JP2012199456A - ダイボンダのピックアップ方法およびダイボンダ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ダイシングフィルム16に貼り付けられた複数のダイ(半導体チップ)4dのうち剥離対象のダイ4を突上げて前記ダイシングフィルムから剥離する際に、前記ダイの周辺部のうちの所定部における前記ダイシングフィルムを突上げて剥離起点51aを形成し、その後、前記所定部以外の部分の前記ダイシングフィルムを突上げて前記ダイを前記ダイシングフィルムから剥離することを特徴とする。
【選択図】図6
Description
剥離工程を実施する従来技術としては、例えば、特許文献1および特許文献2に記載する技術がある。特許文献1では、ダイの4コーナに設けた第1の突上げピン群と、先端が第1の突上げピンより低く、ダイの中央部または周辺部に設けた第2の突上げピン群とをピンホルダーに装着し、ピンホルダーを上昇させることで剥離する技術が開示されている。
ダイが薄くなると、ダイシングフィルムの粘着力に比べてダイの剛性が極めて低くなる。そのため、特許文献1の第1、第2の高さの異なる多段突上げピン方式であっても、特許文献2の突起を有する多段ブロック方式であっても、ダイを一気に剥離している。
しかし、実際には、ダイの位置によってダイシングフィルムの張力は異なる。例えば、ウェハの中心部は張力が弱く、ウェハの周辺部は張力が強い。さらに、隣接されたダイがピックアップされた部分の近くは張力が弱く、隣接されたダイがまだピックアップされていない部分の近くは張力が強い。
従来、ピックアップ装置のウェハリングに固定されたダイシングフィルムの張力は、どこでも一定であるとしてピックアップされるようにしていた。このため、上述のようなウェハの位置やピックアップの状況によって、ピックアップが安定しない、従って、ピックアップミスが多かった。
本発明は、上記の課題を鑑みてなされたもので、本発明の目的は、確実にダイを剥離できるピックアップ方法およびピックアップ装置を提供することにある。
その場合、ダイシングフィルム16の張力が強い場合には、図8(c)のように突上げ量Zは小さな突上げ量Z1で良い。しかし、ダイシングフィルム16の張力が弱い場合には、図8(d)のように突上げ量Zを大きな突上げ量Z2にする必要がある。
このように、ダイシングフィルム上に存在するダイの位置や量によって、張力が変化する。しかし、従来のピックアップ方式のように、ピックアップ高さ(突上げ量Z)を固定した(Z1=Z2)場合には、変化する張力に対応できず、突上げによる剥離にばらつきが発生する。このばらつきがピックアップの安定性に影響している。本発明では、ウェハ上での位置やダイ周辺の状況を考慮して突上げ量を補正する(Z1≠Z2)。この結果、ピックアップ時の張力を一定に保持し、突上げによる剥離のばらつきを抑えることで、ピックアップの安定性を向上させる。
図1は、本発明のピックアップ方法およびピックアップ装置の一実施形態を使用するダイボンダ10を上から見た概念図である。ダイボンダ10は、大別してウェハ供給部1と、ワーク供給・搬送部2と、ダイボンディング部3とを有する。
ワーク供給・搬送部2はスタックローダ21と、フレームフィーダ22と、アンローダ23とを有する。スタックローダ21によりフレームフィーダ22に供給されたワーク(リードフレーム)は、フレームフィーダ22上の2箇所の処理位置を介してアンローダ23に搬送される。
ダイボンディング部3は、プリフォーム部31とボンディングヘッド部32とを有する。プリフォーム部31はフレームフィーダ22により搬送されてきたワークにダイ接着剤を塗布する。ボンディングヘッド部32は、ピックアップ装置12からダイをピックアップして上昇し、ダイを平行移動してフレームフィーダ22上のボンディングポイントまで移動させる。そして、ボンディングヘッド部32はダイを下降させダイ接着剤が塗布されたワーク上にボンディングする。
ウェハ供給部1は、ウェハカセットリフタ11とピックアップ装置12とを有する。ウェハカセットリフタ11は、ウェハリングが充填されたウェハカセット(図示せず)を有し,順次ウェハリングをピックアップ装置12に供給する。
なお、図1には図示していないが、ダイボンダ10は、さらに、ダイボンダ10およびピックアップ装置を統括制御する制御装置、駆動機構、認識処理部、およびモニタを備え、制御装置と他の機器とはインタフェースを介して通信している。また、制御装置は、CPU(Central Processing Unit)であり、RAM(Random Access Memory)およびROM(Read Only Memory)を接続した構成を備える。
図2は、ピックアップ装置12の外観斜視図を示す図である。図3は、ピックアップ装置12の主要部を示す概略断面図である。図2、図3に示すように、ピックアップ装置12は、ウェハリング14を保持するエキスパンドリング15と、ウェハリング14に保持され複数のダイ(チップ)4が接着されたダイシングフィルム16を水平に位置決めする支持リング17と、支持リング17の内側に配置されダイ4を上方に突上げるための突上げユニット50とを有する。突上げユニット50は、図示しない駆動機構によって、上下方向に移動するようになっており、水平方向にはピックアップ装置12が移動するようになっている。
図4(a)に示すようにコレット部40は、コレット42と、コレット42を保持するコレットホルダ41と、それぞれに設けられダイ4を吸着するための吸引孔41v、42vとがある。
