되고, 또한 그 내측에 환형의 블록(102c)이 배치되고, 또한 그 내측에 기둥형의 메인 블록(102)이 배치되어 있다.
돔 플레이트(104a)의 주변부와 외측의 블록(102a) 사이, 및 4개의 블록(102, 102a 내지 102c) 사이에는, 간극 G가 마련되어 있다. 이들 간극 G의 내부는, 도시하지 않은 흡인 기구에 의해 감압되도록 되어 있고, 밀어올림 지그(101)의 상면에 다이싱 테이프(16)의 이면이 접촉되면, 다이싱 테이프(16)가 하방으로 흡인되어, 블록(102, 102a 내지 102c)의 상면에 밀착된다.
4개의 블록(102, 102a 내지 102c)의 하면에 접하여 각각 메인 블록 베이스(105), 원환 등의 환형의 블록 베이스(103a 내지 103c)가 마련되고, 메인 블록 베이스(105)의 하방에 보텀 베이스(106)가 마련된다. 메인 블록 베이스(105)는, 돔(104)의 중앙부를 연직 방향으로 연장되는 원기둥 등의 기둥형의 주축부(105a)와, 주축부(105a)의 하단에 있어서 수평 방향으로 연장되는 원반형의 베이스부(105b)와, 베이스부(105b)의 상단으로부터 상방으로 연장되는 한 쌍의 원기둥형의 부축부(105c, 105d)를 갖는다. 한 쌍의 부축부(105c, 105d)의 각각의 상부에는 한 쌍의 피니언 기어(105e, 105f)가 마련되고, 주축부(105a)의 측면에는 돌기(105g, 105h, 105i)가 마련되어 있다.
보텀 베이스(106)는, 수평 방향으로 연장되는 원반형의 저부(106a)와, 저부(106a)의 상단으로부터 상방으로 연장되는 한 쌍의 기둥형의 구동부(106b, 106c)를 갖는다. 구동부(106b, 106c)는 피니언 기어(105e, 105f)의 이와 맞물리는 홈을 갖는다.
메인 블록(102) 및 블록(102a 내지 102c)은, 각각 메인 블록 베이스(103) 및 블록 베이스(103a 내지 103c)의 상단에 나사 고정되거나 하며, 돔 플레이트(104a)는 돔(104)의 상단에 나사 고정되어 있다. 이에 의해, 메인 블록(102), 블록(102a 내지 102c) 및 돔 플레이트(104a)는 품종에 따라 교환이 가능하다. 다이의 품종에 따라 다이의 평면 형상의 크기가 상이한 경우라도, 밀어올림 지그(101)를 품종마다 준비할 필요가 없다. 품종에 따라 교환하지 않는 경우에는, 메인 블록(102), 블록(102a 내지 102c) 및 돔 플레이트(104a)는 각각 메인 블록 베이스(105), 블록 베이스(103a 내지 103c) 및 돔(104)과 일체적으로 형성해도 된다.
메인 블록 베이스(105), 블록 베이스(103a 내지 103c)는, 하기의 구동부의 부품에 연결되고, 도시하지 않은 모터 및 캠 등으로 구성되는 구동 기구에 의해 상하 이동하는 밀어올림 샤프트(110)에 연동하여 상하 이동하도록 되어 있다.
(a) 블록 베이스(103a)와 블록 베이스(103b) 사이에 개재하는 제5 압축 코일 스프링(108e)
(b) 블록 베이스(103b)와 블록 베이스(103c) 사이에 개재하는 제4 압축 코일 스프링(108d)
(c) 블록 베이스(103a)와 메인 블록 베이스(105) 사이에 개재하는 제3 압축 코일 스프링(108c)
(d) 돔(104)의 내벽에 마련된 돌기(104b)와 메인 블록 베이스(105) 사이에 개재하는 제2 압축 코일 스프링(108b)
(e) 보텀 베이스(106)와 메인 블록 베이스(105) 사이에 개재하고, 제2 압축 코일 스프링(108d)보다도 스프링 상수가 큰 제1 압축 코일 스프링(108a)
(f) 블록 베이스(103a)와 보텀 베이스(106) 사이에 개재하는 피니언 기어(105e, 105f)
(g) 밀어올림 샤프트에 맞닿는 보텀 베이스(106)
또한, 메인 블록 베이스(105)에 마련된 돌기(105g 내지 105i)는 블록(102a 내지 102c)의 상면이 블록(102)의 상면보다도 높아지지 않도록 하는 스토퍼이며, 블록(102b, 102c)의 상면이 너무 내려가지 않도록 하는 스토퍼이기도 하다. 이에 의해, 초기 상태에 있어서, 4개의 블록(102, 102a 내지 102c)의 각각의 상면의 높이는, 서로 동일하게 된다.
블록(102a)의 평면에서 본 형상은, 박리의 대상이 되는 다이 D와 동일하게 직사각형이며, 그 사이즈는, 다이 D의 사이즈보다도 약간 작다. 블록(102a)의 사이즈가 다이 D의 사이즈에 비해 너무 작은 경우에는, 다이싱 테이프(16)의 이면을 블록(102a 내지 102d)으로 밀어올려도 다이 D의 외주부가 다이싱 테이프(16)로부터 박리되기 어려워진다. 이것은, 다이 D가 90㎛ 이하 등 다이싱 테이프(16)의 두께보다도 얇아, 다이 D의 강성이 매우 낮기 때문이며, 만곡한 상태로 되어, 다이 D가 균열되어 버릴 우려가 있다. 한편, 블록(102a)의 사이즈가 다이 D의 사이즈와 동등 또는 그것 이상인 경우에는, 박리의 대상이 되는 다이 D에 인접하고 있는 다른 다이 D도 동시에 들어올려져 버릴 우려가 있다. 따라서, 본 실시 형태에서는, 다이 D의 외주부로부터 블록(102a)의 외주부까지의 바람직한 거리는, 예를 들어 0.5㎜ 내지 0.75㎜로 하는 것이다.
