TWI489537B - Wafer picking machine picking method and wafer bonding machine - Google Patents

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TWI489537B
TWI489537B TW100131249A TW100131249A TWI489537B TW I489537 B TWI489537 B TW I489537B TW 100131249 A TW100131249 A TW 100131249A TW 100131249 A TW100131249 A TW 100131249A TW I489537 B TWI489537 B TW I489537B
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Naoki Okamoto
Keita Yamamoto
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Hitachi High Tech Instr Co Ltd
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Description

晶片黏著機的拾取方法及晶片黏著機
本發明，是有關晶片黏著機的拾取方法及晶片黏著機，特別是有關於信賴性高的晶片黏著機的拾取方法及可以確實地將晶片剝離的晶片黏著機。
在將晶片(半導體晶片，以下，只稱為晶片)搭載在配線基板和導線架等的基板並加以封裝的過程的一部分，具有：從半導體晶圓(以下只稱為晶圓)將晶片分割的過程、及將分割的晶片搭載在基板上的晶片黏著過程。
在黏著過程中，具有從晶圓將被分割的晶片剝離的剝離過程。在剝離過程中，每次從將這些晶片保持在拾取裝置的切割用薄膜剝離1個，並使用被稱為真空吸具的吸附治具搬運至基板上。
實施剝離過程的習知技術，是例如具有專利文獻1及專利文獻2的技術。在專利文獻1中，是揭示將：設在晶片的4角的第1突起銷群、及先端是比第1突起銷低並設在晶片的中央部或周邊部的第2突起銷群，裝設在銷支架，藉由將銷支架上昇使剝離的技術。
且在專利文獻2中，是揭示：設置使突起高度愈靠晶片的中心部愈高的3個塊體，並在最外側的外側塊體的4角設置被一體形成並朝晶片的角方向突出的突起，將3個塊體依序突起的技術。
[先行技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2002-184836號公報
[專利文獻2]日本特開2007-42996號公報
近年來，為了促進半導體裝置的高密度貼裝，而進行封裝的薄型化。特別是，將複數枚的晶片三維空間地貼裝在記憶卡的配線基板上的層疊封裝已被實用化。進行這種層疊封裝時，為了防止封裝厚度增加，要求晶片的厚度在20μm以下。
晶片變薄的話，與切割用薄膜的黏接力相比，晶片的剛性是非常降低。因此，專利文獻1的第1、第2高度的不同的多段突起銷方式、專利文獻2的具有突起的多段塊體方式，皆一次就將晶片剝離。
但是實際上，依據晶片的位置不同，切割用薄膜的張力也會不同。例如，晶圓的中心部的張力會較弱，晶圓的周邊部的張力會較強。進一步，鄰接的晶片被拾取的部分附近的張力會較弱，鄰接的晶片未被拾取的部分附近的張力會較強。
習知，被固定於拾取裝置的晶圓環的切割用薄膜的張力，是以皆一定(相同)的方式被拾取。因此，如上述依據晶圓的位置和拾取的狀況不同，會使拾取不穩定，因此，拾取錯誤會很多。
