JP2019047089A - 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本開示の課題はダイに掛かるストレスを軽減させることが可能な半導体製造装置を提供することにある。
その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
すなわち、半導体製造装置は、ダイをダイシングテープの下から突き上げる突上げユニットと、前記ダイを吸着するコレットと、を備える。前記突上げユニットは、(a)前記ダイシングテープを介して前記ダイを突き上げるブロック部と、(b)前記ブロック部の外周に設けられ吸引孔を有する吸着部と、(c)前記ブロック部の外周部を中央部に向かって移動させその平面積を漸次減少させる手段と、を備える。
このような構成によって、ボンディングヘッド41は、ステージ認識カメラ32の撮像データに基づいてピックアップ位置・姿勢を補正し、中間ステージ31からダイDをピックアップし、基板認識カメラ44の撮像データに基づいて基板にダイDをボンディングする。
このような構成によって、基板Sは、基板供給部6から搬送レーン52に沿ってボンディング位置まで移動し、ボンディング後、基板搬出部7まで移動して、基板搬出部7に基板Sを渡す。
以下、代表的な変形例について、幾つか例示する。以下の変形例の説明において、上述の実施例にて説明されているものと同様の構成および機能を有する部分に対しては、上述の実施例と同様の符号が用いられ得るものとする。そして、かかる部分の説明については、技術的に矛盾しない範囲内において、上述の実施例における説明が適宜援用され得るものとする。また、上述の実施例の一部、および、複数の変形例の全部または一部が、技術的に矛盾しない範囲内において、適宜、複合的に適用され得る。
図15は変形例1に係る突上げユニットの縦断面図である。
実施例ではベース部135とバネ136Bとでスライド機構を構成し、第二ブロック1332から第四ブロック1334の下降により、バネ136の復元力により第一ブロック1331をシームレスに中央方向にスライドさせているが、図15に示すように、変形例1に係る突上げユニット13Aではベース部135aとリンク135bとカム135cでスライド機構を構成する。また、第一ブロック1331の水平部の下面にカム135cに駆動される断面が三角状の被駆動部1331aを有する。
図16は変形例2に係る突上げユニットの縦断面図である。
実施例ではベース部135とバネ136とでスライド機構を構成しているが、図16に示すように、変形例2に係る突上げユニット13Bではベース部135とバネ136と電磁石137と永久磁石138でスライド機構を構成する。
図17は変形例3に係る突上げユニットの縦断面図である。
実施例および変形例1、2ではブロック部133は第一ブロック1331、第二ブロック1332、第三ブロック1333、第四ブロック1334および第五ブロック1335で構成しているが、図17に示すように、変形例3に係る突上げユニット13Cでは、ブロック部133Cは第一ブロック1331Cおよび電磁石137Cで構成する。また、実施例ではベース部135とバネ136とでスライド機構を構成しているが、図17に示すように、変形例3ではベース部135とバネ136Cと電磁石137Cでスライド機構を構成する。
図18は変形例3に係る突上げユニットを説明する図であり、図18(A)、18(B)は縦断面図であり、図18(C)はブロック図の斜視図ある。
変形例3では、ブロック部133は第一ブロック1331Cおよび電磁石137Cで構成しているが、図18に示すように、変形例4に係る突上げユニット13Dでは、ブロック部133Dは外周部1331Dおよびシート139で構成する。
図19は変形例5に係る突上げユニットを説明する図であり、図19(A)はブロック部の収縮前の断面図であり、図19(B)はブロック部の収縮後の縦断面図である。
図19に示すように、変形例5に係る突上げユニット13Eでは、ブロック部133Eを高分子材料で構成する。上下動するステージ135E上に電圧または熱などで伸縮する高分子材料で構成されるブロック部133Eを載せ、突き上げ後、ステージ135Eから電圧または熱を加えてブロック部133Eを伸縮させることで、ブロック部133Eがシームレスに減少してダイをダイシングテープから剥離することができる。