블록(102a)의 내측에 배치된 평면에서 보아 프레임형의 블록(102b)의 사이즈는, 블록(102a)의 사이즈보다도 1㎜ 내지 3㎜ 정도 작다. 또한, 블록(102b)의 내측에 배치된 블록(102c)의 사이즈는, 블록(102b)보다도 1㎜ 내지 3㎜ 정도 더 작다. 또한, 블록(102c)의 내측에 배치된 블록(102d)의 사이즈는, 블록(102c)보다도 1㎜ 내지 3㎜ 정도 더 작다. 또한, 메인 블록(102)의 폭은 블록(102a 내지 102c) 중 어느 폭(외측의 변과 내측의 변 사이의 길이)보다도 크다. 본 실시 형태에서는, 가공의 용이함 등을 고려하여 블록(102, 102a 내지 102c)의 형상을 직사각형으로 하였지만, 이것에 한정되는 것은 아니고, 예를 들어 타원형으로 해도 된다.
상기한 4개의 블록(102, 102a 내지 102c)의 각각의 상면의 높이는, 초기 상태(블록(102, 102a 내지 102c)의 비동작 시)에 있어서는 서로 동일하고, 또한 밀어올림 지그(101)의 상면 주변부(돔 플레이트(104a))의 높이보다도 약간 낮게 되어 있다.
다음에, 상기와 같은 블록(102, 102a 내지 102c)을 구비한 밀어올림 지그(101)를 사용하여, 다이 D를 다이싱 테이프(16)로부터 박리하는 방법을 설명한다. 도 7은 도 6의 밀어올림 지그의 동작을 설명하는 도면이며, 도 7의 (A)는 초기 상태를 도시하는 단면도이고, 도 7의 (B)는 모든 블록이 밀어올려진 상태를 도시하는 단면도이다. 도 8은 도 6의 밀어올림 지그의 동작을 설명하는 도면이며, 도 8의 (A)는 가장 외측의 블록을 끌어내린 상태를 도시하는 단면도이고, 도 8의 (B)는 외측으로부터 2번째의 블록을 끌어내린 상태를 도시하는 단면도이다. 도 9는 도 6의 밀어올림 지그의 동작을 설명하는 도면이며, 외측으로부터 3번째의 블록을 끌어내린 상태를 도시하는 단면도이다.
먼저, 도 3 및 도 4에 도시한 웨이퍼 보유 지지대(12)에 위치 결정되어 있는 다이싱 테이프(16)에 자외선을 조사한다. 이에 의해, 다이싱 테이프(16)에 도포된 점착제가 경화되어 그 점착성이 저하되므로, 다이싱 테이프(16)와 다이 어태치 필름(18)의 계면이 박리되기 쉬워진다.
다음에, 웨이퍼 보유 지지대(12)의 익스팬드 링(15)을 하강시킴으로써 다이싱 테이프(16)의 주변부에 접착된 웨이퍼 링(14)을 하방으로 밀어내린다. 이와 같이 하면, 다이싱 테이프(16)가, 그 중심부로부터 주변부를 향하는 강한 장력을 받아 수평 방향으로 이완없이 잡아늘여진다.
다음에, 도 4에 도시한 바와 같이, 박리의 대상이 되는 1개의 다이 D(도 4의 중앙부에 위치하는 다이 D)의 바로 아래에 밀어올림 지그(101)의 중심부(블록(102, 102a 내지 102c))가 위치하도록 웨이퍼 보유 지지대(12)를 이동시킴과 함께, 이 다이 D의 상방으로 콜릿(22)을 이동시킨다. 픽업 헤드(21)에 지지된 콜릿(22)의 저면에는, 내부가 감압되는 흡착구(도시하지 않음)가 마련되어 있어, 박리의 대상이 되는 1개의 다이 D만을 선택적으로 흡착, 보유 지지할 수 있도록 되어 있다.
여기서, 메인 블록(102)과 메인 블록 베이스(105)를 합하여 중앙 블록(107), 블록(102a)과 블록 베이스(103a)를 합하여 제1 블록(107a), 블록(102b)과 블록 베이스(103b)를 합하여 제2 블록(107b), 블록(102c)과 블록 베이스(103c)를 합하여 제3 블록(107c)이라 한다.
다음에, 도 7의 (A)에 도시한 바와 같이, 중앙 블록(107), 제1 블록(107a), 제2 블록(107b) 및 제3 블록(107c)의 상면을 동일한 높이로 하고, 돔 플레이트(104a)의 상면보다도 약간 낮춘 상태(초기 상태)로 하여, 밀어올림 지그(101)를 상승시켜 그 상면을 다이싱 테이프(16)의 이면에 접촉시킴과 함께, 전술한 돔 플레이트(104a)의 흡인구, 홈 및 간극 G의 내부를 감압한다. 이에 의해, 박리의 대상이 되는 다이 D의 하방의 다이싱 테이프(16)가 블록(102, 102a 내지 102c)의 상면에 밀착된다. 또한, 이 다이 D에 인접하는 다른 다이 D의 하방의 다이싱 테이프(16)가 돔 플레이트(104a)에 밀착된다. 한편, 밀어올림 지그(101)의 상승과 거의 동시에 콜릿(22)을 하강시켜, 그 저면을 박리의 대상이 되는 다이 D의 상면에 접촉시킴으로써, 다이 D를 흡착함과 함께 하방으로 가볍게 누른다.
다음에, 도 7의 (B)에 도시한 바와 같이, 4개의 중앙 블록(107), 제1 블록(107a), 제2 블록(107b) 및 제3 블록(107c)을 동시에 상방으로 밀어올려 다이싱 테이프(16)의 이면에 하중을 가하여, 다이 D를 다이싱 테이프(16)와 함께 밀어올린다.
4개의 중앙 블록(107), 제1 블록(107a), 제2 블록(107b) 및 제3 블록(107c)을 동시에 상방으로 밀어올리기 위해서는, 도 7의 (B)에 도시한 밀어올림 샤프트(110)를 상방으로 밀어올림으로써, 밀어올림 샤프트(110)에 연결된 보텀 베이스(106)를 밀어올린다. 이에 의해, 보텀 베이스(106)와 중앙 블록(107) 사이에 개재하는 제1 압축 코일 스프링(108a)의 스프링력에 의해 중앙 블록(107)이 밀어올려진다. 또한, 이것에 병행하여, 중앙 블록(107)과 제1 블록(107a) 사이에 개재하는 제3 압축 코일 스프링(108c)의 스프링력에 의해 제1 블록(107a)이 밀어올려진다. 또한, 이것에 병행하여, 제1 블록(107a)과 제2 블록(107b) 사이에 개재하는 제4 압축 코일 스프링(108d)의 스프링력에 의해 제2 블록(107b)이 밀어올려진다. 또한, 이것에 병행하여, 제2 블록(107b)과 제3 블록(107c) 사이에 개재하는 제5 압축 코일 스프링(108e)의 스프링력에 의해 제3 블록(107c)이 밀어올려진다. 이들에 의해, 4개의 중앙 블록(107), 제1 블록(107a), 제2 블록(107b) 및 제3 블록(107c)이 동시에 밀어올려진다. 그리고, 중앙 블록(107)의 일부가 돔(104)의 내벽에 마련된 돌기(104c)와 접촉함으로써, 중앙 블록(107), 제1 블록(107a), 제2 블록(107b) 및 제3 블록(107c)의 상승이 정지된다.