剥離起点形成ピン部は、図4(b)に示すように、外側ブロック52の4つのコーナの外側、即ちダイの4隅にそれぞれ設けられた4本の剥離起点形成ピン51と、剥離起点形成ピン51を保持し、上下に移動可能なピン上下リンク55と、ピン駆動リンクの回転支点56aを支点に回転しピン上下リンク55を上下させるピン駆動リンク56とを有する。
ドーム本体58の上部には、ダイ4を吸着し保持する多くの吸着孔58aを具備するドームヘッド58bを有する。図4(b)ではブロック部の周囲に一列のみ示しているが、ピックアップ対象でないダイ4dを安定し保持するために複数列設けている。また、図4(b)に示すように、内側ブロック54と外側ブック52との隙間54v、並びに外側ブロック52とドームヘッド58bとの隙間52vを吸引しダイシングフィルム16をブッロク部に側に保持している。
さらに、図5の処理フローは、上記制御装置が、ダイボンダおよびピックアップ装置を制御して実行する。
そして、ステップS503では、マッピングテーブルを参照して、認識した位置に対応するダイ4の情報から、当該ダイ4が良品か不良品かを判定する。不良品であれば、ステップS502に戻り次のダイの位置を認識する。また、良品であれば、ステップS504に進む。
ステップS504では、さらに、ダイ4に対応するダイ4の情報から突上げ量Zを読出し、読みだされた値を当該ダイ4の突上げ量として決定する。
次に、ステップS506では、コレット部40を下降させ、ピックアップするダイ4の上に位置決めし、吸引孔41v、42vによってダイ4を吸着する。
ステップS505およびS506により、図6(a)に示す状態になり、このとき、駆動動作は、図7(a)に示すように、作動体53は剥離起点形成ピン51やブロック52、54を動作させないニュートラル状態である。
このような状態で、ステップS507では、コレット42の鍔42tから漏れがないかを空気流量を検出し、リークが正常な範囲であれば、ステップS508に進み、リークが正常な範囲でなければ、ステップS515に進む。
ステップS515では、タイマを延長しステップS507に戻る。このように、ステップS507とステップS515では、リークが正常な範囲に収まるまで吸引を続ける。
この結果、図6(b)に示すように、剥離起点形成ピン51の周辺においてダイシングフィルム16が盛り上がった突上げ部分が形成され、ダイシングフィルム16とダイアタッチフィルム18の間に微小な空間、即ち、剥離起点51aができる。この空間によりアンカー効果、即ちダイ4にかかるストレスが大幅に低減し、次のステップにおける剥離動作を確実にできる。
図7(b)は、このときの駆動動作を示した図である。作動体53は下降し、56aを支点にピン上下リンク56が回転し、ピン上下リンク55を上昇させ、剥離起点形成ピン51を突上げる。
剥離起点形成ピン51は上述したように微小な区間を形成できればよいので、突上げピンは、例えば、径が700μm以下で先端が丸い形状でもフラット形状でもよい。
ステップS516では、タイマを延長しステップS509に戻る。このように、ステップS509とステップS516では、リークが正常な範囲に収まるまで吸引を続ける。
次に、ステップS511では、外側ブロック52および内側ブッロク54のダイ4の剥離動作にはいる。そのために、図7(c)に示すように、作動体53を更に上昇させ、外側ブロック52および内側ブッロク54による剥離動作を実施する。
このときのドームヘッド58a付近部とコレット部40の状態は図6(c)となる。このときも、ステップS512では、ステップS507およびステップS509と同様に、コレットリークの検出処理を行う。即ち、ステップS512では、コレット42の鍔42tから漏れがないかを空気流量を検出し、リークが正常な範囲であれば、ステップS513に進み、リークが正常な範囲でなければ、ステップS517に進む。
ステップS517では、タイマを延長しステップS512に戻る。このように、リークが正常な範囲に収まるまで吸引を続ける。
‥この結果、ピックアップミスを低減でき、信頼性の高いダイボンダまたはピックアップ方法を提供できる。
本発明の実施例2は、突上げ時の荷重(反力)を測定して、突上げ時の荷重が一定となるように、突上げ量を可変するものである。
図9は、図5のフローチャートと下記の点で相違し、他は同一である。同一の処理については、図5で説明したので、省略する。なお、図9の処理フローもまた、制御装置が、ダイボンダおよびピックアップ装置を制御して実行する。
即ち、図9において、ステップS901で実行する初期設定は、1枚のウェハをピックアップ装置にセットしたときに行う。例えば、初期設定では、ボンディングヘッド部32、ウェハリング14、エキスパンドリング15、支持リング17、および突上げユニット50を基準位置(上下方向を含む)に戻すところは図5と同一である。そして、ステップ901では、その他、ウェハリングにセットされたウェハの各ダイについて、良品(OK)であるか不良品(NG)であるかの情報および当該ダイの中心位置座標、および、測定された荷重に対応する突上げ量Z’の情報を有するマッピングテーブルを、外部記憶装置またはROM読込む。なお、上述の初期設定値やマッピングテーブルは、ピックアップ装置を備えたダイボンダを統括制御する制御装置(後述する)の記憶装置(例えば、RAM)に読込まれ、記録される。またROMも上記制御装置の記憶装置の1つである。
また、ステップS511の替りのステップS911では、ステージ/コレット上昇の処理では、突上げ量が測定される荷重に対応して可変される。
Claims (7)
- ダイシングフィルムに貼り付けられた複数のダイのうち剥離対象とするダイの前記ダイシングフィルム上の位置に対応する突上げ量の情報を有するマッピングテーブルを参照して、前記ダイの突上げ量を決定し、