本發明是鑑於上述的課題，其目是提供可以確實地將晶片剝離的拾取方法及拾取裝置。
為了達成上述的目的，本發明的晶片黏著機的拾取方法，是參照具有對應被貼附在切割用薄膜的複數晶片之中成為剝離對象的晶片的前述切割用薄膜上的位置的突起量的資訊的映射表，決定前述晶片的突起量，由真空吸具將前述晶片吸附，將前述晶片的前述切割用薄膜突起前述被決定的突起量而將前述晶片從前述切割用薄膜剝離。
對於上述本發明的晶片黏著機的拾取方法，較佳是，在前述映射表中，預先測量前述切割用薄膜的張力，並使對應該所測量的張力的突起量被記錄。
且對於上述本發明的晶片黏著機的拾取方法，具有以下的步驟：在前述映射表中，使對應前述切割用薄膜的張力的突起量預先被記錄，將前述晶片從前述切割用薄膜剝離的情況時測量該切割用薄膜的張力，參照前述映射表，決定對應前述所測量的張力的突起量，將前述晶片的前述切割用薄膜突起前述被決定的突起量而將前述晶片從前述切割用薄膜剝離。
進一步，對於上述本發明的晶片黏著機的拾取方法，前述映射表，是進一步，包含顯示該晶片是良品或不良品的資訊。
且本發明的晶片黏著機，具有：將晶圓環保持的擴展環；及將被保持在前述晶圓環且貼附有複數晶片的切割用薄膜保持的保持手段；及測量切割用薄膜的張力，將對應前述所測量的張力的突起量與前述晶圓環的晶片的位置建立對應並預先記錄的映射表；及辨認剝離對象的晶片的位置用的位置辨認手段；及參照前述映射表，將對應前述被辨認的位置的突起量讀出，將前述切割用薄膜突起該被讀出的突起量而將前述剝離對象的晶片從前述切割用薄膜剝離的剝離手段；及設有將前述剝離手段的前述突起驅動的驅動手段的突起元件。
且本發明的晶片黏著機，具有：將晶圓環保持的擴展環；及將被保持在前述晶圓環且貼附有複數晶片的切割用薄膜保持的保持手段；及將前述切割用薄膜突起該被讀出的突起量而將剝離對象的晶片從前述切割用薄膜剝離的剝離手段；及設有將前述剝離手段的前述突起驅動的驅動手段的突起元件；及測量前述剝離手段的前述突起的反力用的負荷感知器；且前述剝離手段，是使突起量可對應前述所測量的反力可變。
進一步上述本發明的晶片黏著機，是具有將對應前述反力的突起量與前述晶圓環的晶片的位置建立對應並預先記錄的映射表，前述剝離手段，是參照前述映射表讀出對應前述所測量的反力的突起量，將前述切割用薄膜突起由該被讀出的突起量突起而將前述剝離對象的晶片從前述切割用薄膜剝離。
依據本發明，可以提供可以確實地將晶片剝離的拾取方法及晶片黏著機。
第8圖，是說明晶圓環14內的晶圓81的中心部82及周邊部的拾取時的張力不同用的圖。如第8圖(a)所示，在晶圓81中，拾取未開始且晶片(在晶圓81內顯示長方形)是幾乎皆殘留的情況時，切割用薄膜16的中心部82的張力，是比周邊部(晶圓環14的擴展環15的接近)較弱。且進一步，如第8圖(b)所示，晶片只殘留一半程度的情況時，愈接近晶片未殘留的部分，切割用薄膜16的張力愈弱。
該情況，切割用薄膜16的張力較強的情況時，如第8圖(c)因為突起量Z小所以突起量Z1即可。但是，切割用薄膜16的張力較弱的情況時，如第8圖(d)有需要將突起量Z加大至突起量Z2。
如此，藉由存在於切割用薄膜上的晶片的位置和量，使張力變化。但是，習知的拾取方式，將拾取高度(突起量Z)固定(Z1=Z2)的情況時，無法對應變化的張力，由突起所產生的剝離會發生參差不一。此參差不一會影響拾取的穩定性。在本發明中，考慮晶圓上的位置和晶片周邊的狀況修正突起量(Z1≠Z2)。此結果，藉由將拾取時的張力保持一定，抑制由突起所產生的剝離的參差不一，就可提高拾取的穩定性。
[實施例1]
以下，依據圖面，說明本發明的實施例。
