JPH11274202A - バンプ形成装置およびバンプ形成に使用されるチップトレイ - Google Patents
バンプ形成装置およびバンプ形成に使用されるチップトレイInfo
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- JPH11274202A JPH11274202A JP7566998A JP7566998A JPH11274202A JP H11274202 A JPH11274202 A JP H11274202A JP 7566998 A JP7566998 A JP 7566998A JP 7566998 A JP7566998 A JP 7566998A JP H11274202 A JPH11274202 A JP H11274202A
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- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】バンプ形成効率を向上させるのに有効なバンプ
形成装置およびバンプ形成に使用されるチップトレイを
提供する。 【解決手段】チップトレイ（１４）のチップ収容領域
（１１）に貫通孔（１６）を形成し、該貫通孔（１６）
上に半導体チップ（１２）を載置した状態でチップ吸着
手段（１８）により各半導体チップ（１２）を吸着固定
する。これにより、チップトレイ（１４）に収容された
半導体チップ（１２）の位置決めと固定が行われる。そ
して、この吸着固定された各半導体チップ（１２）に対
し、バンプ形成手段（１０）によってバンプを形成して
ゆく。
形成装置およびバンプ形成に使用されるチップトレイを
提供する。 【解決手段】チップトレイ（１４）のチップ収容領域
（１１）に貫通孔（１６）を形成し、該貫通孔（１６）
上に半導体チップ（１２）を載置した状態でチップ吸着
手段（１８）により各半導体チップ（１２）を吸着固定
する。これにより、チップトレイ（１４）に収容された
半導体チップ（１２）の位置決めと固定が行われる。そ
して、この吸着固定された各半導体チップ（１２）に対
し、バンプ形成手段（１０）によってバンプを形成して
ゆく。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、バンプ形成装置お
よびバンプ形成に使用されるチップトレイに関し、特
に、バンプ形成効率を向上させるのに有効なバンプ形成
装置およびバンプ形成に使用されるチップトレイに関す
る。
よびバンプ形成に使用されるチップトレイに関し、特
に、バンプ形成効率を向上させるのに有効なバンプ形成
装置およびバンプ形成に使用されるチップトレイに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体チップの活性面が基板実装面側に
形成されたフェースダウン構造を有する半導体装置で
は、該半導体装置に組み込まれる半導体チップの電極面
にバンプが形成され、該形成されたバンプが外部電極端
子となって基板に実装される。
形成されたフェースダウン構造を有する半導体装置で
は、該半導体装置に組み込まれる半導体チップの電極面
にバンプが形成され、該形成されたバンプが外部電極端
子となって基板に実装される。
【０００３】上記のようなバンプの形成方法の一つとし
て、従来から熱圧着法や超音波圧着法等のワイヤボンデ
ィング技術によるものが行われている。
て、従来から熱圧着法や超音波圧着法等のワイヤボンデ
ィング技術によるものが行われている。
【０００４】このワイヤボンディング技術を適用したバ
ンプ形成装置では、Ａｕ等の金属製ワイヤーを挿入した
キャピラリを半導体チップの活性面に近接させた状態
で、該キャピラリに放電等のエネルギーを印加して金属
製ワイヤーを溶融し、該溶融したワイヤーを半導体チッ
プの電極面に圧着するとともに金属製ワイヤーを切断す
ることにより、バンプの形成が行われる。
ンプ形成装置では、Ａｕ等の金属製ワイヤーを挿入した
キャピラリを半導体チップの活性面に近接させた状態
で、該キャピラリに放電等のエネルギーを印加して金属
製ワイヤーを溶融し、該溶融したワイヤーを半導体チッ
プの電極面に圧着するとともに金属製ワイヤーを切断す
ることにより、バンプの形成が行われる。
【０００５】上記のようなバンプ形成装置には、バンプ
形成の対象となる半導体チップを真空吸着する吸着手段
が設けられており、該吸着手段によって固定された半導
体チップにバンプを形成してゆくことにより、安定した
圧着を実現している。
形成の対象となる半導体チップを真空吸着する吸着手段
が設けられており、該吸着手段によって固定された半導
体チップにバンプを形成してゆくことにより、安定した
圧着を実現している。
【０００６】ここで、従来のバンプ形成装置では、上記
吸着手段に半導体チップを供給する方法として、ピンセ
ット等を使用して個々の半導体チップを供給してゆく方
法が用いられていた。
吸着手段に半導体チップを供給する方法として、ピンセ
ット等を使用して個々の半導体チップを供給してゆく方
法が用いられていた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記のように
個々の半導体チップを供給してゆく方法では、生産性が
悪く、また、半導体チップの位置決め等が困難となるた
め、ボンディング精度にも悪影響を与える原因となって
いた。
個々の半導体チップを供給してゆく方法では、生産性が
