JP2001308125A - 実装基板及び半導体装置 - Google Patents
実装基板及び半導体装置Info
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- JP2001308125A JP2001308125A JP2000119726A JP2000119726A JP2001308125A JP 2001308125 A JP2001308125 A JP 2001308125A JP 2000119726 A JP2000119726 A JP 2000119726A JP 2000119726 A JP2000119726 A JP 2000119726A JP 2001308125 A JP2001308125 A JP 2001308125A
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- semiconductor chip
- lands
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 リフロー工程においてランド内にフラックス
の突沸現象が発生しても、ランド上から金属ボールが飛
散することを抑制できる実装基板及び半導体装置を提供
する。 【解決手段】 本発明に係る半導体装置は、ポリイミド
テープ１１と、このポリイミドテープ１１の一方の主面
に実装された半導体チップ１４と、ポリイミドテープ１
１の他方の主面に形成されたランド１２と、このランド
１２に接続され、半導体チップ１４に電気的に接続され
た金属ボール１６と、を具備するものである。上記ラン
ド１２の平面形状は、略円形に気体を抜くための領域１
２ａが付加された形状である。
の突沸現象が発生しても、ランド上から金属ボールが飛
散することを抑制できる実装基板及び半導体装置を提供
する。 【解決手段】 本発明に係る半導体装置は、ポリイミド
テープ１１と、このポリイミドテープ１１の一方の主面
に実装された半導体チップ１４と、ポリイミドテープ１
１の他方の主面に形成されたランド１２と、このランド
１２に接続され、半導体チップ１４に電気的に接続され
た金属ボール１６と、を具備するものである。上記ラン
ド１２の平面形状は、略円形に気体を抜くための領域１
２ａが付加された形状である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、金属ボールを搭載
するランドを備えた実装基板及び半導体装置に関する。
特には、リフロー工程においてランド上から金属ボール
が飛散することを抑制できる実装基板及び半導体装置に
関する。
するランドを備えた実装基板及び半導体装置に関する。
特には、リフロー工程においてランド上から金属ボール
が飛散することを抑制できる実装基板及び半導体装置に
関する。
【０００２】
【従来の技術】図２（ａ）は、従来の実装基板における
裏面の一部を示す平面図であり、図２（ｂ）は、図２
（ａ）に示す２ｂ−２ｂ線に沿った断面図である。
裏面の一部を示す平面図であり、図２（ｂ）は、図２
（ａ）に示す２ｂ−２ｂ線に沿った断面図である。
【０００３】半導体装置は、図２（ａ）に示す実装基板
としてのポリイミドテープ２１を備えている。このポリ
イミドテープ２１の一方の主面には平面形状が円形のラ
ンド２２が複数形成されている。これらのランド２２
は、図２（ｂ）に示すようにポリイミドテープ２１に設
けられた凹部である。ランドの底部には金メッキ部２３
が形成されている。ポリイミドテープ２１の内部には配
線が形成されており、配線は金メッキ部２３に繋げられ
ている。ポリイミドテープ２１の他方の主面には半導体
チップ２４が実装されている。ランド２２内には半田ボ
ール２６が搭載されており、半田ボール２６は金メッキ
部２３を介して半導体チップ２４に電気的に接続されて
いる。
としてのポリイミドテープ２１を備えている。このポリ
イミドテープ２１の一方の主面には平面形状が円形のラ
ンド２２が複数形成されている。これらのランド２２
は、図２（ｂ）に示すようにポリイミドテープ２１に設
けられた凹部である。ランドの底部には金メッキ部２３
が形成されている。ポリイミドテープ２１の内部には配
線が形成されており、配線は金メッキ部２３に繋げられ
ている。ポリイミドテープ２１の他方の主面には半導体
チップ２４が実装されている。ランド２２内には半田ボ