第1圖，是將使用本發明的拾取方法及拾取裝置的一實施例的晶片黏著機10從上所見的概念圖。晶片黏著機10，是大致具有：晶圓供給部1、及工件供給.搬運部2、及晶片黏著部3。
工件供給‧搬運部2是具有：堆疊裝載器21、及框進給機22、及卸載器23。藉由堆疊裝載器21被供給至框進給機22的工件(導線架)，是經過框進給機22上的2處的處理位置被搬運至卸載器23。
晶片黏著部3，是具有預製部31及黏著頭部32。預製部31是將晶片黏著劑塗抹於藉由框進給機22被搬運來的工件。黏著頭部32，是從拾取裝置12將晶片拾取並上昇，將晶片平行移動直到框進給機22上的黏著點為止。且，黏著頭部32是將晶片下降使黏著在已被塗抹有晶片黏著劑的工件上。
晶圓供給部1，是具有晶圓卡匣昇降機11及拾取裝置12。晶圓卡匣昇降機11，是具有充填了晶圓環的晶圓卡匣(無圖示)，並依序將晶圓環供給至拾取裝置12。
又，在第1圖中雖無圖示，但是晶片黏著機10，是進一步具備將晶片黏著機10及拾取裝置總括地控制的控制裝置、驅動機構、辨認處理部、及監視器，控制裝置及其他的機器是透過介面通訊。且，控制裝置，是具備CPU(中央處理器、Central Processing Unit)，且連接有RAM(動態隨機存取記憶體、Random Access Memory)及ROM(唯讀記憶體、Read Only Memory)的構成。
接著，使用第2圖及第3圖說明拾取裝置12的構成。
第2圖，是顯示拾取裝置12的外觀立體圖的圖。第3圖，是顯示拾取裝置12的主要部的概略剖面圖。如第2圖、第3圖所示，拾取裝置12，具有：將晶圓環14保持的擴展環15、及被保持在晶圓環14並將使複數晶片4被接合的切割用薄膜16被水平定位的支撐環17、及被配置於支撐環17的內側將晶片4朝上方突起用的突起元件50。突起元件50，是藉由無圖示的驅動機構，朝上下方向移動，且拾取裝置12是朝水平方向移動。
拾取裝置12，是在晶片4的突起時，將保持晶圓環14的擴展環15下降。其結果，被保持於晶圓環14的切割用薄膜16被拉引使晶片4的間隔漸廣，藉由突起元件50使晶片4從晶片下方突起，提高晶片4的拾取性。又，黏著劑會隨著晶圓及晶片4的薄型化從液狀成為薄膜狀，在晶圓及切割用薄膜16之間將被稱為晶片固定片18的薄膜狀的接合材料貼附。在具有晶片固定片18的晶圓中，方塊切割是對於晶圓及晶片固定片18進行。因此，在剝離過程中，將晶圓及晶片固定片18從切割用薄膜16剝離。
第4圖(a)，是顯示本發明的第1實施例的突起元件50及黏結頭元件(無圖示)之中的真空吸具部40的構成的圖。第4圖(b)，是將突起元件的後述的突起塊體部及剝離起點形成銷存在的部分從上部所見的圖(參照後述的第6圖及第7圖、及第6圖及第7圖的說明)。
如第4圖(a)所示，真空吸具部40，具有：真空吸具42、及將真空吸具42保持的真空吸具支架41、及被各別設置並供將晶片4吸附用的吸引孔41v、42v。
另一方面，突起元件50，是大致具有：突起塊體部、及剝離起點形成銷部、及將突起塊體部及剝離起點形成銷部驅動的驅動部、及將那些保持的圓頂本體58。突起塊體部，具有：塊體本體59、及透過與塊體本體59直結的內側塊體54、1/2切換彈簧52b被設在內側塊體的周圍且具有比晶片4的外形小的外形的外側塊體52。
剝離起點形成銷部，是如第4圖(b)所示，外側塊體52的4個角的外側，即各別設置在晶片的4隅的4根剝離起點形成銷51、及將剝離起點形成銷51保持並可上下移動的銷上下連桿55、及以銷驅動連桿的旋轉支點56a為支點進行旋轉而使銷上下連桿55上下的銷驅動連桿56。