悪く、また、半導体チップの位置決め等が困難となるた
め、ボンディング精度にも悪影響を与える原因となって
いた。
【０００８】そこで、本発明は、バンプ形成効率を向上
させるのに有効なバンプ形成装置およびバンプ形成に使
用されるチップトレイを提供することを目的とする。
させるのに有効なバンプ形成装置およびバンプ形成に使
用されるチップトレイを提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１記載の発明は、半導体チップ（１２）にバ
ンプを形成するバンプ形成装置において、チップ収容領
域（１１）に貫通孔（１６）を有し、前記半導体チップ
（１２）を該チップ収容領域（１１）に収容するチップ
トレイ（１４）と、前記チップトレイ（１４）に収容さ
れた前記半導体チップ（１２）を前記貫通孔（１６）を
介して吸着するチップ吸着手段（１８）と、前記チップ
吸着手段が吸着した半導体チップ（１２）にバンプを形
成するバンプ形成手段とを具備することを特徴とする。
め、請求項１記載の発明は、半導体チップ（１２）にバ
ンプを形成するバンプ形成装置において、チップ収容領
域（１１）に貫通孔（１６）を有し、前記半導体チップ
（１２）を該チップ収容領域（１１）に収容するチップ
トレイ（１４）と、前記チップトレイ（１４）に収容さ
れた前記半導体チップ（１２）を前記貫通孔（１６）を
介して吸着するチップ吸着手段（１８）と、前記チップ
吸着手段が吸着した半導体チップ（１２）にバンプを形
成するバンプ形成手段とを具備することを特徴とする。
【００１０】また、請求項２記載の発明は、請求項１記
載の発明において、前記チップ吸着手段（１８）は、前
記半導体チップ（１２）とともに前記チップトレイ（１
４）を吸着することを特徴とする。
載の発明において、前記チップ吸着手段（１８）は、前
記半導体チップ（１２）とともに前記チップトレイ（１
４）を吸着することを特徴とする。
【００１１】また、請求項３記載の発明は、請求項１ま
たは請求項２記載の発明において、前記チップトレイ
（１４）を加熱するチップトレイ加熱手段（２０）をさ
らに具備し、前記チップトレイ（１４）は、熱伝導性の
良い材料で形成されていることを特徴とする。
たは請求項２記載の発明において、前記チップトレイ
（１４）を加熱するチップトレイ加熱手段（２０）をさ
らに具備し、前記チップトレイ（１４）は、熱伝導性の
良い材料で形成されていることを特徴とする。
【００１２】また、請求項４記載の発明は、請求項１乃
至請求項３のいずれかに記載の発明において、バンプが
形成されていない半導体チップ（１２）を複数収容した
前記チップトレイ（１４）を前記チップ吸着手段（１
８）に連続供給するチップトレイ供給手段（２２）と、
前記バンプ形成手段（１０）によるバンプの形成が終了
したチップトレイ（１４）を前記チップ吸着手段（１
８）から取り外し、順次収容するチップトレイ収容手段
（２４）とをさらに具備することを特徴とする。
至請求項３のいずれかに記載の発明において、バンプが
形成されていない半導体チップ（１２）を複数収容した
前記チップトレイ（１４）を前記チップ吸着手段（１
８）に連続供給するチップトレイ供給手段（２２）と、
前記バンプ形成手段（１０）によるバンプの形成が終了
したチップトレイ（１４）を前記チップ吸着手段（１
８）から取り外し、順次収容するチップトレイ収容手段
（２４）とをさらに具備することを特徴とする。
【００１３】また、請求項５記載の発明は、半導体チッ
プ（１２）にバンプを形成するバンプ形成装置におい
て、チップ収容領域（１１）に貫通孔（１６）を有し、
前記半導体チップ（１２）を該チップ収容領域（１１）
に収容するチップトレイ（１４）と、前記貫通孔（１
６）と連通する連通孔（３６）および前記チップトレイ
（１４）を加熱するヒーター（３８）を有し、前記チッ
プトレイ（１４）を載置するバンプ形成ステージ（２
６）と、前記チップトレイ（１４）に収容された前記半
導体チップ（１２）を前記貫通孔（１６）および前記連
通孔（３６）を介して吸引する真空ポンプ（３０）と、
前記真空ポンプ（３０）によって吸引されている半導体
チップ（１２）にバンプを形成するキャピラリーツール
（３４）とを具備することを特徴とする。
プ（１２）にバンプを形成するバンプ形成装置におい
て、チップ収容領域（１１）に貫通孔（１６）を有し、
前記半導体チップ（１２）を該チップ収容領域（１１）
に収容するチップトレイ（１４）と、前記貫通孔（１
６）と連通する連通孔（３６）および前記チップトレイ
（１４）を加熱するヒーター（３８）を有し、前記チッ
プトレイ（１４）を載置するバンプ形成ステージ（２
６）と、前記チップトレイ（１４）に収容された前記半
導体チップ（１２）を前記貫通孔（１６）および前記連
通孔（３６）を介して吸引する真空ポンプ（３０）と、
前記真空ポンプ（３０）によって吸引されている半導体
チップ（１２）にバンプを形成するキャピラリーツール
（３４）とを具備することを特徴とする。
【００１４】また、請求項６記載の発明は、半導体チッ
プ（１２）にバンプを形成する際に使用されるチップト
レイ（１４）において、チップ収容領域（１１）に貫通
孔（１６）を有し、前記半導体チップ（１２）を該チッ
プ収容領域（１１）に収容することを特徴とする。
プ（１２）にバンプを形成する際に使用されるチップト
レイ（１４）において、チップ収容領域（１１）に貫通
孔（１６）を有し、前記半導体チップ（１２）を該チッ