중앙 블록(107), 제1 블록(107a), 제2 블록(107b) 및 제3 블록(107c)의 밀어올림양은, 다이 D의 사이즈에 따라서 증감하는 것이 바람직하다. 즉, 다이 D의 사이즈가 큰 경우에는, 다이 어태치 필름(18)과의 접촉 면적이 크고, 따라서 점착력도 크므로, 밀어올림양을 증가시킬 필요가 있다. 한편, 다이 D의 사이즈가 작은 경우에는, 다이 어태치 필름(18)과의 접촉 면적이 작고, 따라서 점착력도 작으므로, 밀어올림양을 적게 해도 용이하게 박리된다. 또한, 다이싱 테이프(16)에 도포되어 있는 감압 점착제는, 제조원이나 품종에 따라 점착력에 차가 있으므로, 다이 D의 사이즈가 동일한 경우라도, 감압 점착제의 점착력에 따라서 중앙 블록(107), 제1 블록(107a), 제2 블록(107b) 및 제3 블록(107c)의 밀어올림양을 변화시킬 필요가 있다.
다음에, 도 8의 (A)에 도시한 바와 같이, 가장 외측에 배치된 제1 블록(107a)을 하방으로 내리면, 다이 어태치 필름(18)과 다이싱 테이프(16)의 박리가 시작된다. 이때, 박리의 대상이 되는 다이 D에 인접하는 다른 다이 D의 하방의 다이싱 테이프(16)를 하방으로 흡인하여, 돔 플레이트(104a)에 밀착시켜 둠으로써, 다른 다이 D의 박리를 방지할 수 있다.
제1 블록(107a)을 하방으로 끌어내리기 위해서는, 도 8의 (A)에 도시한 밀어올림 샤프트(110)를 더 밀어올림으로써, 밀어올림 샤프트(110)에 연결된 보텀 베이스(106)가 밀어올려진다. 이때, 중앙 블록(107)은 돌기(104c)와 맞닿아 있으므로, 중앙 블록(107)은 밀어올려지지 않고, 보텀 베이스(106)의 구동부(106b)에 의해 피니언 기어(105e)가 시계 방향으로 회전하고, 구동부(106c)에 의해 피니언 기어(105f)가 반시계 방향으로 회전한다. 제1 블록(107a)은 피니언 기어(105e, 105f)의 톱니바퀴에 맞물리는 홈을 갖고, 피니언 기어(105e, 105f)의 회전에 의해 끌어내려진다. 이때, 제1 블록(107a)의 상면은 돔 플레이트(104a)의 상면보다도 높게 위치한다.
제1 블록(107a)을 하방으로 끌어내릴 때는, 다이 D의 박리를 촉진시키기 위해, 중앙 블록(107), 제1 블록(107a), 제2 블록(107b) 및 제3 블록(107c)의 간극 G의 내부를 감압함으로써, 다이 D의 하방의 다이싱 테이프(16)를 하방으로 흡인해 둔다. 또한, 돔 레이트(104a)의 홈의 내부를 감압하여, 돔 레이트(104a)에 접하는 다이싱 테이프(16)를 돔 레이트(104a)의 상면에 밀착시켜 둔다.
다음에, 도 8의 (B)에 도시한 바와 같이, 가장 외측으로부터 2번째로 배치된 제2 블록(107b)을 하방으로 끌어내리면, 다이 어태치 필름(18)과 다이싱 테이프(16)의 박리가 다이 D의 중심 방향으로 진행된다.
제2 블록(107b)을 하방에 끌어내리기 위해서는, 도 8의 (B)에 도시한 밀어올림 샤프트(110)를 더 밀어올림으로써, 밀어올림 샤프트(110)에 연결된 보텀 베이스(106)가 밀어올려진다. 이때, 보텀 베이스(106)의 구동부(106b)에 의해 피니언 기어(105e)가 시계 방향으로 회전하고, 구동부(106c)에 의해 피니언 기어(105f)가 반시계 방향으로 회전한다. 제1 블록(107a)은 피니언 기어(105e, 105f)의 회전에 의해 더 끌어내려진다. 이에 의해, 간극(109b)이 없어져, 제1 블록(107a)이 제2 블록(107b)에 맞닿고, 제2 블록(107b)이 끌어내려진다. 제1 블록(107a)은 제2 블록(107b)에 대하여 간극(109b)만큼 하강한다. 이때, 제1 블록(107a)의 상면은 돔 플레이트(104a)의 상면보다도 낮게 위치하지만, 제2 블록(107b)의 상면은 돔 플레이트(104a)의 상면보다도 높게 위치한다.
다음에, 도 9에 도시한 바와 같이, 가장 외측으로부터 3번째로 배치된 제3 블록(107c)을 하방으로 내리면, 다이 어태치 필름(18)과 다이싱 테이프(16)의 박리가 다이 D의 중심 방향으로 더 진행된다.
제3 블록(107c)을 하방으로 끌어내리기 위해서는, 도 9에 도시한 밀어올림 샤프트(110)를 더 밀어올림으로써, 밀어올림 샤프트(110)에 연결된 보텀 베이스(106)가 밀어올려진다. 이때, 보텀 베이스(106)의 구동부(106b)에 의해 피니언 기어(105e)가 시계 방향으로 회전하고, 구동부(106c)에 의해 피니언 기어(105f)가 반시계 방향으로 회전한다. 제1 블록(107a)은 피니언 기어(105e, 105f)의 회전에 의해 더 끌어내려짐과 함께, 제2 블록(107b)이 더 끌어내려진다. 이에 의해, 간극(109c)이 없어져, 제2 블록(107b)이 제3 블록(107c)에 맞닿고, 제3 블록(107c)이 끌어내려진다. 제2 블록(107b)은 제3 블록(107c)에 대하여 간극(109c)만큼 하강한다.