ール２６が搭載されており、半田ボール２６は金メッキ
部２３を介して半導体チップ２４に電気的に接続されて
いる。
【０００４】次に、上記実装基板に金属（半田）ボール
グリッドを形成する方法について説明する。
グリッドを形成する方法について説明する。
【０００５】まず、テープＣＳＰ（Chip Sized Packag
e）の基板であるポリイミドテープ２１を準備する。こ
のポリイミドテープ２１の一方の主面には平面が円形状
のランド２２が形成されている。次に、ポリイミドテー
プ２１の他方の主面にフェースダウンで半導体チップ２
４を実装する。
e）の基板であるポリイミドテープ２１を準備する。こ
のポリイミドテープ２１の一方の主面には平面が円形状
のランド２２が形成されている。次に、ポリイミドテー
プ２１の他方の主面にフェースダウンで半導体チップ２
４を実装する。
【０００６】この後、ランド２２内にフラックス２５を
ピンによって塗布し、そのランド２２にボール搭載装置
（図示せず）により半田ボールを載置する。次に、リフ
ロー炉を用いたリフロー工程（熱処理）で実装基板全体
を加熱する。これにより、半田ボール２６が溶融し、ラ
ンド底部の金メッキ部２３に半田ボール２６が接続され
る。その結果、半導体チップ２４はランド２２を介して
半田ボール２６に電気的に接続される。
ピンによって塗布し、そのランド２２にボール搭載装置
（図示せず）により半田ボールを載置する。次に、リフ
ロー炉を用いたリフロー工程（熱処理）で実装基板全体
を加熱する。これにより、半田ボール２６が溶融し、ラ
ンド底部の金メッキ部２３に半田ボール２６が接続され
る。その結果、半導体チップ２４はランド２２を介して
半田ボール２６に電気的に接続される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上述した金属ボールグ
リッドを形成する方法では、ランド２２の平面形状を円
形としているため、ランド２２に半田ボール２６を搭載
した際、円形のランドが半田ボールによって隙間なく蓋
されてしまい、ランド内にフラックス２５がほぼ密閉さ
れてしまう。この状態で実装基板をリフロー炉に入れる
と、ランド内のフラックス２５が沸騰して突沸現象を起
こした時に、ランド２２内でフラックスが沸騰してラン
ド上から半田ボール２６が飛散してしまい、半田ボール
２６がランド底の金めっき部２３に付着しないという問
題が生じる。このような突沸現象はランド内のフラック
ス量が比較的多い場合に起こりやすいが、フラックスの
量を少なくすると金メッキ部２３に半田ボール２６を十
分に接続させることができない。
リッドを形成する方法では、ランド２２の平面形状を円
形としているため、ランド２２に半田ボール２６を搭載
した際、円形のランドが半田ボールによって隙間なく蓋
されてしまい、ランド内にフラックス２５がほぼ密閉さ
れてしまう。この状態で実装基板をリフロー炉に入れる
と、ランド内のフラックス２５が沸騰して突沸現象を起
こした時に、ランド２２内でフラックスが沸騰してラン
ド上から半田ボール２６が飛散してしまい、半田ボール
２６がランド底の金めっき部２３に付着しないという問
題が生じる。このような突沸現象はランド内のフラック
ス量が比較的多い場合に起こりやすいが、フラックスの
量を少なくすると金メッキ部２３に半田ボール２６を十
分に接続させることができない。
【０００８】本発明は上記のような事情を考慮してなさ
れたものであり、その目的は、リフロー工程においてラ
ンド内にフラックスの突沸現象が発生しても、ランド上
から金属ボールが飛散することを抑制できる実装基板及
び半導体装置を提供することにある。
れたものであり、その目的は、リフロー工程においてラ
ンド内にフラックスの突沸現象が発生しても、ランド上
から金属ボールが飛散することを抑制できる実装基板及
び半導体装置を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体装置
は、実装基板と、この実装基板の一方の主面に実装され
た半導体チップと、実装基板の他方の主面に形成された
ランドと、このランドに接続され、半導体チップに電気
的に接続された金属ボールと、を具備し、上記ランドの
平面形状は、略円形に気体を抜くための領域が付加され
た形状であることを特徴とする。
は、実装基板と、この実装基板の一方の主面に実装され
た半導体チップと、実装基板の他方の主面に形成された
ランドと、このランドに接続され、半導体チップに電気
