JP2001035871A - チップトレイ及びそれを用いたフリップチップ形成方法 - Google Patents

チップトレイ及びそれを用いたフリップチップ形成方法

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Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【課題】 個々のチップをチップトレイに収納した状態
でチップにバンプを搭載してフリップチップを形成する
ことを実現したチップトレイとフリップチップ形成方法
を提供する。 【解決手段】 チップトレイ1の表面にはチップ収納凹
所5が形成されている領域が表面側に突出した凸部2が
形成され、チップ収納凹所の内底面には裏面側に貫通し
た真空吸着用の貫通穴6が開口される。チップ収納凹所
にチップ11を入れて、チップトレイの裏面側から貫通
穴を通してチップをチップ収納凹所内で真空吸着し、チ
ップトレイ上においてチップの上面にフラックス32を
塗布し、チップの上面に金属ボール12を搭載し、チッ
プトレイ及びチップを加熱して金属ボールをリフローし
てチップ上のパッドに接合し、フリップチップ11Aを
形成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体素子チップ
(以下、単にチップと称する)を収納するためのチップ
トレイと、このチップトレイを利用してチップに電極バ
ンプを形成するフリップチップ形成方法に関するもので
ある。
【0002】
【従来の技術】チップ上に金又は半田バンプを形成した
フリップチップ構造の半導体装置が各種開発されてい
る。この半導体装置では、チップ上にバンプを形成した
フリップチップを作る工法として、メッキを使った方法
等、種々の工法が提案されているが、比較的に工法が簡
単なものとして、半田もしくは金ボールを半導体素子上
のパッド上に整列搭載する方法がある。このような、半
田ボールをパッド上に搭載する工法では、先ず、チップ
のパッド表面にフラックスのような表面活性剤を塗布し
た上で、パッド上に半田ボールを搭載し、かつ加熱して
半田ボールのパッド接触面部分を溶融し、パッドと半田
ボールを接合させている。最後にチップ表面を洗浄して
フラックスを除去し、その後乾燥することでフリップチ
ップの形成が完了する。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】このような従来の半田
ボール搭載方法によるフリップチップ形成では、チップ
がウェハから切断分離される前のウェハ状態においてフ
リップチップ形成を行う場合と、ウェハからから切り出
された個々のチップに対して半田バンプを形成する場合
がある。複数のチップに対してバンプ形成を一括処理で
きるという点で前者の工法は有利であるが、ウェハから
チップを切り出すときにバンプが損傷を受け易くなり、
製造歩留りの点で問題が生じる。また、チップを切り出
した後に、チップを1つずつチップトレイに収納する
が、その際に形成したバンプによりチップのハンドリン
グが困難になるという問題も生じる。一方、個々のチッ
プに対して半田バンプを形成する後者の工法では、この
ような問題が生じることは少なく、高い製造歩留りが得
られるとともに、チップトレイへの収納性が改善でき
る。しかしながら、その一方で、切り出されたチップ単
位で半田バンプを形成する場合には、フラックス塗布や
リフロー等個々の工程において、チップを個々にピンセ
ットなどでハンドリングする必要があり、ハンドリング
時にチップにクラックを生じたり、チップを落下させて
しまうと言った作業ミスで良品チップを不良にしてしま
うおそれがあり、この点で改善が要求されている。
【0004】このような問題に対しては、ウェハから切
り出した個々のチップに対して半田ボールを搭載する際
に、個々のチップをチップトレイに収納した状態で処理
を行うことで、チップのハンドリングを不要にし、前記
した問題を解決しようとする技術も考えられている。し
かしながら、従来のチップトレイは樹脂で形成されてい
るため、リフロー時に半田を溶融すべく200〜350
℃程度加熱したときに、チップトレイが熱変形、あるい
は熱損傷される等してリフローに対する耐熱性が無く、
このようなバンプ形成技術を実現することは困難であ
る。
【0005】本発明の目的は、個々のチップをチップト
レイに収納した状態でチップにバンプを搭載してフリッ
プチップを形成することを実現したチップトレイとフリ
ップチップ形成方法を提供するものである。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は、耐熱性材料に
より構成され、表面にはそれぞれチップを収納する複数
個のチップ収納凹所が形成されたチップトレイであっ