驅動部，具有：藉由馬達朝上下移動的驅動軸57、及隨著驅動軸57的上下而上下移動的作動體53。作動體53若下降的話，左右的銷驅動連桿56會旋轉，銷上下連桿55會上昇，而將剝離起點形成銷51突起。作動體53若上昇的話，會使塊體本體上昇，而將外側、內側塊體推舉。又，依據上述的說明，銷上下連桿55及銷驅動連桿56，是構成將作動體53的下降的動作改變成剝離起點形成銷51的突起(上昇)的動作用的反轉部。
在圓頂本體58的上部，具有圓頂頭58b，圓頂頭58b設有將晶片4吸附保持的多數的吸附孔58a。在第4圖(b)中在塊體部的周圍雖只有顯示一列，但是為了將非拾取對象的晶片4d穩定地保持而列設複數列。且，如第4圖(b)所示，將內側塊體54及外側塊體52的間隙54v、及外側塊體52及圓頂頭58b的間隙52v吸引，而將切割用薄膜16保持在塊體側。
接著，使用第5圖、第6圖及第7圖說明上述構成的由突起元件50進行的拾取動作。第5圖，是顯示拾取動作的處理流程的流程圖。第6圖，是顯示本發明的一實施例中的圓頂頭58b附近部及真空吸具部40的動作的圖。第7圖，是以本發明的一實施例中的晶片4的拾取動作時的突起元件50的驅動動作為主體地顯示的圖。在第6圖、第7圖中，(a)～(d)，是顯示同時期的動作。
首先，在步驟S501中，進行初期設定。初期設定，是將1枚的晶圓組裝於拾取裝置之後進行。例如，在初期設定中，將黏著頭部32、晶圓環14、擴展環15、支撐環17、及突起元件50返回至基準位置(包含上下方向)。且，在步驟S501中，進一步將具有對於被組裝於晶圓環的晶圓的各晶片之良品(OK)或不良品(NG)的資訊及該晶片的中心位置座標、突起量Z的資訊之映射表，讀入外部記憶裝置或ROM。又，上述的初期設定值和映射表，是被讀入並被記錄於將具備拾取裝置的晶片黏著機總括地控制的控制裝置的記憶裝置(例如RAM))。且ROM也是上述控制裝置的記憶裝置的其中之一(第1圖參照)。又，被記錄於映射表的突起量Z的資訊，是預先測量切割用薄膜的張力，並記錄對應該所測量的張力的突起量。進一步，每次將1枚的晶圓上的晶片依序拾取時，就測量將下一個剝離對象的晶片拾取時的切割用薄膜的張力，並將張力成為一定的方式，決定突起量也可以。
進一步，第5圖的處理流程，是藉由上述控制裝置控制晶片黏著機及拾取裝置來實行。
接著，在步驟S502中，由辨認照相機(無圖示)將拾取裝置應取出的晶片4攝像，由辨認處理裝置(無圖示)辨認該晶片4的位置。
且在步驟S503中，參照映射表，從對應所辨認到的位置的晶片4的資訊，判別該晶片4是良品或不良品。是不良品的話，返回至步驟S502辨認下一個晶片的位置。且，是良品的話，朝步驟S504前進。
在步驟S504中，進一步，從對應晶片4的晶片4的資訊將突起量Z讀出，將所讀入的值作為該晶片4的突起量進行決定。
接著，在步驟S505中，如第6圖(a)所示，使剝離起點形成銷51、外側塊體52、內側塊體54形成與圓頂頭58b的表面成為相同平面，藉由圓頂頭58b的吸附孔58a、及塊體間的間隙52v、54v及將切割用薄膜16吸附。
接著，在步驟S506中，使真空吸具部40下降，並定位在欲拾取的晶片4上，藉由吸引孔41v、42v將晶片4吸附。
藉由步驟S505及S506，成為第6圖(a)所示的狀態，此時，驅動動作，是如第7圖(a)所示，作動體53是不會使剝離起點形成銷51和塊體52、54動作的中立狀態下。
在這種狀態下，在步驟S507中，檢出空氣流量是否從筒夾42的鍔42t漏出，洩漏是在正常的範圍的話，朝步驟S508前進，洩漏不是在正常的範圍的話，朝步驟S515前進。
在步驟S515中，將正時器延長後返回至步驟S507。如此，在步驟S507及步驟S515中，直到洩漏縮小至正常的範圍為止持續吸引。