그리고, 제3 압축 코일 스프링(108c)이 다 수축된 시점에서 제1 블록(107a), 제2 블록(107b) 및 제3 블록(107c)의 하강이 정지된다. 이때, 제1 블록(107a), 제2 블록(107b) 및 제3 블록(107c)의 상면은 돔 플레이트(104a)의 상면보다도 낮게 위치한다.
그리고, 중앙 블록(107)을 하방으로 끌어내림과 함께, 콜릿(22)을 상방으로 끌어올림으로써, 다이 어태치 필름(18)이 다이싱 테이프(16)로부터 완전히 박리된다.
또한, 중앙 블록(107)의 상면은, 중앙 블록(107)을 하방으로 끌어내렸을 때, 콜릿(22)의 흡인력에 의해 다이 어태치 필름(18)이 다이싱 테이프(16)로부터 박리될 정도로 면적을 작게 해 둘 필요가 있다. 중앙 블록(107)의 상면의 면적이 크면, 다이 어태치 필름(18)과 다이싱 테이프(16)의 접촉 면적도 커져, 양자의 점착력이 커지므로, 콜릿(22)이 다이 D를 흡인하는 힘으로는 다이 어태치 필름(18)을 다이싱 테이프(16)로부터 박리할 수 없다. 한편, 중앙 블록(107)의 상면의 면적을 작게 한 경우에는, 다이 D의 좁은 영역(중앙 부분)에 강한 하중이 집중적으로 가해지므로, 극단적인 경우에는 다이 D가 균열될 우려가 있다.
다이가 얇아지면, 다이싱 테이프의 점착력에 비해 다이의 강성이 매우 낮아진다. 그 때문에, 예를 들어 20㎛ 이하의 박형 다이를 픽업하기 위해서는 다이에 가해지는 스트레스를 경감시키는 것(저스트레스화)이 필요하다. 밀어올림 블록이 복수의 블록으로 구성되고, 복수의 블록의 모든 블록을 밀어올린 후, 각 블록이 순차적으로 끌어내려지는 방식에서는, 외주 블록의 끌어내림으로 이행할 때의 다이 굽힘 스트레스는 다이싱 테이프의 점착력이 발생하는 면적, 즉, 블록 폭에 의한 오버행(OH)의 크기에 의존한다. 외측의 블록 폭은 좁고, 블록수를 많게 함으로써, 다이 보유 지지 부분의 블록 면적이 서서히 감소하여, 다이를 다이싱 테이프로부터 박리할 수 있다. 이에 의해, 다이에 대한 스트레스를 저감할 수 있다.
또한, 콜릿(22)이 다이 D를 하방으로 누르고 있는 상태에서 중앙 블록(107)을 하방으로 끌어내리면, 콜릿(22)이 하방으로 이동하기 때문에, 다이 D가 중앙 블록(107)에 닿아 균열될 우려가 있다. 따라서, 중앙 블록(107)을 하방으로 끌어내릴 때는, 그 직전에 콜릿(22)을 끌어올리거나, 적어도 콜릿(22)이 하방으로 이동하지 않도록, 고정해 두는 것이 바람직하다.
중앙 블록(107)을 하방으로 끌어내리기 위해서는, 도 9에 도시한 밀어올림 샤프트(110)를 끌어내림으로써, 제1 압축 코일 스프링(108a)의 스프링력에 의해 보텀 베이스(106)가 하강한다. 이때, 제1 압축 코일 스프링(108a)의 스프링력이 제2 압축 코일 스프링(108b)의 스프링력보다도 강하므로 중앙 블록(107)의 위치는 유지된다.
이때, 보텀 베이스(106)의 구동부(106c)에 의해 피니언 기어(105e)가 반시계 방향으로 회전하고, 구동부(106d)에 의해 피니언 기어(105f)가 시계 방향으로 회전한다. 제1 블록(107a)은 피니언 기어(105e, 105f)의 회전 및 제3 압축 코일 스프링(108c)의 스프링력에 의해 밀어올려진다.
제1 압축 코일 스프링(108a)에 의한 보텀 베이스(106)의 하강이 멈추면, 제2 압축 코일 스프링(108b)의 스프링력에 의해 중앙 블록(107)이 하강한다. 이것에 병행하여, 제4 압축 코일 스프링(108d)의 스프링력에 의해 제2 블록(107b)이 밀어올려진다. 또한, 제5 압축 코일 스프링(108e)의 스프링력에 의해 제3 블록(107c)이 밀어올려진다.
그리고, 중앙 블록(107), 제1 블록(107a), 제2 블록(107b) 및 제3 블록(107c)은 초기 상태의 위치로 되돌아간다.
다음에, 실시 형태에 관한 다이 본더를 사용한 반도체 장치의 제조 방법에 대하여 도 10을 사용하여 설명한다. 도 10은 도 1의 다이 본더를 사용한 반도체 장치의 제조 방법을 설명하는 흐름도이다.
스텝 S11 : 웨이퍼(11)로부터 분할된 다이 D가 접착된 다이싱 테이프(16)를 보유 지지한 웨이퍼 링(14)을 웨이퍼 카세트(도시하지 않음)에 저장하여, 다이 본더(10)에 반입한다. 제어부(8)는 웨이퍼 링(14)이 충전된 웨이퍼 카세트로부터 웨이퍼 링(14)을 다이 공급부(1)에 공급한다. 또한, 기판 S를 준비하고, 다이 본더(10)에 반입한다. 제어부(8)는 기판 공급부(6)에서 기판 S를 기판 반송 갈고리(51)에 설치한다.
스텝 S12 : 제어부(8)는 상술한 바와 같이 다이 D를 박리하고, 박리한 다이 D를 웨이퍼(11)로부터 픽업한다. 이와 같이 하여, 다이 어태치 필름(18)과 함께 다이싱 테이프(16)로부터 박리된 다이 D는, 콜릿(22)에 흡착, 보유 지지되어 다음 공정(스텝 S13)으로 반송된다. 그리고, 다이 D를 다음 공정으로 반송한 콜릿(22)이 다이 공급부(1)로 되돌아오면, 상기한 수순에 따라서, 다음 다이 D가 다이싱 테이프(16)로부터 박리되고, 이후 마찬가지의 수순에 따라서 다이싱 테이프(16)로부터 1개씩 다이 D가 박리된다.