図20は変形例6に係る突上げユニットを説明する上面図である。
変形例6に係る突上げユニット13Fでは、ブロック部133Fをルーローの三角形構造ブロックで構成する。ブロック133Fを突き上げ後、ダイ外周付近からすこしずつ遠ざけるように回転運動を行い、ダイシングテープからダイの剥離進行を起こす。
図21は変形例7に係る突上げユニットの上面図である。図22は図21のB1−B2における主要断面図である。
変形例7に係る突上げユニット13Gでは、ブロック部133Gは、図21に示すようにダイの長辺または短辺に平行に、矩形状の第一ブロック1331G、第二ブロック1332G、第三ブロック1333G、第四ブロック1334Gおよび第五ブロック1335Gを、列を成して配置して構成される。第四ブロック1334Gは第五ブロック1335Gの両外側に隣接して位置し、上下方向に移動が可能である。第三ブロック1333Gは第四ブロック1334Gの両外側に隣接して位置し、上下方向に移動が可能である。第二ブロック1332Gは第三ブロック1333Gの両外側に隣接して位置し、上下方向に移動が可能である。第一ブロック1331Gは第二ブロック1332Gの両外側に隣接して位置し、上下方向に移動が可能であり、開口部131の中央方向にスライド可能である。
また、シリンダの代わりに、スライドする第一ブロックとベース部135の間にバルーン状の袋を設け、これに空圧、水圧、油圧などを供給し膨らませて動作させてもよい。
また、モータやエアシリンダなどの軸の前後動作をカメラシャッタのレリーズのように、フレキシブルなガイド内をワイヤ状の芯が前後する構造で、ブロックに伝達することで、駆動源を突上げユニットの外部に設置してもよい。これにより突上げユニットをよりコンパクトに設置することが可能となる。
例えば、中間ステージとピックアップヘッドがなく、ダイ供給部のダイをボンディングヘッドで基板にボンディングするダイボンダにも適用可能である。
また、中間ステージがなく、ダイ供給部からダイをピックアップしダイピックアップヘッドを上に回転してダイをボンディングヘッドに受け渡しボンディングヘッドで基板にボンディングするフリップチップボンダに適用可能である。
また、中間ステージとボンディングヘッドがなく、ダイ供給部からピックアップヘッドでピックアップしたダイをトレイ等に載置するダイソータに適用可能である。
11:ウェハ
13:突上げユニット
131:開口部
132:吸着部
1321:吸引孔
133:ブロック部
1331:第一ブロック
1332:第二ブロック
1333:第三ブロック
1334:第四ブロック
1335:第五ブロック
1336:隙間
16:ダイシングテープ
2:ピックアップ部
21:ピックアップヘッド
3:中間ステージ部
31:中間ステージ
4:ボンディング部
41:ボンディングヘッド
8:制御部
10:ダイボンダ
D:ダイ
S:基板
Claims (20)
- 半導体製造装置は、
ダイをダイシングテープの下から突き上げる突上げユニットと、
前記ダイを吸着するコレットと、
を備え、
前記突上げユニットは、
(a)前記ダイシングテープを介して前記ダイを突き上げるブロック部と、
(b)前記ブロック部の外周に設けられ吸引孔を有する吸着部と、
(c)前記ブロック部の外周部を中央部に向かって移動させその平面積を漸次減少させる手段と、
を備える。 - 請求項1の半導体製造装置において、
前記ブロック部は、
(a1)外周から中央に向かってスライドする外周ブロックと、
(a2)前記外周ブロックより中央側に位置し平面視で多角形のリング状の中間ブロックと、
(a3)前記中間ブロックより中央側に位置し平面視で多角形状の中央ブロックと、
を有し、
前記(c)手段は外周ブロックをスライドさせながら前記中間ブロックを下降させる。 - 請求項2の半導体製造装置において、
前記(c)手段は弾性体の復元力によって前記外周ブロックをスライドさせながら前記中間ブロックを下降させる。 - 請求項2の半導体製造装置において、