的に接続された金属ボールと、を具備し、上記ランドの
平面形状は、略円形に気体を抜くための領域が付加され
た形状であることを特徴とする。
【００１０】また、本発明に係る半導体装置において、
上記実装基板は、ポリイミドテープ、セラミック基板及
びガラスエポキシ基板のうちのいずれかであることも可
能である。
上記実装基板は、ポリイミドテープ、セラミック基板及
びガラスエポキシ基板のうちのいずれかであることも可
能である。
【００１１】本発明に係る実装基板は、半導体チップを
実装するための一方の主面を有する基板と、この基板の
他方の主面に形成されたランドであって、半導体チップ
に電気的に接続される金属ボールを接続するためのラン
ドと、を具備し、上記ランドの平面形状は、略円形に気
体を抜くための領域が付加された形状であることを特徴
とする。
実装するための一方の主面を有する基板と、この基板の
他方の主面に形成されたランドであって、半導体チップ
に電気的に接続される金属ボールを接続するためのラン
ドと、を具備し、上記ランドの平面形状は、略円形に気
体を抜くための領域が付加された形状であることを特徴
とする。
【００１２】上記実装基板によれば、ランドの平面形状
を略円形に気体を抜くための領域が付加された形状とし
ているため、ランドに半田ボールを搭載した際、ランド
内にフラックスがほぼ密閉された状態となることがな
い。即ち、気体を抜く領域を設けているため、ランド上
に半田ボールを搭載してもランド内が密閉状態となるこ
とを防止できる。従って、この状態で実装基板をリフロ
ー炉に入れると、ランド内のフラックスが沸騰して突沸
現象を起こした時に、沸騰したフラックスを上記領域の
隙間から抜くことができる。ランド上から金属ボールが
飛散することを抑制できる。
を略円形に気体を抜くための領域が付加された形状とし
ているため、ランドに半田ボールを搭載した際、ランド
内にフラックスがほぼ密閉された状態となることがな
い。即ち、気体を抜く領域を設けているため、ランド上
に半田ボールを搭載してもランド内が密閉状態となるこ
とを防止できる。従って、この状態で実装基板をリフロ
ー炉に入れると、ランド内のフラックスが沸騰して突沸
現象を起こした時に、沸騰したフラックスを上記領域の
隙間から抜くことができる。ランド上から金属ボールが
飛散することを抑制できる。
【００１３】また、本発明に係る実装基板において、上
記基板は、ポリイミドテープ、セラミック基板及びガラ
スエポキシ基板のうちのいずれかであることも可能であ
る。
記基板は、ポリイミドテープ、セラミック基板及びガラ
スエポキシ基板のうちのいずれかであることも可能であ
る。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の一
実施の形態について説明する。図１（ａ）は、本発明の
実施の形態による実装基板における裏面の一部を示す平
面図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）に示す１ｂ−１
ｂ線に沿った断面図である。
実施の形態について説明する。図１（ａ）は、本発明の
実施の形態による実装基板における裏面の一部を示す平
面図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）に示す１ｂ−１
ｂ線に沿った断面図である。
【００１５】半導体装置は、図１（ａ）に示す実装基板
としてのポリイミドテープ１１を備えている。このポリ
イミドテープ１１の一方の主面にはランド１２が複数形
成されており、ランド１２の平面形状は、略円形に気体
を抜くための領域１２ａが付加された形状（即ち鍵穴の
ような形状）とされている。この領域１２ａは、リフロ
ー工程で起こるフラックスの突沸現象による気体を抜く
作用を有するものであれば、どのような形状であっても
良い。また、一つのランド１２に気体を抜く領域１２ａ
が複数あることも可能である。
としてのポリイミドテープ１１を備えている。このポリ
イミドテープ１１の一方の主面にはランド１２が複数形
成されており、ランド１２の平面形状は、略円形に気体
を抜くための領域１２ａが付加された形状（即ち鍵穴の
ような形状）とされている。この領域１２ａは、リフロ
ー工程で起こるフラックスの突沸現象による気体を抜く
作用を有するものであれば、どのような形状であっても
良い。また、一つのランド１２に気体を抜く領域１２ａ
が複数あることも可能である。