스텝 S13 : 제어부(8)는 픽업한 다이를 기판 S 상에 탑재 또는 이미 본딩한 다이 상에 적층한다. 제어부(8)는 웨이퍼(11)로부터 픽업한 다이 D를 중간 스테이지(31)에 적재하고, 본딩 헤드(41)로 중간 스테이지(31)로부터 다시 다이 D를 픽업하여, 반송되어 온 기판 S에 본딩한다.
스텝 S14 : 제어부(8)는 기판 반출부(7)에서 기판 반송 갈고리(51)로부터 다이 D가 본딩된 기판 S를 취출한다. 다이 본더(10)로부터 기판 S를 반출한다.
상술한 바와 같이, 다이 D는, 다이 어태치 필름(18)을 통해 기판 S 상에 실장되어, 다이 본더로부터 반출된다. 그 후, 와이어 본딩 공정에서 Au 와이어를 통해 기판 S의 전극과 전기적으로 접속된다. 계속해서, 다이 D가 실장된 기판 S가 다이 본더에 반입되어 기판 S 상에 실장된 다이 D 상에 다이 어태치 필름(18)을 통해 제2 다이 D가 적층되고, 다이 본더로부터 반출된 후, 와이어 본딩 공정에서 Au 와이어를 통해 기판 S의 전극과 전기적으로 접속된다. 제2 다이 D는, 전술한 방법에 의해 다이싱 테이프(16)로부터 박리된 후, 펠릿화 공정으로 반송되어 다이 D 상에 적층된다. 상기 공정이 소정 횟수 반복된 후, 기판 S를 몰드 공정으로 반송하여, 복수개의 다이 D와 Au 와이어를 몰드 수지(도시하지 않음)로 밀봉함으로써, 적층 패키지가 완성된다.
상술한 바와 같이, 기판 상에 복수개의 다이를 3차원적으로 실장하는 적층 패키지를 조립할 때는, 패키지 두께의 증가를 방지하기 위해, 다이의 두께를 20㎛ 이하까지 얇게 할 것이 요구된다. 한편, 다이싱 테이프의 두께는 100㎛ 정도이기 때문에, 다이싱 테이프의 두께는, 다이의 두께의 4 내지 5배나 되어 있다.
이와 같은 얇은 다이를 다이싱 테이프로부터 박리시키려고 하면, 다이싱 테이프의 변형에 추종한 다이의 변형이 보다 현저하게 발생하기 쉬워지지만, 본 실시 형태의 다이 본더에서는 다이싱 테이프로부터 다이를 픽업할 때의 다이의 손상을 저감할 수 있다.
<변형예>
이하, 실시 형태의 대표적인 변형예에 대하여, 몇 가지를 예시한다. 이하의 변형예의 설명에 있어서, 상술한 실시 형태에서 설명되어 있는 것과 마찬가지의 구성 및 기능을 갖는 부분에 대해서는, 상술한 실시 형태와 마찬가지의 부호가 사용될 수 있는 것으로 한다. 그리고 이러한 부분의 설명에 대해서는, 기술적으로 모순되지 않는 범위 내에 있어서, 상술한 실시 형태에 있어서의 설명이 적절히 원용될 수 있는 것으로 한다. 또한, 상술한 실시 형태의 일부, 및, 복수의 변형예의 전부 또는 일부가, 기술적으로 모순되지 않는 범위 내에 있어서, 적절히, 복합적으로 적용될 수 있다.
(제1 변형예)
실시 형태에서는, 최외주의 블록 베이스(103a)를 하방으로 끌어내리는 데, 피니언 기어(105e, 105f)의 회전을 사용하고 있지만, 로드형 또는 바형의 지레를 사용해도 된다.
도 11은 제1 변형예의 밀어올림 지그의 단면도이다. 제1 변형예의 밀어올림 지그(101A)의 메인 블록 베이스(105)의 한 쌍의 부축부(105c, 105d)의 각각의 상부에는 지레(105j, 105k)가 마련되어 있다. 밀어올림 샤프트(110)를 더 밀어올림으로써, 밀어올림 샤프트(110)에 연결된 보텀 베이스(106)가 밀어올려진다. 이때, 메인 블록 베이스(105)는 돌기(104c)와 맞닿아 있으므로, 메인 블록 베이스(105)는 밀어올려지지 않고, 보텀 베이스(106)의 구동부(106b, 106c)가 밀어올려지고, 이것에 접속된 지레(105j, 105k)의 편측이 밀어올려지고, 이 때문에, 부축부(105c, 105d)에 접속된 지레(105j, 105k)의 지지점을 통해, 다른 일단에 접속된 최외주의 블록 베이스에(103a)에 접속된 구동부가 끌어내려진다. 이하, 실시 형태와 마찬가지로 다른 블록도 동작한다.
(제2 변형예)
실시 형태에서는, 최외주의 블록 베이스(103a)를 하방으로 끌어내리는 데, 피니언 기어(105e, 105f)의 회전을 사용하고 있지만, 볼 나사와 너트 로트를 사용해도 된다.
도 12는 제2 변형예의 밀어올림 지그의 단면도이다. 보텀 베이스(106)의 저부(106a)의 하방에 너트(106d)를 마련하고, 구동부(106b, 106c)의 상방에 너트(106e)를 마련한다. 밀어올림 샤프트(110)는 볼 나사로 형성되어 있다. 최외주의 블록 베이스(103a)를 하방으로 끌어내리는 데, 밀어올림 샤프트(110)의 상승에 수반하여 선단의 너트(106d)에 접속된 보텀 베이스(106)의 구동부(106b, 106c)를 회전시켜, 최외주의 블록 베이스(103a)에 접속된 구동부에 마련된 나사부(103aa)를, 보텀 베이스(106)의 구동부(106b, 106c)에 마련한 너트(106e)를 회전시킴으로써, 끌어내리도록 해도 된다. 이하, 실시 형태와 마찬가지로 다른 블록도 동작한다.