プ収容領域（１１）に収容することを特徴とする。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を添付
図面を参照して詳細に説明する。
図面を参照して詳細に説明する。
【００１６】（発明の概要）図１は、本発明の第１の実
施形態に係るバンプ形成装置の構成を示すブロック図で
ある。本発明は、同図に示すように、チップトレイ１４
のチップ収容領域１１に貫通孔１６を形成し、該貫通孔
１６上に半導体チップ１２を載置した状態でチップ吸着
手段１８により各半導体チップ１２を吸着固定する。こ
れにより、チップトレイ１４に収容された半導体チップ
１２の位置決めと固定が行われる。そして、この吸着固
定された各半導体チップ１２に対し、バンプ形成手段１
０によってバンプを形成してゆくことにより、前述した
課題を解決するものである。
施形態に係るバンプ形成装置の構成を示すブロック図で
ある。本発明は、同図に示すように、チップトレイ１４
のチップ収容領域１１に貫通孔１６を形成し、該貫通孔
１６上に半導体チップ１２を載置した状態でチップ吸着
手段１８により各半導体チップ１２を吸着固定する。こ
れにより、チップトレイ１４に収容された半導体チップ
１２の位置決めと固定が行われる。そして、この吸着固
定された各半導体チップ１２に対し、バンプ形成手段１
０によってバンプを形成してゆくことにより、前述した
課題を解決するものである。
【００１７】以下、本発明の内容をさらに詳細に説明す
る。
る。
【００１８】（第１の実施形態）以下、本発明の第１の
実施形態に係るバンプ形成装置の構成を図１に示す各ブ
ロックごとに説明する。尚、同図において、半導体チッ
プ１２およびチップトレイ１４は断面図で示し、他の構
成はブロック図で示している。
実施形態に係るバンプ形成装置の構成を図１に示す各ブ
ロックごとに説明する。尚、同図において、半導体チッ
プ１２およびチップトレイ１４は断面図で示し、他の構
成はブロック図で示している。
【００１９】チップトレイ１４は、樹脂や金属等の材料
で形成され、半導体チップ１２の大きさに応じて区画さ
れたチップ収容領域１１が複数設けられる。各チップ収
容領域１１は、同図に示すように、半導体チップ１２の
幅よりもやや大きめに形成される。このチップ収容領域
１１の大きさは、半導体チップ１２の位置決め精度に応
じて決定する。例えば、半導体チップ１２の位置決め精
度を向上させてバンプ形成の自動化を図りたい場合に
は、チップ収容領域１１の開口幅を半導体チップ１２の
幅と同等の大きさで形成し、チップ収容領域１１に収容
された各半導体チップ１２が所望の位置に収容されるよ
うに構成する。
で形成され、半導体チップ１２の大きさに応じて区画さ
れたチップ収容領域１１が複数設けられる。各チップ収
容領域１１は、同図に示すように、半導体チップ１２の
幅よりもやや大きめに形成される。このチップ収容領域
１１の大きさは、半導体チップ１２の位置決め精度に応
じて決定する。例えば、半導体チップ１２の位置決め精
度を向上させてバンプ形成の自動化を図りたい場合に
は、チップ収容領域１１の開口幅を半導体チップ１２の
幅と同等の大きさで形成し、チップ収容領域１１に収容
された各半導体チップ１２が所望の位置に収容されるよ
うに構成する。
【００２０】各チップ収容領域１１には、同図に示すよ
うに、チップトレイ１４の底面に貫通する貫通孔１６が
１つ以上設けられる。この貫通孔１６の開口断面は、半
導体チップ１２の底面より小さく形成され、チップ収容
領域１１の中心に配置することが好ましい。
うに、チップトレイ１４の底面に貫通する貫通孔１６が
１つ以上設けられる。この貫通孔１６の開口断面は、半
導体チップ１２の底面より小さく形成され、チップ収容
領域１１の中心に配置することが好ましい。
【００２１】チップ吸着手段１８は、貫通孔１６を介し
て、チップ収容領域１１に収容された半導体チップ１２
を吸着する手段であり、減圧機、吸引ポンプ、真空ポン
プ等が使用される。このチップ吸着手段１８による吸引
作用により、各半導体チップ１２はチップトレイ１４の
筐体に仮固定される。望ましくは、チップ吸着手段１８
の吸着作用により、チップトレイ１４を当該チップ吸着
手段１８に吸着し、半導体チップ１２の仮固定を確実に
する。
て、チップ収容領域１１に収容された半導体チップ１２
を吸着する手段であり、減圧機、吸引ポンプ、真空ポン
プ等が使用される。このチップ吸着手段１８による吸引
作用により、各半導体チップ１２はチップトレイ１４の
筐体に仮固定される。望ましくは、チップ吸着手段１８
の吸着作用により、チップトレイ１４を当該チップ吸着
手段１８に吸着し、半導体チップ１２の仮固定を確実に
する。
【００２２】バンプ形成手段１０は、チップ吸着手段１
８の吸引作用によって仮固定された半導体チップ１２に
バンプを形成する手段であり、熱圧着法や超音波圧着法
を実施するキャピラリーツールが使用される。このバン
プ形成手段１０は、仮固定によって位置決めされた半導
体チップ１２の活性面に所定の間隔でバンプを連続的に
形成してゆく。そして、１つの半導体チップ１２のバン
プ形成が終了すると、他のチップ収容領域１１に収容さ
れた半導体チップ１２のバンプ形成を行う。この作業を
チップトレイ１４に収容されたすべての半導体チップ１
２について行う。
８の吸引作用によって仮固定された半導体チップ１２に
バンプを形成する手段であり、熱圧着法や超音波圧着法
を実施するキャピラリーツールが使用される。このバン
プ形成手段１０は、仮固定によって位置決めされた半導
体チップ１２の活性面に所定の間隔でバンプを連続的に