て、前記チップトレイの表面には前記チップ収納凹所が
形成されている領域が表面側に突出した凸部が形成さ
れ、かつ前記チップトレイの裏面は前記凸部が嵌入可能
な凹部が形成され、前記チップ収納凹所の内底面には前
記チップトレイの裏面側に貫通した真空吸着用の貫通穴
が開口されていることを特徴とする。特に、チップ収納
凹所の深さは、前記チップの厚みとほぼ等しいことが好
ましい。また、チップ収納凹所の内縁には面取り部が形
成されていることが好ましい。
【0007】本発明のフリップチップの形成方法は、前
記した本発明のチップトレイのチップ収納凹所にチップ
を入れる工程と、前記チップを前記チップ収納凹所内で
位置決めし、かつ前記チップトレイの裏面側から前記貫
通穴を通して真空吸引して前記チップを前記チップ収納
凹所内で真空吸着する工程と、前記チップトレイ上にお
いて前記チップの上面にフラックスを塗布する工程と、
前記チップの上面のパッド上に金属ボールを搭載する工
程と、前記チップトレイ及びチップを加熱して前記金属
ボールをリフローし、前記金属ボールを前記パッドに接
合する工程とを含むことを特徴とする。ここで、チップ
にフラックスを塗布する工程がスクリーン印刷法である
ことが好ましい。
【0008】本発明においては、チップをウェハから切
り出してチップトレイに収納しておけば、以降はチップ
をチップトレイから取り出すことなくチップに金属バン
プを搭載してフリップチップを形成することができるた
め、個々のチップをハンドリングするための工数が不要
となる。また、個々のチップに金属ボールを搭載する際
に、チップトレイ上の複数のチップを同時に真空吸着に
より保持し、かつ各チップの位置決めを行うため、これ
らの作業を個々のチップ毎に行う場合に比較して作業効
率が改善される。さらに、ハンドリングに際してのチッ
プの破損や、金属バンプを形成後のチップの保管時等に
おけるチップの破損が防止できるため、不良品の発生が
抑制でき、製造歩留りが向上される。
【0009】なお、特開昭57−40952号公報、特
開昭61−210654号公報、特開平1−21318
1号公報、特開平9−134953号公報には、それぞ
れチップを収納するチップトレイの構成が開示されてお
り、チップトレイのチップ収納部の底面に吸着孔を設け
た構成が記載されているが、何れのチップトレイもチッ
プトレイにチップを収納した状態でフリップチップを形
成するためのものではなく、この点で本発明のチップト
レイとは構成、作用の点で異なるものである。
【0010】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施形態を図面を
参照して説明する。図1(a),(b)は本発明のチッ
プトレイの平面図とAA線断面図である。チップトレイ
1は、素材として金属のような耐熱性材料が用いられ
る。前記チップトレイ1は矩形をした平面形状をしてお
り、その表面の周辺部4を除く領域は、周辺部よりも表
面側に突出された凸部2として構成さられている。ま
た、これに対応してチップトレイ1の裏面の周辺部4を
除く領域には凹部3が形成されている。前記凹部3は前
記凸部2とほぼ同じ平面形状であり、そのため複数のチ
ップトレイを重ねたときに、下側のチップトレイの凸部
2は上側のチップトレイの凹部3に嵌合され、上下の各
チップトレイが密接された状態になる。また、前記チッ
プトレイ1の凸部2の表面には、図2(a),(b)に
拡大平面図と断面図を示すように、収納しようとするチ
ップのサイズに合わせて矩形をした複数のチップ収納凹
所5が配列形成されている。前記チップ収納凹所5の底
面にはチップトレイ1の裏面の前記凹部3に貫通する貫
通穴6が開口されている。ここでは、前記貫通穴6は各
チップ収納凹所5のそれぞれに5つずつ開口されてい
る。
【0011】なお、前記チップ収納凹所5は、図3
(a),(b)に拡大平面図と断面図を示すように、チ
ップ収納凹所5の内底面に浅い溝、ここでは十字型の浅
溝7を形成し、その浅溝7の一部にチップトレイ1の裏
面の凹部3に貫通する貫通穴6を開口する構成としても
よい。なお、この場合には貫通穴6は1つで十分であ
る。ここで、図4(a)に示すように、前記チップ収納
凹所5の深さはチップ11の厚みと殆ど同一寸法に設定
されている。また、図4(b)に示すように、チップ収
納凹所5の内縁部には面取り部8を設けてもよい。
【0012】以上の構成のチップトレイ1を用いたチッ
プの収納作用とともに、チップに対する半田バンプの形
成方法を説明する。図5は半田バンプの形成工程を示す
工程断面図である。先ず、図5(a)のように、チップ
トレイ1の各チップ収納凹所5内にチップ11を収納す
る。この収納では、これまでと同様にウェハから切り出
されたチップ11がそれぞれチップ収納凹所5に入れら
れる。このとき、チップに設けられている図外のパッド