이상, 본 발명자에 의해 이루어진 발명을 실시 형태 및 변형예에 기초하여 구체적으로 설명하였지만, 본 발명은 상기 실시 형태 및 변형예에 한정되는 것은 아니고, 다양하게 변경 가능한 것은 물론이다.
예를 들어, 실시 형태에서는, 밀어올림 블록부는 메인 블록, 제1 내지 제3 블록의 4개의 블록으로 구성되어 있는 예를 설명하였지만, 이것에 한정되는 것은 아니고, 복수의 블록이면 된다. 예를 들어, 2개의 블록의 경우에는 메인 블록과 제1 블록으로 구성되고, 3개의 블록의 경우에는 메인 블록과 제1 블록과 제2 블록으로 구성되고, 5개 이상의 블록의 경우에는 제3 블록과 메인 블록 사이에 블록이 추가되어 구성된다.
또한, 실시 형태에서는, 최외주의 블록 베이스(103a)를 하방으로 끌어내리는 데, 피니언 기어(105e, 105f)의 회전을 사용하고 있지만, 보텀 베이스(106)의 구동부(106b)에 접속된 유압 실린더 등에 의해, 상승을 하강의 동력으로 변화시켜 최외주의 블록 베이스에(103a)에 접속된 구동부를 하강시켜도 된다.
또한, 실시예에서는, 다이 어태치 필름을 사용하는 예를 설명하였지만, 기판에 접착제를 도포하는 프리폼부를 마련하여 다이 어태치 필름을 사용하지 않아도 된다.
또한, 실시예에서는, 다이 공급부로부터 다이를 픽업 헤드로 픽업하여 중간 스테이지에 적재하고, 중간 스테이지에 적재된 다이를 본딩 헤드로 기판에 본딩하는 다이 본더에 대하여 설명하였지만, 이것에 한정되는 것은 아니고, 다이 공급부로부터 다이를 픽업하는 반도체 제조 장치에 적용 가능하다.
예를 들어, 중간 스테이지와 픽업 헤드가 없고, 다이 공급부의 다이를 본딩 헤드로 기판에 본딩하는 다이 본더에도 적용 가능하다.
또한, 중간 스테이지가 없고, 다이 공급부로부터 다이를 픽업하고 다이 픽업 헤드를 위로 회전하여 다이를 본딩 헤드에 전달하고 본딩 헤드로 기판에 본딩하는 플립 칩 본더에 적용 가능하다.
또한, 중간 스테이지와 본딩 헤드가 없고, 다이 공급부로부터 픽업 헤드로 픽업한 다이를 트레이 등에 적재하는 다이 소터에 적용 가능하다.
1 : 다이 공급부
11 : 웨이퍼
13 : 밀어올림 유닛
101 : 밀어올림 지그
102 : 블록
102a : 블록
102b : 블록
102c : 블록
103a : 블록 베이스
103b : 블록 베이스
103c : 블록 베이스
107 : 중앙 블록
107a : 제1 블록
107b : 제2 블록
107c : 제3 블록
16 : 다이싱 테이프
2 : 픽업부
21 : 픽업 헤드
3 : 중간 스테이지부
31 : 중간 스테이지
4 : 본딩부
41 : 본딩 헤드
8 : 제어부
10 : 다이 본더
D : 다이
S : 기판

Claims (23)

  1. 다이를 갖는 다이싱 테이프를 보유 지지하는 웨이퍼 보유 지지대와,
    상기 다이를 상기 다이싱 테이프 아래로부터 밀어올리는 밀어올림 유닛
    을 구비하고,
    상기 밀어올림 유닛은,
    통형의 돔과,
    중앙에 위치하는 기둥형의 중앙 블록과 상기 중앙 블록의 외측에 위치하는 환형의 복수의 블록을 갖고, 상하 이동하는 블록부와,
    밀어올림 샤프트의 상하 이동에 기초하여 상기 블록부를 상하 이동시키는 보텀 베이스와,
    상기 보텀 베이스의 상하 이동을 상기 복수의 블록의 가장 외측의 블록의 상하 이동으로 변환하는 기구를 구비하고,
    상기 밀어올림 샤프트를 상방으로 밀어올림으로써, 상기 보텀 베이스, 상기 중앙 블록 및 상기 복수의 블록이 밀어올려지고,
    상기 밀어올림 샤프트를 더 밀어올림으로써, 상기 보텀 베이스가 밀어올려지고 상기 기구에 의해 상기 가장 외측의 블록이 끌어내려지도록 구성되는 반도체 제조 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 기구는 기어인 반도체 제조 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 기구는 바형의 지레인 반도체 제조 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 블록은 각각의 외측의 블록이 내측의 블록 상에 맞닿는 부분이 있어, 각각의 외측의 블록이 끌어내려짐으로써 끌어내려지는 반도체 제조 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 기구는 상기 중앙 블록에 설치되며, 상기 보텀 베이스와 상기 가장 외측의 블록 사이에 배치되는 반도체 제조 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 돔은 그 내벽에 제1 돌기를 갖고,
    상기 밀어올림 유닛은,
    상기 보텀 베이스와 상기 중앙 블록 사이에 개재하는 제1 압축 코일 스프링과,
    상기 중앙 블록과 상기 제1 돌기 사이에 개재하는 제2 압축 코일 스프링과,
    상기 중앙 블록과 상기 가장 외측의 블록 사이에 개재하는 제3 압축 코일 스프링과,
    상기 가장 외측의 블록과 상기 가장 외측의 블록의 인접한 내측의 블록 사이에 개재하는 제4 압축 코일 스프링을 더 구비하는 반도체 제조 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 돔은 그 내벽에 제2 돌기를 갖고,
    상기 중앙 블록이 상기 제2 돌기와 맞닿음으로써, 상기 중앙 블록 및 복수의 블록의 상승이 정지되는 반도체 제조 장치.
  8. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항 있어서,
    상기 다이는 상기 다이와 상기 다이싱 테이프 사이에 다이 어태치 필름을 더 구비하는 반도체 제조 장치.
  9. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 다이를 흡착하는 콜릿이 장착되는 픽업 헤드를 더 구비하는 반도체 제조 장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 픽업 헤드에 의해 픽업되는 다이를 적재하는 중간 스테이지와,
    상기 중간 스테이지에 적재되는 다이를 기판 또는 이미 본딩되어 있는 다이 상에 본딩하는 본딩 헤드를 더 구비하는 반도체 제조 장치.