【００１６】ランド２２は、図１（ｂ）に示すようにポ
リイミドテープ１１に設けられた凹部である。ランド１
２の底部には金メッキ部１３が形成されている。ポリイ
ミドテープ１１の内部には配線が形成されており、この
配線は金メッキ部１３に繋げられている。つまり、この
配線は、ポリイミドテープ１１の一方主面のランド１２
と他方主面の電極パッド（図示せず）とを電気的に接続
するためのものである。また、ポリイミドテープ１１の
他方の主面には半導体チップ１４が実装されている。ラ
ンド１２内には金属ボールグリッドとして半田ボール１
６が搭載されており、半田ボール１６は金メッキ部１
３、配線及び電極パッドを介して半導体チップ１４に電
気的に接続されている。
リイミドテープ１１に設けられた凹部である。ランド１
２の底部には金メッキ部１３が形成されている。ポリイ
ミドテープ１１の内部には配線が形成されており、この
配線は金メッキ部１３に繋げられている。つまり、この
配線は、ポリイミドテープ１１の一方主面のランド１２
と他方主面の電極パッド（図示せず）とを電気的に接続
するためのものである。また、ポリイミドテープ１１の
他方の主面には半導体チップ１４が実装されている。ラ
ンド１２内には金属ボールグリッドとして半田ボール１
６が搭載されており、半田ボール１６は金メッキ部１
３、配線及び電極パッドを介して半導体チップ１４に電
気的に接続されている。
【００１７】次に、上記実装基板に金属（半田）ボール
グリッドを形成する方法について説明する。
グリッドを形成する方法について説明する。
【００１８】まず、テープＣＳＰの基板であるポリイミ
ドテープ１１を準備する。このポリイミドテープ１１の
一方の主面には、平面形状が上記領域１２ａを備えた略
円形でのランド１２が形成されている。次に、ポリイミ
ドテープ１１の他方の主面にフェースダウンで半導体チ
ップ１４を実装する。
ドテープ１１を準備する。このポリイミドテープ１１の
一方の主面には、平面形状が上記領域１２ａを備えた略
円形でのランド１２が形成されている。次に、ポリイミ
ドテープ１１の他方の主面にフェースダウンで半導体チ
ップ１４を実装する。
【００１９】この後、ランド１２内にフラックス１５を
ピンによって塗布し、そのランド１２にボール搭載装置
（図示せず）により半田ボールを載置する。具体的に
は、テープ１１のランド１２と同じ配置に穴の開いた治
具で、その穴を真空引きしながら半田ボール１６を下方
からのエアーにより空中に浮遊させることにより、その
穴に半田ボール１６を真空吸着させる。そして、その治
具をテープ１１のランド１２上に位置合わせし、真空吸
着をオフしてランド１２に半田ボール１６を載置する。
ピンによって塗布し、そのランド１２にボール搭載装置
（図示せず）により半田ボールを載置する。具体的に
は、テープ１１のランド１２と同じ配置に穴の開いた治
具で、その穴を真空引きしながら半田ボール１６を下方
からのエアーにより空中に浮遊させることにより、その
穴に半田ボール１６を真空吸着させる。そして、その治
具をテープ１１のランド１２上に位置合わせし、真空吸
着をオフしてランド１２に半田ボール１６を載置する。
【００２０】次に、リフロー炉を用いたリフロー工程
（熱処理）で実装基板全体を加熱する。これにより、半
田ボール１６が溶融し、ランド底部の金メッキ部１３に
半田ボール１６が接続される。その結果、半導体チップ
１４はランド１２を介して半田ボール１６に電気的に接
続される。
（熱処理）で実装基板全体を加熱する。これにより、半
田ボール１６が溶融し、ランド底部の金メッキ部１３に
半田ボール１６が接続される。その結果、半導体チップ
１４はランド１２を介して半田ボール１６に電気的に接
続される。
【００２１】上記実施の形態によれば、ランド１２の平
面形状を略円形に気体を抜くための領域１２ａが付加さ
れた形状としているため、ランド１２に半田ボール１６
を搭載した際、従来の実装基板のようにランド内にフラ
ックスがほぼ密閉された状態となることがない。即ち、
気体を抜く領域１２ａを設けているため、ランド上に半
田ボールを搭載してもランド内が密閉状態となることを
防止できる。従って、この状態で実装基板をリフロー炉
に入れると、ランド内のフラックス１５が沸騰して突沸
現象を起こした時に、沸騰したフラックスを上記領域１
２ａの隙間から抜くことができる。その結果、従来の実
装基板のようにランド上から半田ボールが飛散すること