形成してゆく。そして、１つの半導体チップ１２のバン
プ形成が終了すると、他のチップ収容領域１１に収容さ
れた半導体チップ１２のバンプ形成を行う。この作業を
チップトレイ１４に収容されたすべての半導体チップ１
２について行う。
【００２３】上記のように構成される本発明の第１の実
施形態によれば、複数の半導体チップ１２がチップトレ
イ１４に吸着固定されるため、バンプ形成の作業効率を
向上させることができる。
施形態によれば、複数の半導体チップ１２がチップトレ
イ１４に吸着固定されるため、バンプ形成の作業効率を
向上させることができる。
【００２４】（第２の実施形態）図２は、本発明の第２
の実施形態に係るバンプ形成装置の構成を示すブロック
図である。同図に示すように、この第２の実施形態に係
るバンプ形成装置は、前述した第１の実施形態に係るバ
ンプ形成装置の構成に加え、チップトレイ１４を加熱す
るチップトレイ加熱手段２０が設けられる。
の実施形態に係るバンプ形成装置の構成を示すブロック
図である。同図に示すように、この第２の実施形態に係
るバンプ形成装置は、前述した第１の実施形態に係るバ
ンプ形成装置の構成に加え、チップトレイ１４を加熱す
るチップトレイ加熱手段２０が設けられる。
【００２５】このチップトレイ加熱手段２０は、チップ
トレイ１４に熱を供給する手段であり、光源による照射
熱や電熱線、あるいは高周波コイル等のヒーターが使用
される。このチップトレイ加熱手段２０がチップトレイ
１４に供給した熱は、該チップトレイ１４の筐体を通っ
て半導体チップ１２に伝達され、バンプ形成時に要する
熱エネルギーを補助的に供給する。
トレイ１４に熱を供給する手段であり、光源による照射
熱や電熱線、あるいは高周波コイル等のヒーターが使用
される。このチップトレイ加熱手段２０がチップトレイ
１４に供給した熱は、該チップトレイ１４の筐体を通っ
て半導体チップ１２に伝達され、バンプ形成時に要する
熱エネルギーを補助的に供給する。
【００２６】望ましくは、チップトレイ１４をアルミニ
ウムや銅等の熱伝導性の良い金属で形成し、半導体チッ
プ１２に供給する熱の損失を防止する。
ウムや銅等の熱伝導性の良い金属で形成し、半導体チッ
プ１２に供給する熱の損失を防止する。
【００２７】上記のように構成される本発明の第２の実
施形態によれば、半導体チップ１２に補助熱が供給され
るため、バンプの形成をより確実に行うことができる。
施形態によれば、半導体チップ１２に補助熱が供給され
るため、バンプの形成をより確実に行うことができる。
【００２８】（第３の実施形態）図３は、本発明の第３
の実施形態に係るバンプ形成装置の構成を示すブロック
図である。同図に示すように、この第３の実施形態に係
るバンプ形成装置は、前述した第１の実施形態に係るバ
ンプ形成装置の構成に加え、バンプ形成が終了していな
いチップトレイを連続供給するチップトレイ供給手段２
２と、バンプ形成が終了したチップトレイを収容するチ
ップトレイ収容手段２４が設けられる。
の実施形態に係るバンプ形成装置の構成を示すブロック
図である。同図に示すように、この第３の実施形態に係
るバンプ形成装置は、前述した第１の実施形態に係るバ
ンプ形成装置の構成に加え、バンプ形成が終了していな
いチップトレイを連続供給するチップトレイ供給手段２
２と、バンプ形成が終了したチップトレイを収容するチ
ップトレイ収容手段２４が設けられる。
【００２９】チップトレイ供給手段２２は、バンプが形
成されていない半導体チップ１２を収容したチップトレ
イ１４（以下、「未処理トレイ」という）をスタック
し、この未処理トレイを順次チップ吸着手段１８に供給
する手段であり、チップトレイ収容手段２４からの収容
完了通知を受信すると、未処理トレイをチップ吸着手段
１８に供給する。
成されていない半導体チップ１２を収容したチップトレ
イ１４（以下、「未処理トレイ」という）をスタック
し、この未処理トレイを順次チップ吸着手段１８に供給
する手段であり、チップトレイ収容手段２４からの収容
完了通知を受信すると、未処理トレイをチップ吸着手段
１８に供給する。
【００３０】チップトレイ収容手段２４は、バンプが形
成された半導体チップ１２を収容したチップトレイ１４
（以下、「処理済みトレイ」という）を順次収容してゆ
く手段であり、バンプ形成手段１０がバンプ形成終了後
に出力するバンプ形成終了通知を受信すると、チップ吸
着手段１８による吸着を解除し、処理済みトレイを収容
する。当該処理済みトレイの収容後、チップトレイ供給
手段２２に収容完了通知を行い、次の未処理トレイの供
給を要求する。
成された半導体チップ１２を収容したチップトレイ１４
（以下、「処理済みトレイ」という）を順次収容してゆ
く手段であり、バンプ形成手段１０がバンプ形成終了後
に出力するバンプ形成終了通知を受信すると、チップ吸
着手段１８による吸着を解除し、処理済みトレイを収容
する。当該処理済みトレイの収容後、チップトレイ供給
手段２２に収容完了通知を行い、次の未処理トレイの供
給を要求する。
【００３１】上記のように構成される本発明の第３の実
施形態によれば、バンプの形成工程がチップトレイ単位
で自動化されるため、バンプ形成の効率をより向上させ
ることができる。
施形態によれば、バンプの形成工程がチップトレイ単位
で自動化されるため、バンプ形成の効率をより向上させ
ることができる。
【００３２】
【実施例】(第１の実施例）図４は、本発明の第１の実
施例に係るバンプ形成装置の構造を示す上面図である。
以下、同図に示すバンプ形成装置の構造を各構成要素ご
とに説明する。