接著，在步驟S508中，只有將設在外側塊體52的4角的剝離起點形成銷51上昇數十μm至數百μm。
此結果，如第6圖(b)所示，在剝離起點形成銷51的周邊，形成有使切割用薄膜16隆起的突起部分，使切割用薄膜16及晶片固定片18之間可以形成微小的空間即剝離起點51a。藉由此空間大幅地減少錨釘效果即施加於晶片4的應力，就可以使下一個步驟的剝離動作確實。
第7圖(b)，是顯示此時的驅動動作的圖。作動體53下降，使銷上下連桿56以56a為支點旋轉，使銷上下連桿55上昇，將剝離起點形成銷51突起。
剝離起點形成銷51因為是如上述只要可形成微小區間的話即可，所以突起銷，是例如形成直徑為700μm以下、先端為圓的形狀或扁平形狀也可以。
接著，在步驟S509中，與步驟S507同樣地，檢出空氣流量是否從筒夾42的鍔42t漏出，洩漏是在正常的範圍的話，朝步驟S510前進，洩漏不是在正常的範圍的話，朝步驟S516前進。
在步驟S516中，將正時器延長後返回至步驟S509。如此，在步驟S509及步驟S516中，直到洩漏縮小至正常的範圍為止持續吸引。
在步驟S510中，將作動體53上昇，將剝離起點形成銷51的位置返回至原來的位置。就剝離起點形成銷51不會影響下一個步驟之後的晶片4的剝離動作。
接著，在步驟S511中，在外側塊體52及內側塊體54的晶片4的剝離動作中。因此，如第7圖(c)所示，使作動體53進一步上昇，實施由外側塊體52及內側塊體54所進行的剝離動作。
此時的圓頂頭58a附近部及真空吸具部40的狀態是成為第6圖(c)。此時，在步驟S512中，也與步驟S507及步驟S509同樣地，進行真空吸具洩漏的檢出處理。即，在步驟S512中，檢出空氣流量是否從筒夾42的鍔42t漏出，洩漏是在正常的範圍的話，朝步驟S513前進，洩漏不是在正常的範圍的話，朝步驟S517前進。
在步驟S517中，將正時器延長後返回至步驟S512。如此，直到洩漏縮小至正常的範圍為止持續吸引。
接著，在步驟S513中，如第7圖(c)～第7圖(d)的狀態所示，使進一步作動體53上昇。此結果，藉由1/2切換彈簧52b的作用只有內側塊體54上昇，成為第6圖(d)的狀態。在此狀態下，切割用薄膜16及晶片4的接觸面積是藉由真空吸具的上昇而成為可以剝離的面積，藉由真空吸具42的上昇將晶片4剝離。
在步驟S514中，對於組裝於拾取裝置之後的1枚的晶圓中的全部的晶片，判別是否終了上述步驟S502～S513。為否的話返回至步驟S502，全部終了的情況時，終了第5圖的流程。
如以上說明，依據上述的第1圖～第7圖的實施例，在相當於晶片4的四隅(角)的位置設置剝離起點形成銷51，在剝離處理之初使剝離起點形成銷51上昇，藉由形成成為剝離的起點的空間就可以減少施加於晶片4的應力，晶片4不會破裂且之後的剝離處理可以確實地進行。此結果，可以減少拾取錯誤，可以提供信賴性高的晶片黏著機或拾取方法。
[實施例2]
藉由第9圖及第10圖，說明本發明的實施例2。又，實施例2也使用第1圖～第4圖、及第6圖、第7圖。第9圖，是顯示本發明的實施例中的拾取動作的處理流程的流程圖。且第10圖，是說明本發明的一實施例的晶圓環內的晶圓的中心部及周邊部的拾取時的張力的修正用的圖。
本發明的實施例2，是測量突起時的負荷(反力)，使突起時的負荷成為一定的方式，使突起量可變。
在第10圖中，上下機構1002(參照第4圖(a)作動體53及驅動軸57)是藉由將塊體本體(參照第4圖(a))朝上推舉，來進行突起，負荷感知器1001，是供測量來自切割用薄膜16的反力(負荷)。所測量的負荷，是朝無圖示的控制裝置的控制部被發訊。控制部，是藉由控制上下機構1002，使所測量的負荷被控制在預先決定的預定的值。