前記ダイをコレットで吸着し、
前記ダイの前記ダイシングフィルムを前記決定された突上げ量で突上げて前記ダイを前記ダイシングフィルムから剥離することを特徴とするダイボンダのピックアップ方法。 - 請求項1記載のダイボンダのピックアップ方法において、前記マッピングテーブルには、予め前記ダイシングフィルムの張力を測定し、該測定された張力に基づいた突上げ量が記録されることを特徴とするダイボンダのピックアップ方法。
- 請求項1記載のダイボンダのピックアップ方法において、前記マッピングテーブルには、予め前記ダイシングフィルムの張力に基づいた突上げ量が記録され、前記ダイを前記ダイシングフィルムから剥離する場合に当該ダイシングフィルムの張力を測定し、前記マッピングテーブルを参照し、前記測定された張力に応じた突上げ量を決定し、前記ダイの前記ダイシングフィルムを前記決定された突上げ量で突上げて前記ダイを前記ダイシングフィルムから剥離するステップ有することを特徴とするダイボンダのピックアップ方法。
- 請求項1乃至請求項3のいずれかに記載のダイボンダのピックアップ方法において、前記マッピングテーブルは、さらに、当該ダイが良品か不良品かを示す情報を含むことを特徴とするダイボンダのピックアップ方法。
- ウェハリングを保持するエキスパンドリングと、
前記ウェハリングに保持され複数のダイが貼り付けられたダイシングフィルムを保持する保持手段と、
ダイシングフィルムの張力を測定し、前記測定された張力に応じた突上げ量を前記ウェハリングのダイの位置と対応づけて予め記録したマッピングテーブルと、
剥離対象のダイの位置を認識する位置認識手段と、
前記マッピングテーブルを参照して、前記認識された位置に対応する突上げ量を読出し、前記ダイシングフィルムを当該読出された突上げ量で突上げて前記剥離対象のダイを前記ダイシングフィルムから剥離する剥離手段と、
前記剥離手段の前記突上げを駆動する駆動手段を有する突上げユニットと、を有することを特徴とするダイボンダ。 - ウェハリングを保持するエキスパンドリングと、
前記ウェハリングに保持され複数のダイが貼り付けられたダイシングフィルムを保持する保持手段と、
前記ダイシングフィルムを当該読出された突上げ量で突上げて剥離対象のダイを前記ダイシングフィルムから剥離する剥離手段と、
前記剥離手段の前記突上げを駆動する駆動手段を有する突上げユニットと、
前記剥離手段の前記突上げ反力を測定するロードセルとを有し、
前記剥離手段は、前記測定された反力に基づいて突上げ量を可変することを特徴とするダイボンダ。 - 請求項6記載のピックアップ装置において、前記反力に応じた突上げ量を前記ウェハリングのダイの位置と対応づけて予め記録したマッピングテーブルを有し、
前記剥離手段は、前記マッピングテーブルを参照して前記測定された反力に基づいた突上げ量を読み出し、前記ダイシングフィルムを当該読出された突上げ量で突上げて前記剥離対象のダイを前記ダイシングフィルムから剥離することを特徴とするダイボンダ。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015142135A (ja) * | 2014-01-29 | 2015-08-03 | セメス株式会社Semes Co., Ltd. | ダイエジェクティング装置 |
JP2019054209A (ja) * | 2017-09-19 | 2019-04-04 | ファスフォードテクノロジ株式会社 | 半導体製造装置、半導体装置の製造方法およびコレット |
KR20210119877A (ko) | 2020-03-25 | 2021-10-06 | 파스포드 테크놀로지 주식회사 | 다이 본딩 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6086763B2 (ja) * | 2013-03-11 | 2017-03-01 | ファスフォードテクノロジ株式会社 | コレットクリーニング方法及びそれを用いたダイボンダ |
CN104103551A (zh) * | 2013-04-11 | 2014-10-15 | 捷毅系统股份有限公司 | 晶粒重排机 |
JP2015177060A (ja) * | 2014-03-14 | 2015-10-05 | 株式会社東芝 | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
JP6391378B2 (ja) * | 2014-09-10 | 2018-09-19 | ファスフォードテクノロジ株式会社 | ダイボンダ及びボンディング方法 |
TWI578428B (zh) * | 2015-02-06 | 2017-04-11 | 均華精密工業股份有限公司 | 具有多面檢測能力之晶粒挑揀裝置及其方法 |
JP6797569B2 (ja) | 2016-06-13 | 2020-12-09 | ファスフォードテクノロジ株式会社 | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
JP6643197B2 (ja) * | 2016-07-13 | 2020-02-12 | ファスフォードテクノロジ株式会社 | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
JP6637397B2 (ja) * | 2016-09-12 | 2020-01-29 | ファスフォードテクノロジ株式会社 | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