を抑制でき、半田ボール１６をランド底の金めっき部１
３にしっかりと付着させることができる。言い換える
と、フラックスの塗布量管理が容易となり、歩留りを向
上させることができる。
面形状を略円形に気体を抜くための領域１２ａが付加さ
れた形状としているため、ランド１２に半田ボール１６
を搭載した際、従来の実装基板のようにランド内にフラ
ックスがほぼ密閉された状態となることがない。即ち、
気体を抜く領域１２ａを設けているため、ランド上に半
田ボールを搭載してもランド内が密閉状態となることを
防止できる。従って、この状態で実装基板をリフロー炉
に入れると、ランド内のフラックス１５が沸騰して突沸
現象を起こした時に、沸騰したフラックスを上記領域１
２ａの隙間から抜くことができる。その結果、従来の実
装基板のようにランド上から半田ボールが飛散すること
を抑制でき、半田ボール１６をランド底の金めっき部１
３にしっかりと付着させることができる。言い換える
と、フラックスの塗布量管理が容易となり、歩留りを向
上させることができる。
【００２２】尚、本発明は上記実施の形態に限定され
ず、種々変更して実施することが可能である。例えば、
上記実施の形態では、実装基板としてポリイミドテープ
１１を例に挙げて説明しているが、実装基板として他の
材料の基板を用いることも可能であり、例えば、実装基
板としてポリイミドテープ、セラミック基板又はガラス
エポキシ基板などを用いることも可能である。
ず、種々変更して実施することが可能である。例えば、
上記実施の形態では、実装基板としてポリイミドテープ
１１を例に挙げて説明しているが、実装基板として他の
材料の基板を用いることも可能であり、例えば、実装基
板としてポリイミドテープ、セラミック基板又はガラス
エポキシ基板などを用いることも可能である。
【００２３】また、上記実施の形態では、ポリイミドテ
ープ１１の他方の主面に半導体チップ１４をフェースダ
ウンで実装しているが、実装基板に半導体チップを実装
する実装方法は特に限定されることはなく、種々の実装
方法を用いることも可能であり、例えば、実装基板に半
導体チップをワイヤボンディングにより接続するといっ
た実装方法を用いることも可能である。
ープ１１の他方の主面に半導体チップ１４をフェースダ
ウンで実装しているが、実装基板に半導体チップを実装
する実装方法は特に限定されることはなく、種々の実装
方法を用いることも可能であり、例えば、実装基板に半
導体チップをワイヤボンディングにより接続するといっ
た実装方法を用いることも可能である。
【００２４】また、実装基板に複数の半導体チップを実
装し、ランドに半田ボールを付着させ、実装基板を１チ
ップ毎に切断するものでも良いし、１チップ毎の実装基
板を準備し、それに半導体チップを実装し、ランドに半
田ボールを付着させるものでも良い。つまり、本発明は
種々のパッケージに利用することができるものである。
装し、ランドに半田ボールを付着させ、実装基板を１チ
ップ毎に切断するものでも良いし、１チップ毎の実装基
板を準備し、それに半導体チップを実装し、ランドに半
田ボールを付着させるものでも良い。つまり、本発明は
種々のパッケージに利用することができるものである。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、ラ
ンドの平面形状を略円形に気体を抜くための領域が付加
された形状としている。したがって、リフロー工程にお
いてランド内にフラックスの突沸現象が発生しても、ラ
ンド上から金属ボールが飛散することを抑制できる実装
基板及び半導体装置を提供することができる。
ンドの平面形状を略円形に気体を抜くための領域が付加
された形状としている。したがって、リフロー工程にお
いてランド内にフラックスの突沸現象が発生しても、ラ
ンド上から金属ボールが飛散することを抑制できる実装
基板及び半導体装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）は、本発明の実施の形態による実装基板
における裏面の一部を示す平面図であり、（ｂ）は、
（ａ）に示す１ｂ−１ｂ線に沿った断面図である。
における裏面の一部を示す平面図であり、（ｂ）は、
（ａ）に示す１ｂ−１ｂ線に沿った断面図である。
【図２】（ａ）は、従来の実装基板における裏面の一部
を示す平面図であり、（ｂ）は、（ａ）に示す２ｂ−２
ｂ線に沿った断面図である。
を示す平面図であり、（ｂ）は、（ａ）に示す２ｂ−２