(電極パッド)が上側を向くように入れられる。そし
て、この状態では、図6に示すように、複数のチップト
レイ1はトレイ設置部に重ねられた状態で保管される
が、このときチップトレイ1は表面の凸部2が、上側の
チップトレイの裏面の凹部3に嵌合されるため、最上の
チップトレイを除く下側のチップトレイの各チップ11
は、上側のチップトレイの裏面の凹部3の下面によって
覆われることになり、チップトレイ1の搬送時において
もチップ11がチップ収納凹所5から脱落されることは
ない。
【0013】その上で、チップトレイ1をフラックス塗
布・半田ボール搭載装置20に設置する。前記フラック
ス塗布・半田ボール搭載装置20は上面に真空吸着用の
凹部22を有するステージ21を有しており、前記チッ
プトレイ1の周辺部4が前記ステージ21に載置され、
ステージ上面に設けられた密接材23によってチップト
レイ1の周辺部4とステージ21の上面とが気密状態に
密接される。しかる上で、ステージ21の凹部22内を
真空吸引穴24を通して図外の真空ポンプで真空引きす
ると、チップトレイ1の裏面側領域は真空状態となり、
その結果チップ収納凹所5の底面に設けた貫通穴6を通
してチップ11が真空引きされ、チップ収納凹所5の内
底面に真空吸着される。また、このチップ11の真空吸
着と同時に各チップ収納凹所5内でのチップ11の位置
決めを行うことで、個々のチップ11はチップトレイ1
に対して所定の位置に真空吸着によってその位置が保持
されることになる。
【0014】次いで、図5(b)のように、前記チップ
トレイ1に保持された各チップ11に対して、各上面に
フラックス塗布を行う。このフラックス塗布は、マスク
31をチップトレイ上に配置し、マスク上からフラック
ス32をスクイジ33によりスキージすることで、スク
リーン印刷法によって各チップ11の上面に選択的に塗
布することが可能である。続いて、図5(c)のよう
に、半田ボール搭載装置20の可動ツール25により複
数の半田ボール12を各チップ11の上面、すなわちチ
ップ上面のパッド上に搭載する。しかる上で、図5
(d)のように、チップトイレ1をヒータ装置等におい
て200〜350℃程度加熱し、半田ボール12をパッ
ドとの当接面の部分で溶融させるリフローを行い、半田
ボール12をパッドに接合する。このとき、チップトレ
イ1は耐熱材料で構成されているため、チップトレイ1
が熱により損傷されることはない。これにより、各チッ
プ11上に半田バンプが形成される。しかる後、図5
(e)のように、チップトレイ1の上面から洗浄液34
をかけ、洗浄、すすぎ、さらに乾燥することでフリップ
チップ11Aの形成が完了する。
【0015】このように、フリップチップ11Aを形成
した後は、チップトレイ1をトレイ収納部に搬送するこ
とで、フリップチップ11Aはチップトレイ1に入れら
れた状態のまま収納部に収納されることになる。以上の
作業は、個々のチップトレイごとに行われ、半田バンプ
が形成されたフリップチップ11Aを収納するチップト
レイ1は、順次トレイ収納部において重ねられること
で、図6に示したように、複数のチップトレイ1を前記
したように表面凸部が裏面凹部に嵌入された状態で重ね
て収納することが可能である。そのため、重ねられた複
数のチップトレイを搬送する際には、チップ収納凹所5
内のフリップチップ11Aは、上側のチップトレイによ
って覆われることになり、搬送時にチップ収納凹所から
脱落することが防止される。
【0016】以上のように、チップをウェハから切り出
してチップトレイに収納しておけば、以降はチップをチ
ップトレイから取り出すことなくチップに半田バンプを
搭載してフリップチップを形成することができるため、
個々のチップをハンドリングするための工数が不要であ
り、製造効率を高めることができる。また、個々のチッ
プに半田ボールを搭載する際に、チップトレイ上の複数
のチップを同時に真空吸着により保持し、かつ各チップ
の位置決めを行うため、これらの作業を個々のチップ毎
に行う場合に比較して、作業効率を高めることが可能と
なる。さらに、ハンドリングに際してのチップの破損
や、半田バンプを形成後のチップの保管時等におけるチ
ップの破損が防止できるため、不良品の発生が抑制で
き、製造歩留りを向上することが可能となる。
【0017】ここで、図4(a)に示したように、チッ
プ収納凹所5の深さをチップ11の厚みにほぼ等しくし
ているので、フラックス32の塗布時にスクリーン印刷
を用いる場合でも、印刷面に段差が生じることがなく、
好適なフラックスの塗布が可能となる。また、図4
(b)に示したように、チップトレイのチップ収納凹所
5の内縁部に面取り部8を設けておくことで、チップ1
1をチップ収納凹所5に入れ易くすることができ、かつ
チップトレイ1を金属で形成した場合でも内縁部の角に
