JP4664150B2 - 半導体装置の製造方法および半導体製造装置 - Google Patents
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Description
本実施の形態による積層パッケージの製法方法を図1〜図21を参照しながら工程順に説明する。
1A 半導体ウエハ
1A’ チップ領域
2 ボンディングパッド
4 ダイアタッチフィルム
5 ダイシングテープ
6 ウエハリング
7 ダイシングブレード
10 ピックアップ装置
11 支持リング
12 エキスパンドリング
13 接着剤
14 配線基板
15 Auワイヤ
16 電極
102 吸着駒
103 吸引口
104 溝
105 吸着コレット
106 吸着口
107〜109 ブロック
110a 突起(第1の突出部)
110b 先端部
111a、111b 圧縮コイルばね
112 プッシャ
113 突起(第2の突出部)
114 吸引口
115 切り欠き溝
120、121 突き上げブロック
S 隙間
Claims (17)
- (a)半導体ウエハの裏面にダイシングフィルムを貼り付ける工程と、
(b)前記工程(a)の後、前記半導体ウエハをダイシングすることによって、前記半導体ウエハを複数個の半導体チップに分割する工程と、
(c)前記工程(b)の後、前記ダイシングフィルムに貼り付けられた前記複数の半導体チップのうち、剥離の対象となる第1半導体チップの下方の前記ダイシングフィルムに上向きの荷重を加えることにより、前記第1半導体チップを前記ダイシングフィルムから剥離する工程とを含む半導体装置の製造方法であって、
前記工程(c)は、
(c1)前記第1半導体チップよりもサイズが小さい第1平面と、前記第1平面のコーナー部に設けられ、その先端が前記第1半導体チップのコーナー部に延在する突出部を備えた第1の突き上げブロック、および前記第1平面よりもサイズが小さい第2平面を有し、前記第1の突き上げブロックの内側に配置された第2の突き上げブロックを有する突き上げ機構を準備する工程と、
(c2)前記第1の突き上げブロックの第1平面と、前記第1の突き上げブロックの前記突出部と、前記第2の突き上げブロックの第2平面とを前記ダイシングフィルムを介して前記第1の半導体チップの裏面に同時に突き当て、前記ダイシングフィルムを上方に突き上げることによって、前記第1半導体チップと前記ダイシングフィルムとを前記第1半導体チップのコーナー部から中心側に向かって剥離する工程と、
(c3)前記第2の突き上げブロックの第2平面を前記第1の突き上げブロックの第1平面よりもさらに上方に押し上げことによって、前記第1半導体チップと前記ダイシングフィルムとの剥離をさらに進行させる工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記半導体ウエハと前記ダイシングフィルムとの間にダイアタッチフィルムを介在させ、前記第1半導体チップとその裏面の前記ダイアタッチフィルムとを前記ダイシングフィルムから剥離することを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体チップの厚さは、90μm以下であることを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1の突き上げブロックの第1平面と、前記第2の突き上げブロックの第2平面との間には、隙間が設けられており、前記第1半導体チップに前記上向きの荷重を加える際、前記隙間の内部を減圧することによって、前記第1半導体チップの裏面の前記ダイシングフィルムを下方に吸引することを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1半導体チップに前記上向きの荷重を加える際、前記第1半導体チップに隣接する他の半導体チップの裏面の前記ダイシングフィルムを下方に吸引することを特徴とする請求項4記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体チップは、縦と横の長さが異なる長方形であり、前記第1の突き上げブロックの第1平面は、縦と横の長さが異なる長方形であることを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記工程(c)で前記ダイシングフィルムに前記上向きの荷重を加える際、前記第1半導体チップの上面に吸着コレットを押し付けることによって、前記第1半導体チップに下向きの荷重を加えることを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1の突き上げブロックの第1平面のコーナー部以外の領域に、その先端が前記第1半導体チップの外周部に延在する第2の突出部を設けたことを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1の突き上げブロックの第1平面の一部に切り欠き溝を設けたことを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体チップに不揮発性メモリが形成されていることを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- ダイシングフィルムに貼り付けられた複数の半導体チップのうち、剥離の対象となる第1半導体チップの下方の前記ダイシングフィルムに上向きの荷重を加えることにより、前記第1半導体チップを前記ダイシングフィルムから剥離する突き上げ機構を備えた半導体製造装置であって、
前記突き上げ機構は、前記第1半導体チップよりもサイズが小さい第1平面と、前記第1平面のコーナー部に設けられ、その先端が前記第1半導体チップのコーナー部に延在する突出部を備えた第1の突き上げブロック、および前記第1平面よりもサイズが小さい第2平面を有し、前記第1の突き上げブロックの内側に配置された第2の突き上げブロックを有することを特徴とする半導体製造装置。 - 前記第1平面のコーナー部以外の領域において、前記第1平面の外周部から前記第1半導体チップの外周部までの距離は、0.5mm〜0.75mmであることを特徴とする請求項11記載の半導体製造装置。
- 前記第1平面の一辺は、前記第1半導体チップに形成されたボンディングパッドと重なる位置にあることを特徴とする請求項11記載の半導体製造装置。
- 前記第1の突き上げブロックの第1平面と、前記第2の突き上げブロックの第2平面との間に隙間が設けられており、前記第1半導体チップに前記上向きの荷重を加える際には、前記隙間の内部が減圧され、前記第1半導体チップの裏面の前記ダイシングフィルムが下方に吸引されることを特徴とする請求項11記載の半導体製造装置。
- 前記第1の突き上げブロックの第1平面のコーナー部以外の領域には、その先端が前記第1半導体チップの外周部に延在する第2の突出部が設けられていることを特徴とする請求項11記載の半導体製造装置。
- 前記第1の突き上げブロックの第1平面の一部には、内部が減圧される切り欠き溝が設けられていることを特徴とする請求項11記載の半導体製造装置。
- 前記第1の突き上げブロックの第1平面の一部には、内部が減圧される吸引口が設けられていることを特徴とする請求項11記載の半導体製造装置。
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