US10504767B2 (en) * | 2016-11-23 | 2019-12-10 | Rohinni, LLC | Direct transfer apparatus for a pattern array of semiconductor device die |
TWI745710B (zh) * | 2018-07-06 | 2021-11-11 | 日商新川股份有限公司 | 半導體晶粒的拾取系統 |
CN109087872A (zh) * | 2018-08-04 | 2018-12-25 | 戴先富 | Led扩晶机 |
US11062923B2 (en) | 2018-09-28 | 2021-07-13 | Rohinni, LLC | Apparatus to control transfer parameters during transfer of semiconductor devices |
KR102165569B1 (ko) * | 2018-10-15 | 2020-10-14 | 세메스 주식회사 | 다이 이젝팅 장치 |
CN111312865A (zh) * | 2018-12-12 | 2020-06-19 | 东莞市中麒光电技术有限公司 | 一种全自动智能定位转移、排列led芯片的方法及装置 |
JP7274902B2 (ja) * | 2019-03-25 | 2023-05-17 | ファスフォードテクノロジ株式会社 | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
JP7326861B2 (ja) * | 2019-05-17 | 2023-08-16 | 三菱電機株式会社 | 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法 |
KR20210009843A (ko) * | 2019-07-18 | 2021-01-27 | 세메스 주식회사 | 다이 픽업 방법 |
CN110364446B (zh) * | 2019-07-22 | 2021-04-09 | 深圳市得润光学有限公司 | 一种塑封光电耦合器的制造装置 |
TWI821679B (zh) * | 2020-08-25 | 2023-11-11 | 南韓商杰宜斯科技有限公司 | 基板處理裝置及基板處理方法 |
US12020959B2 (en) * | 2020-10-07 | 2024-06-25 | Asmpt Singapore Pte. Ltd. | Detape apparatus for an optical alignment machine |
CN113013068B (zh) * | 2021-03-01 | 2022-11-11 | 东莞市中麒光电技术有限公司 | 一种提升转移良率的芯片转移方法 |
US11764098B2 (en) * | 2021-04-16 | 2023-09-19 | Asmpt Singapore Pte. Ltd. | Detaching a die from an adhesive tape by air ejection |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09223728A (ja) * | 1996-02-19 | 1997-08-26 | Hitachi Ltd | ペレットのピックアップ方法 |
JP2004186352A (ja) * | 2002-12-03 | 2004-07-02 | Renesas Technology Corp | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4556362A (en) * | 1983-12-21 | 1985-12-03 | At&T Technologies, Inc. | Methods of and apparatus for handling semiconductor devices |
JPH07111254A (ja) * | 1993-10-12 | 1995-04-25 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体装置の製造方法 |
KR0174773B1 (ko) * | 1995-03-31 | 1999-04-01 | 모리시다 요이치 | 반도체장치의 검사방법 |
JPH10275849A (ja) | 1997-03-31 | 1998-10-13 | Hitachi Ltd | ダイピックアップ方法および装置ならびにダイボンダ |
KR100278137B1 (ko) | 1997-09-04 | 2001-01-15 | 가나이 쓰도무 | 반도체소자의 탑재방법 및 그 시스템, 반도체소자 분리장치 및ic카드의 제조방법 |
JP3279306B2 (ja) | 2000-04-10 | 2002-04-30 | 松下電器産業株式会社 | 電子部品製造方法 |
JP4021614B2 (ja) | 2000-12-11 | 2007-12-12 | 株式会社東芝 | 半導体素子のピックアップ用治具、半導体素子のピックアップ装置、半導体素子のピックアップ方法、半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置 |
TWI225279B (en) | 2002-03-11 | 2004-12-11 | Hitachi Ltd | Semiconductor device and its manufacturing method |