チップ11が衝突してチップ11に欠けが生じるような
こともない。なお、本発明は半田以外の金属バンプで構
成されるフリップチップを形成する場合にも適用可能で
あることは言うまでもない。
【0018】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のチップト
レイを用いれば、チップをチップ収納凹所に収納した状
態でチップに金属バンプを搭載してフリップチップを形
成することができる。そのため、個々のチップをハンド
リングするための工数が不要となり、製造効率を高める
ことができる。また、複数のチップに対して同時に位置
決めを行って金属バンプを形成することができるため、
作業効率を高めることができる。さらに、ハンドリング
に際してのチップの破損や、半田バンプを形成後のチッ
プの保管時等におけるチップの破損が防止できるため、
不良品の発生が抑制でき、製造歩留りを向上し、かつ信
頼性を高めることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のチップトレイの平面図とAA線断面図
である。
【図2】チップ収納凹所の平面図と断面図である。
【図3】チップ収納凹所の変形例の平面図と断面図であ
る。
【図4】チップ収納凹所の拡大断面図である。
【図5】本発明のチップトレイを用いたフリップチップ
の形成方法を工程順に示す断面図である。
【図6】本発明のチップトレイを重ねた状態の断面図で
ある。
【符号の説明】
1 チップトレイ 2 凸部 3 凹部 4 周辺部 5 チップ収納凹所 6 貫通穴 7 浅溝 8 面取り部 11 チップ 11A フリップチップ 12 半田ボール 20 フラックス塗布・半田ボール搭載装置 21 ステージ 22 凹部 24 真空吸引穴 25 ツール 31 マスク 32 フラックス

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 耐熱性材料により構成され、表面にはそ
    れぞれチップを収納する複数個のチップ収納凹所が形成
    されたチップトレイであって、前記チップトレイの表面
    には前記チップ収納凹所が形成されている領域が表面側
    に突出した凸部が形成され、かつ前記チップトレイの裏
    面は前記凸部が嵌入可能な凹部が形成され、前記チップ
    収納凹所の内底面には前記チップトレイの裏面側に貫通
    した真空吸着用の貫通穴が開口されていることを特徴と
    するチップトレイ。
  2. 【請求項2】 前記チップ収納凹所の深さは、前記チッ
    プの厚みとほぼ等しいことを特徴とする請求項1に記載
    のチップトレイ。
  3. 【請求項3】 前記チップ収納凹所の内縁には面取り部
    が形成されていることを特徴とする請求項1または2に
    記載のチップトレイ。
  4. 【請求項4】 請求項1ないし3のいずれかに記載のチ
    ップトレイのチップ収納凹所にチップを入れる工程と、
    前記チップを前記チップ収納凹所内で位置決めし、かつ
    前記チップトレイの裏面側から前記貫通穴を通して真空
    吸引して前記チップを前記チップ収納凹所内で真空吸着
    する工程と、前記チップトレイ上において前記チップの
    上面にフラックスを塗布する工程と、前記チップの上面
    のパッド上に金属ボールを搭載する工程と、前記チップ
    トレイ及びチップを加熱して前記金属ボールをリフロー
    し、前記金属ボールを前記パッドに接合する工程とを含
    むことを特徴とするチップトレイを用いたフリップチッ
    プ形成方法。
  5. 【請求項5】 前記チップにフラックスを塗布する工程
    がスクリーン印刷法であることを特徴とする請求項4に
    記載のチップトレイを用いたフリップチップ形成方法。
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Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1299052C (zh) * 2001-12-25 2007-02-07 乐金电子(天津)电器有限公司 微波炉的解冻控制装置
US7455213B2 (en) 2003-10-02 2008-11-25 Seiko Epson Corporation Apparatus for manufacturing semiconductor devices, method of manufacturing the semiconductor devices, and semiconductor device manufactured by the apparatus and method
