JP2019054209A5 - - Google Patents

Description

実施例および変形例１−１〜１−３ではコレットの各吸引孔の径は同じ大きさであるが、図１４に示すように変形例１−４では第一ブロック（最外周ブロック）に対応する位置のコレットの吸引孔の径を他のブロック（第二ブロックおよび第三ブロック）に対応する位置の吸引孔の径より大きくする。これにより、コレット２５ＧはダイＤの端部に近接した箇所の吸着力を大きくすることができる。
また、図１４（Ｃ）に示すように、突上げブロック部１３１（第一ブロック１３１ａ）のブロックサイズはダイＤのサイズ（ダイサイズ）より２×ｄ１（例えば０．５ｍｍ程度）小さく構成し、コレット２５Ｇのサイズはダイサイズより２×ｄ２（例えば０．５ｍｍ程度）大きく構成して、コレット２５Ｇの吸引孔２５１Ｇのうち最外周の吸引孔（Ｈ１ａ〜Ｈ１ｒ）の一部を第一ブロック１３１ａ（突上げブロック部１３１）の外側にｄ３（例えば０．２５ｍｍ程度）ずらして配置する。

これにより、コレット２５ＧはダイＤのより端部に近接した箇所の吸着力を大きくすることができるので、よりダイＤの変形を低減することができる。

また、第二ブロック１３１ｂおよび第三ブロック１３１ｃに対応する位置のコレット２５Ｇの吸引孔の一部をそれぞれ第二ブロック１３１ｂおよび第三ブロック１３１ｃの外側にずらして配置してもよい。

Claims (22)

1. ダイが貼り付けられたダイシングテープを保持するウェハリングホルダを有するダイ供給部と、
   複数の突上げブロックを有する突上げユニットと、
   前記ダイシングテープからダイを吸着するコレット部と、
   を備え、
   前記コレット部は、
   コレットと、
   前記コレットを保持するコレットホルダと、
   を備え、
   前記コレットは弾性体で形成され、前記突上げブロックの前記ダイシングテープに接する箇所に対応する位置に吸引孔を有する半導体製造装置。
2. 請求項１の半導体製造装置において、
   前記複数の突上げブロックは、最も外側に位置する外周ブロックと、中央に位置する中央ブロックと、前記外周ブロックと前記中央ブロックとの間に位置する中間ブロックと、を有し、
   前記コレットは、前記外周ブロックに対応する位置に前記吸引孔を有する半導体製造装置。
3. 請求項２の半導体製造装置において、
   前記吸引孔は、さらに、前記中央ブロックおよび前記中間ブロックに対応する位置に前記吸引孔を有する半導体製造装置。
4. 請求項２の半導体製造装置において、
   さらに、前記吸引孔に接続されている吸引溝を有し、
   前記吸引孔は前記外周ブロックの四隅の前記ダイシングテープに接する箇所のそれぞれに対応する位置に配置される半導体製造装置。
5. 請求項４の半導体製造装置において、
   前記吸引孔の径は前記吸引溝の幅よりも大きい半導体製造装置。
6. 請求項４の半導体製造装置において、
   前記吸引孔は、さらに、前記中央ブロックおよび前記中間ブロックに対応する位置に前記吸引孔を有する半導体製造装置。
7. 請求項２の半導体製造装置において、
   前記外周ブロックは上面に複数の凸部を間欠的に有し、
   前記吸引孔は前記複数の凸部の前記ダイシングテープに接する箇所に対応するそれぞれの位置に配置される半導体製造装置。
8. 請求項７の半導体製造装置において、
   前記吸引孔は、さらに、前記中央ブロックおよび前記中間ブロックに対応する位置に前記吸引孔を有する半導体製造装置。
9. 請求項７の半導体製造装置において、
   さらに、前記吸引孔に接続されている吸引溝を有する半導体製造装置。
10. 請求項９の半導体製造装置において、
    前記吸引孔の径は前記吸引溝の幅よりも大きい半導体製造装置。
11. 請求項９の半導体製造装置において、
    前記吸引孔は、さらに、前記中央ブロックおよび前記中間ブロックに対応する位置に前記吸引孔を有する半導体製造装置。
12. 請求項１乃至１１の何れか一つの半導体製造装置において、
    さらに、前記コレットが装着されるピックアップヘッドを備える半導体製造装置。
13. 請求項１２の半導体製造装置において、さらに、
    前記ピックアップヘッドでピックアップされるダイを載置する中間ステージと、
    前記中間ステージに載置されるダイを基板または既にボンディングされているダイの上にボンディングするボンディングヘッドと、
    を備える半導体製造装置。
14. 請求項１乃至１１の何れか一つの半導体製造装置において、
    前記ダイはさらに前記ダイと前記ダイシングテープとの間にダイアタッチフィルムを備える半導体製造装置。
15. （ａ）複数の突上げブロックを有する突上げユニットと、ダイシングテープからダイを吸着するコレット部と、を備え、前記コレット部は、コレットと、前記コレットを保持するコレットホルダと、を備え、前記コレットは弾性体で形成され、前記突上げブロックの前記ダイシングテープに接する箇所に対応する位置に吸引孔または吸引孔に接続された吸引溝を有する半導体製造装置を準備する工程と、
    （ｂ）ダイを有するダイシングテープを保持するウェハリングを準備する工程と、
    （ｃ）前記コレット部で前記ダイをピックアップする工程と、
    を備える半導体装置の製造方法。
16. 請求項１５の半導体装置の製造方法において、さらに、
    （ｄ）基板を準備する工程と、
    （ｅ）前記ダイを前記基板または既にボンディングされているダイの上にボンディングする工程を備える半導体装置の製造方法。
17. 請求項１６の半導体装置の製造方法において、
    前記（ｃ）工程はさらに前記ピックアップしたダイを中間ステージに載置する工程を有し、
    前記（ｅ）工程はさらに前記中間ステージから前記ダイをピックアップする工程を有する半導体装置の製造方法。
18. 複数の突上げブロックを有する突上げユニットと協働してダイが貼り付けられたダイシングテープから前記ダイを吸着するコレットであって、
    前記コレットは弾性体で形成され、前記突上げブロックの前記ダイシングテープに接する箇所に対応する位置に吸引孔を有するコレット。
19. 請求項１８のコレットにおいて、
    前記複数の突上げブロックのうちの最外周ブロックに対応する位置に前記吸引孔を有するコレット。
20. 請求項１９のコレットにおいて、
    さらに、前記吸引孔に接続されている吸引溝を有し、
    前記吸引孔は前記最外周ブロックの四隅の前記ダイシングテープに接する箇所のそれぞれに対応する位置に配置されるコレット。
21. 請求項２０のコレットにおいて、
    前記吸引孔の径は前記吸引溝の幅よりも大きいコレット。
22. 請求項１９のコレットにおいて、
    前記吸引孔は、さらに、前記複数の突上げブロックのうちの中央に位置する中央ブロックおよび前記最外周ブロックと前記中央ブロックとの間に位置する中間ブロックに対応する位置に前記吸引孔を有するコレット。