JP2019047089A5

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Publication number: JP2019047089A5
Application number: JP2017172068A
Authority: JP
Filing date: 2017-09-07
Publication date: 2020-08-20
Anticipated expiration: 2037-09-07

Claims

ダイをダイシングテープの下から突き上げる突上げユニットと、
前記ダイを吸着するコレットと、
を備え、
前記突上げユニットは、
（ａ）前記ダイシングテープを介して前記ダイを突き上げるブロック部と、
（ｂ）前記ブロック部の外周に設けられ吸引孔を有する吸着部と、
（ｃ）前記ブロック部の外周部を中央部に向かって移動させその平面積を漸次減少させるよう構成される手段と、
を備える半導体製造装置。
請求項１の半導体製造装置において、
前記ブロック部は、
（ａ１）外周から中央に向かってスライドする外周ブロックと、
（ａ２）前記外周ブロックより中央側に位置し平面視で多角形のリング状の中間ブロックと、
（ａ３）前記中間ブロックより中央側に位置し平面視で多角形状の中央ブロックと、
を有し、
前記手段は外周ブロックをスライドさせながら前記中間ブロックを下降させるよう構成される半導体製造装置。
請求項２の半導体製造装置において、
前記手段は弾性体の復元力によって前記外周ブロックをスライドさせながら前記中間ブロックを下降させるよう構成される半導体製造装置。
請求項２の半導体製造装置において、
前記手段はカム駆動によって前記外周ブロックをスライドさせながら前記中間ブロックを下降させるよう構成される半導体製造装置。
請求項２の半導体製造装置において、
前記手段は電磁石と永久磁石の反発力によって前記外周ブロックをスライドさせながら前記中間ブロックを下降させるよう構成される半導体製造装置。
請求項１の半導体製造装置において、
前記ブロック部は、
（ａ１）外周から中央に向かってスライドする外周ブロックと、
（ａ２）中央部に位置する電磁石と、
を有し、
前記手段は前記電磁石の電磁力によって前記外周ブロックをスライドさせるよう構成される半導体製造装置。
請求項１の半導体製造装置において、
前記ブロック部は、
（ａ１）外周から中央に向かって移動するブロック、球または針で構成される外周部と、
（ａ２）前記外周部を被うシートと、
を有し、
前記手段は前記シートによって外周部にテンションをかけて前記外周部を移動させるよう構成される半導体製造装置。
請求項１の半導体製造装置において、
前記ブロック部は電圧または熱などで伸縮する高分子材料で構成され、
前記手段は電圧または熱を加えて前記高分子材料を縮ませるよう構成される半導体製造装置。
請求項１の半導体製造装置において、
前記ブロック部はルーローの三角形構造ブロックで構成され、
前記手段は前記ルーローの三角形構造ブロックをダイ外周付近から少しずつ中央部に近づけるように回転運動を行わせるよう構成される半導体製造装置。
請求項１の半導体製造装置において、
前記ダイはさらに前記ダイと前記ダイシングテープとの間にダイアタッチフィルムを備える半導体製造装置。
請求項１の半導体製造装置において、さらに、
前記コレットが装着されるピックアップヘッドを備える半導体製造装置。
請求項１１の半導体製造装置において、さらに、
前記ピックアップヘッドでピックアップされるダイを載置する中間ステージと、
前記中間ステージに載置されるダイを基板または既にボンディングされているダイの上にボンディングするボンディングヘッドと、
を備える半導体製造装置。
請求項１の半導体製造装置において、さらに、
前記コレットが装着されるボンディングヘッドを備える半導体製造装置。
請求項１の半導体製造装置において、
前記ブロック部は、
（ａ１）前記ダイの長辺または短辺に沿って列を成して配置され、対向する外周の２辺から中央に向かってスライドする平面視で矩形状の外周ブロックと、
（ａ２）前記外周ブロックより中央側に位置し、平面視で矩形状の少なくとも一組の中間ブロックと、
（ａ３）前記一組の中間ブロックより中央側に位置し平面視で矩形状の中央ブロックと、
を有し、
前記手段は前記外周ブロックを中央方向にスライドさせながら前記一組の中間ブロックを下降させるよう構成される半導体製造装置。
請求項１４の半導体製造装置において、
前記手段は弾性体の復元力によって前記外周ブロックをスライドさせながら前記中間ブロックを下降させるよう構成される半導体製造装置。
請求項１４の半導体製造装置において、
前記手段はカム駆動によって前記外周ブロックをスライドさせながら前記中間ブロックを下降させるよう構成される半導体製造装置。
請求項１４の半導体製造装置において、
前記手段は電磁石と永久磁石の反発力によって前記外周ブロックをスライドさせながら前記中間ブロックを下降させるよう構成される半導体製造装置。
（ａ）請求項１乃至１７の何れか１項の半導体製造装置を準備する工程と、
（ｂ）ダイを有するダイシングテープを保持するウェハリングを準備する工程と、
（ｃ）前記基板を準備する工程と、
（ｄ）前記突き上げユニットで前記ダイを突き上げて前記コレットで前記ダイをピックアップする工程と、
を有し、
前記（ｄ）工程は、前記コレットが前記ダイを吸着している間、前記ブロック部の外周部を中央部に向かって移動させその平面積を漸次減少させる半導体装置の製造方法。
請求項１８の半導体装置の製造方法において、さらに、
（ｅ）前記ダイを基板または既にボンディングされているダイの上にボンディングする工程を備える半導体装置の製造方法。
請求項１９の半導体装置の製造方法において、
前記（ｄ）工程はさらに前記ピックアップしたダイを中間ステージに載置する工程を有し、
前記（ｅ）工程はさらに前記中間ステージから前記ダイをピックアップする工程を有する半導体装置の製造方法。