施例に係るバンプ形成装置の構造を示す上面図である。
以下、同図に示すバンプ形成装置の構造を各構成要素ご
とに説明する。
【００３３】チップトレイ１４には、凹状のチップ収容
領域１１が４つ形成され、それぞれ１つの半導体チップ
１２を収容する。当該各チップ収容領域１１の中央部に
は、チップトレイ１４を貫通する円形の貫通孔１６が形
成される。当該チップトレイ１４は、バンプ形成ステー
ジ２６上に載置される。
領域１１が４つ形成され、それぞれ１つの半導体チップ
１２を収容する。当該各チップ収容領域１１の中央部に
は、チップトレイ１４を貫通する円形の貫通孔１６が形
成される。当該チップトレイ１４は、バンプ形成ステー
ジ２６上に載置される。
【００３４】バンプ形成ステージ２６には、円筒状の通
気路２８を介して真空ポンプ３０が接続され、該真空ポ
ンプ３０の吸引作用によって、バンプ形成ステージ２６
内の気圧がコントロールされる。
気路２８を介して真空ポンプ３０が接続され、該真空ポ
ンプ３０の吸引作用によって、バンプ形成ステージ２６
内の気圧がコントロールされる。
【００３５】キャピラリーツール３４は、図示しない位
置決め手段により、図中の矢印で示す方向に移動し、バ
ンプ形成位置で下降してバンプを形成してゆく。このキ
ャピラリーツール３４には、Ａｕ製のワイヤー３２が挿
入されており、放電等の図示しないエネルギー供給手段
から供給されたエネルギーでこの挿入されたワイヤー３
２の先端を溶融し、当該溶融した部分を半導体チップ１
２に圧着する。
置決め手段により、図中の矢印で示す方向に移動し、バ
ンプ形成位置で下降してバンプを形成してゆく。このキ
ャピラリーツール３４には、Ａｕ製のワイヤー３２が挿
入されており、放電等の図示しないエネルギー供給手段
から供給されたエネルギーでこの挿入されたワイヤー３
２の先端を溶融し、当該溶融した部分を半導体チップ１
２に圧着する。
【００３６】図５は、図４に示すＶ−Ｖ断面を示す断面
図である。同図に示すように、バンプ形成ステージ２６
には、チップトレイ１４に形成された貫通孔１６と連通
する連通孔３６が設けられ、その一端が通気路２８に接
続される。この連通孔３６は、チップトレイ１４の底面
にも接触しており、真空ポンプ３０の吸引作用によって
半導体チップ１２をチップトレイ１４に仮固定し、チッ
プトレイ１４をバンプ形成ステージ２６に仮固定する。
図である。同図に示すように、バンプ形成ステージ２６
には、チップトレイ１４に形成された貫通孔１６と連通
する連通孔３６が設けられ、その一端が通気路２８に接
続される。この連通孔３６は、チップトレイ１４の底面
にも接触しており、真空ポンプ３０の吸引作用によって
半導体チップ１２をチップトレイ１４に仮固定し、チッ
プトレイ１４をバンプ形成ステージ２６に仮固定する。
【００３７】バンプ形成ステージ２６には、さらに、３
本のヒーター３８が埋め込まれており、当該各ヒーター
が発生した熱は、バンプ形成ステージ２６およびチップ
トレイ１４の筐体を通って半導体チップ１２に供給され
る。当該熱の供給効率を高めるため、バンプ形成ステー
ジ２６およびチップトレイ１４は金属で形成されてい
る。
本のヒーター３８が埋め込まれており、当該各ヒーター
が発生した熱は、バンプ形成ステージ２６およびチップ
トレイ１４の筐体を通って半導体チップ１２に供給され
る。当該熱の供給効率を高めるため、バンプ形成ステー
ジ２６およびチップトレイ１４は金属で形成されてい
る。
【００３８】次に、上記のように構成されるバンプ形成
装置の動作を簡単に説明する。
装置の動作を簡単に説明する。
【００３９】まず、バンプ形成ステージ２６内に形成さ
れたヒーターを加熱し、バンプ形成ステージ２６全体を
温める。
れたヒーターを加熱し、バンプ形成ステージ２６全体を
温める。
【００４０】次に、バンプ形成ステージ２６の連通孔３
６と未処理トレイの貫通孔１６の位置を合わせながら、
当該未処理トレイをバンプ形成ステージ２６上に載置
し、真空ポンプ３０を作動させる。
６と未処理トレイの貫通孔１６の位置を合わせながら、
当該未処理トレイをバンプ形成ステージ２６上に載置
し、真空ポンプ３０を作動させる。
【００４１】その後、キャピラリーツール３４を図４に
示すような経路で移動させて半導体チップ１２にバンプ
を形成してゆく。
示すような経路で移動させて半導体チップ１２にバンプ
を形成してゆく。
【００４２】チップトレイ１４に収容されたすべての半
導体チップ１２についてバンプの形成が終了したら、真
空ポンプをリークして処理済みトレイを取り外し、バン
プ形成ステージ２６に次の未処理トレイを載置する。
導体チップ１２についてバンプの形成が終了したら、真
空ポンプをリークして処理済みトレイを取り外し、バン
プ形成ステージ２６に次の未処理トレイを載置する。
【００４３】以上の一連の動作を繰り返し、バンプの形
成を連続的に実行する。
成を連続的に実行する。
【００４４】尚、本実施例ではＡｕ製ワイヤーによるＡ
ｕバンプ形成について述べたが、本発明は、Ａｕ製ワイ
ヤーに限定されるものではなく、ハンダ製ワイヤー、Ｃ
ｕ製ワイヤー、その他によるものであっても同様の作用
を示す。
ｕバンプ形成について述べたが、本発明は、Ａｕ製ワイ
ヤーに限定されるものではなく、ハンダ製ワイヤー、Ｃ
ｕ製ワイヤー、その他によるものであっても同様の作用
を示す。
【００４５】（第２の実施例）図６は、本発明の第２の
実施例に係るバンプ形成装置の構造を示す側面図であ
る。同図に示すバンプ形成装置は、前述した第１の実施