前記(c)手段はカム駆動によって前記外周ブロックをスライドさせながら前記中間ブロックを下降させる。 - 請求項2の半導体製造装置において、
前記(c)手段は電磁石と永久磁石の反発力によって前記外周ブロックをスライドさせながら前記中間ブロックを下降させる。 - 請求項1の半導体製造装置において、
前記ブロック部は、
(a1)外周から中央に向かってスライドする外周ブロックと、
(a2)中央部に位置する電磁石と、
を有し、
前記(c)手段は前記電磁石の電磁力によって前記外周ブロックをスライドさせる。 - 請求項1の半導体製造装置において、
前記ブロック部は、
(a1)外周から中央に向かって移動するブロック、球または針で構成される外周部と、
(a2)前記外周部を被うシートと、
を有し、
前記(c)手段は前記シートによって外周部にテンションをかけて前記外周部を移動させる。 - 請求項1の半導体製造装置において、
前記ブロック部は電圧または熱などで伸縮する高分子材料で構成され、
前記(c)手段は電圧または熱を加えて前記高分子材料を縮ませる。 - 請求項1の半導体製造装置において、
前記ブロック部はルーローの三角形構造ブロックで構成され、
前記(c)手段は前記ルーローの三角形構造ブロックをダイ外周付近から少しずつ中央部に近づけるように回転運動を行わせる。 - 請求項1の半導体製造装置において、
前記ダイはさらに前記ダイと前記ダイシングテープとの間にダイアタッチフィルムを備える。 - 請求項1の半導体製造装置において、さらに、
前記コレットが装着されるピックアップヘッドを備える。 - 請求項11の半導体製造装置において、さらに、
前記ピックアップヘッドでピックアップされるダイを載置する中間ステージと、
前記中間ステージに載置されるダイを基板または既にボンディングされているダイの上にボンディングするボンディングヘッドと、
を備える。 - 請求項1の半導体製造装置において、さらに、
前記コレットが装着されるボンディングヘッドを備える。 - 請求項1の半導体製造装置において、
前記ブロック部は、
(a1)前記ダイの長辺または短辺に沿って列を成して配置され、対向する外周の2辺から中央に向かってスライドする平面視で矩形状の外周ブロックと、
(a2)前記外周ブロックより中央側に位置し、平面視で矩形状の少なくとも一組の中間ブロックと、
(a3)前記一組の中間ブロックより中央側に位置し平面視で矩形状の中央ブロックと、
を有し、
前記(c)手段は前記外周ブロックを中央方向にスライドさせながら前記一組の中間ブロックを下降させる手段である。 - 請求項14の半導体製造装置において、
前記(c)手段は弾性体の復元力によって前記外周ブロックをスライドさせながら前記中間ブロックを下降させる。 - 請求項14の半導体製造装置において、
前記(c)手段はカム駆動によって前記外周ブロックをスライドさせながら前記中間ブロックを下降させる。 - 請求項14の半導体製造装置において、
前記(c)手段は電磁石と永久磁石の反発力によって前記外周ブロックをスライドさせながら前記中間ブロックを下降させる。 - 半導体装置の製造方法は、
(a)請求項1乃至17の何れか1項の半導体製造装置を準備する工程と、
(b)ダイを有するダイシングテープを保持するウェハリングを準備する工程と、
(c)前記基板を準備する工程と、
(d)前記突き上げユニットで前記ダイを突き上げて前記コレットで前記ダイをピックアップする工程と、
を有し、
前記(d)工程は、前記コレットが前記ダイを吸着している間、前記ブロック部の外周部を中央部に向かって移動させその平面積を漸次減少させる。 - 請求項18の半導体装置の製造方法において、さらに、
(e)前記ダイを基板または既にボンディングされているダイの上にボンディングする工程を備える。 - 請求項18の半導体装置の製造方法において、
前記(d)工程はさらに前記ピックアップしたダイを中間ステージに載置する工程を有し、
前記(e)工程はさらに前記中間ステージから前記ダイをピックアップする工程を有する。
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