  11. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 다이를 흡착하는 콜릿이 장착되는 본딩 헤드를 더 구비하는 반도체 제조 장치.
  12. 다이를 다이싱 테이프 아래로부터 밀어올리는 밀어올림 유닛에 사용되는 밀어올림 지그이며,
    내벽에 제1 돌기를 갖는 원관형의 돔과,
    개구를 갖고, 상기 돔의 상면에 마련된 돔 플레이트와,
    제1 블록과 상기 제1 블록의 내측에 위치하는 중앙 블록을 갖고, 상기 개구 내를 상하 이동하는 블록부와,
    밀어올림 샤프트의 상하 이동에 기초하여 상기 블록부를 상하 이동시키는 보텀 베이스와,
    상기 보텀 베이스와 상기 중앙 블록 사이에 개재하는 제1 압축 코일 스프링과,
    상기 중앙 블록과 상기 제1 돌기 사이에 개재하는 제2 압축 코일 스프링과,
    상기 중앙 블록과 상기 제1 블록 사이에 개재하는 제3 압축 코일 스프링과,
    상기 보텀 베이스의 상방향의 이동을 상기 제1 블록의 하방향의 이동으로 변환하는 기구
    를 구비하고,
    상기 밀어올림 샤프트를 상방으로 밀어올림으로써, 상기 보텀 베이스가 밀어올려지고, 상기 제1 압축 코일 스프링의 스프링력에 의해 상기 중앙 블록이 밀어올려짐과 함께, 상기 제3 압축 코일 스프링의 스프링력에 의해 상기 제1 블록이 밀어올려지고,
    상기 밀어올림 샤프트를 더 밀어올림으로써, 상기 보텀 베이스가 밀어올려지고 상기 기구는 상기 제1 블록이 끌어내려지도록 구성되는 밀어올림 지그.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 기구는 기어인 밀어올림 지그.
  14. 제12항에 있어서,
    바형의 지레인 밀어올림 지그.
  15. 제12항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 블록부는, 상기 제1 블록과 상기 중앙 블록 사이에 제2 블록을 더 구비하고,
    추가로, 상기 제1 블록과 상기 제2 블록 사이에 개재하는 제4 압축 코일 스프링을 구비하고,
    상기 제1 블록이 밀어올려짐으로써, 상기 제4 압축 코일 스프링의 스프링력에 의해 상기 제2 블록이 밀어올려지고,
    상기 제1 블록이 끌어내려짐으로써 상기 제1 블록이 상기 제2 블록에 맞닿아 상기 제2 블록이 끌어내려지는 밀어올림 지그.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 블록부는, 상기 제2 블록과 상기 중앙 블록 사이에 제3 블록을 더 구비하고,
    추가로, 상기 제2 블록과 상기 제3 블록 사이에 개재하는 제5 압축 코일 스프링을 구비하고,
    상기 제2 블록이 밀어올려짐으로써, 상기 제5 압축 코일 스프링의 스프링력에 의해 상기 제3 블록이 밀어올려지고,
    상기 제2 블록이 끌어내려짐으로써 상기 제2 블록이 상기 제3 블록에 맞닿아 상기 제3 블록이 끌어내려지는 밀어올림 지그.
  17. 제12항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 원관형의 돔은 그 내벽에 제2 돌기를 갖고,
    상기 중앙 블록이 상기 제2 돌기와 맞닿음으로써, 상기 중앙 블록 및 상기 제1 블록의 상승이 정지하는 밀어올림 지그.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 기구는 상기 중앙 블록에 설치되며, 상기 보텀 베이스와 상기 제1 블록 사이에 배치되는 밀어올림 지그.
  19. 제16항에 있어서,
    상기 중앙 블록은, 상기 다이싱 테이프에 맞닿는 메인 블록부와, 상기 메인 블록부에 연결되며, 상기 제1 압축 코일 스프링과 맞닿는 메인 베이스 블록부를 갖고,
    상기 제1 블록은, 상기 다이싱 테이프에 맞닿는 제1 블록부와, 상기 제1 블록에 연결되며, 상기 제3 압축 코일 스프링과 맞닿는 제1 베이스 블록부를 갖고,
    상기 제2 블록은, 상기 다이싱 테이프에 맞닿는 제2 블록부와, 상기 제2 블록에 연결되며, 상기 제4 압축 코일 스프링과 맞닿는 제2 베이스 블록부를 갖고,
    상기 제3 블록은, 상기 다이싱 테이프에 맞닿는 제3 블록부와, 상기 제3 블록에 연결되며, 상기 제5 압축 코일 스프링과 맞닿는 제3 베이스 블록부를 갖는 밀어올림 지그.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 돔 플레이트는 상기 돔에 나사 고정되고, 상기 메인 블록부는 상기 메인 베이스 블록부에 나사 고정되며, 상기 제1 블록부는 상기 제1 베이스 블록부에 나사 고정되고, 상기 제2 블록부는 상기 제2 베이스 블록부에 나사 고정되며, 상기 제3 블록부는 상기 제3 베이스 블록부에 나사 고정되고,
    상기 돔 플레이트, 상기 제1 블록부, 상기 제2 블록부 및 상기 제3 블록부는 다이 품종에 따라서 교환하는 것이 가능한 밀어올림 지그.
  21. (a) 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항의 반도체 제조 장치를 준비하는 공정과,
    (b) 다이를 갖는 다이싱 테이프를 보유 지지하는 웨이퍼 링을 준비하는 공정과,
    (c) 기판을 준비하는 공정과,
    (d) 상기 밀어올림 유닛으로 상기 다이를 밀어올리고 콜릿으로 상기 다이를 픽업하는 공정
    을 갖고,
    상기 (d) 공정은,
    (d1) 상기 중앙 블록과 상기 복수의 블록을 상기 다이싱 테이프로 밀어올리는 공정과,
    (d2) 상기 복수의 블록의 가장 외측의 블록으로부터 가장 내측의 블록의 순으로 끌어내리는 공정
    을 갖는 반도체 장치의 제조 방법.
  22. 제21항에 있어서,
    (e) 상기 다이를 기판 또는 이미 본딩되어 있는 다이 상에 본딩하는 공정을 더 구비하는 반도체 장치 제조 방법.