WO2009096897A1 (en) * 2008-01-30 2009-08-06 Advanced Systems Automation Limited Positioning apparatus and method
FR2987695A1 (fr) * 2012-07-03 2013-09-06 Commissariat Energie Atomique Dispositif et procede de support individuel de composants
KR20140003720A (ko) * 2012-06-25 2014-01-10 삼성전자주식회사 지그 및 그 제작방법과 지그를 이용한 초음파 프로브용 칩의 플립 칩 본딩방법
US9455174B2 (en) 2012-07-03 2016-09-27 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Device and method for individual support of components
CN106057719A (zh) * 2016-06-29 2016-10-26 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂) 一种实现陶瓷贴片封装器件铝镍键合的加工夹具及其加工方法
JP2016197689A (ja) * 2015-04-06 2016-11-24 三菱電機株式会社 半導体試験治具、半導体装置の試験方法
US9887113B2 (en) 2014-09-09 2018-02-06 Synaptics Japan Gk Semiconductor chip tray
CN110085524A (zh) * 2014-05-12 2019-08-02 天工方案公司 用于处理单片化射频单元的设备和方法

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1299052C (zh) * 2001-12-25 2007-02-07 乐金电子(天津)电器有限公司 微波炉的解冻控制装置
US7455213B2 (en) 2003-10-02 2008-11-25 Seiko Epson Corporation Apparatus for manufacturing semiconductor devices, method of manufacturing the semiconductor devices, and semiconductor device manufactured by the apparatus and method
WO2009096897A1 (en) * 2008-01-30 2009-08-06 Advanced Systems Automation Limited Positioning apparatus and method
KR20140003720A (ko) * 2012-06-25 2014-01-10 삼성전자주식회사 지그 및 그 제작방법과 지그를 이용한 초음파 프로브용 칩의 플립 칩 본딩방법
KR101931358B1 (ko) 2012-06-25 2018-12-31 삼성전자주식회사 지그 및 그 제작방법과 지그를 이용한 초음파 프로브용 칩의 플립 칩 본딩방법
FR2987695A1 (fr) * 2012-07-03 2013-09-06 Commissariat Energie Atomique Dispositif et procede de support individuel de composants
US9455174B2 (en) 2012-07-03 2016-09-27 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Device and method for individual support of components
CN110085524A (zh) * 2014-05-12 2019-08-02 天工方案公司 用于处理单片化射频单元的设备和方法
US9887113B2 (en) 2014-09-09 2018-02-06 Synaptics Japan Gk Semiconductor chip tray
JP2016197689A (ja) * 2015-04-06 2016-11-24 三菱電機株式会社 半導体試験治具、半導体装置の試験方法
CN106057719A (zh) * 2016-06-29 2016-10-26 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂) 一种实现陶瓷贴片封装器件铝镍键合的加工夹具及其加工方法

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