例に係るバンプ形成装置の自動化をさらに進めたもので
ある。
実施例に係るバンプ形成装置の構造を示す側面図であ
る。同図に示すバンプ形成装置は、前述した第１の実施
例に係るバンプ形成装置の自動化をさらに進めたもので
ある。
【００４６】同図に示すバンプ形成装置において、供給
側トレイマガジン４４は、複数の未処理トレイをスタッ
クする装置であり、その内部には、未処理トレイを載置
する供給側トレイスタンド４２と、該供給側トレイスタ
ンド４２に載置された未処理トレイを押し出す供給側ト
レイプッシャ４０が設けられる。この供給側トレイマガ
ジン４４には、電動ジャッキやベローズ等で構成された
供給側昇降機構４６が接続され、上下動が可能となるよ
うに構成されている。
側トレイマガジン４４は、複数の未処理トレイをスタッ
クする装置であり、その内部には、未処理トレイを載置
する供給側トレイスタンド４２と、該供給側トレイスタ
ンド４２に載置された未処理トレイを押し出す供給側ト
レイプッシャ４０が設けられる。この供給側トレイマガ
ジン４４には、電動ジャッキやベローズ等で構成された
供給側昇降機構４６が接続され、上下動が可能となるよ
うに構成されている。
【００４７】予備加熱ステージ５６は、供給側トレイマ
ガジン４４から供給された未処理トレイを所定温度に加
熱し、バンプ形成ステージ２６に移送する。バンプ形成
ステージ２６に移送されたチップトレイ１４は、前述し
た第１の実施例で説明した動作により処理され、収容側
トレイマガジン５２に収容される。
ガジン４４から供給された未処理トレイを所定温度に加
熱し、バンプ形成ステージ２６に移送する。バンプ形成
ステージ２６に移送されたチップトレイ１４は、前述し
た第１の実施例で説明した動作により処理され、収容側
トレイマガジン５２に収容される。
【００４８】収容側トレイマガジン５２には、供給側ト
レイマガジン４４と同様に、バンプ形成の終了した処理
済みトレイを供給側トレイマガジン４４内に押し込む収
容側トレイプッシャ４８と、当該収容側トレイプッシャ
４８によって押し込まれた処理済みトレイを載置する収
容側トレイスタンド５０が設けられ、この収容側トレイ
マガジン５２にも電動ジャッキ等で構成された収容側昇
降機構５４が接続される。
レイマガジン４４と同様に、バンプ形成の終了した処理
済みトレイを供給側トレイマガジン４４内に押し込む収
容側トレイプッシャ４８と、当該収容側トレイプッシャ
４８によって押し込まれた処理済みトレイを載置する収
容側トレイスタンド５０が設けられ、この収容側トレイ
マガジン５２にも電動ジャッキ等で構成された収容側昇
降機構５４が接続される。
【００４９】以下、上記のように構成されるバンプ形成
装置の動作を簡単に説明する。
装置の動作を簡単に説明する。
【００５０】まず、供給側昇降機構４６により供給側ト
レイマガジン４４を一段上昇させ、供給側トレイプッシ
ャ４０によって供給側トレイスタンド４２に載置された
チップトレイ１４を予備加熱ステージ５６に押し出す。
レイマガジン４４を一段上昇させ、供給側トレイプッシ
ャ４０によって供給側トレイスタンド４２に載置された
チップトレイ１４を予備加熱ステージ５６に押し出す。
【００５１】次に、当該押し出されたチップトレイ１４
を前に押し出されたチップトレイ１４の処理が終了する
まで予備加熱ステージ５６で加熱する。そして、当該前
に押し出されたチップトレイ１４の処理が終了したら、
予備加熱ステージ５６上のチップトレイ１４をバンプ形
成ステージに移送する。
を前に押し出されたチップトレイ１４の処理が終了する
まで予備加熱ステージ５６で加熱する。そして、当該前
に押し出されたチップトレイ１４の処理が終了したら、
予備加熱ステージ５６上のチップトレイ１４をバンプ形
成ステージに移送する。
【００５２】その後、バンプ形成ステージ２６上で、真
空ポンプ３０による吸着、キャピラリーツール３４によ
るバンプ形成を行い、バンプ形成の終了後、収容側トレ
イマガジン５２を一段下降させ、収容側トレイプッシャ
４８でチップトレイ１４を収容側トレイスタンド５０に
押し込む。
空ポンプ３０による吸着、キャピラリーツール３４によ
るバンプ形成を行い、バンプ形成の終了後、収容側トレ
イマガジン５２を一段下降させ、収容側トレイプッシャ
４８でチップトレイ１４を収容側トレイスタンド５０に
押し込む。
【００５３】チップトレイ１４の収容後、再び、供給側
トレイマガジン４４を一段上昇させてチップトレイ１４
を供給する。以上説明した一連の動作を繰り返し、バン
プの形成をトレイ単位で連続的に実行する。
トレイマガジン４４を一段上昇させてチップトレイ１４
を供給する。以上説明した一連の動作を繰り返し、バン
プの形成をトレイ単位で連続的に実行する。
【００５４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
バンプ形成効率を向上させるのに有効なバンプ形成装置
およびバンプ形成に使用されるチップトレイを提供する
ことができる。
バンプ形成効率を向上させるのに有効なバンプ形成装置
およびバンプ形成に使用されるチップトレイを提供する
ことができる。
【００５５】また、本発明の第１の実施形態によれば、
複数の半導体チップ１２がチップトレイ１４に吸着固定
されるため、バンプ形成の作業効率を向上させることが
できる。
複数の半導体チップ１２がチップトレイ１４に吸着固定
されるため、バンプ形成の作業効率を向上させることが
できる。
【００５６】また、本発明の第２の実施形態によれば、
半導体チップ１２に補助熱が供給されるため、バンプの