DE60316575T2 (de) * | 2002-07-17 | 2008-01-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kadoma | Verfahren und vorrichtung zum aufnehmen von halbleiterchips sowie dazu verwendbares saugung ablöswerkzeug |
KR20080075565A (ko) * | 2002-07-30 | 2008-08-18 | 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 | 접착재 릴 |
JP2004241443A (ja) * | 2003-02-03 | 2004-08-26 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP4624813B2 (ja) * | 2005-01-21 | 2011-02-02 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法および半導体製造装置 |
TWI323275B (en) * | 2005-02-04 | 2010-04-11 | Tomoegawa Paper Co Ltd | Adhesive composition and adhesive sheet for semiconductor device |
TWI333672B (en) * | 2005-03-29 | 2010-11-21 | Furukawa Electric Co Ltd | Wafer-dicing adhesive tape and method of producing chips using the same |
JP4664150B2 (ja) | 2005-08-05 | 2011-04-06 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法および半導体製造装置 |
JP5181222B2 (ja) * | 2006-06-23 | 2013-04-10 | 日立化成株式会社 | 半導体デバイスの製造方法 |
JP2008098427A (ja) * | 2006-10-12 | 2008-04-24 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP4333769B2 (ja) | 2007-04-09 | 2009-09-16 | パナソニック株式会社 | チップ実装装置およびチップ実装装置における剥離促進ヘッドの交換方法 |
TWI463580B (zh) * | 2007-06-19 | 2014-12-01 | Renesas Electronics Corp | Manufacturing method of semiconductor integrated circuit device |
JP4864816B2 (ja) * | 2007-06-19 | 2012-02-01 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
JP5032231B2 (ja) * | 2007-07-23 | 2012-09-26 | リンテック株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP5123357B2 (ja) * | 2010-06-17 | 2013-01-23 | 株式会社日立ハイテクインスツルメンツ | ダイボンダ及びピックアップ装置 |
-
2011
- 2011-03-23 JP JP2011063532A patent/JP5805411B2/ja active Active
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Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09223728A (ja) * | 1996-02-19 | 1997-08-26 | Hitachi Ltd | ペレットのピックアップ方法 |
JP2004186352A (ja) * | 2002-12-03 | 2004-07-02 | Renesas Technology Corp | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015142135A (ja) * | 2014-01-29 | 2015-08-03 | セメス株式会社Semes Co., Ltd. | ダイエジェクティング装置 |
JP2019054209A (ja) * | 2017-09-19 | 2019-04-04 | ファスフォードテクノロジ株式会社 | 半導体製造装置、半導体装置の製造方法およびコレット |
KR20210119877A (ko) | 2020-03-25 | 2021-10-06 | 파스포드 테크놀로지 주식회사 | 다이 본딩 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 |
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Publication number | Publication date |
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