  23. 제21항에 있어서,
    상기 (d) 공정은 상기 픽업한 다이를 중간 스테이지에 적재하는 공정을 더 갖고,
    상기 (e) 공정은 상기 중간 스테이지로부터 상기 다이를 픽업하는 공정을 더 갖는 반도체 장치의 제조 방법.
KR1020190110097A 2018-09-21 2019-09-05 반도체 제조 장치, 밀어올림 지그 및 반도체 장치의 제조 방법 KR102296641B1 (ko)

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JPJP-P-2018-176902 2018-09-21

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220006828A (ko) * 2020-07-09 2022-01-18 세메스 주식회사 다이 이젝터 및 이를 포함하는 다이 본딩 장치

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2022071993A (ja) * 2020-10-29 2022-05-17 アスリートＦａ株式会社 電子部品接合装置
JP7144097B1 (ja) 2021-11-19 2022-09-29 日本ファインテック株式会社 チップ剥離装置及びテーピングマシン

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070040293A (ko) * 2005-10-11 2007-04-16 가부시키가이샤 신가와 다이 픽업 장치
JP2007115934A (ja) * 2005-10-21 2007-05-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子部品突き上げ装置及び電子部品の供給方法
KR20080112127A (ko) * 2007-06-19 2008-12-24 가부시끼가이샤 르네사스 테크놀로지 반도체 집적 회로 장치의 제조 방법
KR20090085262A (ko) * 2008-02-04 2009-08-07 에스티에스반도체통신 주식회사 역피라미드 방식의 반도체 칩 접착 장비 및 그 작동방법
JP2009188157A (ja) * 2008-02-06 2009-08-20 Panasonic Corp チップ剥離装置およびチップ剥離方法ならびにチップピックアップ装置
JP2010212509A (ja) * 2009-03-11 2010-09-24 Shibaura Mechatronics Corp 半導体チップのピックアップ装置及びピックアップ方法
KR20110137711A (ko) * 2010-06-17 2011-12-23 가부시끼가이샤 히다찌 하이테크 인스트루먼츠 다이본더 및 픽업 방법 및 픽업 장치
KR20130111366A (ko) * 2012-03-30 2013-10-10 베시 스위처랜드 아게 포일로부터 반도체 칩을 탈착시키기 위한 방법
KR20140015851A (ko) * 2012-07-25 2014-02-07 삼성전기주식회사 칩 이젝터 및 이를 이용한 칩 탈착 방법
JP2015179813A (ja) 2014-02-26 2015-10-08 株式会社新川 半導体ダイのピックアップ装置及びピックアップ方法
KR20170029511A (ko) * 2014-06-18 2017-03-15 매뉴팩쳐링 인테그레이션 테크놀로지 리미티드 다단 이젝터를 사용하여 테이프로부터 반도체 칩을 박리하는 시스템 및 방법
JP2018182278A (ja) * 2017-04-07 2018-11-15 芝浦メカトロニクス株式会社 半導体チップのピックアップ装置及び実装装置

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006005030A (ja) * 2004-06-16 2006-01-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体チップのピックアップ方法および装置
JP4864816B2 (ja) * 2007-06-19 2012-02-01 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体集積回路装置の製造方法
JP2013171996A (ja) 2012-02-21 2013-09-02 Shibaura Mechatronics Corp 半導体チップのピックアップ装置及びピックアップ方法
CN105140156B (zh) * 2015-08-26 2017-10-27 华中科技大学 一种面向柔性芯片的多顶针剥离装置及剥离方法
JP6797569B2 (ja) * 2016-06-13 2020-12-09 ファスフォードテクノロジ株式会社 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
JP6643197B2 (ja) * 2016-07-13 2020-02-12 ファスフォードテクノロジ株式会社 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
JP6637397B2 (ja) * 2016-09-12 2020-01-29 ファスフォードテクノロジ株式会社 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
JP6621771B2 (ja) * 2017-01-25 2019-12-18 ファスフォードテクノロジ株式会社 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
JP6685245B2 (ja) * 2017-02-08 2020-04-22 ファスフォードテクノロジ株式会社 半導体製造装置および半導体装置の製造方法

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070040293A (ko) * 2005-10-11 2007-04-16 가부시키가이샤 신가와 다이 픽업 장치
JP2007115934A (ja) * 2005-10-21 2007-05-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子部品突き上げ装置及び電子部品の供給方法
KR20080112127A (ko) * 2007-06-19 2008-12-24 가부시끼가이샤 르네사스 테크놀로지 반도체 집적 회로 장치의 제조 방법
KR20090085262A (ko) * 2008-02-04 2009-08-07 에스티에스반도체통신 주식회사 역피라미드 방식의 반도체 칩 접착 장비 및 그 작동방법
JP2009188157A (ja) * 2008-02-06 2009-08-20 Panasonic Corp チップ剥離装置およびチップ剥離方法ならびにチップピックアップ装置
JP2010212509A (ja) * 2009-03-11 2010-09-24 Shibaura Mechatronics Corp 半導体チップのピックアップ装置及びピックアップ方法
KR20110137711A (ko) * 2010-06-17 2011-12-23 가부시끼가이샤 히다찌 하이테크 인스트루먼츠 다이본더 및 픽업 방법 및 픽업 장치
KR20130111366A (ko) * 2012-03-30 2013-10-10 베시 스위처랜드 아게 포일로부터 반도체 칩을 탈착시키기 위한 방법
KR20140015851A (ko) * 2012-07-25 2014-02-07 삼성전기주식회사 칩 이젝터 및 이를 이용한 칩 탈착 방법
JP2015179813A (ja) 2014-02-26 2015-10-08 株式会社新川 半導体ダイのピックアップ装置及びピックアップ方法
KR20170029511A (ko) * 2014-06-18 2017-03-15 매뉴팩쳐링 인테그레이션 테크놀로지 리미티드 다단 이젝터를 사용하여 테이프로부터 반도체 칩을 박리하는 시스템 및 방법
JP2018182278A (ja) * 2017-04-07 2018-11-15 芝浦メカトロニクス株式会社 半導体チップのピックアップ装置及び実装装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220006828A (ko) * 2020-07-09 2022-01-18 세메스 주식회사 다이 이젝터 및 이를 포함하는 다이 본딩 장치

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