形成をより確実に行うことができる。
半導体チップ１２に補助熱が供給されるため、バンプの
形成をより確実に行うことができる。
【００５７】また、本発明の第３の実施形態によれば、
バンプの形成工程がチップトレイ単位で自動化されるた
め、バンプ形成の効率をより向上させることができる。
バンプの形成工程がチップトレイ単位で自動化されるた
め、バンプ形成の効率をより向上させることができる。
【図１】本発明の第１の実施形態に係るバンプ形成装置
の構成を示すブロック図である。
の構成を示すブロック図である。
【図２】本発明の第２の実施形態に係るバンプ形成装置
の構成を示すブロック図である。
の構成を示すブロック図である。
【図３】本発明の第３の実施形態に係るバンプ形成装置
の構成を示すブロック図である。
の構成を示すブロック図である。
【図４】本発明の第１の実施例に係るバンプ形成装置の
構造を示す上面図である。
構造を示す上面図である。
【図５】図４に示すＶ−Ｖ断面を示す断面図である。
【図６】本発明の第２の実施例に係るバンプ形成装置の
構造を示す側面図である。
構造を示す側面図である。
１０…バンプ形成手段、１１…チップ収容領域、１２…
半導体チップ、１４…チップトレイ、１６…貫通孔、１
８…チップ吸着手段、２０…チップトレイ加熱手段、２
２…チップトレイ供給手段、２４…チップトレイ収容手
段、２６…バンプ形成ステージ、２８…通気路、３０…
真空ポンプ、３２…ワイヤー、３４…キャピラリーツー
ル、３６…連通孔、３８…ヒーター、４０…供給側トレ
イプッシャ、４２…供給側トレイスタンド、４４…供給
側トレイマガジン、４６…供給側昇降機構、４８…収容
側トレイプッシャ、５０…収容側トレイスタンド、５２
…収容側トレイマガジン、５４…収容側昇降機構、５６
…予備加熱ステージ
半導体チップ、１４…チップトレイ、１６…貫通孔、１
８…チップ吸着手段、２０…チップトレイ加熱手段、２
２…チップトレイ供給手段、２４…チップトレイ収容手
段、２６…バンプ形成ステージ、２８…通気路、３０…
真空ポンプ、３２…ワイヤー、３４…キャピラリーツー
ル、３６…連通孔、３８…ヒーター、４０…供給側トレ
イプッシャ、４２…供給側トレイスタンド、４４…供給
側トレイマガジン、４６…供給側昇降機構、４８…収容
側トレイプッシャ、５０…収容側トレイスタンド、５２
…収容側トレイマガジン、５４…収容側昇降機構、５６
…予備加熱ステージ
Claims (6)
- 【請求項１】 半導体チップ（１２）にバンプを形成す
るバンプ形成装置において、 チップ収容領域（１１）に貫通孔（１６）を有し、前記
半導体チップ（１２）を該チップ収容領域（１１）に収
容するチップトレイ（１４）と、 前記チップトレイ（１４）に収容された前記半導体チッ
プ（１２）を前記貫通孔（１６）を介して吸着するチッ
プ吸着手段（１８）と、 前記チップ吸着手段が吸着した半導体チップ（１２）に
バンプを形成するバンプ形成手段とを具備することを特
徴とするバンプ形成装置。 - 【請求項２】 前記チップ吸着手段（１８）は、 前記半導体チップ（１２）とともに前記チップトレイ
（１４）を吸着することを特徴とする請求項１記載のバ
ンプ形成装置。 - 【請求項３】 前記チップトレイ（１４）を加熱するチ
ップトレイ加熱手段（２０）をさらに具備し、 前記チップトレイ（１４）は、 熱伝導性の良い材料で形成されていることを特徴とする
請求項１または請求項２記載のバンプ形成装置。 - 【請求項４】 バンプが形成されていない半導体チップ
（１２）を複数収容した前記チップトレイ（１４）を前
記チップ吸着手段（１８）に連続供給するチップトレイ
供給手段（２２）と、 前記バンプ形成手段（１０）によるバンプの形成が終了
したチップトレイ（１４）を前記チップ吸着手段（１
８）から取り外し、順次収容するチップトレイ収容手段
（２４）とをさらに具備することを特徴とする請求項１
乃至請求項３のいずれかに記載のバンプ形成装置。 - 【請求項５】 半導体チップ（１２）にバンプを形成す
るバンプ形成装置において、 チップ収容領域（１１）に貫通孔（１６）を有し、前記
半導体チップ（１２）を該チップ収容領域（１１）に収
容するチップトレイ（１４）と、 前記貫通孔（１６）と連通する連通孔（３６）および前
記チップトレイ（１４）を加熱するヒーター（３８）を
有し、前記チップトレイ（１４）を載置するバンプ形成
ステージ（２６）と、 前記チップトレイ（１４）に収容された前記半導体チッ
プ（１２）を前記貫通孔（１６）および前記連通孔（３
６）を介して吸引する真空ポンプ（３０）と、 前記真空ポンプ（３０）によって吸引されている半導体
チップ（１２）にバンプを形成するキャピラリーツール
（３４）とを具備することを特徴とするバンプ形成装
置。 - 【請求項６】 半導体チップ（１２）にバンプを形成す
る際に使用されるチップトレイ（１４）において、 チップ収容領域（１１）に貫通孔（１６）を有し、前記
半導体チップ（１２）を該チップ収容領域（１１）に収
容することを特徴とするチップトレイ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7566998A JPH11274202A (ja) | 1998-03-24 | 1998-03-24 | バンプ形成装置およびバンプ形成に使用されるチップトレイ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7566998A JPH11274202A (ja) | 1998-03-24 | 1998-03-24 | バンプ形成装置およびバンプ形成に使用されるチップトレイ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11274202A true JPH11274202A (ja) | 1999-10-08 |