第9圖，是顯示實施例2中的拾取動作的處理流程的流程圖。
第9圖，與第5圖的流程圖之間有下述的相異點，其他為相同。對於相同的處理，因為在第5圖已說明，所以省略。又，第9圖的處理流程，也藉由控制裝置控制晶片黏著機及拾取裝置來實行。
即，在第9圖中，由步驟S901實行的初期設定，是將1枚的晶圓組裝於拾取裝置之後進行。例如，在初期設定中，黏著頭部32，將晶圓環14、擴展環15、支撐環17、及突起元件50返回至基準位置(包含上下方向)的部分是與第5圖相同。且，在步驟901中，將具有其他被組裝於晶圓環的晶圓的各晶片之良品(OK)或不良品(NG)的資訊及該晶片的中心位置座標、及對應所測量的負荷的突起量Z'的資訊的映射表，讀入外部記憶裝置或是ROM。又，上述的初期設定值和映射表，是被讀入並被記錄於將具備拾取裝置的晶片黏著機總括地控制用的控制裝置(後述的)的記憶裝置(例如RAM)。且ROM也是上述控制裝置的記憶裝置的其中一個。
且在第9圖中，沒有步驟S504的處理，在步驟S503若該晶片為良品的話，實行步驟S505。
且在取代步驟S511用的步驟S911中，在載台/真空吸具上昇的處理中，突起量是對應測量被的負荷可變。
此結果，依據實施例2，不需要事前的映射時的張力的測量。
如以上雖說明了本發明的實施例，但是本行業者可依據上述的說明進行各種的替代例、修正或變形，只要在不脫離其宗旨的範圍內，本發明也包含前述各種的替代例、修正或變形。
1．．．晶圓供給部
2．．．工件供給‧搬運部
3．．．晶片黏著部
4、4d．．．晶片(半導體晶片)
10．．．晶片黏著機
11．．．晶圓卡匣昇降機
12．．．拾取裝置
14．．．晶圓環
15．．．擴展環
16．．．切割用薄膜
17．．．支撐環
18．．．晶片固定片
21．．．堆疊裝載器
22．．．框進給機
23．．．卸載器
31．．．預製部
32．．．黏著頭部
40．．．真空吸具部
41．．．真空吸具支架
41v．．．真空吸具支架中的吸附孔
42．．．真空吸具
42v．．．真空吸具中的吸附孔
42t．．．真空吸具的鍔
50．．．突起元件
51．．．剝離起點形成銷
51a．．．剝離起點
52．．．外側塊體
52b．．．1/2切換彈簧
52v．．．外側塊體及圓頂頭的間隙
53．．．作動體
54．．．內側塊體
54v．．．內側塊體及外側塊體的間隙
55．．．銷上下連桿
56．．．銷驅動連桿
56a．．．銷驅動連桿的旋轉支點
57．．．驅動軸
58．．．圓頂本體
58a．．．圓頂頭中的吸附孔
58b．．．圓頂頭
59．．．塊體本體
60．．．突起銷
61．．．銷基座
71．．．時間控制托板
72．．．壓縮彈簧
73．．．銷驅動連桿
74．．．保持托板
1001．．．負荷感知器
1002．．．上下機構
[第1圖]將本發明的一實施例的晶片黏著機從上所見的概念圖。
[第2圖]顯示本發明的一實施例的拾取裝置的外觀立體圖的圖。
[第3圖]顯示本發明的一實施例的拾取裝置的主要部的概略剖面圖。
[第4圖]顯示本發明的第1實施例的突起元件及黏結頭元件之中的真空吸具部的構成的圖、及將突起元件的突起塊體部及剝離起點形成銷存在的部分從上部所見的圖。
[第5圖]顯示本發明的實施例中的拾取動作的處理流程的流程圖。
[第6圖]顯示本發明的一實施例的圓頂頭附近部及真空吸具部的動作的圖。
[第7圖]以本發明的一實施例的晶片的拾取動作時的突起元件的驅動動作為主體顯示的圖。
[第8圖]說明晶圓環內的晶圓的中心部及周邊部的拾取時的張力不同用的圖。
[第9圖]顯示本發明的實施例中的拾取動作的處理流程的流程圖。
[第10圖]說明本發明的一實施例的晶圓環內的晶圓的中心部及周邊部的拾取時的張力的修正用的圖。