ｂ線に沿った断面図である。
１１，２１ ポリイミドテープ １２，２２ ランド １２ａ 気体を抜くための領域 １３，２３ 金メッキ部 １４，２４ 半導体チップ １５，２５ フラックス １６，２６ 半田ボール
Claims (4)
- 【請求項１】 実装基板と、 この実装基板の一方の主面に実装された半導体チップ
と、 実装基板の他方の主面に形成されたランドと、 このランドに接続され、半導体チップに電気的に接続さ
れた金属ボールと、 を具備し、 上記ランドの平面形状は、略円形に気体を抜くための領
域が付加された形状であることを特徴とする半導体装
置。 - 【請求項２】 上記実装基板は、ポリイミドテープ、セ
ラミック基板及びガラスエポキシ基板のうちのいずれか
であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。 - 【請求項３】 半導体チップを実装するための一方の主
面を有する基板と、 この基板の他方の主面に形成されたランドであって、半
導体チップに電気的に接続される金属ボールを接続する
ためのランドと、 を具備し、 上記ランドの平面形状は、略円形に気体を抜くための領
域が付加された形状であることを特徴とする実装基板。 - 【請求項４】 上記基板は、ポリイミドテープ、セラミ
ック基板及びガラスエポキシ基板のうちのいずれかであ
ることを特徴とする請求項３記載の実装基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000119726A JP2001308125A (ja) | 2000-04-20 | 2000-04-20 | 実装基板及び半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000119726A JP2001308125A (ja) | 2000-04-20 | 2000-04-20 | 実装基板及び半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001308125A true JP2001308125A (ja) | 2001-11-02 |
Family
ID=18630651
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000119726A Withdrawn JP2001308125A (ja) | 2000-04-20 | 2000-04-20 | 実装基板及び半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001308125A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009099929A (ja) * | 2007-10-16 | 2009-05-07 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 印刷回路基板 |
| US7893534B2 (en) | 2007-08-10 | 2011-02-22 | Hitachi Global Storage Technologies, Netherlands, B.V. | Thermally insulating bonding pad structure for solder reflow connection |
-
2000
- 2000-04-20 JP JP2000119726A patent/JP2001308125A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7893534B2 (en) | 2007-08-10 | 2011-02-22 | Hitachi Global Storage Technologies, Netherlands, B.V. | Thermally insulating bonding pad structure for solder reflow connection |
| JP2009099929A (ja) * | 2007-10-16 | 2009-05-07 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 印刷回路基板 |
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