Family
ID=13582852
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7566998A Pending JPH11274202A (ja) | 1998-03-24 | 1998-03-24 | バンプ形成装置およびバンプ形成に使用されるチップトレイ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11274202A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002093824A (ja) * | 2000-09-13 | 2002-03-29 | Fujitsu Ltd | 電子部品、整列パレット、及び、電子部品のアライメント方法 |
| KR100396982B1 (ko) * | 2000-12-20 | 2003-09-02 | 한미반도체 주식회사 | 반도체패키지 적재 테이블장치 |
| WO2005062375A1 (en) * | 2003-12-22 | 2005-07-07 | Hanmi Semiconductor Co., Ltd | Transfer mechanism and transfer method of semiconductor package |
| KR100761310B1 (ko) | 2006-02-01 | 2007-09-27 | (주)테크윙 | 테스트 핸들러용 소팅 테이블 장치 |
| US7455213B2 (en) | 2003-10-02 | 2008-11-25 | Seiko Epson Corporation | Apparatus for manufacturing semiconductor devices, method of manufacturing the semiconductor devices, and semiconductor device manufactured by the apparatus and method |
| CN109524313A (zh) * | 2017-09-19 | 2019-03-26 | 捷进科技有限公司 | 半导体制造装置、半导体器件的制造方法及筒夹 |
| JP2020188148A (ja) * | 2019-05-15 | 2020-11-19 | 住友電気工業株式会社 | サセプタ、および半導体素子の製造方法 |
-
1998
- 1998-03-24 JP JP7566998A patent/JPH11274202A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002093824A (ja) * | 2000-09-13 | 2002-03-29 | Fujitsu Ltd | 電子部品、整列パレット、及び、電子部品のアライメント方法 |
| KR100396982B1 (ko) * | 2000-12-20 | 2003-09-02 | 한미반도체 주식회사 | 반도체패키지 적재 테이블장치 |
| US7455213B2 (en) | 2003-10-02 | 2008-11-25 | Seiko Epson Corporation | Apparatus for manufacturing semiconductor devices, method of manufacturing the semiconductor devices, and semiconductor device manufactured by the apparatus and method |
| WO2005062375A1 (en) * | 2003-12-22 | 2005-07-07 | Hanmi Semiconductor Co., Ltd | Transfer mechanism and transfer method of semiconductor package |
| KR100761310B1 (ko) | 2006-02-01 | 2007-09-27 | (주)테크윙 | 테스트 핸들러용 소팅 테이블 장치 |
| CN109524313A (zh) * | 2017-09-19 | 2019-03-26 | 捷进科技有限公司 | 半导体制造装置、半导体器件的制造方法及筒夹 |
| CN109524313B (zh) * | 2017-09-19 | 2022-12-30 | 捷进科技有限公司 | 半导体制造装置、半导体器件的制造方法及筒夹 |
| JP2020188148A (ja) * | 2019-05-15 | 2020-11-19 | 住友電気工業株式会社 | サセプタ、および半導体素子の製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040402 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20041109 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050308 |