4、4d．．．晶片
40．．．真空吸具部
41．．．真空吸具支架
41v．．．真空吸具支架中的吸附孔
42．．．真空吸具
42v．．．真空吸具中的吸附孔
50．．．突起元件
51．．．剝離起點形成銷
52．．．外側塊體
52b．．．1/2切換彈簧
52v．．．外側塊體及圓頂頭的間隙
53．．．作動體
54．．．內側塊體
54v．．．內側塊體及外側塊體的間隙
55．．．銷上下連桿
56．．．銷驅動連桿
56a．．．銷驅動連桿的旋轉支點
57．．．驅動軸
58．．．圓頂本體
58a．．．圓頂頭中的吸附孔
58b．．．圓頂頭
59．．．塊體本體

Claims (10)

  1. 一種晶片黏著機的拾取方法，其特徵為：參照具有對應被貼附在切割用薄膜的複數晶片之中成為剝離對象的各晶片的前述切割用薄膜上的位置的突起量的資訊的映射表，決定前述晶片的突起量，由真空吸具將前述晶片吸附，利用具備吸附孔的圓頂頭吸附前述切割用薄膜，將前述晶片的前述切割用薄膜突起前述被決定的突起量而將前述晶片從前述切割用薄膜剝離。
  2. 如申請專利範圍第1項的晶片黏著機的拾取方法，其中，在利用具備前述吸附孔的圓頂頭吸附前述切割用薄膜後，利用真空吸具吸附前述晶片。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項的晶片黏著機的拾取方法，其中，在前述映射表中，預先測量前述切割用薄膜的張力，並使對應該所測量的張力的突起量被記錄。
  4. 如申請專利範圍第1項或第2項的晶片黏著機的拾取方法，其中，前述晶片的突起量係每次將晶圓上的晶片依序拾取時，就測量將下一個剝離對象的晶片拾取時的切割用薄膜的張力，並且以將張力成為一定的方式來決定。
  5. 如申請專利範圍第1項或第2項的晶片黏著機的拾取方法，其中，前述映射表，是進一步包含顯示該晶片是良品或不良品的資訊。
  6. 如申請專利範圍第1項或第2項的晶片黏著機的拾取方法，其中，會使剝離起點形成銷上昇。
  7. 一種晶片黏著機，其特徵為，具有：擴展環，是將晶圓環保持用；及保持手段，是將被保持在前述晶圓環且貼附有複數晶片的切割用薄膜保持；及映射表，是測量前述各晶片的切割用薄膜的張力，將對應前述所測量的張力的突起量與前述晶圓環的晶片的位置建立對應並預先記錄；及位置辨認手段，是辨認剝離對象的晶片的位置用；及剝離手段，是參照前述映射表，將對應前述被辨認的位置的突起量讀出，將前述切割用薄膜突起該被讀出的突起量而將前述剝離對象的晶片從前述切割用薄膜剝離；及突起元件，是設有：具有具備用以吸附且保持前述切割用薄膜的吸附孔之圓頂頭、以及將前述剝離手段的前述突起驅動的驅動手段。
  8. 如申請專利範圍第7項的晶片黏著機，其中，剝離手段藉由形成剝離起點進一步地減少施加於晶片的應力。
  9. 一種晶片黏著機，其特徵為，具有：擴展環，是將晶圓環保持用；及保持手段，是將被保持在前述晶圓環且貼附有複數晶片的切割用薄膜保持；及剝離手段，是將前述切割用薄膜突起被讀出的突起量而將剝離對象的晶片從前述切割用薄膜剝離；及突起元件，是設有：具有具備用以吸附且保持前述切割用薄膜的吸附孔之圓頂頭、以及將前述剝離手段的前述 突起驅動的驅動手段；及負荷感知器，是測量各晶片的切割用薄膜相對於前述剝離手段的前述突起的反力用；且前述剝離手段，是使突起量可對應前述所測量的反力可變。
  10. 如申請專利範圍第9項的晶片黏著機，其中，剝離手段藉由形成剝離起點進一步地減少施加於晶片的應力。
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